UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE

CENTRO DE TECNOLOGIA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA
E DE COMPUTAO

DESENVOLVIMENTO DE SUBSTRATO CERMICO

BiNbO4 PARA ANTENAS DE MICROFITA DE SISTEMAS
DE COMUNICAES SEM FIO

Ranilson Carneiro Filho

Orientador: Prof. Dr. Larcio Martins de Mendona

Co-Orientador: Prof. Dr. Jos Humberto de Arajo

Tese de Doutorado submetida ao corpo docente da

Coordenao

do

Programa

de

Ps-graduao

de

Engenharia Eltrica e de Computao - PPgEEC Universidade Federal do Rio Grande do Norte como
parte dos requisitos necessrios para obteno do grau de
Doutor em Cincias.

Nmero de ordem PPgEEC: D060

Natal, RN, Julho de 2010

Diviso de Servios Tcnicos

Catalogao da Publicao na Fonte. UFRN / Biblioteca Central Zila Mamede
Carneiro Filho, Ranilson.
Desenvolvimento de substrato cermico BiNbO4 para antenas de
microfita de sistemas de comunicaes sem fio / Ranilson Carneiro
Filho. Natal, RN, 2010.
82 f. : il.
Orientador: Larcio Martins de Mendona.
Co-orientador: Jos Humberto de Arajo.
Tese (doutorado) Universidade Federal do Rio Grande do
Norte. Centro de Tecnologia. Programa de Ps-Graduao em
Engenharia Eltrica e de Computao.

AGRADECIMENTOS

Aos professores Larcio Martins de Mendona e Jos Humberto de Arajo, pela

orientao e apoio permanentes durante todo o desenrolar deste trabalho.

Ao professor Adaildo Gomes DAssuno, pela credibilidade, confiana,

dedicao cientfica e amizade, presentes durante todo o desenvolvimento e concluso
deste trabalho.

Aos professores Ronaldo Martins de Andrade e Adaildo Gomes DAssuno Jr.,

pela assistncia nas medies.

Ao professor Marconi Florippe Ginani, pela colaborao e competncia.

Ao Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica e de Computao

PPgEEC da UFRN.

Aos professores, alunos e funcionrios do DCO e DEE CT, do DFTE e DQ

CCET, todos da UFRN, pela colaborao e discusses cientficas.

Ao torneiro mecnico Genilson, da Torkmec e a Williams da ET & Castro, pelo

apoio nos projetos e fornecimento de materiais.

Aos meus familiares e amigos, pela compreenso e incentivo.

RESUMO

O objetivo principal deste trabalho foi o desenvolvimento de

substratos

dieltricos cermicos de niobato de bismuto (BiNbO4) dopados com pentxido de

vandio (V2O5), com alta permissividade eltrica, usados na construo de antenas patch
de microfita com aplicaes em sistemas de comunicaes sem fio. A alta
permissividade eltrica do substrato cermico proporcionou uma reduo no tamanho
das antenas. Os resultados numricos obtidos nas simulaes e medies realizadas com
as antenas patch de microfita mostraram boa concordncia. Essas antenas podem ser
usadas em sistemas de comunicaes sem fio em vrias faixas de freqncias. Foram
obtidos resultados satisfatrios em antenas com freqncias de operao na banda S, na
faixa compreendida entre 2,5 GHz e 3,0 GHz.

Palavras Chaves: substratos cermicos de alta permissividade eltrica; antenas patch

de microfita; comunicaes sem fio.

ABSTRACT

The main purpose of this work was the development of ceramic dielectric
substrates of bismuth niobate (BiNbO4) doped with vanadium pentoxide (V2O5), with
high permittivity, used in the construction of microstrip patch antennas with
applications in wireless communications systems. The high electrical permittivity of the
ceramic substrate provided a reduction of the antenna dimensions. The numerical results
obtained in the simulations and the measurements performed with the microstrip patch
antennas showed good agreement. These antennas can be used in wireless
communication systems in various frequency bands. Results were satisfactory for
antennas operating at frequencies in the S band, in the range between 2.5 GHz and 3.0
GHz.

Key words: ceramic substrates of high permittivity; microstrip patch antennas: wireless
communications.

SUMRIO

Sumrio

Lista de Figuras

iii

Lista de Tabelas

vii

Lista de Smbolos

viii

Lista de Abreviaturas

INTRODUO

1.1 Motivao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Estado da arte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4 Organizao do texto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

2 ANTENAS DE MICROFITA

2.1 Antenas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Antenas de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3 Tcnicas de alimentao de antenas de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.4 Parmetros de antenas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.4.1 Parmetros de espalhamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.4.2 Impedncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4.3 Coeficiente de onda estacionria e perda de retorno . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.4.4 Freqncia de ressonncia e largura de banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.4.5 Fator de qualidade e tangente de perdas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2.5 Mtodos de anlise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

2.6 Softwares usados na anlise das antenas de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.7 Instrumentos de medidas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

25

2.8 Concluso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

O SUBSTRATO CERMICO BiNbO4

30

3.1 Parmetros de substratos dieltricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

3.2 Os elementos qumicos usados no substrato dieltrico cermico BiNbO4
dopado com V2O5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.3 Obteno do BiNbO4 dopado com V2O5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.4 Caracterizao do BiNbO4 dopado com V2O5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.4.1 Difrao de raios X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.4.2 Anlise pelo mtodo de Rietveld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.4.3 Resultado do difratograma de raios X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.5 Construo do substrato cermico BiNbO4 dopado com V2O5 . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.6 Concluso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

ANTENAS PATCH DE MICROFITA SOBRE SUBSTRATOS

CERMICOS BiNbO4

50

4.1 Projeto e construo de antenas patch de microfita sobre BiNbO4 . . . . . . . . . . . . 50

4.2 Antena patch retangular de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.3 Antena patch retangular de microfita com reentrncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.4 Antena patch afilado de microfita com reentrncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.5 Antena patch monopolo em S de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4.6 Concluso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
5

CONCLUSO

74

REFERNCIAS

78

ii

LISTA DE FIGURAS

2.1: Espectro eletromagntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.2: Esquemas de alguns tipos de antenas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.3: Exemplos de geometrias usadas nos patches das antenas de microfita . . . . . . . . . . . 12
2.4: Alimentao por: (a) linha de microfita; (b) cabo coaxial; (c) acoplamento
eletromagntico; (d) abertura e (e) guia de onda coplanar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.5: Antena patch retangular de microfita com reentrncia sobre substrato dieltrico
com plano de terra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.6: Representao da formulao da matriz de espalhamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.7: Representao da impedncia da antena como um circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.8: Grfico da perda de retorno em funo da freqncia mostrando as freqncias
e a largura de banda de uma antena . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.9: (a) Calibrao do VNA e (b) Conexo de uma antena ao VNA . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.10: Carta de Smith mostrando as curvas de impedncia, resistncia e reatncia . . . . . . 27
2.11: HP 8714C Network Analyzer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.12: Rohde & Schwarz FSH6 Spectrum Analyzer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.13: Cuba anecica anecica usada nas medies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

3.1: (a) Balana de preciso e (b) Estufa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

3.2: Feixes de raios X incidente e difratado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3: (a) Difratmetro Shimadzu XRD 6000 e (b) Interior do difratmetro . . . . . . . . . . . 41
3.4: Resultado da difrao de raios X (XRD) da amostra de BiNbO4 . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.5: (a) Estrutura ortorrmbica da fase alfa-BiNbO4 e (b) Estrutura triclnica da fase
beta-BiNbO4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.6: (a) Almofariz e mo de pilo em gata com BiNbO4 dopado com V2O5 e
(b) Matriz em ao ferramenta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

iii

3.7: (a) Prensa usada na compactao do BiNbO4 dopado com V2O5 e

(b) Pastilha prensada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.8: Representao pictrica do processo de sinterizao do substrato dieltrico . . . . . . 48
3.9: (a) Forno usado na sinterizao e (b) Pastilha sinterizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

49

4.1: (a) Substrato dieltrico cermico BiNbO4 em forma de disco; (b) Plano de terra
e (c) Plano de terra truncado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . 51
4.2: (a) Patch retangular de microfita; (b) Patch retangular de microfita com
reentrncia; (c) Patch afilado de microfita com reentrncia e (d) Patch
monopolo de microfita em S . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.3: (a) Substrato em forma de disco e (b) Plano de terra metalizado com cobre . . . . . . 52
4.4: Vista superior do patch retangular de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.5: Fotografias da antena patch retangular de microfita, mostrando: (a) o patch
retangular de microfita; (b) o plano de terra; e (c) uma vista lateral . . . . . . . . . . . . . 53
4.6: Grfico da perda de retorno em funo da freqncia da antena patch
retangular de microfita medido no HP 8714C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.7: Carta de Smith da antena patch retangular de microfita com indicao dos
resultados medidos no HP 8714C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.8: Interface grfica da antena patch retangular de microfita no Ansoft Designer . . . . . 55
4.9: Grfico da perda de retorno em funo da freqncia da antena patch
retangular de microfita simulado no Ansoft Designer com r = 47,8 . . . . . . . . . . . . 55
4.10: Grfico dos valores das perdas de retorno em funo da freqncia da antena
patch retangular de microfita medidos no HP 8714C e simulados no Ansoft
Designer com r = 47,8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

56

4.11: Diagrama de radiao em 3D da antena patch retangular de microfita obtido

no Ansoft Designer com r = 47,8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.12: (a) Substrato com plano de terra e (b) Vista superior da antena patch retangular
de microfita com reentrncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

iv

4.13: Fotografia da antena patch retangular de microfita com reentrncia . . . . . . . . . . . . 58

4.14: Grfico dos valores das perdas de retorno em funo da freqncia e de X0 da
antena patch retangular de microfita com reentrncia medidos no HP 8714C . . . . 59
4.15: Carta de Smith da antena patch retangular de microfita com reentrncia com
indicativos dos resultados medidos no HP 8714C para X0 = 4,0 mm . . . . . . . . . . . 60
4.16: Interface grfica da antena patch retangular de microfita com reentrncia
no Ansoft HFSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.17: Perda de retorno em funo da freqncia da antena patch retangular de
microfita com reentrncia simulado no Ansoft HFSS com r = 47,8 . . . . . . . . . . . 61
4.18: Grfico das perdas de retorno em funo da freqncia da antena patch
retangular de microfita com reentrncia, medidos no HP 8714C e simulados
no Ansoft HFSS com r = 47,8 e X0 = 4,0 mm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.19: (a) Substrato com plano de terra e (b) Vista superior do patch afilado de
microfita com reentrncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.20: Fotografia da antena patch afilado de microfita com reentrncia . . . . . . . . . . . . . . 64
4.21: Grfico dos valores das perdas de retorno em funo da freqncia da e de X0
da antena patch afilado de microfita com reentrncia medidos no HP 8714C . . . . . 65
4.22: Carta de Smith da antena patch afilado de microfita com reentrncia com
indicaes dos resultados medidos no HP 8714C para X0 = 3,0 mm . . . . . . . . . . . . 65
4.23: Interface grfica da antena patch afilado de microfita com reentrncia no
Ansoft HFSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.24: Grfico de perda de retorno em funo da freqncia da antena patch afilado
de microfita com reentrncia simulado no Ansoft HFSS com r = 47,8 . . . . . . . . . 67
4.25: Grfico dos valores medidos no HP 8714C e simulados no Ansoft HFSS das
perdas de retorno em funo da freqncia da antena patch afilado de microfita
com reentrncia para X0 = 3,0 mm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
4.26: Geometria da antena patch monopolo em S de microfita: (a) substrato dieltrico
e (b) plano de terra truncado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.27: Vista superior do patch em S de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.28: (a) Fotografia do patch em S e (b) Fotografia do plano de terra truncado . . . . . . . . 70

4.29: Interface grfica da antena patch monopolo em S de microfita no Ansoft HFSS . . 71

4.30: Grfico de perda de retorno em funo da freqncia da antena patch monopolo
em S de microfita no Ansoft HFSS com r = 47,8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.31: Grfico do comportamento da perda de retorno em funo da freqncia da
antena patch monopolo em S de microfita medido no Rohde & Schwarz
FSH6 e simulado no Ansoft HFSS com r = 47,8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.32: Diagrama de radiao em 3D obtido no Ansoft HFSS da antena patch monopolo
em S de microfita com r = 47,8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

vi

LISTA DE TABELAS

2.1: Designao das bandas de freqncia em micro-ondas do IEEE . . . . . . . . . . . . . . . 10

4.1: Parmetros da antena patch retangular de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

4.2: Parmetros da antena patch retangular de microfita com reentrncia . . . . . . . . . . . . 62
4.3: Parmetros da antena patch afilado de microfita com reentrncia . . . . . . . . . . . . . . 68
4.4: Parmetros da antena patch monopolo em S de microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

vii

LISTA DE SMBOLOS

permissividade eltrica

permissividade eltrica relativa

permeabilidade magntica

permeabilidade magntica relativa

condutividade eltrica

comprimento de onda

freqncia angular

coeficiente de reflexo

ngulo de incidncia do feixe de raios X com o plano cristalgrafico

ngulo da tangente de perdas

coeficiente de temperatura na freqncia de ressonncia

corrente eltrica

potencial eltrico (tenso ou voltagem eltrica)

S ij

parmetros de espalhamento nas portas i e j

S11

parmetro de espalhamento: coeficiente de reflexo na porta 1

resistncia

reatncia

capacitncia

indutncia

Z0

impedncia caracterstica

Zc

impedncia de carga

VSWR

coeficiente de onda estacionria de tenso

freqncia

fr

freqncia de ressonncia

BW

largura de banda

BW (%)

largura de banda percentual

viii

fator de qualidade

velocidade

velocidade da luz

temperatura

presso

massa

acelerao da gravidade

dimetro

rea

largura do patch

comprimento do patch

espessura (altura) do substrato dieltrico

Erel (%)

erro relativo percentual

ix

LISTA DE ABREVIATURAS

LTCC

Low Temperature Co-Fired Ceramics

RF

Radio Frequency

UHF

Ultra High Frequency

MMIC

Microwave Monolithic Integrated Circuit

GPS

Global Positioning System

RFID

Radio-Frequency Identification

CPW

Coplanar Wave Guide

RL

Return Loss

TLM

Transmission Line Model

RCM

Resonant Cavity Model

MNM

Multiport Network Model

ECM

Equivalent Circuit Model

MoM

Method of Moments

FEM

Finite Element Method

FDTD

Finite-Diference Time-Domain Method

FDFD

Finite-Diference Frequency-Domain Method

HFSS

High Frequency Structure Simulator

VNA

Vectorial Analyzer Network

TRL

Through-Reflect-Line

DUT

Device Under Test

LMA

Last Minut Adjustments

XRD

X-Ray Diffraction

CAPTULO 1
INTRODUO

A importncia do estudo de antenas em telecomunicaes reside no fato de que

elas so elementos fundamentais na cadeia de transmisso e de recepo do sinal [1].
As antenas podem ser definidas como um dispositivo de transio entre a propagao
de ondas eletromagnticas guiadas em linhas de transmisses ou circuitos para
propagao em um meio livre [2].
Nos ltimos anos, diversos esforos foram feitos visando utilizao de novos
materiais na construo de dispositivos usados na faixa de freqncia de microondas,
incluindo as antenas de microfita. Dentre estes, destacam-se os materiais cermicos de
alta permissividade eltrica relativa, as ferritas, os filmes finos e os metamateriais.
Neste trabalho, foram projetados e construdos substratos dieltricos cermicos
de alta permissividade eltrica usando o niobato de bismuto ( BiNbO 4 ) dopado com
pentxido de vandio ( V2 O5 ). Os substratos foram utilizados na construo de antenas
patch de microfita para operar na faixa de freqncias de microondas, e, em particular,
em freqncias na faixa compreendida entre 2,5 GHz e 3,0 GHz.
O uso deste tipo de material cermico proporciona uma reduo no tamanho das
antenas e uma boa integrao com outros circuitos de microondas. Antenas de microfita
construdas em outros materiais comumente usados em microondas, como fenolite
( r 3,6 ) e fibra de vidro ( r 4,4 ), trabalhando na mesma freqncia de
ressonncia, podem ter as dimenses reduzidas em torno de trs vezes quando
construdas em niobato de bismuto.
Alm disso, possuem baixo peso e ocupam um pequeno volume, apresentam um
valor de temperatura relativamente baixa na sinterizao, seus materiais constituintes
so de fcil aquisio e a sua construo relativamente simples e de baixo custo.

