PS-GRADUAO EM

ENGENHARIA METALRGICA

Metalurgia Fsica
Autor: Clarissa L. Lopes adpto: Kassim Shamil
Fadhil Al Rubaie

Prof. Clarissa L. Lopes

Parte 1

ESTRUTURA CRISTALINA

Bibliografia Bsica
1. William D. Callister, Jr: Cincia e engenharia dos
materiais: uma introduo, 5. ed. Rio de Janeiro, LTC,
2002.
2. William F. Smith: Princpios de cincia e engenharia dos
materiais, 3. ed. Lisboa McGraw-Hill, 1998.
3. Donald R. Askeland, Pradeep P. Phul: Cincia e
engenharia dos materiais, Cengage Learning, 2008.
4. Lawrence H. Van Vlack: Princpios de cincia e
engenharia dos materiais, So Paulo, Edgard Blucher,
1994.
5. Robert E. Reed-Hill: Princpios de Metalurgia Fsica, 2.
ed., Guanabara Dois, 1973.

Contedo
Clula Unitria
Estruturas Cristalinas dos Metais

Cbica de Corpo Centrado (CCC)

Cbica de Face Centrada (CFC)

Hexagonal Compacta (HC)

Fator de Empacotamento
Polimorfismo e Alotropia
Sistemas Cristalinos
Direes Cristalinas
Planos Cristalinos

Sistemas de Deslizamento
Isotropia e Anisotropia

Contedo - Continuao

Densidade Linear (L)

Densidade Planar (p)
Densidade Volumtrica
Cristalografia e Difrao de Raios-X
Lei de Bragg
Imperfeies Cristalinas
Defeitos Pontuais

Lacunas
Auto-Intersticial
tomos Intersticiais
tomos Substitucionais

Contedo - Continuao
Defeitos Lineares (Discordncias)
Discordncia Aresta
Discordncia em Espiral
Discordncia Mista

Defeitos Planos

Superfcie Externa
Contornos de Gro
Tamanho de Gro
Equao de Hall-Petch
Contorno de Macla

Defeitos em Volume
Incluses, - Porosidade, - Fases, - Precipitados

 Introduo

Material cristalino: os tomos encontram-se ordenados

sobre longas distncias atmicas formando
a rede
cristalina. Metais, muitas cermicas e poucos polmeros
Materiais no-cristalinos ou amorfos no existe ordem de
longo alcance na disposio dos tomos.
As propriedades dos materiais slidos cristalinos
dependem da estrutura cristalina, ou seja, da maneira na
qual os tomos, esto espacialmente dispostos.

 A maioria dos materiais tendem a formar arranjos

(cristalinos), j que essa configurao maximiza a
estabilidade termodinmica do material.
Materiais amorfos dentem a se formar quando a cintica
do processo de fabricao no permite a organizao dos
tomos em arranjos peridicos.

Clula unitria: Consiste num pequeno grupos de

tomos que formam um modelo repetitivo ao longo da
estruturas tridimensional. A clula unitria escolhida
para representar a simetria da estrutura cristalina.

Estruturas Cristalinas dos Metais

Trs so as estruturas cristalinas mais
comuns em metais:
1. Cbica de Corpo Centrado (CCC)
2. Cbica de Face Centrada (CFC)

3. Hexagonal Compacta (HC)

Estrutura Cristalina Cbica de Corpo Centrado (CCC)

1 tomo

1/8 de tomo
Nmero de tomos na clula unitria:
Na= 1 + 8 x (1/8) = 2
Relao entre a e R (Parmetro de Rede):

a=

4
3

Estrutura Cristalina Cbica de Corpo Centrado (CCC)

Estrutura Cristalina Cbica de Corpo Centrado (CCC)

Estrutura Cristalina Cbica de Corpo Centrado (CCC)

Estrutura Cristalina Cbica de Corpo Centrado (CCC)

Estrutura Cristalina Cbica de Face Centrado (CFC)

Nmero de tomos na clula unitria:

Na= 6 x 1/2 + 8 x (1/8) = 4

Nmero de coordenao: NC = 12

Relao entre a e R (Parmetro de

Rede):
4
a = 2R2 ou
2

Estrutura Cristalina Cbica de Face Centrado (CFC)

Estrutura Cristalina Cbica de Face Centrado (CFC)

Estrutura Cristalina Cbica de Face Centrado (CFC)

Estrutura Cristalina Hexagonal Compacta (HC)

Nmero de tomos na clula

c/2

unitria:
Na = 12 x 1/6 + 2x(1/2) + 3 = 6

Relao entre a e R (Parmetro de Rede): a = 2R

Estrutura Cristalina Hexagonal Compacta (HC)

c/2

A Razo c/a para a Clula Unitria (HC)

Clculo do Fator de Empacotamento (HC)

Estrutura Cristalina Hexagonal Compacta (HC)

Clculo da Massa Especfica

Sumrio

Polimorfismo ou Alotropia

Polimorfismo ou Alotropia

Polimorfismo ou Alotropia

A transformao promove aumento de volume e

reduo de massa especfica.

