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COURS 1
I LA DIODE DE PUISSANCE
I.1 REPRESENTATION. DESCRIPTION ET FONCTIONNEMENT
La diode est un composant qui permet le passage unidirectionnel du courant, ses deux lectrodes
sont lanode et la cathode.
Sa reprsentation est donne figure 1.1,
diodes
de
puissance
sont
construites
autour
de
cette
structure
de
base.
I D = I S e T 1
(I.1)
(I.2)
I D I F ; VAK VF et e
VF
mUT
>> 1 donc : I F = I S e
VF
mUT
(I.3)
I D I R ; VAK VR et e
VF
mUT
<< 1 donc : I R = I S
(I.4)
Pour un calcul plus exact , on approxime la caractristique par des segments de droite
(figure I.12.a) dquations:
pour v F VT 0
i F = 0
(I.5)
v F = VT 0 + rT 0 i F pour v F > VT 0
que lon peut modliser par le circuit reprsent sur la figure (I.12.b) prsentant une
diode idale DI en srie avec la source de tension continue VT 0 et la rsistance
v F
dynamique rT =
ctg .
i F
10
11
(I.9)
1T
PF = v F i F dt = PFAV
T0
(I.10)
En approximant la caractistique directe par des segments de droite (q.I.5), cela done:
1T
1T
1T
PF = PFAV = (VT0 + rT i F )i F dt = VT 0 i F dt + rT i 2F dt
(I.11)
T0
T0
T0
ce qui peut encore s`crire:
PF = PFAV = VT0 IFAV +rTI2 FRMS = IFAV(VT0 +rTkf2 IFAV)
(I.12)
en remarquant que:
1T
i dt = I FAV
:valeur moyenne du courant direct;
T 0 F
1T 2
i F dt = I 2FRMS
:carr de la valeur efficace du courant direct;
T0
avec kf: facteur de forme du courant direct, kf=IFRMS/IFAV .
Les pertes ltat conducteur dpendentent donc de la diode par ses caractrisques VT 0 et rT et
de la forme donde du courant par IFAV et kf.
Dans les catalogues, on donne pour une diode les courbes PFAV { IFAV } pour diverses formes
donde(figure I.16).
b. Les pertes ltat bloque PR.
La valeur maximale de ces pertes est:
PRM=VRRM IRM
VRRM et IRM tant donns sur les catalogues pour la temprature 1500 C.
En ralit, la diode fonctionne une tension VR<VRRM , do:
1T
PR = PRAV = I RM v R dt = I RM VRAV
(I.13)
T0
avec VRAV: valeur moyenne de la temprature, ou peut crire les pertes aux deux tempratures
T2 et T1 (T1>T2):
PRT 2 = PRT 1 e ( T 2T1)
(I.14)
0 -1
tant un coefficient de valeur comprise entre 0.03 et 0.07 C . Ces pertes augmentent avec la
temprature mais sont en gnral ngligeables devant celles rencontres ltat passant.
c. Les pertes par commutation Pc.
Elles comprennent les pertes la fermeture Pin et celles l`ouverture Prq:
Pc=Pin +PRQ
(I.15)
(I.16)
13
(I.17)
Pour les diodes rapides , on dispose de diagrammes (figure I.17) qui permettent de
dterminer directement PRQ.
Pour les diodes de puissance, qui fonctionnement dans les convertisseurs 50 Hz, les pertes PF
sont prpondrantes et on peut donc retenir :
P=PF
(I.18)
14
(I.18)
Les caractristiques lectriques sont dfinies de la mme faon que pour la diode avalanche
contrle. La tension davalanche a la mme loi de variation selon la temprature (I.18)
Les diodes doubles sont utilises pour la protection des composants semi-conducteurs contre les
surtensions.
La rgion du semi-conducteur, prs du contact devient positive, des ions positifs apparaissant vu les
places laisses libres par les lectrons.
A lquilibre thermique, il se constitue au contact mtal-semi-conducteur, une couche lectrique
double, donc un champ lectrique, qui dtermine une barrire de potentiel pouvant tre modifie par
lapplication dune tension extrieure de polarisation. Le contact se comporte donc comme une
jonction P-N.
La proprit de redressement est base sur la zone de charge despace dpeuple apparue la
surface du semi-conducteur (analogue la rgion de charge despace de la jonction P-N) et sur la
barrire de potentiel qui lui est associe.
La polarisation directe se fait en mettant le (+) sur le mtal, le (-) sur le semi-conducteur. Dans ce
cas, le nombre dlectrons passant du semi-conducteur au mtal crot, la conduction du courant nest
pas de porteurs minoritaires et la capacit de diffusion est nulle; la vitesse de rponse est donc trs
leve.
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18
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(II.1 et II.2)
I C I CB 0
qui introduit dans (II.2) donne:
n
I I CB 0
I B = (1 n ) C
I CB 0 , donc
n
n
1
IC =
IB +
I
1n
1 n CB 0
(II.3)
IE =
(II.4.a)
IC =
n
I = hFE I B
1 n B
(II.4.b)
20
h FE = =
IC
n
=
I B 1 n
(II.5)
(II.6)
Le fonctionnement du transistor PNP est similaire, les sens des courant et des sources sont inverss,
les trous remplacement les lectrons ( n devient p ).
Pour minimiser la chute de tension en conduction, les pertes et la rsistance thermique des
transistors de puissance, on prfre la structure verticale qui optimise la surface de la section offerte
au passage du courant. (figure II.3).
Dans tous les montages, on distingue le circuit dentre et le circuit de sortie. Les caractristiques
statiques reprsentent les volutions courant-tension en continu dans ces circuits.
On distingue donc les caractristiques dentre, de transfert et de sortie.
Dans les convertisseurs, le transistor fonctionnant en rgime de commutation (succession dtats de
conduction saturs et dtats bloqus) est utilis en interrupteur.
Dans ces conditions, le montage metteur commun est retenu, puisquil permet de contrler les
fortes intensits du courant de collecteurs par lintermdiaire du faible courant de base. Les gains en
courant et en puissance sont donc levs.
La figure II.5 prsente le montage EC, avec polarisation directe, les sens positifs des tensions et
courants tant ceux admis dans la thorie gnrale des quadriples.
22
VBE et VCE sont positifs pour les transistors NPN et ngatifs pour les PNP. Il faut noter que le
transistor ne peut supporter de tension inverse entre collecteur et metteur.
Les catalogues donnent les caractristiques des transistors monts en EC, savoir:
a) Caractristique dentre: I B (VBE ) VCE constante (figure II.6).
Ces caracteristiques concernent la diode D1 (figure II.1)
La partie gauche illustre le blocage (jonction metteur polaris en inverse). Il y a destruction du
transistor pour VBE V( BR) BE (tension davalanche).
La partie droite correspond la polarisation directe de la jonction de lmetteur. Le transistor au
point de fonctionnement M est dans ltat conducteur.
