UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

AV. TPAC AMARU 210 - RIMAC / LIMA 25 PER
1070

TELEFONO: 481 -

INFORME PREVIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL (ML-837)

CURSO:

ELECTRONICA INDUSTRIAL

TEMA:

Amplificador Bsico A Transistor

ESTUDIANTE:

Gomez Reyes Carlos

20122065D

DOCENTE:

Ing. Edilberto Huamani Huamani

Lima, 17 de mayo del 2016

Contenido
Pequea Resea Historia del Diodo.............................................................................. 1

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dese
ingeniera
mecnica
Facultad
Por qu
construyeron
los primeros transistores?.................................................1
Laboratorio de Electrnica Industrial

El pensador, el experimentador y el visionario..........................................................3

Choque de egos................................................................................................... 4

Como Funciona Fsicamente El Transistor....................................................................5

CIRCUITO DE POLARIZACIN BASE COMN.......................................................6

PUNTO DE OPERACIN Q............................................................................................ 9

ANALISIS GRFICO DE LA POLARIZACIN DEL TRANSISTOR....................................11

Curvas del Colector............................................................................................ 11

Curvas de la Base.............................................................................................. 12

Curvas de Ganancia de Corriente.........................................................................12

Corte y ruptura................................................................................................... 13

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR.............................................................14

Configuracin del Amplificador Emisor Comn........................................................16

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Laboratorio de Electrnica
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Pequea Resea Historia del Diodo

En el ao 1956 el premio Nobel de fsica fue compartido por tres grandes cientficos: William
Bradford Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain por el que es considerado como el
mayor desarrollo tecnolgico del siglo XX: el transistor. La historia de cmo se inici la carrera
por la miniaturizacin de los dispositivos tecnolgicos que an no ha terminado en nuestros
das me parece fascinante. Llena de brillantez, peleas y afn de superacin.
Por qu se construyeron los primeros transistores?
La construccin de los primeros transistores responda a una necesidad tcnica: hacer
llamadas telefnicas a larga distancia. Es por esto que los descubridores de esta nueva
tecnologa trabajaban para la American Telephone and Telegraph Corporation (AT&T), fundada
por Alexander Graham Bell y conocida inicialmente como la Bell Telephone Company.

En 1906 el inventor Lee De Forest desarroll un triodo en un tubo de vaco. Qu significado tuvo?
Colocando este invento a lo largo de la lnea telefnica se poda amplificar la seal lo suficiente como
para poder hacer llamadas a larga distancia. El triodo est compuesto de tres partes: un ctodo que
emite electrones, un nodo que los capta y una rejilla situada entre los dos a la que se puede aplicar
tensin. Variando ligeramente la tensin de la rejilla podemos variar enormemente el flujo de
electrones entre el ctodo y el nodo, en esto consiste la amplificacin de la seal elctrica en la que
se ha traducido la seal sonora.

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Adems poda utilizarse como rectificador (para convertir corriente alterna en continua) y como una
puerta que permitiese pasar la corriente o no (on-off), la base de la electrnica y computacin
posterior. Es ms, uno de los limitantes en las primeras computadoras era la gran cantidad de triodos
que necesitaban. Pero lo que no se les puede negar es que revolucionaron su poca al permitir
amplificar las seales de radio dando un impulso a este medio de comunicacin que le llev a ser el
ms importante durante la primera mitad del siglo XX.

AT&T rpidamente compr la patente y mejor el tubo. Pero surgi un problema. Los tubos de
vaco producan mucho calor, necesitaban mucha energa y deban ser reemplazados
continuamente. Era necesario otro mtodo para amplificar la seal. Buscando respuestas la
compaa cre en 1926 un centro de investigacin conocido como Laboratorios Telefnicos Bell
(Bell Labs), responsable de descubrimientos tan importantes como el lenguaje de programacin
C, la astronoma radial, el sistema operativo Unix, y lo que nos atae, el transistor.

