A.

Bournel

Electronique de spin et semiconducteurs

Arnaud Bournel
Institut d'Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Universit Paris Sud, Bt. 220, F-91405 Orsay
Ml. : bournel@ief.u-psud.fr, Tl. : 01 69 15 40 25, Fax : 01 69 15 40 20

2-Commutateur optique spin

Les interrupteurs tout optique peuvent tirer profit de
la dynamique de spin lectronique dans les
htrostructures III-V. En effet, il est possible de
moduler la transmission d'une lumire polarise
rectilignement par une population lectronique polarise
en spin.
L'interrupteur
est
constitu
d'une
htrostructure III-V multi-puits quantiques dans
laquelle des lectrons polariss en spin sont gnrs par
"pompage optique" (gnration par un flux lumineux
polarisation circulaire). Ce gaz entirement polaris en
spin est "sond" par une lumire incidente polarise
rectilignement, dcomposable en polarisation circulaire
gauche + et droite -, et le faisceau rflchi est analys
par un polariseur crois. Sans polarisation de spin
lectronique, la somme des composantes + et - du
rayon rflchi donne une polarisation linaire et
l'analyseur coupe le signal. Si au contraire on polarise
en spin les lectrons des puits quantiques, ceux-ci

100

Temps s (ps)

1-Introduction
L'lectronique de spin, ou "magntolectronique"
[1], est une nouvelle thmatique de recherche en plein
essor depuis la fin des annes 80. Les premires
structures tudies dans ce domaine sont constitues de
multicouches mtalliques ferromagntiques, spares
soit par des isolants "tunnel", soit par des films
mtalliques non magntiques. Leurs principes de
fonctionnement sont lis une proprit des mtaux
ferromagntiques relative au spin des lectrons : ils
injectent ou collectent prfrentiellement des porteurs
dont le spin est polaris suivant la direction de leur
moment magntique. De tels dispositifs sont dj
utiliss au niveau industriel en tant que capteurs de
champ magntique pour ttes de lecture de disques durs,
ou sont appels l'tre bientt dans le cas des mmoires
RAM magntiques.
Durant ces quatre dernires annes, des groupes
travaillant dans le domaine des composants
semiconducteurs se sont galement intresss aux
proprits relatives au spin de l'lectron [2]. En effet,
des tudes rcentes ont montr qu'il est envisageable
d'agir sur le spin des porteurs de charge et d'utiliser cette
grandeur pour modifier les caractristiques lectriques
et optiques de structures semiconducteurs.
Dans les deux sections suivantes, nous prsentons
deux exemples de structures pouvant tre ralises en
optolectronique et microlectronique de spin. Dans la
dernire partie nous abordons le dlicat problme de la
slectivit en spin des contacts raliss entre matriaux
ferromagntiques et semiconducteurs.

interagissent avec la lumire incidente, les indices de

rfraction pour les composantes + et - diffrent et la
polarisation rflchie est elliptique. On peut alors
dtecter un signal au niveau de l'analyseur. Compte tenu
des faibles temps de relaxation de spin observs dans les
puits quantiques InP/InGaAs/InP (la ps), on peut esprer
des commutations trs rapides dans une gamme de
longueurs d'onde utile aux tlcommunications. Des
dmonstrateurs ont t raliss, mais ces structures sont
encore complexes [3]. Il est noter que les techniques
de pompage optique ont galement t mises en uvre
pour l'mission "laser" polarise en spin dans des
cavits semiconductrices [4].
Cependant, la physique des mcanismes de
relaxation de spin dans les puits quantiques reste encore
aujourd'hui un objet d'interrogations thoriques. Nous
avons tudi par simulation particulaire Monte Carlo la
relaxation de spin lectronique dans des puits
AlGaAs/GaAs/AlGaAs temprature ambiante [5]. Les
temps de relaxation de spin calculs sont reports sur la
Figure 1 en fonction de l'nergie E1 du niveau quantique
fondamental du puits (ligne continue). Ces valeurs sont
en trs bon accord avec des mesures ralises par
ailleurs (symboles) [6]. En particulier, nous avons mis
en vidence l'influence de l'interaction de rugosit
d'interface sur la dynamique de spin : dans des puits de
quelques nm de largeur, l'interaction de rugosit prend
de l'importance et ralentit la relaxation de spin, comme
on peut le constater sur la Figure 1 dans le cas des puits
les plus troits, c'est--dire pour les grandes valeurs de
l'nergie E1.

