T1630 PDF

ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA
DISEO E IMPLEMENTACION DE UN
MODULADOR I/Q"
Tesis previa a la obtencin del Ttulo de

Ingeniero en Electrnica y Telecomunicaciones
Quito, Junio del 2000
CERTIFICACIN
Certifico que el presente trabajo fue
desarrollado en su totalidad por la
Srta. Jenny del Roco Pallo Mel,
Ing. Carlos Egas Acosta
DEDICATORIA
A MIS PADRES
Jos Eduardo Pallo y Mara Dolores Mel
He llegado a cumplir uno de los objetivos ms importantes de m vida por
ustedes y para ustedes y se los dedico en agradecimiento al infinito amor y
apoyo que me han dado en todo momento de mi vida.
AGRADECIMIENTO
A Dios y a la Virgen del Quinche que me protegen, me dan salud y lo ms
importante me dan la vida para compartir los momentos ms hermosos con las
personas que ms amo, MI FAMILIA.
A mis hermanos
Alexandra, Sadi, Anita y Eduardo que con todo su cario me alientan a seguir
adelante y estn conmigo alegrando cada momento de mi vida.
A mis amigos Nanci, Carlos, Jonny, Sandro, Sonia, Noem, Marcelo que
compartieron conmigo momentos inolvidables en esta Facultad y me ayudaron
como grandes amigos en su momento.
Un agradecimiento especial al Ing. Carlos Egas y al Ing. Ramiro Morejn, que

me guiaron muy acertadamente en el desarrollo del tema de tesis,
CONTENIDO
INTRODUCCIN
...........8
Antecedentes........
Objetivo.....
8
............9
CAPITULO I
........11
TEORA BSICA UTILIZADA
1.1
INTRODUCCIN A LAS COMUNICACIONES ELECTRNICAS........12
1.1.1 Las comunicaciones electrnicas..........
12
1.2
14
TRANSMISIN DIGITAL......,.,.,.,...
1.2.2 Transmisin en banda base...
..14
1.2.3 Bits y Baudios
......16
1.2.4 Eleccin de niveles de la seal de datos para la transmisin........17

1.3
ANLISIS DE FOURIER.............
........18
1.3.1 Serie de Fourier Trigonomtrica

1.3.2 Espectro de potencia
18
.,
..20
1.3.3 Propiedad de desplazamiento de frecuencia (modulacin)...

1.4
TRANSMISIN DE DATOS UTILIZANDO UNA PORTADORA DE

ALTA FRECUENCIA...
1.4.1 Transmisin analgica de informacin..................

1.4.2
1.5
..22
Espectro electromagntico.....
MODULACIN DIGITAL..
............23
.........23
..............24
.........26
1.5.1 Modulacin bsica de una portadora por informacin digital.......27

1.5.2
Eficiencia del ancho de banda.............
.27
1.6
CLASES DE MODULACIN DIGITAL...........
27
1.6.1 Desplazamiento de Amplitud (ASK)
.....27
1.6.2 Desplazamiento de Frecuencia (FSK)
28
1.6.3 .Desplazamiento de Fase (PSK)
29
1.7
MODULACIN MULTISMBOLA.........
...........30
1.7.1 Desplazamiento de fase cuaternaria o en cuadratura (QPSK)

1.7.2 PSK de ocho niveles (8-PSK).............,.........
1.7.3 PSK de diecisis niveles (16-PSK)
1.7.4 Modulacin de amplitud en cuadratura QAM
31
......33
....................33
..................34
CAPITULO II..
37
DISEO
2.1
DESCRIPCIN GENERAL
.....38
2.2IMPLEMENTACION DE MODULADORES QPSK Y 8-QAM CON UN

MODULADOR I&Q.........................
39
2.2.1 Modulador QPSK...........
39
2.2.2 Modulador 8-QAM.........
43
2.3
47
EQUIPO MODULADOR I/Q
2.3.1 Esquema general del equipo modulador.....
.......47
2.3.2 Requerimientos....
CAPITULO III..
48,
....50
REQUERIMIENTOS DE HARDWARE Y SOFTWARE PARA LA MPLEMENTACION DEL

EQUIPO MODULADOR
3.1
DESCRIPCIN DEL HARDWARE DEL EQUIPO MODULADOR.
3.1.1 Dispositivo modulador I&Q (ZAMIQ-895M)
51
,.51
3.1.2 Mdulo principal,.
............52
3.1.3 Mdulo de Display y Teclado......

3.1.4 Fuente
......54
.,
......................56
3.1.5 Mdulo convertidor de niveles...........

3.1.5.1
Fuente de nivel
3.1.5.2
Seleccin de niveles.......
3.1.5.3
Acoplamiento................
3.1.5.4
Protecciones
56
.,
.......57
59
...............62
,
.......63
3.1.6 VCO........
..................64
3.1.7 Presentacin de! Equipo........
.........65
3.2 SOFTWARE..........
.......68
3.2.1 Descripcin del programa principal...
......,.,.68
3.2.2 Modo remoto...
.............70
3.2.3 Modo local......
.......70
3.2.3.1
Pruebas
......70
3.2.3.2
Manejo del modulador QPSK y 8-QAM....
3.2.4 Descripcin de las subrutinas generales......
72
...........................75
CAPITULO IV
...................77
Instrucciones de funcionamiento, Pruebas sobre el equipo, Prdica de laboratorio
4.1
FUNCIONAMIENTO....
.......................78
4.1.1 Mdulo principal de trabajo............
...............78
4.1.2 Manejo de pantallas

4.1.3 Modulo convertidor de niveles.........
4.2
PRUEBAS SOBRE EL EQUIPO,.
.....80
.,
......87
...................88
4.2.1 Prueba 1. Seal en banda base.....
......88
4.2.2 Prueba 2. Seal modulada
.....97
4.2.3 Prueba 3. Espectro de potencia....
....105
4.3
ANLISIS DE RESULTADOS
4.4
PRACTICA PROPUESTA..
CAPITULO V....
.....................110
.........111
....115
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
5.1
CONCLUSIONES
5.2
RECOMENDACIONES
.116
,.
BIBLIOGRAFA
ANEXOS..
................120
..................123
,
.........125
EPN
INTRODUCCIN
ANTECEDENTES
Sabiendo la necesidad de reforzar el conocimiento adquirido en las
clases tericas con la ayuda de prcticas de laboratorio, se plantea el
desarrollo de temas especficos para poder implementar nuevas prcticas para
el laboratorio de Lneas de Transmisin.
Hace algn tiempo lo ms comn era encontrar una modulacin

analgica cuando se hablaba de radiofrecuencia, en seales de radio, canales
de televisin, etc. en cuyos casos se transporta informacin como la onda
sonora de la voz o las variaciones elctricas correspondientes a una imagen.
En este trabajo se desea implementar prcticas para el laboratorio de

Lneas de Transmisin con ayuda de un nuevo equipo que se relacione con el
medio real ms estrechamente, el equipo tiene como funcin principal realizar
modulacin digital de niveles en PSK y QAM utilizando una portadora
sinusoidal de alta frecuencia, para alcanzar el propsito deseado se utiliza el
dispositivo modulador I&Q, ZAMIQ-895M de la casa comercial Mni-Circuits,
dispositivo bsico para el que se crea una circuitera de control para
implementar el equipo modulador completo encargado de realizar todas las
tareas que se necesitan para desarrollar prcticas didcticas.
Para la elaboracin de la Gua de usuario se realizaron varias pruebas

de funcionamiento del dispositivo modulador I&Q que nos proporcionan los
parmetros necesarios para crear un equipo de control que pueda garantizar el
buen funcionamiento del equipo completo para la modulacin de una seal en
niveles. Para realizar las prcticas de laboratorio se propone observar el
comportamiento de la seal RF modulada en QPSK y 8-QAM, tambin se pone
DISEO E IMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
EPN
en consideracin la realizacin de una prueba obligatoria del equipo que nos

permite observar de manera sencilla el buen funcionamiento del dispositivo
modulador I&Q,
El equipo esta hecho con un alcance tal que se puedan implementar

prcticas diseando moduladores de 16 niveles en PSK y QAM, adems de los
dos tipos de modulacin desarrollados en esta Tesis.
OBJETIVO
Tal como se menciona en la seccin anterior el objetivo principal de ste
documento es realizar el diseo e implementar un equipo que sirva para el
desarrollo de prcticas para el laboratorio de Lneas de Transmisin.
La composicin de esta tesis tiene una estructura tal que nos permite al
final llegar a cumplir nuestro objetivo.
En el captulo I se citan conceptos bsicos que son base terica del

desarrollo de este tema.
En el captulo II se exponen los requerimientos bsicos de hardware

para construir el equipo que satisfaga las condiciones expuestas; nos
centramos en el diseo plantendonos las necesidades para llegar a construir
el equipo.
En el captulo III se tiene la presentacin del equipo completo y la

explicacin del desarrollo del diseo del hardware y del software que se utiliz
tanto para hacer la presentacin de las distintas pantallas en el display como
para la comunicacin del equipo remoto y local para el funcionamiento del
equipo.
- 9-
EPN
En el captulo IV se indican de una manera sencilla instrucciones para el

manejo del equipo con las presentaciones que se muestran en el dsplay,
adems se pone a consideracin las pruebas realizadas sobre el equipo para
verificar el correcto funcionamiento en la parte de modulacin, por ltimo se
cubre el objetivo principal presentando la prctica propuesta para el laboratorio
de Lneas de Transmisin usando la seal modulada en QPSK y 8-QAM.
Las conclusiones y recomendaciones sobre el tema desarrollado, as

como la cita de autores de la documentacin tomada para complementar
conocimientos tericos y anexos varios se presentan en el ltimo captulo de
este documento.
DISEO EIMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
- 10 -
EPN
CAPITULO I
TEORA BSICA UTILIZADA
11-
EPN
1.1 INTRODUCCIN A LAS COMUNICACIONES
ELECTRNICAS
1.1.1 LAS COMUNICACIONES ELECTRNICAS
Empezaremos dando un concepto sencillo de comunicacin electrnica,

as: entendemos como comunicacin al intercambio de informacin entre 2
puntos o ms utilizando un medio de transmisin especfico y con ayuda de
seales elctricas. Un sistema de comunicacin se constituye por un conjunto
de mtodos, procedimientos y elementos nterrelacionados para coordinar el
proceso de intercambio de informacin.
Se tienen tres elementos bsicos para conformar un sistema de

comunicacin (figura 1.1).
Canal
, ,,
.,
Informacin
.^^^^^^^^
^^^^H^^^^HI^H
k. ^BBH^^BH_^ Informacin
Figura 1.1
Estructura Bsica de un Sistema de Comunicacin
El transmisor (Tx) pasa la informacin de su forma original a seales

elctricas y las procesa (amplifica, filtra, modula, etc.), es decir, las adeca
para ser entregadas al canal.
El canal lleva la seal originada en el transmisor hacia el receptor,

sirviendo de unin entre ellos.
- 12 -
EPN
El receptor (Rx) recibe del canal la seal elctrica generada por el

transmisor y la procesa (amplifica, filtra, demodula, etc.) para entregar en su
salida la informacin en su forma original.
El modelo para la comunicacin de datos se define por los modos de

transmisin que son:
Simplex (SX): de transmisor a receptor en un solo sentido.

Half-Duplex (HDX): de transmisor a receptor en ambos sentidos.
Full-Duplex (FDX): transmisin en forma simultnea.
La figura 1.1 utiliza los componentes bsicos de la comunicacin para

ilustrar el modo de transmisin Simplex. La figura 1.2 ilustra los modos de
transmisin HDX, FDX ya que stos necesitan en cada punto un transmisor y
un receptor para tener un intercambio real de informacin es decir una
comunicacin bidireccional.
Canal
_^^^^^^^^__5_
Informacin
Informacin
Figura 1.2
Ilustracin de un sistema de comunicacin bidireccional.
- 13 -
EPN
1.2 TRANSMISIN DIGITAL
1.2.1 TRANSMISIN EN BANDA BASE

Los dgitos binarios que secuencialmente enva un ordenador son
aperidicos, sin embargo, a la hora de transmitirlos podemos considerar un
grupo de ellos como una seal peridica que se repetir, para ello realizamos
el anlisis de Fourier con lo que representamos una funcin peridica como
suma de un nmero tericamente infinito de senos y cosenos y a continuacin
descomponemos
la seal en suma de una serie de armnicos (serie de
Fourier) de forma que cuanto mayor sea el nmero de armnicos mejor ser la
reproduccin de la seal original. Segn el anlisis de una onda por series de
Fourier tenemos como resultado que su contenido espectral es muy grande,
ocupando as un gran ancho de banda (e! ancho de banda de un sistema de
comunicaciones es la banda de paso mnima (rango de frecuencias) requerida
para propagar la informacin de fuente a travs del sistema, el ancho de banda
debe
ser lo suficientemente grande para pasar todas las
frecuencias
significativas de la informacin.
Figura 1.3
Transmisin de una seal de perodo T en banda base
-14-
EPN
Segn el canal por donde se efecte la transmisin la seal estar

supeditada a limitar su ancho de banda AB para poder reproducir la seal en el
receptor por tanto se tendr una limitacin de la velocidad de transmisin
segn Nyquist.
Se define el teorema de Nyquist para que una seal pueda ser
reconocida fielmente, as como un lmite de velocidad de transmisin como:
La velocidad mxima de datos = 2*AB*log2M bps
(1.1)
Donde:
M=2 N
(1.2)
M= nmero de niveles
N= nmero de bits por nivel
AB = Ancho de banda
Nyquist demostr que si una seal arbitraria se hace pasar a travs de

un filtro pasa-bajo con un ancho de banda AB, la seal filtrada puede
reconstruirse por completo mediante la obtencin simple y sencilla de 2AB
muestras por segundo exactamente. Si la seal consiste de M niveles
discretos, ecuacin 1.2, la ecuacin 1.1 muestra la relacin para una canal sin
ruido dada por Nyquist.
El canal es la vinculacin entre el transmisor y el receptor. La velocidad

lmite de transmisin de informacin a travs de un canal se llama capacidad
del canal.
Shannon, estableci que si la velocidad de transmisin de datos Vtx es

igual o menor que la capacidad del canal C, existe una tcnica de codificacin
- 15 -
EPN
que permite la transmisin por el canal (ruidoso) con una frecuencia de errores
arbitrariamente pequea.
C = H*log2(1+S/N)
(1.3)
El resultado ms importante del teorema de Shannon establece la

mxima velocidad de datos sobre un canal ruidoso cuyo ancho de banda es AB
(Hz) y cuya relacin seal-ruido es S/N sin importar el nmero de niveles de la
seal o la frecuencia de muestreo que se tome1.
En banda base la seal se enva directamente por el medio para

distancias cortas y velocidades bajas. Una de las desventajas ms importantes
que se pueden hacer despus del anlisis de la transmisin en banda base es
que la transmisin de seales digitales requiere de un mayor ancho de banda.
1.2.2 BITSYBAUDIOS
La cantidad de veces que la lnea fue sealizada en la modulacin es
expresada en baudios (smbolos/seg.) fe. En la modulacin digital, la velocidad
de cambio en la entrada del modulador se llama velocidad de bit Vtx y tiene las
unidades de bits/seg. y es igual al recproco del tiempo de duracin de bit.
Velocidad de bit (Vtx) = 1/T
(1.4)
T= duracin del elemento bsico de seal, perodo.
Tanenbaum, Transmisin de datos, pgina 65
- 16 -
EPN
1.2.3 ELECCIN DE NIVELES DE LA SEAL DE DATOS PARA LA