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El pensador, el experimentador y el visionario

Despus de finalizada la Segunda Guerra Mundial el director del laboratorioMervin Kelly busc un
grupo de cientficos que dieran con la solucin a los problemas que causaba el tubo de vaco y tena
algo en mente para reemplazarlo:los semiconductores. Qu es un semiconductor? Un elemento que
en determinadas condiciones puede conducir la electricidad (por ejemplo, a una temperatura alta),
pero si cambiamos esas condiciones deja de permitir el paso de electrones. Los ms importantes son
el silicio (Si) y el germanio (Ge).
El director del nuevo equipo de investigadores fue William Shockley, un visionario capaz de ver la
importancia de los transistores antes que nadie, Walter Brattain, un fsico experimental capaz de
construir y reparar prcticamente cualquier cosa yJohn Bardeen, capaz de ir ms all en la

comprensin de los fenmenos aparentemente complejos y exponerlos de la manera ms sencilla

posible. Tres personajes con una marcada personalidad, lo que les llevara a alguna que otra
confrontacin, lo que se manifest a la hora de repartirse los mritos.

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En 1947,de
durante
el conocido
como "Mes milagroso" entre el 17 de noviembre y el 23 de
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diciembre realizaron infinidad de pruebas para mejorar el dispositivo hasta llegar a conseguir su
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objetivo: el primer transistor de contacto puntual, hecho con dos pas de metal (oro) que se presionan
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sobre la superficie de material semiconductor (germanio) en posiciones muy prximas entre s.

Choque de egos
Shockley pensaba que l era el merecedor de la gloria, era el supervisor y haba aportado la idea
inicial. As que decidi patentar el transistor a su nombre. A decir verdad Shockley mejor
considerablemente el transistor en un mes, creando eltransistor de unin. Bardeen pronto describi la
situacin como intolerable.
Eran habituales las imgenes de prensa en las que apareca en un primer plano Shockley sentado al
lado de un microscopio con Bardeen y Brattain detrs de l mirndole. Brattain admiti despus que
odiaba esa foto. Ya no podan seguir trabajando juntos.
Y cada uno sigui su camino, Brattain como profesor en el Whitman College, Bardeen como fsico
terico en la Universidad de Illinois, y Shockley fund su propia compaa de semiconductores, la
primera de su tipo en lo que lleg a serSilicon Valley, aunque conocida por no ser nunca capaz de
sacar un producto comercialmente viable.

El impacto de los transistores fue enorme, transformaron el mundo de la electrnica y el diseo

de computadoras al permitir disminuir infinitamente su tamao al librarse de los voluminosos y
frgiles triodos de vaco. Y as comenzaron a disminuir las tallas de nuestros dispositivos electrnicos.
Hasta hoy da, en el que empieza a ser comn un mvil con el tamao de un reloj. Hasta dnde
crees t que llegaremos?

Como Funciona Fsicamente El Transistor

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Bsicamente
existen dos
tipos de transistores bijuntura: npn y pnp.
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En undeuningeniera
cristal tipo
npn (figura a), el emisor est altamente impurificado y su funcin
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consiste
en emitir
o inyectar electrones
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Industrial en la base. La base est ligeramente impurificada y

es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y
que se dirigen hacia el colector. El nivel de impurificacin de ste es intermedio y se le da
ese nombre porque recibe o capta los electrones provenientes de la base; el colector es la
mayor de las tres regiones y disipa ms calor que el emisor o la base. El transistor npn tiene
dos uniones, una entre el emisor y la base y otra entre la base y el colector. Por esto, un
transistor es similar a dos diodos: el de la izquierda diodo emisor-base, o simplemente
diodo-emisor, y el de la derecha es el diodo colector-base, o diodo-colector.

