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Engenharia de
Materiais
APRESENTAO
com satisfao que a Unisa Digital oferece a voc, aluno(a), esta apostila de Engenharia de Materiais, parte integrante de um conjunto de materiais de pesquisa voltado ao aprendizado dinmico e autnomo que a educao a distncia exige. O principal objetivo desta apostila propiciar aos(s) alunos(as)
uma apresentao do contedo bsico da disciplina.
A Unisa Digital oferece outras formas de solidificar seu aprendizado, por meio de recursos multidisciplinares, como chats, fruns, aulas web, material de apoio e e-mail.
Para enriquecer o seu aprendizado, voc ainda pode contar com a Biblioteca Virtual: www.unisa.br,
a Biblioteca Central da Unisa, juntamente s bibliotecas setoriais, que fornecem acervo digital e impresso,
bem como acesso a redes de informao e documentao.
Nesse contexto, os recursos disponveis e necessrios para apoi-lo(a) no seu estudo so o suplemento que a Unisa Digital oferece, tornando seu aprendizado eficiente e prazeroso, concorrendo para
uma formao completa, na qual o contedo aprendido influencia sua vida profissional e pessoal.
A Unisa Digital assim para voc: Universidade a qualquer hora e em qualquer lugar!
Unisa Digital
SUMRIO
INTRODUO.................................................................................................................................................5
1 CONCEITOS FUNDAMENTAIS.........................................................................................................7
1.1 Classificao dos Materiais......................................................................................................................................... 10
1.2 Ligao Inica e a ligao Secundria ou de Van der Waals......................................................................... 11
1.3 A Estrutura Cristalina.................................................................................................................................................... 12
1.4 Exerccios Resolvidos.................................................................................................................................................... 14
1.5 Resumo do Captulo..................................................................................................................................................... 16
1.6 Atividades Propostas.................................................................................................................................................... 16
2 ESTRUTURAS METLICAS.............................................................................................................. 17
2.1 Estruturas Cermicas.................................................................................................................................................... 18
2.2 Estruturas Polimricas.................................................................................................................................................. 19
2.3 Estruturas Semicondutoras....................................................................................................................................... 20
2.4 Exerccios Resolvidos.................................................................................................................................................... 22
2.5 Resumo do Captulo..................................................................................................................................................... 24
2.6 Atividades Propostas.................................................................................................................................................... 24
4 CONSIDERAES FINAIS................................................................................................................ 43
RESPOSTAS COMENTADAS DAS ATIVIDADES PROPOSTAS...................................... 45
REFERNCIAS.............................................................................................................................................. 53
INTRODUO
Esta apostila destina-se a voc, estudante de graduao para os cursos de Engenharia Ambiental,
Engenharia de Produo ou afins, para acompanhamento do contedo de Engenharia de Materiais, nos
cursos a distncia.
Com o intuito de simplificar a exposio dos tpicos abordados, procurou-se, atravs de uma linguagem simples, expor o contedo de forma sucinta e objetiva, com a deduo de parte das equaes
expostas no texto.
Neste curso, ser abordado o estudo dos materiais metlicos, polimricos e cermicos, bem como
os materiais compsitos. Voc ter a oportunidade de aprimorar os seus conhecimentos no mundo dos
materiais, que o cerca no dia a dia. Muitos dos materiais utilizados atualmente em veculos automotores,
utenslios domsticos, fazem parte dessa gama enorme de novos materiais e suas aplicaes. Voc tambm vai reconhecer a importncia da nanotecnologia na produo de equipamentos em escalas cada
vez menores, na ordem de 10-9 do metro, com a mesma eficincia, porm consumindo menor quantidade de matria-prima.
Para complementar a teoria, so propostas atividades com grau de dificuldade gradativo. Alm
desta apostila, voc ter como materiais de estudo as aulas web, material de apoio e aula ao vivo. Sero
utilizadas para avaliao as atividades, podendo ser atribuda uma nota ou no, e a prova presencial.
Esperamos que voc, aluno(a), tenha facilidade na compreenso do texto apresentado, bem como
na realizao das atividades propostas.