Polimorfismo ou Alotropia

Sistemas Cristalinos

Sistemas Cristalinos

Direes Cristalinas

P1: Desenhe os seguintes vetores-direo em clula

unitrias cbicas:
[100], [110], [112], [110] e [321]
P2: Determine os ndices das
direes: A, B, C.
P3: Determine os ndices para
os pontos de coordenadas (,
0, ) e (, , )

<100> para as faces

<110> para as diagonais das faces

<111> para a diagonal do cubo

Direes para o Sistema Cbico

Direes para o Sistema Cbico

Direes nos Cristais: Resumo

1.

1, 0, e 0, 1, 0

2.

1, 0, - 0, 1, 0 = 1, -1,

3.

1, -1, x 2 = 2, 2, 1

4.

[210]

Direes nos Cristais: Resumo

(110)

(1 1 0)

(1 1 0)

PLANOS CRISTALINOS
Por que so importantes?
Para a determinao da estrutura cristalina: Os
mtodos de difrao medem diretamente a distncia
entre planos paralelos de pontos do reticulado cristalino.
Esta informao usada para determinar os parmetros
do reticulado de um cristal.
Para a deformao plstica: A deformao plstica
dos metais ocorre pelo deslizamento dos tomos,
escorregando uns sobre os outros no cristal. Este
deslizamento tende a acontecer preferencialmente ao
longo de planos direes especficos do cristal.

PLANOS CRISTALINOS
Por que so importantes?
Para o crescimento do cristal: A energia superficial
das diferentes faces de um cristal depende do plano
cristalogrfico especfico.
Para a conduo de calor: A conduo de calor da
grafita, por exemplo, mais rpida nos planos unidos
covalentemente do que nas direes perpendiculares a
esses planos.

Procedimento para determinar os ndices de Miller de um

plano num cristal cbico:
1. Identifique as posies nos quais os planos interceptam as
coordenadas x, y, z. Se o plano passar pela origem, a origem
das coordenadas deve ser deslocada;

2. Calcular os inversos dessas intersees;

3. Eliminar as fraes
4. Coloque os nmeros resultantes entre ( ). Os ndices
negativos devem ser expressos com barra sobreposta.
1.

2.
3.

1
1
1

1 0

4.

(210)

Famlia:
<110>

P3. Determine os planos cristalinos abaixo:

Famlia: <111>

P4. Determine os planos cristalinos abaixo:

Plano de Deslizamento

Resumo
Principais sistemas de deslizamentos

Isotropia e Anisotropia
Propriedades podem variar com a direo por causa
das diferenas no arranjo atmico do cristal.
Anisotropia: Caracterstica dos materiais cujas
propriedades dependem da direo cristalogrfica ao
longo da qual est sendo medida.

Ex: Alumnio; E<111> = 75,9 GPa e E<100> = 63,4 GPa.

E: mdulo de elasticidade
Isotropia:
Caracterstica
dos
materiais
cujas
propriedades so idnticas em todas as direes.

Densidade da direo (100) na rede CCC

L
La = 2R

Ld = a =
=

2R
4
3

4
3

= 0,87

Densidade do plano (110) na rede CFC

p

Ex 9: Calcule a densidade atmica planar em

tomos/mm2 no plano (1 0 0 ) do chumbo cuja rede
CFC. O Raio atmico 0,175 nm.

Cu
R = 1,28
CFC = 4 tomos
aCFC = 2R 2
A = 63,5 g/mol
NA = 6,023 x 1023 tomos/mol

 Como se determina a estrutura cristalina

de um material?

DIFRAO DE RAIOS-X LEI DE BRAGG

Diferena de caminho dos dois raios:

AB + BC = 2AB = 2dsen

Lei de Bragg: 2dsen = n

Se a lei de Bragg no for satisfeita o feixe de
difrao produzido ter baixa intensidade

DISTNCIAS INTERPLANARES
Os valores das distncias interplanares para cada clulas
unitrias pode ser descrito conforme as equaes abaixo:

CARTAS DE DRX - CCC

CCC

CARTAS DE DRX

CFC

z
c

z
Intensidade (relativa)

a
x

(110)

a
x
(211)

y
b
a
x

y
b
(200)

ngulo de difrao
(2)

CCC
= 0,1541 nm
(110)
=>
a=?

