ELECTRONICA DE POTENCIA

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TRIACS
Introduccin
El xito obtenido con la introduccin del tiristor convencional en el campo de la electrnica,
indujo a los investigadores a desarrollar otro tiristor ms apto para el control de potencia de
corriente alterna. El triac (triode altern current) es un semiconductor capaz de bloquear tensin y
conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura bsica,
smbolo y curva caracterstica aparece en la figura 1. Es un componente simtrico en cuanto a
conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues las caractersticas en el cuadrante I de las curvas
uT2 T1 iT2 son iguales a los del III. Las fugas que posee en bloqueo y la cada de tensin en
conduccin prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entra en conduccin, si se
supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin.

La estructura contiene seis capas, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro. En
sentido T2 - T1 conduce a travs de P1N1P2N2. Figura 3.2

En sentido T1 - T2 conduce a travs de P2N1P1N4 (Figura 3.3). La capa N3 facilita el disparo

con intensidad de puerta negativa.

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La complicacin de su estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a

di/dt y capacidad para soportar sobreintensidades. Se fabrican para intensidades de desde algunos
amperios hasta unos 100 A eficaces y desde 50 V hasta 1000 V de tensin de pico repetitivo.
Modos de funcionamiento.
El Triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una
facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cuales son los
fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.
Modo I +: Terminal T2 positivo respecto a T1
Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor. La corriente de puerta circula internamente hasta T1,
en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2 (Figura 3.4.b).
Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favoreciera en el rea prxima a la
puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Esta
cada de tensin se ha simbolizado en la figura por signos + y -.

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Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial
exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin.
figuira
Modo I - : Terminal T2 positiva respecto a T1
Intensidad de puerta saliente.

El disparo es similar al de los llamados tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la

estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. Figura 3.5 a y c
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de
ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la
unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la
estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la
estructura auxiliar, entrando en conduccin. Figura 3.6 a y c

Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la
estructura P2N1P1N4. Figura 3.7
La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descripta en el modo I +.

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Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose
mas conductora. El potencial positivo de puerta polariza mas positiva el rea de la unin P 2N1
Prxima a ella, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin
N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.

Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 mas positiva que la prxima a la puerta.
Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte de la unin N1P1 y la hacen pasar
a conduccin. Figura 3.8

Los cuatro modos de disparo descriptos tienen diferente sensibilidad, siendo los modos I + y
III - los modos ms sensibles, seguidos de cerca por I -. El modo III + es el disparo ms difcil y
debe evitarse su empleo en lo posible, por ser justamente un mtodo no seguro.
El fabricante proporciona datos de caractersticas elctricas en bloqueo, conduccin y de
disparo por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.

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En algunos manuales indican cual es la corriente para cada uno de los distintos disparos, a
continuacin se muestra para el BTA30-800CW3G.

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La figura de Definiciones de los cuadrantes no es la misma que la que utilizamos, puesto que sus
ejes estn referidos la corriente de compuerta
Construccin y encapsulado
La pastilla se fabrica a partir de un substrato tipo N mediante un proceso de dopados sucesivos
similar al empleado en los tiristores. Se utilizan mscaras para el dopado selectivo de las reas que
darn lugar a las zonas N2, N3 y N4. En la figura 4 puede verse una pastilla seccionada por un plano
diametral. El espesor se ha exagerado a los fines didcticos.

La cpsula tambin es igual a la empleada en los tiristores. El tipo escogido depende de la