TRANSMISIN2
Para el caso de las seales digitales el ruido aditivo
provoca
ocasionalmente dgitos errneos, y el rendimiento se evala entonces en

trminos de la probabilidad de error.
En un sistema binario los dos niveles de pulsos generalmente son

representados como una seal de amplitud A para el 1 lgico y una amplitud O
para el O lgico o como pulsos de igual amplitud y polaridades opuestas es
decir, con amplitudes -A/2 y +A/2 voltios llamada seal binaria polar, la seal
de encendido y apagado como el primer caso produce un nivel medio distinto
de cero que depende de las proporciones relativas de unos y ceros
transmitidos, su empleo tambin facilita el ajuste del umbral de decisin en el
receptor si las frecuencias de ocurrencia, relativas de ambas seales binarias
son guales. La seal binaria polar tiene tambin la ventaja de que el umbral de
decisin ptimo se halla en cero.
El anlisis del umbral de decisin para la representacin de una seal en

dos niveles lgicos y cuatro niveles lgicos que es lo que necesitamos para
nuestra aplicacin proveyendo la conexin a un demodulador se presenta en la
figura 1.4.
Si el comportamiento estadstico de las seales recibidas ms el ruido

no es gaussiano y no tiene la simetra de la funcin de densidad mostrada en
las figuras que se analizan mas adelante el anlisis descrito intuitivo descrito
anteriormente no es de mucha utilidad.
: Mischa
Schwartz, Transmisin de Informacin, Modulacin y Ruido, Captulo V.
-17 -
NIVEL
LGICO
ENCENDIDO
POLAR
APAGADO , Voltios
EPN
UMBRAL DE
DECISIN
A/2
-A/2
Tabla 1.1
NIVELES
POLAR
UMBRAL
DE
DECISIN
-A/2
-A/3
-A/6
A/6
A/2
+A/3
Tabla 1.2
Figura 1.4
Umbral de decisin
1.3 ANLISIS DE FOURIER
1.3.1 SERIE DE FOURIER TRIGONOMTRICA

Para nuestro estudio es indispensable hacer un anlisis de las seales
en funcin ya no del tiempo nicamente sino tambin de la frecuencia para el
anlisis de ancho de banda en la transmisin.
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA_
EPN
Una de las demostraciones ms importantes que nos presenta el

matemtico Francs, Fourier, es que sumando una cantidad ilimitada de senos
y cosenos se puede construir cualquier funcin3 f(t) de perodo T. La ecuacin
1.5 presenta la relacin que muestra la descomposicin de senos y cosenos
para una funcin f() donde an y bn son las amplitudes de coseno y seno del
ensimo trmino armnico (un armnico es un mltiplo entero de la frecuencia
fundamental).
.5)
o
*~s n
(1.6)
T1
1
_2_T
6/0 ~~
rrt
1
La serie de Fourier trigonomtrica se puede representar en forma ms

compacta como:
CO
+!a
(1.7)
(1.8)
En el anlisis que sigue ser ms interesante tratar con el espectro de

amplitud de Cn y con la fase angular tf>n que con los coeficientes individuales de
Fourier an y bn.
1
Stremler, Introduccin a los Sistemas de Comunicacin, pgina 30.
- 19 -
EPN
1.3.2 ESPECTRO DE POTENCIA

Primero haremos una revisin del espectro de lnea de Fourier4 de la
figura 1.5 que grfica directamente la amplitud Cn en funcin de la frecuencia
para la seal f(t), para una seal peridica, usando la serie trigonomtrica se
obtiene el espectro en donde la amplitud y la fase de cada componente
senoidal se pueden hallar a partir del grupo de ecuaciones 2.4, cabe anotar que
el espectro de lnea es un espectro discreto.
3fD
Figura 1,5
Interpretacin del espectro de lnea trigonomtrico
El principio de los mtodos de Fourier para el anlisis de seales es

descomponer todas las seales en sumatorios de componentes senoidales,
esto proporciona la descripcin de una seal dada en trminos de frecuencias
senoidales, un objetivo importante de este anlisis es la descripcin de cmo
estn distribuidas la energa y la potencia de la seal en trminos de tales
frecuencias, esta funcin se define como densidad espectral de potencia, la
EPN
ecuacin 1.9 muestra la densidad espectral de potencia de una funcin

peridica.
(1.9)
La cantidad Fn ~ describe el monto relativo de energa de una seal dada

f(t) en funcin de la frecuencia y se llama densidad espectral de energa de f(t).
De igual forma la funcin que describe la contribucin relativa de potencia de
una seal f(t) contra la frecuencia, se llama densidad espectral de potencia,
Sf(co). La densidad espectral de potencia de una seal aperidica es una
funcin continua de la frecuencia, la de una seal peridica, se aproxima a una
serie de funciones impulso localizadas en las frecuencias armnicas de la seal
cuando el tiempo de observacin se hace largo5, esto se puede observar en la
figura 1.6.
Sf())
(a)
(b)
Figura 1.6
Densidad espectral de potencia de una (a) funcin peridica, (b) funcin aperidica.
Stremler, Introduccin a los Sistemas de Comunicacin, pginas 44-46.
Stremler, Introduccin a los Sistemas de Comunicacin, Captulo IV.
DISEO E MPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
-21-
EPN
Ntese que la densidad espectral de potencia de una seal slo retiene

informacin sobre la magnitud, omitiendo lo referente a la fase, de ah que
todas las seales con la misma densidad espectral de magnitud tengan
idnticos espectros de potencia sin importar las posibles diferencias en las
caractersticas de la fase, hay una densidad espectral de potencia especfica
para una seal dada pero puede haber muchas seales con la misma densidad
espectral de potencia.
1.3.3
PROPIEDAD
(MODULACIN)
DE
DESPLAZAMIENTO
DE
FRECUENCIA6
AI proceso de multiplicar una seal por una funcin armnica

fundamental, es decir un seno o un coseno para trasladar la densidad espectral
se conoce como modulacin de amplitud. La ecuacin 1.10 se llama propiedad
de modulacin de la transformada de Fourier.
En el proceso de modulacin una mitad de la densidad espectral se

mueve a frecuencias ms altas y la otra a frecuencias menores, esta
caracterstica se puede apreciar en la figura 1.7.
- -[F(co +fi>0)+ F(co - y0)]
(1.10)
Stremler, Introduccin a los sistemas de Comunicacin, pgina 101.
- 22 -
EPN
F(o
A
-T/2
O +T/2
F((D)
/(t)cosco0t
-A
Figura 1.7
Efectos de la modulacin en la densidad espectral de la seal
1.4 TRANSMISIN DE DATOS UTILIZANDO UNA PORTADORA DE

ALTA FRECUENCIA
1.4.1 TRANSMISIN ANALGICA DE INFORMACIN

Para la transmisin digital se requiere de un elemento fsico entre
receptor y transmisor mientras que en el sistema de radio digital (transmisin
analgica) el medio de transmisin puede ser tambin el aire.
Una de las caractersticas que distinguen un sistema de radio digital de

uno convencional de A.M. o F.M. es que las seales de modulacin y
demodulacin en el sistema digital son pulsos digitales en lugar de ondas
EPN
analgicas, la radio digital utiliza portadoras analgicas al igual que los

sistemas convencionales.
La seal digital que se toma de una fuente se modula, es decir, la

informacin se la enva sobre una seal sen(cct) que se llama portadora y que
se encuentra a una frecuencia fc.
En este punto es importante hablar de lo que es la modulacin y las

razones por las cuales se modula. Modular es transformar las caractersticas
de una seal elctrica original a otra seal que por sus caractersticas le es
ms fcil la propagacin, a esta segunda seal se llama portadora (carrier), a la
primera seal se le llama seal modulante y al resultado final se le llama onda
modulada, en resumen:
Portadora
fcil propagacin.
Modulante
seal a transmitir.
Modulada
seal resultado de la modulacin.
Las razones para modular son las siguientes:
Utilizar un medio no guiado como el espacio libre para enviar la informacin
Facilitar la propagacin de la seal.
Uso imprctico de antenas a ciertas frecuencias.
Compartir canal de comunicacin, trasladando a diferentes frecuencias,

diferentes tipos de informacin.
1.4.2 ESPECTRO ELECTROMAGNTICO
El espectro electromagntico que se utiliza para la transmisin de la

abrumadora mayora de las seales de comunicaciones se encuentra limitado
en las distribuciones de ancho de banda en las diferentes gamas de frecuencia
-24-
EPN
que hay en uso, es importante entonces conocer la ocupacin espectral medida

por el ancho de banda de diferentes seales que se transmiten por un sistema
de comunicaciones determinado, adems es importante conocer los requisitos
de ancho de banda del canal o medio de transmisin por el cual las seales
van a ser transmitidas con el objeto de que al receptor lleguen las seales
relativamente sin distorsin.
Cuando se introduce distorsin al transmitirse por canales de banda

limitada los efectos que se producen en las seales transmitidas tienen que ser
determinados.
En un conductor la corriente y el voltaje siempre estn acompaados por

un campo elctrico y un campo magntico, una onda electromagntica tambin
puede viajar en el espacio libre al ser radiada por una antena.
Caractersticas de las ondas electromagnticas:
Velocidad
de onda. Las ondas viajan
a distintas
velocidades,
dependiendo del tipo de onda y de las caractersticas del medio de

propagacin. En el vaco las ondas viajan a la velocidad de la luz (c = 3 X 108
m/s), las ondas electromagnticas viajan considerablemente ms lentas a lo
largo de una lnea de transmisin.
Frecuencia y longitud de onda. Las oscilaciones de una onda

electromagntica son peridicas y repetitivas. Por lo tanto, se caracterizan por
una frecuencia (f). La distancia de un ciclo ocurriendo en el espacio se llama la
longitud de onda (1) y se determina por la siguiente ecuacin fundamental:
X=c/f
(1.11)
- 25 -
EPN
La frecuencia es el nmero de veces que se repite la seal en un

determinado tiempo, estas frecuencias de transmisin estn en un determinado
lugar en el espectro de frecuencias, el espectro electromagntico se presenta
en la figura 2.7 y las frecuencias pueden ser; bajas, medias y alta Frecuencia,
tambin influye la longitud de onda:
larga
10m en adelante
corta
lOm a 20m
microondas
3m a 30cm
F(Hz)
10102104106 10
s
''
Radio
MF
1016 10" 10a0 10a
Microondas Infrarrojo
ag
Luz
visible
LF
10'-
101'
uv
1034
', Rayos X
\s gamma
\\a
HF VHF UHF SHF EHT THF
Figura 1.8
Espectro electromagntico7
1.5 MODULACIN DIGITAL
1.5.1 MODULACIN BSICA DE UNA PORTADORA POR INFORMACIN

DIGITAL
La comunicacin digital abarca la transmisin digital y la radio digital
transmisin analgica, la primera es la transmisin de pulsos digitales, entre
dos o ms puntos, de un sistema de comunicacin, el radio digital es la
transmisin de portadoras analgicas moduladas en forma digital entre dos o
-26-
FACULTAD PE INGENIERA ELCTRICA
EPN
ms puntos de un sistema de comunicacin como ya se indic en el captulo

anterior.
1.5.2 EFICIENCIA DEL ANCHO DE BANDA8

La eficiencia del ancho de banda es la relacin de la tasa de bits de
transmisin al mnimo ancho de banda requerido para un esquema de
modulacin en particular e indica el nmero de bits que pueden propagarse a
travs de un medio por cada hertz de ancho de banda y se utiliza para
comparar el rendimiento de una tcnica de modulacin digital con otra, la
ecuacin 1.12 muestra esta relacin.
,_ . .
Eficiencia =
tasa de transmisin (bps)
(1.12)
Mnimo ancho de banda (Hz)
1.6 CLASES DE MODULACIN DIGITAL
1.6.1 DESPLAZAMIENTOS DE AMPLITUD (ASK)

Con ASK la seal de entrada modula con unos y ceros lgicos a una
portadora sen(ooot) que conforme cambia de estado se tiene a la salida una
seal que varia de amplitud. Cuando se asigna al OL un nivel de seal O voltios
y al IL un nivel de seal A voltios la seal se prende o bien se apaga segn sea
el caso, a este tipo de modulacin se la llama tambin OOK on-off-Keying,
figura 1.9.
7
8
Tanenbaum, Transmisin de datos

Tomasi, Sistemas de Comunicaciones Electrnicas.
- 27 -
EPN
Entrad a
bin aria
Tiempo
Salida
ASK
Tiem po
Figura 1.9
Modulacin ASK
1.6.2 DESPLAZAMIENTO DE FRECUENCIA (FSK)

El FSK binario es una forma de modulacin angular de amplitud
constante similar a la modulacin en frecuencia normal excepto que la seal
modulante es un flujo de pulsos binarios que vara entre dos niveles de voltaje
discretos. Con el FSK binario la frecuencia central o de portadora se desplaza
por los datos de la entrada binaria, conforme cambia la seal de entrada binaria
de O lgico a 1 lgico la salida se desplaza entre dos frecuencias, una
frecuencia de marca o de 1 lgico y una frecuencia de espacio o de O lgico
figura 1.10, con el FSK hay un cambio en la frecuencia de salida cada vez que
la condicin lgica de la seal de entrada binaria cambia, as la razn de salida
del cambio es igual a la razn de entrada del cambio, la razn de cambio en la
entrada del modulador se llama razn de bit Vtx y tiene las unidades de bits por
segundo (bps).
DISEO EIMPLBMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
-28-
EPN
fm
fs
Entrada
binaria
tiernp o
1 : O M : 1 : O
En t a da
binaria
Salida
Lgica
lf\J
fs
fm
fs
fm
fm frecuencia de marca;
fs
fs frecuencia de e s p a c i o
Figura 1.10
Modulacin FSK
1.6.3 DESPLAZAMIENTO DE FASE (PSK)

Es otra forma de modulacin digital angular de amplitud constante. Con
PSK la seal de entrada es una seal digital binaria y es posible un nmero
limitado de fases de salida. Con la transmisin por desplazamiento de fase
binaria (BPSK) son posibles dos fases de salida para una sola frecuencia de
portadora, una fase de salida representa un 1 lgico y la otra un O lgico figura
1.11, conforme la seal digital de entrada cambia de estado la fase de la
portadora de salida se desplaza entre dos ngulos que estn 180 grados fuera
de fase, para este tipo de modulacin cada vez que cambia la condicin de
lgica de entrada cambia la fase de salida en consecuencia, para BPSK fB es
igual a Vtx y el ancho de banda de salida ms amplio ocurre cundo los datos
binarios de entrada son una secuencia alternativa 1,0.
El mnimo ancho de
-29-
EPN
banda requerido para permitir el peor caso de la seal de salida del BPSK es
igual a Vtx9 por lo que la eficiencia de ancho de banda es 1bps/Hz.
Entrada
binaria
Tiempo
Salida
BSK
Tiempo
Figura 1.11
Modulacin BPSK
1.7 MODULACIN MULTISIMBOLA
El ancho de banda requerido para transmitir la secuencia digital de

banda base se reduce por medio de sealizacin multinivel que consiste en la
combinacin de sucesivos pulsos binarios para formar un solo pulso lo que en
consecuencia
requiere
un
menor
ancho
de
banda
de
transmisin
especficamente con la conformacin ideal de Nyquist pueden transmitirse 2

smboios/s/Hz por el canal de ancho de banda de Nyquist de AB Hertz, si se
usa un conjunto de M=2N smbolos donde N es el nmero de sucesivos pulsos
binarios que se han combinado para formar el smbolo adecuado que se va a
trasmitir pueden trasmitirse usando la banda de Nyquist 2N bps/Hz.
Un conjunto conveniente de seales para PSK M-aria es:10
Tomasi, Sistemas de Comunicaciones Electrnicas, pginas 465-466
-30-
EPN
(1.13)
Donde los M posibles ngulos de fase 0 se eligen como;
'M'M'"'9
coc = frecuencia de portadora

0 = ngulo de desfase
1.7.1 DESPLAZAMIENTO DE FASE EN CUADRATURA (QPSK)

