Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de

3 terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal.

El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en
electrnica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de
manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe
desgaste por partes mviles).
Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no
lineales.

Efecto transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna

puede variar en funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia
provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que
est conectado.
Transistor bipolar NPN
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que
sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones.
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea
transistor).
2.- El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy
poco dopado y es mucho mayor.
Constitucin interna de un BJT

Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos

en sentido opuesto. (Emisor, Base y Colector)
En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
La unin correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la
Base- Colector en inversa. As, por la unin Base-Colector circula una
corriente inversa.
En npn, la regin de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar
la unin Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los
electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho
menor nmero de huecos, por lo que son atrados por el colector (con
alta concentracin de impurezas).

Transistor bipolar npn

Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en
un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las
tres zonas mencionadas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base.
En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
Unin emisor: es la unin pn entre la base y el emisor.
Unin colector: es la unin pn entre la base y colector.

Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La

base 100 veces menos que el colector o emisor.
La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor
el colector.

Transistor bipolar pnp

El BJT pnp est formado tambin por un cristal semiconductor con tres
regiones definidas por el tipo de impurezas.
Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del npn.
Las corrientes fluyen en sentido contrario al del npn.
Por lo dems, este dispositivo es similar al npn.
El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El
exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base van a parar al
colector.

Configuraciones del BJT

Aunque el transistor posea nicamente tres terminales, se puede realizar su
estudio como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno
de sus terminales es comn a la entrada y salida: Base Comn. Emisor Comn.
Colector Comn.

Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea; Rs muy grande.

Colector comn (CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequea.
Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea; Rs grande.

El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal.

El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que ataca
a una carga de alta resistencia.
El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una
carga de bajo valor.

Caractersticas de un transistor NPN

Zona de saturacin: comportamiento como interruptor cerrado.

Zona activa: comportamiento como fuente de corriente.
Zona de corte: comportamiento como interruptor abierto.
Zona de transistor inverso: emisor y colector intercambias papeles.
Podemos tener una B inversa , que en el dispositivo ideal
consideraremos cero

Funcionamiento bsico BJT npn

 En el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unin Base- Emisor,

e inversamente la unin Base-Colector.
Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6 voltios (polarizacin directa), y Vce>Vbe
(unin base-colector en inversa).
La corriente de emisor es aquella que pasa por la unin base-emisor
polarizada en directa y depende de Vbe al igual que en un diodo pn.

Configuracin del BJT en emisor comn curvas, caractersticas bsicas

El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs. Ib) y de
salidad (Ic vs. Vce) del BJT en EC.
Se observa que la caracterstica de entrada, es similar a la del diodo. As,
tambin disminuir Vbe con la temperatura a razn de 2mV/K.
Las curvas caractersticas de salida muestran la corriente de colector
independiente de la Vce, si es mayor de 0,2 v.
Modos de trabajo del BJT

Segn la polarizacin de cada unin, se obtendr un modo de trabajo

diferente, segn la tabla.
En la regin Activa - directa, el BJT se comporta como una fuente
controlada. (Amplificacin)
En el modo Corte nicamente circulan las corrientes inversas de
saturacin de las uniones. Es casi un interruptor abierto.
En Saturacin, la tensin a travs de la unin de colector es pequea, y
se puede asemejar a un interruptor cerrado.
Activo inverso, no tiene utilidad en amplificacin.
El transistor BJT se puede sustituir por estos modelos simplificados que
facilitan su anlisis, segn el modo de trabajo en el que se encuentre.

MODO
Activo - Directo
Corte
Saturacin
Activo - Inverso

POLARIZACION DE LA UNION
EMISOR - BASE
COLECTOR BASE
Directa
Inversa
Inversa
Inversa
Directa
Directa
Inversa
Directa

Recta de carga

Al aplicar la 2 Ley de Kirchhoff a la malla formada por la tensin de

alimentacin, resistencia de colector, colector y emisor, se obtiene la
relacin entre la corriente de colector y la tensin colector emisor,
dependiendo de la resistencia de carga (Rc).

Refleja todos los puntos posibles de funcionamiento que pueden darse

cumpliendo la ecuacin de malla del colector.
Para definir la recta de carga, se hallan los dos puntos de interseccin de
la recta con los ejes.

Anlisis de la recta de carga. Ejemplo

Determinacin grfica del punto Q, en un circuito en emisor comn,

donde Vcc=10v, Vbb=1,6v, Rb=40k, Rc=2k. Analizar la variacin del
punto Q, si Vbb vara en 0,4v.
Al variar el valor de la tensin de entrada, cambiar el punto Q en su
caracterstica de entrada, adems de su posicin en la recta de carga de salida.
Representacin de los modos de trabajo de un BJT npn en emisor
comn

La seal de salida puede no ser exactamente igual a la seal de entrada

(senoidal), debido a la no linealidad del transistor. La seal es pues
distorsionada.
Si el punto de trabajo se desplaza hacia ic=0, el transistor se ha llevado
al corte.
Cuando el punto de trabajo se desplaza hacia Vce=0, el transistor se ha
llevado a saturacin.
La amplificacin ser razonablemente lineal si la oscilacin de la seal se
limita a la zona activa (no habr distorsin).
Sin embargo, en conmutacin se trabaja de corte a saturacin.

