INTRODUCCIN.

Las memorias de slo lectura ROMs (Read Only Memories), son aquellas memorias que
nicamente permiten la operacin de lectura en uso normal, sin embargo cabe sealar que
existen algunos tipos de ROMs en las cuales se puede llevar a cabo la operacin de
escritura, pero el tiempo que requiere para realizarla es mucho mayor que el tiempo
necesario para la operacin de lectura, por consiguiente no son consideradas como
memorias de lectura y escritura.
Una caracterstica de las memorias ROMs es que son del tipo de memorias no
voltiles por lo que son muy importantes en los sistemas computacionales, esto es debido a
que son utilizadas para almacenar informacin que solamente queremos leer, como por
ejemplo para guardar el conjunto de instrucciones que tienen que ser ejecutadas para
arrancar un sistema computacional cuando ste es encendido. Otras aplicaciones seran:
guardar el sistema operativo, macroinstrucciones, cdigos, funciones trigonomtricas,
logartmicas, generadores de caracteres, microprogramas, etc. De esta forma las ROMs son
integradas como componentes de una computadora, a esto se le conoce con el nombre de
firmware (software contenido en hardware).
Existen varios tipos de memorias de slo lectura (ROMs):

Memoria ROM de mscara (MROM)

Memoria ROM programable (PROM)

Memoria ROM programable y borrable con luz ultravioleta (EPROM)

Memoria ROM programable y borrable elctricamente (EEPROM)

Y dos tipos de tecnologas de fabricacin bsicas en las ROMs, la bipolar y la MOS

(figura 1). Como puede observarse, en la bipolar slo hay ROMs de mscara y PROMs,
mientras que en la MOS existen adems de las anteriores las EPROMs y las EEPROMs.

Fig. 1 Clasificacin de las memorias ROMs.

La principal diferencia entre estas dos tecnologas es el tiempo de acceso. Las
ROMs bipolares tienen un tiempo de acceso menor que las ROMs de tecnologa MOS. Por
consiguiente, las bipolares tienen una disipacin de potencia mayor que las MOS. Por otro
lado, las bipolares se fabrican principalmente con una capacidad menor que las MOS.
Como ya dijimos las memorias ROM son no voltiles y de lectura no destructiva, esto
ltimo quiere decir que la informacin no se pierde cuando se lee una localidad o registro
de la memoria.
Los dispositivos de almacenamiento tienen como propsito guardar informacin y
proporcionarla cuando sta se necesite, por tal motivo estos dispositivos requieren de una
estructura para poder realizar sus operaciones de lectura o escritura, a continuacin se
muestra el diagrama de bloques de la estructura bsica de estos dispositivos.

Fig. 2 Estructura bsica de las memorias ROMs.

La arquitectura (estructura) de un circuito integrado (CI) ROM es muy compleja, y no
necesitamos conocer todos sus detalles. Sin embargo, es ilustrativo observar un diagrama
simplificado de la estructura interna, como el que se muestra en la figura 3 para una ROM
de 16 x 8. Los cuatro bloques bsicos mostrados, funcionan de la siguiente manera:
Almacenamiento. Este bloque est integrado por una matriz de registros que almacena los
datos que han sido programados en la ROM. Cada registro contiene un nmero de celdas de
memoria que es igual al tamao de la palabra. En el caso de la figura, cada registro
almacena una palabra de 8 bits. Los registros se disponen en un arreglo de matriz cuadrada
que es comn a muchos circuitos. Podemos especificar la posicin de cada registro como
una ubicada en un rengln y una columna especficos. Por ejemplo, el registro 0 se

encuentra en el rengln 0 / columna 0, el registro 9 se encuentra en el rengln 1 / columna 2

y el registro 15 se encuentra en el rengln 3 / columna 3.