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VBE
= ctg 1 ;
IB
V BE
La resistance dynamique dentre: r1 =
= ctg 2
I B
La resistance statique dntre R1 =
La pente dynamique : s =
I C
= tg 2
VBE
IC
= tg1 ;
VBE
Et sur I C (I B ) :
Le gain statique en courant, base-collecteur:
IC
n
=
;
I B 1 n
Le facteur dynamique damplification en courant base-collecteur:
I
= C
I B
h FE = =
Les transistors de puissance ont dordinaire pour h FE une valeur de lordre de quelques dizaines, e
restant infrieure 100.
24
La rsistance R2 ayant une faible valeur, le courant de collecteur I C peut crotre fortement. Il ne
sera limit que par les lments du circuit extrieur (Rc dans la figure II.5) qui doivent tre
dimensionns en consquence.
Dans la zone 1, on peut aussi distinguer trois fonctionnement possibles:
tat quasi-satur;
tat sature;
25
tat sursatur
IC =
VCC VCE
RC
(II.7)
26
I Csat
(II.8)
hFE
En continuant augmenter I B ( I B > I Bsat ), on atteint la sursaturation et le gain forc en courant,
gnralement infrieur h FE vaut:
I
F = Csat
(II.9)
IB
I Bsat =
On doit souligner le fait que, en sursaturation ( VBE > VCE ) les deux jonctions du transistor sont
polaris en direct.
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COURS 4
Gnralement, le claquage dune jonction du transistor apparat si la tension inverse qui lui est
applique crot jusqu une valeur entranant un courant pouvant disloquer des porteurs
supplmentaires et amorcer le phnomne davalanche.
Cette tension, pour la jonction meteur, est note V(BR)EB0 et vaut entre 5 et 7 V.
Une limitation importante pour le fonctionnement du transistor tant en condunction quau blocage
est valeur maximale de la tension applicable la jonction collecteur VCB polarise en inverse.
On a VCE = VBE + VCB VCB car VBE << VCB
On admet donc lgalit des tensions collecteur-metteur et collecteur-base.
Si la jonction collecteur-base est polarise en inverse, metteur non connect (IE=0), un faible
courant residuel ICB0 circule avant que la tension de claquage V(BR)CB0 ne soit atteint (figure II.10).
V(BR)CB0 , note aussi VCB0 ou cette grandeur est une valeur limite absolue ne dpasser en aucun
cas.
Pour le montage EC (figure II.5) 4 mthodes de blocage sont possibles :
o Base non connecte (figure II.9.a) ;
o Rsistance R entre base et metteur (figure II.9.b) ;
o Court-circuit base-metteur (figure II.9.c) ;
o Polarisation inverse de la jonction metteur-base (figure II.9.d) ;
Figure II.10. Comportement du transistor bipolaire dans ltat ouvert (IB=0)pour des hautes
tensions
VCE diminue brusquement, tendant vers des valeurs proches de celles de ltat satur, et IC crot
jusqu la valeur permise par la charge. Le point de fonctionnement passe par la rgion III (figure
II.10) rsistance dynamique ngative.
Le phnomne de claquage secondaire est d lapparition de points chauds dans la structure du
cristal semi-conducteur, consquence de la distribution non uniforme de la densit de courant. Un
grand nombre de porteurs apparat par effet thermique, IC augmente, VCE diminue. Des
chauffements locaux dterminent des modifications de structure irrversibles, les valeurs V(BR)CEK ,
IC1K, hFE diminuent mme si ce phnomne nest que de courte dure sans destruction du transistor.
Figure II.11. Tensions de claquage V(BR)CEK , tensions maximales de claquage VCEK(SUS) et courants
rsiduels ICEK pour diverses mthodes de blocage (K=0 ; R ; S ; X)
II.1.4. Les aires de scurit
Les aires de scurit donnent, dans le plan IC(VCE) le domaine dans lequel doit voluer le point de
fonctionnement. Les catalogues des constructeurs fournissent les aires de scurit.
II.1.4.1. Aire de scurit en rgime continu (Safe Operating Area - SOA)
Cette aire, dans le plan IC(VCE) est trace en chelles logarithmiques(figure II.12).
Elle est dlimite par:
le segment 1; C'est le courant maximal admissible Ic en rgime continuu, obtenu par mthode
statistique ralise sur un grand nombre d'essais de fiabilit;
le segment 2; C'est la puissance maximale dissipable Pdmax, impose pour ne pas dpasser la
temprature maximale de la jonction collecteur Tmax:
Tjmax =TC +RthJC Pdmax
(II.13)
avec:
Pd=vCEiC
Tc: temprature du botier;
RthJC: rsistance thermique du contact collecteur-botier
30
Figure II.14.Circuit de charge resistif-inductif (Rc, Lc) avec diode de roue libre (DRL)
a) le circuit de charge est purement rsistif ;
b) le circuit de charge est inductif avec une diode de roue libre DRL(figure II.14).
II.1.5.1. Commutation sur charge rsistive.
Les formes d'ondes pour les commutations la fermeture sont prsentes sur la figure II.15.
32
Figure II.14 Formes dondes pour les commutation avec charge rsistive
33
DS doit devenir passante ds que le courant de base dpasse IB = IBsat . Le fonctionnement normal
est reprsent par le point A (rsistance de charge RC1 ); sans DS, si la rsistance de charge rot
(Rc2), le point de fonctionnement passe en B, le transistor est satur. En ralit, avec DS,
l'augmentation de Rc entrane la diminution du potentiel du collecteur et la croissance du courant par
DS.
Le courant de base devient IB3 , le transistor reste quasi-satur et fonctionne en C.
La valeur de RB peut tre calcule en utilisant les quations:
34
(II.16)
(II.17)
(II.18)
(II.19)
En gnral, il faut que le point de fonctionnement ne se dplace que dans les aires FBSOA, RBSOA,
FBAOA et RBAOA pour viter toute destruction en commutation.
II.1.5.2. Commutation sur charge R-L avec diode de roue libre (figure II.14).
Caractriser un transistor par sa commutation sur charge purement rsistive se rvle insuffisant au
point de vue de ses performances dynamiques lorsqu'il est insr dans un convertisseur.
Dans le circuit de la figure II.14, on considre 1'inductance L suffisamment grande pour pouvoir
admettre que le courant dans la charge RC, LC est constant (iC +iD = Is). La constante de temps de la
charge est beaucoup plus grande que la priode de commutation T du transistor T1 .
Lp est une inductance parasite (conducteurs de liaison, etc.). A cause de la prsence de la diode de
roue libre DRL, les pertes en commutation sont plus grandes avec la charge inductive qu'avec la
charge rsistive. Les caractristiques dynamiques de la diode jouent un rle important dans le
droulement du phnomne transitoire.