M onte C arlo [5]

M esu res [6 ]

10
10

100

Energie E1 (m eV)
Figure 1 : Temps de relaxation de spin s en fonction de
l'nergie E1 du niveau quantique fondamental dans des puits
AlGaAs/GaAs/AlGaAs 300 K.

A. Bournel

FM
e

r
R
r
S

SC2

FM

SC1
Figure 2 : Structure du transistor rotation de spin, ou
spin-FET. SC1 (resp. SC2) est un semiconducteur III-V faible
r
(resp. large) bande interdite. R est le vecteur de prcession
r
de spin de Rashba autour duquel tourne le spin lectronique S
lors des vols libres des porteurs. La direction de ce vecteur est
perpendiculaire la trajectoire des lectrons.

Jusqu' prsent, et cela malgr des efforts

importants, aucun des groupes de recherche qui dans le
monde se sont intresss au spin-FET n'est cependant
parvenu raliser une structure viable. Afin qu'un tel
composant fonctionne correctement, il faut que trois
conditions soient remplies.

Longueur Ls (nm)

3-Spin-FET
Dans un puits quantique form l'htro-interface
d'une htrostructure III-V modulation de dopage, il
est possible de contrler la rotation de spin lectronique.
Ce contrle s'effectue par l'intermdiaire d'un couplage
spin-orbite, dit de Rashba, li au fort champ lectrique
E normal l'htro-interface. L'existence de ce
phnomne, associe aux proprits des couches minces
mtalliques ferromagntiques, a conduit deux
chercheurs amricains proposer une structure originale
de transistor effet de champ, le transistor rotation de
spin ou "spin-FET" [7] (cf. Figure 2). Il s'agit d'un
transistor de type HEMT dans lequel les zones
habituelles de source et drain sont remplaces par des
contacts ferromagntiques. Ces deux contacts jouent le
rle de polariseur et d'analyseur de spin pour les
lectrons prsents dans le canal 2D du transistor. De
plus, la tension de grille VGS permet de moduler E et
donc de contrler la rotation de spin des lectrons qui
traversent le canal grce au couplage de Rashba voqu
ci-dessus. Grce ce double contrle lectrique et
"magntique" de ID par VGS, on peut alors avoir un effet
de champ "double" (augmentation de la densit de
porteurs et alignement des spins avec la direction de
l'aimantation du contact de drain) ou qui "s'annule"
(augmentation de la densit de porteurs mais
dsalignement des spins avec la direction de
l'aimantation du contact de drain). Des valeurs de
transconductances ngatives importantes peuvent ainsi
tre atteintes [2]. De tels effets lectriques sont
potentiellement intressants en lectronique rapide, pour
la synthse de frquence ou la ralisation de portes
logiques complexes avec un nombre rduit de
composants.

10 4

1000

77 K
300 K

100
100

1000

Largeur W (nm)
Figure 3 : Longueur de relaxation de spin Ls en fonction de
la largeur W d'un gaz d'lectrons 2D form dans
In0,53Ga0,47As. Rsultats de simulation Monte Carlo [8]. Le
champ lectrique E confinant les lectrons est gal
300 kV/cm.