(a) npn

(b) pnp

El transistor pnp (figura b) es el complemento del transistor npn. Los portadores mayoritarios
en el emisor son huecos en vez de electrones libres. Esto significa que intervienen
corrientes y voltajes opuestos en la accin de un transistor pnp. Para evitar confusin, se
concentrar la atencin en el transistor npn durante el estudio preliminar.
La difusin de electrones libres a travs de la unin produce dos capas de agotamiento. Para
cada una de estas capas de agotamiento, el potencial de barrera es aproximadamente igual a
0.7 V a 25C, para un transistor de silicio (0.3 V para un transistor de germanio). Debido a que
las tres regiones citadas tienen diferentes niveles de contaminacin o impurificacin, estas
capas de agotamiento no tienen el mismo ancho. Cuanto mayor es la contaminacin de la
regin, mayor ser la concentracin de iones cerca de la unin. Esto significa que las capas de
agotamiento penetran slo ligeramente en la regin del emisor (altamente contaminado), pero
se profundizan en la base, donde la contaminacin es ligera. La otra capa de agotamiento se
interna bastante en la base y penetra en la regin del colector en una proporcin mucho menor.
se resume esta idea. La capa de agotamiento del emisor es pequea y la del colector es
grande. Las capas de agotamiento estn sombreadas para indicar la escasez de portadores
mayoritarios.

(a)

(b)

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CIRCUITO DE POLARIZACIN BASE COMN
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Al polarizar directamente al diodo emisor y en forma inversa al diodo colector, configuracin de

base comn ya que la base y las dos fuentes de voltaje se conectan a un punto tal como se
muestra , se espera una corriente grande de emisor, porque el diodo emisor est polarizado
directamente. Pero no se espera una corriente grande del colector porque el diodo colector
est polarizado inversamente. Sin embargo, la corriente del colector es tan grande como la
corriente del emisor.

En el momento en que se aplica la polarizacin directa al diodo emisor, los electrones del
emisor no han entrado an en la regin de la base (Figura 3b). Si VEB es mayor que el potencial
de barrera (0.6 a 0.7 V para transistores de silicio), muchos electrones del emisor entran en la
regin de la base como se muestra. Estos electrones, una vez que se encuentran en la base,
pueden fluir en cualquiera de estas dos direcciones: hacia abajo por la delgada base hasta el
contacto externo, o bien a travs de la unin del colector hacia la regin del colector.; Este
componente de la corriente de base que fluye hacia abajo se llama corriente
de recombinacin. Es pequea porque la base est ligeramente contaminada con slo unos
cuantos huecos.
Una segunda idea crucial de la operacin del transistor es que la base es muy delgada. la
base se satura con los electrones de la banda de conduccin inyectados, lo cual provoca una
difusin hacia la capa de agotamiento del colector. Una vez dentro de esta capa, son
empujados por el campo de la capa de agotamiento hacia la regin del colector. Estos
electrones del colector pueden fluir hacia los contactos externos del colector.
En concreto, puede decirse lo siguiente: se observa un paso constante de electrones que dejan
el terminal negativo de la fuente para ingresar en la regin del emisor. La polarizacin directa
VEB, fuerza a estos electrones del emisor a entrar en la regin de base. Una vez que se
encuentran en la base, delgada y poco contaminada, permite a los electrones suficiente tiempo
de vida para difundirse a. la capa de agotamiento del colector. El campo de la capa de

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agotamiento
empuja amecnica
stos en una corriente constante de electrones hacia la regin del
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colector; stos
abandonanIndustrial
al colector, entran en los contactos externos de ste y fluyen
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hacia el terminal positivo de la fuente de voltaje. En la mayor parte de los transistores, ms del
de inyectados
Electrnicaen
Industrial
95% Laboratorio
de electrones
el emisor circulan hacia el colector; menos del 5% caen en
los huecos de la base y fluyen hacia afuera por los contactos externos de la base.
La polarizacin directa del diodo emisor permite que algunos de los electrones libres se
muevan del emisor a la base. En otras palabras, las rbitas de algunos electrones del emisor
son ahor suficientemente grandes para acoplarse a algunas de las rbitas que se encuentran
disponibles en la base. Debido a esto, los electrones se pueden difundir de la banda de
conduccin del emisor a la banda de conduccin de la base.