Las ocho salidas de datos de cada registro se conectan a un canal de datos interno que corre
a travs de todo el circuito (bus de datos). Cada registro tiene dos entradas de habilitacin
(E); en este caso, ambas tienen que ser altas a fin de que los datos del registro sean
colocados en el canal y sean almacenados en el buffer de entrada/salida.
Las caractersticas de las celdas definen el tipo de memoria, es decir si esta es de slo
lectura o de lectura escritura.
Direccionamiento. Este bloque tiene la finalidad de seleccionar una y slo una localidad o
palabra de memoria a la vez, para poder realizar a continuacin una operacin de escritura
o lectura sobre ella. En la figura, el cdigo de direccin aplicado A3A2A1A0 determina qu
registro ser habilitado para colocar su palabra de datos de 8 bits en el canal. Los bits de
direccin A1A0 se alimentan a un decodificador 2 a 4 que activa una lnea de seleccin de
rengln, y los bits de direccin A3A2 se alimentan a un segundo decodificador que activa
una lnea de seleccin de columna. Solamente un registro estar en el rengln y la columna
seleccionados por las entradas de direccin, y ste estar habilitado. Tambin existen
unidades de direccionamiento que utilizan solamente un decodificador.
Control. Este bloque realiza todo lo necesario para coordinar y controlar el buen
funcionamiento. Aqu podemos encontrar las seales de la operacin que se realizar al
registro seleccionado por el bloque de direccionamiento, adems regula el flujo de datos
hacia el exterior o interior del dispositivo.
Entrada/Salida. Est integrado por un conjunto de amplificadores que actan como un
registro intermedio (buffer de entrada/salida) para los datos. Este bloque puede estar
controlado por un habilitador de salida de datos
en la figura, o entrada/salida si el bus es
bidireccional como regularmente pasa. Se hablar del funcionamiento del buffer en la
prctica 4.

Fig.3 Arquitectura de una memoria de slo lectura de 16 x 8.

En la actualidad existen comercialmente una gran variedad de memorias seriales y paralelas
con caractersticas muy particulares por lo que es casi imposible conocerlas todas, as
mismo una diversidad de aplicaciones. Por lo que a continuacin se vern primeramente a
las memorias EPROM y posteriormente a las EEPROM, dndose algunas de sus
caractersticas y diferencias entre ambas memorias.
MEMORIAS EPROM y EEPROM
Las EPROM, son memorias de slo lectura, programables y borrables, se programan
mediante pulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz ultravioleta, por
lo que stas tambin son conocidas como UVEPROM (por sus siglas en Ingls Ultra Violet
Erasable Read Only Memory). Una caracterstica que presentan estas memorias es que el
circuito integrado presenta una ventanita, vase la figura 4.

Para guardar la informacin en la memoria se requiere de un dispositivo programador y

para su borrado se requiere introducir el circuito integrado en un dispositivo borrador, el
cual en su interior contiene una lmpara de luz ultravioleta, la cual debe ser aplicada por
aproximadamente 20 minutos, borrando la totalidad de las celdas.

Fig. 4 Memoria UVEPROM

La celda de almacenamiento de una memoria EPROM consiste de un solo transistor

MOSFET que contiene una compuerta flotante de silicio llamada FAMOS (Floating Gate
Avalanche-Inyection MOS).
La programacin de una celda consistira en introducir electrones en forma de avalancha a
la compuerta flotante del transistor seleccionado, quedando stos atrapados en la misma,
dicha carga aumenta la conductividad entre las terminales del gate y el source del transistor,
hacindolo conductor (el transistor enciende), en ese caso podramos decir que la celda
tiene almacenado un uno. Si la compuerta flotante del transistor seleccionado esta vaca,
este transistor no enciende, por lo que podramos decir que la celda tiene guardado un cero.
El borrado consistira en colocar el circuito integrado con la ventanita descubierta en un
dispositivo borrador, aplicndose los rayos de luz ultravioleta al mismo, con lo cual se
eliminaran por efecto fotoelctrico los electrones que estuvieran atrapados en las
compuertas flotantes correspondientes, con lo cual se volvera al estado inicial, es decir
ningn transistor podra encender, (el borrado sera en todas las celdas de la memoria), por
lo que podramos decir que la memoria tendra almacenados puros ceros. Las memorias
EPROM solamente se pueden borrar un nmero limitado de veces (entre 6 y 10).
Las memorias EEPROMs son memorias de slo lectura, programables y borrables
elctricamente (su nombre proviene de las siglas en ingls Electrically Erasable
Programmable Read Only Memory).
Las celdas de memorias EEPROM son similares a las celdas EPROM algunas diferencias
se encuentran en la capa aislante alrededor de cada compuerta flotante, la cual es ms
delgada y no es fotosensible, adems cada celda de las memorias EEPROM est integrada