Aparecido Edilson Morcelli
CONCEITOS FUNDAMENTAIS
A grande variedade de materiais disponveis aos engenheiros pode ser dividida em cinco
grandes categorias: metais, cermicas e vidros,
polmeros, compsitos e semicondutores. As trs
primeiras categorias podem ser associadas a tipos
distintos de ligao atmica. Os compsitos envolvem combinaes de dois ou mais materiais,
como, por exemplo, metais e cermicas.
Agora, vamos entender as vrias propriedades desses materiais. Nesse caso, preciso que
voc e eu examinemos a estrutura desses materiais em escala microscpica ou atmica.
Voc j deve ter ouvido falar em nanotecnologia, para a produo de dispositivos cada
vez menores. Para eu e voc podermos enxergar
o mundo microscpico, necessitamos de equipamentos de observao. O microscpio eletrnico
um equipamento utilizado atualmente para
enxergar os materiais e estudar o seu comportamento.
Fonte: O autor.
Voc notou pelo contraste que existem regies claras, com a existncia de alvolos, indicando que a fratura ocorreu por sobrecarga. As
esferas em contraste escuro so de carbono ou
grafita, indicando a forma de resfriamento do
material. Ns vamos falar um pouco mais sobre a
anlise de materiais nos prximos captulos.
Ateno
mv =
A imagem obtida por MEV, atravs da imagem de eltrons secundrios. Calma! Eu vou falar
mais sobre essa tcnica nos prximos captulos.
Voc notou que o aumento obtido corresponde a 420x. Agora, veja essa mesma superfcie
de fratura com um aumento de aproximadamente 1300x.
Engenharia de Materiais
Fonte: O autor.
Agora, voc e eu podemos adentrar superfcie de fratura e observar com grande profundidade de foco e resoluo a superfcie de fratura
e as esferas escuras dentro dos alvolos. Voc j
tinha imaginado visualizar a superfcie de um metal e encontrar tantos detalhes? No!
No nosso curso, vamos investigar os materiais atravs de tcnicas de observao e de realizao de ensaios e testes para observar o seu
comportamento mecnico e termomecnico.
Para voc e eu entendermos as propriedades ou
caractersticas observveis dos materiais da engenharia, necessrio entender a sua estrutura em
uma escala atmica e/ou microscpica. Qualquer
Regio de ruptura
do corpo de prova.
Fonte: O autor.
Saiba mais
Elasticidade: tenso mxima que ainda provoca deformao elstica.
Dureza: resistncia penetrao.
Uma base para a classificao dos materiais da engenharia a ligao atmica. Embora
a identidade qumica de cada tomo seja determinada pelo nmero de prtons e nutrons dentro de seu ncleo, a natureza da ligao atmica
determinada pelo comportamento dos eltrons
que orbitam o ncleo.
Vamos classificar os materiais da engenharia
que admitem um tipo de ligao em particular ou
uma combinao de tipos para cada categoria. Os
metais envolvem a ligao metlica. As cermicas
e vidros envolvem a ligao inica, mas normalmente em conjunto com uma forte caracterstica
covalente. Os polmeros normalmente envolvem
10
ligaes covalentes fortes ao longo de cadeias polimricas, mas possuem ligaes secundrias mais
fracas entre cadeias adjacentes. A ligao secundria atua como um elo fraco na estrutura, gerando resistncias e pontos de fuso tipicamente baixos. Os semicondutores so predominantemente
covalentes por natureza, com alguns compostos
semicondutores tendo uma caracterstica inica
significativa. Essas quatro categorias de materiais
da engenharia so, portanto, os tipos fundamentais. Os compsitos so combinaes dos trs primeiros tipos fundamentais e possuem caractersticas de ligao apropriadas aos seus elementos
constituintes.
Engenharia de Materiais
Fc =
K
a2
Sendo:
Fc a fora de atrao coulombiana entre dois ons de cargas opostas;
)(
F=
dE
da
11
dE
F= 0=
da a = a0
A ligao conhecida como secundria ou
ligao de van der Waals ocorre com energias de
ligao substancialmente menores, sem a transferncia ou o compartilhamento de eltrons.
