HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

La memoria RAM , es un tipo de memoria temporal que pierden sus datos cuando
se quedan sin energa. Se utiliza generalmente para almacenar temporalmente
datos, y es muy rpida, miles de veces ms que el disco duro.

La memoria de ncleo magntico, desarrollada entre 1949 y 1952. Esa

memoria requera que cada bit estuviera almacenado en un toroide de
material ferromagntico de algunos milmetros de dimetro, lo que resultaba
en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequea.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en

semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64
bits de memoria

En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin y se

convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplicacin en tiempo
de la direcciones de memoria. MOSTEK lanz la referencia MK4096 de 4

En 1981, Aparece el procesador Intel 8088, entonces tanto las memorias

como los micros utilizaban un encapsulado.

En 1982, aparece el procesador Intel 80286 y con un tipo de memoria con

un encapsulado. En esta te encuentras con una placa con unos circuitos
integrados acoplados que se inserta sobre la placa base gracias a unos
conectores parecidos a un peine.

En 1983, se usa el encapsulado SIMM, donde el conector en forma de

peine se cambia por otro ms parecido al actual y por lo tanto ms
resistente.

En 1993, se cambia otra vez el empaquetado. los conectores estn

separados. Se pasa de 32 bits de datos a 64.

La tecnologa usada es la SDRAM, acrnimo de Synchronous Dynamic RandomAccess Memory, mejora la eficiencia de acceso a los bancos de memoria gracias
al uso de sincronismo lo que a la larga da mayor velocidad.

SDR SDRAM. Acrnimo de Single Data Rate. Es capaz de leer los 64 bits de
memoria por ciclo de reloj por los dos o tres que necesitaban las anteriores
generaciones.
DDR SDRAM. Acrnimo de Double Data Rate. Como su propio nombre indica
dobla la capacidad de transmitir palabras por ciclo de reloj. En su contra esta que
se tarda algo ms en acceder a la primera. Esto no es un problema ya que la
frecuencia aumenta y por tanto este nmero disminuye. Se dice que se aumenta
su ancho de banda pero se aumenta a la vez la latencia.
DDR2 SDRAM. Vuelve a doblar la capacidad de transmitir informacin. Es capaz
de leer o escribir cuatro palabras en un solo ciclo de reloj. Empeora la latencia.
DDR3 SDRAM. Lo has acertado, es capaz de escribir hasta ocho palabras. En
cada una de las distintas versiones de DDR se cambia la conexin para impedir
que acabemos insertando la que no es. Como ocurri anteriormente se empeora
la latencia o tiempo de espera hasta que llega el primer dato.
DDR4 SDRAM. Aparecer en PCs en 2015, y promete sobre todo una reduccin
en consumo. En este caso no se dobla el ancho de banda pero se espera que al
funcionar a frecuencias ms altas acaben siendo mucho ms rpidas que las
DDR3.
FPM-RAM
Aparece actualmente con dos
velocidades de acceso, 60
nanosegundos los ms rpidos y 70
nanosegundos las ms lentas.
Velocidad de transferencia: 200
MB/s

EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona
de la Fast Page; permite empezar a
introducir nuevos datos mientras los
anteriores estn saliendo, lo que la hace
algo ms rpida (un 5%, ms o menos).

Velocidad de transferencia: 320 MB/s

BEDO-RAM
Fue la evolucin de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue
presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba
generadores internos de direcciones y acceda a ms de
una posicin de memoria en cada ciclo de reloj, de
manera que lograba un desempeo, de un
50% mejor que la EDO.