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Metais
Cermicas
Polmeros
Compsitos
Semicondutores
Biomateriais (Mat. Biocompatveis)
Classificao Clssica
K- condutividade trmica
Cp- capacidade trmica
r- densidade
h- Difusividade trmica
IRCT = h . S
a.E
h- Difusividade trmica
S- limite de resistncia
a- dilatao trmica
E- Modulo de elasticidade
IRCT- ndice de resistncia ao choque trmico
Propriedades Eltricas:
Choque trmico
DL
Li . DT
a - coeficiente de dilatao- C
-1
Eltrons de
valncia
2. INTRODUO
Os materiais slidos so formados por tomos que
so unidos por foras eltricas, formando o que
chamamos de ligaes qumicas. Estas interaes
eltricas podem ser obtidas de diversas formas,
formando diferentes tipos de ligaes.
O comportamento de um material pode ser
eficientemente previsto a partir da anlise do mesmo
aos nveis subatmico, atmico e microscpico.
Assim, torna-se necessrio examinar o mesmo, no
tocante aos tomos que constituem o material, bem
como o comportamento eletrnico dos mesmos. A
estrutura de qualquer material diretamente
dependente dos tipos de tomo envolvidos e das
ligaes atmicas que eles formam.
A base de qualquer unidade estrutural em cincia e
engenharia de materiais o tomo. O tomo
consiste
basicamente
de
trs
partculas
subatmicas: prtons, eltrons e nutrons. No
centro do tomo localiza-se o ncleo, que tem
dimetro prximo a 10-14 m. Este ncleo envolvido
por uma nuvem de eltrons de densidade varivel,
que resulta em um dimetro atmico final de 10-10m.
No ncleo, onde residem prtons e nutrons, est a
quase totalidade da massa atmica. A massa de um
prton igual a 1,673x10-24g e sua carga eltrica de
+1,602x10-19 Coulomb (C). O nutron pouco mais
pesado que o prton e tem massa igual a 1,675x1024
g, porm eletricamente neutro. O eltron tem
massa de 9,109x10-28g e carga igual a -1,602x10-19
Coulomb. Portanto, a quase totalidade do volume
atmico concentra-se na nuvem de eltrons, porm,
esta colabora com apenas uma pequena parte da
massa final do tomo. Os eltrons, particularmente
os mais externos, determinam a maioria das
caractersticas eltricas, mecnicas, qumicas e
trmicas dos tomos e assim, o conhecimento
bsico do mesmo necessrio no estudo dos
materiais.
A estrutura interna dos materiais resultado da
agregao de tomos obtida atravs de foras de
ligao interatmicas. Esta agregao, em funo
das caractersticas de tais ligaes, pode resultar
nos estados slidos, lquido e gasoso.
Energia de Ligao
Ligaes Qumicas
Basicamente, os tomos podem atingir uma
configurao denominada de estvel (menor energia)
a partir de trs maneiras, quais sejam: ganho de
eltrons, perda de eltrons ou compartilhamento de
eltrons. A facilidade em ganhar eltrons caracteriza
o tomo como elemento eletronegativo; a facilidade
em perder eltrons o caracteriza como sendo um
elemento eletropositivo. Existem tambm os tomos
que no apresentam facilidade em perder ou ganhar
eltrons. Estas caractersticas atmicas resultam na
existncia de trs tipos de ligaes atmicas,
denominadas como primrias ou fortes, que so :
ELEMENTO
ELETROPOSITIVO +
ELEMENTO
ELETRONEGATIVO
ELEMENTO
ELETROPOSITIVO +
A ligao no-direcional
ELEMENTO
ELETROPOSITIVO
ELEMENTO
ELETRONEGATIVO +
ELEMENTO
ELETRONEGATIVO
LIGAO INICA
LIGAO
METLICA
LIGAO
COVALENTE
Na
ligao
covalente
est
envolvido
o
compartilhamento de par(es) de eltron(s) entre os
tomos ligantes.
Dipolos Induzidos
Dipolos permanentes
Cl
CH4
CH3Cl
tomos de carbono
(eletronegatividade-2.5)
esquemtica
da
esquemtica
da
Momento dipolar
+.
,
+
Atrao
entre plos
positivos e
negativos
3. INTRODUO
Dependendo da composio qumica ou do
processo de fabricao os tomos na solidificao
ou em tratamentos trmicos podem se arranjar de
maneira ordenada (estrutura cristalina) ou
desordenada (estrutura vtrea).