por dos transistores, uno de direccionamiento y el otro de almacenamiento, ste ltimo es el

que posee la compuerta flotante.
Las memorias EEPROM son programables y borrables a travs de pulsos elctricos, se
puede borrar totalmente una memoria en un solo instante, o localidades individuales de
almacenamiento pueden ser borradas y reprogramadas por medio de pulsos elctricos, sin
necesidad de retirar el circuito integrado de su lugar, con lo cual se logra una gran
flexibilidad. Las memorias EEPROM son ms caras que las EPROM, adems se pueden
borrar y reprogramar miles de veces y la informacin almacenada puede perdurar
aproximadamente 100 aos. La programacin de una memoria EEPROM es muy similar a
la EPROM.
El significado de las matrculas, por medio de la cual conoceremos algunas caractersticas
especficas de estas memorias, es el siguiente. Los dos primeros dgitos corresponden al
tipo de memoria, por ejemplo en el caso de las EPROM el cdigo es el 27, en el caso de las
memorias EEPROM podra ser el 28, 29, 37, vara segn sea el fabricante, los siguientes
nmeros especifican la capacidad de la memoria en bits, dada en Kbits (1 K = 1x1024 bits).
Por ejemplo, una memoria 2764 2864, en el primer caso corresponde a una memoria
EPROM y en el segundo corresponde a una memoria EEPROM, el 64, en ambos casos, nos
indica que la capacidad de la memoria es de 64 Kbits, es decir 65536 bits o celdas. Por lo
tanto podemos decir que la organizacin interna de la memoria sera de 8 K x 8 bits, o en
otras palabras contiene 8 K registros, cada registro de 8 bits. La organizacin de una
memoria, est definida como el nmero de palabras por el nmero de bits por palabra, por
ejemplo 8K x 8 bits o tambin se podra decir 8K Bytes. En algunos casos aparece o se
omite la letra C entre el identificador (27 28) y la referencia de capacidad, esto se refiere
al tipo de tecnologa utilizada en la fabricacin de la memoria, as pues si tiene una C la
memoria es CMOS y si carece de ella es solamente MOS.
Observando la tabla 1, la memoria 27C512 sera una memoria EPROM de tipo CMOS y su
capacidad es de 512K bits, la siguiente 27C010 corresponde a una memoria EPROM con
capacidad de 1024K 1 M, la 27C020 y la 27C040 seran de 2M y de 4M respectivamente,
todas con un tamao de palabra de 8 bits. Originalmente se haba especificado que las
memorias de las series 27 y 28 tendran un tamao de palabra fijo de 8 bits, sin embargo
posteriormente esto cambio, por ejemplo vase el circuito integrado 27C210, en este caso el
2 indica que el tamao de la palabra es el doble es decir 16 bits y una capacidad de 1 M.
EPROM o EEPROM Capacidad Organizacin
(bits) ( # palabras / # bits por palabra)
27C08 28C08 8 K 1K x 8
27C16 28C16 16 K 2K x 8
27C32 28C32 32 K 4K x 8

27C64 28C64 64 K 8K x 8
27C128 28C128 128 K 16K x 8
27C256 28C256 256 K 32K x 8
27C512 28C512 512 K 64K x 8
27C010 28C010 1024 K = 1 M 128K x 8
27C020 28C020 2 M 256K x 8
27C040 28C040 4 M 512K x 8
27C210 28C210 1 M 64K x 16

Tabla 1. Ejemplos de diferentes capacidades y organizaciones de EPROMs y

EEPROMs.