intensidad nominal del Triac. El encapsulado metlico de tornillo representado en la figura 4 se
emplea en toda la gama de 5 a 100 A eficaces. Para aplicaciones de gran consumo se us bastante
una cpsula metlica como la de la figura 5 que se fija al disipador introducindolo a presin en un
taladro de dimetro algo menor al de la cpsula. El sistema se adapta bien al montaje de grandes
series con tiles especiales y se emplea en triacs de 10 a 25 A eficaces, as como en diodos y
tiristores de intensidad parecida. Actualmente se emplea mucho la cpsula TO 220 en triacs de 6
a 15 A y la TO-3 de 25 a 40 Amperes.
Rapidez en el Aumento de la Corriente (di/dt)
Cuando un triac se enciende aplicando un pulso de disparo de compuerta, la conduccin no se
produce instantneamente en toda la pastilla. La circulacin inicial de corriente est concentrada en
regiones muy pequeas cercanas al contacto de compuerta. Se requiere un intervalo de tiempo
breve para que la corriente se difunda lo suficiente para que toda la pastilla este conduciendo. Si la
rapidez con la que la corriente de carga aumenta, es elevada en comparacin con la rapidez que se
difunde la corriente lateralmente a travs de la pastilla, se concentrar considerable energa en la
regiones de encendido, pudindose desarrollarse regiones de alta temperatura localizada (puntos
calientes). Estos puntos calientes pueden afectar adversamente las dems caractersticas del triac, o
en casos extremos, causar dao permanente en la pastilla semiconductor. Por estas razones los
fabricantes de triac, especifican generalmente un valor lmite de aumento de estado ON para estos
productos.

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La forma de onda para probar la capacidad di/dt es la siguiente:

Estos valores se especifican para un valor determinado de corriente de compuerta.

Por ejemplo para el BTA140B600, tiene una di/dtmax =50 A/s, para una IG = 200 mA y una
IA = 30A
Rapidez en el aumento de la tensin (dv/dt)
El triac puede sufrir la aplicacin de una tensin brusca en sus terminales T1 y T2. Los orgenes de
estas tensiones son diversos, a modo de ejemplo podramos citar algunos: salida de servicio de un
Trafo en la cercanas del sistema de potencia, desconexin de otra carga inductiva (motores), cierre
de una llave con carga capacitiva o regenerativa, etc. Si este aumento de tensin en el tiempo
(dv/dt), excede el rgimen del dispositivo, el triac puede pasar del estado OFF al estado ON en
ausencia de una corriente de compuerta. Esta conmutacin es causada por la capacitancia interna
del triac. Una tensin que aumenta rpidamente, en los terminales principales del dispositivo, hace
pasar una corriente de carga de capacitancia a travs del dispositivo. Esta corriente de carga
dv
es una funcin del aumento de la tensin de estado OFF aplicada, la corriente de carga de
i C.
dt
capacitancia excede la corriente de disparo de compuerta y produce el encendido del dispositivo. El
funcionamiento a temperaturas de juntura elevadas reduce la aptitud del triac para soportar una
tensin en rpido aumento (dv/dt alta) porque se requiere menor corriente de compuerta para el
encendido. El efecto de la temperatura en dv/dt en el estado OFF se ve en la siguiente figura:

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MTODOS DE DISPARO PARA TRIACS:

Circuitos RC de control de puerta
El circuito de disparo ms simple para un triac se muestra en la figura 8, en la misma el
condensador C se carga a travs de R1 y R2 durante la porcin del semiciclo correspondiente al
ngulo de disparo. Durante el semiciclo positivo, MT2 es positivo respecto de MT1, y C se carga
con el positivo en su placa superior. Cuando el voltaje en C es lo suficientemente grande para
entregar a travs de R3 la corriente de puerta (IGT) necesaria para disparar el triac, el triac se dispara
o ceba.
Durante el hemiciclo negativo, C se carga con el negativo en su placa superior.
Nuevamente, cuando el voltaje a travs del condensador es lo suficiente para entregar a travs de R3
la corriente necesaria de puerta en la direccin inversa para disparar el triac, el triac se ceba.
La velocidad de carga del condensador C se ajusta por medio de la resistencia variable R2.
Con una R2 grande, la velocidad de carga es lenta, produciendo un ngulo de disparo grande y un
promedio de corriente en la carga pequea. Si hacemos R2 de pequeo valor, C se cargara
rpidamente, haciendo que la disponibilidad de corriente sea menor, lo cual nos da como resultado

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que el triac se cebara en un corto tiempo (ngulo de disparo pequeo), haciendo la corriente
promedio en la carga mayor que en el caso anterior.
Al igual que con los circuitos de disparo para los SCR, una red RC simple no puede retardar
el disparo de un Triac muy por encima de los 90. Para establecer un rango de ajuste amplio del
ngulo de disparo, la red RC doble de la figura 9 es la mas utilizada.
Uno de los inconvenientes de este sistema es la no repetibilidad de los eventos, por ello
existen otros mtodos de disparo que ms adelante veremos.