1.1 Motivao
O uso de substratos cermicos com alta permissividade eltrica relativa de
grande importncia na construo de dispositivos de microondas, pois proporcionam
uma reduo nas

dimenses destes dispositivos. Por sua vez, as baixas perdas

dieltricas acarretam um aumento na largura de banda da antena. As caractersticas

bsicas dos ressoadores dieltricos cermicos usados nas freqncias de microondas
so descritas a seguir:
1) Um alto valor da permissividade eltrica relativa, r : a maior dimenso de
uma antena diretamente proporcional ao comprimento de onda de operao no
ressoador dieltrico, D . O valor do comprimento de onda no ressoador dieltrico, que
no

exibe

propriedades

ferromagnticas

(permeabilidade

magntica

relativa

aproximadamente igual a 1, r 1 ), proporcional ao valor do comprimento de onda

no espao livre, 0 , multiplicado pelo inverso da raiz quadrada da permissividade
eltrica relativa, ou seja: D = 0 /( r )1 / 2 .

Assim, quanto maior a permissividade

eltrica relativa menor o comprimento de onda de operao e consequentemente menor

a dimenso da antena;
2) Um alto fator de qualidade, Q : para assegurar a seletividade da freqncia de
ressonncia, permitindo a reduo de rudos e interferncias, deve-se ter para o fator de
qualidade de um ressoador dieltrico um valor Q > 1000 . O fator de qualidade de um
ressoador dieltrico o inverso de suas perdas dieltricas, caracterizada pela tangente
de perdas,

tan , ou seja: Q = 1 / tan . Portanto, em um ressoador dieltrico com

baixas perdas dieltricas deve-se ter um valor da tangente de perdas tal que tg < 10 3 ;
3) Um baixo valor do coeficiente de variao da temperatura na freqncia de
ressonncia, F : a estabilidade trmica da freqncia assegura a confiabilidade do
componente, mesmo quando sujeito s variaes da temperatura de operao. Portanto,
um material que apresente baixo coeficiente de variao da temperatura na freqncia
de ressonncia, proporciona a manuteno da eficincia da antena com relao s
mudanas na temperatura do meio ambiente. O material cermico niobato de bismuto
possui um patamar mdio para este coeficiente da ordem de F 50 ppm / C .

1.2 Estado da Arte

O primeiro a analisar as propriedades dieltricas em freqncia de microondas
de vrias cermicas baseadas em bismuto, incluindo o niobato de bismuto (BiNbO4), foi

Kagata et al [3] em 1992. Neste trabalho pioneiro, compostos de niobato de bismuto

(BiNbO4) contendo xido de cobre (CuO) e pentxido de vandio (V2O5) foram obtidos
com um valor elevado do fator de qualidade, Q = 4.260 (em uma freqncia de 4,3
GHz), com um valor de permissividade eltrica relativa alto, r = 43,0 , e um
coeficiente de temperatura na freqncia de ressonncia F = 38 ppm / C . Os
dieltricos cermicos utilizando o bismuto so conhecidos pelos seus baixos pontos de
fuso e so aplicados em capacitores cermicos com mltiplas camadas.
Dentre os primeiros materiais cermicos escolhidos para uso em ressoadores
dieltricos em microondas pode-se citar: os compostos BaMg1/3(Ta, Nb)2/3O3,
analisados por Nomura et al. em 1982 [3]; os compostos (Zr, Sn)TiO4, estudados por.
Hirano et al. em 1991 [4]; os sistemas BaOR2O3TiO2 (R=La, Nd e Sm), investigados
por Ohsato et al. em 1992 [5]; os sistemas Bi2O3ZnONb2O5, cujas propriedades
dieltricas e estruturas de fases foram analisadas por Liu et al. em 1993[6]; Yoon et al
estudaram os efeitos do BaWO4 nas propriedades dieltricas da cermica Ba(Mg1/3Ta2/3)
[7], em 1994; Em 1995, Chen et al relataram uma anlise das microestruturas e
caractersticas dieltricas de cermicas com o sistema BaO-Nb2O3 TiO2 [8].
Mais recentemente, o sistema Ba2Ti9O20 dopado com SrO2 foi investigado por
Nono et al. [9] em 2003. Koldayeva et al. analisaram o composto Ba2Ti9O20 dopado
com ZrO2 [10] em 2005 e utilizaram o mesmo material em uma mistura com BaSO4 e

TiO2 [11] em 2007.

A evoluo estrutural e caractersticas dieltricas de cermicas baseadas em
bismuto so relatadas por Du et al., em 2005 [12] e DAstorg et al [13], em 2007. Em
2008, Siqueira et al. [14] estudaram cermicas de ZrO2-TiO2 com adio de SnO, SrO
e Nb2O5 para aplicaes em ressoadores dieltricos cermicos.
Com relao temperatura de sinterizao, o Ba2Ti9O20 requer um valor de
aproximadamente 1400C, o (Zr, Sn)TiO4 e o BaMg1/3(Ta, Nb)2/3O3 uma temperatura
entre 1500C e 1550C. J o sistema BaO(Nd, Sm)2O3TiO2 pode ser densificado
numa temperatura em torno de 1350C.

Estas temperaturas de sinterizao so muito altas quando comparadas com o

ponto de fuso dos eletrodos usados nos dispositivos de microondas, geralmente
confeccionados em prata ou cobre. O uso do pentxido de tntalo (Ta2O5) e do
pentxido de nibio

(Nb2O5) como parte integrante na formao de compostos

cermicos dieltricos para aplicao em ressoadores dieltricos indica que o Ta2O5

possui um custo maior como tambm uma temperatura de sinterizao mais alta (TS >
1400 C) [15]. Os resultados apontam o Nb2O5 como uma opo adequada para a
substituio do Ta2O5, pois apresenta propriedades qumicas similares, com a vantagem
adicional de possuir uma temperatura de sinterizao mais baixa (TS 900 C).
O uso do mtodo de co-precipitao no preparo do p BiNbO4 dopado com V2O5
relatado por Tzou et al. [16] em 2000, por Gaikwad et al. [17] em 2006 e por Rhada et

al. [18] [19], em 2007, que utilizou a difratometria por raios X na caracterizao do
material cermico.
Com relao anlise de dispositivos que operam na faixa de freqncias de
microondas, podem ser enumeradas algumas anlises de antenas de microfita usando
material com alta permissividade eltrica, realizadas por: Lo et al. [20] em 1997;
Huang et al. [21], em 1998; Zhang et al. [22], em 2000, e Ghosh et al. [23], em 2001.
Hudges et al. [24] realizaram estudos sobre dieltricos baseados em bismuto
adequados para aplicao na terceira gerao de telefonia mvel, tambm no ano de
2001. As caractersticas de um filtro passa-faixa em microfita, usando a cermica

BiNbO4, so relatadas por Ko et al. [25] em 2004. Em 2006, Reaney et al. [26]
estudaram a aplicao de cermicas dieltricas em filtros e ressoadores de redes de
telefonia mvel em microondas.
D. Zhou et al. [27], em 2007, construram dois arranjos de antenas de microfita
com patches monopolo em S sobre um substrato dieltrico cermico usando BiNbO4
de dimenses 34 mm 34 mm 1 mm. A permissividade eltrica relativa foi

r = 43,0 . As freqncias centrais e larguras de banda dos dois arranjos foram

respectivamente iguais a: fr1 = 3,59 GHz; BW1 = 50 MHz (S11 < -10 dB) e fr2 = 3,07
GHz; BW2 =34,0 MHz (S11 < -10 dB).

1.3 Objetivos
O objetivo deste trabalho estudar e desenvolver substratos dieltricos
cermicos baseados em niobato de bismuto (BiNbO4) e sua aplicao em antenas patch
de microfita, para operar em comunicaes sem fio, na faixa de freqncias
compreendida entre 2 GHz a 3 GHz. A cermica obtida pelo niobato de bismuto
(BiNbO4) apresenta-se como um material com um alto valor de permissividade eltrica
relativa ( r 45,0 ), um alto fator de qualidade ( Q > 1000 ), e um baixo valor do
coeficiente de temperatura na freqncia de ressonncia ( f 50 ppm / C ), possuindo
aplicaes em diversos dispositivos de microondas. O niobato de bismuto um
material antiferroltrico, no apresentando caractersticas ferromagnticas, com
permeabilidade magntica relativa de valor aproximadamente igual a 1 ( r 1 ).
A escolha do mtodo de obteno do BiNbO4 usando-se o mtodo de coprecipitao foi orientada pelo fato deste mtodo possuir a vantagem de formar as fases
da amostras em uma temperatura de sinterizao mais baixa, quando comparada com as
temperaturas de outros materiais cermicos.
Esta reduo se deve ao tamanho nanomtrico dos cristalitos obtidos e
utilizao do pentxido de vandio (V2O5) como fundente, contribuindo de maneira
decisiva no sucesso da compactao do p. Esta diminuio na temperatura de
sinterizao permite tambm a aplicao de eletrodos constitudos por prata, cobre ou
ouro, utilizados nos dispositivos de microondas.
Com relao a esta propriedade, a cermica de niobato de bismuto dopada com
pentxido de vandio pode ser classificada como uma cermica de baixa temperatura
de calcinao, com compatibilidade para aplicaes em tecnologia LTCC (Low
Temperature Co-Fired Ceramics).
A deciso da utilizao do mtodo de caracterizao do p BiNbO4 dopado com
V2O5 atravs da difrao de raios X norteada pelo fato de que esta uma forma
simples, tradicionalmente usada para anlises qualitativas e quantitativas de fases em
estruturas cristalinas, presentes na grande maioria dos trabalhos cientficos.

1.4 Organizao do Texto

Esta tese est dividida em cinco captulos. No Captulo 2 so apresentados: um
breve histrico sobre antenas e antenas de microfita; um resumo sobre as caractersticas
e principais parmetros de antenas patch de microfita; um resumo sobre os mtodos
de anlise numricos e outro resumo sobre os softwares comerciais usados nas
simulaes de antenas de microfita; um resumo sobre os instrumentos e as tcnicas de
medies usadas na obteno dos parmetros relativos a estas antenas.
No Captulo 3 so apresentadas: uma sntese dos principais parmetros
relacionados com os substratos dieltricos; uma descrio dos elementos qumicos
usados na construo dos substratos; a forma de obteno do BiNbO4 dopado com V2O5
atravs do mtodo de co-precipitao; a caracterizao de amostras do BiNbO4 dopado
com V2O5 atravs do difratograma de raios X, realizadas em um Shimadzu XRD 6000;
a tcnica de refinamento atravs do mtodo de Rietveld; a descrio dos processos de
aferio da massa e prensagem do BiNbO4 dopado com V2O5; a sinterizao da pastilha
prensada em BiNbO4 dopado com V2O5 e a metalizao dos condutores nestes
substratos de maneira a serem obtidas as antenas patch de microfita.
No Captulo 4 so apresentados os resultados obtidos por simulaes no Ansoft
Designer e no Ansoft HFSS e por medies nos analisadores de redes HP 8714 C
Network Analyzer e Rohde & Schwarz FSH6 Spectrum Analyzer para os parmetros:
geometria, dimenses e permissividade eltrica relativa dos substratos dieltricos
cermicos em BiNbO4 dopado com V2O5; geometria, dimenses, freqncia de
ressonncia, largura de banda, largura de banda percentual e impedncia de entrada,
para quatro antenas patch de microfita construdas sobre os substratos dieltricos em
BiNbO4 dopado com V2O5.
No Captulo 5 so apresentados comentrios gerais sobre os resultados do
trabalho. So explicitadas as perspectivas imediatas e futuras do desenvolvimento de
pesquisas envolvendo materiais cermicos de alta permissividade eltrica e outros
materiais, como filmes finos, ferritas e metamateriais, com aplicaes em antenas patch
de microfita e outros dispositivos utilizados em freqncias de microondas.

CAPTULO 2
ANTENAS DE MICROFITA

Neste captulo so apresentadas snteses histricas e algumas caractersticas de

antenas e de antenas de microfita, incluindo a tcnica de alimentao do patch por linha
de microfita. So tambm descritos os principais parmetros de antenas; os mtodos de
anlise numrica; os softwares comerciais e os instrumentos de medies que foram
utilizados neste trabalho.

2.1 Antenas
Em 1873, James Clerk Maxwell (1831-1879) sintetizou de forma brilhante os
conhecimentos tericos da eletricidade e do magnetismo em um conjunto de quatro
equaes, denominadas de equaes de Maxwell do Eletromagnetismo. Maxwell
demonstrou que a luz era produzida por oscilaes de campos eletromagnticos e que
estas oscilaes geravam tambm outros tipos de ondas eletromagnticas, que podiam
se propagar atravs do espao com a velocidade da luz.
As primeiras antenas foram construdas por Heinrich Rudolph Hertz (18571894) em 1886. Usando rdio freqncia, o primeiro transmissor usou uma antena
dipolo e o primeiro receptor, uma antena anel. Em 24 de maro de 1896, o russo
Alexander Stepanovich Popov (1859-1906), montou um dispositivo que permitiu a
transmisso e recepo de ondas eletromagnticas entre edifcios da Universidade de
So Petesburgo, na Rssia. Em 1901, Guglielmo Marconi (1874-1937) enviou sinais
eletromagnticos a longas distncias, com a primeira transmisso transatlntica entre a
Inglaterra e o Canad. Utilizou uma antena transmissora com 50 fios verticais em forma
de leque, conectados Terra com o uso de um transmissor que produzia centelhas. Os
fios eram suportados horizontalmente por um tirante entre dois postes de madeira com
comprimento de 60 m. A antena receptora no Canad era formada por um fio de 200 m
de comprimento estendido e sustentado por uma pipa [28].

As antenas atuam como uma regio de transio, ou seja, so transdutores. No

caso das antenas transmissoras, entre as ondas guiadas que se propagam em linhas de
transmisso e as ondas radiadas no espao. Para as antenas receptoras, entre as ondas
radiadas no espao, por outra antena, em ondas a serem propagadas em linhas de
transmisso.
Especificamente, uma antena uma estrutura geomtrica constituda de um
material que permite o movimento de cargas eltricas que, ao ser submetido a uma
excitao (tenso ou corrente eltricas) produz campos eletromagnticos. A intensidade
e direo desses campos e principalmente a maneira como interagem entre si, vai
depender basicamente de quatro fatores: da forma de variao com o tempo das cargas
eltricas (excitao); da forma da variao das cargas eltricas no espao, que depende
da geometria da antena; do material de que constituda a antena e do meio fsico no
qual a antena est inserida [28].
Uma antena um dispositivo que permite a radiao e a recepo de ondas
eletromagnticas na faixa de freqncia de rdio, ou RF (Radio Frequency), que
corresponde a uma faixa de operao com freqncias at 1012 Hz, acima da qual esto
os raios infravermelhos. As ondas de rdio propriamente ditas possuem uma faixa de
freqncias que vo de 104 Hz a 108 Hz, com grandes comprimentos de ondas, o que
permite que sejam refletidas pelas camadas ionizadas da atmosfera superior
(ionosfera)[28]. A Figura 2.1 mostra um diagrama do espectro eletromagntico,
apresentando o comprimento de onda, (m), e a freqncia, f (Hz), da onda
eletromagntica.

(m)

f (GHz)

Figura 2.1: Espectro eletromagntico.

Fonte: www. mspc.eng.br.

Inicialmente, uma grande diversidade de antenas foram projetadas e construdas

com o objetivo de cobrir vrias faixas de freqncias, sempre com a tecnologia voltada
para elementos radiantes construdos com fios e operando na faixa de UHF (Ultra High
Frequency faixa de operao com freqncias de 300 MHz at 3 GHz). As antenas
filamentares podem ter a forma de fio reto, helicoidal, de espiras (loop), tambm
denominadas antenas de quadros. Para as antenas de quadro as formas geralmente
so retangulares, quadradas ou circulares [28].
Com a Segunda Guerra Mundial, na dcada de 40, novos tipos de elementos
radiantes foram introduzidos, tais como: guias de ondas com aberturas, refletores,
cornetas, antenas independentes da freqncia, antenas-lente, antenas de microfita,
arranjo de antenas, antenas inteligentes, antenas e sistemas de antenas reconfigurveis e
de mltiplas funes [28]. O desenvolvimento da tecnologia dos computadores,
ocorrido especialmente durante o perodo de 1960 at 1990, influenciaram o avano da
moderna tecnologia usada na fabricao de antenas. Alguns esquemas tpicos de
antenas so apresentados na Figura 2.2.