35
Figure II.16. Formes dondes pour la commutation la fermeture sous charge R-L avec diode de
roue libre
Le signal de base est envoye 1'instant ti. Le transfert du courant se fait entre la diode de roue libre
DRL et le transistor. Au commencement, la diode se comporte comme un court-circuit, elle transmet
di C
le potentiel (+) de la source au collecteur. Le courant de collecteur crot avec la pente
. La
dt
tension collecteur-emetteur reste presque constante dans I'intervalle t0 t1 et se calcule par la relation:
v CE = VCC L p
di C
dt
(II.20)
di F
dt
36
di F
puisque iC +iD = Is =constante
(II.21)
dt
Le courant iC atteint la valeur Is = IC sat , en t1 . Ensuite la diode est parcourue par un courant inverse
qui au maximum vaut IRM = IRRM en t2. Le courant iC atteint donc la valeur IS +IRRM . Les pertes dans
le transistor sont augmentes.
L'intervalle de temps (t1, t2) se calcule par:
I
t 2 t 1 = RRM
(II.22)
di C
dt
diC/dt=
Dans I'intervalle (t2, t3) vCE dcrot rapidement. Aprs une phase de saturation dynamique (tension
note vCE sat dyn) pendant 1'intervalle (t3,t6) ou il y a extension progressive de la zone P de base dans
Ia zone N du collecteur, vCE atteint la valeur statique vCE sat, en t6.
di
La valeur IRRM est dtermine par le type de diode, la pente F , la valeur de Is et la temprature
dt
de jonction .
b) commutation l'ouverture du transistor.
La figure II.16bis donne lvolution des diverses grandeurs lectriques relatives cette
commutation.
Au blocage, le courant iC = IS qui parcourait le transistor est pris en charge par la diode DRL. La
tension vCE crot rapidement vers VCC, mais lentre en conduction de la diode dtermine une
surtension qui se retrouve sur vCE.
La vitesse de croissance du courant diF/dt dans la diode est la mme que celle de dcroissance pour
le transistor:
diF/dt=-diC /dt car iC +iD=IS
(II.22bis1)
On dfinit comme prcdemment les temps de stockage tsi et tfi (nots aussi ts et tf) (figure II.16bis).
De plus, pour les transistors de puissance haute tension commutation rapide, on
introduit aussi:
tti : intervalle pour lequel le courant iC passe de la valeur 0.1IC 0.02IC ;
tc: intervalle de temps compris entre le moment o vCE atteint la valeur 0.1VCC et l'instant o iC
atteint 0.1 IC.
37
cours6
Le calcul approximatif des pertes par commutation peut se faire en supposant la variation linaire de
vCE et de iC.
Lnergie dissipe dans le transistor dans lintervalle de temps t vaut :
t
W = v CE i C dt
(II.23)
(II.24)
(II.25)
t
i C = I S 1 et v CE = VCC
(II.26)
tC
Donc, on peut crire la suivante quation :
tC
t
V I t
Wbl 1 = VCC I S 1 dt = CC S C
(II.27)
2
tC
0
En supposant que iC a aussi variation linaire sur lintervalle tti, on trouve :
V I t
Wbl 2 = CC S ri
(II.28)
5
Lnergie dissipe au blocage du transistor sera :
38
(II.29)
(II.30)
40
Le comportement en conduction
a. gain en courant (hFE ou )
Pour le schma thorique de la figure II.22.a, on peut crire les relations :
I C = I C1 + I C2
(II.33)
I B 2 = I B1 + I C1
(II.34)
I C1 = 1 I B 1
(II.35)
I C2 = 2 I B 2
(II.36)
a)
b)
Figure II.22. Montage Darlington
Pratiquement, on doit connecter des rsistances pour stabiliser les courants de fuite et rduire leur
effets (figure II.23)
42
Figure II.23.Montage Darlington avec rsistances pour stabiliser les courants de fuite
Les relations peuvent alors scrire:
I C = I C1 + I C2
(II.38)
VBE1 + VBE2
I C1 = 1 I B1 + I CE 01 = 1 I B
+ I CE 01
R
1
VBE2
I C2 = 2 I B 2 + I CE02 = 2 I C1 + I B1
+I
R 2 CE 02
do :
VBE2 + VBE2
I C = I B (1 + 2 + 1 2 ) + (1 + 2 ) I CE 01 1
R1
I CE 02 2 BE2
R2
V + VBE2
2 BE2
R1
(II.39)
(II.40)
(II.41)
(II.42)
1 et 2 dpendent de IC. La relation (II.42) est donc dun emploi difficile en rgime satur. Il est
prfrable pour calculer le gain global de construire la caractristique de transfert IB1 (IC).
43
La tension de saturation
45
Figure
et
Dans un semi-conducteur dop de type P (figure II.28.), on a diffus deux zones de type N sur
lesquelles sont souds les deux contacts de source S et de drain D. Une couche d'oxyde recouvre la
zone P situe entre la source et le drain; sur cette couche est soud le contact de grille (gate) G. C'est
la succession Mtal-Oxyde-Semiconducteur qui donne le prfixe MOS utilis pour caractriser ce
type de transistor.
La figure II.29. a donne la reprsentation symbolique usuelle. La connexion partant de la borne
relie au substrat (bulk) B se termine par une flche indiquant le sens passant des deux jonctions
substrat - source et substrat - drain.
D'ordinaire le substrat et la source sont relis. Le figure II.29.b indique les notations utilises.
II.2.1.2. Principe du fonctionnement.
Si on applique une tension v GS positive entre grille et source, le champ lectrique qui, travers la
couche d'oxyde apparat la surface de la couche P entre drain et source, loigne de cette zone les
porteurs majoritaires (charges positives) et y attire les porteurs minoritaires.
46
Le courant i D ne peut passer que si la tension v GS , suprieure la tension de seuil V GS(th ) , cre des
canaux de type N. La section de ces canaux est alors fonction , de lcart v GS - V GS(th ) .
Pour les faibles valeurs de v DS , infrieures quelques volts, le courant i D est faible, son passage
dans les canaux n'en modifie pas la rsistivit, le courant i D crot proportionnellement v DS .
Lorsque i D est assez grand pour que les flux d'lectrons saturent les canaux, i D reste pratiquement
constant lorsque v DS augmente; les caractristiques sont horizontales. La valeur de v DS
correspondant la saturation des canaux est appele tension de "pincement" VP .
En lectronique linaire (amplification), on travaille dans la zone o les caractristiques
i D = f (v DS ) sont horizontales. En lectronique de puissance, on demande au transistor de fonctionner
en interrupteur:
L'interrupteur sera ouvert pour v GS infrieur V GS(th ) ; en fait, on ralisera l'ouverture en faisant
v GS = 0 . La rsistance R DS OFF entre drain et source est alors pratiquement infinie.