Soluo

Exerccio

Exerccio

Soluo
Estrutura Cbica
= 0,15406 nm
2 = 65 32,5 (200)
2 = 82 41 (211)
2 = 99 44,5 (220)
RFe = 0,124 nm

Digite
a
0,15406 =
equao
aqui.
Digite
a
0,15406 =
equao
aqui.

4 4 . 0,124
=
= 0,2863 nm
3
3

2 sin 32,5

22

02

02

2 sin 41
22

12

12

= 0,1743 nm
= 0,2876 nm

Quanto mais intenso o pico, maior a confiana dos resultados

Imperfeies Cristalinas
Por que estudar?

As imperfeies modificam o comportamento dos

materiais:
Mecnico
A prata de lei (92,5%
Eltrico
prata-7,5% cobre) muito
Qumico

mais dura e resistente que

a prata pura.

Classificao das Imperfeies

Pontuais
Vacncias, Lacunas
Impurezas intersticiais e substitucionais

Em linhas
Discordncias

Planares ou de Superfcie
Interface
Fronteira entre gros ou fases

Volumtricos
Incluses
Precipitados
Porosidade

Defeitos Pontuais

Defeitos pontuais: (a) lacuna, (b) tomo intersticial, (c) tomo

substitucional pequeno, (d) tomo substitucional grande, (e) defeito de
Frenkel, (f) defeito de Schottky. Todos estes defeitos perturbam o
perfeitoarranjo atmico dos tomos vizinhos.

Concentrao de Vacncias
Para formar defeitos necessrio dispor de energia
O nmero de vacncias aumenta exponencialmente com a
temperatura

Nv = N

Nv = nmero de lacunas/vacncias por cm3

N = nmero de tomos por cm3
Qv = energia para se produzir um mol de vacncias (cal/mol ou J/mol)
R = constante do gs ou Baoltzmann = 1,987 cal/mol.K; 8,31J/mol.K;
1,38x10-23 J/atm.K ou 8,62x10-5 eV/tomo.K
T = temperatura em K.

Nv = N

Kassim S. Al-Rubaie, Ph.D.

Impurezas
Nas Ligas os tomos de impurezas so adicionadas com
intuito de conferir caractersticas especficas aos materiais
como, por exemplo, para aumentar:

a resistncia mecnica
a resistncia corroso
a condutividade eltrica

Impurezas Intersticiais

Impurezas Intersticiais

- Aos baixo cabono

- Bandas de Luders
- Presena de C e N
em soluo slida

Impurezas Substitucionais

Para ocorrer os elementos devem

respeitar ao mximo as regras de
Home-Rothery

Regra de Home-Rothery
Raio atmico deve ter diferena de raio
atmico de no mximo 15%, caso contrrio
pode promover distores na rede e assim
formao de nova fase
Estrutura cristalina deve ser a mesma,
caso contrrio, surge uma nova fase, pois o
limite de solubilidade pequeno
Eletronegatividade prximas, diferente eletronegatividade
tende a formar novos compostos
Valncia mesma ou maior que a do hospedeiro, a diferena
nos eltrons de valncia incentiva a formao de compostos em
vez de soluo

Soluo Slida
Principais elementos de liga do ao, as concentraes
so dadas em %

Soluo Slida Posies intersticiais

Rede: CFC

Posio: Octadrica

Posio: Tetradrica

Soluo Slida Posies intersticiais

Rede: CCC

Posio: Octadrica

Posio: Tetradrica

Discordncia em cunha ou aresta

Zona de compresso

Zona de trao
(a) o cristal cortado e um meio plano atmico extra inserido (b). A
extremidade da parte inferior do plano extra uma discordncia em cunha (c).
O vetor de Burgers b necessrio para fechar um circuito de igual
espaamento atmico ao redor da discordncia.

Discordncia em hlice ou espiral

O cristal perfeito (a) cortado e

cisalhado em um espaamento
interatmico, (b) e (c). A linha ao
longo da qual ocorre o cisalhamento
uma discordncia em hlice. Um
vetor de Burgers b requerido para
fechar
o
circuito
de
igual
espaamento interatmico ao redor
da discordncia.

Discordncia mista

Vetor de Burger (B)

Corresponde distncia de deslocamento dos tomos ao
redor da discordncia

Discordncia vista em MET (microscpio

Eletrnico de Transmisso)

Liga de Ti 51.500x

Defeitos Planares: Contorno de Gro

H um empacotamento ATMICO menos eficiente
H uma energia livre mais
elevada
Favorece a nucleao de
novas fases (segregao)
Favorece a difuso

Defeitos Planares: Contorno de Gro

o So possveis vrios graus de desalinhamento
cristalogrfico entre gros adjacentes
o Contorno de Pequeno ngulo: Ocorre quando a
desorientao dos cristais pequena