Monopolo

Arranjo Yagi-Uda

Dipolo

Log-peridica

Espira (loop)

Refletor parablico

Figura 2.2: Esquemas de alguns tipos de antenas.

O projeto de uma antena no sculo XXI pode ser considerado uma arte de
engenharia, pois os mtodos de anlises e projetos so altamente sofisticados, no se
parecendo em nada com os mtodos utilizados na primeira metade do sculo XX, que
podem ser classificados como mtodos de tentativas e erros [28].
Com um grande nmero de aplicaes da tecnologia de antenas, a regio de
baixas freqncias do espectro eletromagntico ficou saturada, de maneira que os novos
projetos dedicam-se a usar as freqncias elevadas, dentre estas a faixa de freqncias
de microondas e de ondas milimtricas [29]. A faixa de freqncia denominada
microondas corresponde ao intervalo entre 300 MHz e 300 GHz. A concentrao maior
de aplicaes atravs da engenharia de microondas acontece na faixa de freqncia
compreendida entre 1 GHz e 40 GHz [29].
A grande vantagem da utilizao de antenas que operam em alta freqncia em
sistemas de comunicaes sem fio, consiste em que estas antenas podem transmitir e
receber em uma larga banda de freqncias, sem as atenuaes que ocorrem nas nuvens
quando se usa, por exemplo, a faixa de freqncia tica (infravermelho ao ultravioleta)
[29]. A Tabela 2.1 apresenta a designao das faixas de freqncia (em GHz) em
microondas de maior interesse em aplicaes, de acordo com o IEEE [29].

Tabela 2.1: Designao das faixas de freqncia (GHz) em microondas do IEEE.

Banda

Freqncia

Aplicaes

(GHz)
L

1,0 2,0

Comunicao pessoal e GPS

2,0 4,0

Comunicao pessoal e forno de microondas

4,0 8,0

Comunicao via satlite

8,0 12,0

Radar terrestre para navegao area

Ku

12,0 18,0

Radar e rdio ponto a ponto

18,0 26,5

Radar e rdio ponto a ponto

Ka

26,5 40,0

Radar e rdio ponto a ponto

10

2.2 Antenas de microfita

Nas ltimas dcadas, acentuou-se o interesse na utilizao de estruturas planares
em comunicaes sem fio, destacando-se as antenas de microfita. Este tipo de antena
foi proposto por Greig e Englemann [30] e Deschamps [31], nos Estados Unidos da
Amrica, e por Guitton e Baissinot [32], na Frana, no incio dos anos de 1950. Em
1960, Lewin [33] analisou os efeitos de radiao produzidos por linhas de fita
condutoras impressas. Em 1970, Byron [34] descreveu o comportamento de uma fita
radiante condutora separada de um plano de terra atravs de um substrato dieltrico.
Ainda durante a dcada de 70, o interesse por estas antenas cresceu intensamente.
Destacam-se tambm as contribuies de Howell [35], que descreveu
caractersticas de antenas de microfita com patches de formas retangulares e circulares
e de Wienschel [36], que introduziu diversas geometrias de microfitas com utilizao
em arranjos cilndricos para uso em foguetes. Tambm se pode citar a contribuio de
Munson [37], que trabalhando com o desenvolvimento de antenas de microfita para uso
em foguetes e msseis, mostrou que este era um conceito prtico que poderia ser
estendido para outros sistemas de antenas.
A aplicao de um modelo matemtico a uma antena de microfita foi realizada
inicialmente com o uso de analogias das linhas de transmisso patches retangulares
simples [37] [38]. Carver [39] analisou o diagrama de radiao de um patch circular
em 1976 e a primeira anlise matemtica de uma ampla variedade de patches de
microfita foi publicada em 1977 por Lo et al. [40]. Portanto, no final dos anos 70, as
antenas de microfita tornaram-se bastantes conhecidas e passaram a ser utilizadas em
uma grande variedade de sistemas de comunicaes.
A configurao bsica de uma antena de microfita constitui-se de um substrato
dieltrico onde em uma das faces impresso um condutor radiante ou patch, termo que
pode ser traduzido como placa pequena, e na outra face impresso um plano de terra.
Diferentes geometrias e caractersticas dos substratos usados nas antenas
(permissividade eltrica; permeabilidade magntica), como tambm a condutividade
eltrica dos metais usados na confeco dos condutores, podem modificar o
desempenho da antena.

11

O patch e o plano de terra podem apresentar diversas geometrias, dependendo

da aplicao que se deseja fazer. As formas mais usadas para o patch so as
retangulares, circulares, triangulares, afiladas, em forma de letras, anis, sendo
recentemente tambm usadas formas fractais. Algumas destas geometrias so
mostradas na Figura 2.3.

Retangular

Quadrado

Circular

Dipolo

Triangular

Setor Circular

Anel Circular

Em forma de S

Fractal de Sierpinski

Afilado

Elptico

Fractal de Koch

Figura 2.3: Exemplos de geometrias usadas nos patches das antenas de microfita.

No projeto de antenas de microfita, o objetivo tentar encontrar a melhor

relao entre as dimenses da antena e as propriedades eltrica e magntica do material
usado no substrato com as suas caractersticas de radiao, visando um desempenho
com menores perdas e custos.
O desenvolvimento nos mtodos de anlise numricos e na construo fsica
destas antenas propiciou um aumento crescente em pesquisas relativas a estes tipos de
dispositivos. As antenas de microfita possuem dimenses reduzidas, so leves e
ocupam um pequeno volume no espao disponvel, sendo assim, no interferem na
aerodinmica dos sistemas onde so colocadas (dispositivos embarcados).

12

As antenas de microfita so moldveis s superfcies planas ou curvas,

mecanicamente robustas quando colocadas em superfcies rgidas, conseguem uma
integrao de forma simples com outros tipos de circuitos, sendo compatveis com os
circuitos integrados monolticos de microondas (MMIC - Monolithic Microwave
Integrated Circuit) [1]. Operam com todos os tipos de polarizao e em mltiplas
freqncias, apresentando tambm versatilidade em termos de diagramas de radiao e
impedncia. O material usado em sua fabricao possui custo relativamente baixo.
Em contrapartida, quando relacionadas com os outros tipos de antenas, possuem
largura de banda limitada (0,5% a 10%) e um baixo ganho (5,0 dB a 6,0 dB).
Apresentam ainda um grande nmero de ondas de superfcie, ocasionando a diminuio
da eficincia, radiao externa nas linhas e junes e baixa capacidade de manejo de
potncia. Tambm radiam somente em um meio plano e so suscetveis s alteraes
climticas.
As antenas de microfita podem ser usadas em dispositivos de comunicaes
terrestres, areas, martimas e aeroespaciais, comunicao pessoal (WiFi, WLAN,
WiMAX, bluetooth), satlites, radares, sensoriamento remoto

e instrumentao

ambiental, controle e comando de sistemas, elementos de radiao em antenas

complexas, alarmes, sistemas de posicionamento global (GPS Global Positioning
System), etiquetas inteligentes (RFID Radio-Frequency Identification), telemetria de
msseis e foguetes. Na medicina, so utilizadas como radiadores biomdicos.

2.3 Tcnicas de alimentao de antenas de microfita

As tcnicas de alimentao influenciam a impedncia de entrada e as
caractersticas de uma antena de microfita, constituindo-se num importante parmetro
do projeto [41]. Dentre as formas de alimentao do patch, destacam-se as seguintes:
linha de microfita, cabo coaxial, acoplamento eletromagntico, acoplamento por
abertura e por guia de onda coplanar (CPW Coplanar Wave Guide), mostradas
respectivamente nas Figuras 2.4(a), 2.4(b), 2.4(c), 2.4(d) e 2.4(e).

13

(a)

(c)

(b)

(d)

(e)

Figura 2.4: Alimentao por: (a) linha de microfita; (b) cabo coaxial; (c) acoplamento eletromagntico;
(d) abertura e (e) guia de onda coplanar.

Na construo das antenas deste trabalho foi usada a forma de alimentao por
linha de microfita, que consiste em alimentar o patch radiante tambm com uma linha
de microfita de largura bem menor do que a largura do patch. Uma outra forma de
alimentao bastante usada a alimentao por cabo coaxial, que realizada
acoplando-se o condutor central de um cabo coaxial ao patch radiante e conectando-se
o condutor externo ao plano de terra. A caracterstica desse tipo de alimentao um
fcil casamento de impedncias, obtido com o posicionamento adequado do cabo
coaxial no patch e menor quantidade de radiaes esprias. Entretanto, a protuberncia
do conector acima do plano de terra destri a caracterstica planar do dispositivo. Este
tipo de arranjo tambm torna a configurao assimtrica, a largura de banda fica
limitada e mais difcil de modelar.
A forma de alimentao influi no diagrama de radiao da antena, podendo
desconfigurar o lobo principal de radiao gerando lobos secundrios, o que afeta a sua
diretividade, relao frente-costas etc. A vantagem da alimentao por linha de
microfita a facilidade de construo, pois os elementos condutores so impressos no
mesmo substrato, de forma que a estrutura permanece planar [42]. Alm disso,
apresenta uma modelagem e um casamento de impedncias mais simples.

14

As formas de

alimentao por linha de microfita e por cabo coaxial so

consideradas alimentaes diretas ou conectadas, pois existe contato direto entre a

linha de alimentao e o patch. No caso de usar-se o acoplamento eletromagntico, o
acoplamento por abertura ou a alimentao por um guia de onda coplanar, estas formas
so denominadas de alimentaes indiretas ou no conectadas, pois no existe contato
direto entre a linha de alimentao e o patch condutor.
Geralmente, visando o casamento de impedncias, considera-se o patch com
uma reentrncia ao longo do comprimento da linha de alimentao (inset fed). A Figura
2.5 apresenta detalhes de uma antena com reentrncia no patch retangular de microfita,
com plano de terra, utilizando um substrato em forma de caixa retangular.

Reentrncia
Linha de
microfita

Patch

Plano de terra
Substrato dieltrico

Figura 2.5: Antena patch retangular de microfita com reentrncia sobre substrato dieltrico com plano de
terra.

A seleo de uma ou outra forma de alimentao depende de muitos fatores. O

mais importante o casamento de impedncias, que est relacionado diretamente
eficincia de transferncia de potncia entre o elemento radiante e o elemento
alimentador. A estrutura projetada para que sua radiao seja normal ao patch
(radiao broadside) ou na direo axial ao patch (radiao end-fire), dependendo da
escolha do modo de excitao.

15

2.4 Parmetros de antenas

2.4.1 Parmetros de espalhamento

Qualquer circuito ou dispositivo inserido numa linha de transmisso (linha-T)

pode ser representado por uma rede de duas portas, cujo comportamento descrito por
seus parmetros de espalhamento ou sua matriz de espalhamento, [ S ] dada por [29]:

S12
S
[ S ] = 11
.
S 21 S 22

(2.1)

No nosso tratamento, os parmetros Sij possuem a mesma impedncia

caracterstica Z0, representando ondas de tenso entrando e saindo pelas portas, sendo
um parmetro Sij definido como a frao da onda de tenso entrando pela j-sima porta
e saindo pela i-sima porta, conforme representao mostrada na Figura 2.6.

Porta 1

Porta 2

V1+

V2-

S21
S11

V1-

S22
S12

V2+

Figura 2.6: Representao da formulao da matriz de espalhamento.

Representando-se a onda de tenso entrando na porta por um sobrescrito +

(mais) e a onda saindo da porta por um sobrescrito - (menos), tem-se:
[ V ] = [ S ][ V ]+ , onde [29]:

V1+
[V ] = + ;
V2
+

V1
[V ] = .
V2

(2.2)
16

Da expresso matricial, fica: V1 = S11 V1+ + S12 V2+ , tomando V2+ = 0 , que
corresponde situao em que a porta 2 est casada, teremos o parmetro S11 dado por:
S11 = V1 / V1+ . Portanto, para um dispositivo com uma porta apenas, como o caso de

uma antena, vai existir somente o coeficiente de reflexo S11 .

Se S12 = S 21 , isto , se as caractersticas da radiao so as mesmas em ambas
as direes, esta rede de duas portas denominada recproca, que uma propriedade de
circuitos passivos, ou seja, circuitos sem dispositivos ativos ou ferritas. A rede
recproca pode ser definida como uma rede cuja matriz de espalhamento igual sua
transposta, descrito matematicamente por: [ S ] = [ S ]t , sendo a matriz transposta
definida por [29]:

S11
S11 S12
=

S
S12
21 S 22

S 21
.
S 22

(2.3)

Uma rede sem perdas no possui nenhum elemento resistivo e no haver

atenuao do sinal. Ou seja, para este tipo de rede o que entra deve sair e nenhuma
potncia realmente entregue rede. A rede sem perdas possui o produto da matriz de
espalhamento transposta pelo complexo conjugado da matriz original igual matriz
unitria, [U ] expresso por: [ S ]t [ S ] = [U ] , onde [29]:

1 0
[U ] =
.
0 1

(2.4)

2.4.2 Impedncia

As antenas podem ser representadas por uma impedncia de entrada complexa,

Z ant , linha de transmisso que lhe fornece alimentao (ou estrutura de acoplamento
que a une linha de alimentao). A impedncia da antena uma resistncia Rant em
srie com a reatncia da antena, j X ant . Assim, pode-se escrever [29]:

17

Z ant = Rant + j X ant .

(2.5)

A resistncia da antena consiste de uma resistncia de radiao, Rrad , e uma

resistncia dissipativa devido s perdas hmicas no metal condutor, Rdis . Logo,
Rant = Rrad + Rdis . A impedncia da antena pode ento ser expressa por [29]:

Z ant = Rrad + Rdis + j X ant

(2.6)

A modelagem do circuito que representa a impedncia expressa desta forma

mostrada na Figura 2.7.

Figura 2.7: Representao da impedncia da antena como um circuito.

A impedncia de entrada de uma antena , geralmente, uma funo da

freqncia. Desta forma, a antena ficar casada linha de transmisso de interconexo,
e a outros elementos associados, somente em uma determinada largura de banda. Na
prtica, a impedncia caracterstica da linha de transmisso real, enquanto a do
elemento da antena complexa, como tambm a variao de cada uma em funo da
freqncia no a mesma. Portanto, circuitos e casamento eficientes devem ser
projetados visando um melhor desempenho destes dispositivos na faixa de freqncia
de operao. Esta impedncia tambm depende de outros fatores, como a geometria e o
material de que constituda a antena, dos mtodos de excitao e da proximidade de
objetos na vizinhana da antena [28].
18

2.4.3 Coeficiente de onda estacionria e perda de retorno

Devido s reflexes na fronteira de uma linha de transmisso, o meio contendo

a onda incidente tambm contm a onda refletida e a superposio destas duas ondas
forma um padro de ondas estacionrias. Considere-se uma linha de transmisso sem
perdas, de comprimento l , com impedncia caracterstica Z0 (geralmente Z0 = 50) e
terminada por uma onda de carga com impedncia Zc.
O coeficiente ou a razo de onda estacionria de tenso, VSWR (Voltage
Stationary Wave Radio), desta linha de transmisso, definido como sendo a razo
entre os valores mximo e mnimo da amplitude da onda estacionria (seja uma onda de
tenso, V , ou de corrente, I ), estabelecida ao longo do comprimento l da linha,
expresso por [29]:

VSWR =

Vmx I mx 1 +
=
=
.
Vmn
I mn 1

(2.7)

Onde o coeficiente de reflexo da linha, dado por:

Zc Z0
.
Zc + Z0

(2.8)

Uma situao digna de nota quando ocorre o casamento de impedncias, isto

, Z c = Z 0 , resultando em = 0 (sem reflexo) e o VSWR tem o seu valor mnimo,
VSWR = 1 . Se a porta est em aberto ou curto-circuito, completamente descasada, tem-

se = 1 , a impedncia de carga Z c tende a infinito. Uma rede de uma porta, que o

caso de uma antena, descrita principalmente atravs da perda de retorno ( RL - Return
Loss), que corresponde ao parmetro S11 na matriz de espalhamento. A perda de

retorno na i-sima porta de uma rede pode ser expressa como:

RLi (dB) = 20 log

Vi
(dB) = 20 log i (dB) .
Vi +

(2.9)

19

2.4.4 Freqncia de ressonncia e largura de banda

Neste trabalho, a freqncia central ou freqncia de ressonncia de uma

antena, f r , o valor da freqncia no ponto de menor valor de perda de retorno abaixo
de -10 dB ( S11 < -10 dB). A largura de banda de uma antena, BW , pode ser definida
como sendo a faixa de freqncias em torno de sua freqncia de operao,
considerando-se os dois pontos com perda de retorno igual a -10 dB ( S11 = -10 dB).
Estas freqncias so denominadas de freqncia inferior, f inf , e freqncia superior,
f sup , da faixa de freqncias. A Figura 2.8 mostra um grfico de perda de retorno em

funo da freqncia com estas freqncias e a largura de banda.