Circuitos de polarizacin. Recta de carga

Punto de trabajo o de reposo (Q) de un transistor es el punto de la recta de
carga que determina el valor de la tensin de colector emisor y de las
corrientes de colector y base.
Consiste en situar el punto de trabajo en la regin caracterstica donde
responde con mayor linealidad, de manera que cualquier cambio en la entrada
tenga una respuesta proporcional a la salida. Se sita en un determinado lugar
en la recta de carga.
El comportamiento del transistor puede verse afectado por la temperatura
(modifica la corriente inversa en la unin pn polarizada inversamente). El valor
de B no se mantiene constante, pues puede no coincidir entre transistores del
mismo tipo, adems de modificarse segn el punto de trabajo (margen dado
por los fabricantes).
Los circuitos de polarizacin insensibilizan al transistor frente a variaciones
de B.
La polarizacin con doble fuente no se suele utilizar por ser caro y
complicado de utilizar.
Polarizacin por divisor de tensin en la base

La base se polariza por medio de un divisor de tensin.

Experimentalmente se recomienda que la corriente que circula por Rb1

sea 10 veces la intensidad de base, de manera que por Rb2 circula 9
veces la Ib. As, la determinacin de Rb2 es inmediata, y por sustitucin,
tambin el valor de Rb1.

Polarizacin por divisor de tensin en la base con resistencia de

emisor
Consiste en colocar una resistencia de emisor. La unin de colector se
polariza en inversa por medio de Vcc y Rc. La unin de emisor se polariza en
directa por el divisor de tensin y Re.
Potencia disipada por un BJT
En un BJT se disipa potencia como consecuencia de un paso de corriente
existiendo una cada de potencial.
Los puntos donde se disipa potencia son las dos uniones (de emisor y de
colector).
Al ser la tensin base-emisor mucho menor que la colector-emisor,

El BJT en conmutacin

Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de bloqueo

a saturacin se considera inmediato, es decir, el transistor no
permanece en la zona activa.
Los circuitos tpicos del transistor en conmutacin son los
multivibradores y la bscula de Schmitt.
Los multivibradores se aplican en los sistemas electrnicos de
temporizacin, generacin de seales cuadradas, intermitencias, etc.
Las bsculas de Schmitt tienen su principal aplicacin en sistemas de
deteccin que utilizan sensores, de forma que se comporta como un
interruptor activado por las variaciones de algn parmetro fsico
detectado por el sensor.
El transistor BJT en CORTE.
El transistor BJT en SATURACION.

El BJT en corte y saturacin

CORTE:
El BJT en corte tiene su Ib a cero amperios.
La Ic es igual a la de fugas: Iceo (del orden de nA a T=300K)
La tensin Vce es Vcc si se desprecia la cada producida por la corriente de
fugas.
El BJT se comporta como un interruptor abierto.

 SATURACION:
En esta zona la Vce es aproximadamente de 0,2 voltios.
La Ic es aproximadamente igual a Vcc dividido por la suma de resistencias en
la malla de colector-emisor.
Se comporta como un interruptor cerrado.

El tiempo de conmutacin de un estado a otro limita la frecuencia

mxima de trabajo.

Usos del transistor npn: Como interruptor

Sustituimos el interruptor principal por un transistor.
La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.
Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema
lgico.
Electrnica de Potencia y Electrnica digital
Usos del transistor pnp: Como interruptor
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor.
La corriente de base (ahora circula al revs) debe ser suficiente para asegurar
la zona de saturacin.
Mosfet de canal n
La tensin de puerta (Ugs) juega el papel de la corriente de base. Podemos
decir que es un dispositivo controlado por tensin.
Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del
dispositivo. Debemos asegurar que nunca entren en operacin. EL SUBSTRATO
se conecta al punto ms negativo del circuito.
Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S).
En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin
negativa
La puerta (G) es muy sensible. Puede perforarse con tensiones bastante
pequeas (valores tpicos de 30 V).
No debe dejarse nunca al aire y debe protegerse adecuadamente.
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de puerta es
nula muy pequea
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Combinacin de MOSFET y transistor Bipolar que ana las ventajas de los dos:

La facilidad de gobierno del MOSFET

El buen comportamiento como interruptor de BIPOLAR
Dispositivo reciente muy importante en Electrnica de Potencia

Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se produce un

cambio de tendencia importante.
a
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones
(Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.
Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar corrientes
elevadas, est formado por muchos transistores integrados colocados en
paralelo