L'interrupteur sera ferm lorsque v GS sera suffisant pour qu' i D donn la chute de tension v DS
soit minimale. L'augmentation de v GS rduit v DS , comme le montre la figure II.31.a; toutefois,
48
v DS
iD
les courbes correspondantes se dduisent de celle de la figure II.31.a.
R DS ON =
(II.44)
Si on compare (figure II.32) les caractristiques d'un MOSFET et d'un bipolaire aptes couler le
mme courant et bloquer la mme tension, on voit qu' l'tat passant le bipolaire a une chute de
tension nettement plus faible que le MOSFET; c'est un des principaux inconvnients de ce dernier.
Dans un transistor MOSFET ce sont les capacits parasites qui, par le te ncessaire pour les
charger ou les dcharger, limitent la rapidit des commutations.
On peut distinguer (figure II.34.a):
- la capacit grille-source CGS . Son dilectrique est la couche d'oxyde isolant la grille. Cette capacit
est peu sensible aux variations de la tension v DS ;
- la capacit grille-drain CGD . Elle rend compte de la zone de charge d'espace qui se forme dans la
rgion P au-dessous de la grille. Elle varie beaucoup avec la tension v DS , passant d'une valeur
comparable CGS , quand le transistor est passant (v DS faible), une valeur ngligeable quand il est
bloqu ( v DS fort), comme le montre la figure II.34b;
- la capacit drain-source CDS . Son importance est moindre car ses effet sont masqus par ceux de
CGD .
51
53
cours7
Figure II.36. Circuit de charge inductive shunte par une diode de rou libre
dv
VGG = R G i G + v GS = R G CGS GS + v GS
dt
du :
t
t
VGG R G CGS
RG CGS
v GS = VGG 1 e
iG =
e
R
G
Q
avec CGS = G 1 C issOFF
(car C GDOFF = C rssOFF << C GSOFF figure II.34b
VGS1
(II.48)
(II.49)
- Phase 1B: Ciss continue se charger; VGS(th) < vGS < VGS1 .
A partir de t = t0 , une fois la valeur VGS(th) de la tension de seuil atteinte, le courant iD crot. Tant
qu'il n'a pas atteint la valeur I, la diode D continue conduire et la tension vDS reste gale Vcc. Le
courant dans la diode s'annule pour t = t1 ; vGS atteint vGS1 en t1 tel que:
t1
RG CGS
v GS1 = VGG 1 e
(II.50)
Il rsulte:
t 1 = R G C GS ln
VGG
Q
VGG
= R G G 1 ln
VGG VGS1
VGS1 VGG VGS1
54
(II.51)
(II.53)
55
Lorsque le courant de dcharge de CGD devient ngligeable, la charge QG2 est alors telle que:
QG2 QG1=iG(t2 -t1 )
(II.54)
d'o: en utilisant aussi (II.52)
Q QG 1
t 2 t1 = G2
R
(II.55)
VGG VGS1 G
-Phase 3. Fin de charge de Ciss et descente de vDS jusqu' VDSON= RDS ON I (figures: II.35.a, II.37.a,
II.38.c, II.40.a).
La valeur VGG de la tension de commande doit tre au moins gale au palier de VGS entre t1 et t2.
Mais, par scurit, on la prend suprieure et, aprs l'instant t2, la capacit d'entre du transistor
conducteur continue se charger et vGS augmente jusqu' VGG . L'quation diffrentielle du circuit
est comme dans la phase 1:
dv
VGG = R G C iss GS + v GS
dt
Q Q G2
mais: Ciss = G 3
= CissON ; v GS = VGG pour t = t 3
(II.56)
VGG VGS1
t
R GC issON
(II.57.a)
56
(II.57.b)
(II.58)
Le temps de commutation est donc la somme du temps de retard d la tension de seuil, du temps
de monte du courant et du temps de descente de la tension (pour le cas de la diode idale). Pour le
rduire, avec un transistor donn, il faut diminuer la rsistance RG du circuit de commande et
utiliser une diode rapide ayant un temps de recouvrement t trs court.
La puissance de commande se calcule par:
1 t3
1 t3
P = VGG i G dt = VGG i G dt
T 0
T 0
Il en rsulte:
P = VGGfQ G3 et lnergie W = VGG QG3
(II.59)
Sur la figure II.35.a. on peut dduire le partage de lnergie de commande: lnergie WRG disipe
dans la rsistance RG (surface au dessus OABC) et dans le MOS: WcomMOS (surface hachure au
dessous OABC):
WRG = W WcomMOS
(II.60)
57
- La rapidit des variations du courant iD pendant les commutations est telle que, s'il y a une
inductance parasite dans le circuit de ce courant, elle produit de fortes variations de la tension vDS.
Elle la diminue pendant l'intervalle t1 , t2 ; elle l'accrot pendant l'intervalle t '2 , t '3 . Il peut tre
ncessaire de protger le transistor contre cette surtension l'extinction.
- Sur la figure II.40. est donn un schma de principe pour la commande de MOSFET.
V CE = VBE + I C1
R ON
(II.61)
Dans le mme temps la capacit d'entre du montage est plus faible que celle du MOSFET
quivalent (avec les mmes caractristiques nominales).
Donc on associe la grande impdance d'entre du MOSFET, qui permet de simplifier la commande,
la chute de tension directe plus faible du transistor bipolaire.
L'ensemble peut tre intgr ou ralis partir d'lments discrets. La figure II.41.b montre les
lments qui peuvent tre introduits, dans ce cas, pour optimiser certains paramtres;
- La rsistance RDC permet de rgler ltat de quasi-saturation du bipolaire. Plus elle est leve, plus
la chute de tension ltat passant est forte, mais plus le temps d'extinction est faible.
- La rsistance RBE offre au courant de base ngatif un chemin pendant l'extinction du bipolaire. Plus
elle est faible, plus cette extinction est rapide. Mas en rduisant le courant de base pendant la
conduction, elle augmente la chute de tension.
- La diode D acclre aussi la disparition du courant de base ngatif pendant l'extinction du
bipolaire, condition que le circuit de commande de grille puisse laisser passer un tel courant. .
II.2.4.2. Montage en srie ou cascade .
La mise en srie des deux composants (figure II.42) permet de profiter de l'extinction rapide du
MOSFET pour acclrer celle du bipolaire.
La mise en srie n'amliore pas la commutation la fermeture, au contraire, chaque transistor
retardant la monte en courant de l'autre. Mais cet inconvnient est mineur dans la mesure o les
pertes la fermeture sont beaucoup plus faibles que les pertes lextinction.
L'autre inconvnient est que la chute de tension vCS en conduction est suprieure celle vCEsat du
bipolaire, puisqu'on lui ajoute la chute vDS du MOSFET. Mais, l'tat bloqu, la tension aux bornes
du MOSFET est faible: on peut utiliser un composant basse tension RDS ON trs rduit.
59
60
Cours8
II.4 LE TANSISTOR IGBT(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR).