Circuitos con DIAC para control de puerta:

Uno elemento interesante desde el punto de vista del disparo del triac es el DIAC.
El DIAC (diodo de disparo bidireccional de silicio), cuya curva caracterstica podemos ver en la
figura 8

La curva muestra que para voltajes aplicados en sentido directo menores que el voltaje de
ruptura directo (+VBO), el DIAC prcticamente no permite flujo de corriente. Una vez alcanzado
el voltaje de ruptura directo, el diac, conmuta a conduccin y la corriente aumenta rpidamente a la
vez que el voltaje a travs de los terminales disminuye. Este aumento rpido de la corriente en la
curva caracterstica explica la habilidad del diac para producir pulsos de corriente, lo cual nos sirve
para el disparo de Triacs o de Tiristores.
En la regin de voltaje negativo, la operacin es idntica. Cuando el voltaje aplicado en

sentido inverso es menor que el voltaje inverso de ruptura (-VBO) el diac no permite flujo de

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corriente. Cuando el voltaje aplicado alcanza VBO, el diac conmuta a conduccin en la direccin
opuesta.
Los diacs se fabrican de manera que son relativamente estables con la temperatura y tienen
una pequea tolerancia en los voltajes de ruptura. Hay una pequeisima diferencia entre los valores
del voltaje de ruptura directo y el voltaje de ruptura inverso en un diac. La diferencia tpica es
menor que 1 volt. Esto permite que el circuito de disparo mantenga prcticamente iguales los
ngulos de disparo en ambos semiciclos de la fuente AC.
El funcionamiento del circuito de la figura 11 es igual al de la figura 8 con excepcin que el
voltaje en el condensador debe aumentar hasta alcanzar el voltaje de ruptura del diac para poder
entregar corriente de puerta al triac. Para un diac, el voltaje de ruptura sera bastante mas alto que
el necesario en la figura 8. El valor ms popular del voltaje de ruptura para los diacs es 32 V (+
VBO = +32 V,
-VBO = - 32 V. Por tanto cuando el voltaje en el condensador llega a 32 V, en cualquiera de las
polaridades, el diac se dispara, entregando el pulso de corriente para Conduccin a la puerta del
triac. Dado que el voltaje del condensador debe alcanzar un valor mas alto cuando se utiliza un
diac, la constante de tiempo de carga debe reducirse. Esto significa que la figura 11 deber tener
componentes de valor ms pequeo (los valores de resistencias y capacidades) que los de la figura
9.
Teora y operacin de un SBS:
Hay otro dispositivo de disparo el cual es capaz de disparar los triacs. Su nombre es el interruptor
bilateral de silicio (Silicon Bilateral Switch), y es popular en circuitos de control de bajo voltaje.
Los SBS tienen un voltaje de ruptura menor que el de los diacs, es valor ms comn es 8 V. La
curva caracterstica voltaje-corriente de un SBS es similar a la del diac, pero el SBS tiene una
regin de resistencia negativa ms pronunciada. Es decir, su declinacin en voltaje-corriente es
ms drstica despus que entra en el estado de conduccin n. La figura 12 muestra
esquemticamente un SBS. Su curva caracterstica voltaje-corriente se muestra en la figura 13.
Ntese que cuando el SBS conmuta al estado de conduccin el voltaje a travs de sus nodos cae
casi a cero (del orden de 1 V). Se dice que el SBS tiene un voltaje de descenso de 7 V, porque el
voltaje entre A2 y A1 decrece en casi 7 V cuando entra en Conduccin.
La curva caracterstica de la figura 13 es para cuando el terminal de puerta del SBS est
desconectado. El terminal de puerta puede utilizarse para alterar la operacin bsica voltajecorriente de un SBS, como lo veremos enseguida. Sin embargo, el SBS es bastante til aun sin su
terminal de puerta, debido a su virtud de ruptura drstica de A2 a A1.
Para utilizar un SBS sin su terminal de puerta, ste debe instalarse en lugar del diac de la
figura 11. Debido al bajo VBO del SBS, los componentes de tiempo de la res RC tendrn que
aumentarse en valor. SE preguntar por que se quiere utilizar un SBS en un circuito de control en
lugar de un Diac. Bien, en trminos generales el SBS es un dispositivo superior comparado con el
diac. El SBS no solamente presenta unas caractersticas de conmutacin ms vigorosas, como lo
indica la figura 13, sino que el SBS es ms estable con temperaturas y ms simtrico y presenta una
dispersin de grupo menor que la del diac.

