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Como se Hacen las Conclusiones

Las CONCLUSIONES se elaboran de acuerdo a los objetivos planteados en el


estudio o en funcin de las hiptesis (para nuestro caso sera el Objetivo de la
Prctica de Laboratorio) y tienen por objeto permitir una apreciacin global de
los resultados del trabajo. Se tendrn tantas conclusiones como objetivos se
hayan formulado o se elabora una conclusin general tomando en cuenta el
objetivo general.
En funcin a las mediciones o experiencias realizadas se requiri de un
tratamiento especfico de variables o tratamiento de la informacin, de all que
cada objetivo o hiptesis tiene resultados particulares, entonces al momento
de concluir se debe tomar en cuenta a dicho objetivo o hiptesis, los resultados
que arrojaron sus mediciones o determinaciones, adems de lo que dice la
base terica construida para la investigacin, especialmente en lo referido a la
variable que se mide en esa oportunidad, es decir, existe una relacin directa
entre: objetivos teora resultados, y es el resultado de dicha relacin la
que se utilizar para concluir en dicho aspecto, a continuacin les presento un
ejemplo:
Supongamos el siguiente objetivo general y especfico:
Objetivo general: Empleando la configuracin de Retroalimentacin
de Voltaje, para la polarizacin de un transistor bipolar (BJT), registrar
los valores que se obtiene para la corriente de base (IB) al hacer
variar la corriente de colector (IC) y el voltaje colector-emisor (VCE) de
tal manera que se logren caracterizar las curvas tpicas de operacin
del transistor y se identifiquen las regiones de Corte, Saturacin y
Regin de Operacin.
Objetivo especfico: Identificar la respuesta de la configuracin de
Retroalimentacin de Voltaje cuando el decremento de las
resistencias de base (RB) y emisor (RE) tienden a cero.
Lo que dice la teora: Regiones operativas del transistor.
Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector es
igual a la corriente de emisor y ambas son iguales a cero, (IC = IE = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacin del circuito (como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, segn la Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es igual a cero (IB =0).
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando la corriente de
colector es igual a la corriente de emisor y ambas se igualan a la corriente

mxima, (IC = IE = IMX). En este caso la magnitud de la corriente depende del


voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores conectados en el colector
o el emisor o en ambos.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base (IB) es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector (IC) beta
veces ms grande (recordar que IC = IB).
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en
la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (IC) depende principalmente de la
corriente de base (IB), de beta ( = ganancia de corriente de un amplificador,
es un dato del fabricante) y de las resistencias que se hayan conectadas en el
colector y emisor).
Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor
como un amplificador.
Regin de ruptura. Es la zona que alcanza el transistor cuando se le aplican las
tensiones mximas que pueden soportar las uniones pn inversamente
polarizadas. Cuando se alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del
transistor. El fabricante proporciona dos tensiones mximas (VCEO, VCES) que
limitan de alguna manera las tensiones mximas de polarizacin en continua
los transistores. VCEO define la tensin mxima entre el colector y emisor,
estando la base en circuito abierto, antes de que se produzca fenmenos de
multiplicacin de avalancha que incrementa exponencialmente la ICO a travs
de la unin de colector. VCES define la tensin mxima del colector, estando la
base cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la regin de
transicin alcance el emisor perforando la regin de base.
Lo que dicen los resultados: A medida que los valores de resistencia fueron
cambiando, se logr conformar una grfica similar a la expuesta por los
fabricantes en la hoja de especificacin del transistor. Para cada valor de
resistencia de colector (RC) utilizada se presentaron siempre cambios en la
corriente de base (IB), al igual que en la corriente de colector (IC) y viceversa.
Para valores muy pequeos, del orden de mili-Ampers (mA), de corriente de
colector (IC) fue posible caracterizar la Regin de Corte, sin embargo no fue
as para la representacin de la Regin de Saturacin, aun y cuando los
valores de voltaje de colector-emisor (VCE) tendan a cero. Por otra parte, se
lograron valores de voltaje de colector-emisor (VCE) bastante altos (alrededor
de los 30 volts), no obstante nunca se observ comportamiento irregular del
transistor ni en las corrientes de polarizacin y, de acuerdo a las
especificaciones del fabricante, estuvimos muy lejos de alcanzar una tensin
mxima (VCEO) que condujera al transistor a la regin de ruptura.
Conclusin: De esta experiencia podemos concluir:

La representacin de las diversas grficas caractersticas de polarizacin


de un transistor se obtienen al efectuar variaciones controladas de los
parmetros de operacin que los regulan y observando el
comportamiento que muestran estos.
El factor de ganancia de corriente del transistor () no es fijo y es
dependiente de la relacin que guardan la corriente de colector (IC) y la
corriente de base (IB), ya que adquiere diferentes valores a medida que
estas corrientes varan.
El voltaje colector-emisor (VCE) guarda una relacin directa con el voltaje
de alimentacin (VCC) en una proporcin aproximada de 2 a 1, es decir:
2VCE VCC
Los niveles de la regin de ruptura no se alcanzaron debido a que el
voltaje mximo proporcionado por la fuente de alimentacin (VCC.MAX)
est muy por debajo de la tensin mxima (VCEO) que el fabricante
establece en la hoja de datos del transistor.
A medida que la resistencia de emisor (RE) va disminuyendo el punto de
operacin (Q) se desplaza hacia saturacin, pero sin llegar a ella, ya que
el voltaje de colector-emisor (VCE) nunca puede ser menor a 0.7 volts.
Esto se observa al efectuar el anlisis en DC de la polarizacin con
retroalimentacin de voltaje: la base y el colector es un mismo punto
cuando la resistencia de base (RB) sea igual a cero y el transistor
funciona en este caso como un diodo. Esta es una propiedad
caracterstica de este tipo de polarizacin, que permite al transistor
nunca estar en saturacin, aun cuando la resistencia de base (RB) sea
igual a cero.

Esta es la forma de hacer la conclusin de su prctica, en funcin al objetivo


general de la misma y de igual modo con todos los objetivos especficos que
puedan ser formulados en su momento. Una vez que culminen con todos y cada
uno de ellos, habrn completado las conclusiones, y recuerden, no tienen que
decir que ha significado para ustedes ni nunca resuman que hicieron a lo largo de
las experimentaciones, pues ese no es el objeto de la investigacin y tampoco se
considera una conclusin.

Referencias Bibliogrficas.

Carlos Sabino. El proceso de investigacin, Panapo, Caracas, 1992.


Serafini, M. T. Cmo redactar un tema. Didctica de la escritura, Mxico,
Paids, 1991.