Fsica de semiconductores

Actividad 2

Cesar Otlora
C.C 94529351

Grupo 299002_5

Tutor: Nstor Javier Rodrguez

Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD

29 de mayo 2016
Cali- valle

INTRODUCCION

INTRODUCCIN

En el siguiente trabajo se realizara una descripcin de los dispositivos

semiconductores, unipolares, bipolares, potencia, cuanto a la conduccin de
corriente o voltaje.Sin lugar a dudas, el estudio de las propiedades fsicas de los
materiales semiconductores y sus sorprendentes aplicaciones en el desarrollo
tcnico de dispositivos elctricos, representan una de las revoluciones cientficotecnolgicas de mayor impacto sobre nuestra sociedad. Para tener una idea de la
real magnitud de esta revolucin pensemos por un momento en los transistores,
probablemente la aplicacin tecnolgica ms importante de los semiconductores.
Estn en el televisor, en el equipo de msica, en la mquina de lavar, en el reloj de
en el telfono celular. Un computador personal puede llegar a tener algunos miles
de millones de transistores.

OBJETIVOS

Estudiar la evolucin y el funcionamiento del transistor, la forma en que operan en

los diferentes equipos electrnicos que los utilizan.
Estudiar mediante la simulacin de circuitos electrnicos las diferentes variantes
que nos permiten realizar en el momento de elaborar un circuito

TIPOS DE TRANSISTORES TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN, BJT. (PNP o

NPN )
BJT, de transistor bipolar de unin (del ingls, Bipolar Junction Transistor). El
trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan
en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (JFET, MESFET, MOSFET)
- JFET, De efecto de campo de unin (JFET): Tambin llamado transistor
unipolar, fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma
una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales
de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de
efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.
En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden
dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre
s, se producir una puerta.
A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro ordenador. Aplicando
tensin positiva entre el ordenador y el surtidor y conectando a puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de
ordenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que
llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.
- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En
estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una
dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando
como una puerta, un electrodo de metal.
TRANSISTORES HBT y HEMT.
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar
Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electrn Mobility Transistor

(De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la

combinacin de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

Un transistor de unin bipolar es un apilamiento de materiales semiconductores en

secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden distinguir tres zonas:
Emisor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones.
Base: controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se
hace muy delgada (del orden de 10-3 cm de espesor) y se dopa, de forma
que solo una pequea fraccin de los portadores que viene del emisor se
combinar con los portadores mayoritarios de la base con carga opuesta.
Colector: recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la zona
del colector es del tipo n, recoge electrones.

ESTRUCTURA FSICA
A diferencia de los diodos, los transistores son dispositivos semiconductores de
tres terminales. El principio bsico de su operacin es la posibilidad de

controlar, mediante la tensin entre dos de esos terminales, la intensidad que

para a travs del tercero. Esta circunstancia se puede utilizar para generar
fuentes de intensidad controladas por tensin, base del funcionamiento de los
amplificadores de seal. Adems, se pueden utilizar para regular el paso o no
de corriente, es decir, como un conmutador real. Desde este punto de vista, su
funcionamiento es bsico en circuitos digitales.
Un transistor bipolar de unin es un dispositivo semiconductor compuesto por
tres regiones, como es Cada una de las tres regiones se obtiene dopando con
impurezas adecuadas (aceptoras o dadoras) un substrato de material
semiconductor intrnseco. El dopado de la regin de emisor (n) es superior al
de la regin de colector, y del mismo tipo. La base tambin se encuentra
dbilmente dopada con impurezas de tipo p. La anchura de esta regin de base
es reducida.

ESTA SELECIONADA

Se puede escoger el mismo elemento, pero los ejemplos de cada estudiante

deben ser diferentes. Cada estudiante debe analizar y presentar ventajas y
desventajas de la propuesta de sus compaeros.
electrnica de potencia, proponiendo un ejemplo simulado de cada uno.

El transistor PN2222A

El arreglo que se realiz en la simulacin se llama emisor comn y gracias al

arreglo de los resistores el transistor PN2222A est en la zona del trabajo de
amplificacin realizando una multiplicacin de una constante beta (ganancia)
por la seal de entrada. Esta accin consigue que la seal de entrada con dos
milivoltios de pico se transforme en una seal de salida con aproximadamente
300 milivoltios a la misma frecuencia de la seal de entrada, lo que indica que
la ganancia es aproximadamente 150 milivoltios.
En el circuito amplificador, la polarizacin del transistor se consigue dividiendo
la tensin formada por la resistencia R1 y R2 con el crculo en reposo (Sin V e),
podemos saber si el crculo funciona midiendo las tensiones de polarizacin y
las intensidades de base, de emisor y de colector (Hay que recordar que Ie = Ib
+ Ic)
Al amplificar una seal alterna en la entrada, estamos modificando la tensin
de base - emisor del circuito, por consiguiente la intensidad de la base
depende de la conduccin del transistor.
Suponiendo que en la entrada aparezca el semiciclo positivo de una seal
alterna. A travs del condensador de acople C1, se elevar la tensin de la
base y por tanto, la base - emisor. Esto hace que aumente la intensidad de la
base y se reduzca la barrera entre el emisor y el colector. El resultado es que el
transistor conduzca ms (aumenta la Ic), aumenta la VR c y decrete entre
colector y emisor (por tanto tambin decrece entre colector y masa).
La tensin de colector que antes era constante, ha disminuido y el
condensador de desacoplo C2 transmitiendo a la salida el descenso de Ve

como el semiciclo negativo, igual que en el de entrada. A travs de C1 la

tensin de base disminuir, por tanto, la tensin V b-e, con lo que tambin lo
har la I b. De esta forma crece la barrera entre base y colector y el transistor
conducir menos.
As aumenta la V e y al haber menos corriente, baja la tensin en Rl. El efecto
ese que la tensin de colector sube.
El condensador de emisin se utiliza para estabilizar la tensin de emisor V e.
Con las variaciones de corriente de colector se producen variaciones de tensin
en Re, en colector emisor y en la resistencia del emisor. Esta ltima nos
interesa mantenerla estable para que esta polarizacin contine como si
estuviera en estado de reposo, en el que la polarizacin del transistor es
estable. El condensador C mantiene la polarizacin de emisor constante y evita
la distorsin producida por la misma tensin alterna de entrada.

CONCLUSIONES

De igual manera se trat el tema del transistor dentro de los que se destacan
los bipolares como los NPN y PNP, cada uno de ellos consta de un emisor,
colector y base y son utilizados como amplificadores, conmutadores, en
sistemas digitales y como adaptadores de impedancia.

Un semiconductor tipo N contiene impurezas donadoras y electrones libres.

Un semiconductor tipo P esta formado por tomos aceptores y por huecos

faltantes de Electrones.

Los tipos de aislantes son dos: Elctricos y Trmicos

Referencias Bibliogrficas
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Laser
TELLEZ, A. Freddy R. Mdulo de Fsica Electrnica. Universidad Nacional Abierta
y a Distancia. 2008
http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/tip_diod.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Gunn