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Para decirlo con nmeros, un SBS actualmente tiene un coeficiente de temperatura del orden
de +0,02% /C. Esto significa que su VBO, aumenta en solamente 0,02% por grado centgrado de
cambio de temperatura, lo cual significa solamente una variacin de 0,16 V /100 C, que es un
ndice de muy buena estabilidad trmica.
Los SBS son simtricos con un margen de casi 0,3 V. Es decir, la diferencia en magnitud entre +
VBO y VBO es menor que 0,3 V Esto prcticamente proporciona ngulos de disparo idnticos en
los semiciclos positivo y negativo.

La variacin de grupo que presentan los SBS es menor que 0,1 V. Esto significa que la diferencia
en VBO entre todos los SBS de un mismo grupo es menor que 0,1 V. En contraste, la variacin de
grupo de los diacs es del orden de 4 V.
El terminal de puerta de un SBS puede utilizarse para alterar su operacin bsica de disparo.
Por ejemplo, si se conecta un diodo zener entre G y A1, como se indica en la figura 14.

El voltaje directo de disparo (+VBO) cambia aproximadamente al Vz del diodo zener. Con
un diodo zener de 3,3 V conectado, +VBO, ser igual a 3,3 V + 0,6 V (hay una unin pn interna).
Esto dar:
+ VBO = 3,9 V.

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El voltaje de disparo inverso no ser afectado y permanecer en 8 V. Este modo de operacin sera
til si se deseara obtener ngulos de disparo diferentes para los semiciclos positivo y negativo (lo
cual no es muy usual).
Eliminacin de la histresis del triac con un SBS.
Una de las cosas ms importantes acerca de la utilizacin de un SBS con terminal de puerta en los
circuitos de disparo de triacs es que puede eliminar el efecto de histresis o centelleo. Entendamos
primero en que consiste el problema de histeresis. La explicacin de la histeresis es un poco
complicada, as que vemosla.
Refirmonos a la figura 11. Supongamos que R2 est ajustada de tal forma que C no puede
descargarse completamente a los 32V en ninguna de las dos direcciones. Es este caso, el diac nunca
se disparar y la carga estar completamente desenergizada. Si la carga fuese almacenada, siempre
comienza un semiciclo con una carga residual de la polaridad contraria. Es decir cuando comienza
un semiciclo positivo de la fuente AC, la carga inicial en C es tal que su placa superior es negativa y
la inferior positiva; esta carga ha sido dejada por el semiciclo negativo precedente. Igualmente,
cuando comienza un semiciclo negativo de la fuente de la fuente AC, la carga inicial en C es tal que
su placa superior es positiva y la inferior negativa, dejada por el semiciclo precedente. El efecto de
esta carga inicial es que el condensador tomar ms tiempo en cargarse al voltaje de disparo del
diac.
Supongamos ahora que hacemos decrecer lentamente el valor de R2 hasta cuando el
condensador escasamente se cargue al VBO del diac. Asumamos que la primera ruptura ocurre en el
semiciclo positivo (da lo mismo que ocurra en el semiciclo positivo o negativo). Cuando el diac se
dispara, descarga parte de la carga + que se ha almacenado en la placa superior de C. El camino de
descarga es a travs del circuito de G a MT1 del triac. Durante el resto del semiciclo positivo, no se
sucede ms carga de C, porque el triac cortocircuita la totalidad del circuito de disparo cuando entra
en Conduccin. Por tanto cuando termina el semiciclo positivo, comienza el prximo semiciclo
negativo y la carga + inicial en la placa superior de C es menor de lo que fue para los semiciclos
negativos precedentes. Esta vez el condensador tiene un arranque rpido, a la vez que intenta
cargarse a VBO.
Debido a este arranque rpido, C alcanzar el valor -VBO mas temprano en el semiciclo
negativo que para el caso de + VBO, en el precedente semiciclo positivo. Adems dado que C
perder parte de la carga de su placa superior cuando el diac se dispare durante el semiciclo
negativo, comenzar el prximo semiciclo positivo con menos carga inicial que antes. Por tanto se
disparar mas temprano en el prximo semiciclo positivo.
El resultado total de este fenmeno es: Podemos ajustar el valor de R2 para escasamente cebar al
triac, esperando obtener una luz muy tenue de la lmpara, pero tan pronto se sucede el primer
cebado, todos los cebados siguientes se suceden ms temprano en el semiciclo. Es imposible
obtener un ajuste fino desde la condicin de apagado completa a la condicin de encendido tenue.
En lugar de esto, la lmpara centellea.
Lo que se puede hacer, una vez que la lmpara se ha encendido, es reajustar la resistencia R 2 a un
valor ms alto para retardar el disparo del diac un poco ms en el semiciclo. En otras palabras,
debemos girar el potencimetro hacia atrs para poder obtener una luz verdaderamente tenue. Esto
se puede demostrar con casi cualquier atenuador luminoso comercial en casa.
Lo que tenemos aqu es una situacin en la cual un mismo valor dado de R2 pude producir
dos resultados completamente distintos de circuito, dependiendo de la direccin en la cual R2
cambien. Este fenmeno ocurre con bastante frecuencia en electrnica y de hecho, en la naturaleza.
Su nombre es histresis. El centelleo de un triac es un ejemplo especfico de histresis.
La histresis del triac puede eliminarse casi completamente con el circuito de la figura 16.
Para entender como funciona, investiguemos la operacin de SBS cuando fluye una pequea
cantidad de corriente por su terminal de puerta. Refirmonos a las figuras 17 y 18.