Es una tcnica de codificacin M-ario (M representa el nmero de
niveles que se obtienen segn el nmero de dgitos binarios que se combinen)
en donde son posibles 4 fases de salida de amplitud constante para una sola
frecuencia de portadora,
Para llevar a cabo la tcnica QPSK se necesita ms de un solo bit de
entrada por ello se utilizan 2 bits dndose las siguientes combinaciones de bits:
00, 01, 10 y 11 por lo que los datos de entrada binarios se combinan en grupos
de 2 bits llamados dibits.
La seal -sima de las cuatro posibles puede escribirse con la forma
rectangular que para simplificar se ha supuesto hasta el momento.
iSf,(0
= cs(9er + 0,)
(1.15)
=1,2,3,4
10
Stremler, Introduccin a los Sistemas de Comunicacin, pgina 659.
-31-
EPN
dos posibles elecciones para las cuatro fases angulares son:
1)
6 = O, +/- 7T/2, 7C
2)
9 = +/-7T/4, +A37T/4
(1.16)
en ambos casos las fases estn espaciadas id2 radianes, las seales de la
ecuacin anterior pueden representarse por desarrollo trigonomtrico como.
(1.17)
Para la ecuacin 1.17 los pares (a, b) estn dados segn la ecuacin 1.16
1)
(3^0 = (1,0); (0,1); (-1,0); (Or1)
(1.18)
2)
((â-^b) =0.1); (-ti); K-i);
(1.19)
La transmisin de este tipo se denomina a menudo transmisin con dos

portadoras en cuadratura de fase entre s que se transmiten simultneamente
por el mismo canal.
eje en cuadratura
eje en fase
(a)
eje en fase
(b)
Figura 1.12
Constelacin de seales QPSK
EPN
Es muy til representar las seales dadas por las ecuaciones 1.17, 1.18
y 1.19 en un diagrama bidimensional donde se sitan los diversos puntos (aj,b),
el eje horizontal correspondiente a la ubicacin de a se llama el eje en fase (I),
el eje vertical donde se localiza b se llama el eje en cuadratura (Q). Las cuatro
seales de la ecuacin 1.18 aparecen entonces como se muestran en la figura
1.12a, las seales de la ecuacin 1.19 aparecen en la figura 1.12b. Los puntos
de la seal se dice que representan una constelacin de la seal.
En la modulacin QPSK ya que la seal de salida no cambia de fase

hasta que 2 bits han sido introducidos al equipo modulador fB es igual a la
mitad de Vtx, como resultado QPSK requiere de un mnimo ancho de banda de
Nyquist de doble lado igual a Vtx/2, por tanto con QPSK se realiza una
compresin de ancho de banda, aplicando la ecuacin 1.12 la eficiencia de
ancho de banda es 2bps/Hz.
1.7.2 PSK DE OCHO NIVELES (8-PSK)

Es una tcnica de codificacin M-ario donde M=8 por lo tanto hay ocho
posibles fases de salida para codificar ocho fases diferentes, los bits que estn
entrando se consideran en grupos de 3 bits llamados tribits, en un modulador
de 8-PSK hay un cambio en fase en la salida por cada 3 bits de entrada de
datos, en consecuencia fe para 8-PSK es igual a Vtx/3 por lo que el ancho de
banda mnimo es igual a Vtx/3 Hz y la eficiencia de ancho de banda es igual a
3 bps/Hz.
1.7.3 PSK DE DIECISEIS NIVELES (16-PSK)
Para este tipo de modulacin hay 16 diferentes fases de salida posibles.

El modulador acta en los datos que estn entrando en grupos de 4 bits
llamados quadbits, la fase de salida no cambia hasta que 4 bits han sido
EPN
introducidos al modulador por tanto fB es igual a Vtx/4
por tanto el mnimo
ancho de banda es igual a Vtx/4 Hz y la eficiencia de ancho de banda 4 bps/Hz.
1.7.4 MODULACIN DE AMPLITUD EN CUADRATURA (QAM)

Pueden generarse esquemas
multismbolos de sealizacin ms
generales haciendo que a y b de la ecuacin 1.17 tomen valores mltiples, las

seales resultantes se denominan seales de modulacin de amplitud en
cuadratura (QAM), estas seales pueden interpretarse como de muchos
niveles de modulacin en amplitud aplicados independientemente en cada una
de las dos portadoras en cuadratura.
El diagrama de constelacin de un conjunto de la seal QAM de 16

niveles se muestra en la figura 1.13, ntese que esta seal puede considerarse
como si se hubiera generado por dos seales moduladas en amplitud y en
cuadratura, como se usan cuatro niveles en cada una de las portadoras la
seal se denomina en ocasiones seal QAM de cuatro niveles, todos los
puntos de la constelacin estn igualmente espaciados.
Es evidente que la seal general de QAM puede escribirse tambin como:
(1-20)
Donde la amplitud r y la fase angular 0 dan las adecuadas combinaciones de
(a, b).
EPN
- -ii
-10
i'10
bo
-00
. --01
i'll
Figura 1.13
Diagrama de constelacin y distribucin de niveles 16-QAM.
La modulacin 8-QAM esta bajo el mismo concepto que 8-PSK, trabaja

con grupos de 3 bits, para este tipo de modulacin tanto la fase y la amplitud de
la portadora transmitida varan, como se necesita la entrada de tres bits para
tener el cambio de fase al igual que para 8-PSK, fB es igual a Vtx/3 y el mnimo
ancho de banda requerido para 8-QAM es Vtx/3 Hz al igual que en el 8-PSK
siendo tambin igual la eficiencia de ancho de banda.
La modulacin 16-QAM acta sobre los datos de entrada en grupos de 4

bits, tambin la fase y amplitud de la portadora transmitida varan segn los bits
de informacin a la entrada del modulador, con un modulador de 16-QAM hay
un cambio en la seal de salida ya sea su fase, amplitud o ambos para cada 4
bits de datos de entrada, en consecuencia fB es igual a Vtx/4
por tanto el
ancho de banda mnimo y la eficiencia de ancho de banda son iguales a 16PSK.
Como la velocidad de bits permisible por un determinado canal depende

del nmero de smbolos o estados que se elijan, con esto se podra pensar que
EPN
se puede aumentar indefinidamente la magnitud de la constelacin de la seal

QAM, esto no es as ya que el nmero de niveles de amplitud hace ms severo
el problema de la interferencia entre smbolos cuando es muy elevado, adems
es
evidente que
cuando el
nmero de fases
distinguibles
crece
el
espaciamiento de fase entre las seales se reduce en consecuencia

variaciones de fase y problemas
de tiempos
podran
hacer ms difcil
determinar la fase con precisin a medida que el nmero de fases distinguibles

aumente. Por ltimo el ruido que est presente y que se agrega durante la
transmisin y la recepcin hace ms difcil distinguir los puntos individuales de
una constelacin a medida que el nmero de puntos de ella tienden a
aumentar, un poco de imaginacin indicar que la posicin especfica de los
puntos de la constelacin de la figura 1.13 depende de la amplitud de la seal,
a medida que la amplitud aumenta, los puntos se mueven hacia fuera, cuando
disminuyen los puntos se desplazan hacia adentro. Para un potencia fija de
transmisin la ubicacin de los puntos esta restringida. La nica manera de
agregar ms estados o puntos de la constelacin es agregando puntos entre
los que ya existen el resultado es que los puntos quedan cada vez ms
prximos, por lo que el ruido y las variaciones de fase producen errores de
deteccin con alta frecuencia, existe entonces un lmite en el nmero de
estados de QAM que pueden usarse en la prctica, en la actualidad el mximo
nmero que se usa es de 16 estados QAM.
Los moduladores tanto QPSK como QAM hacen una modulacin de

doble banda lateral con portadora suprimida (DBLPS)
y requieren mucha
menos potencia para transmitir la misma informacin y son ms complicados

porque deben generar una portadora de fase y frecuencia apropiada, ya que la
portadora no se transmite.
EPN
CAPITULO II
DISEO
- 37 -
EPN
2.1 DESCRIPCIN GENERAL
Empezaremos
haciendo
referencia
al dispositivo
modulador
I&Q,
ZAMIQ-895M fabricado por la compaa Mini-Circuits para el cual se disea un

circuito de control completo, como ya se mencion en secciones anteriores la
caracterstica que le da el nombre al dispositivo es la descripcin que se le da
al eje X en la representacin de coordenadas rectangulares de una seal, I que
significa In-phase y al eje Y se le llama Q que significa en cuadratura, es decir
90 fuera de fase respecto de la portadora, el modulador I&Q trabaja con el
concepto de realizar una modulacin en cuadratura por ello el nombre de
modulador I&Q.
La figura 2.1 muestra un diagrama de bloques donde se puede observar

(os componentes principales del dispositivo modulador I&Q.
LO
(Tsplrtter/
comtxner
90*hybrid
-Gutput
".
V < 90*
Figura 2.1
Diagrama de bloques del dispositivo modulador I&Q
El proceso de modulacin se lleva a cabo de la siguiente manera: Un

VCO presenta a su salida una seal de frecuencia alta, seal que es
introducida en el dispositivo por el puerto denominado LO y que mediante un
divisor de potencia permite dirigir parte de la seal en fase a un mezclador
EPN
denominado canal I y la seal desfasada 90 al canal denominado Q. Los

dgitos binarios provenientes de la fuente de informacin digital se codifican a
una seal polar NRZ para luego dirigir cada nivel correspondiente a un smbolo
al canal I y al canal Q respectivamente, a cada una de estas secuencias de
smbolos se multiplica por una seal en fase y por una seal en cuadratura con
la portadora RF correspondientemente (esta accin la realiza el mezclador
doble balanceado) la salida de los mezcladores dan como resultado dos
seales
ortogonales
entre
s,
estas
seales
son
luego
combinadas
vectorialmente en un sumador, para obtener una seal modulada de salida en

el puerto denominado RF output
2.2 IMPLEMENTACION DE MODULADORES QPSK Y 8-QAM CON UN

MODULADOR I&Q
2.2.1 MODULADOR QPSK

Aprovechando la ortogonalidad del seno y coseno, es posible transmitir y
recibir dos seales diferentes de manera simultnea en la misma frecuencia
portadora. La multiplexin de cuadratura es un mtodo eficaz para transmitir
dos seales de mensaje dentro del mismo ancho de banda.
Para implementar e! modulador QPSK se necesitan 4 estados que

representan cuatro cambios de fase en la seal modulada por lo que se
requieren combinaciones de dos bits por estado, estos niveles son 00, 01, 10,
11, cada uno de estos estados son codificados de tal manera que le
corresponda una magnitud y una polaridad en el diagrama de constelacin para
conseguir la caracterstica de magnitud constante y cambio de fase en la seal
modulada resultante.
EPN
La magnitud y polaridad para cada estado en cada eje se escoge con los
siguiente criterios:
1) El diagrama de constelacin exige tener una distribucin balanceada de

cada estado para proporcionar estabilidad en la fase de la seal resultante
modulada como se observa en la figura 2.2.
Q
10
A/2
-A/2
-A/2
00
01
Figura 2.2
Diagrama de constelacin de la modulacin Q-PSK
2) Para poder tener en el demodulador niveles de deteccin aceptables y

reducir los errores en el caso de querer disear un sistema d comunicacin
los niveles se escogen dentro del rango lineal de trabajo que especifica el
fabricante para el dispositivo modulador l&Q11 ZAMIQ-895M.
Con lo expuesto se escoge una amplitud A=0.4 voltios, segn lo expuesto

en la seccin que explica la manera de escoger el nivel conveniente de la
seal en el captulo I para una seal polar NRZ, entonces para representar al
Refirase al anexo A-2 de pruebas sobre el dispositivo modulador I&Q.
-40-
EPN
OL se escoge e! nivel de -0.2voltios correspondiente a -A/2 y para representar al

IL el nivel de 0.2 voltios correspondiente a +A/2.
Con el concepto bsico de la modulacin QPSK que expresa que para tener
un cambio en la fase de salida se necesita a la entrada de dos bits para
conformar un estado, es fcil darse cuenta que con los niveles escogidos es
suficiente para que con estos valores aplicados directamente a los canales I y
Q de la figura 2.1 se tenga una modulacin QPSK.
Para el anlisis supondremos la amplitud de la seal portadora igual a la

unidad por lo que se tiene una portadora f(t) = sen(coct).
Como se dijo anteriormente de una serie de bits se van tomando pares

de bits, estos bits nos indican la polaridad y magnitud del nivel que se escoge
as, para escoger el nivel que ingresa en el canal I tenemos el indicativo del
primer bit y para escoger el nivel que ingresa al canal Q el segundo bit, en
polaridad los OL representarn una polaridad negativa y los IL representarn
una polaridad positiva de la magnitud escogida anteriormente12.
Ahora se analiza lo que sucede con cada una de las combinaciones de

bits:
Si se tiene el par de bits 00, le corresponder; a la entrada del canal I = -0.2V y

a la entrada del canal Q = -0.2V entonces a la salida del sumador se tiene:
-0.2*senact-0.2*coscflct
Para el segundo nivel 01 le corresponder a la entrada del canal I = +0.2V y a

la entrada del canal Q = -0.2V, entonces a la salida del sumador se tiene:
+0.2*sencDct - 0.2*coscoct
' Tomasi, Introduccin a los Sistema de Comunicaciones, pginas 466-480
- 41 -
EPN
Para el tercer nivel 10 le corresponder a la entrada del canal I = -0.2V y a la

entrada del canal Q = +0.2V, entonces a la salida del sumador se tiene;
-0.2*sencoct + 0.2*coscoct
Para el cuarto nivel 11 le corresponder a la entrada del canal I = +0.2V y a la

entrada del canal Q = +0.2V, entonces a la salida del sumador se tiene:
Resumiendo en la tabla 2,1 se tiene que el bit menos significativo (bit de

la derecha) de la palabra cdigo (dibit) controlar al canal I y el bit ms
significativo al canal Q, en nuestro diseo.
SEALES
I(V)
Q(V)
LGICAS
0 .
-0.2
-0.2
+0.2
-0.2
-0.2
+0.2
+0.2 +0.2
Tabla 2.1
Codificacin de la seal digital binara
Grafcando los valores que salen del sumador en el diagrama de

constelacin (figura 2,2) se tienen puntos que representan la distribucin de
fase contenida en la onda resultante. En el diagrama de constelacin los
valores correspondientes a senoDct se ponen sobre el eje X o como se
mencion
anteriormente
lo
llamaremos
eje
in-phse,
I,
los
valores
correspondientes al coscoct sobre el eje Y o en cuadratura Q. El diagrama de

constelacin muestra los componentes de magnitud y fase de una onda
sinusoidal.
EPN
Del diagrama de constelacin se tiene;

NIVEL j
MAGNITUD
FASE
00
0.388
-135
01
0.388
-45
10
0.388
+135
11
0.388
+45
Tabla 2.2
Como se puede observar en la tabla 2.2 se tienen cuatro estados
representados en el diagrama de constelacin por el ngulo 0, cada cambio de
fase de 90 se dar con la variacin de nivel y permitir variaciones de 45 para
que conserve estabilidad de fase en el modulador, adems se logr la
caracterstica de un modulador Q-PSK que es la magnitud constante de la
seal modulada resultante,
2.2.2 MODULADOR 8-QAM