Alto ngulo
Baixo ngulo

Defeitos Planares: Contorno de Gro

O tamanho de gro controlado

Composio qumica
Taxa (velocidade) de resfriamento na fuso

Ex 15.1: Uma liga de cobre e zinco tem as seguintes

propriedades. Determine:
Dimetro do gro
(mm)
0,015
0,025
0,035
0,050

Limite de
Escoamento (MPa)
170
158
151
145

a) As constantes de HallPetch
b) O tamanho de gro
necessrio para obter
um limite de
escoamento de 200MPa

Defeitos Planares: Contorno de macla (Twin)

um tipo especial de contorno de gro com simetria
especfica em espelho da rede cristalina.
A macla ocorre num plano definido e numa direo especfica,
dependendo da estrutura cristalina

Defeitos Planares: Contorno de macla (Twin)

O seu aparecimento est geralmente
associado com a presena de:
- Deformaes mecnicas
- Tratamentos trmicos
- Impurezas

Contornos de macla em
lato 70/30 (MO-250X)

Defeitos Planares: Interfaces (fronteiras

entre fases)

Exemplos de interfaces:
(a) um precipitado no-coerente no possui relao com a estrutura
cristalina da matriz metlica;
(b) um precipitado coerente se forma de modo a preservar a integridade
da rede cristalina. Existe relao entre a estrutura do precipitado e
da matriz metlica.

Imperfeies volumtricas
So introduzidas no processamento do material e/ou
na fabricao do componente
- Incluses Impurezas estranha
- Precipitados so aglomerados de partculas cuja
composio difere da matriz
- Porosidade origina-se devido a presena ou
formao de gases ou no compactao do material
- Fases
devido presena de impurezas
(ocorre quando o limite de solubilidade ultrapassado)

Incluses
incluses de xido de cobre (cu2o) em
cobre de alta pureza (99,26%)
laminado a frio e recozido a 800c.
incluses de Alumnio em ao baixo
carbono desoxidado ao alumnio

incluses de escria em ferro cinzento

Precipitados
ZrO2

Precipitados de ZrO2 em amostra de alumina

Precipitados de Cementita
(Fe3C) em ao ligado

Porosidade
Compactado de p de ferro
aps sinterizao

A 1150c, por 120min em

atmosfera de H2

Porosidade em
amostra polimrica

Fase

Difuso - Introduo
Assim como a corrente eltrica est associada ao
transporte de cargas eltricas atravs de um fio condutor

quando est sujeito a uma diferena de potencial eltrico,

a DIFUSO est associada ao transporte de massa que
ocorre em um sistema quando nele existe diferena de
potencial termodinmico que pode ser proporcional
diferena de concentrao qumica, quando o sistema est

em equilbrio.

Tipos de Difuso

Autodifuso ocorre em cristais puros. Nesse caso

no h variao na concentrao

Tipos de Difuso
Interdifuso ( o mais comum) ocorre quando tomos de
um metal difunde em outro. Nesse caso h variao na
concentrao
Espao
Livre
Energia
Tempo

Mecanismos de Difuso Por Lacunas

Observada em impurezas substitucionais;
tomos trocam de posio com as lacunas;

A taxa de difuso depende do nmero de vazios e da

energia de ativao para troca de posio;
O nmero de
lacunas aumenta
com a temperatura;

Mecanismos de Difuso - Intersticial

Os tomos intersticiais migram para posies intersticiais
adjacentes no ocupadas do reticulado.
Observadas em impurezas
como H, C, N, O
Ocorre mais rapidamente
que a difuso de lacuna;

C 109 x mais rpido que

autodifuso de Fe

A probabilidade de
movimento intersticial
maior que a difuso de
vacncias.

Caminhos para difuso

A movimentao de tomos pode ocorrer:

1) No volume do material: em vacncias ou interstcios
2) Ao longo de defeitos lineares: discordncias
3) Ao longo de defeitos bidimensionais: contornos de gro,
superfcies externas.
A movimentao de tomos pelos defeitos cristalinos
muito mais rpida que pelo volume.

Aplicao de difuso - Sinterizao

Tratamento em altas temperaturas que permite a unio de

partculas slidas
Reduz gradualmente o volume de poros entre elas.
Fabricao de peas metlicas e cermicas
Metalurgia do p

Aplicao de difuso Crescimento de

Gro

Obtm-se uma menor energia global do material caso a

quantidade dos contornos de gros seja reduzida pelo
crescimento de gros.
Os gros maiores cresem custas do menores.

Aplicao de difuso
Transformao de fases
As transformaes de fases nos materiais dependem

dos processos difusionais.

Precipitao de fase
nos contornos de gro

Ferro Fundido nodular

Matriz Ferrtica

Lembretes
Acesse a plataforma;
Revise os materiais disponveis;
Encaminhe suas dvidas pelo tiradvidas;
Responda os exerccios de passagem.