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La figura 17 muestra una resistencia R colocada en el terminal de puerta de un SBS y una

cierta cantidad de corriente, IG, fluyendo de A2 a G. Esto implica que el voltaje aplicado a la
resistencia es negativo respecto a A2.
Si fluye una pequea corriente de puerta entre A2 y G, la caracterstica de ruptura directa se cambia
drsticamente. El voltaje +VBO cae casi a 1 V, como se muestra en la figura 18. Esto significa que
el SBS se disparar tan pronto como el voltaje de A2 a A1 alcance 1V. Como muestra la curva
VBO no es afectado por la corriente de puerta de A2 a G.
Miremos ahora la figura 16. Supongamos que R2 est ajustada de tal manera que el
condensador no puede alcanzar los 8V para disparar el SBS. El triac no se cebar, y la lampara
estar apagada.
Durante el semiciclo positivo, C se
cargar con el positivo en su placa
superior y el negativo en la inferior.
Veamos ahora que sucede cuando la
fuente AC completa el semiciclo
positivo y se aproxima a 0 V.
Cuando la lnea superior de la fuente
es cercana a cero con relacin a la
lnea inferior, esto significa que el
extremo superior de R3 es cercano a
cero voltios con relacin al extremo
inferior de C. Sin embargo, el
extremo superior de C es positivo
respecto a su extremo inferior es
este instante, porque el condensador
est cargado. Por tanto hay un
voltaje aplicado entre A2 y el extremo superior de R3; este voltaje es positivo en A2 y negativo en
el extremo superior de R2. El diodo D1 queda polarizado directamente y permite que fluya una
pequea corriente de puerta al SBS. El camino es hacia el SBS por A2 y fuera de este por G, a
travs de D1, y a travs de R3. Con esta pequea corriente de puerta IG, an con un pequeo voltaje
directo de A2 a A1 el SBS se dispara, vaca la carga del condensador a travs de R 4. Por tanto el
semiciclo negativo de la fuente AC comienza con el condensador descargado casi por completo. El
resultado total es que el condensador comenzar a cargarse con la misma carga inicial (casi cero)
independiente de s el triac se ha cebado o no. Por tanto se elimina la histresis del triac.

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Encapsulados

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