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Enero 2011
Figura 1
Figura 2
Figura 3
Figura 4
Sistemas Electrnicos
Enero 2011
Figura 5
Figura 6
PROBLEMA
Un transistor MOSFET controla una carga, que
Caractersticas del transistor
suponemos altamente inductiva y que est
CGD1 = CGD2 = CGD =130[pF]
RDS = 0,05[]
alimentada por una fuente VD de 100[V]. El
V
=
3[V]
GM = 25[A/V]
T
transistor est controlado por una seal VG que
t
=
20[nseg]
t
d(ON)
ri = 50[nseg.]
proporciona impulsos de 10[V] y de 20[seg] de
t
=
60[nseg]
t
d(OFF)
fi = 30[nseg]
duracin. La seal VG es de una frecuencia de
20[KHz] y se conecta a la puerta del transistor a travs de una resistencia RG de 10[]. Si la corriente ID
es de 150[A] y las caractersticas del transistor son las que se indican en la tabla adjunta, se pide:
a) Representar el circuito con todos sus componentes, calcular el ciclo de trabajo y los valores de tfv
y trv.
b) Representar las grficas de IG y VGS, en la activacin y en la desactivacin, acotando los valores
ms significativos.
c) Representar las grficas de VDS y de ID, para un ciclo de trabajo, y acotar los valores ms
significativos.
d) Si suponemos que la carga es una bobina de 5H, formada por 5 espiras y que el ncleo es de
un material cuya mx es de 200mT, determinar la seccin que debe tener el ncleo e indique,
de forma razonada, como se podra disminuir la permeabilidad del ncleo de dicha bobina, en
caso necesario.
NOTA: SE DEBEN ENTREGAR 5 BLOQUES DE HOJAS INDEPENDIENTES
BLOQUE 1: RESOLUCIN DE LAS PREGUNTAS 1, 2, 3
BLOQUE 2: RESOLUCIN DE LAS PREGUNTAS 4, 5, 6
BLOQUE 3: RESOLUCIN DE LAS PREGUNTAS 7, 8, 9
BLOQUE 4: RESOLUCIN DE LAS PREGUNTAS 10, 11, 12
BLOQUE 5: RESOLUCIN DEL PROBLEMA
CADA UNA DE LAS 12 CUESTIONES TIENE UN VALOR MXIMO DE 0,5 PUNTOS
EL PROBLEMA TIENE UN VALOR MXIMO DE 4 PUNTOS.
Sistemas Electrnicos
Enero 2011
Un transistor MOSFET controla una carga, que suponemos altamente inductiva, que est alimentada por
una fuente VD de 100[V]. El transistor est controlado por una seal VG que proporciona impulsos de
10[V] y de 20[seg] de duracin. La seal VG es de una frecuencia de 20[KHz] y se conecta a la puerta
del transistor a travs de una resistencia RG de 10[]. Si la corriente ID es de 150[A] y las caractersticas
del transistor son las que se indican, se pide:
e) Representar el circuito con
Caractersticas del transistor
todos sus componentes, calcular CGD1 = CGD2 = CGD =130[pF]
el
RDS = 0,05[]
ciclo de trabajo y los valores de
VT = 3[V]
GM = 25[A/V] tfv y
tfv.
td(ON) = 20[nseg]
tri = 50[nseg.]
f) Representar las grficas de IG y
VGS,
td(OFF) = 60[nseg]
tfi = 30[nseg]
en la activacin y en la
desactivacin acotando los valores ms significativos.
g) Representar las grficas de VDS y de ID, para un ciclo de trabajo, y acotar los valores
ms significativos.
h) Si suponemos que la carga es una bobina de 5H, formada por 5 espiras y que el ncleo
es de un material cuya mx es de 200mT, determinar la seccin que debe tener el
ncleo e indique, de forma razonada, como se podra disminuir la permeabilidad del
ncleo de dicha bobina en caso necesario.
SOLUCIN
a)
VD
ID
RG
VG
VG
KT
10[V]
t
T
Sistemas Electrnicos
Enero 2011
1
1
50 10 6 s 50s
3
f 20 10
KT 20s K 40%
I D Gm VGS VT VGS
C DG C DG1
ID
VT ; VGS 9[V ]
Gm
C DG 2
dVDG dVDS
dt
dt
dV
dV
dV
I
I G CDG DG CDG DS DS G
dt
dt
dt
CDG
V V
VG Cte. RG I G VGS I G G GS Cte.
RG
dVDS VG VGS
VDS
Cte.
dt
RG C DG
t fv
VDS VDG VGS ;VGS Cte.
IG
VG VGS
VD RDS I D ; VDS 92,5[V ]
t fv
VDS
VGS
dV
C DG DG
RG
dt
dV
dV
VDG VGS ;VGS Cte. DG DS
dt
dt
I
VGS
VDS
G
Cte.
C DG C DG RG
t rv
VG 0 RG I G VGS I G
VDS
t rv
VDS C DG RG
t rv 13 10 9 [S ] 13[nS ]
;
VGS
Sistemas Electrnicos
Enero 2011
b)
VG
10V
IG
1A
0,1A
t
-0,9A
-1A
VGS
10V
9V
3V
t
td(ON)
tri
tfv
td(ON)
tfv
Sistemas Electrnicos
Enero 2011
c)
VG
KT
(1-K)T
10V
t
VDS
100V
7,5V
ID
150A
t
td(ON)
tfv
tri
td(OFF)
tn
tfi
trv
t0
tOFF
t n K T t d (ON ) t ri t fv K
1
t d (ON ) t ri t fv
f
d)