Estrutura cristalina
Estrutura vtrea
SISTEMAS
EIXOS
NGULOS
AXIAIS
CBICO
a=b=c
Todos os
ngulos = 900
TETRAGONAL
a=bc
Todos os
ngulos = 900
ORTORRMBICO
abc
MONOCLNICO
abc
Todos os
ngulos = 900
2 ngulos = 900
e 1 ng. 900
TRICLNICO
abc
Todos ngulos
Z e nenhum
igual a 900
HEXAGONAL
a1=a2=
3 ngulos = 900
1 ngulo = 1200
a=b=c
Todos os
ngulos iguais,
mas de 900
10
a2 + a 2
)2
= (4R )2 a =
4R
3
R- raio atmico
a- aresta da clula unitria
F. E. =
N VA
VC
ocupam a clula;
VA = Volume do tomo (4/3.p.R3);
VC = Volume da clula unitria(a3).
11
2
a 2 + a 2 = (4R ) a = 2 2R
R- raio atmico
a- aresta da clula unitria
CFC
CCC
HC
Dutibilidade
Boa
Ruim
Ruim
FEA
0,74
0,68
0,74
Dureza
Baixa
Alta
Alta
Coef. Dilatao
maior
menor
maior
ALOTROPIA
12
Estrutura
na temp.
ambiente
Em outras
temperaturas
Ca
CFC
CCC (>4470C)
Co
HC
CFC (>4270C)
Hf
HC
CFC (>17420C)
Fe
CCC
CFC (912-1394 C)
0
CCC (>1394 C)
Li
CCC
HC (<-193 C)
Na
CCC
HC (<-2330C)
Tl
HC
CCC (>2340C)
Ti
HC
CCC (>8830C)
HC
CCC (>14810C)
Zr
HC
CCC (>8720C)
3.1.2. Estrutura
Cermicos
Cristalina
dos
Materiais
13
Raio Inico
(nm)
nion
Raio Inico
(nm)
Cs+
K+
Na+
0,170
0,138
0,098
BrClF-
0,196
0,181
0,133
Ni2+
Mg2+
Mn2+
0,069
0,072
0,067
IS2O2-
0,220
0,184
0,140
Estrutura do NaCL
Relao (r/R)ideal
0,155
0,225-0,414
0,414-0,732
0,732-1,00
12
1,00
r/R= 0,564
N.C = 6
14
4-
15
(a)
Cristobalita
(b) Tridimita
16
pirofilita,
17
Propriedades e aplicao:
Fundentes, insolveis em gua, formadores de
fase vtrea em corpos cermicos e esmaltes
Mineral
Frmula qumica
(estrutural ou em xidos)
Ortoclsio
K(AlSi3)O8 ou 1/2K2O1/2Al2O33SiO2
Albita
Na(AlSi3)O8 ou 1/2Na2O1/2Al2O33SiO2
Anortita
Ca(Al2Si2)O8 ou CaOAl2O32SiO2
Composio: Al 2(Si2O5)(OH)4
Reaes:
>500C se decompe em
metacaulinita, Al2O32SiO2
>900C forma mulita, 3Al2O32SiO2, e
alumina
>1150C forma cristobalita
Propriedades e aplicao:
Plasticidade na etapa de conformao
7,1
18
19
,1,
0, 1, 0
(010)
11,
1, 1, 0
(110)
1 ,1, 1
1, 1, 1
(111)
20
Fi
gura 3.32. Plano e direo 100 da estrutura cbica
D linear
1
1
+
n o de atomos
1
2
2
=
=
=
comprimento
a
a
(III.9)
simples
1
1
1
1
+
+
+
n o de atomos
4
4
4
4 = 1
=
=
area
a2
a2
21
nl = MP + PN
(IIII.11)
onde n=1,2,3,... e chamado ordem de difrao.