Una vez que penetran en la banda de conduccin de la base, los electrones se transforman en
portadores minoritarios porque se encuentran en el interior de una regin p. En esta forma, la
base tiene una densidad mayor de portadores minoritarios. En casi todos los transistores, ms
del 95% de estos portadores minoritarios tienen una vida promedio suficientemente grande
como para difundirse hasta la capa de agotamiento del colector y caer por la colina de energa
de ste. Conforme caen, producen energa, la mayor parte de sta es en forma de calor. El
colector debe ser capaz de disipar este calor y, por lo tanto, normalmente es la mayor de las
tres regiones contaminadas. Menos del 5% de los electrones inyectados desde el emisor,caen
en la trayectoria de recombinacin que se muestra; aquellos que se recombinan se transforman
en electrones de valencia y fluyen a travs de los huecos de la base hacia el terminal externo
de la base.
De lo anterior se puede hacer el siguiente resumen:
La polarizacin directa en el diodo emisor controla el nmero de electrones que se inyectan en
la base; cuanto mayor es el VBE mayor ser el nmero de electrones inyectados.
La polarizacin inversa en el diodo colector tiene mnima influencia en el nmero de
electrones que llegan al colector. Al aumentar el VCB, se eleva la colina de energa del
colector, pero esto no cambia significativamente el nmero de electrones libres que llegan
a la capa de agotamiento del colector.
Cuando se dice que ms del 95% de los electrones inyectados alcanza el colector, se est
diciendo que la corriente del colector es casi igual a la del emisor. La (cc) alfa de CC
(corriente continua) del transistor indica qu tan semejantes son los valores de las dos
corrientes; esto se define de la siguiente forma:

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La cc es ms elevada cuanto ms delgada y menos contaminada es la base. Idealmente, si todos los
electrones inyectados circulan por el colector, cc seria igual a la unidad. Muchos transistores tienen
unacc mayor de 0.99 y casi todos presentan una cc mayor de 0.95. Por esta razn, cc puede aproximarse
a la unidad en la mayor parte de los anlisis.

PUNTO DE OPERACIN Q
Puede trazarse una lnea de carga en las curvas del colector para tener ms informacin sobre
el funcionamiento del transistor y de la regin en que opera. En el circuito de la figura 6a, el
voltaje proporcionadoVcc polariza inversamente el diodo colector a travs de RC. El voltaje
aplicado a este resistor es VCC - VEC. Por lo tanto, la corriente a travs de ste, que en si es la
lnea de carga CC, es igual a:

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Una forma alternativa para encontrar la parte superior de la lnea de carga, es visualizar los
terminales de colector-emisor en cortocircuito, y calcular la corriente resultante de colector, la
cual esVCC /RC. Para encontrar el extremo inferior de la lnea de carga, se visualizan los
terminales abiertos y se calcula el voltaje resultante colector-emisor, que es igual a VCC.
Los extremos de la lnea de carga, son:

VCE = VCC

muestra la lnea de carga de CC sobrepuesta a las curvas del colector. La interseccin vertical
es VCC /RC y la interseccin horizontal es VCC. La interseccin de la lnea de carga de CC con la
corriente de base IB calculada como IB = IC /cc, es el punto Q del transistor (tambin llamado el
punto de operacin o punto esttico de operacin).
Es comn colocar el punto Q cerca de la mitad de la lnea de carga de CC por lo que en el caso
anterior est dado por:

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y
VCEQ = VCC /2
El punto donde la lnea de carga interseca a IB = 0 se conoce como el punto de corte. En este
punto, la corriente de base es cero y la del colector es extremadamente pequea (slo circula
la corriente de fugaICEO). En el punto de corte, el diodo emisor ha salido de polarizacin directa
y la operacin normal del transistor se ha perdido.
La interseccin de la lnea de carga y la curva para IB = IB(sat) se denomina saturacin. En este
punto, la corriente de base es igual a IB(sat), y la corriente que circula por el colector es
mxima. En saturacin, el diodo colector sale de la polarizacin inversa y la accin normal del
transistor se pierde otra vez.
IB(sat) representa la cantidad de corriente de base que es suficiente para producir saturacin; si
la corriente de base es menor que IB(sat) el transistor opera en la regin activa en algn punto
situado entre saturacin y corte.

ANALISIS GRFICO DE LA POLARIZACIN DEL

TRANSISTOR
Una forma de visualizar cmo opera un transistor es a travs de grficas que indiquen los
voltajes y corrientes del transistor.