Figura 2.8: Grfico da perda de retorno em funo da freqncia mostrando as freqncias e a

largura de banda de uma antena.

A largura de banda em torno da freqncia de ressonncia, ou simplesmente

largura de banda de uma antena, expressa por:
BW = f sup f inf .

(2.10)

20

A largura de banda de uma antena pode ser definida como a razo entre as
freqncias superior e inferior, f sup / f inf , sendo usada quando a freqncia superior
maior ou igual do que o dobro da freqncia inferior, caso em que a antena
denominada banda larga. Assim, uma largura de banda 4:1 indica que a freqncia
superior quatro vezes maior que a freqncia inferior.
A maneira mais freqente de definio da largura de banda de uma antena na
forma de percentual, denominada largura de banda percentual, representada por

BW (%) e definida por:

f sup f inf
BW (%) =
fr

100

(2.11)

As antenas podem ser classificadas de acordo com o valor da largura de banda

percentual como:
(i)

Banda estreita, com 0% < BW (%) < 1% ;

(ii) Banda larga, com 1% BW (%) 20% ;

(iii) Banda ultra larga, com BW (%) > 20% .

2.4.5 Fator de qualidade e tangente de perdas

O fator de qualidade, Q , representa as perdas da antena. Tipicamente

podemos ter perdas:
(i)

por radiao associadas a um fator de qualidade Qrad ;

(ii)

por conduo (hmicas), associadas a um fator de qualidade Qc ;

(iii) no dieltrico, associadas a um fator de qualidade Qd ;

(iv) de ondas de superfcie, associadas a um fator de qualidade Qsup
O fator de qualidade total, Qt de uma antena, influenciado por todas estas
perdas, sendo definido por [28]:

1
1
1
1
1
=
+
+
+
.
Qt Qrad Qc Qd Qsup

(2.12)

21

Estas perdas colocam um limite fundamental na largura de banda de uma

antena eletricamente curta, de tal maneira que o fator de qualidade para estas
antenas pode ser expresso por [28]:

Q=

1
.
BW (%)

(2.13)

Usando a equao (2.11), que fornece a expresso da largura de banda

percentual em funo das freqncias, a equao (2.13) fica escrita como:

fr
f
Q = r 100 =
f f
BW
inf
sup

100 .

(2.14)

Entretanto, a equao (2.14) no leva em conta o casamento de impedncias

nos terminais da antena. Uma definio mais significativa da largura de banda
percentual feita em uma faixa de freqncias em que o VSWR nos terminais de
entrada igual ou menor do que um valor mnimo desejado, admitindo que o VSWR
tem valor unitrio na freqncia de operao. Uma forma modificada desta equao
que leva em conta o casamento de impedncias dada por [28]:

VSWR 1
f
=
.
f r Q VSWR

(2.15)

2.5 Mtodos de Anlise

Os mtodos de anlise de antenas de microfita podem ser classificados em duas
categorias:
1) os modelos aproximados, cuja formulao toma como base a distribuio de
corrente magntica equivalente ao redor das margens do patch. Os modelos
aproximados na caracterizao das antenas de microfita possuem uma preciso
satisfatria at determinados valores de freqncias [28].

22

Com o aumento nos valores da freqncia, a anlise se torna imprecisa,

principalmente para a faixa das ondas milimtricas. As simplificaes oriundas destes
modelos, tais como a desconsiderao da existncia de propagao de ondas de
superfcie, afetam sobremaneira a modelagem do mecanismo de radiao da antena em
altas freqncias.
Todavia, estes modelos so importantes, pois fornecem uma soluo primria e
uma idia qualitativa com relao ao projeto de uma antena. Dentre os modelos usados
nos projetos de antenas de microfita com patch retangular o Modelo da Linha de
Transmisso (TLM - Transmission Line Model) um dos mais simples. Ele possibilita
a determinao de diversos parmetros da antena, tais como a freqncia de
ressonncia, o diagrama de radiao e a impedncia de entrada. Geralmente este
modelo usado em patches retangulares (e quadrados), sendo inadequado para anlise
de estruturas tais como dipolos impressos e patches no retangulares.
Um outro modelo bastante utilizado o Modelo da Cavidade Ressonante (RCM
- Resonant Cavity Model), que aplicado, a princpio, em patches de geometria
arbitrria, mas consegue uma grande simplificao quando do uso de patches
retangulares[1], [41]-[43].

Alm dos dois modelos descritos, existem tambm o

Modelo de Rede Multiporta (MNM Multiport Network Model) e o Modelo do

Circuito Equivalente (ECM - Equivalent Circuit Model), que tambm so utilizados na
determinao dos parmetros das antenas patch de microfita.
2) os modelos de onda completa, cuja descrio dos parmetros de antenas de
microfita usando encontrada em publicaes a partir do incio dos anos 80. Com uma
formulao matemtica mais rigorosa, estes modelos conseguem resultados mais
precisos e resolvem problemas em freqncias mais elevadas. Em contrapartida, ele
demanda um esforo computacional bem maior. O objetivo de todos os mtodos
numricos em eletromagnetismo encontrar solues mesmo que aproximadas para as
equaes de Maxwell (ou de equaes derivadas delas) que satisfaam as condies
iniciais e de fronteira.
Esta modelagem eletromagntica consiste no processo de anlise da interao
dos campos eletromagnticos entre objetos fsicos e o meio ambiente. Resumidamente,
envolve o uso de aproximaes eficientes das equaes de Maxwell, sendo empregado
para calcular o desempenho da antena, sua compatibilidade eletromagntica, seo
transversal de radar e propagao de ondas eletromagnticas no espao livre.

23

Alguns dos mtodos numricos aplicados na anlise de antenas de microfita so:

(i)

Mtodo dos momentos (MoM Method of Moments);

(ii)

Mtodo dos elementos finitos (FEM - Finite Element Method);

(iii)

Mtodo das diferenas finitas no domnio do tempo (FDTD - FiniteDiference Time-Domain Method);

(iv)

Mtodo das diferenas finitas no domnio da freqncia (FDFD FiniteDiference Frequency-Domain Method);

(v)

Mtodo dos potenciais vetoriais de Hertz.

2.6 Softwares usados na anlise das antenas de microfita

Os softwares usados neste trabalho foram o Ansoft Designer e o Ansoft HFSS
(HFSS - High Frequency Structure Simulator). O uso destes softwares teve como
objetivo validar, atravs de simulaes numricas, os resultados experimentais colhidos
nos analisadores de rede, destacando-se tambm como peas fundamentais na obteno
da constante de permissividade eltrica relativa do substrato dieltrico BiNbO4 dopado
com V2O5 e na otimizao das dimenses fsicas destes substratos e das antenas patch
de microfita construdas e analisadas neste trabalho.
O Ansoft Designer usa o Mtodo dos Momentos (MoM), aplicada com sucesso
em dispositivos com rea ou volume pequenos. O Mtodo dos Momentos (MoM) pode
ser usado em situaes onde a funo de Green pode ser determinada, que normalmente
envolvem campos eletromagnticos em meios lineares e homogneos, colocando
limitaes sobre o alcance e a generalidade dos problemas em que os elementos de
fronteira podem ser aplicados. [44]-[45].
O Ansoft HFSS um programa que determina os parmetros S de estruturas
passivas e a distribuio tridimensional de campos eletromagnticos no interior de uma
estrutura utilizando o Mtodo dos Elementos Finitos (FEM). Este mtodo consiste em
dividir o dispositivo a ser analisado em um grande nmero de pequenas regies,
denominadas elementos finitos. Cada elemento tem a forma de um tetraedro com
quatro tringulos equilaterais. Este conjunto de tetraedros chamado de malha (mesh)
do elemento finito. Os valores dos campos eltricos e magnticos nos pontos internos a
cada tetraedro so obtidos por interpolao a partir do conhecimento dos valores destes
campos nas arestas do tetraedro [44]-[45].
24

2.7 Instrumentos de medidas

Para a realizao de medies dos parmetros de dispositivos de uma e duas
portas, um dos mais importantes equipamentos de laboratrio o Analisador de Redes
Vetorial (VNA Vectorial Network Analyzer). Os primeiros VNAs foram produzidos
em 1967, como o VNA HP8410 da Hewlett-Packard.
Os VNAs atuais conseguem fazer medies extremamente precisas, como por
exemplo, dos parmetros de espalhamento de um dispositivo de uma ou de duas portas,
numa faixa de freqncia de 10 MHz at 110 GHz [29]. Estes equipamentos permitem
aferir e testar [46]: antenas; guias de onda; chaves; cargas; filtros; cabos; circuitos
abertos; curtos; linhas de transmisso; ressoadores dieltricos; acopladores; pontes;
divisores; combinadores; circuladores; atenuadores; adaptadores; diplexadores;
multiplexadores; misturadores; multiplicadores; moduladores; osciladores; etc.
A medio da impedncia na entrada de um dispositivo importante para que
haja uma mxima transferncia de energia do gerador para a carga (antena). Os
analisadores de redes vetoriais apresentam os dados em uma grande variedade de
formas, inclusive na Carta de Smith, que fornece a impedncia de entrada da antena e
determina a relao entre a tenso e a corrente, que funo das dimenses fsicas da
antena de microfita e da permissividade eltrica relativa do material usado na sua
construo. A necessidade da existncia de um valor padro de impedncia no
dispositivo tambm tem que ser considerada em cabos e conectores, que devem manter
a mesma relao.
O VNA possui uma grande preciso baseado em parte pelo procedimento de
calibrao acoplado a um programa de correo de erros, sendo tambm acompanhando
de um conjunto de terminaes casadas, curtos, abertos e conexes diretas, que so
ligadas sada RF do VNA e meticulosamente medida. Estes so componentes
padronizados e pr-calibrados pelo fabricante. Esta tcnica denominada de calibrao
TRL (Through-Reflect-Line) [46].
Com a utilizao deste conjunto de calibrao, representado pictoricamente na
Figura 2.9(a), as portas so virtualmente estendidas atravs dos vrios adaptadores e
cabos de conexes at as portas do dispositivo sob teste (DUT - Device Under Test).
Antes de qualquer medio faz-se a calibrao do instrumento [46].

25

Esta calibrao deve ser realizada para cada freqncia, ou para a faixa de
freqncia a ser utilizada. O processo de calibrao semi-automtico, com a
introduo e retirada dos componentes numa seqncia lgica coordenada pelo VNA
onde os comandos so auto-explicativos.
Para a medio dos parmetros das antenas de microfita, a antena colocada
numa cmara anecica, conectada ao VNA atravs de um cabo especial de baixas
perdas, com a finalidade de evitar medies com reflexes e difraes das ondas no
meio ambiente, como na configurao mostrada na Figura 2.9(b).

Analisador de Redes

Analisador de Redes

RF

OUT

RF

OUT

Cabo
Cmara Anecica

Curto

Carga

Aberto

Antena

(a)

(b)

Figura 2.9 (a) Calibrao do VNA e (b) Conexo de uma antena ao VNA.

Quando da colocao de um dispositivo num VNA, ele vai varrer uma faixa de
freqncia especfica e medir os parmetros a ela associados. Numa determinada
freqncia, um sinal enviado pela porta 1 do VNA ao DUT. Uma poro deste sinal
incidente pode ser refletida e retornar porta 1, uma parte pode ser dissipada ou radiada
no DUT e outra parte pode ser transmitida para a porta 2.
O VNA mede a razo complexa do sinal refletido para o incidente, a perda de
retorno (S11), assim como a razo do sinal transmitido para o sinal incidente (S21). Da
mesma maneira, enviando-se um sinal pela porta 2 ele vai medir S12 e S22. Como a
antena considerada um dispositivo de uma porta, o VNA vai medir apenas a perda de
retorno (S11) [29].

26

A impedncia de entrada considerada como fator de normalizao na carta de

Smith, e, o seu valor poder no permanecer constante, pois varia com a freqncia ou
faixa de freqncia pretendida para operao. O valor desta impedncia dever ser de
aproximadamente 50 .
Na carta de Smith, mostrada na Figura 2.10, as curvas de resistncia e de
reatncia so constantes sendo positivas quando indutivas, com a reatncia indutiva
dada por: X L = L = 2 f L e negativas quando capacitivas, com a reatncia
capacitiva dada por X C = 1 / C = 1 / 2 f C .
Nestas expresses, C a capacitncia e L a indutncia da antena em cada
freqncia angular (em rad/s), que pode ser escrita como: = 2 f, sendo f a
freqncia do sinal (em Hz).

Figura 2.10: Carta de Smith mostrando as curvas de impedncia, resistncia e reatncia.

No caso da impedncia no corresponder ao valor desejado, em alguns casos

pode-se recorrer ao LMA (Last Minut Adjustments), onde capacitores de baixas
capacitncias que podem ser sintonizados e outros dispositivos so acoplados
microfita, com a finalidade de melhoria da antena [46]. Esta dificuldade ocorre devido
s dimenses reduzidas das microfitas.
27

Neste trabalho, foi usado o analisador de redes HP 8714C Network Analyzer,

com varredura de freqncias de 300 MHz a 3 GHz, serial number US 38171146, cuja
fotografia mostrada na Figura 2.11.

Figura 2.11: HP 8714C Network Analyzer.

Fonte: www.deadlinetech.com/8714Cs.jpg.

Tambm foi utilizado o analisador de espectro Rohde & Schwarz FSH6

Spectrum Analyzer, com varredura de 100 KHz a 6 GHz, serial number 103266,
mostrado na fotografia da Figura 2.12.

Figura 2.12 Rohde & Schwarz FSH6 Spectrum Analyzer.

Fonte: www.fsh6.com/images/FSH62.JPG.

Para a realizao de medidas com o Rohde & Schwarz FSH6 Spectrum Analyzer
foi inserida uma ponte de VSWR (ponte de impedncias) FSH Z3 VSWR Bridge 10
MHz 6 GHz 50 , serial number 100670, permitindo a utilizao deste
instrumento, que um analisador de espectros, como um analisador de redes.
28

O analisador de redes afere parmetros de componentes e dispositivos,

possuindo uma fonte e um receptor, podendo-se medir a amplitude e a fase. O
analisador de espectros mede a amplitude e a caracterstica do sinal (nvel de portadora,
bandas laterais, harmnicas), alm de conseguir demodular e medir sinais mais
complexos, mas funciona apenas como receptor, efetuando medies escalares, sem
obteno da fase [46]. As medies foram efetuadas com as antenas inseridas numa
cuba anecica de dimenses 1,0 m x 1,0 m x 1,0 m, conectadas atravs de um cabo,
mostrada na Figura 2.13.

Figura 2.13: Cuba anecica usada nas medies.

2.8 Concluso
Neste captulo, foi apresentado um breve histrico sobre antenas e antenas de
microfita e suas aplicaes, com nfase na faixa de freqncias de microondas, para
utilizao em sistemas de comunicaes sem fio. Foram apresentados: os conceitos e
caractersticas dos principais parmetros relativos s antenas de microfita; um resumo
sobre modelos de onda completa; um resumo sobre os softwares comerciais usados nos
projetos e simulaes destas antenas; uma descrio dos instrumentos usados nas
medies dos parmetros das antenas de microfita desenvolvidas neste trabalho. As
medies dos parmetros das antenas foram efetuadas no Laboratrio de
Telecomunicaes (LABTELE), as simulaes foram realizadas no Laboratrio de
Propagao

Comunicaes

Mveis

(LAPCOM),

ambos

pertencentes

ao

Departamento de Engenharia de Comunicaes (DCO) da UFRN.

29

CAPTULO 3
O SUBSTRATO CERMICO BiNbO4

Neste captulo, so apresentados os parmetros de substratos dieltricos

relacionados com as propriedades eltricas, magnticas e trmicas destes materiais. So
relatados alguns destes parmetros para o caso particular de substratos dieltricos
cermicos construdos com niobato de bismuto dopado com pentxido de vandio. So
descritas algumas propriedades dos elementos qumicos presentes no substrato.
As etapas experimentais da construo dos substratos cermicos e das antenas
de microfita so apresentadas. So relatadas: a obteno do p BiNbO4 dopado com
V2O5 atravs do mtodo de co-precipitao; a secagem, macerao e prensagem do p;
a sinterizao do substrato; a metalizao dos condutores nos substratos; a soldagem do
conector, ficando concluda a antena patch de microfita; a caracterizao das amostras
atravs da difratometria por raios X.