Voc pode observar que o mecanismo da
ligao secundria ou de van der Waals semelhante ligao inica, ou seja, a atrao de cargas
opostas. A principal diferena que nenhum eltron transferido. A atrao depende de distribuies assimtricas de cargas positivas e negativas
A estrutura cristalina tem como caracterstica central sua forma regular e repetitiva. Para
quantificar essa repetio, temos de determinar
qual unidade estrutural repetida. Vamos, agora,
analisar a geometria de uma clula unitria.
Dicionrio
Clula unitria: o menor volume que, por repetio
no espao, reproduz o reticulado cristalino.
12
Voc vai perceber que a descrio das estruturas cristalinas por meio de clulas unitrias
tem uma vantagem importante. Todas as estruturas possveis se reduzem a um pequeno nmero
de geometrias bsicas de clula unitria. Existem
somente sete formas exclusivas de clula unitria
que podem ser empilhadas para preencher o espao tridimensional.
Vamos, agora, analisar o sistema cbico:
Engenharia de Materiais
A forma geral da curva da energia de ligao e a terminologia associada s ligaes covalentes e tambm inicas esto representadas na
figura a seguir. Voc pode verificar a energia de
ligao em relao ao comprimento de ligao.
Essa uma forma comum para descrever a curva
de energia de ligao.
13
Fc =
K
a2
K k ( Z q )( Z q )
Fc =
2 =0 1 2 2
a
a
k0 ( Z1q )( Z 2 q ) 9 109 1, 6 1019 1 1, 6 1019
K
2 =
=
Fc =
2
a
a2
0, 278 109
K
a
6A +
2. Dado o potencial E =
KR
, onde K A e K R so constantes para atrao e repulso,
a12
78
6
16,16 10135 J m12 , calcurespectivamente, e sendo: K A =10, 37 10 J m e K R =
14
Engenharia de Materiais
Resoluo:
6 K A 12 K R
dE
13
= 0=
a07
a0
da a = a0
10
J
K
K
E=
6A + 12R , teremos:
a
a
KA
KR
E ( 0, 382nm ) =
+
6
12
( 0, 382nm ) ( 0, 382nm )
10, 37 1078 J m6 16,16 10135 J m12
E ( 0, 382nm ) =
+
6
12
( 0, 382nm )
( 0, 382nm )
10, 37 1078 J m6 16,16 10135 J m12
E ( 0, 382nm ) =
+
=
1, 66 1021 J .
6
12
( 0, 382nm )
( 0, 382nm )
Para um mol de argnio (Ar), teremos:
Eligao =
1, 66 1021 J / ligaes 0, 602 1024
ligaes
J
=
0,999 103
mol
mol
O valor obtido corresponde energia de ligao, que, em mdulo, ser dada por:
Eligao
= 0,999 103
J
mol
15
Neste captulo, voc aprendeu a visualizar no microscpio a fratura de um material, sobre a influncia da estrutura cristalina do material e seu comportamento macroscpico, sobre a relao da fora coulombiana dada por Fc =
K
na ligao inica e na ligao secundria ou de van der Waals e a reprea2
sentar a energia de ligao E, que est relacionada fora de ligao, por meio da expresso diferencial:
F=
dE
.
da
Mg = 1, 74
g
e Massa atmica Mg = 24,31u.m.a.
cm3
MgO = 3, 60
g
, calcule a massa de um tijolo de MgO
cm3
16
ESTRUTURAS METLICAS
Agora, voc vai analisar comigo uma estrutura cbica de corpo centrado (ccc). Nessa estrutura, existe um tomo no centro da clula unitria
e um oitavo de tomo em cada um dos oito cantos da clula unitria. Voc pode verificar que cada
tomo de canto compartilhado por oito clulas
unitrias adjacentes. Assim, existem dois tomos
em cada clula unitria ccc. Para voc entender
melhor o que eu estou dizendo, utilizei bolas de
isopor para representar a estrutura ccc. A quantidade de tomos por clula unitria ser dada por:
1
1+ 8 =
2
8
6
Figura 9 Estrutura ccc.
