El MOSFET

Introduccin al MOSFET

Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son
muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los MOS, la puerta est
aislada del canal, consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy
pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo
de transistores es elevadsima, del orden de 10.000 MW , lo que les convierte en componentes
ideales para amplificar seales muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y
los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicacin como amplificadores
de seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de
entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la
construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que
ocupan.
MOSFET de empobrecimiento

Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al

terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la
estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposicin se consigue eliminar prcticamente
la corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente
figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de

enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente

pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho de material
semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial V aplicada por la fuente,
mayor ser esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la puerta,
produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace
que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de
control se realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin V de la
puerta.
DD

GG

Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de
polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en
enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento o
enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la
tensin positiva V , aumenta tambin la corriente de drenador.
GG

Curvas caractersticas

En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia de curvas de

drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de V (trabajo en modo de
empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La corriente ms
elevada se consigue con la tensin ms positiva de V y el corte se consigue con tensin
negativa de V (apag).
GS

GS

GS

De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la
relacin que existe entre V e I . sta posee la forma que se muestra en la siguiente curva abajo
a la derecha:
GS

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es
debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta
razn, la corriente I , correspondiente a la enterseccin de la curva con el eje I , ya no es la de
saturacin.
DSS

Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la ecuacin que la
define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este tipo de

transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto correspondiente a V =0,
I =I . Cuando ste queda polarizado as, el transistor queda siempre en conduccin o,
normalmente, encendido.
GS

DSS

Smbolos de los MOSFET

En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N (punta hacia adentro)
con cuatro terminales disponibles. El terminal de sustrato est libre, en algunos casos, para dar
al transistor un mayor control sobre la corriente de drenador.

Tipo de enriquecimiento

Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo adminte la forma de trabajo en
modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en circuitos
digitales, microprocesadores, etc.
En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y en la (b) las de
transconductancia de este tipo de MOSFET.

Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce cuando son
aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en no conduccin o
apagado.
El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican en las
siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b) MOSFET de
enriquecimiento y canal P.

Observa cmo la lnea del canal en estos transistores se representa como una lnea punteada.
Proteccin de los MOSFET

Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento, poseen una capa
extremadamente delgada de aislante que separa la puerta del canal. Esta capa se destruye con
suma facilidad si se aplica una tensin V por encima de la mxima soportable. Por esta razn,
nunca debe operarse con una tensin superior a la V prescrita en las caractersticas del
MOSFET.
GS

GS(max)

An as, dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras causas, como
pueden ser las sobretensiones provocadas al insertar o retirar un MOSFET del circuito sin
haber desconectado la fuente de alimentacin. Tambin puede ocurrir, en ciertos casos, que al
tocar con las manos los terminales de un MOSFET se produzca una descarga electrosttica
entre ellos, que los destruya. Por esta razn los MOSFET se almacenan con un conductor que
cortocircuita sus terminales. Este conductor se retira una vez conectado el MOSFET a su
circuito.
Consideraciones sobre el MOSFET

En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo elctrico a travs de un

diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta metlico separado del canal semiconductor por
una capa de xido, como se muestra en la figura, se obtiene el efecto de un campo bsicamente
distinto. La disposicin Metal-xido-Semiconductor (MOS) permite que un campo
bsicamente distinto afecte al canal si se aplica una tensin externa entre puerta y sustrato, y
sto, tambin posee un efecto negativo sobre el comportamiento del MOSFET.

En efecto, si observamos la figura de la derecha, donde en azul marino se representa la capa de

Dixido del Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el canal, vemos que al aplicar una tensin
sobre la puerta se necesitar un campo mnimo que inversione el canal. Esta tensin, llamada
tensin umbral y representada por V es aquella que acumula una concentracin de cargas
capaz de invertir el canal.
TH

Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL sean incompatibles,
porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que quedara un margen de ruido muy
pequeo para su trabajo.
Se puede buscar entonces, reducir esa tensin umbral para la compatibilidad de las dos
familias de dispositivos, y se ataca este problema en la fase de fabricacin del dispositivo,
teniendo en cuenta que la tensin umbral se debe a:
El espesor del SiO : A ms espesor, menos campo aplicado.
A los espacios de registro de la puerta. El contacto de puerta, en su
fabricacin, no cubre el 100% de la capa, por lo que baja su efectividad.
2

Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos conceptos, en la fase
de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo, mediante fabricacin con la tcnica SATO.
Adems, los dispositivos MOS, presentan otro problema: las capacidades asociadas al contacto
de puerta y los contactos de drenador y surtidor por el hecho de estar solapados. Esta
capacidad, introduce cortes o polos a altas frecuencias. Si disminuimos las capacidades, el
transistor, podr trabajar a ms altas frecuencias, sobre todo dirigido para aplicaciones digitales
y computacionales.