Como MP e PN so iguais a dhlksenq, onde dhlkl
a distncia entre dois planos com ndices (hkl), a
condio necessria para ocorrer interferncia
construtiva dever ser:
nl = 2 d hkl senq
(III.12)
Esta equao conhecida como lei de Bragg e
relaciona comprimento de onda (l) e ngulo do
feixe (q) de raios-X incidente e distncia
interplanar dhkl. Como na maioria dos casos a
ordem de difrao 1, a lei de Bragg torna-se
igual a:
l = 2 d hkl senq
(III.13)
22
SISTEMA
CRISTALINO
CBICO
TETRAGONAL
1
d2
HEXAGONAL
2 +
k 2 + l 2 Um cruzeiro
= h
a2
1
d
2 +
2
2
= h 2 k + l 2 Dois cruzeiros
a
c
4 h 2 + hk + k 2
l2
+ 2 Trs
2
3
a
c
cruzeiros
23
h 1 2 + k 1 2 + l1 2
sen 2 q1
=
sen 2 q 2
h 2 2 + k 2 2 + l2 2
Amostra
(III.16)
Onde q1 e q2 esto associados aos
principais planos de difrao. A aplicao da
equao III.16 associada tabela III.4 permite
prever que os dois primeiros planos de uma
estrutura CCC resulta no valor sen2q1/sen2q2=0,5.
No caso das estruturas CFC, a relao
sen2q1/sen2q2=0,75.
Fonte
Detector
Exemplo de Exerccios:
1
h2 + k 2 + l2
=
d2
a2
(III.14)
Pico
ngulo de
difrao (2q)
1o
40,00
2o
58,00
3o
73,00
4o
86,8
Intensidade do feixe
12000
10000
8000
6000
4000
2000
Figura 3.36.
tungstnio
Difratograma
de
raios-X
do
sen 2 q =
l2
h 2 + k 2 + l2
2
4a
(III.15)
0
0
20
40
60
80
100
120
Angulo de Difrao 2O
24
Pico
40,00
58,00
20
29
36
73,00
digital do material.
Os trs picos mais intensos so utilizados para
= 0,498 = 0,5
2-Utilizando
esta
equao
l = 2 d hkl senq ,
dhkl =
. l .
2.senq
d110=
0,154056 nm = 0,225 nm
2.sen 20
pagina 23.
2
2 0,5
a = 0,225.(1 +1 +0 )
25
Mineral
Caulim
Ilita 2m
Moscovita
Ilita 1m
Vermicosita
Albita
Ortoclase
Leocita
Nefekina
Corderita
Calcita
Mulita
Dolomita
Magnetita
Talco
Montimorilonita
Wolastonita
Arnotita
Quartzo
Cristobalita
Tridimita
Fosterita
Esteatita
d
7,13
2,56
10,1
4,43
14,2
3,18
3,31
3,27
3
4,13
3,04
3,39
2,89
2,74
9,35
13,6
2,98
2,85
3,34
4,05
4,27
2,46
2,87
int
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
d
3,56
4,49
3,36
2,56
1,53
3,75
3,77
3,44
3,83
8,54
2,29
3,43
2,19
2,1
1,53
4,47
3,32
1,75
4,26
2,49
4,08
3,88
3,17
int
x
7
x
6
7
3
8
9
8
8
2
x
5
5
6
2
3
4
4
2
9
7
8
d
int
4,41 6
3,35 7
4,49 9
3,66 8
4,57 6
3,21 3
4,22 7
5,38 8
3,26 8
8,45 8
2,1 2
2,21 6
1,79 4
1,7 4
4,59 5
3,34 1
3,52 2
3,07 3
1,82 2
2,84 1
3,8 9
2,51 7
3,15 5
26
crescimento
das
27
nutro
28
SOLVENT
E
RELAO
DE RAIOS
SOLUBILIDAD
E
%
% AT
PESO
Ni (CFC)
Cu (CFC)
1,24 =0,98
100
100
19
1,27
Al (CFC)
Cu (CFC)
1,43=1,12
1,27
Ag (CFC)
Cu (CFC)
1,44=1,14
1,27
Pb (CFC)
Cu (CFC)
1,75=1,37
1,27
29
30
31
32
N = 2 n-1
(IV.1)
Quantidade Mdia de
Gros
Gro (n)
Por mm2 X
1
Por pol2 X
100
15,5
1,0
31,0
2,0
124
8,0
496
32,0
10
7940
512
33
4.4.3. Maclas
As maclas constituem um outro tipo de defeito de
superfcie e podem surgir a partir de tenses
trmicas ou mecnicas. Tal defeito de superfcie
ocorre quando parte da rede cristalina
deformada, de modo que a mesma forme uma
imagem especular da parte no deformada (figura
4.16).
O plano cristalogrfico de simetria entre as
regies deformadas e no deformada, chamado
de plano de maclao. A maclao, ocorre em
direes especficas chamadas de direes de
maclao.
Discordncias
Interferem na deformao plstica dos
materiais.
Sua presena facilita a deformao
34
Resistncia deformao
precipitados
S. Solida intersticiais
S. Solidas Sub.
Ra#Rb
S. Solidas Sub.
Ra@ Rb
Precipitados de Ag no cobre
Figura 4.19-Precipitados de prata no cobre
% de elemento de liga
35
36
EA
n = aN exp
kT
(V.1)
37
D = D 0 e- RT
(V.2)
Matriz
C
C
Fe
Fe
N
Zn
Cu
Ag
Fe CFC
Fe CCC
Fe CFC
Fe CCC
Fe CFC
Cobre
Cobre
Ag
D0
10-5
m2/s
2,0
22,0
2,2
20,0
7,7
3,4
2,0
4,0
Q
10-19
J/tomol
2,4
2,0
4,5
4,0
4,6
3,2
3,3
3,1
1,4
1,5
(Cristal)
Ag
Ag
(Cont.Gro.)
Si
Si
320
6,8
P
Si
3,9
5,0
Bo
Si
140
5,9
Tabela 5.1. Coeficientes de difuso para diversos
sistemas solvente/soluto.
38
ou
J = K( C1 - C 2)
f
Dx
6
(V.5)
C
C 2 = C1 + Dx
x t
Figura 5.6. Difuso atmica em regime
estacionrio provocada pelo gradiente de
concentrao (C2-C1)/(x2-x1).
Considerando o movimento atmico espacial, um
tomo tem a possibilidade de saltar em seis
diferentes direes. Assim, entre as regies 1 e 2,
a freqncia de saltos pode ser dada por f/6 e
conseqentemente, em um intervalo de tempo Dt,
o nmero de tomos saltando da regio 1 para a
regio 2 proporcional aos valores de C1, de Dt,
de f, e do volume da regio 1, que pode ser
representado por sua espessura, Dx, pois a rea
de contato igual para as duas regies:
f
N12 = K C1 Dt Dx
6
(V.3)
f C
J = - K ( Dx ) 2
6 x t
(V.4)
(V.7)
D = K ( Dx ) 2
f
6
(V.8)
J = -D
f
f
JDt = N12 - N 21 = K C1 Dt Dx - K C 2 Dt Dx
6
6
(V.6)
C
x
(V.9)
39
m2 C atomos 1
atomos
J
= -D
x
m
m2 .s
s x m3
(V.10)
Ti
3x10-16
2x10-11
O
movimento
atmico
em
condies
estacionrias no comum em engenharia de
materiais. Na maioria dos casos, este movimento
ocorre em regime transitrio ou em situaes
onde as concentraes mudam com o tempo.
Por exemplo, se o carbono est sendo difundido
atravs da superfcie de uma engrenagem de
ao para cementar a mesma, a concentrao de
carbono no interior da pea ser alterada
medida que o tempo de processamento
aumenta, como mostra a figura V.8. Nestes
casos, onde o regime no permanente,
interessante determinar a evoluo da varivel
composio em funo do tempo de
processamento e da posio de um dado ponto a
ser estudado.
Considere uma barra de um material
qualquer de concentrao C, exibindo transporte
de massa do soluto por difuso, como mostra o
diagrama da figura 5.9. Considere tambm a
existncia de um elemento de volume de largura
Dx e rea da seco transversal A. Suponha que
em tal elemento est entrando fluxo de massa J1
e deixando o mesmo, o fluxo de massa J2. Aps
40
J 1 A D t - J 2 A Dt = A D x D C
permite obter:
J
- DxADt = ADxDC
x t
(VIII.13)
(V.11)
Fazendo Dt tender a zero,
onde:
J - Fluxo de tomos do soluto (t/cm2.s)
2
A - rea (cm )
J
C
- =
x t
t x
(V.14)
Dx - largura (cm)
Dt - Intervalo de tempo (s)
(t/cm )
C
J
- =
D
x
x x
(V.15)
ou
C
2 C
= D 2
t
x
(V.16)
J
J 2 = J 1 + Dx
x
41
x
C(x, t) = CS - ( CS - C0) erf
2 Dt
(V.17)
na qual C(x,t) a concentrao de carbono num
determinado ponto "x", para um certo tempo "t" de
cementao (% em peso), C0 a concentrao
inicial de carbono (% em peso), CS a
concentrao de carbono na superfcie da pea,
D o coeficiente de difuso do carbono em ao
(m2/s), x a distncia a partir da superfcie (m) e t
o tempo de cementao (s). A funo erro, "erf",
uma funo matemtica com valores tabelados
da mesma forma que funes trigonomtricas.
42
Propriedades
eltricas:Condutividade,Rigidez
dieltrica, Termoeletricidade e Piezeletricidade.
Propriedades Trmicas: Calor especifico,
dilatao trmica, resistncia a termoclase e
condutividade trmica,.
Para se determinar qualquer uma dessas
propriedades faz-se necessrio realizar um
ensaio especfico.
6.2. Propriedades Mecnicas dos Materiais
fundamental
na
identificao de propriedades de interesse em
engenharia mecnica. Tal comportamento
funo direta de trs fatores bsicos ligados s
caractersticas do material, ou seja: o tipo e a
intensidade das ligaes envolvendo tomos ou
molculas; a natureza do arranjo dos tomos ou
molculas e a natureza e quantidade de defeitos
no arranjo dos tomos ou molculas do material.
Alm desses trs fatores, o processamento a que
43
44
Ensaio de Trao
Ensaio de dureza
Ensaio de Impacto
Ensaio de Flexo
Ensaio de compresso
Ensaio de Fluncia
Ensaio de Fadiga
s =
F
A
(X.1)
onde:
s = Tenso (Pa = N/m2);
F = Fora Aplicada (N);
A = rea do Plano (m2).
A deformao (e) definida como o efeito
da tenso em um material, relaciona-se
alterao nas dimenses originais do material e
expressa como variao do comprimento inicial,
ou:
e =
DL
L0
(X.2)
onde:
e = Deformao (%);
DL = (L - L0) = Variao de comprimento
(m);
L0 = Comprimento inicial (m);
45
Deformao Elstica
Se um material apresenta comportamento elstico,
o mesmo segue a lei de Hook, que estabelece
que sua deformao varia linearmente com a
tenso aplicada. A relao entre tenso aplicada
e deformao resultante constante e
denominada de Mdulo de Elasticidade (E), ou:
E =
s
e
(X.3)
( Z e)( Z2 e)
nb
d 1
+ n+1
2
4p e 0 a
d FTotal
a
= -
da
da
(X.4)
(a)
(b)
(c)
46
Nylon
2,8
Borracha Vulcanizada
3,5
Chumbo
14
Magnsio
45
Ligas de Alumnio
72,4
Cobre
110
Ao de Baixo Carbono
200
Ao Inoxidvel
193
Titnio
117
Quartzo (SiO2)
310
Alumina (Al2O3)
350
Tungstnio
400
Deformao Plstica
Na fase plstica do material, ocorrem as
deformaes permanentes no mesmo. Neste caso,
planos atmicos do material so deslocados
permanentemente de suas posies originais.
Existem dois mecanismos de deformao plstica,
quais sejam: o deslizamento de planos cristalinos e
a maclao. Em ambos os casos, a deformao
ocorre devido s componentes de cisalhamento
das tenses aplicadas. A deformao permanente
de um material submetido a ensaio de trao pode
ser tratada como o alongamento, que a
quantidade de deformao permanente observada
antes da ruptura ou estrico, que a reduo da
rea da seco transversal, observada antes da
ruptura.
Tenso( MPa)
Borracha Sinttica
100
80
60
40
Origem da
reta 0,2%
20
0
0
10
deformao (%)
47
2/100
Ponto de
ruptura
6.6.1.1.5. Ductibilidade:
Capacidade
do
material
ser
deformado
plasticamente, sem atingir a ruptura. Pode ser
obtida da anlise do alongamento e da estrico
do corpo de prova.
No diagrama se determina atravs da interseo
do eixo X(deformao) com uma reta que tem
origem no ponto onde houve a ruptura e seja
paralela a parte linear do grfico.
Ex: Na figura 6.6 a ductibilidade 6%
140
smr
120
sr
100
Tenso( MPa)
80
60
40
20
0
0
10
deformao (%)
Figura 6.6. Diagrama tensox deformao,
indicando a tenso mxima de ruptura (smr) e
tenso de ruptura(sr) e ductibilidade.
Ductibilidade(%) = (L-Lo)x100
Li
L0 = Comprimento inicial (m);
L = Comprimento final (m).
E =
s
e
E Modulo de elasticidade
e - Deformao
48
Ur = se2 =
2E
se. e
2
6.6.2. Dureza
a medida da resistncia de um material
deformao permanente ( deformao plstica)
Nos Materiais Cermicos a dureza avalia:
Resilincia
Resistncia ao risco
Resistncia ao desgaste
Teste de dureza:
Figura 6.8- Diagrama tensoxdeformao,
indicando a resilincia do material.
. Tenacidade - Capacidade de um material em
armazenar energia sem se romper. Pode ser
quantificada atravs do clculo da rea sob a curva
tenso/deformao.
49
Dureza Brinell
Dureza Vickers
Microdureza Knoop
Dureza Rockwell
Mat metlicos
Observaes: o dimetro do identador e a
intensidade da carga aplicada dependem do tipo
de material que vai ser analisado. O dimetro da
impresso dever sempre ficar entre 2,5 a
6,0mm.
6.2.4. Ensaio de Dureza- Vicker
impresso
50
para
materiais
Escala Aplicaes:
A - Aos tratados superficialmente
B - Al, Cu, Aos recozidos, Fofo malevel
C - Aos com dureza acima de 100 HRb, aos
com
camadas espessas, Ti, etc.
51
Mtodo CHARPY
d
b
L
MOR = 3. P. L
2.b.d2
MOR Modulo de ruptura (kgf/cm2)
P - Carga para romper (kgf)
L - Distancias entre os apoios (cm)
d - espessura do corpo de prova (cm)
b- largura do corpo de prova(cm)
Corpo de
prova
52
RC = P
A
RC- Resistncia a compresso (MPa)
P- Carga mxima de ruptura (N)
A- rea da seo transversal(m2)
Resistncia compresso lquida
53
7. PROPRIEDADES
ELTRICAS E TRMICAS
o
movimento de cargas eltricas (eltrons ou ons)
de uma posio para outra.
s = 1/r= n.q.m
s= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1)
r= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= n de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador (Coulomb) [q
do =1,6x10-19 C]
m= mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s)
R = r . l/A
r = rT + rR
Efeito da temperatura na
metais:
condutividade dos
de
ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA
s = n.q.m
54
materiais
50
Resistividade Eletrica
40
30
10-6-10-4 W.cm
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
1010-1020 W.cm
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
Silcio, Germnio (Grupo IV da Tabela
Peridica)
GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da
Tabela Peridica)
PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Peridica)
95% dos dispositivos eletrnicos so
fabricados com Silcio
65% dos dispositivos de semicondutores do
grupo III-V so para uso militar
55
Dilatao
Condutividade
Difusibilidade Trmica
Resistncia ao Choque Trmico
0,008
A dilatao que a maioria dos materiais sofre por
ao do calor uma conseqncia do aumento
de sua energia interna, que implica em uma maior
amplitude das vibraes moleculares e, portanto,
um maior distanciamento entre seus constituintes
estruturais.
dL/Lo
0,006
0,004
0,002
0
T1
a =0 tg q200
Lo
400
600
800
1000
1200
TEMPERATURA
T2
DL
DL = Lo.a . (T2-T1)
L = Lo + DL
7.2.1.1 Dilatao Linear
Este aumento dimensional caracterstico de
cada material e expresso por um fator que
depende da temperatura, denominado coeficiente
de dilatao. Esse coeficiente pode referir-se ao
volume (coeficiente de dilatao volumtrico),
superfcie (coeficiente de dilatao superficial), ou
a uma dimenso (coeficiente de dilatao linear).
DL
Lo.DT
56
dl/lo ( 10-3 )
q = - k. dT
dx
no
Meio
k = kf
+ ke
45
40
35
30
25
20
ke >>> kf
15
10
5
0
300
600
900
Nos
materiais
cermicos
por
no
apresentarem
eltrons
livres
os
fnons(vibraes no reticulo) so os
principais meios de conduo trmica
57
7.2.4. Choque
termoclasse)
trmico
(Resistncia
RCT = h . S
a.E
RCT- resistncia ao choque trmico
h- Difusividade trmica
S- limite de resistncia
a- dilatao trmica
E- Modulo de elasticidade
Poros
A presena de poros reduz a condutividade
trmica dos materiais.
K- condutividade trmica
Cp- capacidade trmica
r- densidade
h- Difusividade trmica
58