II.4.1 La place de lIGBT.
Le transistor bipolaire grille isole ( I.G.B.T.) est un noveau composant semiconducteur de
puissance, qui est n dans les annes 1985, suite la recherche des
lectroniciens de puissance pour dvelopper sur la mme structure un composant qui rassemble
les avantages du transistor bipolaire (chute de tension faible en conduction, tension blocable
leve, rapport cot / puissance commute convenable) et ceux du transistor MOSFET
(commande en tension et vitesse leve de commutation). Il en a rsult un transistor
commandable en tension, avec une chute de tension en conduction infrieure celle du
MOSFET mais suprieure celle du bipolaire et une vitesse de commutation mois leve que
pour le MOSFET, mais plus leve que pour le bipolaire.
Lamlioration des performances (calibres, chute de tension, vitesse de commutation) de
IIGBT a t spectaculaire. Nous sommes dj la troisime gnration des IGBT. Par
exemple si la premire gneration dIGBT lance sur la march par TOSHIBA Electronics en
1985 a eu les caractristique VCES=1000V, VCE sat=3V et tf =0,45s, les gnrations suivantes
reprsentent un progrs vident.
La deuxime gnration est structure sur deux types dIGBT: les uns vitesse leve de
commutation et tension de saturation plus grande et les autres basse tension de saturation
mais plus lents. Gnralement les IGBT individuels ou les modules IGBT vitesse leve de
commutation sont construits pour les calibres:
V CES =600V ou 1200V; IC dans lintervalle( 15800) A
et ceux basse tension de saturation pour:
V CES =600 V ou 1200V; IC dans lintervalle (25500) A
On saperoit que la troisime gnration, grce aux nouvelles technologies (NPT-non punth
trough tehnologie dit homogne) a russi donner des IGBT qui ont les deux qualits en
mme temps.
On doit souligner quactuellement les tendances du dveloppement des IGBT sont dans les
directions de:
laugmentation de la puissance commute;
la rduction de la tension de saturation V CE sat;
la croissance de la vitesse de commutation;
la cration des commandes intelligentes intgres;
61
62
En fait, lIGBT est un composant multicellulaire dans lequel chaque cellule est compose dun
transistor MOS commandant un bipolaire de puissance, donc dun montage de type Darlington.
La figure II.47 illustre une section transversale pour une cellule dIGBT canal N.
63
Une telle structure est semblable celle dun DMOS, dans laquelle la couche N + a t remplace
par une cauche P+. Souvent lmetteur et la grille ont une construction interdigite. Le schma
lectrique quivalent de la structure de la figure II.47 est indiqu sur la figure II.48 a et le schma
simplifi sur la figure II.48 b.
Figure II.47 Section transversale pour une cellule IGBT canal N (IGBT symtrique)
Le transistor NPN est inhrent la disposition des couches et le transistor PNP apparat dans la
succession des trois zone trouves en allant du collecteur C lmetteur E. la rsistance Rb
64
65
(II.63)
VCE
(II.64)
(II.65)
(II.66)
Dans les IGBT modernes, la plus grande partie du courant passe dans le MOSFET. Si on
suppose hFE PNP=0.3 (cas usuel) il rsulte Ic=1.3IDMOS ,70% du courant passera dans le
MOSFET.
La valeur h FE P N P a une grande influence sur la chute de tension en conduction et est lie aux
performances en commutation. Pour avoir le plus faible VCEsat , on aurait intrt diminuer
autant que possible IDMOS et donc augmenter h FE P N P , mais la possibilit de verrouillage (latch)
du thyristor parasite crot aussi.
Une structure comme celle prsente sur la figure II.47 a presque la mme tenue en tension pour
les tensions collecteurmetteur directes et inverses , donc reprsente un IGBT symetrique.
On peut gagner en performances(augmenter la vitesse de comutation et diminuer la chute de
tension) si on ajoute une couche tampon N+ entre la couche injectrice P + et la zone de drain N(figure II.49). La tenue en tension directe louverture est accrue, mais en revanche la tenue en
tension inverse diminue fortement,fait qui rend lIGBT asymtrique (unidirectionnel en tension).
La couche N + est mince (par exemple environ 10m).Elle diminue galement le gain du
transistor bipolaire PNP donc augmente le VCE ON ; cependant fort courant le rendement
dinjection reste bon et le VCE varie trs peu. En revanche cette couche permet aussi dviter le
verrouillage et amliore la vitesse de commutation louverture, ceci dautant plus quelle est
fortement dope.
Il est clair que pour acclrer lIGBT il faut diminuer au maximum le temps de recombinaison
des porteurs minoritaires (trous) et pour cela il y a plusieurs techniques, outre la couche tampon
N+ , comme par exemple:
* linjection de mtaux lourds (or ou platine) dans la zone N - ;
* lirradiation du silicium afin de crer des dislocations.
66
67
VGE augmente
VGE
VGE
VGE
VGE1
Vc
VRM
69
L'IGBT se comporte comme le MOS, sauf le fait que la coupure du courant de collecteur i C se
droule en deux phases:
La coupure du courant par la partie MOS, qui est rapide et reprsente de l'ordre de 80% du
courant initial;
La coupure du courant par la partie BIPOLAIRE qui prsente une trane, car l'vacuation des
porteurs minoritaires ne se fait que par recombinaison. Le temps de trane t tail varie en fonction
de la charge stocke et de la dure de vie des porteurs, donc de la technologie. La dure de vie
peut tre diminue par irradiation lectronique ou protonique, ou par l'utilisation de court-circuit
d'anode.
70
Figure II.54 volution des courants et des tension lors de la commutation a la fermeture de l'IGBT
71
Figure II.55 Evolution des courants et des tensions lors de l'ouverture de l'IGBT
Les temps de commutation a l'ouverture: le temps total de croissance t off , le temps de retard a
l'ouverture t d( off ) et le temps de descente t f sont dfinis sur la figure II.55 en considrant des formes
d'ondes idales. La figure II.56 montre la dfinition des temps de commutation utilis par les
constructeurs. Le temps de retard t d( off ) est inversement proportionnel la pente de la tension reapplique dv CE dt et il est beaucoup plus faible que le temps de stockage des composants bipolaires.
Par la commande de grille on peut modifier le temps de retard en changeant la pente de la tension
re-applique, mais en aucun cas on ne peut par cette action modifier le phnomne de tranage. Le
courant de queue augmente avec la temprature et la densit de courant.
72
II.4.5. La commande
Une fois le composant choisi, la commande doit tre ralise en vue de minimiser ses pertes par
conduction et par commutation et de garantir son fonctionnement sans destruction dans les rgimes
normaux et d'avaries du convertisseurs.
II.4.5.1 Les aires de scurit en rgime normal.