Como se mencion en el captulo I para un modulador 8-QAM se tiene
variaciones de fase y amplitud de una portadora en correspondencia con el
cambio de tres bits que conforman los 8 estados siguientes: 000, 001, 010,
011, 100, 101, 110, 111 con este tipo de modulacin se pretende tener dos
niveles de amplitud y 4 cambios de fase en total para todas las combinaciones
binarias por lo que se necesita disear un circuito que nos permita tener el
control de los canales I y Q con los tres bits de entrada de tal manera de
alcanzar los resultados deseados.
La figura 2.3 nos muestra la distribucin de estados en el diagrama de
constelacin para una seal de modulacin 8-QAM que necesita 4 niveles de
EPN
seal y la correspondencia en dgitos que se da ahora como se dio en la

modulacin Q-PSK.
Q
101
111
100
110
010
000
Ol
001
Figura 2.3
Diagrama de constelacin de la modulacin 8-QAM
Para 8-QAM como ya se menciono se necesitan tres bits (A, B, C) para

obtener el cambio de fase por lo que como se puede observar se tiene el bit A
que nos dar la polaridad en el eje Q y el bit B que nos da la polaridad para el
eje I, el bit menos significativo nos dar la magnitud tanto en el eje I como en el
eje Q como se plante anteriormente.
El circuito de control funcionar con una lgica tal que nos permitir el
manejo de la seal de salida con los tres bits A, B, C de entrada. El bit C nos
dar la magnitud del nivel que ingrese tanto al canal I como al canal Q, ahora
escogeremos la magnitud del nivel correspondiente para 1|_
y para 0L, la
magnitud se escoge segn la necesidad de reducir la probabilidad de error en

el demodulador (para realizar la comunicacin entre los dos dispositivos) con
valores dentro del rango de trabajo del dispositivo modulador I&Q, que sera
con ayuda de lo expuesto en una de las secciones del captulo I sobre el
-44-
EPN
umbral de decisin, si se escoge un valor de A=0.4 igual que en la seccin

anterior, para nuestro requerimiento de 4 niveles segn la Tabla 1.2 se tiene:
Tabla 2.3
El bit B nos da la polaridad del nivel que ingresa al canal I. negativa para
OL y positiva para 1L) y el bit A nos da la polaridad del nivel que ingresa al canal
Q como se ve en la tabla 2.4.
ENTRADA BINARIA
I(V)
-0.067
-0.067
-0.2
-0,2
0.067
-0.067
0.2
-0.2
1
1
1
1
-0.067 0.067
-0.2
0.2
1
1
0.067
0.067
0.2
0.2
Q(V)
Tabla 2.4
A la salida del sumador se tienen las siguientes seales resultantes;
-45-
ENTRADABINA'RIA
0'.
;o
0,.
'
T-
1
1
,1 '
EPN
*c
;o
1
;o
.1
.; o
;\.
SALIDA DEL SUMADOR
-0.067sencoct-0.067coscoct
-0.2*sena)ct - 0.2*coscoct
0.067*seno3ct - 0.067*coscoct
0.2*senroct - 0.2*coscoct
-0.067*senoct + 0.067*coscoct
-0.2*sencoct + 0.2*coso)ct
0.067*seno)ct + 0.067*cosQct
0.2*sencoct + 0.2*coscoct
Tabla 2.5
El resumen de la magnitud y fase resultante se muestran en la tabla2.6.
ENTRADA BINARIA :
AMPLITUD
FASE
:
0
0;
0.113
-45
0.283
-45
^
1
0.113
135
0.283
135
1
1
0.113
45
0.283
45
B
0
. 0
(Voltios)
0.113
-135
0.283
-135
Tabla 4.6
EPN
2.3 EQUIPO MODULADOR I/Q

2.3.1 ESQUEMA GENERAL DEL EQUIPO MODULADOR
Del anlisis hecho en la seccin anterior utilizando canales I y Q para
tener una seal en cuadratura se puede ver que con el dispositivo modulador
I&Q ZAMIQ-895M podemos realizar un equipo tal que nos permita modular en
QPSK, 8- PSK y 8-QAM se puede extender el razonamiento a niveles mayores
pero en la prctica este no es el caso ,para ordenes altos de QAM Y PSK la
separacin entre estados de fase llegan a ser pequeos y la susceptibilidad al
ruido es grande, de manera general un modulador se puede implementar como
se muestra en la figura 2.4, el principal componente de un modulador digital es
el desfasador de 90 el cual divide a la portadora en dos partes iguales
(refirindonos a la potencia) las cuales estn 90 fuera de fase la seal digital
ingresa a un bloque encargado de tomar los datos de manera serial,
agrupndolos en smbolos, segn el tipo de modulador por niveles que se
desee, este bloque produce dos salidas que se conectan a las entradas I&Q de
amplitud y polaridad correspondiente al grupo de bits de entrada y que
correspondern a cada smbolo, las seales I y Q son luego mezcladas en los
puertos I y Q correspondientes los cuales generan salidas que estn en
cuadratura, estas salidas son sumadas y la salida resultante es una seal
modulada.
Convertidor serie
paralelo
01001101
Entrada digital
Seal modulada
Figura 2.4
Diagrama de un modulador utilizando un dispositivo modulador I&Q
-47-
EPN
2.3.2 REQUERIMIENTOS
Como se menciona en la seccin anterior y segn las caractersticas

tcnicas del dispositivo modulador I&Q se puede mplementar moduladores en
niveles de PSK y QAM ya que el dispositivo modulador I&Q (ZAMIQ-895M)
tiene la caracterstica de poseer una zona lineal de trabajo para los niveles de
ingreso a los canales I&Q lo que nos permitir variar la fase y amplitud de la
seal modulada.
En general los datos a modular se obtienen de dos maneras una es de
manera local por medio de un teclado y un display, y la segunda por medio de

un computador (la interfaz entre el computador y el equipo modulador es parte
del proyecto) ambas opciones son manejadas por un mdulo principal
encargado de realizar la comunicacin entre las fuentes de los datos y el
dispositivo modulador, un segundo mdulo llamado convertidor de niveles que
con la ayuda del mdulo principal se encarga de convertir los datos que se
reciben
los
niveles
correspondientes
sealados
anteriormente
para
procesarlos como se indica en la seccin anterior.
El diagrama de bloques de la figura 2.5 presenta los elementos que

conforman el equipo completo que permite tener una seal RF de salida
modulada en QPSK y 8-QAM en prcticas del laboratorio de Lneas de
Transmisin
superiores
que pueden ser realizadas por los estudiantes de niveles

con los beneficios y limitaciones que son presentadas en este
trabajo.
- 48 -
EPN
Teclado y
Display
PC
Convertidor
de niveles
Figura 2.5
Diagrama de bloques del equipo modulador completo
-49-
EPN
CAPITULO III
REQUERIMIENTO DE HARDWARE Y
SOFTWARE PARA LA IMPLEMENTACION
DEL EQUIPO MODULADOR
^^^
EPN
3.1 DESCRIPCIN DEL HARDWARE DEL EQUIPO MODULADOR
3.1.1 DISPOSITIVO MODULADOR I&Q (ZAMIQ-895M)

El modelo del modulador es ZAMIQ - 895M que se muestra en la imagen
3.1 est especificado para trabajar con frecuencias de portadora comprendidas
entre 868 y 895 Mhz13 con una potencia de operacin en LO de 10 +/-1dBm y
una potencia mxima en el puerto LO de 50mW. Un dispositivo modulador I&Q
provee amplitud de la seal de salida modulada variable trabajando en el rango
de operacin lineal.
Imagen 3.1
Dispositivo Modulador I&Q
Este modulador posee cuatro puertos con conectores SMA hembras,

tres de entrada y uno de salida, los puertos de RF tienen una mpedancia
caracterstica de 50Q, el puerto de entrada LO es utilizado para el ingreso de la
seal generada por el VCO, otros puertos de entrada son los puertos I y Q en
donde se introducir la seal codificada en banda base, el puerto de salida RF
es el puerto de donde se toma la seal ya modulada.
13
Hojas de especificaciones tcnicas del dispositivo modulado I&Q, Anexo A-l.
- 51 -
EPN
3.1.2 MODULO PRINCIPAL

El mdulo principal es la tarjeta de control encargada de realizar la
comunicacin serial entre el computador y el equipo modulador por medio de
una interfaz RS-232/TTL que se desarrolla tambin como parte del proyecto,
este mdulo tambin toma los datos de un teclado y adems por medio del
teclado se maneja el orden de presentacin de las acciones que realiza el
equipo, con la ayuda de un display se hace la presentacin visual de las
acciones que puede realizar el equipo y se muestran las distintas opciones
como una gua de manejo del equipo, adems se puede visualizar los datos a
ser modulados que se envan por el teclado.
El mdulo principal de control es de diseo comn para los dems

equipos del proyecto y tiene como componente principal un microprocesador
8031 de la familia INTEL 51 versin sin ROM14, el microcontrolador es de
tecnologa HMOS, 128 bytes de memoria RAM interna, dos temporizadores de
16 bits, es necesario usar una memoria de programa externa de 8 Kbytes del
tipo EPROM (2764), y una memoria RAM externa de 8 Kbytes (6164).
Imagen 3.2
Mdulo Principal
14
Jos Gonzlez, Introduccin a los Microcontroladores.
-52-
EPN
Puesto que el lmite mximo para el funcionamiento del microcontrolador

es de 20 Mhz, se escoge un cristal de 12 Mhz que es un valor estndar para
aplicaciones de comunicacin
y que permitir alcanzar velocidades de
transmisin altas para el caso de implementar un sistema de comunicacin.
La memoria EPROM a usarse es una 2764 de 8 kbytes (8k * 8), en

consecuencia posee 13 lneas de direcciones. El microcontrolador puede
direcciones hasta 65536 localidades de memoria (64kbytes).
Puesto que la memoria externa es de solo SKbytes solo existen 12

lneas de entrada por lo tanto las direcciones vlidas de memoria externa van
desde OOOOH hasta OFFFH, en este dispositivo se asigna a RAM externa las
direcciones desde OOOOH hasta 7FFFH y para direcciones los perifricos
externos se utiliza las direcciones 8FFFH hasta FFFFH direcciones que sern
ocupadas para direccionar un PAL (Arreglo Lgico Programable) que es parte
del mdulo del Display y teclado que tambin es general para el proyecto.
La funcin del mdulo principal es tomar los dgitos binarios tanto del PC
como del teclado que llamaremos modulacin de manera local, los datos del
teclado ingresan a memoria externa en donde nicamente se les coloca una
bandera de inicio y de fin (7EH), para luego dirigirlos a los 4 pines ms bajos
del prtico 1 (P1) con un orden que depende de la modulacin de niveles que
escojamos.
Los datos para la modulacin remota sern de igual manera ubicados en

memoria
RAM externa en las mismas condiciones que los datos
ingresamos por teclado es decir con una bandera de inicio y fin15.
15
Tomado de la Tesis Amplificador de Frecuencia Intermedia con Control Automtico Digital.
que
EPN
Microcontrolador
8031
bO
O
O
-o
g
o
Bus de
direcciones
AO... Al 5
Bus
Datos
de
Bus
Datos
de
Puerto P1
Conector
macho de 40
pines
Interfaz. de
comunicacin
serial TTL/RS232
Figura 3.1
Diagrama de bloques de la composicin del mdulo principal
3.1.3 MODULO DEL DISPLAY Y TECLADO.

Cmo se menciona en la seccin anterior los bits menos significativos
del bus de direcciones son utilizados para direccionar la memoria RAM externa
y los bits ms significativos para direccionar perifricos del microcontrolador,
los mismos que sern tratados como localidades de memoria RAM externa,
estos perifricos son el teclado para ingreso de datos y el display para
visualizacin de los mismos y para la presentacin del manejo del equipo.
-54-
EPN
Imagen 3.3
Display y Teclado
El display es un elemento de escritura mientras que el teclado es un

perifrico de lectura para el microcontrolador.
Una tarjeta adicional ser la que maneje a estos perifrcos16como se
mencion es el mdulo del Display y Teclado.
Figura 3.4
Mdulo de Display y Teclado
16
Tesis Amplificador de Frecuencia Intermedia con Control Digital.
-55-
EPN
3.1.4 FUENTE
Para polarizar los distintos mdulos se utiliza una fuente, la misma que
nos proporciona los siguientes niveles de voltaje; GND, -5V.+5V.
Con una alimentacin de 110 Vac y soporta una corriente mxima de 3A.
Imagen 3.5
Fuente
3.1.5 MODULO CONVERTIDOR DE NIVELES

La funcin del convertidor de niveles es tomar
los datos digitales
binarios del mdulo principal desde los 4 pines ms bajos del prtico 1 (P1.0,
P1.1, P1.2, P1.3) procesarlos y tener a la salida de este mdulo los niveles
convenientes exigidos por el dispositivo modulador I&Q para la modulacin de
la seal digital. El convertidor de niveles es el encargado de dar los niveles
elctricos adecuados de tal manera que el dispositivo modulador ZAMIQ-895M
trabaje dentro de la regin lineal y proporcione los cambios de fase deseados
segn el diseo para el modulador Q-PSK, y el cambio de amplitud y fase
segn los niveles de la seal de entrada para el modulador de tipo 8-QAM que
se va a implementar, adems el mdulo es diseado con las protecciones
necesarias para evitar daos en el dispositivo modulador.
56-
EPN
3.1.5.1 FUENTE DE NIVEL
Los niveles de voltaje deseados segn el diseo se obtienen de cuatro

fuentes, estos niveles son escogidos de tal manera que el modulador I&Q
trabaje dentro de la regin lineal. Para tener niveles fijos de voltaje se usa una
fuente ideal de voltaje hecha con un amplificador operacional LM 324 el mismo
que a la vez presenta como caractersticas principales una alta impedancia de
entrada y baja impedancia de salida, la fuente esencialmente se hace con una
configuracin de seguidor unitario que proporciona una ganancia de 1 sin
inversin de polaridad como se muestra en la figura 3.2.
Con ayuda de la fuente descrita en la seccin anterior que proporciona

los voltajes ya especificados mediante un divisor de voltaje se obtienen niveles
de voltaje de Ivoltio para el nivel de mayor amplitud y para el nivel de menor
amplitud 0.33 voltios, si se tomaran los valores pequeos de voltaje la seal
puede mezclarse con ruido y hacer imposible la deteccin en el demodulador
en el caso de una conexin, el ajuste a los valores deseados se hace con un
potencimetro de precisin.
Figura 3.2
Fuente generadora de niveles
-57-
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA_
EPN
El voltaje V1 es +1-5 voltios dependiendo de la polaridad del nivel que

escojamos, para poder tener las magnitudes de los dos niveles deseados los
valores de los elementos utilizados se calculan para cada uno de los casos.
Se
necesitan
cuatro fuentes
para
proporcionar +/-1 Voltio
y +/-
0.33Voltios:
Para que V2 tenga una magnitud igual a 1 Voltio y para tener niveles de
corriente razonables escogemos el valor fijo de R2 y R1 de tal manera que nos
d un voltaje aproximado al valor que deseamos en el divisor de voltaje de
manera que con el potencimetro podamos hacer fino el cambio al voltaje
exacto que necesitamos, entonces;
R2 = 220 Q
R1 = 560 Q
Si V2 queremos que sea igual a 0.33V, entonces:
R2= 100 Q
P = 500 Q
El potencimetro de precisin sirve para fijar V2 exactamente a los

valores deseados ya que el modulador necesita a sus entrada valores
exactamente iguales a los calculados ya que su trabajo en la regin lineal se da
con valores bajos de voltaje y un cambio significativo de voltaje variar de igual
manera la fase o amplitud en la seal de salida modulada.
- 58 -
EPN
3.1.5.2 SELECCIN DE NIVELES

