INSTITUTO TECNOLGICO DE MATAMOROS

ING. ELECTRNICA

Actividad No.5:Problemario de circuitos de disparo

Materia: Electrnica de potencia
Profr.: Carlos Octavio de la Cerda Ibarra
Alumna: Diana Itzel Banda Morales
No. De control: 11260073
Perodo: Semestre Enero-Junio 2014

H. Matamoros, Tam.,

a 28 de Febrero del 2014

1. Conteste correctamente las siguientes preguntas

3.10 Despus de que el UJT es encendido, Qu le pasa al valor de RB1? Cmo puede el valor de
VP ser variado para un UJT dado? Cmo es el apagado del UJT?
El valor de RB1 disminuye.
Para valores fijos de n y VD el VP variar conforme a VBB es decir

Cuando el voltaje de emisor VE disminuye hasta el punto de valle Vv, el emisor deja de conducir y el
UJT se apaga.
3.11 Considere el circuito de la Fig. P.3.11. El oscilador se supone debe producir pulsos a una tasa
de 10 Khz. Sin embargo, cuando la energa es aplicada al circuito, ste no oscila. El tcnico de
pruebas nota que cuando la energa se retira, el circuito oscila temporalmente cuando la tensin
cae a cero. Explique estas observaciones y determine Qu est mal en el circuito? Cmo se debe
modificar el circuito para una correcta operacin?

Primero verificamos que se cumpla T=RC

T=RC=(2K)(0.05uF) = 0.0001
1

f= =

1
0.0001

=10Khz

Si despejamos n de la frmula aproximada de R2

104
2

n=

104
(100)20

=5

Obteniendo el VP
VP = nVBB + VD = (5)(20) + 0.7 = 100.7
Pero VP no puedo ser mayor que VBB, es por eso que el circuito oscila temporalmente cuando el
voltaje cae a 0V.
1

Se debe modificar la R2 , despejando n de T=RCln(1), se obtiene n=0.6321 , lo que aplicndolo a

la frmula aproximada de R2, da como resultado R2 = 791

3.12 Suponga que cuando el interruptor se cierra en la Fig. P.3.12, el motor gira instantneamente
(sin tiempo de retardo) Cul de las siguientes podra ser la causa para este mal funcionamiento?
(Puede haber ms de una posible respuesta). Explique cada una.
a)
b)
c)
d)
e)

El capacitor est en corto

R1 es demasiado grande
La tensin de alimentacin es demasiado grande
El SCR es muy sensitivo
El UJT est en corto de B2 a B1

a) El ngulo de retardo de disparo est determinado por RC, al estar C en corto, el SCR se dispara
instantneamente.
e) Si el UJT est en corto, el tiempo de disparo ya no estara determinado por RC, si no que tomara
el voltaje directamente de la fuente.
3.13 Explique cul es la diferencia de operacin entre el PUT y el UJT Cules son las ventajas de
los PUTs sobre los UJTs?
El trmino programable se aplica porque RBB, n y Vp, se pueden controlar mediante los resistores
RB1, RB2 y el voltaje de alimentacin VBB. El PUT proporciona una medida de control del nivel de
VP requerido para encender el dispositivo. Las corrientes de pico y valle del PUT, son por lo regular
menores que las de un UJT con valores equivalentes. Adems el voltaje mnimo de operacin
tambin es menor para el caso del PUT.
3.14 Dibuje y explique y el diagrama a bloques del circuito de disparo de un tiristor

Los tiristores estn en la lnea de tensin y el circuito de disparo debe estar referenciado a una tierra
lgica asociada con la entrada de control. Por lo tanto, la deteccin de cruce por cero de la tensin
de lnea y el pulso de compuerta generado con el circuito de disparo de compuerta deben estar
aislados por medio de transformadores. El circuito de disparo de compuerta requiere una
alimentacin de corriente directa referenciada con respecto al potencial de tierra lgica. Este voltaje
puede ser suministrado por la rectificacin de la salida de la lnea de voltaje.
El voltaje de sincronizacin AC es convertido en voltaje de rampa en el bloque de ngulo de retardo,
que se sincroniza con el cruce por cero del voltaje de lnea, como se muestra en las formas de onda.
El voltaje de rampa, el cual tiene una amplitud pico a pico constante, es comparado con un voltaje
de control. Durante los semiciclos cuando el voltaje de rampa iguala al voltaje de control, un pulso
de seales de duracin controlable es generado. De esta forma, el ngulo de retardo puede ser
variado por encima del rango completo 0-180 y el ngulo de retardo es proporcional al ngulo de
control.
3.15 Dibuje el circuito de disparo de media onda RC para un SCR y explique la funcin de los
componentes usados. Describa con ayuda de formas de onda como el voltaje de salida es
controlado variando la resistencia.