L'aire de scurit TOSOA au blocage caractrise le maximum du produit courant-tension au moment
du blocage. Comme on l'a dj mentionn, ce moment les charge minoritaires (les trous qui ont
une vitesse moindre) sont les derniers vacuer la couche N et peuvent affecter le transistor
bipolaire NPN parasite, phnomne qui peut conduire au verrouillage. TOSOA est indique de
manire que le verrouillage soit exclu.
Il y a des cas dans lesquelles les rseaux d'aide a la commutation sont indispensables. Leur rle,
tenant compte de la forme carre de la TOSOA, est d'abord de diminuer la pente de la croissance de
la tension v CE , pour les forts courants, comme pour le BIPOLAIRE.
La figure II.57 montre quatre types de snubber pouvant tre utiliss pour un module IGBT. Le
schma II.57.a s'utilise en faible puissance (50 A et risque de rsonance). Le schma II.57.c, avec
des condensateurs de valeurs leves est adapt aux fortes puissances. Le rseau II.57.d avec de trs
faibles condensateurs peut servir comme complment de celui de la figure II.57.c, pour rduire les
dv CE
dt et les oscillations, mais ce rseau est dissipatif. Il est trs important de soigner le cblage de
73
74
III.LE THYRISTOR
III.1. SYMBOLE. FONCTIONNEMENT. EQUATION DE FONCTIONNEMENT.
Le thyristor ( S.C.R. Silicon Controlled Rectifier) est un composant semi-conducteur constitu
de quatre couches semi-conductrices mises en srie P.N.P.N.( figure III.1 a).Elles forment trois
jonctions J1, J2 et J3, quivalentes trois diodes montes en srie (figure III.1 c).
Figure III.1. Structure du thyristor (a); Symboles(b); Schma quivalent avec diodes en srie(c);
Etats du thyristor(d).
Les couche N et P du milieu sont faiblement dopes, les couches extrmes sont plus fortement
P>>N et N>>P.
Le thyristor a trois lectrodes (figure III.1 a et b):
- lanode A sur la couche extrme P;
- la cathode K sur la couche extrme N;
- llectrode de commande, ou gchette, G sur la couche P faiblement dope;
Si on polarise directement le thyristor en fermant linterrupteur S1, S2 tant ouvert, les jonctions
J1 et J3 (diodes D1 et D3) sont polarises en direct, la jonction J2 (diode D2) est polarise en
inverse. Pratiquement, toute la tension est applique sur J2. Le courant IT est trs faible, le
thyristor est bloqu et ce courant est not ID, courant danode ltat bloqu direct.
La tension directe bloque par le thyristor est note V D. La couche N (jonction J2) doit tre
paisse, dope uniformment et faiblement pour que le thyristor puisse supporter des valeurs
leves de V D.
75
I B1 + I CB0 I C 2 + I G + I CB0
=
comme : IT=IK-IG (loi des noeuds)
1 n
1 n
On met en vidence lquation fondamentale du fonctionnement du thyristor :
p I T + I C B0 + I G + I C B0
I + I C B0
IT =
IG = n G
(III.1)
1 n
1 ( n + p )
Pour T1 : I K =
Lamorage du thyristor a lieu si le courant I T atteint une valeur suffisante pour dclencher le
phnomne d'autopolarisation des bases des deux transistors quivalents. Aprs l'amorage, le
thyristor reste en conduction, la gchette perdant le contrle du fonctionnement du dispositif.
76
G on =
IT
n
=
I G 1 ( n + p )
(III.2)
I C B0
1 ( n + n )
La valeur I T = I D est faible puisque I CB0 est faible.
IT =
(III.3)
Si n + p a une valeur proche de l'unit, I T prend une valeur importante, rvlant une mise en
conduction. C'est un amorage parasite, en absence de courant de commande I G .
Cela peut se produire:
a) par croissance de la tension directe anode-cathode, note VD au del d'une limite pour
laquelle un phnomne d'avalanche apparat la jonction centrale du thyristor.
Dans ce cas :
MI C B O
1 M( n + p )
avec M: facteur de multiplication caractristique du phnomne d'avalanche.
IT =
77
(III.4)
I CBO double tous les 6C , n et p augmente galement. Par l'action conjugue de ces facteurs,
pour une temprature dite d'amorage, I T atteint une valeur suffisante pour dclencher
l'autopolarisation.
L'amorage parasite peut aussi intervenir si la tension directe VD = VT crot avec une pente
dv T
leve.
dt
Dans ce cas, la capacit de barrire C b de la jonction centrale J 2 (figure III.1 a) dtermine un
dv T
important. Des porteurs sont injects dans les rgions
dt
B1 et B 2 (figure III.2 a et b). Le phnomne est pareil au cas d'une polarisation directe par
commande du circuit gchette-cathode, amorant le thyristor.
courant de dplacement i depl = C b
Dans les convertisseurs, il convient de prendre toute mesure ncessaire pour viter les amorages
parasites.
Le blocage du thyristor (son extinction) se fait par rduction de la concentration des porteurs qui
se trouvent dans les bases des deux transistors jusqu larrt de la raction dautopolarisation.
L'extinction a lieu si I T diminue sous la valeur I H , dite courant de maintien, condition que la
dcroissance de I T soit lente, permettant la disparition des porteurs par recombinaison et
diffusion.
Dans le cas dune dcroissance rapide de IT, ( cas des convertisseurs fonctionnant 50 Hz ), le
blocage du thyristor a lieu au passage par zro du courant IT .
78
79
max
de la
VB0 crot dabord avec la temprature, passe par un maximum, puis diminue fortement.
Le courant de gchette a aussi une influence importante (figure III.4).
VB0 diminue fortement si IG crot .
On peut conclure :
IG < IG1 < IG2 <... < IGD => VBO > VBO1 > VBO2 >...> VBOn
(III.5)
*La courbe 2 (figure III.3) est la caractristique de conduction IT ( VT) du thyristor passant.
Celui-ci reste conducteur si IT > IL . IT crot linairement avec VT et nest pratiquement limit
que par la rsistance de charge du circuit anode-cathode. Si VT dcrot lentement, le thyristor
reste en conduction jusque la valeur IH du courant de maintien.
Les catalogues donnent les caractristiques de conduction ( valeurs typiques et valeurs limites )
pour deux tempratures de jonction TJ (valeur dambiance et valeur maximale admissible) .
Le phnomne davalanche apparat quand la tension inverse atteint la valeur VBR ,
tension inverse de claquage; le courant inverse prend alors une valeur leve, amenant la
destruction de la jonction.
Pour viter cela, on donne:
VRSM : tension inverse de pointe non rptitive ( T J MAX )
VRRM: tension inverse de pointe rptitive ( T J MAX )
IR dpend aussi de la valeur du courant IG , augmentant sensiblement avec IG;
80
Le courant inverse correspondant la valeur V RRM est not I RM . Cette valeur est donn par le
constructeur.
*La zone 4 (figure III.3 ) illustre un fonctionnement instable rsistance apparente ngative .
81
di T
.
dt
Le thyristor bloque une tension directe VD et reoit un signal de commande i G l'instant t 1
( temps de monte t r et amplitude I GM ).
III.4.1. Commutation la fermeture. Limite en
Sur la figure III.6 on voit l'volution des diverses grandeurs i G , i T , v T correspondant cet
amorage.
82
Temps apres la
commande
0 s
50 s
10 s
Fin du temps du
propagation
t gt = t gd + t gr
avec: t gt : temps de retard; les lectrons sont attires de la couche N de cathode (N>>P) vers la
couche P et deviennent suffisamment nombreux pour provoquer l'avalanche de la jonction J 3 ;
t gd est dfini par l'intervalle entre l'instant de commande t 1 et l'instant o v T atteint 0.9VD (fig.
III.6).
t gr : temps de croissance; c'est l'intervalle pendant lequel v T passe de 0 .9 VD 0 .1VD .
di G
augmente .
dt
83
Pendant l'intervalle t gd , la puissance dissipe dans le thyristor est rduite vu la faible valeur de
iT.
t gr dpend de la gomtrie verticale du thyristor (paisseur et dopage des bases des
transistors quivalents) et est presque indpendante des paramtres du signal de gchette.
di T
dt
donne, l'chauffement de la jonction dans les premire s qui suivent l'amorage est d'autant
plus important que I T est plus grand.
Le calcul de l'chauffement doit
84
Cours 11
interruption du courant anodique par ouverture d'un interrupteur srie K 1 (fig. III.6). Aprs le
temps ncessaire au blocage, la fermeture de K 1 le courant de faible valeur I D , correspondant
l'tat bloqu direct circulera dans le circuit.
Circuits spcialiss d'extinction permettant:
- la dviation du courant anodique I T dans la voie parallle, le courant dans le thyristor
devenant infrieur I H , puis s'annulant (fig. III.7);
- la commutation force, par application d'une tension inverse entre l'anode et la cathode
(d'ordinaire, on utilise un condensateur C pralablement charg sous cette tension)
Sur la figure III.8, le circuit principal est form par la source U, dbitant sur la charge R par
l'intermdiaire du thyristor T.
t
p
(III.6)
p , dure de vie des trous dans B 2 , est rduit pour obtenir des thyristors rapides par introduction
dans la structure de centres de recombinaison, comme l'or ou le platine ou par irradiation du
dispositif avec des lectrons ou des neutrons.
86
Figure III.8 Rgime dynamique l'ouverture du thyristor par l'application d'une tension inverse.
En t 2 les jonctions anode et cathode sont alors bloques et le processus de retour de la jonction
centrale commence, la tension v T est pratiquement nulle.
Vu l'inductance de charge, une surtension aux bornes du thyristor apparat (valeur crte VRM ) alors
que le courant i T passe de I RRM I R .
On dfinit:
t s - temps de stockage (storage time), intervalle sparant les passage du courant par les valeurs 0
et I RRM ;
t f - temps de dcroissance du courant inverse (fall time), intervalle sparant le passage du
courant par la valeur I RRM et l'instant dfini par l'intersection de la droite passant par les points
0.9I RRM et 0.25I RRM avec l'axe des temps.
87
le passage par zro de i T et l'instant t 3 o le thyristor peut bloquer nouveau une tension
directe sans risque de ramorage intempestif.
t fr - temps de tecouvremnet direct (forward recovery time) - intervalle entre l'instant de
l'application de la tension inverse VR et l'instant o le thyristor retrouve la totalit de la tension
VD .
On peut crire:
t fr =
I TM
V
+ tq + D
dv T
di
T
dt
dt
(III.7)
Q s = i R dt
(III.8)
di
On trouve dans les catalogues des diagrammes Q s T paramtres avec I TM (fig III.9)
dt
di T
du courant
dt
(III.9)
2Q s
di
T
dt
I RRM =
Q rr =
(III.10)
di T
2Q s
dt
(III.11)
I 2RRM (1 + S )
di
2 T
dt
(III.12)
di T
dt
1+S
2Q rr
I RRM =
(III.13)
di
Figure III.10 I RRM = f T pour diverses valeurs de I TM et Tj
dt
D'aprs les valeurs de t q et de S, on distingue plusieurs types de thyristors:
-
di T
dv T
, VD ,
et VR .
dt
dt
PT = PTAV
1T
= v T i T dt
T0
Avec les approximations linaires vues lors de l'tude de la diode, on obtient d'aprs la figure III.8.
(III.16)
1
=
t gt
tgt
i dt
(III.16a)
T T
90
(III.17)
di T dv T
,
et VRM (figure III.8).
dt
dt
I RRM se calcule par la relation III.11 et le diagramme de la figure III.8. On en dduit t 0 par:
t0 =
VRM
dv R
dt
et t f correspondant la valeur
dv R
sur des courbes telles que celles des catalogues.
dt
92
Figure III.13 Influence des caractristiques de l'impulsion de commande sur les valeurs du courrant
d'accrochage.
La vraie valeur de I L est donc impose par la valeur de Tj et les caractristiques du signal de
commande.
93
di T
important, comme pour ceux monts en srie ou
dt
en parallle, l'impulsion de commande doit tre "forte" (fig. III.14). Ses caractristiques typiques
sont:
Pour les thyristors utiliss dans des circuits
(III.20)
Dans les circuits courant alternatif industriel (50 Hz), les thyristors peuvent tre commands avec
des impulsions "faibles" (fig. III.15).
94
cours12
Les schma de commande, comme les signaux fournis sont trs varis et dpendent du type de
convertisseurs. Ils sont classs suivant:
- la forme du courant: commande en courant continu ou par impulsion;
- le couplage de l'tage final: couplage direct ou avec isolation galvanique;
- le mode de ralisation: avec composants discrets ou avec circuits intgrs spcialiss.
La figure 5.54 prsente un schma avec couplage direct.
D 2 redresse la tension secondaire du T.I. pour ne conserver que les impulsions positives de courant.
R G limite i G et R 1 , C1 , amliorent l'immunit aux parasites.
R 1 (valeur comprise entre 0.2 et 5 k ) diminue l'effet du courant de dplacement sur la jonction
dv T
est inversement proportionnelle R 1 , mais une valeur trop
dt
faible de R 1 , conduirait une forte augmentation de la puissance de commande.
La valeur maximale admise de
Le schma le plus simple pour les dclencheurs lments discrets met en oeuvre le transistor
unijonction (TUJ). C est aliment par une tension trapzoidale, obtenue par un redresseur et une
diode Zener (fig. III.20). u z synchrone avec u s charge C exponentiellement par l'intermdiaire de
R3 jusqu la valeur UP laquelle, le TUJ polaris en direct entre en conduction.
La dcharge du condensateur se retrouve dans la gchette du thyristor par l'intermdiaire du T.I.