3.1

Parmetros de substratos dieltricos

As grandezas fsicas que caracterizam os materiais com aplicaes em

eletromagnetismo so: a permissividade eltrica, ; a condutividade eltrica, , e a

permeabilidade magntica, . Nos substratos dieltricos considerados perfeitamente
isolantes, no exibindo propriedades ferromagnticas, tem-se que a permeabilidade
magntica relativa vale r 1 , de forma que a permeabilidade magntica fica dada por:

= r 0 = 0 . J a permissividade eltrica dada por = r 0 , onde r

denominada permissividade eltrica relativa do meio. O termo 0 a permeabilidade
magntica do vcuo, com valor dado por: 0 = 4 10 7 H / m , e o termo 0 a
permissividade eltrica do vcuo, dada por: 0 = 8,8542 10 12 F / m .
Os materiais, ou meios, so ento classificados de acordo com estas
caractersticas eltricas como sendo: dieltricos sem perdas, dieltricos com perdas,
semicondutores, bons condutores ou condutores perfeitos.

30

Esta classificao vai depender da freqncia da onda eletromagntica que se

propaga no meio. Um meio pode ser dieltrico para uma determinada faixa de
freqncias e condutor para outra. Portanto, a freqncia um fator importante na
caracterizao de um meio dieltrico condutor. O cobre, por exemplo, que um
excelente condutor at em freqncias de microondas, passa a ser dieltrico na faixa de
freqncias dos raios X, da a explicao do fato de que os raios X penetram neste
metal [47].
A velocidade de propagao da onda, v , no interior do dieltrico dada por
v = f , e, no espao livre (vcuo), esta velocidade igual velocidade da luz, c ,

resultando em c = 0 f . Para uma mesma freqncia, a razo dos comprimentos de

ondas ser dada por:

v
= .
0 c

(3.1)

Com

v=

r 0 r 0

r r

)(

0 0

r r

(3.2)

Na expresso da equao (3.2) foi usado que a velocidade da luz vale:

c = 1 / 0 0 . Substituindo a equao (3.1) na equao (3.2), temos que:

1
=
.
0
r r

(3.3)

Nos materiais que no apresentam propriedades ferromagnticas, como o caso

do antiferroltrico niobato de bismuto, tem-se que r 1 , e a relao entre os
comprimentos de ondas pela equao (3.3) resulta em:

D =

0
.
r

(3.4)

31

Desta relao, v-se que quanto maior a permissividade eltrica do material

menor o comprimento de onda de operao. Por sua vez, como a dimenso mxima de
uma antena, Lmx, proporcional ao comprimento de onda de trabalho, quanto menor
este comprimento de onda, menor ser a dimenso da antena. Portanto, o uso de
substratos cermicos de alta permissividade eltrica permite uma reduo nas
dimenses das antenas de microfita.
A

maioria

das

aplicaes

em

eletromagnetismo

envolve

campos

eletromagnticos que variam senoidalmente com o tempo e a posio. Tais campos

harmnicos no tempo so encontrados em aplicaes em comunicaes e todos os
circuitos que trabalham com corrente alternada so senoidais.
Alm disso, pulsos repetidos de informaes podem ser tratados como sries de
Fourier de pulsos senoidais. Um sinal harmnico no tempo pode ser transformado para
o domnio da freqncia atravs do uso de fasores.
r
r
Temos que a derivada temporal C / t , onde C um vetor harmnico no
r
r
tempo, equivale a j C S , onde C S um vetor independente no tempo e a
freqncia angular, que pode tambm ser escrita como = 2 f , onde f a
freqncia da onda [47].
Usando estes fatos, a Lei de Ampre com extenso de Maxwell para campos
r
r
eltricos e magnticos harmnicos no tempo, representados por E S e H S
respectivamente, escrita na forma fasorial (subscrito s) como [47]:

r r
r
r
r
r
r
H S = J S + j E S = E S + j E S = ( + j ) E S .

(3.5)

r
Onde, na densidade de corrente de conduo, J S , foi usada a lei de Ohm:
r
r
J S = Es .

(3.6)

O primeiro termo da equao (3.5) corresponde corrente de conduo e o

segundo termo, corrente de deslocamento de Maxwell. Assim, quando = 0 o meio
chamado de dieltrico perfeito, sendo considerado sem perdas se for real e com
perdas se for complexo [48]. Os meios so ento classificados com relao razo

/ como [47]:
32

(i)

Se / = 1 , temos a linha divisria entre os dieltricos e os condutores;

(ii)

Se / < 10 2 , temos os dieltricos;

(iii)

Se 10 2 / 10 2 , temos os semicondutores;

(iv)

Se / > 10 2 , temos os condutores.

Para meios dieltricos com perdas a permissividade eltrica relativa assume um

valor complexo, sendo dada por:

r = r' j r" .

(3.7)

O termo r' na equao (3.7) a parte real da permissividade eltrica relativa,

denominada de constante dieltrica do meio, e o termo r" a parte imaginria desta
grandeza, relacionada parte dissipativa da energia eletromagntica, que
transformada em calor (Efeito Joule). Na existncia de cargas eltricas livres no
dieltrico, elas podem se movimentar sob a ao do campo eltrico, surgindo ento uma
corrente de conduo que proporcional condutividade eltrica inica do meio ( ion )
[47]. Assim, a equao (3.7), resulta em:
ion

+ r" .

r = r' j

(3.8)

A tangente de perdas do material, tg , definida como sendo a razo entre os

mdulos da corrente de conduo e da corrente de deslocamento de Maxwell, que esto
defasadas, sendo expressa por [47]:

ion
+ r"

.
tg =
'

(3.9)

Substituindo a equao (3.9) na equao (3.8), obtm-se a expresso da

permissividade eltrica relativa em funo da tangente de perdas, dada por:

r = r' (1 j tg ) .

(3.10)
33

No caso de substratos dieltricos muito finos, (h << 0), com formas arbitrrias,
podemos aproximar o fator de qualidade, Qd, do dieltrico como sendo o inverso da
tangente de perdas deste material, tg , ou seja [47]:

Qd =

1
.
tg

(3.11)

Verifica-se ento que o fator de qualidade mede a seletividade do ressoador

dieltrico em uma dada freqncia. O fator de qualidade de um dieltrico, quando
analisado no contexto geral, representado por Qd. No nosso estudo, por estarmos
sempre nos referindo ao fator de qualidade do dieltrico, representamos este parmetro
por razes de simplificao por Q. Como o material dieltrico cermico niobato de
bismuto possui um fator de qualidade Q > 1000 , implicando em uma tangente de
perdas com valor tg < 10 3 , foi considerado, em todas as simulaes realizadas, que

tg = 10 4 .
Os substratos onde o comportamento do campo eltrico aplicado independe da
direo deste campo so denominados isotrpicos, a permissividade eltrica constante
e escrita como = r 0 . Para estes meios, tem-se x = y = z e a densidade de fluxo
eltrico reescrita em funo do campo eltrico como [48]:

D x x 0 0 E x


D y = 0 y 0 E y .
D 0 0 E
z z
z

(3.12)

J os substratos onde o comportamento do campo eltrico aplicado depende da

direo deste campo ou da orientao dos eixos do material so chamados de
anisotrpicos. As direes dos eixos so determinadas pelas propriedades cristalinas do
material. Eles so classificados como meios anisotrpicos uniaxiais, quando as
permissividades so iguais em duas direes e diferente na outra, e como anisotrpicos
biaxiais, quando as permissividades so diferentes nas trs direes, isto ,

x y z [48]. Neste trabalho, os substratos cermicos construdos utilizando o

BiNbO4 dopado com V2O5 com pentxido de vandio so isotrpicos [49].

34

A utilizao de cermicas dieltricas de alta permissividade eltrica deve-se ao

fato de que so materiais especiais, obtidos a partir de composies bem estabelecidas,
moldados sob condies controladas de forma a manterem a estabilidade de suas
caractersticas, incluindo variaes com a mudana de temperatura do meio ambiente.
Portanto, um material que apresente baixo valor de variao do coeficiente de
temperatura na freqncia de ressonncia, f , que o caso dos materiais cermicos,
cujo patamar para este coeficiente praticamente nulo, proporciona manuteno da
eficincia da antena com relao s mudanas na temperatura do meio ambiente. O
coeficiente de temperatura na temperatura de ressonncia definido como [26], [50]:

f100 f 20
6
10 .
f 25 (T )

f =

(3.13)

Os termos f 20 e f100 so as freqncias na temperatura de 20 C e na

temperatura de 100 C, respectivamente. O termo T a variao de temperatura nestas
duas freqncias, ou seja, T = 100 C - 20 C = 80 C. O valor f 25 a freqncia a
uma temperatura de 25 C, geralmente determinada usando-se uma regresso linear que
minimiza os erros quadrticos mdios dos pontos medidos variando-se a temperatura de
vrias amostras entre 20 C e 100 C.
Os substratos dieltricos desenvolvidos e construdos neste trabalho, utilizando
BiNbO4 dopado com V2O5, possuem baixos valores do coeficiente de temperatura na
freqncia de ressonncia, situando-se em torno de f 50 ppm / C [18][19].

35

3.2 Os elementos qumicos usados no substrato dieltrico cermico

BiNbO4 dopado com V2O5
Algumas caractersticas dos elementos qumicos usados na construo dos
substratos cermicos niobato de bismuto dopado com pentxido de vandio, so
descritas a seguir [51]:
1) O Bismuto.
Smbolo: Bi. Nmero atmico: 83. Massa atmica: 208,98038 g. Eltrons:
2

[Xe]6s 4f145d106p3. Densidade volumtrica do slido: 9780 kg/m3. Ponto de fuso:

271,3 C. Calor de fuso: 10,9 kJ / mol; Ponto de ebulio: 1.564 C. Calor de
vaporizao: 160 kJ / mol. Resistividade eltrica: 130 x 10-8 m. Condutividade
trmica: 7,87 W / (m C). Calor especfico: 122 J / (kg C). encontrado em sua forma
natural, sendo o principal mineral a bismutinita (sulfeto de bismuto, Bi2S3). Pode ser
obtido como subproduto do refino de minerais que contenham chumbo, cobre, estanho,
prata e ouro. um metal quebradio, de aspecto branco avermelhado. De todos os
metais, o que possui o maior diamagnetismo e a menor condutividade trmica depois
do mercrio. Tem o mais alto efeito Hall e pobre condutor de eletricidade. O bismuto
se expande em 3,32 % na solidificao. No ar, queima com chama azul e fumaa
amarela do xido formado. Com gua, sais solveis de bismuto formam sais bsicos
insolveis. O bismuto forma ligas de baixo ponto de fuso quando misturado com
metais como o estanho e cdmio, que so usadas em fusveis e detectores de chamas.
utilizado na produo de aos maleveis e como catalisadores para a fabricao de
fibras em acrlico. Tambm usado em termopares e reatores nucleares, em ims
permanentes de elevada intensidade de campo magntico e em pigmentos de tintas para
pinturas artsticas. O oxicloreto de bismuto usado em cosmticos. O subnitrato e o
subcarbonato de bismuto tm aplicaes medicinais.
2) O Nibio.
Smbolo: Nb. Nmero atmico: 41. Massa Atmica: 92,96038 g. Eltrons:
[Kr]5s14d4. Densidade volumtrica do slido: 8570 kg/m3. Ponto de fuso: 2.477 C.
Ponto de ebulio: 4.742 C. . Calor de fuso: 26,4 kJ / mol; . Calor de vaporizao:
682 kJ / mol. Resistividade eltrica: 15 x 10-8 m. Condutividade trmica: 53,7 W / (m
C). Calor especfico: 265 J / (kg C).

36

 encontrado em minerais como a columbita (tntalo-niobato de ferro e

mangans, o principal) e a euxenita (titanoniobato de trio, clcio, crio, urnio e trio).
um metal branco-acinzentado, brilhante, mole e dctil. O aspecto se torna azulado, se
exposto ao ar por longo tempo. A oxidao comea a 200 C e, portanto, o trabalho a
quente deve ser feito em atmosfera protetora. aplicado em ligas para eletrodos de
solda de ao inoxidvel e outras ligas em ao e como aditivo em vidros de dispositivos
ticos, para aumentar ndice de refrao. O elemento tem propriedades supercondutoras
e ligas de nibio / estanho e nibio / titnio so usada em magnetos supercondutores de
elevada intensidade de campo. Em razo da inatividade fisiolgica, o metal e algumas
ligas so usados em joalheria e em medicina (o metal pode ser anodizado para refinar o
aspecto).
3) O Vandio.
Smbolo: V. Nmero atmico: 23. Massa Atmica: 50,9415. Eltrons: [Ar] 4s2
3d3. Densidade volumtrica do slido: 6.110 kg/m3. Ponto de fuso: 1.910 C Ponto de
ebulio: 3.407 C. . Calor de fuso: 22,8 kJ / mol; . Calor de vaporizao: 453 kJ /
mol. Resistividade eltrica: 20 x 10-8 m. Condutividade trmica: 31,0 W / (m C).
Calor especfico: 489 J / (kg C). encontrado em torno de 65 diferentes minerais. Os
mais importantes so: carnotita (uranovanadato de potssio e sdio,); roscoelita
(silicato bsico de potssio, vandio, alumnio e magnsio); vanadinita (clorovanadato
de chumbo) e patronita (sulfeto de vandio). Sua presena ocorre tambm em alguns
minerais de fosfatos e de ferro e alguns tipos de petrleo cru, na forma de complexos
orgnicos. Meteoritos contm uma pequena quantidade de vandio em sua composio.
No estado puro, um metal brilhante, macio e dctil. Tem boa resistncia a lcalis, aos
cidos clordrico e sulfrico e guas com sais. Sofre oxidao em temperaturas acima
de 660 C. usado para produzir aos resistentes corroso e aos rpidos.
Empregado como elemento de ligao para cladear (unir de forma permanente por
laminao a quente) titnio com ao. Tambm usado em supercondutores.
O pentxido de vandio (V2O5) usado em cermicas e como catalisador para produo
de cido sulfrico. O dixido de vandio (VO2) um revestimento especial para vidros,
com efeito bloqueador de radiao infravermelha. Usado em alguns tipos de baterias e
clulas de combustvel. O vandio e o glio so usados em eletroms supercondutores.

37

3.3 Obteno do BiNbO4 dopado com V2O5

Para a obteno do niobato de bismuto (BiNbO4) dopado com pentxido de
vandio (V2O5) foram usados como material de partida: o pentxido de nibio, o nitrato
de bismuto, o pentxido de vandio e o hidrxido de amnia. Geralmente, os
pentxidos de nibio (Nb2O5) e de vandio (V2O5) so denominados simplesmente de
xido de nibio e de xido de vandio.
O mtodo utilizado o da co-precipitao [18][19]. A aplicao deste mtodo
realizada preparando-se uma soluo lquida oriunda da mistura dos sais dos metais
constituintes (bismuto, nibio e vandio) com adio de um precipitante (o hidrxido
de amnia), conseguindo-se assim a obteno de um precipitado final homogneo.
Neste mtodo, a dissoluo trmica dos sais faz-se necessria, de tal forma que as
partculas pulverizadas resultantes da dissoluo possuam dimenses nanomtricas.
Outros mtodos comumente utilizados na obteno de ps cermicos so: sntese por
combusto, sol-gel, citratos e estado slido [18] [19].
As massas das amostras so aferidas com o menor erro possvel em uma balana
de preciso, mostrada na Figura 3.1(a). A estequiometria usada para o nitrato de
bismuto e o xido de nibio foi mantida 1:1 e a proporo de pentxido de vandio foi
de 0,50 %.
No

mtodo

da

co-precipitao,

uma

quantidade

estequiomtrica

do

Bi(NO3)3,5H2O (nitrato de bismuto) dissolvida em uma quantidade mnima de HNO3

(cido ntrico) diludo, para que no haja a precipitao dos ons de bismuto.
As quantidades estequiomtricas de Nb2O5 e V2O5 so dissolvidas em cerca de
30 ml de HF (cido fluordrico) com soluo 40 %. A adio do pentxido de vandio
(V2O5), comumente chamado de xido de vandio, tem como finalidade diminuir a
temperatura na transio de fase do material cermico BiNbO4, bem como tambm o
valor de sua temperatura quando da sinterizao na obteno do substrato slido. A
adio de hidrxido de amnia provoca a precipitao completa do nibio e do bismuto
como hidrxidos.
As duas solues formuladas so misturadas e mantidas sob agitao por 2
horas. Aps este intervalo de tempo, adiciona-se hidrxido de amnia para a
precipitao dos hidrxidos de nibio e bismuto. Aps a precipitao, a soluo
filtrada e lavada diversas vezes com gua destilada.