1
1
+ 8 =
4
2
8
tomo no
centro
17
1
1
1+ 4 + 4 =
2
6
12
Os metais tpicos com a estrutura hc incluem o Berlio (Be), Magnsio (Mg), Titnio alfa
( Ti ), Zinco (Zn) e Zircnio (Zr).
18
ctions e nions. Para as estruturas cermicas, vamos comear com as cermicas de frmula qumica
mais simples: MX, onde M um elemento metlico
e X no metlico. A estrutura do cloreto de csio
(CsCl) semelhante a uma estrutura ccc, porm
+
Engenharia de Materiais
Figura 15 Clula unitria do cloreto de csio, mostrando as posies dos ons e os dois
ons por ponto de rede.
19
Voc pode observar essa estrutura no esquema a seguir, que representa uma estrutura
da clula unitria cbica do diamante. Voc pode
notar as posies dos tomos. Observe que existem dois tomos por ponto da rede, sendo que
cada tomo coordenado tetraedricamente.
Saiba mais
Cbico tipo diamante: a estrutura cbica do diamante.
4 + 6
20
1
1
+ 8 =
8
2
8
Engenharia de Materiais
Estrutura cristalina
a=
4r
3
a=
4r
2
a = 2r
21
1. Mostre que uma rede quadrada de base centrada pode ser transformada em uma rede quadrada simples. Esboce essa equivalncia.
Resoluo:
2. Sabe-se que o cobre (Cu) um metal cfc. Dado o raio do tomo de cobre rtomoCu = 0,128nm ,
determine:
a) O parmetro de rede a (aresta).
b) A densidade da clula unitria, contendo quatro tomos.
Resoluo:
a) Clculo da aresta a.
Antes de iniciarmos a resoluo, voc deve analisar que a estrutura que o cobre possui cfc
e a equao dada por:
4r
a=
2
Como o problema nos fornece o raio do tomo de cobre rtomoCu = 0,128nm , temos:
=
a
22
4rtomo 4 0,128
=
= 0,362nm
2
2
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Engenharia de Materiais
massa
volume
107 nm
massa
4tomos
63, 55 g
=
=3
107 nm
g
63, 55 g
=
8, 93 3
3
23
cm
( 0, 362 nm ) 6, 023 10 tomos cm
4tomos
rtomoMg = 0,078nm
rtomoO = 0,132nm
Resoluo:
Dado a = 0, 420nm , temos:
3
Vcelulaunitaria
= a=
( 0, 420nm )=
3
0, 0741nm3
Como existem quatro ons para o Mg e quatro ons para o O por clula unitria, o volume
inico total ser:
4
3
3
4
16
+ 4 r3
4 r3 =
0, 078nm ) + ( 0,132nm )
(
3
3
3
16
3
3
0, 078nm ) + ( 0,132nm ) =
0, 0465nm3
(
3
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23
O FEI ser:
=
FEI
0, 0465nm3
= 0, 627
0, 0741nm3
4. Calcule a densidade do MgO, sabendo que a = 0, 420 nm e o volume de clula unitria cor3
responde a V = 0, 0741 nm .
Dados: massa molecular atmica Mg = 24,31g e O = 16, 00 g .
Resoluo:
0, 0741 nm3
cm
3,
61
0, 0741 nm3
cm3
cm
Neste captulo, voc aprendeu o conceito estrutural da matria. Agora, voc entende melhor como
a clula unitria formada, pois foram expostas, atravs de figuras, a posio dos tomos na clula unitria e a sua forma estrutural: a estrutura cbica de corpo centrado (ccc), a estrutura cbica de face centrada (cfc) e a estrutura hexagonal compacta (hc).
Aprendemos a calcular o Fator de Empacotamento Atmico (FEA) para as estruturas dadas, bem
como o Fator de Empacotamento Inico (FEI).
=
a
24
4
r
3
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Engenharia de Materiais
a 2rCa + 2rO .
Lembre-se:=
3. Calcule a densidade do CaO.
Dados:
a = 0,476nm
25
Existem algumas regras bsicas para descrever a geometria ao redor de uma clula unitria. Essas regras e as notaes associadas so
utilizadas uniformemente pelos cristalgrafos,
gelogos, fsicos, qumicos, cientistas de materiais, engenheiros de materiais e outros que precisam lidar com materiais cristalinos.
Voc, agora, vai entender o mundo dos cristais. Vamos descrever as posies na rede cristalina
27
Para descrevermos as direes na rede cristalina, devemos estar atentos ao fato de que essas
direes so expressas como conjuntos de inteiros, identificando-se as menores posies inteiras
interceptadas pela linha que parte da origem dos
eixos cristalogrficos. Na notao para distinguir
uma direo daquela de uma posio, os inteiros
de direo so delimitados por colchetes, sendo o
seu uso muito importante para a designao padro para as direes especficas da rede.
Na figura a seguir, voc pode observar a notao para a direo na rede. Note que as direes
28
Engenharia de Materiais
111
, pode ser estendida
222
no centro do corpo
e
so estruturalmente muito semelhantes.
Ambas so diagonais do corpo atravs de clulas
unitrias idnticas. A direo 11 1 se tornaria a
direo [111] se fizssemos uma escolha diferente de orientao de eixos cristalogrficos. Esse
conjunto de direes, que so estruturalmente
equivalentes, chamado famlia de direes e
representado pelos sinais < >. Um exemplo das
diagonais de corpo no sistema cbico :
29
direes:
[uvw]
com os vetores
visualizao cuidadosa e por clculos trigonomtricos. No sistema cbico, o ngulo pode ser
direes:
DD
=' D D ' cos
ou
=
cos
DD'
=
D D'
30
Engenharia de Materiais
Voc deve observar que os parnteses servem como notao padro para representar os
planos cristalogrficos. O plano (210) indicado na
1
a , o eixo b em b
2
e paralelo ao eixo c, interceptando-o em . Os
1 1 1
inversos das interceptaes axiais so
, , .
1 1
2
figura intercepta o eixo a em
Esses inversos das interceptaes geram os inteiros 2, 1, 0, levando notao do plano (210).
A notao geral para os ndices de Miller
(hkl), que pode ser usada para qualquer um dos
sete sistemas cristalinos. Como o sistema hexa-
31
n = 2dsen
Nessa equao, voc deve observar que
o comprimento de onda dos raios X, d corresponde ao espaamento entre planos cristalinos
adjacentes e o ngulo de espalhamento.
32
Engenharia de Materiais
d hkl =
a
h2 + k 2 + l 2
d hkl =
a
2
4 2
2
2a
h + hk + k + l 2
3
c
Fonte: O autor.
por exemplo, 100.000 vezes de aumento, os defeitos como discordncias no material. O microscpio eletrnico de varredura produz imagens
de aparncia tridimensional de caractersticas
microestruturais, como as superfcies de fraturas.
Analisando a emisso de raios X caracterstica, a
composio qumica microestrutural pode ser estudada.
33
Fonte: O autor.
Para ilustrar a utilizao da microscopia eletrnica no estudo da superfcie de fratura, observe as imagens relativas fratura de um parafuso e
34
Engenharia de Materiais
35
J x = D
c
x
cx cx
= D
t x x
Para facilitar, podemos admitir D independente de c, o que nos fornece uma equao simplificada da segunda lei de Fick:
Saiba mais
Adolf Eugen Fick (1829-1901) foi um grande fisiologista alemo. Seu trabalho na escola mecanistica
da fisiologia foi to excelente que serviu como guia
para as cincias fsicas.
cx
2 cx
=D 2
t
x
c
, e D o coe x
36
Engenharia de Materiais
Uma fase uma poro qumica e estruturalmente homognea da microestrutura. Uma microestrutura monofsica pode ser policristalina,
mas cada gro cristalino difere apenas na orientao cristalina e no na composio qumica.