La tabla 2 muestra el patigrama de varios circuitos integrados de la familia 27, en stos se

puede apreciar el nmero de pines que contienen, as como la ubicacin y la definicin de
cada una de ellas. La muesca que presentan los circuitos nos indican la orientacin y el
orden que siguen los pines, el cual tiene un seguimiento en U, como se podr observar en
el circuito integrado.

Tabla 2. Patigramas de algunas memorias de la familia 27

Si tomamos como ejemplo, el circuito integrado 27C256 al centro de la tabla anterior,

podemos observar la siguiente configuracin de los pines:
- Los pines A14, A13, A12A0 son las entradas de las lneas de direccionamiento por
medio de las cuales se podr seleccionar una localidad de la memoria en donde se quiera
realizar una operacin, ya sea de lectura o escritura. La cantidad de lneas de
direccionamiento nos define el nmero de palabras o localidades que tiene la memoria. Lo
anterior se puede obtener mediante la expresin 2n, donde n es el nmero de terminales de
direccionamiento, en este caso se tienen 15 lneas, por lo tanto se tendrn 2 15, dndonos un
total de 32 K localidades de memoria.
Los pines O7, O6, O5O0 son las correspondientes lneas de salida de datos, las cuales en
el proceso de grabacin de la memoria sirven a su vez como lneas de entrada de datos. El
nmero de lneas depender del tamao de la palabra de la memoria (en este caso 8), sin
embargo en el mercado existen memorias de diferentes tamaos de palabras como pudiera
ser de: 1, 4, 8 y 16 bits.
El pin CE (Chip Enable) se utiliza como habilitador del circuito integrado, por lo regular la
memoria esta seleccionada cuando en esta entrada se presenta un voltaje bajo
El pin OE (Output Enable) es el habilitador de salida de datos, la salida de datos se
encuentra habilitada cuando ste se encuentra a un voltaje bajo, entonces la memoria
presenta en sus salidas los datos que tiene guardado, en caso contrario, las lneas de salida
de datos presentan una alta impedancia o actan como entrada de datos en el caso de la
programacin de la memoria.

Los pines VCC y GND corresponden a la lnea de voltaje de alimentacin y a la lnea de

voltaje de referencia.
El pin Vpp es la lnea de entrada para aplicar el voltaje para programacin cuando se est
en el modo de programacin.
En la tabla 3 se observan los modos de operacin que tienen las memorias EPROM, as
como los voltajes de entrada y de salida respectivos. Los diferentes modos de operacin
son: modo lectura (read), modo espera (standby), modo salidas deshabilitadas (output
disable), modo programacin (program), modo verificacin de programacin (program
verify) y por ltimo modo programacin inhibida (program inhibit).

MODE

CE

OE

VPP

VCC

OUTPUTS

READ

VIL

VIL

5V

5V

DOUT

STANDBY

VIH

5V

5V

HI-Z

OUTPUT
DISABLE

VIH

5V

5V

HI-Z

PROGRA
M

VIL

VIH

12.75
V

6.25V

DIN

PROGRA
M VERIFY

VIH

VIL

12.75
V

6.25V

DOUT

PROGRA
M

VIH

VIH

12.75
V

6.25V

HI-Z

INHIBIT
X = no importa, HI-Z = alta impedancia, VIL= Voltaje de entrada bajo, VIH= Voltaje de
entrada alto
DOUT= salida dato, DIN entrada dato.
Tabla 3. Modo de Seleccin
En la figura 5 se muestran los circuitos integrados 27C64 y 28C64 que corresponden a las
memorias EPROM y EEPROM respectivamente, ambas con una capacidad de 64 Kbits, en
ellos podemos apreciar que casi son idnticos, las diferencias seran que en el pin nmero 1
de la EPROM aparece el voltaje para programacin (Vpp), mientras que en la EEPROM no

hay conexin (NC), en el pin 27 en la primera est el pulso de programacin (PGM),

mientras que en la segunda est el habilitador de escritura (WE). Como se puede observar
son casi idnticos.