38

O material precursor ento colocado em um filtro de papel e colocado em uma

estufa (mufla), mostrada na Figura 3.1(b), sendo posto para secar por um tempo
aproximado de 12 horas, em uma temperatura constante de 100 C. Em seguida, o
material retirado e posto num cadinho, sendo calcinado em um forno com temperatura
constante em torno de 750 C por 12 horas.

(a)

(b)
Figura 3.1: (a) Balana de preciso e (b) Estufa.

Os primeiros substratos cermicos foram obtidos usando-se o xido de nibio e

o cido fluordrico. Outros substratos foram construdos usando-se oxalato de nibio,
sem a necessidade do cido fluordrico. A forma mais simples de obteno do p
BiNbO4 dopado com V2O5 usar a estequiometra 1:1 com os nitratos de nibio e
bismuto, disponveis comercialmente, e o pentxido de vandio numa proporo 0,5%.
Alm deles, a utilizao do hidrxido de amnia, com a finalidade de proporcionar uma
co-precipitao completa do nibio e do bismuto como hidrxidos.
O material usado na obteno das amostras pulverizadas BiNbO4 dopado com
V2O5 podem ser adquiridos VETEC, que uma empresa sediada no Brasil que embala
os produtos, que so oriundos da Alemanha, e Aldrich, empresa dos Estados Unidos
da Amrica. Estes produtos possuem s seguintes caractersticas:
Nitrato de Bismuto III (5H2O) Puro - VETEC - 000661.06 - Frasco com 100 g;
Nitrato de nibio - Aldrich - 325 mesh Frasco 100 g;
Pentxido de Vandio V (99,6%) - VETEC - 000695.07 - Frasco com 250 g;
Hidrxido de amnia - 28 - 30% PA - VETEC - 000126.06 1.000 ml.

39

3.4 Caracterizao do BiNbO4 dopado com V2O5

3.4.1 Difrao de raios X
A difrao de raios X (XRD X-Ray Diffraction) resulta da interao entre o
feixe de raios X incidente e os eltrons dos tomos constituintes de um material,
relacionado ao espalhamento coerente [52]-[53]. tradicionalmente usada para anlises
qualitativas e quantitativas de fases com estruturas cristalinas.
A tcnica consiste na incidncia da radiao em uma amostra e na deteco dos
ftons espalhados, que constituem o feixe difratado. Um feixe de raios X incide sobre
um conjunto de planos cristalinos, cuja distncia interplanar representada por d. O
ngulo de incidncia do feixe com o plano cristalgrafico designado como . Os
feixes refletidos por dois planos subseqentes podem apresentar o fenmeno da
difrao. Isto , se a diferena entre seus caminhos ticos for um nmero inteiro de
comprimentos de onda, haver superposio construtiva e um feixe de raios X ser
observado, situao ilustrada na Figura 3.2. Caso contrrio haver superposio
destrutiva, e no se observar qualquer sinal de raios X [52]-[53].

Feixe Incidente

Feixe Difratado

Figura 3.2: Feixes de raios X incidente e difratado.

40

Este fenmeno descrito pela Lei de Bragg, que fornece a relao entre as
posies angulares dos feixes difratados em termos do comprimento de onda do feixe
de raios X incidente e da distncia interplanar d dos planos cristalogrficos. Esta
expresso dada por [52]- [53]: n = 2 d sen .
Dentre as vantagens da tcnica de difrao de raios X para a caracterizao de
fases, destaca-se a simplicidade e rapidez do mtodo, a confiabilidade dos resultados
obtidos, visto que o perfil de difrao obtido caracterstico para cada fase cristalina.
Possibilita tambm a anlise de materiais compostos por uma mistura de fases e uma
anlise quantitativa destas fases. No nosso estudo, foi usado para anlise de raios X um
difratmetro da marca Shimadzu XRD 6000, mostrado na Figura 3.3, do laboratrio de
raios X do NUPEG UFRN, que utiliza uma fonte de radiao de CuK de 1,5418
Angstrons, com uma tenso de 30 kV e corrente de 20 mA, em amostras pulverizadas.

(a)

(b)

Figura 3.3: (a) Difratmetro Shimadzu XRD 6000 e (b) Interior do difratmetro. Fontes: (a)
www.shimadzu.com.br/analitica/produtos/difratometros/raios X/xrd/xrd-6000.aspx e (b)
www.pharmacy.uiowa.edu/.../analyticalequip4.jpg.

41

3.4.2 Anlise pelo mtodo de Rietveld

O mtodo de Rietveld amplamente reconhecido na anlise estrutural de quase

todos os materiais cristalinos no disponveis na forma de monocristais [54]. Estudo da
estrutura de supercondutores, materiais magnticos, etc., so algumas aplicaes
importantes do mtodo de Rietveld, tanto com dados de difrao de raios X quanto da
difrao de nutrons.
Este mtodo pode ser aplicado na anlise quantitativa de fases, ajuste de
parmetros de cela e estudos estruturais como: determinao de tamanho de cristalitos,
distribuio de ctions, incorporao de tomos e formao de vacncias, posies
atmicas e posies de ocupao [55].
Na aplicao do mtodo Rietveld necessita-se da construo de um padro de
difrao calculado, que varia com o modelo estrutural. Este padro calculado obtido
pela introduo direta dos dados cristalogrficos, como [54]:
(i) Simetria do grupo espacial;
(ii) Posies atmicas;
(iii) Posies de ocupao;
(iv) Parmetro de rede.
O padro calculado ao se ajustar ao padro observado fornece dados dos
parmetros estruturais do material e parmetros do perfil de difrao. O termo
refinamento no mtodo de Rietveld refere-se ao processo de ajuste do modelo de
parmetros utilizados no clculo de um padro de difrao, que seja o mais prximo do
observado [54]. Os parmetros, especficos de cada fase, que passam por variaes
durante o refinamento so de dois tipos [52]:
(i) Estruturais - referentes s posies atmicas, parmetros da clula unitria,
fatores de ocupao, fator de escala, parmetros de vibrao trmica (isotrpicos e
anisotrpicos) e parmetro trmico isotrpico geral.
(ii) No-estruturais - parmetros da largura meia altura (U, V, W), assimetria,
2 zero, orientao preferencial e coeficientes da radiao de fundo.
Os requisitos bsicos para o refinamento pelo mtodo de Rietveld so [55]:
(i) Medidas precisas de intensidades dadas em intervalos 2;
(ii) Um modelo inicial prximo estrutura real do cristal;
(iii) Um modelo que descreva a forma, largura e erros sistemticos nas posies
dos picos de Bragg.
42

A principal vantagem deste mtodo a obteno de um padro de difrao por

modelos matemticos, sem grande consumo de tempo, de pessoal e de equipamento,
alm de eliminar a necessidade de preparao de amostras padro para comparao das
intensidades dos picos. A introduo de modelos matemticos permite tambm a
correo de efeitos de aberraes sistemticas provenientes da estrutura da amostra e da
geometria do difratmetro de raios X [55]. O refinamento permite a definio das
posies e intensidades das reflexes de Bragg de modo que, mesmo havendo
sobreposio dos picos, as intensidades das reflexes de cada fase podem ser avaliadas
com boa preciso. A utilizao de todos os padres de difrao possibilita uma maior
preciso nos resultados da anlise quantitativa, quando comparados aos mtodos
tradicionais que utilizam reflexes isoladas [55].

3.4.3 Resultado do difratograma de raios X

As anlises realizadas por refinamento usando o Mtodo de Rietveld neste

trabalho puderam ser avaliadas pela observao da plotagem dos padres calculados e
observados. Os programas utilizados para o tratamento matemtico por Rietveld
disponveis no mercado so, entre outros, Fullprof, DBWS, GSAS, Rietan e Maud.
Neste trabalho o programa utilizado foi o Maud verso 2.064.
A Figura 3.4 mostra o difratograma de raios X das amostras pulverizadas de
BiNbO4 dopado com V2O5 usadas nos substratos. O difratograma pode ser ajustado com
duas componentes. Uma, a mais intensa, referente fase alfa-BiNbO4 (ICSD-074338)
com estrutura ortorrmbica, com aproximadamente 73%, mostrada na Figura 3.5(a)
[56], e a outra referente fase beta-BiNbO4 (ICSD-010247), com estrutura triclnica,
com aproximadamente 27%, mostrada na Figura 3.5(b) [56]. Os valores dos parmetros
de rede determinados para a fase alfa-BiNbO4 foram; a = 5,681 Angstrons, b = 11,713
Angstrons e c = 4,984 Angstrons. O tamanho do cristalito obtido pela frmula de
Debye-Scherrer [57] de aproximadamente 660 nm.

43

Figura 3.4: Resultado da difrao de raios X (XRD) da amostra de BiNbO4.

(a)

(b)

Figura 3.5: (a) Estrutura ortorrmbica da fase alfa-BiNbO4 e (b) Estrutura triclnica da fase beta-BiNbO4.

44

3.5 Construo do substrato cermico BiNbO4 dopado com V2O5

Para a construo do substrato em forma de disco, a amostra pulverizada do
niobato de bismuto dopado com pentxido de vandio tem sua massa calculada de
acordo com as dimenses projetadas para o substrato a ser usado na antena, sendo esta
massa aferida numa balana de preciso.
Com a finalidade de obteno de um p mais fino, esta quantidade de massa
macerada por 12 horas, em um almofariz em gata apresentados na Figura 3.6(a).
Durante o processo de macerao pode ser usado um pouco de etanol ou lcool
isoproplico 98 C (lcool Isoproplico ISO, PA 2 Propanol - VETEC - 000139.06 98 % - 1.000 ml).

Em seguida, a amostra da massa medida colocada no interior de uma matriz

em ao ferramenta, apresentada na Figura 3.6(b), com dimetro interno D = 30,0 mm.
Esta matriz foi especificamente projetada e construda para moldar os substratos com a
geometria adequada s dimenses das antenas de microfita propostas, para que estas
antenas pudessem funcionar na faixa de freqncias de comunicaes sem fio.

(a)

(b)

Figura 3.6: (a) Almofariz em gata com BiNbO4 dopado com V2O5 e (b) Matriz em ao ferramenta.

Aps a quantidade da amostra pulverizada do material ser colocada na matriz

em ao ferramenta, passar agora por um processo de conformao, no qual ser
moldado o substrato cermico em forma de disco.

45

Na conformao do p BiNbO4 dopado com V2O5 foi usada uma prensa Ribeiro
com capacidade mxima de 30 toneladas, cuja fotografia mostrada na Figura 3.7(a).
Depois de ser prensado, o substrato em forma de disco (pastilha) retirado da matriz
em ao ferramenta. Um dos substratos em BiNbO4 dopado com V2O5 aps sair da
prensagem, ou conformao, mostrado na fotografia da Figura 3.7(b). Geralmente
esta conformao conseguida pelo processo de prensagem uniaxial e em algumas
situaes uma prensagem isosttica tambm aplicada, para que haja uma aglomerao
uniforme das partculas constituintes do p em todas as direes. O deslizamento das
partculas do p pode ser facilitado durante a prensagem com a adio de lcool
polivinlico.

(a)

(b)

Figura 3.7: (a) Prensa usada na compactao do BiNbO4 dopado com V2O5 e
(b) Pastilha prensada.

Na obteno das pastilhas em forma de discos na matriz em ao ferramenta

foram aplicadas diversas presses em sua superfcie, de acordo com as caractersticas
da estrutura pretendida. Quanto maior a presso aplicada menor a retrao do
substrato aps o processo de sinterizao.
A presso aplicada pelo mbolo da prensa sobre o mbolo da matriz em ao
ferramenta que est em contato com a amostra pulverizada dada por:

p=

mg
F
=
.
A [ ( D) 2 / 4]

(3.14)

46

Nesta equao, A a rea circular do substrato, definida por:

A = D2 / 4 .

(3.15)

Onde, D o dimetro interno da matriz em ao ferramenta, com valor

D = 30,0 mm = 3,00 10 2 m , o termo F o valor do mdulo da fora peso que

aplicada na superfcie da pastilha, dado por: F = m g , sendo g o mdulo da acelerao

da gravidade, com valor g = 9,80 m / s 2 .
Neste trabalho, foram aplicadas presses sobre as amostras pulverizadas de
BiNbO4 dopado com V2O5 com valores equivalentes a massas em toneladas dados por:
m1 = 24 t; m2 = 18 t e m3 = 12 t.
Substituindo estes valores na equao (3.14), temos os resultados destas trs
presses aplicadas sobre os substratos cermicos em unidades MKS, ou seja, em N/m2
ou Pa (1 Pascal = 1 Pa = 1 N/m2):
Para m1 = 24 t,

p1 =

F1
m1 g
(9,41 10 5 ) N
=
=
= 333 MPa .
A D 2 / 4 (2,83 10 3 ) m 2

Para m2 = 18 t,

p2 =

F2
m2 g
(7,01 10 5 ) N
=
=
= 248 MPa .
A D 2 / 4 (2,83 10 3 ) m 2

Para m3 = 12 t,

p3 =

F3
m3 g
(4,70 10 5 ) N
=
=
= 166 MPa
A D 2 / 4 (2,83 10 3 ) m 2

Aps a conformao do substrato dieltrico em forma de disco ele foi aquecido

a uma alta temperatura durante um determinado intervalo de tempo. A finalidade deste
processo de aquecimento, que denominado sinterizao, de acelerar a difuso dos
tomos constituintes do material sobre a superfcie das partculas.
47

Com isto ocorrem as ligaes das partculas adjacentes aumentando sua

resistncia mecnica, evitando-se com isto que a cermica modifique sua conformao
anterior a sinterizao. Os vazios, tambm chamados de poros da cermica, so
eliminados ocorrendo um aumento na densidade da material. O processo de difuso
quando da sinterizao de um substrato dieltrico cermico representado
pictoricamente na Figura 3.8.

Antes da difuso
Contorno
de gros

Partculas

Poros
Gros
Depois da difuso
Substrato cermico

Sinterizao

Detalhe do substrato sinterizado

cermico

Figura 3.8: Representao pictrica do processo de sinterizao do substrato dieltrico.

Observa-se que as propriedades fsicas do substrato sinterizado no dependem

apenas da dimenso dos cristalitos, como tambm do contorno de poros e gros. De
uma maneira geral, o tempo de sinterizao de um substrato cermico modificado
pelo tamanho das partculas constituintes do p, sendo este tempo diretamente
proporcional ao tamanho das partculas, ou seja, quanto menor o tamanho menor ser o
tempo de sinterizao. A temperatura de sinterizao tambm diminui com o
decrscimo das dimenses das partculas. A temperatura de sinterizao dos substratos
cermicos pode variar de aproximadamente 800 C a 1.600 C, com um perodo de 1 h
at 12 horas [56].
Para ser sinterizado, o substrato dieltrico BiNbO4 foi posto sobre uma placa de
cermica plana e levado a um forno EDG 3PS, mostrado na Figura 3.9(a), de forma
que atinja uma temperatura de 890 C, com degraus de 10 C, num intervalo de tempo
de 2 horas, retornando depois temperatura ambiente.
Depois de esfriar, o substrato foi retirado do forno, conforme mostrado na
Figura 3.9(b), estando apto para receber a metalizao com a geometria adequada para
cada antena ou dispositivo a ser usado em microondas.

48

(a)

(b)

Figura 3.9: (a) Forno usado na sinterizao e (b) Pastilha sinterizada.

Na metalizao definitiva dos substratos cermicos construdos foi usada a cola

condutiva em prata da empresa norte-americana Dinaloy. Esta cola aplicada aos
metais condutores j recortados com a geometria adequada para cada antena. Os
recortes metlicos so unidos ao substrato e colocados em um forno com temperatura
de 180 C durante dez minutos. A metalizao sobre os substratos foi realizada
utilizando-se o cobre como material condutor, seguindo a geometria requerida para
cada estrutura.
.