Veja, agora, a microestrutura monofsica do
molibdnio comercialmente puro, observada por
microscopia ptica, aps preparo da amostra da
superfcie, com aumento de 200 vezes. Nota-se a
presena de muitos gros nessa microestrutura e
cada gro tem a mesma composio uniforme.
Figura 32 Microestrutura monofsica do molibdnio comercialmente puro.
F = C P +1
Na qual F o nmero de graus de liberdade,
C o nmero de componentes e P o nmero de
fases.
Um diagrama de fases qualquer representao grfica das variveis de estado associadas
microestrutura por meio da regra de fases de
Gibbs. Por uma questo prtica, os diagramas de
fases mais usados pelos engenheiros de materiais
so os diagramas binrios, que representam sistemas de dois componentes (C=2), e os diagramas
ternrios, que representam sistemas de trs componentes, ou seja, C=3 na regra de fases de Gibbs.
37
1. Os trs primeiros picos obtidos por difrao de raios X do alumnio em p so: (111), (200) e
(220). Sabendo-se que o parmetro a=0,404nm, determine o valor de d para cada plano.
Resoluo:
Inicialmente, vamos utilizar a equao d hkl =
cbica.
Para o plano (111), temos:
d111 =
=
d111
a
h2 + k 2 + l 2
0, 404nm
12 + 12 + 12
0, 404nm
0, 404
= = 0, 234nm
3
12 + 12 + 12
d 200 =
=
d 200
0, 404nm
22 + 02 + 02
0, 404nm
0, 404
= = 0, 202nm
2
22 + 02 + 02
d 220 =
38
0, 404nm
22 + 22 + 02
Engenharia de Materiais
=
d 220
0, 404nm
0, 404
= = 0,143nm
8
22 + 22 + 02
2. Sabendo que a fonte de raios X do cobre possui = 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada
para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d111 = 0, 234nm .
Resoluo:
Voc vai utilizar a lei de Bragg
sen =
2d
= arsen
= arsen
2d
0,1542nm
2 0, 234nm
0,1542nm
arsen
= 19, 2
2 0, 234nm
(2 ) , para o
2
g
11 m
D
=
2,98
10
e
CemFe
cm3
s
39
Resoluo:
g
cm
=
7, 63 3
c 5%at 4%at
at
=
= 1%
x 1mm 2mm
mm
3
0, 01 8, 23 1022 tomos / cm3
c c
10mm
6 cm
=
=
10
3
x x
1mm
m
m
c
tomos
=
8, 23 1029
x
m4
Agora, vamos utilizar a equao de Fick dada por:
J x = D
Jx =
D
c
x
m2
c
29 tomos
=
2,98 1011
8, 23 10
x
s
m4
tomos
c
Jx =
D =
2, 45 1019
x
m 2 .s
No presente captulo, voc aprendeu a descrever os planos cristalogrficos e como esto dispostos
os parmetros de rede do material. Verificou que existe uma grande gama de materiais metlicos, cermicos e polimricos, e que, para o estudo da cristalografia do material, utiliza-se a difrao de raios X,
utilizando-se a equao: n = 2dsen , sendo possvel determinar os planos de difrao do material
a partir do difratograma dado.
Tambm viu o tratamento matemtico formal do fluxo difusional utilizando a primeira lei de Fick:
J x = D
40
c
x
Engenharia de Materiais
1. Sabendo que fonte de raios X do cobre possui = 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada
para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d 200 = 0, 202nm .
2. Sabendo que fonte de raios X do cobre possui = 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada
para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d 220 = 0,143nm .
3. Calcule os ngulos, no sistema cbico, entre as seguintes direes:
cos
Use a equao:=
DD'
=
D D'
a) [100] e [110] .
b) [100] e [111] .
4. A superfcie de ao pode ser endurecida pela carbonetao. Durante um tratamento desse tipo
a 1100 C, estime o fluxo de tomos de carbono no ao nessa regio prxima superfcie.