El microncotrolador mediante el prtico 1 es el encargado de manejar un
par de multiplexores analgicos. Los pines del prtico 1 van conectados a la
entrada de seleccin de los multiplexores los mismos que determinan el
enrutamiento del nivel deseado proporcionado por la fuente (voltaje V2) el que
es conmutado hacia la salida como se indica en la figura 3.3. Como el alcance
de nuestro circuito es poder realizar una modulacin de niveles superiores se
escogi esta configuracin.
El multiplexor que se escogi es un circuito integrado CD4052
de
tecnologa CMOS que pasar seales polares y es til para aplicaciones

analgicas y digitales.
V2.1V2.2V2.3V3.4
r-l
I
12
14
15
11
^
^j
p,
P1.3
10
9
P1.1
a
P1.0
1_
X1
X2
13
3
6__
7
16
12
14
15
11
X3
}
5 YO
2^ Y1
4
P1.2
XO
n__1_
r-,
r-T
2~
r-t__4_
Y2
Y3
13
X1
X2
X3
YO
Y1
Y3
10
9
A
D
INH
VGE
6_
INH
7
16
-5V
CD4052
CD4052
5V
Figura 3.3
Circuito de seleccin de niveles
-59-
EPN
Es necesario hacer un anlisis de la ubicacin de cada una de las cuatro

fuentes en cada uno de los multiplexores para que con cada combinacin de
dgitos binarios provenientes del microcontrolador en la entrada enrute el nivel
deseado, as nos ayudaremos con la tabla 3.3 de control del multiplexor y
adems se hace un anlisis para cada una de las formas de modulacin que
vamos a mplementar para no tener que manipular el hardware y hacer los
cambios necesarios para cambiar la forma de modular nicamente por
software, el anlisis se hace para un solo canal de salida es decir en este caso
solo para el canal I ya que el proceso para la seleccin del nivel es igual para el
otro canal, el anlisis se hace tomando dos bits
ubicados en los ejes en el
diagrama de constelacin uno que nos da la polaridad y otro la magnitud.
10
00
01
11
10
00
01
Figura 3.4
Ubicacin de los valores elegidos en el diagrama de constelacin
QPSK
'1*
Tabla 3.1
-60-
EPN
Para este caso se tiene:

X=0 ; la magnitud de V=0.33V
X=1 ; la magnitud deV=1V
8-QAM
Para 8-QAM se necesitan 4 niveles y en correspondencia con lo
dicho en secciones anteriores se escoge los valores.
Tabla 3.2
Como se puede ver se tiene una distribucin uniforme. Observando las

tablas 3.2 y 3.3 hay una correspondencia con la ubicacin de las seales de
control del multiplexor y los voltajes que se necesitan, por lo que se-muestra el
resultado en la tabla 3.4.
ESTADOS DE
CANALES ENCENDIDOS
ENTRADA
ox
OY
1X
1Y
2X
2Y
3X
3Y
Tabla 3.3
Lgica de funcionamiento del multiplexor
EPN
ESTADOS DE
CANALES ENCENDIDOS
ENTRADA
OX=V2.1
-0.33
1X=V2.1
-1
2X=V2,3
+0,33
3X=V2.4
+1
Tabla 3.4
Ubicacin de las fuentes en las correspondientes entradas del multiplexor
3.1.5.3 ACOPLAMIENTO
La seal de salida del multiplexor que nos proporciona los niveles
necesarios para la modulacin (salida I figura 3.3) como ya se dijo proviene de
un elemento de tecnologa CMOS por lo que es necesario proveer a la salida
de un elemento que permita manejar niveles de corriente correspondientes al
funcionamiento del dispositivo modulador que estn en el orden de unos pocos
mA, un seguidor unitario hecho con e circuito integrado LM324 es el encargado
de realizar esta tarea y adems mantendr constante el nivel de voltaje que
entregue el multiplexor. Una de las caractersticas que se necesita del
amplificador operacional que se utiliza en el seguidor unitario es que tenga un
adecuado ancho de banda para transmitir la seal de manera que los pulsos de
seal contengan la informacin necesaria para que en la deteccin no se
produzcan errores (para realizar una comunicacin con el demodulador), por lo
dicho anteriormente el C.l LM324 es muy adecuado ya que permite manejar
una corriente de 4mA con un ancho de banda de 4 MHz y que requiere de un
mximo de 1QnA a su. entrada que sern proporcionados por el elemento de
tecnologa CMOS. EL circuito descrito en esta seccin se muestra en la figura
3.6.
-62-
EPN
D1
D2
BMC
Figura 3.6
Circuito de acoplamiento
3.1.5.4 PROTECCIONES
Segn el anexo A-2 los niveles de voltaje que permiten trabajar al
modulador en la regin lineal estn en el rango comprendido entre -0.35V y
+0.35V y los rangos de voltaje l/Q de salida que se tienen en el ltimo circuito
de la figura 3.3 son superiores por lo que se necesita bajar estos voltajes.
Es indispensable limitar la corriente que debe ingresar al modulador con

una resistencia fija colocada en serie con el modulador esta resistencia segn
las pruebas presentadas en el anexo A-2 es de 270O, esta resistencia tambin
nos permite tener un divisor de voltaje para obtener en la entrada del
modulador el voltaje deseado, tambin ste anlisis se hace en el anexo A-1 de
pruebas sobre el dispositivo modulador.
Para proteger al modulador se usa un circuito limitador de voltaje con

dos diodos de germanio ubicados como se muestra en la figura 3.4 para limitar
el voltaje y evitar que un voltaje mayor del que hace trabajar al modulador en la
-63-
EPN
regin lineal se pueda presentar por la saturacin de cualquiera de los

amplificadores operacionales que se utilizan lo que nos llevara a tener voltajes
de+5Vy~5V.
3.1.6 VCO
El oscilador ZOS-1025 tambin adquirido como parte del equipo nos
proporcionara una frecuencia de portadora comprendida entre 685 y 1025 Mhz
segn el voltaje de control que se le aplique, la frecuencia que se escoge es
890Mhz para la cual se tiene una correspondencia de potencia para esa
frecuencia de 9 dBm aproximadamente, correspondindole un voltaje de
control de 9.5V17.
Imagen 3.6
VCO modelo ZOS-1025
El VCO mostrado en la imagen 3.6 se polariza con 12V en el puerto

marcado como GND +12V, este puerto soportar una corriente mxima de 140
mA como mximo, adems posee dos puertos de salida: el principal que a la
frecuencia de 890 Mhz proporciona una ganancia de 9dBm y el puerto auxiliar
que proporciona
aproximadamente
-13.5 dBm, adems el puerto que
-64-
proporciona el voltaje de control necesita de un potencimetro para adoptar el

voltaje deseado. Cabe sealar que la impedancia de acoplamiento para RF es
de 50Q al igual que el resto de dispositivos requeridos para este proyecto.
3.1.7 PRESENTACIN DEL EQUIPO

Despus de la descripcin de cada una de las partes que conforman el
equipo ahora podemos presentar tanto la imagen del mdulo convertidor de
niveles parte fundamental del desarrollo de este tema, imagen 3.6 como el
diagrama esquemtico del circuito diseado grfica 3.7.
Imagen 3.6
Mdulo convertido de niveles
' Especificaciones tcnicas del dispositivo se encuentran en el anexo A-3.
65-
EPN
Figura 3.7
Diagrama esquemtico del mdulo convertidor de niveles
-66-
EPN
Imagen 3.7
Equipo modulador de seales digitales
A la izquierda de la imagen 3.7 se puede apreciar el mdulo convertidor

de niveles y a la derecha se tienen el mdulo principal y el mdulo de manejo
de display y teclado en un mdulo nico que evitar la manipulacin de las
tarjetas por separado, a este conjunto lo llamaremos mdulo principal de
trabajo. La figura 3.8 muestra el diagrama de bloques de la conexin del
mdulo principal de trabajo.
MODULO PRINCIPAL DE TRABAJO
MODULO
PRINCIPAL
MODULO
CONVERTIDO
DE NIVELES
MODULO DE
DISPLAY Y
TECLADO
Figura 3.8
-67-
EPN
3.2 SOFTWARE
3.2.1 DESCRIPCIN DEL PROGRAMA PRINCIPAL
El programa principal esta desarrollado para manejar el equipo
modulador de una manera muy didctica, las distintas presentaciones que se
muestran en el display ayudaran al estudiante en el manejo del equipo, lo que
se hace en el manejo del modulador de manera local es tomar del buffer del
teclado los datos que se encuentran en forma hexadecimal para luego
convertirlos en un cdigo ASCII en la subrutina EXTO_SERVICE, mediante
comparaciones se van escogiendo las subrutinas residentes para presentar la
correspondiente pantalla en el display. El programa requiere de localidades de
memoria para almacenar datos, asignar variables y manejar subrutinas,
tambin es necesario especificar la existencia de banderas que indican valores
en la atencin de interrupciones del programa. Estas localidades se muestran
en la tabla 3.5.
ETIQUETA
SERIAL
TIP_MOD
Vtx
DATO
VELOL
VELOH
POSITION
BUFTCL1
BUFTCL
FLAGJVIOD
FLAG REC
26H.O
20H.O
EPN
FLAG_MODEM Bandera de seteo de parmetros

TEC_FLAG
Bandera del teclado
Tabla 3.5
Presentacin del
equipo
Modo
Local =0
Remoto=1
Aplicaciones
0=Pruebas
odo remo
Seteo de
ara metro
1=QPSK
=8-QA
Recoge los
datos de RAM
externa los
modula
Figura 3.9
Diagrama de flujo del programa principal
69-
EPN
3.2.2 MODO REMOTO

Al escoger el modo remoto el teclado que se utiliza para la modulacin
en modo local queda anulado completamente
pero se tiene la opcin de
regresar a la primera pantalla, una vez seteados los parmetros el proceso de

modulacin de manera remota debe realizarse completamente.
Para acceder al modo remoto se activa la interrupcin serial lo que nos

permite atender una subrutina ubicada en la direccin ODOOH, esta subrutina es
preparada como parte del proyecto en el desarrollo del interfaz, una vez que se
atiende la subrutina con la ayuda de banderas asignadas para este propsito
se puede realizar la modulacin.
Cuando ya se han seteado los parmetros es decir la velocidad de

transmisin y el tipo de modulacin que se va a realizar se activa la bandera
26H.O FLAG_MODEM, una vez seteados los parmetros se puede enviar el
archivo de datos que se escribe en memoria externa desde la localidad 0020H
con una bandera de inicio y fin asignada a la 7EH, cuando los datos se han
escrito en la memoria externa se setea la bandera 26H.1 FLAGJREC, de igual
manera para empezar a modular se setea otra bandera que es la 26H.2.
3.2.3 MODO LOCAL
3.2.3.1 PRUEBAS
Estas pruebas se realizan con el objeto de comprobar el buen
funcionamiento del dispositivo modulador I&Q.
Se presentan 6 pruebas que se muestran en la pantalla del display, se

escogen con el teclado cada una de las opciones presentadas, estas opciones
son las siguientes:
- 70 -
EPN
Opcin O
0Lpara la entrada del cana! I y 0L para la entrada del canal Q.
Opcin 1
0L para la entrada del canal I y 1L para la entrada del canal Q.
Opcin 2
1Lpara la entrada del canal I y Ou para la entrada del canal Q.
Opcin 3
Enva una seal con los cuatro estados para cuatro cambios de
fase tipo serie.
Opcin 4
Permite el envo de tres caracteres repetidamente en cdigo

ASCII para ser modulados en 8-QAM.
Opcin 5
Permite el envo de un carcter repetidamente en cdigo ASCII

para ser modulado en Q-PSK
Las opciones de la O a la 2 se realizan automticamente fijando al P1.1

correspondiente al cana Q y al P1.3 correspondiente al canal I los niveles para
cada caso. En P1.0 y en P1.2 se pone el valor correspondiente al 1 Lgico para
fijar el valor de voltaje a la salida del mdulo convertidor de niveles en 1V.
La opcin 3 genera una secuencia de ocho bits 00110011 para el canal I

y una secuencia de 8 bits 01010101 para el canal Q. Con esta opcin se tiene la
posibilidad de escoger la velocidad de transmisin con la correspondiente
subrutina.
En la opcin 4 se escoge primero la velocidad de transmisin de entre

todos los valores en bits por segundo (bps), en esta opcin se hace uso del
teclado para escoger tres caracteres numricos para que en forma de
secuencia se modulen en 8-QAM y poder observar en el osciloscopio.
En la opcin 5 se procede de manera similar que en la opcin anterior

escogiendo primero la velocidad de transmisin de entre los siete valores que
se presentan en bits por segundo (bps), en esta opcin se hace uso del teclado
para escoger una tecla para que en forma de secuencia se module en QPSK y
poder observar en el osciloscopio.
DISEO E UVIPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
-71-
EPN
Aplicaciones
Presenta a la salida
del P1 los datos
seleccionados
Figura 3.10
Diagrama de flujo de prueba
3.2.3.2 MANEJO DEL MODULADOR QPSK Y 8-QAM

El equipo permite al estudiante tener la opcin de escribir y visualizar los
datos que desea enviar en el display, adems en esta misma pantalla se tiene
la opcin de cancelar el envo y regresar a la pantalla anterior. Si los datos han
sido escritos correctamente y se desea modular los datos se presiona la tecla
ENTER que indica la accin. Para modular los datos se realiza la siguiente
operacin y lo que se hace es mientras los datos se van escribiendo en el
display tambin se van guardando en memoria RAM externa en la primera
localidad de memoria de datos asignada que es la 0020H, en esta localidad el
primer carcter que se pone es la bandera de inicio para tener conexin con el
demodulador y tener un control de la extensin del texto, esta bandera tambin
se utiliza en la transmisin remota para saber la extensin del archivo que se
recibe en el equipo la bandera es la 7EH, luego de la bandera van los datos y
cuando se termina de escribir los datos se pone la misma bandera par indicar
-72-
EPN
que se ha terminado de escribir los datos y entonces se puede enviar a

modular toda la informacin, luego de que se han escrito los datos en memoria
externa del programa se envan los datos segn la opcin de modulacin que
se escoja, segn la estructura del equipo se necesitan cuatro bits ubicados en
el prtico 1 para controlar los multiplexores que proporcionan la salida de los
niveles deseados.
MODULACIN QPSK
Segn la lgica expuesta en la tabla 3.3 del multiplexor y la tabla de

resumen del diseo QPSK tabla 3.1 el primer bit de la derecha va al pin P1.3
para ir al canal I, el bit siguiente correspondiente al canal Q va al pin P1.1 y en
los pines P1.0 y P1.2 un 1 lgico para fijar el nivel de voltaje en 1 Voltio a la
salida del modulo convertidor de niveles todo esto se hace por software ya que
las conexiones estn ya fijadas.
ELIJA l
VELOCIDAD Vtx
ELIJA LA
ELUCIDAD Vt
4 = 2400 5 = 4800
6 = 9600
Se almacenan
los datos a
Modula las
teclas
presionadas
Figura 3.11
Diagrama de flujo para el modulador QPSK
EPN
MODULADOR 8-QAM
Tomando en cuenta las tablas 2.5, 3.3 y 3.4
podemos mostrar la
configuracin en el puerto P1 como se muestra en la figura 3.3 en donde al pin

P1.0 se pone el primer bit de la derecha de la serie, bit C del canal Q al igual
que en el pin P1.2 bit C del canal I el siguiente pin P1.1 ser el que determine
la salida para el canal Q y el tercer bit ser el que controle la salida para el
canal I por el pin P1.3.
Elija Vtx bps

4= 2400 5= 4800
6 = 9600
Se almacenan
los datos a
modular
Modula las
teclas
presionadas
Figura 3.12
Diagrama de flujo para el modulador 8-QAM
-74-
EPN
3.2.4 DESCRIPCIN DE LAS SUBRUTINAS GENERALES

