Ingeniero: Ignacio Hernndez Delgado

SENSOR DE BARRERA

Gabriel Luis Yllescas Tlapaya, Jess Rosas Martnez, Claudia Ingrid Snchez Rodrguez,
Martha Lizzet Prez rojas

Hidrulica y neumtica 2 I

Contenido
INTRODUCCIN:.................................................................................................. 0
OBJETIVO:........................................................................................................... 0
DESARROLLO:..................................................................................................... 0
DETALLE DE LOS MATERIALES UTILIZADOS........................................................0
CONCLUSION:..................................................................................................... 4

INTRODUCCIN:
Los sensores de barrera son uno de los dispositivos ms reconocidos e
importantes dentro de la seguridad electrnica, que tanto ha apostado por, sobre
todo, dos aspectos fundamentales: el tamao y la funcionalidad de cada uno de
los equipos que usan durante el proceso. Y es que los sensores de movimiento
que podemos ver, por ejemplo, encima de las entradas y salidas de
establecimientos pblicos que se activan con slo la movilidad especfica de los
sujetos.

Pero los sensores tambin estn siendo adaptados a todo tipo de

electrodomsticos, haciendo mucho ms eficaz los niveles de proteccin o de
vigilancia a los que un recinto puede llegar. Se ven sensores de movimiento ya
instalados en algunas lmparas corrientes
OBJETIVO:

Desarrollar un sistema de sensor de barrera que har que dispositivo electrnico

responda al cambio en la intensidad de la luz. Requiriendo as de un componente
emisor que genera la luz, y un componente receptor que percibe la luz generada
por el emisor. , con lo anterior, poder iluminar un lugar especfico cuando se
genere una barrera y detecte que la luz es necesaria

DESARROLLO:
Con una problemtica real y bastante comn , como lo es que al llegar el
ocaso , la iluminacin solar va en declive y necesario hacer uso de la artificial, ya
sea para alumbrar, el pasillo, la recepcin , o cualquier otro lugar deseado , en
base a ello se ha decidido idear una solucin a tal inconveniente ; hacer el
prototipo fsico y para ello, nos hemos auxiliado de distintos elementos como
(Resistencia,LED,LDR , Resistencia dependiente de la luz , Fotorresistencia,
Transistor 2N2222 ) que ms a delante se detallara su funcin , una vez
comprobado en un protoboard fue llevado a una maqueta de un sencillo chalet en
el cual ahora ya se podr ejemplificar mejor la solucin , como pasa en el sistema
de iluminacin pblica en algunos zcalos, cuando el sensor fotoresesivo detecte
la luz , automticamente las luces se apagaran y cuando est ausente la fachada
del chalet quedara iluminada
DETALLE DE LOS MATERIALES UTILIZADOS
Resistencia:
Propiedad de un objeto o sustancia que hace que se resista u oponga al paso de
una corriente elctrica. La resistencia de un circuito elctrico determina segn la
llamada ley de Ohm cunta corriente fluye en el circuito cuando se le aplica un
voltaje determinado. La unidad de resistencia es el ohmio, que es la resistencia de
un conductor si es recorrido por una corriente de un amperio cuando se le aplica
una tensin de 1 voltio. La abreviatura habitual para la resistencia elctrica es R, y
el smbolo del ohmio es la letra griega omega, . En algunos clculos elctricos se
emplea el inverso de la resistencia, 1/R, que se denomina conductancia y se
representa por G. La unidad de conductancia es siemens, cuyo smbolo es S. An
puede encontrarse en ciertas obras la denominacin antigua de esta unidad, mho.

La resistencia de un conductor viene determinada por una propiedad de la

sustancia que lo compone, conocida como conductividad, por la longitud por la
superficie transversal del objeto, as como por la temperatura. A una temperatura

dada, la resistencia es proporcional a la longitud del conductor e inversamente

proporcional a su conductividad y a su superficie transversal. Generalmente, la
resistencia de un material aumenta cuando crece la temperatura.