Curvas del Colector

muestra una de las curvas de colector; los comentarios que siguen pueden aplicarse a
cualquier curva de colector. La parte inicial de la curva se llama regin de saturacin, que
comprende toda la curva entre el origen y el codo. La parte plana de la curva es la
regin activa, que es donde el transistor debe operar si se desea que acte como una fuente
controlada de corriente. La parte final de la curva es la regin de ruptura, la cual debe evitarse
a toda costa.
En la regin de saturacin el diodo colector est en polarizacin directa, la accin normal del
transistor se pierde y el transistor acta como resistencia hmica pequea en lugar de fuente
de corriente. Un aumento adicional en la corriente de base no puede producir un incremento
adicional en la corriente de colector. El voltaje colector-emisor en la regin de saturacin es
generalmente de unos cuantos dcimos de volt, dependiendo de la cantidad de corriente de
colector que haya.

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Para que el transistor opere en la regin activa, el diodo colector debe estar polarizado
inversamente; esto requiere un VCE mayor a 1 volt, aproximadamente. Como una gua, muchas
hojas de informacin tcnica indican un VCE(sat) y/o el valor de VCE, en algn punto de la regin
de saturacin. Normalmente VCE(sat) es de slo unos cuantos dcimos de volt, por lo que una
operacin normal requiere un VCEmayor que VCE(sat).

Curvas de la Base

muestra una grfica de la corriente de base contra el voltaje base-emisor. Por ser un diodo la
seccin base-emisor de un transistor, se esperara ver la grfica parecida a la curva de un
diodo; eso es casi lo que se obtiene.

Un voltaje alto de colector hace que ste gane unos electrones ms, lo cual reduce la corriente
de base. En la figura 8b se muestra esta idea. La curva con el VCE ms alto tiene ligeramente
menos corriente de base para un VBE dado. Este fenmeno, llamado efecto Early, proviene de
la retroalimentacin interna del transistor del diodo colector al diodo emisor. La separacin
entre las curvas es realmente tan pequea, que ni con un osciloscopio puede observarse. Por
esta razn, el efecto Early no se toma en consideracin en anlisis normales.

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La Facultad
de
un
transistor,
tambin
llamada
ganancia de corriente, vara enormemente. muestra
cc
una variacin
tpica
en cc; a temperatura
Laboratorio
de Electrnica
Industrial constante, cc aumenta a un valor mximo cuando
la corriente de colector se incrementa; para incrementos adicionales en IC, la cc disminuye. La
variacin en cc puede ser hasta de 3:1 sobre el margen de corriente usual del transistor; esto
depende del tipo de transistor. Un cambio en la temperatura ambiente tiene efectos sobre cc.

En el peor de los casos, donde tanto la corriente de colector como la temperatura varen
significativamente, cc puede variar en una proporcin de 9:1. Debe considerarse esto porque
cualquier diseo en que se requiera un valor exacto de cc est condenado al fracaso desde el
principio. Un buen diseo comprende circuitos que no dependen mucho del valor exacto
de cc.

Corte y ruptura

La condicin IB = 0 es equivalente a tener abierto el terminal de la base del transistor, como se

muestra. La corriente que circula por el colector cuando la base est abierta se denomina ICEO,
donde el subndice CEO indica colector a emisor con base abierta. ICEO es la corriente
provocada en parte por los portadores que se generan trmicamente y en parte por la corriente
superficial de fuga. muestra la curva IB = 0. Con un voltaje de colector suficientemente grande,
se alcanza el voltaje de ruptura denominado BVCEO, en donde el subndice nos vuelve a indicar
colector a emisor con base abierta. Para operacin normal de transistor, se debe mantener
VCE menor que BVCEO.

Por regla general, un buen diseo incluye un factor de seguridad para conservar VCE muy abajo
de BVCEO. La vida til del transistor puede acortarse con un diseo que fuerce los valores
mximos absolutos nominales del transistor. Un factor de seguridad de 2 (VCE menor a la mitad
de BVCEO) es comn.