CLEAR DSP (BORRADO DEL D1SPLAY)
Esta subrutina permite borrar el display y posicionar el cursor en el punto
inicial, primer carcter de la primera lnea.
SHOWJTEXT
Presentacin de mensajes en Display y el Mensaje se lo recoge de la
memoria ROM. Esta subrutina despliega un mensaje a partir de la tabla de
mensajes con sus respectivas etiquetas. Borra todo el display e inicia desde la
posicin inicial. Los mensajes se deben terminar con / * para salir de la
subrutina.
DELAY
Espera del display. Esta subrutina permite realizar una espera para que
se ejecuten las operaciones internas del display. Los valores de los contadores
deben ser ingresados en los registros R6 y R7 y deben estar de acuerdo a los
valores del reloj del microprocesador y de los tiempos sugeridos por el
fabricante del display.
1NSERTJ.OC
Esta subrutina es para posicionar el cursor y escribir un carcter, el
carcter al ser desplegado debe guardarse en la el registro R6 y la posicin en
el display en el registro R7. Cada subrutina debe llamarse por separado.
- 75 -
INSERTJ3HAR
Escritura del carcter en al posicin actual del display, el carcter debe
ser previamente almacenado en la localidad R6.
POS_MESS
Subrutina que escribe mensajes a partir de determinada localidad. La
direccin de la localidad que va a recibir el mensaje debe estar guardada en al
localidad denominada POSITION y en el DPTR la localidad ROM del inicio del
mensaje.
ESPERIS
Esta subrutina permite hacer esperas de aproximadamente un segundo
en las presentaciones de pantallas del display.
- 76 -
EPN
CAPITULO IV
INSTRUCCIONES DE FUNCIONAMIENTO
PRUEBAS SOBRE EL EQUIPO
PRACTICA DE LABORATORIO
- 77 -
EPN
4.1 FUNCIONAMIENTO
4.1.1 MODULO PRINCIPAL DE TRABAJO
Imagen 4.1
Mdulo principal de trabajo
El manejo de este equipo es muy sencillo sin embargo una de las

precauciones ms importantes que debemos tomar es ubicar correctamente los
conectores de alimentacin en el sentido que se indica en la caja de proteccin
de los mdulos (mdulo principal y mdulo de display y teclado).
El programa principal
esta desarrollado para manejar el equipo

muestran en el display ayudan al estudiante en el manejo del equipo. Cada una
de las pantallas indica las teclas que se utilizan para el control, las teclas que
no se utilizan sirven para escribiras como datos para ser modulados, las teclas
de la segunda funcin no estn activadas.
-78-
EPN
La tecla |
|
|
| realiza la accin indicada en la presentacin, la tecla que
borra toda la pantalla es jji|||, la tecla que indica que se puede anular la accin
presentada en la pantalla y regresar a la pantalla anterior es l^g, la tecla que
indica que hay una siguiente pantalla es
|j[|j En la tabla 4.1 se indican las
teclas disponibles, los respectivos cdigos ASCII que son los que se modulan y
se presenta en el display.
NOMBRE DE
ASCII
LATELA
O
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CLEAR
HELP
ENTER
ND
Tabla 4.1
Cdigo ASCII de las teclas utilizadas
-79
EPN
4.1.2 MANEJO DE PANTALLAS

A continuacin revisaremos la secuencia de pantallas para el manejo del
equipo. La pantalla principal hace la presentacin del proyecto y se muestra
durante tres segundos luego de este tiempo se pasa a la siguiente pantalla.
Figura 4.1
Presentacin del proyecto
En la siguiente pantalla se escoge la fuente de datos, si se escoge la

manera local la fuente es el teclado (opcin 0) y si escogemos la manera
remota la fuente de donde tendremos los datos es el computador, con la opcin
remota se anula completamente el teclado.
Figura 4.2
Pantalla para escoger la fuente de datos
-80-
EPN
En el modo loca! se pueden escoger entre tres aplicaciones.
PRUEBAS: opcin O, nos permite enviar valores fijos de informacin

para comprobar el buen funcionamiento del dispositivo modulador i&Q antes de
enviar secuencias de datos.
QPSK: opcin 1, indica que se va realizar la modulacin QPSK enviando

datos por teclado.
8-QAM: opcin 2, indica que el tipo de modulacin para los datos que se
envan por el teclado es 8-QAM.
Figura 4.3
Serie de pantallas de presentacin de aplicaciones
-81-
EPN
ELIJA LA Vtxbps
0 = 150 1=300
2=600 3 = 1200
MOD. LOCAL V'-.-:
ESTA ENVIANDO
CANALIZO
CANALQ = 6
ESTA ENVIANDO
CAAL i = 00110011
CANAL Q = 01010101
Figura 4.4
Serie de pantallas de presentacin de pruebas
La pantalla de velocidad de transmisin tiene la opcin de avance de

pantalla en la cual estn el resto de valores de velocidad para escoger.
EPN
Figura 4.5
Serie de pantallas de presentacin de las pruebas 4 y 5
-83-
ELIJA LA Vtxbps
EPN
ELIJA LA Vtxbps
4 = 2400 5 = 4800
6 = 9600
MOD. LOCAL
<-
MOD, LCl
Figura 4.6
Serie de pantallas de presentacin de la modulacin QPSK
Para la modulacin QPSK y 8-QAM primero se escoge la velocidad a la

que se desea transmitir para luego escribir en el display los datos desde el
teclado, para esto se ocupan las dos lneas centrales del display las mismas
que se van borrando conforme se ingresan los caracteres que se van a
EPN
modular, a medida que se va escribiendo en el display se van guardando los

datos en memoria RAM externa con una capacidad de 8 Kbytes.
ELIJA LA Vtxbps
4 = 2400 5 = 4800
6 = 9600
MOD. LOCAL
*
ELIJA LA Vtxbps
0 = 150 1=300
2 = 600 3 = 1200
MOD. LOCAL '
MOD. LOCAL 8-QAM
ENTER
CLEAR
<~
MODULACION
CONCLUIDA
Figura 4.7
Serie de pantallas de presentacin de la modulacin 8-QAM
Si se escoge la manera de modular remota (opcin 1) podemos retornar

nicamente en la primera pantalla de presentacin para volver a escoger la
manera de modular, si se setean los parmetros desde el PC como se pide en
la primera pantalla se debe terminar con el proceso de modulacin de manera
DISEO E BVPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
-85-
EPN
remota ya que se anula completamente el teclado y la nica fuente de datos es

el computador.
TRANS. REMOTA i
SETEE PARMETROS i
DESDE EL PC
1
TRANS. REMOTA
DATOS RECIBIDOS
DESDE EL PC
I
MODULACIN
CONCLUIDA
Figura 4.8
Serie de pantallas de presentacin del modo remoto
EPN
Para el modo de operacin de modulacin remota los parmetros que se

deben setear en el computador son: el tipo de modulacin y la velocidad de
transmisin por lo que las pantallas que se presentarn en el display son las
mismas para los dos tipos de modulacin ya que solo presentan las acciones
que se han hecho en el equipo.
4.1.3 MODULO CONVERTIDOR DE NIVELES
Es el interfaz entre el mdulo principal de trabajo y el dispositivo
modulador I&Q ZAMIQ-895M.
Imagen 4.2
Mdulo convertidor de niveles
Otro punto que hay que tomar en cuenta en el manejo de los dispositivos
de alta frecuencia diseados por la compaa Mini-Circuits es que cada uno
trabaja con un rango de valores de potencia de las seales RF que se utilizan
por lo que para su manejo es necesario leer las especificaciones tcnicas del
anexo A.
DISEO EIMPLEMBNTACION DE UN MODULADOR I&Q
-87-
EPK
4.2 PRUEBAS SOBRE EL EQUIPO

4.2.1 PRUEBA 1 ( SEAL EN BANDA BASE)
Esta prueba se realiz para comprobar el funcionamiento del equipo
convertidor de niveles y adems es obligatorio realizarla antes de conectar el
dispositivo modulador I&Q ya que nos ayuda a verificar que los niveles de
voltaje no excedan a los valores determinados que son; nivel alto +0.3V y -0.3V
y nivel bajo +0.16V y -0.16V, para esta prueba se realizaron las conexiones
entre el equipo principal de trabajo y el equipo convertidor de niveles (figura
4,9)
para luego
llevar directamente
hacia el osciloscopio las seales
provenientes de los canales I y Q para observar las seales que se obtienen en

la opcin O correspondiente a las pruebas.
Equipo principal
de trabajo
Osciloscopio
Datos
/
Canal I
Canal Q
Equipo
convertidor de
Figura 4.9
Conexin del equipo
En la opcin de pruebas podemos enviar valores de voltaje fijos

correspondientes a un uno lgico o cero lgico a los canales I y Q, adems se
pueden enviar caracteres para modular tanto en QPSK como en 8-QAM. Para
la parte de modulacin, la seal en banda base que sale por el canal I y por el
EPN
canal Q se puede observar en el osciloscopio digital (TEKTRONIX TDS 120)

con lo que se puede comprobar que las seales obtenidas corresponden a los
dos tipos de modulacin segn el diseo explicado en el captulo II. En esta
seccin de pruebas se analizan cada una de las seales que se obtuvieron as
[as grficas que se presentan a continuacin son las que se imprimieron de las
pruebas de funcionamiento del dispositivo convertidor de niveles.
Tijt
Jl_
''Stop
MP<*-DJGf,
PAWTAU*
:;-!.--+
; htHpotocftt
-i*
i t " *-
""
. M .
1 U
t . 1 1 1 1 1 1-
Ti
"< 'âneni':
î f 1 1 ; tvi i ii'i .
n H-'
i t i +* u i
r
>~ ; ,.-,..
-2
'
Aumettr.
Camas
'.
':'
',
'
fotnato;
, :.; '"";
;ft^t%
PW^t
Grfica 4.1
Grfica de la opcin O de pruebas
Esta grfica presenta las seales que obtenemos en la opcin O de

pruebas en donde se enva un O lgico correspondiente a un voltaje negativo
de 0.3 voltios tanto al canal I como al canal Q.
EPN
M Pw QJOOOf
PAKTA11A
Fonwto
'AumcmafContarte.
24-
CH1 (UV
CH2 0.3V
Grfica 4.2
Grfica de la opcin 1 de pruebas
Seales provenientes de la opcin 1 de pruebas, para el canal I un OL, y

para el canal Q un 1L cuyos niveles son -0.3 y +0.3 voltios respectivamente, el
canal I es el canal 1 del osciloscopio y el canal Q es el canal 2, grfica 4.2.
CHI iray
Grfica 4.3
EPN
Opcin 2 de pruebas en donde se enva al canal I = 1L, canal Q = OL

correspondientemente +0.3 voltios y -0.3 voltios, grfica 4.3.
'PSto,
"^y "
Tt H - . Jl**
MPK OOJO
f*CDOAS
...
",
FUOT&
CKl
}*
t
t
ulf
,..
i 1 i 4 1 1 f 1 I M f
"
'
2*
t'i i .* ' " " ' '
-6
,,
CH1
rrecuhcr
' ' 75,11 Hi

CH2-
:
CH1
D.3V
CH2
Frecuencia
15QJ) Hi,
CH2 0,3V
Grfica 4.4
La opcin 3 de pruebas presenta una serie para la cual se puede

escoger la velocidad de transmisin dada por los bits del canal Q
que se
observan en el canal 2 del osciloscopio para este ejemplo la velocidad es de

600 bps.
Tsi*
_n_
st*
t
....
i*
t j
2*
CH1 0.3V
M Pa -#,6Qms
: -
:"
UTflJOAKS
: El6do<W
: Ststcfta
4
i
>;
* . 11 iiit
EPN
Op^
*
iti
!,l i - L l
'
t H-
MJ-
i * M" AuiocAfado,
*
;
;
~.
',
&i.de
Re^stro
Lanwag?
C-H2 Q3V
Bit de inicio para el anlisis
Grfica 4.5
En esta grfica se presenta la opcin 5 de modulacin QPSK para el

carcter 35H enviado en serie a una velocidad de transmisin de 150 bps,
analizando la grfica anterior se puede verificar que en la modulacin QPSK se
enva alternadamente los datos al canal ! y al canal Q segn la velocidad de
transmisin escogida.
35 H = 00110101 b
Q'
As al canal I le corresponde la serie
1110
y al canal Q
0010
Que se puede verificar en la grfica 4.5.
-92-
Ti k
JV
EPN
Wd
M Pos 11.mr
1 i ] + i ii i '
''!'''
CH2
'*"'.'
Acoplamiento
E
Lfrrih*
1*
-4 Ancho Bwdd
1
i
t 11 !
11
i1i i
*'"
60MKz
1 '*''' ' i ( 11 mi i i i t 1
Ganaoa'a
VtfMe
Sonda
2*
4"
..
Bit inicial para el anlisis
Grfica 4.6
En esta grfica se presenta la opcin 5 de modulacin QPSK para el

carcter 39H enviado en serie a una velocidad de transmisin de 300 bps, para
este caso se analiza de igual forma que se analiz en la grfica anterior; as
para este ejemplo.
39 H = 00111001 b
Q'
1010
y al canal Q
0110
lo que se puede verificar en la grfica 4.6.
EPN
bit de inicio para el anlisis
Grfica 4.7
En esta grfica se presenta la opcin 4 de modulacin 8-QAM del

este caso se analiza de igual forma que se analiz en el caso anterior para la
modulacin QPSK y segn lo explicado en el captulo II para la modulacin 8QAM as para este ejemplo se tiene;
35 H = 00110101 b
Recordando lo que se dijo para el diseo en el captulo II se tiene que el

bit C nos da la magnitud del smbolo, as: para 1L = nivel alto, OL = nivel bajo, y
los bits I y Q nos darn la polaridad, as: 1L = positivo, OL = negativo.
-94-
EPN
.00110101001101010011010100110101
-1
+0,3
-0.3
+1
+0,3
+0.3
+1
-o;3 -1
+0.3
+0,3,. -1
-1 .
-0.3
-1
+1
Tabla 4.2
Grfica 4.8
En la grfica 4.8 se presenta la opcin 4 de modulacin 8-QAM del

este caso se analiza de igual forma que se analiz en el caso anterior.
39 H = 00111001 b
Q
-95-
EPN
.00111001001110010011100100111001
-1
*1
-0.3
-0.3
-1
*1 X
+0.3
f*o/3,~
+1
-1
+0.3
7o;s
+0.3
'
+0.3
. *- ;
-1
-1,
Tabla 4.3
TfekjL
F~
i-f fi"i--'i i.j (,t,i t t : t i t
InterpcAacCh
Perwtwca
Fwmato
COtltJAtB
2-
' 'X fc' ' ' ' n -'' f l? ' ' ' r ' ' ' ' ' * - ' ' * r ' >"' '
Q:3V
Q.3V
"tsmi
Grfica 4.9
Grfica de la opcin 2 de aplicaciones
Esta grfica corresponde a la seal obtenida al trabajar con ia opcin 2

de aplicaciones se presenta la modulacin QPSK del carcter 012 decimal,
-96-
EPN
enviado a una velocidad de transmisin de 1200 bps, con bandera de inicio y

fin (7EH), analizando como en las grficas 4.5 y 4.6 se tiene:
x\
012d = 001100000011000100110010 b
0111111000110010001100010011000001111110
7EH
7EH
01110010101000100111
y al canal Q
11100010001000101110
lo que se puede verificar en la grfica 4.9.
4.2.2 PRUEBA 2 (SEAL MODULADA)
Esta prueba se realiz adicionando a los elementos anteriores de la

pruebal el dispositivo modulador I&Q y los respectivos elementos de alta
frecuencia necesarios para el funcionamiento del equipo.
Con esta prueba se obtuvo la forma de la seal portadora modulada que