3.6 Concluso
Neste captulo, foram descritos alguns parmetros de substratos dieltricos e
propriedades dos elementos qumicos do substrato cermico niobato de bismuto dopado
com pentxido de vandio: o bismuto, o nibio e o vandio. Foi apresentada a forma de
obteno das amostras pulverizadas do BiNbO4 dopado com V2O5 atravs do mtodo de
co-precipitao. Foram descritos os processos de macerao, prensagem e sinterizao
do BiNbO4 dopado com V2O5 at a confeco dos substratos em forma de discos usados
neste trabalho. Estes processos foram efetuados no LACAV Laboratrio de
Cermicas Avanadas do Departamento de Qumica (DQ) da UFRN. Foi apresentada a
caracterizao das amostras usando-se a difratometria por raios X, realizada do
laboratrio de raios X do Ncleo de Pesquisa em Petrleo e Gs (NUPEG) da UFRN.
Foi tambm descrita a metalizao dos substratos com a geometria adequada para as
antenas de microfita construdas e analisadas neste trabalho.
49

CAPTULO 4
ANTENAS PATCH DE MICROFITA SOBRE
SUBSTRATOS CERMICOS BiNbO4

Neste captulo, so relatados os dados relativos aos substratos e as geometrias

de quatro antenas patch de microfita projetadas e construdas usando o material
cermico BiNbO4 dopado com V2O5. Os resultados simulados e medidos que
permitiram obter parmetros tais como: a permissividade eltrica relativa do substrato
BiNbO4 dopado com V2O5; a perda de retorno (parmetro de espalhamento S11); a
freqncia de ressonncia; a largura de banda e a largura de banda percentual destas
quatro antenas so apresentadas. Os resultados medidos e simulados mostraram boa
concordncia. As antenas investigadas podem ser usadas em sistemas de comunicaes
sem fio, operando em freqncias entre 2,5 GHz e 3,0GHz, na banda S.

4.1 Projeto e construo de antenas patch de microfita sobre BiNbO4

Quatro prottipos de antenas patch de microfita foram projetados e construdos
sobre substratos dieltricos usando o material cermico BiNbO4 dopado com V2O5. Os
substratos foram confeccionados em forma de discos, conforme mostra a Figura 4.1(a).
Estes substratos possuem dimetros e espessuras diferentes, e foram projetados para
funcionar numa faixa de freqncia de acordo com a antena projetada.
Trs antenas foram construdas com planos de terra completos numa das faces
do substrato, conforme representao esquemtica mostrada na Figura 4.1(b), enquanto
que na quarta antena foi usado um plano de terra truncado, como mostrado na Figura
4.1(c).

50

(a)

(b)

(c)

Figura 4.1: (a) Substrato dieltrico cermico BiNbO4 em forma de disco; (b) Plano de terra e
(c) Plano de terra truncado.

Em todas as antenas foi usada a alimentao por linha de microfita, em virtude

deste tipo de alimentao apresentar maior facilidade na construo fsica, na
integrao com outros elementos do circuito e na obteno do casamento de
impedncias das antenas de uma maneira mais simples. As caractersticas das
geometrias dos condutores aplicados aos patches da outra face dos substratos
modificaram-se de acordo com o projeto das antenas. Estas antenas de microfita
podem ser descritas com relao caracterstica da geometria dos patches como
sendo:
(i)

Patch retangular de microfita, Figura 4.2(a);

(ii) Patch retangular de microfita com reentrncia (inset fed), Figura 4.2(b);
(iii) Patch afilado de microfita com reentrncia (inset fed), Figura 4.2(c);
(iv) Patch monopolo de microfita em forma de S, Figura 4.2(d).

(a)

(b)

(c)

(d)

Figura 4.2: (a) Patch retangular de microfita; (b) Patch retangular de microfita com reentrncia;
(c) Patch afilado de microfita com reentrncia e (d) Patch monopolo de microfita em S.

51

4.2 Antena patch retangular de microfita.

A. Construo
Usando-se uma massa m = 8,600 g de BiNbO4 dopado com V2O5, foi prensado
na matriz em ao ferramenta um substrato em forma de disco, sendo aplicada ao
substrato uma presso uniaxial de valor p = 333 MPa. Em seguida, a pastilha em forma
de disco foi sinterizada, atingindo uma temperatura de 890C, com degraus de 10C,
em um intervalo de tempo de 2 horas.
As dimenses do substrato aps a sinterizao so: dimetro, D = 28,8 mm;
espessura (altura), h = 2,9 mm, com geometria representada na Figura 4.3(a). Sobre
uma das faces do substrato foi metalizado um plano de terra conforme representao da
Figura 4.3(b).

D
D

r
h

(a)

(b)

Figura 4.3: (a) Substrato em forma de disco e (b) Plano de terra metalizado com cobre.

Na outra face do disco, foi metalizada uma linha de microfita com largura dada
por W0 = 1,0 mm e com comprimento L0 = 6,0 mm, que alimenta um patch condutor
retangular, cujas dimenses possuem valores iguais a: W = 21,0 mm; L = 16,0 mm [58]
[60]. Esta configurao geomtrica mostrada na Figura 4.4.

52

z
y
x
W

L0

W0

Figura 4.4: Vista superior do patch retangular de microfita.

Em seguida os conectores de alimentao foram soldados, ficando concluda a

antena patch retangular de microfita. As fotografias desta antena mostrando o patch
retangular, o plano de terra e uma vista lateral, so mostradas nas Figuras 4.5(a), 4.5(b)
e 4.5(c), respectivamente.

(a)

(b)

(c)

Figura 4.5: Fotografias da antena patch retangular de microfita mostrando: (a) o patch retangular de
microfita; (b) o plano de terra e (c) uma vista lateral.

53

B. Resultados medidos e simulados

As medidas de perda de retorno (em dB) em funo da freqncia (em MHz) da
antena patch retangular de microfita, em uma faixa de freqncias entre 1,0 GHz e 3,0
GHz, obtidas no HP 8714C so mostradas na Figura 4.6. A impedncia de entrada (em
) da antena, resultado medido no HP 8714C atravs da carta de Smith, apresentada
na Figura 4.7.

Figura 4.6: Grfico da perda de retorno em funo da freqncia da antena patch retangular de
microfita medido no HP 8714C.

Figura 4.7: Carta de Smith da antena patch retangular de microfita com indicao dos resultados
medidos no HP 8714C.

54

Visando a obteno do valor da constante de permissividade eltrica relativa do

material cermico BiNbO4 dopado com V2O5 na freqncia de ressonncia com o menor
erro percentual possvel, diversas simulaes da antena patch retangular de microfita
foram realizadas no Ansoft Designer [65], cuja interface grfica mostrada na Figura
4.8.

Figura 4.8: Interface grfica da antena patch retangular de microfita no Ansoft Designer.

O grfico da Figura 4.9 mostra o resultado do comportamento da perda de

retorno (em dB) em funo da freqncia (em GHz), numa faixa de freqncias
compreendida entre 1 GHz e 3 GHz, obtido com o menor erro relativo percentual na
freqncia de ressonncia, nas simulaes no Ansoft Designer. Este erro relativo
percentual, com valor Erel (%) = 0,8 %, correspondeu a uma permissividade eltrica
relativa do substrato cermico dada por r = 47,8 [58] [60].

Figura 4.9: Grfico da perda de retorno em funo da freqncia da antena patch retangular de
microfita simulado no Ansoft Designer com r = 47,8 .

55

Considerando o valor da constante de permissividade eltrica relativa dada por

r = 47,8 , os resultados da perda de retorno (dB) em funo da freqncia (GHz),

simulados no Ansoft Designer e medidos no HP 8714C foram traados em superposio
com o Matlab e so apresentados no grfico da Figura 4.10 [58] [60]. Da anlise do
grfico, pode-se observar uma boa concordncia entre os valores medidos e simulados.

Figura 4.10: Grfico dos valores das perdas de retorno em funo da freqncia da antena patch
retangular de microfita medidos no HP 8714C e simulados no Ansoft Designer com r = 47,8 .

A Tabela 4.1 apresenta os parmetros da antena patch retangular de microfita

medidos no HP 8714C e simulados no Ansoft Designer para r = 47,8 . Os parmetros
so: freqncia de ressonncia, fr (GHz); perda de retorno [S11(dB)]; largura de banda,
BW(MHz) e largura de banda percentual, BW(%)[58] [60],

Tabela 4.1: Parmetros da antena patch retangular de microfita.

Parmetro

HP 8714C

Ansoft Designer

fr (GHz)

2,620

2,640

S11 (dB)

-12,7

-11,4

BW (MHz)

68

100

BW (%)

2,6

3,8

56

O diagrama de radiao em trs dimenses obtido por simulao no Ansoft

Designer da antena patch retangular de microfita para r = 47,8 mostrado na Figura
4.11.

Figura 4.11: Diagrama de radiao em 3D da antena patch retangular de microfita obtido no Ansoft
Designer com r = 47,8 .

4.3 Antena patch retangular de microfita com reentrncia

A. Construo
Foi construdo um substrato dieltrico BiNbO4 dopado com V2O5 com uma
massa m = 7,800 g de BiNbO4 dopado com V2O5, sendo aplicada uma presso p = 248
MPa. A pastilha em forma de disco foi sinterizada, atingindo uma temperatura de
890C, com degraus de 10C, por um perodo de 2 horas. O valor da constante de
permissividade eltrica relativa do substrato usado foi r = 47,8 . O substrato dieltrico
em forma de disco obtido possui as seguintes dimenses: dimetro, D = 27,0 mm;
altura, h = 2,5 mm, mostrado na Figura 4.12(a) [61].

57

Em uma das faces do substrato foi metalizado o plano de terra e na outra face do
disco um patch retangular de microfita com reentrncia (inset fed), cuja geometria
apresentada na Figura 4.12(b), com dimenses dadas por: W0 = 1,0 mm; L0 = 7,3 mm;
W = 16,0 mm; L = 18,0 mm e Y0 = 1,0 mm. O intervalo de variao do comprimento da
reentrncia da linha de alimentao no patch, X0, foi de 0,0 mm X0 5,0 mm [61].

y
W

x
D
L

X0
L0
Y 0 Y0

W0
(a)

(b)

Figura 4.12: (a) Substrato com plano de terra e (b) Vista superior da antena patch retangular
de microfita com reentrncia.

A fotografia da antena patch retangular de microfita aps a introduo do

conector mostrada na Figura 4.13.

Figura 4.13: Fotografia da antena patch retangular de microfita com reentrncia.

58

A utilizao de uma insero da linha de alimentao no patch tem como meta a

otimizao da impedncia de entrada da antena (casamento de impedncias). Pode-se
determinar experimentalmente, atravs da variao do comprimento da insero da
linha de alimentao no patch, X0, o valor deste comprimento que corresponde ao
resultado mais prximo possvel entre a impedncia de entrada do conjunto linha de
microfita e patch radiante (antena) e a impedncia do sistema de transmisso (ou
recepo), denominada impedncia caracterstica, com valor Z0 = 50 .

B. Resultados medidos e simulados

Os parmetros de perda de retorno (em dB) em funo da freqncia (em GHz)
e as impedncias de entrada (em ) da antena

patch retangular de microfita com

reentrncia foram medidos no HP 8714C Network Analyzer. Foram considerados os

valores do comprimento da insero da linha de microfita (X0) ao longo do patch

variando desde X0 = 0 mm at X0 = 5,0 mm, com incremento X0 = 1,0 mm. A Figura
4.14 apresenta estes resultados traados em Matlab, no intervalo de freqncias de 2,8
GHz a 3,0 GHz. Da anlise destes resultados pode-se concluir que a menor perda de
retorno ocorre para X0 = 4,0 mm [61].

Figura 4.14: Grficos dos valores das perdas de retorno em funo da freqncia e de X0 da antena patch
retangular de microfita com reentrncia medidos no HP 8714C.

59

O resultado da impedncia de entrada obtida na carta de Smith, medido no HP

8714C, apresentado na Figura 4.15, para um intervalo de freqncias entre 1,5 GHz e
3,0 GHz. O valor desta impedncia ocorreu na situao em que o valor do comprimento
da insero da linha de microfita no patch foi X0 = 4,0 mm, que foi o melhor resultado
encontrado, para um intervalo de freqncias entre 1,5 GHz e 3,0 GHz [61].

Figura 4.15: Carta de Smith da antena patch retangular de microfita com reentrncia com indicaes dos
resultados medidos no HP 8714C para X0 = 4,0 mm.

O resultado para a parte real desta impedncia de entrada da antena possui valor
51,15 , e a parte imaginria tem valor -2,20 . O valor real da impedncia de entrada
possui um erro relativo percentual

Erel (%) = 2,4 %

com relao ao valor da

impedncia caracterstica, 50,00 , constituindo-se num resultado com boa preciso.

Usando o Ansoft HFSS [65] foram realizadas simulaes para o caso em que o
comprimento da reentrncia da linha de alimentao em microfita no patch retangular
possui a menor perda de retorno, com o melhor casamento de impedncias, encontrado
como sendo X0 = 4,0 mm para esta antena.
O simulador Ansoft HFSS permite a utilizao de substratos e caixas de radiao
de diversas formas, como por exemplo, com formatos de caixas retangulares e de
discos. Os melhores resultados determinados nas simulaes das antenas ocorreram
com substratos representados nas simulaes em forma de discos.

60

Tambm foram usadas caixas de radiao em forma de discos nestas

simulaes. A Figura 4.16 mostra a interface grfica da antena patch retangular de
microfita com reentrncia no Ansoft HFSS.

Figura 4.16: Interface grfica da antena patch retangular de microfita com reentrncia no Ansoft HFSS.

A Figura 4.17 apresenta o resultado da perda de retorno em funo da

freqncia da antena patch retangular de microfita com reentrncia, obtido no Ansoft HFSS
considerando o valor da permissividade eltrica relativa do substrato dieltrico como
sendo r = 47,8 .

Figura 4.17: Perda de retorno em funo da freqncia da antena patch retangular de microfita
com reentrncia simulada no Ansoft HFSS com r = 47,8 .

61

Os resultados de perdas de retorno em funo da freqncia da antena patch

retangular de microfita com reentrncia, medidos no HP 8714C e simulados no Ansoft
HFSS, com varredura de freqncias de 2 GHz a 3 GHz, traados juntos usando-se o
Matlab, para X0 = 4,0 mm, so mostrados na Figura 4.18 [61]. Os resultados medidos e
simulados apresentaram uma boa concordncia para a freqncia de ressonncia, com
um erro relativo percentual dado por Erel (%) = 1,3 %.

Figura 4.18: Grfico das perdas de retorno em funo da freqncia da antena patch retangular de
microfita com reentrncia, medidos no HP 8714C e simulados no Ansoft HFSS com r = 47,8 e
X0 = 4,0 mm.

A Tabela 4.2 apresenta os valores dos parmetros da antena patch retangular de

microfita com reentrncia, medidos no HP 8714C e simulados no Ansoft HFSS. Os

parmetros das antenas so: freqncia de ressonncia, fr (GHz); perda de retorno, S11
(dB); largura de banda, BW (MHz) e largura de banda percentual, BW (%) [61].

Tabela 4.2: Parmetros da antena patch retangular de microfita com reentrncia.

Parmetro

HP 8714C

Ansoft HFSS

fr (GHz)

2,903

2,865

S11 (dB)

-32,0

-19,1

BW (MHz)

80

30

BW (%)

2,8

1,1

62

4.4 Antena patch afilado de microfita com reentrncia

A. Construo
Na construo do substrato desta antena, foi usada uma massa de valor m =
7,800 g de BiNbO4 dopado com V2O5, com a aplicao de uma presso p = 248 MPa e
condies de sinterizao tal que foi atingida uma temperatura de 890C, com degraus
de 10C, durante um intervalo de tempo de 2 horas. O substrato em forma de disco
obtido tem dimenses dadas por D = 27,0 mm e h = 2,5 mm, cuja geometria
apresentada na Figura 4.19(a).
Para a confeco da antena patch afilado de microfita com reentrncia, foi
metalizado um patch afilado (trapezoidal), alimentado por uma linha de microfita com
reentrncia ao longo do seu comprimento, cuja geometria mostrada na Figura 4.19(b).
As dimenses possuem valores dados por: W0 = 1,0 mm; L0 = 6,0 mm; W1 = 15,0 mm;
W2 = 14,0 mm; L = 15,0 mm e Y0 = 1,0 mm [62]. O intervalo de variao do
comprimento da reentrncia da linha de alimentao no patch, X0, foi de 0,0 mm
X0 6,0 mm.

W1

z
y

W2
D

x
L

h
X0

L0

Y0 Y0

W0
(a)

(b)

Figura 4.19: (a) Substrato com plano de terra e (b) Vista superior do patch afilado de microfita
com reentrncia.

