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La teora
El fenmeno de la emisin de luz puede ser explicado con la teora de la banda de
energa en los semiconductores. Un voltaje externo aplicado en la juncin PN para su
polarizacin directa excita los portadores mayoritarios (electrones), movindolos desde
la banda de conduccin del lado N a la banda de valencia del lado P. En el traslado los
electrones cruzan la brecha de energa Eg, cediendo este potencial en forma de calor y
de luz (fotones). Cada material semiconductor posee diferentes caractersticas de Eg, y
la longitud de onda (l), o sea el color de la luz emitida por el LED, depende de la
magnitud de Eg. Por ejemplo, el Arseniuro de Galio, GaAs posee un Eg de 1.35V y un l
Consideraciones Elctricas (Operacin en DC)
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LED
RL
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Fig. 3a
LED
RL
LED
Fig. 3b
- Catodo
(K)
+ Anodo
(A)
Material
GaAs:Zn
GaAsP.4
GaAsP.5
GaAsP.4
GaAsp.85:N
GaAsP
GaP:N
InGaN
InGaN
GaN+SiC
InGaN + YAG
Vf Tpico
1.4V
1.6V
2.0V
2.0V
2.4V
2.4V
2.4V
3.4V
3.6V
3.4V
3.6V
+ VCC
IF
V -V
R L= CC F
IF
RL
VF
Ecuacin 1
Fig. 1
RL
V - V + VCE
R L= CC F
IF
VF
VCE
Ecuacin 2
Fig. 2