=
7,92 10
Dados: DCnoFe
11
tomos
m 2 c
=
8, 23 1029
e
.
x
m4
s
5. A 200 C, uma liga de solda Pb-Sn 50:50 existe como duas fases: um slido rico em chumbo e
um lquido rico em estanho. Calcule os graus de liberdade a uma presso constante de 1 atm
para:
a) Uma soluo slida de monofsico do Sn dissolvida no solvente Pb.
b) Pb puro abaixo de seu ponto de fuso.
c) Pb puro em seu ponto de fuso.
41
CONSIDERAES FINAIS
Espera-se que, com esta apostila, voc, aluno(a), se envolva na disciplina, entenda e consiga definir
os conceitos bsicos da cincia dos materiais, sua classificao e estrutura, alm de definir e identificar
os materiais metlicos, polimricos e cermicos, bem como a sua utilizao e comportamento mecnico
e termomecnico. Voc ir desenvolver o raciocnio lgico e saber utilizar e aplicar as equaes pertinentes aos vrios assuntos abordados e estudados na presente apostila, no mbito profissional e, consequentemente, na sociedade em que se encontra inserido(a).
43
Ol, aluno(a)!
Para a resoluo dos exerccios, no se esquea de realizar uma reviso da teoria. Voc poder utilizar a sua calculadora cientfica para facilitar os clculos.
CAPTULO 1
1. Vamos calcular o nmero de tomos de magnsio.
O volume ser dado por base x altura
tomos de Mg.
m
.
V
45
dim enso =
massa atmica
densidade
CAPTULO 2
1. Para calcular a densidade do
Para o
, temos:
, portanto:
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Engenharia de Materiais
Dados:
Lembre-se:
47
Portanto:
4. Para calcular quantas clulas unitrias esto contidas em 1 kg de polietileno comercial, 50%
cristalino e o restante amorfo, sabendo que ele possui uma densidade global de 0,940 Mg/cm3,
voc deve observar que as clulas unitrias esto presentes somente na parte cristalina.
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Engenharia de Materiais
A densidade ser:
CAPTULO 3
1. O problema nos fornece a fonte de raios X do cobre, que possui
CuK ), e o plano
(radiao
n = 2dsen
Agora, voc vai isolar a varivel e a equao se torna equivalente:
sen =
2d
= arsen
2d
Portanto:
e o valor de
2. Voc deve seguir o mesmo procedimento do exerccio anterior. A fonte de raios X do cobre
(radiao CuK ) e foi utilizada para a difrao do alumnio.
possui
n = 2dsen
49
sen =
2d
= arsen
2d
Portanto, temos:
e
3. Para calcularmos o ngulo entre as direes no sistema cbico, vamos utilizar a relao:
b)
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Engenharia de Materiais
5. A relao geral entre a microestrutura e essas variveis de estado dada pela regra de fases de
Gibbs, dada por:
F = C P + 1,
a)
F = C P +1 F = 2 1
b)
F = 11+1 = 1
c)
F =1 2 +1 = 0
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REFERNCIAS
AMALDI, U. Imagens da fsica: as idias e as experincias do pndulo aos quarks. So Paulo: Scipione,
1995.
CALLISTER JR., W. D. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 5. ed. Rio de Janeiro: LTC,
2000.
CULLIT, B. D. Elements of x-ray diffraction. 2. ed. Massachusetts: Addison-Wesley, 1978.
EISBERG, M. R. Fundamentos da fsica moderna. Rio de Janeiro: Guanabara Dois, 1979.
GUY, A. G. Cincia dos materiais. Rio de Janeiro: LTC; So Paulo: EDUSP, 1980.
HALLIDAY, D.; RESNIK, R.; KRANE, K. S. Fsica. 5. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2008. 4 v.
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SHACKELFORD, J. F. Cincia dos materiais. Traduo de Daniel Vieira. 6. ed. So Paulo: Pearson, 2011.
ZEMANSKY, M. W. Heat and thermodynamics. 4. ed. [S.l.]: McGraw-Hill, 1957.
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