Fig. 5 Circuito Integrado de Memorias EPROM y EEPROM con capacidad de 64

Kbits.
Ahora que se conoce cmo identificar una memoria se proceder a ver como grabarla. Lo
que debemos tomar en cuenta es lo siguiente:
Al comprar la memoria debe de estar cubierta con papel estao, aluminio o estar contenida
en una mica plstica (como estuche transparente), evite tocar los pines de la memoria.
Para encontrar el software del programador en la computadora personal (PC), nicamente
se busca en el escritorio el icono que dice Acceso directo a ML (Max Loader) figura 6.

Fig. 6 Acceso Directo a ML

Antes de que se proceda a manipularlo se debe asegurar de
que el programador est conectado al puerto paralelo de la
computadora, posteriormente encindalo en modo
operacin; no coloque la memoria antes de encenderlo o antes de ejecutar el programa

porque se puede daar el programador o incurrir en un error de software. Ahora ejecute el

programa.

Aparecer una ventana como la mostrada en la figura 7, entonces proceda a colocar la

memoria; para esto slo tmela con el dedo ndice y el pulgar de los lados extremos de la
memoria donde no toque los pines de la memoria. Observe que en el programador el socket
o base donde se va a colocar la memoria indicar el sentido y orientacin de la memoria, si
no lo ubica pregunte a su profesor para que lo asesore, para sta u otras dudas, NO
experimente si no ha entendido .

Fig. 7 Ventana principal. Max Loader (Top Max)

Enseguida seleccione en la pantalla principal el men DEVICE y posteriormente dar un
click en SELECT, figura 8.

Fig. 8 Men Device.

Se abrir una ventana para identificar la memoria. Primero seleccione el fabricante y
posteriormente la matrcula, figura 9.

Fig. 9 Men para seleccionar el circuito integrado a utilizar.

Ahora se debe regresar al mismo men DEVICE, aqu se proceder a seleccionar si se

programa, lee o borra la memoria, como se muestra en la figura 10, seleccionndose la
opcin con un click.

Fig. 10 Men para seleccionar la opcin que se quiera realizar.

Para comenzar a vaciar los datos se debe entrar a la pantalla anterior y buscar donde diga
Buffer y d un click en Edit Buffer o con F6, dentro de esta herramienta se podr ver el
mapeo de la memoria, o sea los registros asociados de los datos conjuntamente con sus
respectivas direcciones. Los datos se podrn ingresar en hexadecimal o en ASCII como se
muestra en la Figura 11.

Fig. 11 Ventana de edicin

Para salir del modo programador o salvar el archivo recurra nuevamente al recuadro
superior de herramientas y seleccione FILE, dentro del men proceder a seleccionar la
opcin ya sea salir, guardarlo o cargar el archivo de datos.
En la figura 12 se muestra que se puede utilizar tambin la barra de herramientas con las
mismas acciones, anteriormente explicadas.

Fig. 12 Men Barra de Herramientas

Con esto se dar por terminado el uso del programador universal.

TEMA 8: MEMORIA ROM

PREVIO

I.- LEER EL ARCHIVO ENVIADO EN EL

MAIL PARA ENTENDER CMO SE
PROGRAMA UNA MEMORIA ROM.
II.- ELEGIR DE LA LISTA DE
FABRICANTES QUE VIENE EN EL
SIMULADOR EL MODELO Y TAMAO DE
LA MEMORIA ROM.
III.- CONVERTIR A HEXADECIMAL TODAS
LAS LETRAS (QUE PUEDAN
VISUALIZARSE) ASI COMO NUMEROS
CORRESPONDIENTES A:
NOMBRES
GRUPOS DE TEORIA
NUMEROS DE CUENTA

PRCTICA

I.- GRABAR LOS DATOS DEL PUNTO III

DEL PREVIO EN LA MEMORIA ROM.
II.- UTILIZANDO UN DISPLAY DE 7
SEGMENTOS VISUALIZAR LOS DATOS
PEDIDO EN EL PUNTO DEL PREVIO.