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ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

Despus que un transistor se haya polarizado con un punto de operacin Q cerca de la mitad
de la lnea de carga de CC, se puede acoplar una pequea seal de ca en la base. Esto
produce alternancias o fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la corriente de
colector. Por ejemplo, si la entrada es una onda senoidal con una frecuencia de 1 kHz, la
salida ser una onda senoidal amplificada con una frecuencia de 1 kHz. El amplificador se
llama lineal (o de alta fidelidad) si no cambia la forma de la seal. Si la amplitud de la seal es
pequea, el transistor slo usar una pequea parte de la lnea de carga y la operacin ser
lineal. Si la seal de entrada es demasiado grande, las fluctuaciones en la lnea de carga
excitarn al transistor a saturacin y corte. Esto cortar los picos de una onda senoidal y el
amplificador ya no ser lineal con lo que la seal se distorsiona grandemente.

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Esto se puede explicar haciendo uso del modelo Ebers-Moll que se muestra . muestra la curva
del diodo que relaciona a IE con VBE. En ausencia de una seal de CA (corriente alterna), el
transistor opera en el punto Q, el cual normalmente est colocado en la mitad de la lnea de
carga de CC. Cuando una seal de CA excita a un transistor, se produce un cambio en voltaje
y corriente de emisor; si la seal es pequea, el punto de operacion vara senoidalmente desde
Q hasta un pico positivo de corriente en A, luego a un pico negativo de corriente en B, y de
regreso otra vez al punto Q, donde se repite el ciclo. Esto produce variaciones senoidales
en IE y VBE. Si la seal es pequea, los picos A y B estn muy cercanos a Q, y la operacin es
aproximadamente lineal. En otras palabras, el arco entre Ay B es casi una Un recta y debido a
esto los cambios en voltaje y corriente son aproximadamente proporcionales. Pero cuando la
seal de entrada es grande, la corriente de emisor ya no ser senoidal debido a la no linealidad
de la curva del diodo. Cuando la seal es demasiado grande, la corriente de emisor se
extender sobre el semiciclo positivo y ser comprimida en el semiciclo negitivo, como se
indica.
Una seal se considerar pequea si la variacin pico a pico en la corriente de emisor, es
menor al 10% de la corriente esttica o de reposo del emisor. Por ejemplo, si IE = 10 mA,
entonces la variacin pico a pico de menos de 1 mA significa que tenemos una operacin de
seal pequea. Esta regla de 10:1 mantiene la distorsin en los niveles bajos para la mayor
parte de las aplicaciones.
En lo referente a la seal de CA, el diodo aparece como una resistencia y est dada por:

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donde: de ingeniera
re = resistencia
de emisor a la CA.
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VBE = cambio
de voltaje Industrial
de base emisor
IE = cambio correspondiente en la corriente de emisor.
muestra una grfica caracterstica de IC en funcin de IB. cc es la razn de la corriente de
colector de CC IC a la corriente de base a CC IB. Como la grfica no es lineal, ICC depende de
las coordenadas del punto Q. Por eso, en las hojas tcnicas cc queda especificada para un
valor particular de IC.

La beta de ca (designada como ca o simplemente ) es una cantidad de pequea seal que

depende de la localizacin de Q,se define como:

o, como las corrientes alternas son las mismas que los cambios en las corrientes totales,

Grficamente, es la pendiente de la curva en el punto Q; por esta razn, tiene diferentes

valores a diferentes ubicaciones del punto Q. En las hojas tcnicas es identificada como hfe.

Configuracin del Amplificador Emisor Comn

muestra un amplificador de emisor comn. Como el emisor est acoplado a tierra por medio de
un capacitor, a este amplificador algunas veces se le llama amplificador con emisor a
tierra, esto significa que el emisor est a tierra de CA, pero no a tierra de CC. Tiene acoplada a
la base una pequea onda senoidal, lo cual produce variaciones en la corriente de base. La
corriente de colector es una forma de onda senoidal amplificada de la misma frecuencia, debida
a . Esta corriente senoidal de colector, fluye por la resistencia de colector y produce un
voltaje amplificado de salida.