indica el buen funcionamiento dei dispositivo modulador ZAMIQ-895M, para lo
cual se utiliza un mezclador para poder llevar ia seal al oscioscopio Tektronix
ya que se est trabajando con frecuencias muy altas y no se dispone de un
-97-
EPN
equipo para poder observar (as seales a frecuencias tan altas, con este
mezclador se consigue alimentar al osciloscopio con una seal a una
frecuencia intermedia de diferencia tal que se pueda observar en la pantalla ya
que el osciloscopio tiene un ancho mximo de 60 MHz. El elemento mezclador
(modelo ZLW-2) utilizado fue adquirido tambin como parte del proyecto a la
compaa Mini-Circuits, el mezclador trabaja hasta con una seal de frecuencia
de 1Ghz para la entrada del oscilador local y la seal de RF\n se utiliza
el oscilador ZOS-1025 como entrada LO al dispositivo modulador ZAMIQ895M, y como oscilador auxiliar el 1362 de la General Radio Company utilizado
en el laboratorio de lneas de transmisin, la seal que se obtienen de este
oscilador tiene una potencia se aproximadamente 25dBm y es necesario
atenuarla ya que no se debe sobrepasar la potencia de entrada en LO del
mezclador que es de 7dBm.
VCOl
VC02
Equipo principal
de trabajo
Mezclador
Dispositivo
modulador I&Q
Equipo convertidor
de niveles
Osciloscopio
Figura 4.10
Conexin del equipo
1
Especificaciones tcnicas, Anexo A-3
EPN
Para esta prueba es necesario que los osciladores que se usen provean
de una seal estable en amplitud y frecuencia ya que la frecuencia intermedia
que se desea visualizar debe ser muy baja en relacin con la frecuencia que se
trabaja, y se debe evitar cambios de frecuencia pequeos en los osciladores
por inestabilidad ya que esto ocasiona problemas para observar la seal en el
osciloscopio.
La primera grfica que se presenta muestra la serie que se presenta en

la grfica 4.4 de la seccin anterior pero la velocidad de transmisin es de 9600
bps ya que obtener frecuencias intermedias menores de manera que se pueda
ver la seal a velocidades ms pequeas fue imposible por la inestabilidad de
los osciladores, para el anlisis de la seal modulada debemos tomar en
cuenta que la manera de modular del dispositivo modulador ZAMIQ-895M es
de forma diferencial, ello es que basndose en una seal de referencia con la
que est trabajando (oscilador local) el momento que entra un smbolo en los
puertos de datos, el dispositivo desplaza en fase la seal actual hacia atrs el
valor del defasaje correspondiente al smbolo, trabajando con la tabla 4.4.
^'A
FASE
..-00" ^
-135
01,-.
-45
- dC;.
Yfi 1X
+135
+45
Tabla 4.4
-99-
EPN
Grfica 4.10
Grfica 4.11
Grfica de la seal modulada (opcin 5 de pruebas)
-100-
EPN
Para esta grfica la modulacin es QPSK del carcter 35H para el

anlisis de cambio de fase se utiliza la tabla 4.4, el canal 1 del oscoscopio
corresponde a la seal que entra al canal I.
Grfica 4.12
Opcin 5 de pruebas
Para la grfica 4.12 de modulacin QPSK para el carcter 39H se utiliza

la tabia 4.4 para los cambios de fase sobre la portadora de referencia.
-101-
101 001 101
EPN
110
100 010 Ol 010
Grfica 4.13
Grfica de la seal modulada (opcin 4 de pruebas)
Para la grfica 4.13 de modulacin 8-QAM para el carcter 35H a una

velocidad de 9600 bps se utiliza la tabla 4.5 para los cambios de fase y de
amplitud sobre la portadora de referencia.
ENTRADA BINARA' , j AMPLITUD
FASE
Menor
225
Mayor
225
Menor
135
1
1
.-, ; -1-'
Mayor
135
, 1
Menor
315
Mayor
315
1
1
Menor
45
;1 -
Mayor
45
Tabla 4.5
-102
Grfica 4.14
Grfica ampliada de la grfica 4.13
EPN
EPN
Grfica 4.15
Grfica de una seal modulada (opcin 4 de pruebas
Para la grfica 4,15 de modulacin 8-QAM para el carcter 39H a una

velocidad de 9600 bps se utiliza la tabla 4.5 para los cambios de fase y de
amplitud sobre la portadora de referencia.
Grfica 4.16. Grfica ampliada de la grfica 4.15
-104-
EPN
4.2.3 PRUEBAS (ESPECTRO DE POTENCIA)
Para esta prueba se arma el equipo igual que en el caso anterior con los
elementos de alta frecuencia sin el mezclador ya que directamente la seal RF
modulada de salida del dispositivo modulador ZAMIQ-895M es la que vamos a
ingresar al analizador de espectros del laboratorio de Electrnica de alta
frecuencia para obtener datos de potencia y la forma de la seal en el dominio
de la frecuencia, de igual manera que en el caso anterior comparando con los
datos tericos dados para los dos tipos de modulacin se pueden analizar las
seales y ver si son los resultados esperados. La frecuencia de portadora es de
887.672 MHz con una potencia de 9.02 dBm en la entrada LO del dispositivo
modulador I&Q. Para todos los casos se indica la potencia de la seal
modulada tambin se indica el ancho de banda segn Nyquist.
VC01
Equipo principal
de trabajo
Seal RF
Datos
Cana! I
Canal Q
Dispositivo
modulador I&Q
Equipo convertidor
de niveles
H
Analizador de
espectros
Figura 4.11
Conexin del equipo
DISEO EMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
- 105-
EPN
jl2:t.32'4'. 'PR 28. 2608
REF 23.6, dB-
ST 4fl dB,
BPAH 28. <

SWP 38B 'seo
CEHfER -8.87-..1846,. RH
RtjS; VU .9 >Hz
Grfica 4.17
Potencia de la seal RF modulada P= -6.6 dBm
La grfica 4.17 del espectro de potencia corresponde a la opcin 2 de

pruebas en donde se enva ai canal I un 1L y al canal Q un OL.
23.6
..
dBa
;ft:T
48
PEAK
LOB
11
aev
HftRKER
Mft SB
SC F*
CORR
HARKR i
OH orr
or*
'P.'r .2
CEMTER 887.68618, HHz;

RES BH 1,* k H *
2 8 . 8 8 kHl
UB.M fcHi
SHP aee *c
Grfica 4.18
Potencia de la seal modulada P= -10.9 dBm, Ancho de banda ARF- lOKHz
La grfica de espectro de potencia corresponde a la opcin 3 de pruebas

en donde se enva una serie determinada a 9600bps.
- 106-
2 1 2 2 1 4 8 APR f
RET '28;.,;6; dB
pErtk
EPN
29**
ftT
* dB
dB/
MftRKCft
ftMPTP
8ELECT
i. 2 a 4
Uft
SC
SB
F,S
.Mor.
CCMTGR 887.59976 HHz

RES BU i. kHz
bf: 2
SPrtH 2t.* fcHi
SUP 300 *i*o
YBW i
Grfica 4.19
Potencia de la seal modulada P= -15.4 dBm. Ancho de banda ABRF = 6.8 KHz

en donde se enva el carcter 39H modulado en 8-QAM a 9600bps.
HftRKER
NOUAL
.HflpKER*
NfSRKER
"apTff
CEHTER 8 9 7 . 6 2 8 2 3 MHz
RES BU 1.8 kHi
VBH 1 kHz
SPftN 2.*
8HP SBC vo
Grfica 4.20
Potencia de la seal modulada P= -9.9 dBm3 Ancho de banda AERF = 7 KHz

en donde se enva el carcter 437decimal modulado en 8-QAM a 9600bps.
107-
EPN
MARKER
HoRnnL
Grfica 4.21
Potencia de la seal modulada P= -12.4 dBm, Ancho de banda ABRF = 9.8KHz

en donde se enva el carcter 30H modulado en QPSK a 9600bps.
26.80
.....
REF 23.. .5: dB.
PETK
LO 6
CEHTER 887.67278 HHiRES' BM l.- .Hz
Grfica 4.22
Potencia de la seal modulada P= -10.4 dBm, Ancho de banda AB^ = 9.8 KHz

en donde se enva el carcter 33H modulado en QPSK a 9600bps.
-IOS-
12189142
PR
29,
REF 2 3 . 6 dB*
EPN
20*0
AT 48 dB
PEMC
tu a
ILl
dB'/
CCHTER 9 8 7 . 6 4 a 3 MHx
RES BH 1 .6 kHz
SPftM 20,- k H z
SHP 389
Grfica 4.23
Potencia de la seal modulada P= -11.8 dBm, Ancho de banda AB^r = 9.8 KHz
La grfica de espectro de potencia corresponde a la opcin 5 de pruebas en

donde se enva el carcter 36H modulado en QPSK a 9600bps.
lor.
1 of 2
CEHTE
fre7 r ..S6362
RES BU 1 ,B"
HHl
Grfica 4.24
Potencia de la seal modulada P= -15,6 dBm, Ancho de banda ABRF = lOKHz

en donde se enva el carcter 39H modulado en QPSK a QGOObps.
-109-
EPN
4.3 ANLISIS DE RESULTADOS

Al variar la informacin a modular tambin vara la potencia de la seal
de salida del modulador debido a la variacin que existe de la potencia media
en la seal de entrada en los canales de datos.
La velocidad de transmisin de la seal que entra a los canales 1 y Q del

modulador no corresponde exactamente al valor que se escoge en las
opciones de modulacin presentadas en el display ya que hay muchos factores
que afectan a la misma como los ciclos de mquina utilizados en las
instrucciones.
Con las grficas presentadas en la seccin 4.2.2 se pudo verificar lo que

se dijo acerca del desplazamiento de fase para el modulador diferencial de que
los cambios de fase son sobre la portadora en el instante en que se introduce
el dato.
Tambin se ha podido verificar que el ancho de banda corresponde al

doble del ancho de banda en banda base tanto en la modulacin en QPSK
como en 8-QAM.
- 110 -
EPN
4.4 PRACTICA PROPUESTA
HOJA GUIA
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
LABORATORIO DE LINEAS DE TRANSMISIN
TEMA: DETERMINACIN DE LA ONDA ESTACIONARIA Y LA RELACIN

VSWR (S) DE UNA SEAL RF MODULADA.
OBJETIVO: Conocer las caractersticas de onda estacionaria para una seal.
INTRODUCCIN:
ESQUEMA GENERAL PARA LA OBTENCIN DE LA ONDA ESTACIONARIA
Seal
modulada
Equipo
Modulador
Carga
Figura 4.12
Esquema general de conexin
-111-
EPN
El elemento generalmente utilizado par la obtencin de medidas para

formar la onda estacionaria de voltaje es la lnea ranurada, que no es ms que
un dispositivo formado por una lnea coaxial rgida con un ranura a lo largo de
su longitud, una pieza deslizable o carro mvil puede deslizarse sobre una
ranura a lo largo de su longitud, un detector de prueba est montado sobre el
carro y se extiende parcialmente dentro de la lnea ranurada, acercndose al
conductor interno. De esta manera, se acopla la energa desde el conductor
interior al detector de prueba, sin cambiar el patrn de onda estacionaria dentro
de la lnea ranurada. Hay una escala en centmetros a lo largo de la longitud de
la lnea ranurada, de tal manera que una seal en una posicin puede
correlacionarse a una seal en otra posicin en la lnea ranurada. La lnea
ranurada debe acoplar a impedancia caracterstica de la lnea de transmisin.
Una vez que la punta de prueba recolectado energa, la seal detectada puede
tratarse en cualquier nmero de forma haciendo factible obtener la forma de la
onda estacionaria de voltaje y la relacin VSWR (S).
La seal que se obtienen del sensor de la lnea ranurada es pequea por

lo que es necesario amplificar la seal para lo cual utilizaremos el equipo
diseado para la medida de la onda estacionaria desarrollada en la tesis parte
de este proyecto llamada AMPLIFICADOR DE FRECUENCIA INTERMEDIA
CON CONTROL AUTOMTICO
DIGITAL, la cual ser utilizada como
documento de consulta obligatoria par el desarrollo de esta practica.
La seal que vamos a analizar es una portadora modulada de la que se

toma una muestra por el sensor de la lnea ranurada, un mezclador ser el
encargado de darnos la frecuencia intermedia de SOMhz, la cual se filtra y
amplifica para obtener la seal de la cual se procesara la informacin.
- 112 -
EPN
TRABAJO PREPARATORIO
1) Revisar las conexiones del equipo modulador
parte de la tesis DISEO E
IMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q y del equipo de medicin de

onda
estacionaria
desarrollado
en
la
tesis
AMPLIFICADOR
DE
FRECUENCIA INTERMEDIA CON CONTROL AUTOMTICO DIGITAL
2)
Presentar las frmulas para el clculo del coeficiente de onda estacionaria

en decibelios, y explicar un mtodo para el calculo del coeficiente de
reflexin.
PARTE PRACTICA
1) Armar el equipo modulador I/Q y realizar las pruebas de funcionamiento

correspondientes a este equipo.
2) Una vez que se ha verificado el funcionamiento del equipo modulador

armar la parte del amplificador de Fl.
3) Tomar los datos necesarios para calcular la relacin de onda estacionaria

de voltaje (VSWR), coeficiente de reflexin ( si existe), con una carga de
50Q y con el dispositivo demodulador ZAM1Q-895M conectado, para la
seal modulada en QPSK y 8-QAM.
INFORME
1) Presentar los datos tomados en tablas con un nmero suficiente de datos

tal que se pueda obtener la forma de onda estacionaria.
EPN
2) Realizar comparaciones y analizar los resultados de los parmetros pedidos

correspondientes a los dos tipos de modulacin.
3) Comparar y analizar los resultados de los parmetros pedidos para las dos
cargas.
- 114 -
EPN
CAPITULO V
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
DISEO EIMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I &Q
115
EPN
CONCLUSIONES
116
EPN
Una de las caractersticas propias de trabajar con elementos de alta

frecuencia es que el desarrollar equipos que proporcionen alta estabilidad con
una proteccin adecuada requiere de alta tecnologa, es esta una de las
razones principales que nos llevo a escoger una buena opcin para desarrollar
los mdulos que necesitaban dispositivos de alta frecuencia y fue la compra de
los mismos ya que si la tecnologa avanza hay que saberla aprovechar sin
desperdiciar recursos, el inconveniente que se tuvo fue la importacin de los
mismos por no tener facilidades de traslado de los elementos lo que retras el
trabajo de todo el grupo.
La naturaleza de cuadratura de la modulacin &Q es usada para la

reduccin del ancho de banda de una seal modulada. Codificando las seales
que ingresan al canal I Q, el modulador !&Q puede ser usado para
modulacin de niveles altos. En esencia la magnitud y polaridad de las seales
que ingresan al canal I o Q determinan el traslado de magnitud y fase del
vector I/Q, esta teora fue aplicada en el diseo del equipo modulador de esta
tesis, las pruebas
realizadas
sobre el equipo
determinan
el correcto
funcionamiento del equipo, obteniendo al final un equipo confiable que ser el

encargado de proporcionar una seal RF modulada tomando los datos desde
un teclado, caracteres simples llamado modo local, y tambin tomando los
datos de un computador personal llamado a este mtodo modo remoto, la
seal RF final servir para el anlisis en el laboratorio del Lneas de
Transmisin cumpliendo as con el objetivo final que es dar ms opciones en
las prcticas del laboratorio de Lneas de Transmisin.
Para las pruebas de modulacin, prueba 2, fue necesario utilizar un

equipo de control digital de voltaje (no es parte del equipo modulador pero fue
necesario utilizarlo de manera improvisada y se recomienda la construccin e
impementacin) para variar el voltaje de control del VCO ya que segn las
especificaciones tcnicas la sensibilidad de variacin del dispositivo ZOS-1025
DISEO E IMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I &Q
117
EPN
es 30 MegaHertz por voltio y segn las velocidades de transmisin como son

