Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta

impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.

Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de
tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la
regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta
alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la
corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la
regin III (PuntoB). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras
aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la
regin I

Representacin en Grafica
Smbolo
Representacin en Circuito

Transistor, Caracterstica, Composicin y

Configuracin

Transistor (smbolo, tipos, curva caracterstica y funcionamiento)

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y
una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn,
en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante
las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la
eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de
transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de
tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn
o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
Caractersticas de los Transistores:
El consumo de energa es relativamente bajo.

El tamao de los transistores es relativamente ms pequeo que los tubos de vaco.

El peso.

Una vida larga til (muchas horas de servicio).

Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).

No necesita tiempo de calentamiento.

Resistencia mecnica elevada.

Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos sensibles a la

luz).
Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. La operacin
del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran las funciones que cumplen el electrn y
el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarizacin base - colector. El
espesor de la regin de agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado
un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Ahora se eliminar la polarizacin base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a, segn se muestra
en la figura 4.16. En resumen:
Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene polarizacin inversa
ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de
portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con
claridad cul unin tiene polarizacin directa y cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de
portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la
pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base IB o si
pasarn directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene
baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta
resistencia hacia la Terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los micro amperes,
comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos
portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p
conectado a la Terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores
mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se
considera que para el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern
como portadores con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como
portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la regin de la base
tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regin de
agotamiento atravesar la unin con polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.

Configuracin de Base Comn

Para la configuracin de base comn con transistores PNP y npn. La terminologa de la base comn se
deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su
vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo
largo de este trabajo todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en
lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la
direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los
amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de
excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). El conjunto de caractersticas de la
salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: las regiones activa, de corte y de saturacin. La
regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular:
En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor - base
se polariza directamente.
La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 4.17. En el extremo ms bajo
de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se
debe a la corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequea (micro amperes) en magnitud si se compara con la escala vertical
de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se
muestra en la figura 4.19. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas
de especificaciones es, como se indica en la figura 4.19, ICBO.

Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito
general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo
que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is,
para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores
temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy
rpidamente con la temperatura.
En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen
polarizacin inversa.
En la regin de saturacin, tanto la unin como el emisor - base estn en polarizacin directa.

Colector Comn
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia,
debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a las
de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.
La figura 4.21 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga
conectada del emisor a la tierra.
Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de
manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de
un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura 4.21.
Puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn: son la
mismas que para la configuracin de emisor comn.

CONCLUSIN
Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrnica, que para su comprensin
hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propsito de resolver
algn problema.
Para nosotros uno de los aspectos ms importantes de los mismos es que no se quedan en un solo tipo
de diodo; ms bien se los ha desarrollado en formas que extienden su rea de aplicacin.

Diodo Schockley

Un diodo Shockley es un dispositivode dos terminales que tiene dosestados estables: uno de bloqueo ode alta impedancia y de
conduccin obaja impedancia.

Este dispositivo fue desarrollado por elfsico estadounidense William BradfordShockley (1910-1989), tras
abandonar losLaboratorios Bell y fundar ShockleySemiconductor. Fueron fabricados porClevite-Shockley.
Shockley fue eldescubridor del transistor por el que obtuvoel Premio Nobel de Fsica en 1956.

El diodo de cuatro capas o diodoShockley es un dispositivo compuestopor cuatro capas semiconductoras npnp.

Esencialmente es un dispositivointerruptor.
Aplicacin del diodo Shockley
DETECTOR DE SOBRETENSION