El trmino resistencia tambin se emplea cuando se obstaculiza el flujo de un

fluido o el flujo de calor. El rozamiento crea resistencia al flujo de fluido en una
tubera, y el aislamiento proporciona una resistencia trmica que reduce el flujo de
calor desde una temperatura ms alta a una ms baja

El LED, acrnimo de Light Emitting Diode, o diodo emisor de luz de estado slido
(solid state), constituye un tipo especial de semiconductor, cuya caracterstica
principal es convertir en luz la corriente elctrica de bajo voltaje que atraviesa su
chip. Desde el punto de vista fsico un LED comn se presenta como un bulbo
miniaturizado, carente de filamento o de cualquier otro tipo de elemento o material
peligroso, con la ventaja sobre otras tecnologas que no contamina el medio
ambiente.

LED: (Ligh Emitting Diode Diodo emisor de luz) ms comn de. Color rojo.
Constituye un elemento semiconductor cuya caracterstica principal es producir
luz visible cuando la corriente elctrica. Que atraviesa el chip lo polariza
directamente.
En sus inicios el principal uso del primer diodo LED de luz visible de color rojo que
se comercializ estuvo limitado a indicar solamente si un equipo o aparato
elctrico o electrnico se encontraba conectado a la fuente de suministro de
corriente elctrica, o en funcionamiento. Posteriormente este diodo comenz a
formar parte tambin de paneles informativos, aunque en sus inicios su uso estuvo
muy limitado a otras aplicaciones prcticas debido a la escasa variedad de colores
disponibles y su baja eficiencia lumnica.

LDR - Resistencia dependiente de la luz - Fotorresistencia

El LDR (Light Dependen Resistor) o resistencia dependiente de la luz o tambin
fotoclula, es una resistencia que vara su resistencia en funcin de la luz que
incide sobre su superficie. Cuanto mayor sea la intensidad de la luz que incide en
la superficie del LDR menor ser su resistencia y cuanto menos luz incida mayor
ser su resistencia.
Material de Fabricacin
Los materiales fotosensibles ms utilizados para la fabricacin de las resistencias
LDR son, el sulfuro de talio, el sulfuro de cadmio, el sulfuro de plomo, y el
seleniuro de cadmio.
Funcionamiento
Cuando la LDR no est expuesta a radiaciones luminosas los electrones estn
firmemente unidos en los tomos que la conforman pero cuando sobre ella inciden
radiaciones luminosas esta energa libera electrones con lo cual el material se
hace ms conductor, y de esta manera disminuye su resistencia.
Las resistencias LDR solamente reducen su resistencia con una radiacin
luminosa situada dentro de una determinada banda de longitudes de onda. Las
construidas con sulfuro de cadmio son sensibles a todas las radiaciones luminosas
visibles, las construidas con sulfuro de plomo solamente son sensibles a las
radiaciones infrarrojas.
Valor hmico
Si medimos entre sus extremos nos encontraremos que pueden llegar a medir en
la oscuridad valores cercanos al Mega Ohm (1M) y expuestas a la luz
mediremos valores en el entorno de los 100 .
Tiempo de respuesta
El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de la dcima de
segundo.
Aplicaciones
Se emplean en iluminacin, apagado y encendido de alumbrado (interruptores
crepusculares), en alarmas, en cmaras fotogrficas, en medidores de luz. Las de

la gama infrarroja en control de mquinas y procesos de contaje y deteccin de

objetos.

Transistor 2N2222
Componente electrnico utilizado en equipos de amplificacin y otras aplicaciones.
Transistor 2N2222. Es un transistor de silicio y baja potencia, diseado para
aplicaciones de amplificacin lineal y conmutacin. Uno de sus principales
fabricantes es la Philips Semiconductores. Identificado tambin como PN2222 por
otros fabricantes.
Descripcin
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido
mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de
amplificacin lineal y conmutacin. Puede amplificar pequeas corrientes a
tensiones pequeas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es
fabricado en diferentes formatos, los ms comunes son los TO-92,TO-18,SOT-23,
y SOT-223.

Principales caractersticas
Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
Corriente de colector constante 800mA (Ic)
Potencia total disipada 500mW (Pd)
Ganancia o hfe 35 mnima
Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
Encapsulado de metal TO-18
Estructura NPN
Su complementario PNP es el Transistor 2N2907

Aplicaciones
Transmisores

Amplificadores de HF y VHF
Radiofrecuencia
Aplicaciones de conmutacin

CONCLUSION: