UNIVERSIDAD NACIONAL DE

PIURA

DEPARTAMENTO ACADEMICO DE INGENIERA

ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

MDULO DE CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS

UNP PER
2016 -I

DAC-FC-UNP

LABORATORIO DE INGENIERIA ELECTRNICA

Y TELECOMUNICACIONES

NOTA FINAL

CURSO

.............................................

ALUMNO (A)

.............................................
.............................................

CDIGO

.............................................

FACULTAD

.............................................

ACADMICO

.............................................

SEMANA: ..........

DA: ............... HORA: ...............

PROF. TEORA

PROF. PRCTICA

SEMESTRE

.............................................

.............................................

CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS

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Y TELECOMUNICACIONES

CONTENIDO

PRESENTACIN

CIRCUITOS ELECTRICOS LEY OHM-KIRCHHOFF Y THEVENIN

9
TRANSISTOR MOSFET COMO INTERRUPTOR-LOGICA DIGITAL
11
AMPLIFICADOR AUDIO OPAMP Y BJT
16
CIRUITO RC - RL
18

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PRESENTACION
Al pasar los aos el avance de la ingeniera y en especial de la
ELECTRNICA es considerable, de los sistemas analgicos enormes
y costosos basados en tubos de vaco a sistemas discretos,
sofisticados y econmicos basados en diminutos transistores. Es por
ello que en los ltimos aos se emplean chips que funcionan como
pequeas computadoras llamados microcontroladores, especiales
para

gobernar

procesos

tareas

especficas.

Estas

microcomputadoras con otros componentes, como transmisores y

receptores de RF y otros circuitos digitales o analgicos darn la
solucin a problemas que se presenten en la actualidad.
El presente mdulo de laboratorio tiene como objetivo guiar al
alumno en la comprobacin de una manera prctica de la teora
impartida en clase.
El

LABORATORIO

DE

TELECOMUNICACIONES

INGENIERA

ELECTRNICA

agradece a los involucrados en el

desarrollo del presente mdulo y est llano a recibir crticas sobre el

presente trabajo para su posterior revisin y mejora.

Los
Autores
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FUNDAMENTOS BASICOS

BANDAS DE COLORES EN LA RESISTENCIA

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CODIGO COLORES

MULTIMETRO DIGITAL

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EL PROTOBOARD

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PRINCIPALES MEDICIONES
VOLTAJE CORRIENTE RESISTENCIA

FUENTE DE VOLTAJE
MOSFETS COMO INTERRUPTOR
Diseo

especificaciones

del

MOSFET

como

interruptor.
Los circuitos digitales son implementados en su
mayora

por

un

arreglo

de

conmutadores

(tpicamente millones de estos), que juntos trabajan

en una red lgica o de control. Hoy, en da los
transistores de efecto de campo METAL-OXIDO
(MOSFETS) son los dispositivos ms comunes para
implementar

estos

conmutadores

debido

su

facilidad de fabricacin y a su alta densidad. Para

implementar las redes lgicas, usaremos dos clases
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de interruptores: Uno que conduce con una entrada

de 1 y otro que conduce con una entrada de 0.
Estos pueden ser hechos con transistores NMOS y
PMOS respectivamente.

Fig 1
Pero para que el interruptor trabaje, debe
haber una gran diferencia de voltaje entre
la compuerta (g) y uno de los terminales.
Los transistores de potencia que se van a utilizar en
este modulo son:
IRF540, el cual tiene un voltaje de umbral de
compuerta de 4V.
Y el IRF9540, el cual tiene un Voltaje de umbral de
-4V.

LABORATORIO 1

NOTA:

CIRCUITOS ELECTRICOS LEY

________

OHM-KIRCHHOFF Y THEVENIN
OBJETIVOS
1. Investigar el comportamiento de los circuitos resistivos.
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2. Comprobar la ley de ohm y ley kirchhoff.

3. Aprender a medir voltaje, corriente y potencia.
MATERIALES: Todas las resistencias son de w con 5% de
tolerancia.

1 de 10 ohmios.(R1)

2 de 100 ohmios.(R2=R3)

330 ohmios.(R5)

2 de 1kohmio.(R4=R6)

Protoboard

Multimetro

cablecillos.

PROCEDIMIENTO
I.- Implemente el siguiente circuito.
1) Implementar el circuito mostrado en la siguiente figura:
Alimente con 12 voltios.

Circuito resistivo

I1
I2
I3
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2) Encuentre el circuito thevenin equivalente.(extremos de la R6)

3) Encuentre las cadas de tensin en cada resistencia. Se cumple
la ley de Kirchhoff?
4) Cual es la potencia que consume cada resistencia. Cual es la de
mayor potencia?
5) Haga

el

anlisis

respectivo

compare

con

sus

datos

experimentales.
II.- Simulacin
Simule el circuito y compruebe los datos de laboratorio.
Presente

grficas de mxima transferencia

de carga

para

diferentes valores de resistencias donde la R6 es la resistencia de

carga.

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TRANSISTOR MOSFET

NOTA:

COMO INTERRUPTOR-LOGICA DIGITAL

________

OBJETIVOS
1. El objetivo del presente laboratorio es estudiar las
caractersticas de un transistor mosfet trabajando como
interruptor
2. Aprender el funcionamiento de las compuertas digitales
bsicas.
MATERIALES

2 Transistores IRF540(canal N) , K170

Fuente de alimentacin.

2 diodos leds.

1 resistencia de 1 Kohmio.; 1 resistencia de 50K.

1 resistencia de 1Mohmio.

Condensador de tantalio: 1uF

Condensador cermico: 0.01uf; 2(100nF)

Resistencias: 120 ohmios/2W ; 10 ohmios/20W

Bobina de 200uH. A 1 amperio.

PROCEDIMIENTO:
1.- Implemente el circuito interruptor. Transistor K170

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Circuito interruptor - INVERSOR

Calculo de los puntos crticos de transferencia de voltaje entre salida
versus entrada (VTC)

Voltaje de salida alto VOH

Cuando VGS<VTH; entonces Vout=VOH=VDD

Voltaje de salida bajo VOL

Si el estado de salida bajo no est en la regin lineal de
operacin entonces:

Voltaje bajo de entrada VIL

Voltaje de entrada alto VIH ; despeje VIH de la siguiente

ecuacin.

A continuacin se presenta unas tablas para encontrar los

voltajes crticos:

Vin
Vout
0
5
Complete la siguiente tabla y grafique el VTC para el inversor

Vin
Vou

0.5

1.5

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2
14

2.5

3.5

4.5

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2.- Implemente el siguiente circuito:

Circuito compuerta NAND con NMOS

Complete la siguiente tabla

VA
0
0
5
5

VB
0
5
0
5

VOUT

Complete la siguiente tabla y grafique el

VTC para la

compuerta NAND.
Use las mismas ecuaciones anteriores.
CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS

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Vin
Vou

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

3.- Implemente el siguiente circuito:

Circuito compuerta NOR con NMOS

Complete la siguiente tabla

VA
0
0
5
5

CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS

VB
0
5
0
5
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VOUT

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Complete la siguiente tabla y grafique el

VTC para la

compuerta NOR.
Use las mismas ecuaciones anteriores.

Vin
Vou

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

t
CUESTIONARIO

1.- Cual es el voltaje mnimo para que el transistor mosfet empiece a

conducir?
Comprelo con el terico.
2.- Presente los manuales dcada transistor K170 e IRF540.
Menciones sus diferencias ms importantes.
3.- Realice las tablas de verdad para las compuertas OR y AND con
los

circuitos

mencionados

anteriormente.

Use

solamente

tres

transistores MOSFETS de canal N para cada compuerta.

4.- Realice una simulacin y presente la grafica de VTC para cada
compuerta lgica.
5.- mencione sus observaciones y conclusiones.

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LABORATORIO 3

NOTA:

AMPLIFICADOR DE AUDIO
________
OBJETIVOS
1. Que el alumno construya amplificadores de audio con
opamps y transistores bjt
2. Conocer el procedimiento para amplificacin de seales.
MATERIALES

Osciloscopio digital., Generador de seales, Dos puntas de

osciloscopio.; Multimetro ampermetro. Reproductor de mp3
y conector macho de audio.

Fuente de alimentacin (doble fuente simtrica).

1 circuito integrado TL082

Transistores BJT: BC547(NPN) y BC557(PNP)

Condensador de 100 nF

1 Resistencia de 10K; 1 resistencia de 22 K

Resistencia variable de 1 M

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1 parlante de 8 ohmios, 5W.

PROCEDIMIENTO
1.- Implemente el circuito Amplificador

CIRCUITO AMPLIFICADOR
La configuracin de los dos transistores son:

Para la seal de entrada ingrese una seal senoidal con una

frecuencia de 1 Khz y escuche la seal en el parlante. Observe
tambin en el osciloscopio.
Haga lo mismo pero ahora la seal de entrada ser de su
reproductor de audio.
Encuentre la ganancia del amplificador.
Vare el potencimetro que observa?

A qu posicin se escucha

mejor?
Cambie el potencimetro con una resistencia de 22K.Que sucede?
CUESTIONARIO
1.- Se puede construir el mismo modelo de amplificador con
transistores mosfets? Explique su respuesta.
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2.- Cual es la potencia de este amplificador en RMS?

3.- Cual es la funcin del OPAMP y de los dos transistores BJT?
4.- Realice una simulacin del amplificador.
5.- Porque se tiene alimentar al OPAMP con voltaje simtrico?
6- Mencione sus observaciones y conclusiones.

LABORATORIO 4

NOTA:

CIRCUITOS RC Y RL 1ER ORDEN

________
OBJETIVOS
1. Medicin de la respuesta natural de circuitos de primer
orden.
2. Conocer los tiempos de carga y descarga en un circuito
capacitivo.
3. Encontrar el valor experimental de una bobina mediante
el uso de osciloscopio.
MATERIALES

1 Resistencia de 500 ohmios.

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1 potencimetro de 1Kiloohmio.

1 condensador electroltico de 0.1 microfaradios.

1 inductancia de 100 mili henrios.

Generador funciones

Oscilosopio

Protoboard y cables

PROCEDIMIENTO
A.- Circuito capacitivo
Implemente el siguiente circuito:

La respuesta natural de este circuito es:

Donde tao es igual al producto de R y C. y esta dado en segundos.

La constante tao experimental se encuentra de la siguiente manera:

CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS

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Puedes encontrarlo al 36.78% durante la descarga y con el 63.22%

cuando esta cargndose.
Ingrese una seal cuadrada de 10 voltios ( E ) a 500 hertz y
mida el tiempo de carga y descarga.
La ecuacin general del voltaje en el condensador es:

Mida el tiempo de carga total, este ser el tiempo total de carga y

est dado a 5 veces tao.
B.- Circuito Inductivo
Implemente el siguiente circuito

Circuito RL
La seal de entrada ser una seal cuadrada de 10 voltios y una
frecuencia con periodo mayor a 10 veces que el tiempo tao.
Establezca el potencimetro a 500 ohmios y encuentre el tiempo tao
Establezca el potencimetro a 250 ohmios y encuentre el tiempo tao
La constante tao =L/R y est dada en segundos.

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REPORTE Y CUESTIONARIO
1.- Discuta la respuesta natural y respuesta al impulso de los
circuitos RC y RL
2.- Defina el duty cycle de un pulso. Cul es el duty cycle de una
seal cuadrada?
3.- Cual es el valor de la inductancia medida experimentalmente.
4.- Realice simulaciones y encuentre las graficas de voltaje y
corriente en cada circuito.
Presente un grafico a escala.
5.- Mencione sus observaciones y conclusiones.

CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS

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