(i) Tout d'abord, la longueur L de canal du spin-FET

doit tre videmment plus faible que la longueur de
relaxation de spin Ls. Mais elle doit tre aussi plus
grande qu'une longueur Lmin telle que le spin
lectronique effectue deux rotations compltes pendant
la traverse du canal. Le respect de cette condition
assure que l'on puisse caractriser la prcession de
Rashba et est ncessaire pour que l'effet de
transconductance ngative apparaisse [2]. La longueur
Lmin est d'autant plus faible que le couplage de Rashba
est important dans le semiconducteur utilis. Elle est de
l'ordre de 4 m dans GaAs, 1 m dans In0,53Ga0,47As, et
0,4 m dans InAs. L'utilisation d'un semiconducteur
faible largeur de bande interdite est en fait ncessaire
pour envisager la ralisation d'un spin-FET de longueur
de grille submicronique. Pour que la longueur de
relaxation de spin Ls soit suprieure 1 m, il faut
toutefois dimensionner correctement le canal du
transistor. Le vecteur de prcession de Rashba tant
perpendiculaire la trajectoire de l'lectron, la
prcession de spin comme le mouvement de l'lectron
dans le plan du canal tend devenir progressivement
alatoire mesure que le porteur subit de plus en plus
d'interactions. Comme l'illustrent les rsultats de
simulation Monte Carlo prsents sur la Figure 3, Ls est
ainsi infrieur 300 nm dans In0,53Ga0,47As 300 K
pour une largeur de canal W suprieure 1000 nm. A
77 K, les frquences d'interaction sont plus faibles et Ls
est plus grand mais cette longueur reste infrieure
700 nm. En revanche si la largeur de canal est infrieure
1000 nm, on peut constater sur la Figure 3 que Ls

A. Bournel

augmente fortement pour W dcroissant. En fait lorsque

l'on tend vers une trajectoire de type unidimensionnel,
l'effet de relaxation de spin li aux interactions disparat
progressivement : les interactions ne peuvent plus
rendre alatoire la direction du vecteur de prcession de
spin qui est perpendiculaire au vecteur vitesse de
l'lectron. En outre, on peut noter d'aprs la Figure 3
qu'il n'est pas ncessaire de raliser un vritable fil
quantique pour obtenir une longueur de relaxation de
spin suprieure au m 300 K : limiter la largeur du
transistor moins de 100 nm est suffisant.
(ii) Pour une trajectoire 1D entre source et drain, le
vecteur de prcession de Rashba a une direction qui
reste toujours parallle la largeur du transistor.
L'orientation de spin des lectrons injects dans le canal
du spin-FET ne peut donc tre quelconque : elle doit
tre perpendiculaire la largeur du transistor [8]. Cette
condition est particulirement importante pour le
dimensionnement du spin-FET. En effet, l'anisotropie de
forme tend imposer un alignement du moment
magntique des source et drain parallle la plus grande
dimension de ces contacts, soit parallle la largeur du
spin-FET (cf. Figure 2). Pour rsoudre cette difficult,
on peut envisager de rduire fortement la dimension e
des couches ferromagntiques dans la direction
source-drain, soit des paisseurs de quelques nm, afin
de bnficier de l'anisotropie de surface qui favorise
l'aimantation
des
couches
ferromagntiques
perpendiculaire aux interfaces. D'un point de vue
technologique, il semble toutefois trs dlicat de raliser
un transistor comportant la fois un canal de largeur
rduite voire unidimensionnel et des contacts de source
et drain aimantation perpendiculaire. Il est noter de
plus qu'il est assez difficile de dposer des couches de
mtaux ferromagntiques de bonne qualit magntique
sur des matriaux comme GaAs [9].
(iii) Enfin, il faut videmment que les contacts de
source et drain constituent vritablement des filtres
spin efficaces. Ce point dlicat, qui constitue une pierre
d'achoppement pour la viabilit du spin-FET, fait l'objet
de la section suivante.
4-Contacts slectifs en spin
Si la cration et la dtection par voie entirement
optique d'lectrons polariss en spin dans les
semiconducteurs constituent aujourd'hui des techniques
bien matrises, il n'en est absolument pas de mme des
mthodes lectriques. Malgr des efforts intenses, la
slectivit en spin d'un contact constitu par un mtal
ferromagntique et un semiconducteur n'a encore jamais
t dmontre exprimentalement. D'aprs une tude
thorique rcente [10], il semble en outre que le concept
d'injection slective en spin par un contact ohmique
ferromagntique/semiconducteur ne soit pas viable, sauf
si le ferromagntique est entirement polaris en spin.
Cela est attribu aux grandes diffrences de conductivit
et de longueur de relaxation de spin entre ces deux types
de matriaux. Ce problme pourrait tre rsolu avec des