63

A fotografia da antena patch afilado de microfita com reentrncia aps a

metalizao dos condutores e a soldagem do conector mostrada na Figura 4.20.

Figura 4.20: Fotografia da antena patch afilado de microfita com reentrncia.

B. Resultados medidos e simulados

Na medio dos parmetros de perda de retorno (em dB) em funo da
freqncia (em MHz) e das impedncias de entrada (em ) da antena patch afilado de
microfita com reentrncia foi usado o HP 8714C Network Analyzer.

Com a variao do comprimento da reentrncia da linha de alimentao no

patch, X0, podemos determinar o valor deste comprimento que corresponde ao
resultado mais prximo possvel entre a impedncia de entrada da antena e a
impedncia caracterstica (Z0 = 50 ). Foram considerados os valores do comprimento
da insero da linha de microfita (X0) ao longo do patch variando desde 0,0 mm at
6,0 mm, com incremento X0 = 1,0 mm.
A Figura 4.21 mostra os resultados das medies de perda de retorno em funo
da freqncia da antena patch afilado de microfita com reentrncia, com varredura de
freqncias de 2,0 GHz a 3,0 GHz, considerando 0,0 mm X0 6,0 mm [62].

64

Figura 4.21: Grfico dos valores das perdas de retorno em funo da freqncia e de X0 da antena patch
afilado de microfita com reentrncia medidos no HP 8714C.

Com estes resultados, verificamos que a menor perda de retorno ocorre para o
valor do comprimento de reentrncia da linha de microfita no patch (inset fed) de valor
X0 = 3,0 mm. A carta de Smith desta para X0 = 3,0 mm, numa faixa de freqncias de
1.500 MHz a 3.000 MHz, mostrada na Figura 4.22 [62].

Figura 4.22: Carta de Smith da antena patch afilado de microfita com reentrncia com indicaes dos
resultados medidos no HP 8714C para X0 = 3,0 mm.

65

O resultado para a parte real desta impedncia de entrada da antena patch afilado
de microfita com reentrncia teve valor 45,37 , e a parte imaginria possui valor -73,02

m. O valor real da impedncia possui um erro relativo percentual de Erel (%) = 9,8 %
com relao ao valor ideal de impedncia caracterstica 50,00 , que um resultado
com boa preciso, considerando que o patch afilado possui uma maior complexidade
geomtrica com relao ao patch retangular da antena patch retangular de microfita.
A variao do comprimento da insero da linha de alimentao no patch, X0,
com incrementos de X0 =1,0 mm, permitiu a obteno de uma impedncia de entrada
da antena bem prxima do valor pretendido, o da impedncia caracterstica (Z0 = 50 ).
As simulaes realizadas no Ansoft HFSS consideraram a situao em que o
comprimento da reentrncia da linha de alimentao em microfita no patch afilado
possui a menor perda de retorno, com o melhor casamento de impedncias, encontrado
como X0 = 3,0 mm, cuja interface grfica mostrada na Figura 4.23.

Figura 4.23: Interface grfica da antena patch afilado de microfita com reentrncia no Ansoft
HFSS.

O resultado da perda de retorno em funo da freqncia obtido no Ansoft

HFSS, numa faixa de freqncias entre 1,5 GHz e 3,0 GHz, para a antena patch afilado
de microfita com reentrncia apresentado no grfico da Figura 4.24. O valor da
permissividade eltrica relativa usado nas simulaes foi r = 47,8 [62].

66

Figura 4.24: Grfico de perda de retorno em funo da freqncia da antena patch afilado de microfita
com reentrncia simulado no Ansoft HFSS com r = 47,8 .

Usando uma varredura de freqncias de 2 GHz a 3 GHz, so apresentados, na

Figura 4.25, os resultados de perdas de retorno em funo da freqncia da antena
patch retangular de microfita com reentrncia, medidos no HP 8714C e simulados no
Ansoft HFSS, traados com Matlab. Os resultados medidos e simulados apresentaram
uma boa concordncia para a freqncia de ressonncia, com um erro relativo
percentual dado por Erel (%) = 5,2 % [62].

Figura 4.25: Grfico dos valores medidos no HP 8714C e simulados no Ansoft HFSS das perdas de
retorno em funo da freqncia da antena patch afilado de microfita com reentrncia para X0 = 3,0 mm.

67

A Tabela 4.3 apresenta os valores dos parmetros dos parmetros da antena

patch afilado de microfita com reentrncia, medidos e simulados: freqncia de

ressonncia, fr (GHz); perda de retorno, S11 (dB); largura de banda, BW (MHz) e

largura de banda percentual, BW (%) [62].
Tabela 4.3: Parmetros da antena patch afilado de microfita com reentrncia.

Parmetro

HP 8714C

Ansoft HFSS

fr (GHz)

2,550

2,690

S11 (dB)

-29,6

-24,7

BW (MHz)

170

48

BW (%)

6,8

1,8

4.5 Antena patch monopolo em S de microfita

A. Construo
Na confeco do substrato cermico obtido com o BiNbO4 dopado com V2O5
usado na antena patch monopolo em S de microfita foi utilizada uma massa com valor
m = 3,450 g, sendo aplicada uma presso p = 166 MPa. A sinterizao foi realizada
com temperatura final de 890 C, com degraus de 10 C, em um intervalo de tempo de
2 horas.
O substrato resultante possui forma de disco de dimetro D = 26,0 mm e
espessura (altura) h = 1,0 mm, cuja geometria apresentada na Figura 4.26 (a). Sobre
uma das faces do substrato foi impresso com cobre um plano de terra truncado com
dimenso dada por Lg = 16,0 mm, com a geometria mostrada na Figura 4.26(b) [63]
[64].

68

D
D
Lg
r
h

(a)

(b)

Figura 4.26: Geometria da antena patch monopolo em S de microfita: (a) substrato dieltrico e
(b) plano de terra truncado.

Na outra face do disco dieltrico foi impresso um patch em S alimentado por

uma linha de microfita, cuja geometria

representada na Figura 4.27 [27]. As

dimenses so dadas por: L0 = 7,0 mm; L1 = 8,0 mm; L2 = 4,0 mm; L3 = 0,8 mm; L4 =
1,8 mm; W0 = 2,0 mm; W 1 = 1,0 mm; W2 = 3,0 mm; W3 = 1,6mm; W4 = 5,0 mm [63]
[64].

.
Figura 4.27: Vista superior do patch em S de microfita.

69

As Figuras 4.28(a) e 4.28(b) apresentam as fotografias da antena patch

monopolo em S de microfita, mostrando respectivamente o plano de terra truncado e o
patch em S de microfita.

(a)

(b)

Figura 4.28: (a) Fotografia do patch em S e (b) Fotografia do plano de terra truncado.

B. Resultados medidos e simulados

Foram realizadas simulaes no Ansoft HFSS e medies de perda de retorno
em funo da freqncia da antena patch monopolo de microfita em forma de S (SShaped) no Rohde & Schwarz FSH6, com varredura de freqncias at 6 GHz. O valor
da permissividade eltrica relativa usada nas simulaes foi r = 47,8 . A interface
grfica da antena patch monopolo em S de microfita no Ansoft HFSS mostrada na
Figura 4.29.

70

Figura 4.29 Interface grfica da antena patch monopolo em S de microfita no Ansoft HFSS.

O grfico do comportamento da perda de retorno em funo da freqncia

obtido neste simulador, num intervalo de freqncias entre 1 GHz e 6 GHz, para a
antena patch de microfita monopolo em S, apresentado na Figura 4.30.

Figura 4.30: Grfico de perda de retorno em funo da freqncia da antena patch monopolo em S de
microfita no Ansoft HFSS com r = 47,8 .

71

A Figura 4.31 mostra o comportamento da perda de retorno em funo da

freqncia entre 1,0 GHz e 3,5 GHz, simulado e medido, da antena patch monopolo de
microfita em forma de S. O erro relativo percentual na freqncia de ressonncia foi de
Erel (%) = 4,3% [63] [64].

Figura 4.31: Grfico do comportamento da perda de retorno em funo da freqncia da antena patch
monopolo em S de microfita medido no Rohde & Schwarz FSH6 e simulado no Ansoft HFSS com
r = 47,8 .

A Tabela 4.4 mostra os valores simulados e medidos dos parmetros da antena

patch monopolo em S de microfita: freqncia de ressonncia, fr (GHz); perda de
retorno, S11 (dB); largura de banda, BW (MHz) e largura de banda percentual, BW
(%)[63] [64].
Tabela 4.4: Parmetros da antena patch monopolo em S de microfita.

Parmetro

Rohde & Schwarz FSH6

Ansoft HFSS

fr (GHz)

2,817

2,944

S11 (dB)

-14,7

-19,5

BW (MHz)

100

35

BW (%)

3,6

1,2

72

A Figura 4.32 mostra o diagrama de radiao em trs dimenses da antena

patch monopolo em S de microfita, obtido por simulao no Ansoft HFSS
para r = 47,8 .

Figura 4.32: Diagrama de radiao em 3D obtido no Ansoft HFSS da antena patch monopolo em S de
microfita com r = 47,8 .

4.6 Concluso
Neste captulo, foram apresentados o projeto, a construo, a simulao e a
medio de parmetros de quatro antenas patch de microfita construdas em substratos
cermicos em forma de discos, usando o niobato de bismuto dopado com pentxido de
vandio. Os resultados obtidos nas simulaes e nas medies apresentaram uma boa
concordncia. As antenas apresentaram freqncias de operao em de microondas, na
banda S, numa faixa compreendida entre 2,5 GHz e 3,0 GHz.

73

CAPTULO 5
CONCLUSO

Neste trabalho, foram realizados o projeto, a construo, as simulaes e

medies de parmetros de antenas patch de microfita usando o material cermico
niobato de bismuto (BiNbO4) dopado com pentxido de vandio (V2O5). Os resultados
foram considerados adequados em relao concordncia entre os valores dos
parmetros medidos e simulados para estas antenas.
A vantagem da utilizao do niobato de bismuto que este material possui uma
alta permissividade eltrica relativa, r , com valores compreendidos entre 40 e 50,
com valor mdio dado por r 45,0 . Exibe tambm um alto fator de qualidade
( Q > 1000 ) e um baixo valor do coeficiente de temperatura na freqncia de
ressonncia ( f 50 ppm / C ), permitindo aplicaes em diversos dispositivos de
microondas.
Alm disso, o substrato cermico BiNbO4 possui uma temperatura de
sinterizao em torno de 900C, inferior temperatura de sinterizao de outros
materiais cermicos usados em dispositivos de microondas, classificando essa cermica
na tecnologia LTCC (Low Temperature Co-Fired Ceramics), ou cermicas com baixa
temperatura de calcinao. A LTCC uma plataforma de tecnologia multicamadas que
usada atualmente na fabricao de componentes, mdulos e dispositivos utilizados em
comunicaes sem fio, nas reas militar, mdica e automotiva, dentre outras. A LTCC
permite a integrao, em um mesmo dispositivo, de elementos passivos como filtros e
antenas, para operao em freqncias de microondas

e ondas milimtricas. Os

maiores benefcios da tecnologia LTCC so as baixas perdas nos condutores e nos

dieltricos, uma boa condutividade trmica, possui estabilidade e hermeticidade, como
tambm um baixo custo.
A utilizao do mtodo de co-precipitao na obteno do BiNbO4 dopado com
xido de vandio (V2O5), usada neste trabalho, apresentou a vantagem de formar as
fases da amostras em uma temperatura de sinterizao mais baixa, quando comparada
com as temperaturas de outros materiais cermicos.

74

A reduo no valor da temperatura de sinterizao ocorreu devido utilizao

do xido de vandio (V2O5) como fundente, contribuindo de maneira decisiva no
sucesso da obteno do substrato. Esta diminuio na temperatura de sinterizao
permite a aplicao de eletrodos constitudos por prata, cobre ou ouro, que foram
utilizados nas antenas de microondas.
A caracterizao do p BiNbO4 dopado com V2O5 atravs da difrao de raios
X foi realizada com sucesso. O espectro de raios X da amostra na forma pulverizada foi
caracterstico de fases BiNbO4 no apresentando quaisquer fases esprias.
O refinamento Rietveld do difratograma de raios X revelou a presena de dois
subespectros referentes formao de duas fases com estequiometria BiNbO4: uma
referente a fase com estrutura ortorrmbica alfa-BiNbO4 e a outra referente estrutura
triclnica do beta-BiNbO4.
No projeto dos substratos dieltricos usando o BiNbO4 foram realizadas
simulaes em softwares livres, no Ansoft Designer, no Ansoft HFSS e em Matlab,
visando otimizao de todas as antenas patch de microfita metalizadas sobre este
material cermico de alta permissividade eltrica.
As medies dos parmetros das antenas foram realizadas em dois analisadores
de redes: o HP 8714C Network Analyzer e no Rohde & Schwarz FSH6 Spectrum
Analyzer. A validao dos resultados das medies dos parmetros das antenas patch
de microfita tambm foram realizadas atravs de simulaes no Ansoft Designer e no
Ansoft HFSS.
As antenas patch de microfita propostas foram projetadas para operar em
freqncias em microondas na banda S, sendo obtidos resultados com freqncias entre
2,5 GHz e 3,0 GHz, para aplicaes em comunicaes sem fio.
O valor da permissividade eltrica relativa do material cermico BiNbO4 dopado
V2O5 obtido atravs de simulaes e medies foi r = 47,8 . Este valor est na faixa
especificada na literatura, com valores entre 40,0 e 50,0 ( 40,0 r 50,0) .
As quatro antenas construdas apresentaram resultados medidos e simulados
para a freqncia de ressonncia com boa concordncia. Os valores dos erros relativos
percentuais aumentaram de acordo com o aumento da complexidade geomtrica da
estrutura investigada, confirmando o que era esperado.

75

A estrutura geomtrica do patch e os respectivos erros percentuais na freqncia

de ressonncia foram, para as quatro antenas analisadas, respectivamente iguais a:
(i)

Patch retangular de microfita, Erel (%) = 0,8 %;

(ii)

Patch retangular de microfita com reentrncia, Erel (%) = 1,3 %;

(iii)

Patch afilado de microfita com reentrnccia, Erel (%) = 5,2 %;

(iv)

Patch monopolo de microfita em forma de S, Erel (%) = 4,3 %.

As antenas com reentrncias da linha de alimentao em microfita no patch

(inset fed), apresentaram impedncias de entrada com erros percentuais relativos com
relao impedncia caracterstica (Z0 = 50 ), dados por: Erel (%) = 2,4 %, para a
antena 2 (patch retangular) e Erel (%) = 9,8 % para a antena 3 (patch afilado) .
Estes resultados mostraram uma boa preciso e tambm confirmaram a
eficincia do mtodo de aproximao da impedncia de entrada da antena com a
impedncia caracterstica Z0, atravs da variao do comprimento da insero (X0) da
linha de alimentao em microfita no patch (casamento de impedncias). A propriedade
do material cermico antiferroeltrico BiNbO4 de possuir um elevado valor da
permissividade eltrica relativa permite uma reduo nas dimenses das antenas de
microfita.
Este trabalho representa uma inovao tecnolgica no mbito da utilizao de
novos materiais na construo de antenas eletricamente curtas, como as antenas patch
de microfita, utilizando materiais cermicos de alta permissividade eltrica. Os
procedimentos gerais podem ser estendidos a outros materiais cermicos e outras
configuraes de antenas, incluindo os compostos de ferritas e metamateriais,
respeitando as suas caractersticas especiais.
Outros dispositivos de microondas, como antenas de ressoadores dieltricos,
capacitores, filtros e superfcies seletivas de freqncias, dentre outros, podem ser
projetados e construdos, seguindo a mesma metodologia.
Este trabalho foi completamente desenvolvido na Universidade Federal do Rio
Grande do Norte (UFRN), com a participao de professores, pesquisadores e alunos
(cursos de graduao e de ps-graduao) dos departamentos: (1) Departamento de
Engenharia Eltrica - Centro de Tecnologia (DEE CT). (2) Departamento de Fsica
Terica e Experimental Centro de Cincias Exatas e da Terra (DFTE CCET); (3)
Departamento de Qumica - Centro de Cincias Exatas e da Terra (DQ CCET).

76

A interao de vrios professores e pesquisadores de departamentos desta

instituio, com o objetivo de iniciar e dar continuidade a este trabalho, mostrou que
possvel usar a interdisciplinaridade na pesquisa para proporcionar o progresso na
cincia e tecnologia do nosso pas.

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