En el circuito de control, se puede obtener un ngulo de disparo ms grande cambiando la fase y

amplitud de la corriente de compuerta. El ngulo de disparo puede ser controlado de 0 a 180
variando la resistencia Rv.
En el semiciclo negativo, el capacitor C se carga a travs del diodo D2 con el valor pico de voltaje. El
voltaje de este capacitor permanece constante en Emax hasta que la tensin de alimentacin
alcanza el valor cero. Ahora como el voltaje de nodo del SCR pasa por 0 y se vuelve positivo, el
capacitor C comienza a cargarse a travs de Rv desde el valor inicial de voltaje Emax. Cuando el
capacitor se carga con voltaje positivo igual al voltaje de disparo de compuerta VGT (=VG(min) +
VD1), el SCR es disparado y despus de esto, el capacitor retiene un pequeo voltaje positivo.
Durante el semiciclo negativo, el diodo D1 evita la ruptura de la compuerta a la unin del ctodo.

3.16 Explique con el diagrama del circuito y formas de onda el oscilador de relajacin PUT.
En el momento en que la fuente se conecta, el capacitor comenzar a cargarse hacia VBB volts dado
que en este punto no existe corriente de nodo. El instante en que el voltaje atraviesa el capacitor

es igual a VP, el dispositivo se disparar y se establecer una corriente IA = IP a travs del PUT. Si R es
demasiado grande, la corriente IP no podr establecerse y el dispositivo no se disparar. El nivel de
R tambin debe ser tal que asegure que ste sea menor que Iv si se espera que ocurra la oscilacin.
En otras palabras, deseamos que el dispositivo ingrese en la regin inestable y luego regrese al
estado apagado.
Las formas de onda de VA, VG y VK se muestran en la figura. T determina el voltaje mximo al que VA
puede cargarse. Una vez que el dispositivo se dispara, el capacitor rpidamente se descargar a
travs del PUT y de RK, y producir la cada mostrada. Por supuesto que VK llegar al mismo tiempo
al nivel pico, gracias a la corriente breve pero intensa. El voltaje VG rpidamente caer desde VG
hasta un nivel un poco mayor que 0 V. Cuando el voltaje del capacitor caiga a un nivel bajo. El PUT
nuevamente se apagar y el ciclo de carga se repetir.

3.17 Describa el circuito de disparo de onda completa RC para un SCR cuando la carga es AC.
Adems, dibuje la forma de onda de voltaje asociada.
La potencia puede ser liberada a la carga nicamente durante el semiciclo positivo de es porque el
SCR conduce nicamente cuando est polarizado en directa. Est limitacin puede ser superada de
muchas formas. Una de ellas es la mostrada en la figura siguiente:

Aqu el voltaje de lnea AC es convertido a pulsante DC por el puente de diodos rectificador de onda
completa. Esto permite al SCR ser disparado en ambos semiciclos del voltaje de lnea lo cual duplica
la potencia disponible en la carga.

En este circuito, el voltaje inicial desde el cual se carga el capacitor es casi cero. Cuando el capacitor
se carga a un voltaje igual al VGT, el SCR se dispara y el voltaje Edc rectificado aparece en la carga
como eL .
3.18 Explique el funcionamiento de un oscilador empleando un UJT. Derive la expresin para la
frecuencia de disparo.
=

1
(

1
)
1

Permitmonos considerar la situacin en la cual el capacitor

est en 0V (Vc=0) y el interruptor es de pronto cerrado en
t=0 aplicando Edc al circuito. Dado que VE=VC=0, el emisor
del UJT es polarizado en inversa y el UJT se encuentra
apagado. El valor de polarizacin inversa es Vx volts y puede
obtenerse usando un divisor de voltaje:

En muchos casos R1 y R2 son mucho ms pequeas que RB1

y RB2 y Vx se vuelve aproximadamente igual a nEdc .
En esta condicin la nica corriente de emisor fluyendo ser
una pequea corriente de fuga, IE0. Adems RB1 estar en su
valor de apagado (tpicamente 4K). Por lo tanto podemos considerar que el emisor est abierto
(IE=0) y el capacitor comenzar a cargar hacia el voltaje de entrada Edc a travs de la resistencia R.
El voltaje del capacitor aumenta con una constante de tiempo RC. Este continuar incrementndose
hasta que el voltaje en el emisor llegue hasta el valor de voltaje pico, VP1. Al mismo tiempo, el emisor
se polariza en directa y el UJT se enciende con RB1 cayendo a un valor muy bajo (tpicamente 10
ohms). Dado que el diodo est ahora polarizado en directa, el capacitor se descargar a travs del
camino de baja resistencia, RB1 y R1.
La constante de tiempo de descarga es normalmente muy corta comparada a su constante
de tiempo de carga. Una expresin analtica para el tiempo de descarga es difcil de obtener ya que
RB1 est cambiando continuamente debido a que la corriente IE decrece. La descarga del capacitor
provee la corriente de emisor necesaria para mantener el UJT encendido; este permanecer
encendido hasta que IE caiga por debajo de la corriente de valle IV, en la cual el UJT se apaga. Esto
ocurre en el tiempo T2 cuando el voltaje del capacitor ha cado al voltaje de valle Vv (tpicamente 23 volts). En este momento, RB1 regresa a su valor de apagado, el diodo se polariza otra vez en
inversa y IE=0.
El capacitor comenzar a cargarse hacia Edc una y otra vez indefinidamente siempre que la potencia
sea aplicada al circuito. El resultado es una onda tpica de diente de sierra peridica como se muestra
en la figura:

3.19 Dibuje y explique el circuito equivalente y la caracterstica V-I del UJT en detalle.
Circuito equivalente
Dos resistores (uno fijo y uno variable) y un solo
diodo. La resistencia RB1 se muestra como un
resistor variable dado que su magnitud variar con
la corriente IE. La resistencia intrabase RBB es la
resistencia del dispositivo entre las terminales B1 y
B2 cuando IE = 0

Caracterstica I-V

Para potenciales del emisor a la izquierda del punto

pico , la magnitud de IE nunca ser mayor a IE0
(medidas en microamperes) . La corriente IE0
corresponde de forma muy cercana con la corriente
inversa de fuga IC0 del transistor convencional bipolar.
Esta regin, como se indica en la figura, se conoce
como la regin de corte. Una vez que la conduccin se
establece cuando VE = VP, el potencial del emisor VE
caer ante el incremento en IE. Esto corresponde de forma exacta con el decremento de la
resistencia RB1 para el incremento de corriente IE. Este dispositivo por tanto, tiene una regin de

resistencia negativa que es lo suficientemente estable para ser utilizada con gran confiabilidad en
las reas de aplicacin antes mencionadas. Eventualmente, se alcanzar el punto de valle y cualquier
incremento posterior de IE, colocar al dispositivo en la regin de saturacin. En esta regin, las
caractersticas se aproximan a las del diodo semiconductor en el circuito equivalente.
La disminucin de la resistencia en la regin activa se debe a los huecos inyectados en la
barra de tipo n provenientes de la varilla de aluminio de tipo p cuando se establece la conduccin.
El mayor contenido de huecos en el material de tipo n ocasionar un incremento en el nmero de
electrones libres en la barra, lo que producir un incremento en la conductividad y una cada
correspondiente en la resistencia. Los otros tres importantes parmetros del transistor monounin
son Ip, Vv e Iv.
3.20 Dibuje y explique el diagrama del circuito para el disparo de rampa. Adems, dibuje y
explique las formas de onda de voltaje asociadas.

El puente de diodos rectifica de alterna a

directa. El resistor Rs disminuye Edc a un valor
adecuado para el diodo zener y UJT. El diodo
zener se usa como regulador. El voltaje Vz es
aplicado al circuito de carga RC. El capacitor C
se carga a travs de R hasta que llega al voltaje
de disparo VP del UJT. El UJT entonces se
enciende y el capacitor se descarga a travs del
emisor del UJT y primario del transformador de pulso. Los bobinados del transformador de pulso
tienen voltajes de pulso en las terminales del secundario. Los pulsos en los dos bobinados
secundarios alimentan el mismo pulso en fase a los dos SCRs de un circuito de onda completa. El
SCR con voltaje de nodo positivo encender. El radio de incremento del voltaje de capacitor puede
ser controlado variando R. El ngulo de disparo puede ser controlado arriba de 150. Este mtodo
de control de potencia de salida variando la resistencia R es llamado control de rampa, control
de lazo abierto o control manual.
Como el voltaje del diodo zener cae a 0 al final de cada semiciclo, la sincronizacin del circuito de
disparo con el voltaje de alimentacin que atraviesa los SCRs es alcanzada. As el tiempo t, igual a
a/w, cuando el pulso es aplicado al SCR por primera vez, permanecer constante para el mismo valor
de R. Las diversas formas de onda de voltaje se muestran en la Figura:

3.21 Dibuje el diagrama del circuito de disparo de rampa y pedestal usado para el semiconvertidor
monofsico.

La figura muestra el circuito de disparo de rampa y pedestal de dos tiristores conectados en

antiparalelo para controlar una carga de AC. El disparo de rampa y pedestal es una versin mejorada
del disparo del Oscilador UJT sincronizado.
El Vz es constante en su voltaje de umbral. RP acta como un divisor de voltaje. RP controla la tensin
de pedestal VP. El diodo D permite a C ser rpidamente cargado a VP a travs de una baja resistencia
de RP. El ajuste de RP es tal que, este valor de VP es siempre menor que el voltaje de disparo del UJT
nVz. Cuando VP es pequeo, el voltaje Vz carga a C a travs de R. Cuando este voltaje VC de rampa
llega a nVz, el UJT se dispara y el voltaje VT, a travs del transformador de pulso es transmitido a los
circuitos de compuerta de ambos tiristores T1 y T2. Durante el primer semiciclo positivo el T1 del
SCR es polarizado en directa y es por lo tanto encendido. Despus de esto, VC se reduce a VP y de
ah a 0 en wt =. Como VC es mayor que VP, durante la carga del capacitor C a travs de la carga de
la resistencia R, el diodo D es polarizado en inversa. As, VP no afecta en ningn modo a la descarga
de C a travs del emisor del UJT y el primario del transformador de pulso. En el periodo de 0 a , el
T1 del SCR es polarizado en directa y encendido. De a 2 , T2 se enciende. De esta forma, la carga
es sometida a eL alterno.
Con el ajuste de RP el voltaje de pedestal VP de C puede ser ajustado. Con un voltaje bajo de pedestal
a travs de C, la carga de rampa de C a nVz toma ms tiempo y el ngulo de retardo de disparo es
por lo tanto mayor y el voltaje de salida es bajo. Con un alto pedestal en C , la carga del voltaje de

rampa de c a travs de R llega a nVz ms rpido, el ngulo de retardo de disparo es ms pequeo y

el voltaje de salida es alto.

3.22 Disee el circuito de retardo de 30 minutos con PUT

3.23 Explique el circuito de operacin del PUT en estado encendido y estado apagado.
Cuando el voltaje de nodo es menor que Vg, la unin nodo compuerta es polarizada en inversa y
el dispositivo PNPN se encuentra en el estado de apagado, actuando como un interruptor abierto
entre el nodo y el ctodo. Cuando el voltaje de nodo excede Vg por cerca de los 0.5V, la unin
nodo-compuerta conduce causando el encendido del dispositivo PNPN de la misma forma como lo
hace la polarizacin directa de la unin compuerta-ctodo de un SCR.

3.24 Con ayuda de un diagrama, explique el funcionamiento de la interfaz por microprocesador

para un tiristor de potencia.
Los microprocesadores y microcontroladores son usados para el control del ngulo de disparo de
los tiristores. Con el fin de disear una interfaz para el circuito de compuerta, ambos la lgica y los
requerimientos de la compuerta del tiristor deben ser especificados. La figura muestra la interfaz
de microprocesador para el tiristor de potencia. El microprocesador usado aqu tiene las siguientes
especificaciones:
VCC= 5V
VOH

= 2.4V, IOH= 0.3 mA

VOL = 0.4V, IOL = 1.8 mA

Con estas especificaciones, el microprocesador no puede directamente manejar el tiristor de

potencia. Por lo tanto la interfaz del circuito de potencia es usada. Como se muestra, el canal p del
MOSFET es usado como un dispositivo de interconexin. El MOSFET utilizado tiene las siguientes
especificaciones:
VTH = 3V, Id = 0.5 A , Cgs= 400 pF
Rds(on) = 10 ohms
La Resistencia Rg limita la corriente de carga del capacitor Cgs y adems determina el tiempo de
encendido del MOSFET .

El MOSFET no encender hasta que Cgs se haya cargado a 3V o, con una alimentacin de 5V,
aproximadamente la constante de tiempo.
El MOSFET debe proveer al tiristor la corriente de compuerta a travs de la resistencia Rgk cuando
la compuerta esta a 3V.
Cuando Rgk = , Rgs tiene el mximo valor.
Dado que la resistencia proporciona una baja impedancia de ctodo a ctodo en el estado apagado,
mejora la inmunidad al ruido del SCR.
Despus del encendido, el voltaje de compuerta ser de 1V. Por lo tanto, la corriente del MOSFET
ser de 200 mA.