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Debido a las fluctuaciones de CA en la corriente de colector, el voltaje de salida vara

senoidalmente en la parte superior e inferior del voltaje esttico o de reposo. Debe notarse que
el voltaje de salida de CA est invertido con respecto al voltaje de CA de entrada, lo cual
significa que est 180 fuera de fase con respecto a la entrada. Durante el primer semiciclo
positivo del voltaje de entrada aumenta la corriente de base, dando origen a un incremento en
la corriente del colector. Esto produce una cada de voltaje mayor en el resistor de colector; por
lo tanto, el voltaje de colector disminuye y se obtiene el primer semiciclo negativo del voltaje de
salida. Por el contrario, en el semiciclo negativo del voltaje de entrada, fluye menos corriente
de colector y disminuye la cada de voltaje en el resistor de colector. Por esta razn, el voltaje
de colector a tierra aumenta y se obtiene el semiciclo positivo del voltaje de salida.
muestra la lnea de carga de CA y el punto Q. El voltaje de CA de entrada produce variaciones
de CA en la corriente de base. Esto da origen a variaciones senoidales alrededor del punto Q,
como se muestra. Para operacin de pequea seal, la variacin de pico a pico en la corriente
de colector deber ser menor del 10% de la corriente de colector esttica o de reposo (esto
mantiene la distorsin muy abajo de los niveles aceptables en la mayor parte de las
aplicaciones).
Para grandes seales, el punto de operacin vara ms a lo largo de la lnea de carga. Si la
seal es muy grande, el transistor va hacia saturacin y corte, lo que recortar los picos
negativos y positivos de la seal. En algunas aplicaciones el recorte ser aceptado, pero con
amplificadores lineales el transistor deber operar en la regin activa todo el tiempo. Eso
significa que nunca ir a saturacin o corte durante el ciclo.
La ganancia de voltaje de un amplificador es la relacin del voltaje de CA de salida al voltaje de
CA de entrada. Simblicamente,

muestra el circuito equivalente de ca. La resistencia RC de colector va hacia tierra porque el

punto de voltaje de alimentacin acta como un cortocircuito para CA. De la misma forma, el

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Facultad
de1 est
ingeniera
mecnica
resistor R
a tierra,
por lo que aparece en paralelo con R 2 y el diodo emisor. Debido
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al circuito en
en elIndustrial
lado de entrada, vent aparece directamente en paralelo con el
Laboratorio
deparalelo
Electrnica
Facultad
de
ingeniera
mecnica
diodo emisor. Por lo tanto, se puede visualizar el circuito equivalente de CA como se muestra
de cualquier
Electrnica
Industrial
en la Laboratorio
figura 14b. En
circuito,
el voltaje aplicador a re es igual a vent.

El voltaje de entrada se muestra con una polaridad ms-menos para indicar el semiciclo
positivo del voltaje de entrada. La corriente de CA de emisor es

Como la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor, esta corriente

de CA de colector fluye a travs del resistor de colector, produciendo un voltaje de salida de

El signo menos se usa para indicar la inversin de fase, en el semiciclo positivo del voltaje de
entrada aumenta la corriente de colector, produciendo el semiciclo negativo del voltaje de
salida. Como ie = vent/re , entonces

Reacomodando los trminos anteriores se obtiene la ganancia de voltaje:

As por ejemplo, con un amplificador como ste, un voltaje de base de 1 mV produce un voltaje
de salida de 188 mV.
En un amplificador de emisor comn la fuente de CA aprecia las resistencias de polarizacin en
paralelo con el diodo emisor , razn por lo que estas impedancias de polarizacin tambin
estn en paralelo con la impedancia de entrada en la base ZBent que es igual a re. De manera
que la impedancia total de entrada es el paralelo de ellas tres:

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

Facultad de ingeniera mecnica Z R1 R2
ent
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
Industrial
Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica Industrial

re

De la figura 14b puede determinarse graficamente que la impedancia de salida es Zsal RC.
muestra un ejemplo de en un circuito de amplificador en configurado como emisor comn y
cmo son vistas las seales CA a traves de un osciloscopio.

Amplificador de Base Comn

Simulacin

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