contacts Schottky ou effet tunnel [11], ou bien en

utilisant des matriaux magntiques aux proprits de
transport plus proches des semiconducteurs, c'est--dire
des composs II-VI ou III-V allis au Mn. Il a t en
effet dmontr exprimentalement que BeMnZnSe [12]
ou GaMnAs [13] constituaient d'efficaces polariseurs de
spin. Nanmoins, des difficults subsistent quant
l'utilisation de ces deux types de matriaux. Les II-VI
magntiques ne constituent d'efficaces filtres spin qu'
trs faibles tempratures et sous forte excitation
magntique ou optique. Si les III-V allis au Mn
peuvent tre ferromagntiques jusqu' un peu plus de
100 K, leur utilisation est rendue dlicate par le fait que
le Mn constitue un dopant accepteur pour GaAs.
D'autres matriaux incluant des ions "magntiques"
(mtaux de transition) sont tudis actuellement, comme
CrAs [14] ou ZnCoO [15]. Si les premiers rsultats sont
prometteurs, ces tudes de nouveaux matriaux pour
l'lectronique de spin doivent encore tre poursuivies
pour vritablement aboutir.
Pour ce qui est de la collection slective en spin, un
autre problme li au semiconducteur existe et pourrait
expliquer l'chec des mesures de collection dpendant
du spin dans des simples contacts tablis entre un mtal
ferromagntique et GaAs. Dans ce type d'expriences,
des lectrons polariss en spin sont photognrs dans
un substrat GaAs dop P et on tudie la variation du
courant collect par un contact Schottky ou tunnel
ferromagntique, dpos sur GaAs, en fonction des
orientations relatives du moment magntique du contact
et des spins majoritairement gnrs dans le
semiconducteur. Cette variation relative est dsigne par
la suite comme "l'asymtrie en spin" du photocourant.
Jusqu' prsent, les effets mesurs restent de l'ordre de
1%.
Cependant,
mme
si
l'interface
ferromagntique-semiconducteur est intrinsquement
slective en spin, l'asymtrie en spin effective peut tre
fortement rduite du fait des caractristiques du
transport lectronique dans GaAs. Afin que l'excs
d'lectrons d la photognration dans GaAs soit
limin tout en conservant une forte asymtrie en spin
du photocourant, il faut que les lectrons a priori non
collects par le ferromagntique, car de la mauvaise
orientation de spin, se recombinent avant de perdre leur
cohrence de spin. Or les temps typiques de
recombinaison sont nettement plus grands que les temps
de relaxation de spin lectronique et encore plus grands
que les temps de collection. Le contact ferromagntique
ne peut donc jouer son rle de filtre spin. Pour pallier
cette difficult, nous proposons de dposer sur GaAs
deux contacts "en peigne" (cf. Figure 4) : des contacts
larges non magntiques (NM) pour rguler l'excs
d'lectrons d l'clairement, avec des "doigts"
intercals de contacts ferromagntiques (FM) qui jouent
alors leur rle d'analyseur de spin.

A. Bournel

FM

non FM

GaAs (P)

Figure 4 : Structure contacts en peigne pour la mesure de la

collection slective en spin.

Asymtrie en spin (%)

50
40

Peigne, V NM = 1 V , V FM = 0 V
Peign e, V NM = V FM = 0 V

30

Sim p le contact FM
20
10
0
0

20

40

60

80

100

Tem ps (ps)
Figure 5 : Asymtrie en spin du photocourant collect par
une lectrode slective en spin FM, dpose sur GaAs dop P,
aprs gnration d'lectrons polariss en spin dans GaAs par
une impulsion optique de 100 fs. Rsultats de simulation
Monte Carlo pour diffrentes configurations 300 K.