Quand u c atteint la valeur U V , le transistor se bloque, C se charge et le phnomne se reproduit.
La modification de se fait par rglage de R 3 . L'augmentation du rapport
Us
tend la
UZ
88
89
U i = (R 1 + R L )i C1 + L
Avec i C1 = C1
di C1
+ u C1
dt
du C1
et en posant R e = R 1 + R L
dt
il vaut:
d 2u C1
du
LC1
+ R e C1 C1 + u C1 = U i
dt
dt
La rsolution classique de cette quation donne:
= R 2e C 12 4LC 1
L
;
C1
L
C1
L
.
C1
Gnralement, on choisit R 1 et C1 pour avoir un rgime oscillant (cas c).
c) < 0 , rgime oscillante amorti R e < 2
Des rseaux de courbes tels que sur la figure 5.68 permettent le calcul des lments R e et C1 .
Les valeurs du rseau parallle se calculent avec les relations:
C1
1 2Q s
k 2M VR
90
R 1 < 2x M
L
RL
C1
VRRM
, valeur maximale acceptable du rapport de
VR
surtension inverse;
on lit la valeur maximale k M de k respectant cette contrainte et la valeur x M de
V
minimum de RM (pour k = k M ).
VR
on lit Q s , sur un diagramme tel que celui de la figure III.8.
associe au
91
cours13
IV.1. LE TRIAC.
IV.1.1. Symbole. Description.
Certains convertisseurs assurent le rglage de la puissance dans les circuits courant altematif
(gradateurs, interrupteurs statiques).
Leurs composants doivent tre bidirectionnels en courant.
Le triac est un composant bidirectionnel command une seule lectrode G. Son symbole est
reprsent sur la figure IV.1.a et il peut tre considr comme une association de deux thyristors
monts tte - bche (figure IV. l.b).
92
93
Les couches P1 , P2 , N 2 sont fortement dopes alors que N1 est trs peu. La jonction J 2 est la
jonction de blocage. La valeur de la tension directe blocable dpend de l'paisseur de la couche N1 .
La cathode N 2 est constitue de cathodes lmentaires (btonnets), relis entre eux et entours par
une gchette. Du fait de cette forte interdigitation, le GTO peut tre considr comme constitu de
nombreuses cellules (GTO lmentaires) mises en parallle. La consquence immdiate est que les
courants I GT , I L , I H sont jusque dix fois suprieurs ceux du thyristor conventionnel de mme
calibre.
I CB 0 = [1 ( n + n )]I T
(IV.4)
95
1 ( n + p )
IT
n
1 ( n + p )
IT
n
1
1
I T et I T selon le composant et un taux de
5
3
croissance trs lev (plusieurs ampres par microseconde) pour rduire les pertes l'ouverture.
Cette extraction doit durer tant que le courant d'anode n'est pas nul.
G off =
IT
n
I Gr 1 ( n + p )
Sa valeur vaut de 2 8.
La relation montre que l'obtention d'une valeur importante de G off impose n proche de 1 et
p << 1 En pratique, les GTO sont construits avec des gains n compris entre 0.6 et 0.9 et p entre
0.1 et 0.2.
Revenons sur la figure III.2.b. En extrayant le courant I GR de la gchette, le courant de collecteur
I C1 ( I C1 = I B 2 ) baisse cause de la diminution des porteurs de charge, I C 2 diminue aussi, puis I B1
et I B 2 ; cette raction conduit au blocage de T2 puis de T1 .
Les caractristiques statiques courant - tension du GTO et du thyristor conventionnel sont identiques
(fig. III.4) mais les valeurs I H et I L sont plus leves pour le GTO.
96
Si les valeurs de VGT sont du mme ordre pour le GTO et le thyristor conventionnel rapide, la valeur
de I GT du GTO peut tre dix fois plus grande.
Pour tre sr d'amorcer tous les thyristors lmentaires, il faut injecter un courant de gchette forte
di
valeur de crte (jusque 5I GT ) et trs fort taux de croissance ( G 10 A / s ).
dt
L'alimentation doit se comporter comme une source de courant, avec des inductances parasites de
liaison trs faibles.
Si une partie seulement des cellules s'amorce, les autres mises en court-circuit ne peuvent plus
s'amorcer, entranant la destruction du GTO par surcharge des seules cellules conductrices.
L'originalit du GTO est la ncessit de maintenir l'alimentation de la gchette par un courant direct
i G suffisant (d'habitude I GT ) pour garder l'ensemble des cellules en conduction. L'interruption de ce
courant entranerait l'extinction de certaines cellules et la destruction des autres alors surcharges.
Cette prsence de i G a un effet bnfique en rduisant la chute de tension directe VT aux bornes du
GTO (dans son tat passant, la rgion centrale du cristal est emplie d'un plasma lectron - trous,
permettant le passage d'un courant important avec une faible chute directe de tension).
97
Cette valeur est lie la valeur maximale du courant inverse de gchette par le gain:
I
G off = TGQM
I GRM
Connaissant G off et le courant interrompre, il est facile de calculer I GRM . Pour le GTO de
puissance leve, ce courant ngatif de gchette peut atteindre plusieurs centaines d'ampres; i GR
doit s'tablir rapidement, l'inductance de gchette doit tre donc trs faible (infrieure au H ).
Figure IV.8. Schma avec isolation galvanique et deux sources d'nergie pour le blocage.
di G
est limite
dt
des valeurs trop faibles pour le GTO. Les schmas avec isolement galvanique doivent tre conus
pour viter ce dsavantage. La figure IV.8. indique le principe. La commande est destine au
blocage et a deux sources d'nergie.
Quand le GTO est passant, D1 , D 2 et T sont bloques, le condensateur C est charg avec la polarit
indique. La commande d'ouverture du GTO se fait par la mise en conduction simultane du
transistor TB et du thyristor auxiliaire T. Le diodes D1 et D 2 sont passantes et le courant ngatif de
commande du GTO vaut:
i GR = i C + i p 2
La figure IV.8.b donne les allures de ces courants. Le courant i C augmente la pente et le maximum
de i GR , la dure tant tablie par i p 2
.
Un schma de commande complet avec isolement galvanique est reprsent sur la figure IV.9.
T1 conducteur cause de la polarisation directe de la jonction base - metteur par VON dtermine le
passage d'un courant par le primaire du T.I. Le courant secondaire induit, passe par le condensateur
C, le charge la valeur de la tension Zner crant le courant d'amorage du GTO. La diode D3 en
conduction bloque le transistor T2 par sa faible chute de tension.
Une impulsion ngative VOFF bloque T1 , interrompant le courant du primaire du T.L.. T2 entre en
conduction, C se dcharge en inverse dans le circuit de gchette et bloque le GTO.
T1 et T2 fonctionnent de manire complmentaire 100 kHz. Il y a une alimentation dcoupage.
100