Nous avons valu par simulation Monte Carlo

l'asymtrie en spin du photocourant collect par un
contact Schottky FM dans une telle structure en peigne,
et compar cette valeur celle obtenue dans le cas d'un
simple contact ferromagntique. La Figure 5 prsente
l'volution temporelle de l'asymtrie en spin aprs
clairement de GaAs par une impulsion lumineuse de
pompage optique. La polarisation en spin du contact FM
est suppose gale 50 %, cest--dire que la
probabilit de collection des lectrons spin (ou
suivant le signe) par llectrode FM est gale 75%, et
celle des spins (ou ) 25%. Les lectrons non
collects subissent une rflexion spculaire linterface
FM/GaAs. Pour un simple contact FM (tirets),
l'asymtrie en spin tend trs rapidement vers 0 comme
le laissait prvoir l'analyse qualitative mene
prcdemment. La courbe en ligne continue reprsente
l'asymtrie en spin obtenue dans une structure en peigne
pour laquelle la diffrence de potentiel applique entre
les contacts Schottky (NM ou FM) et l'lectrode de
substrat est nulle. Aprs une priode transitoire de
quelques 20 ps, l'asymtrie en spin se stabilise pour
atteindre une valeur de 5 6%. On peut obtenir une
valeur plus importante en polarisant en inverse la

Schottky NM (ligne continue avec des symboles) : dans

ce cas, l'asymtrie en spin dpasse 20% pendant les 20
premires ps, puis dcrot 100 ps aprs l'impulsion de
pompage jusqu' environ 12%. Aprs 100 ps, la
relaxation de spin peut intervenir de manire
importante. Dans ce cas, la zone de charge d'espace
(ZCE) sous le contact NM s'tend sur une plus grande
distance que prcdemment, et collecte donc plus
efficacement les lectrons dans GaAs qui sont "happs"
par le champ lectrique intense rgnant dans la ZCE. Le
contact NM joue alors mieux son rle de rgulateur, et
le contact FM celui de filtre spin. La structure en
peigne semble tout fait prometteuse pour tudier
exprimentalement les phnomnes de collection
dpendant du spin aux interfaces entre ferromagntiques
et semiconducteurs.
5-Conclusion
Dans le cas des dispositifs "classiques" de
l'optolectronique ou de la microlectronique, des
efforts supplmentaires sont encore ncessaires pour
que le spin lectronique constitue rellement un degr
de libert supplmentaire pour la conception de
dispositifs efficaces sur semiconducteur. D'un autre
point de vue, les semiconducteurs magntiques peuvent
galement tre utiliss pour le stockage de l'information
[16] ou pour les tlcommunications optiques [17], de
par leurs proprits optiques et magntiques. Enfin,
l'lectronique de spin dans les semiconducteurs se
dveloppe galement dans le domaine du calcul
quantique [18].
Remerciements
Je remercie toutes les personnes avec lesquelles j'ai
collabor l'IEF sur ce sujet, et notamment
Pierre Beauvillain, Patrick Bruno, Claude Chappert,
Vincent Delmouly, Thibaut Devolder, Philippe Dollfus,
Patrice Hesto, David Massoubre et Grard Tremblay.
Rfrences
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[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]

G.A. Prinz, J. Magn. Magn. Mater. 200, 57 (1999).

A. Bournel, Ann. Phys. Fr. 25, 1 (2000).
A. Tackeuchi et al., Jpn. J. Appl. Phys. 38, 4480 (1999).
S. Hallstein et al., Phys. Rev. B 56, 7076 (1997).
A. Bournel et al., Appl. Phys. Lett. 77, 2346 (2000).
A. Malinowski et al., Phys. Rev. B 62, 13034 (2000).
S. Datta, B. Das, Appl. Phys. Lett. 56, 665 (1990).
A. Bournel et al., Physica E 10, 86 (2001).
V. Delmouly et al., Thin Solid Films 384, 282 (2001).
G. Schmidt et al., Phys. Rev. B 62, 4790 (2000).
E.I. Rashba, Phys. Rev. B 62, 16267 (2000).
R. Fiederling et al., Nature 402, 787 (1999).
Y. Ohno et al., Nature 402, 790 (1999).
H. Akinaga et al., Jpn. J. Appl. Phys. 39, 1118 (2000).
K. Ando et al., Appl. Phys. Lett. 78, 2700 (2001).
J. De Boeck, G. Borghs, IEDM 1999 Technical Digest,
215 (1999).
[17] H. Akinaga et al., Appl. Phys. Lett. 76, 97 (2000).
[18] M.N. Leuenberger, D. Loss, Physica E 10, 452 (2001).