bajas la frecuencia intermedia que se necesita sacar es de unos pocos miles de
hertzios, por esto que se necesita elementos de alta precisin para realizar las
medidas y de gran estabilidad para no cambiar la frecuencia intermedia a la
que se va a medir, la necesidad de utilizar fuentes de bajo rizado en la sea!
DC de salida es uno de los parmetros importantes tambin ya que en esta
prueba se debe tomar en cuenta que el voltaje que se introduzca en el VCO
ser el que determine la frecuencia de salida y si se proporciona un voltaje
variable como el que se da al tener una seal con rizado alto la seal de salida
se ve afectada dando problemas en la determinacin de la frecuencia
intermedia fija, ste hecho no solamente afecta en esta prueba sino tambin en
os requerimientos de una modulacin QPSKy 8-QAM que determinan que se
debe proporcionar cambios de fase y amplitud respectivamente segn el tipo
de modulacin pero con una frecuencia constante. El procedimiento explicado
anteriormente fue necesario desarrollarlo ya que la limitada capacidad de
disponibilidad de equipos para medir y observar seales de alta frecuencia
limitaba cumplir con el objetivo de observar las caractersticas de cambio de
fase de la seal modulada, hacindose necesario utilizar el mezclador ZLW-2
para obtener una frecuencia mucho menor que pueda ser vista en el
osciloscopio utilizado para este propsito.
De una manera sencilia se presenta el equipo modulador utilizando para

el diseo del mdulo principal las ventajas de utilizar el microprocesador 8031
ya que se usa las ventajas en fas comunicaciones de datos con el computador
utilizando la comunicacin serial con el nterfaz RS-232, utilizar el mdulo de
display y teclado permite dar mayor facilidad de manejo de perifricos dando la
posibilidad de ampliar el nmero de perifricos segn las necesidades.
El objetivo principal de esta tesis es la proposicin de nuevas prcticas

para el laboratorio de lneas de transmisin y creo que se ha cumplido con el
118
EPN
objetivo ya que a pesar de que la practica propuesta es el conocimiento del

fenmeno de onda estacionaria que se ve en practicas ya hechas en el
laboratorio de lneas de transmisin, lo nuevo de esto y creo lo ms importante
es trabajar con equipos que se encuentran en un campo real de trabajo como
son seales ya moduladas y a transmisin de la mismas y el hecho de trabajar
sobre esta seal es muy importante en el conocimiento del estudiante del
mundo exterior de trabajo.
Es importante observar las caractersticas de funcionamiento de un

equipo ms completo que es el funcionamiento del modulador y demodular
esto se podra realizar revisando la documentacin sentada
para el
funcionamiento del demodulador, ste tema se puede encontrar en la tesis

parte del proyecto que lleva por ttulo "DISEO E IMPLEMENTACION DE UN
DEMODULADOR
l&Q
PARA
EL
LABORATORIO
DE
LINEAS
DE
TRANSMISIN", con esta conexin se puede entender el funcionamiento de

un MODEM elemento indispensable hoy en da para la transmisin de datos
por la lnea telefnica y utilizado tambin en el rango de frecuencias para el que
estamos trabajando para la telefona celular.
DISEO EIMPLEMENT ACIN DE UN MODULADOR I &Q
119
EPN
RECOMENDACIONES
DISEO E nvJPLEMENT ACIN DE UN MODULADOR I &Q
120
EPN
Una de las principales recomendaciones que se puede dar es que la

estabilidad de los equipos que se utilicen como elementos generadores de
seales como e! oscilador controlado por voltaje y las fuentes debe ser probada
ya que al trabajar con el dispositivo modulador I&Q que proporciona una
modulacin por niveles en QAM cambios en la amplitud de la onda portadora
afectan al funcionamiento del equipo para un tipo de modulacin ya fijado que
necesita de un nmero determinado de niveles para dar las caractersticas
requeridas.
El equipo modulador construido puede ser ampliado en cuanto a un

nmero mayor de formas de modular como 8-QPSK, 16-QPSK y 16 QAM ya
que segn las especificaciones del dispositivo modulador ste podr soportar
tener variacin de niveles de entrada y proporcionar una modulacin por
niveles claro est trabajando en el rango especificado por la casa Mini-Circuits,
para obtener los tipos de modulacin descritos anteriormente es necesario
hacer variaciones nicamente en el software del equipo ya que la construccin
del hardware se hizo previendo futuras ampliaciones de la capacidad de niveles
de modulacin del equipo.
Los equipos de radiofrecuencia deben ser utilizados tomando muy en

cuenta los parmetros de potencia mxima de entrada ya que la introduccin
de seales con potencias distintas a las requeridas por el fabricante de seguro
daaran el elemento utilizado.
La revisin de los cables coaxiales de conexin es importante ya que

para radiofrecuencia un cortocircuito entre la malla y el conductor de la seal
provocaran un nivel de seal reflejada alto que daara el dispositivo de
manera que no se podra utilizar el equipo diseado para ese dispositivo ya que
el costo de ios equipos es alto y adems traerlos desde la casa comercial
resulta tedioso y complicado.
DISEO E 1MPLEMENTACION DE UN MODULADOR I &Q
121
EPN
Algo importante tambin que hay que tomar en cuenta es que la

polarizacin de las fuentes debe ir correctamente tal que los equipos no sean
polarizados de ninguna otra forma que la que se indica para cada equipo ya
que segn la experiencia que nos dio la utilizacin de los equipos el polarizar
mal cualquiera de ios mdulos lleva a daar la mayora de los elementos
utilizados en su construccin.
El alcance que se quiera dar con este equipo creando nuevas prcticas
estar supeditado tanto a las especificaciones que se dan para el manejo del
equipo como al funcionamiento del equipo adems de a creatividad que se le
d a la tarea ya que en este texto se brinda toda la informacin que fue
utilizada para el desarrollo y la construccin del mismo.
DISEO E IMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I &Q
EPN
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STREMLER F.G., "Introduccin a los Sistemas de Comunicacin", Alfaomega,
Tercera Edicin.
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EPN
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Editores, 1996.
DISEO E DVDPLEMENTACION DE UN MODULADOR I &Q
124
EPN
GUA DE USUARIO
126
EPN
OPERACIN DEL MODULO PRINCIPAL DE TRABAJO
Mdulo principal de trabajo
El manejo de este equipo es muy sencillo sin embargo una de las

precauciones ms importantes que debemos tomar es ubicar correctamente los
conectores de alimentacin en el sentido que se indica en la caja de proteccin
de los dos mdulos (mdulo principal y mdulo de display y teclado).
Como se puede observar en la imagen se tienen a disposicin cuatro

elementos de conexin ubicados en la parte posterior de la caja a los que se
los describe a continuacin.
Empezando desde la izquierda, en la imagen podemos ver un conector

macho asignado a la fuente. Para evitar problemas de mala conexin, una de
las caractersticas esenciales es que el conector hembra se lo puede poner en
una sola posicin sin embargo se tiene la sealizacin necesaria para que no
127
EPN
se de una mala conexin, en el iado izquierdo del conector macho se indica

que debe ir el cable rojo del conector hembra, este conector es de donde se
tienen los voitajes de alimentacin desde la fuente y son de: +5, O, -12 y +12
voltios sealados en cada uno de sus pines. ( En todos los conectores hembra
que salen de la fuente se asigno ei cable de color rojo para ei voltaje de +5
voltios asignado como +Vcc).
El siguiente elemento que se observa en la imagen es un pulsador de

reset el que debe utilizarse para empezar con el trabajo, al inicializar el equipo
se pone en el puerto de datos P1 un 1 lgico, a continuacin tenemos un
conector DB-9 hembra utilizado para realizar la comunicacin serial con ei
computador, con este conector no se tiene problemas de mala conexin entre
conectores correspondientes ya que hay una sola manera de insertar el
conector macho.
El ltimo es un conector macho de 40 postes para la conexin del bus de

datos y de seales provenientes de! microcontrolador, de igual manera en la
caja se indica el pin 1 y el pin 40 para evitar malas conexiones, como se puede
ver este equipo es muy fcil de manejar y se hace muy seguro para evitar
problemas de manipulacin que pueden causar el mal funcionamiento del
equipo adems de producir daos graves en los elementos electrnicos que
conforman este mdulo.
Adems de ios conectores podemos ver en ia imagen, el dispay y el

teclado ubicados en la parte superior, estos elementos sirven para visualizar
cada uno de los pasos y manejar el equipo modulador correspondientemente,
en este mdulo la memoria EPROM que carga el programa de modulacin ya
se encuentra programada y est listo para ser utilizado.
128
EPN
El programa principal esta desarrollado para manejar el
equipo

muestran en el display ayudan al estudiante en el manejo del equipo. Cada una
de las pantallas indican las teclas que se utilizan para el control, las teclas que
no se utilizan sirven para escribirlas como datos para ser modulados, las teclas
de la segunda funcin no estn activadas, el manejo de las pantallas se indica
en el captulo II.
La tecla ffig| realiza la accin indicada en la presentacin, la tecla que

borra toda la pantalla es |gg, la tecla que indica que se puede anular la accin
1
la tecla que
indica que hay una siguiente pantalla es
OPERACIN DEL MODULO CONVERTIDOR DE NIVELES

Este mdulo es el interfaz entre el mdulo principal de trabajo y el
dispositivo modulador I&Q, los conectores disponibles para el estudiante son;
El conector macho de 40 pines para conectar el bus de datos y seales

provenientes del microcontrolador ubicado en el lado izquierdo de la imagen.
El conector para ingresar los voltajes de alimentacin desde la fuente de

+5, O , y -5 voltios que son para polarizar los circuitos integrados que forman
parte del equipo, de la misma forma que todos los conectores para la fuente el
cable sealizado de color rojo es el de +5 voltios llamado VCC, en el conector
macho de la caja se seala el lado en que debe ubicarse, adems para evitar la
mala conexin, el conector hembra se puede ubicar en un solo sentido, este
conector se aprecia en el lado derecho de la imagen.
DISEO E IMPI^MENTACION DE UN MODULADOR I&Q
129
EPN
Para obtener las seales de salida en banda base se tienen dos

conectores
BNC hembras
que
se
conectan
al
dispositivo
modulador
ZAMIQ_895M al canal I y al canal Q respectivamente como se seala en la

figura, antes de realizar esta conexin con la ayuda de las pruebas
desarrolladas se debe verificar que el voltaje que sale del modulo convertidor
de niveles sin conectar el dispositivo sea de 0.3 voltios positivo cuando se
enva un 1L y de 0.3 voltios negativo cuando se enve un OL, esto para el nivel
alto y con la prueba de modulacin 8-QAM el nivel bajo que se tiene debe ser
de 0.16 voltios, estas pruebas se deben realizar para evitar introducir voltajes
superiores a los permitidos al dispositivo modulador I&Q.
BUS DE DATOS
FUENTE
Vista posterior del mdulo convertidor de niveles
130
EPN
Vista frontal del mdulo convertidor de niveles
En cuanto a los cables que se utilizan para nterconectar los diferentes

mdulos son del tipo coaxial con conectores SMA y BNC en sus extremos, es
necesario verificar la condicin de cada uno para evitar cortocircuitos que
causaran serios daos a los equipos por producir ondas reflejadas de alto
valor.
Otro punto que hay que tomar en cuenta en el manejo de los dispositivos
de alta frecuencia diseados por la compaa Mini-Circuits es que cada uno
trabaja con un rango de valores de potencia de las seales RF por lo que para
su manejo es necesario leer las especificaciones tcnicas del anexo B o el
resumen en el anexo C.
La conexin del equipo se muestra en la siguiente figura.
DISEO E1MPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
131
Mdulo principal
de trabajo
Mdulo convertidor
de niveles
EPN
Dispositivo
modulador i&Q
ZAMIQ-1025
Seal RF
modulada
Fuente
Oscilador
ZOS-1025
Conexin del equipo
132
Anexo B-1
Anexo
Anexo
Anexo
Anexo
B-2
B-3
B-4
B-5
EPN
Dispositivo modulador ZAMIQ-895M

Pruebas sobre el dispositivo
Oscilador controlado por voltaje ZOS-1025
Mezclador de frecuencia ZLW-2
Multiplexer/Demultiplexer CD4052BM
Amplificador Operacional LM324
ANEXO B-1
Dispositivo modulador ZAMIQ-895M
Pruebas sobre el dispositivo
EPN
ZFMIQ
MIQA
FREQUENCY
"(MHz).
MODEL
NO.
RF(sgnal)/"' ' <

LO(carrier)' ; f.&.Q '
fL
fu Mm. 'Max.
ZAMIQ
CO'NVERSION "GARRIERA /SIDEBAND' MiMOl^lC SUPPR'ESSION

''aoss:":/ REJECTJON, REJECTION
;:,;<TdB)V,' /U-cfBcyi/ ;-T<;{fdBc)(V -' *' ': " ;,<-dBc)
? \ ' , , '
' ""'_ '.'. ^ "'
>/(-;/
'
'
"f~
~/'~
, .
'
x - CT Max. - Typ. Mh.
-Typ. Min.
3x/Q;'
Typ. Mn.
5xl/Q Typ, Mn.
CAPO CASE
DATA STYLE
(see RF/IF
Designer
hand'
book)
Page
Note 8
MIQA-10M
M1QA-H1M
MIQA-70M
MIQA-70ML
20
66
66
23
73
73
DC
DC
DC
DC
2
3
5
5
5.8
6.2
6.2
5.7
0.20
0.14
0.10
. 0.10
7.0
7.0
7.0
6.5
41
50
38
38
30
40
30
30
40
40
38
38
30
30
30
30
58
48
48
48
48
40
45
43
68
65
58
58
58
55
55
55
11-10
11-10
11-16
11-26
A06
A06
A06
A06
MIQA-91M
M1QA-100M
MIQA-108M
MIQA-195M
86
95
103
185
95
105
113
205
DC
DC
DC
DC
5
5
5
5
5.5
5.5
5.5
5.6
0.10
0.10
0.10
0.10
6.5
6.5
6.5
6.5
38
38
38
3B
30
30
30
30
38
38
38
38
30
30
30
30
48
48
48
48
45
45
43
45
58
58
58
58
55
55
55
55
11-22
A06
A06
A06
A06
MIQC-38M
MIQC-88M
MIQC-176M
MIQC-895M
34
52
104
868
3B
88
176
895
DC
DC
DC
DC
4
5
5
5
5.6
5.7
5.5
8.0
0.10
0.10
0.10
0.10
7.0
7.5
7.0
10.5
48
41
38
40
38
35
30
30
37
34
36
40
30
30
30
30
54
52
47
52
40
40
35
35
65
66
70
58
55
50
50
50
MIQC-1785M
MIQC-1880M
1710 1785
1805 1880
DC
DC
5
5
9.0
9.0
0.30 10.5
0.30 10.5
35
35
25
25
35
35
25
25
40
40
33
33
65
65
50
50
ZAM1Q-895M
868
895
DC
8.0
0.10 10.5
40
30
40
30
52
35
58
50
ZFMIQ-10M
2FMIQ-70ML
ZFMIQ-91M
2FMIQ-100M
ZFMIQ-108M
9
66
86
95
103
11
73
95
105
113
DC
DC
DC
DC
DC
2
5
5
5
5
5.8
5.7
5.5
5.5
5.8
0.20
0.1
0.17
0.17
0.12
7.0
6.5
6.5
6.5
6.5
41
38
38
38
38
30
30
30
30
30
40
38
38
38
38
30
30
30
30
30
58
48
48
48
48
45
43
45
45
43
68
58
58
58
58
58
55
55
55
55
11-10
MIQY-70M
MIQY-140M
67
137
73
143
DC
DC
5
5
5.8
5.8
0.20
0.20
7.0
7.0
40
34
35
30
36
36
30
30
47
45
40
35
60
60
50
50
11-22
n-23
n-23
11-11
n-i6
C07
C07
C07
C07
C
O
N
N
E
PRICE
$
T
I
Qty.
0
N
0-9)
dv
49.9S
39.9S
39.95
49.95
gd
dv
dv
dv
dv
dv
dv
49.95
49.95
49.95
49.95
gu
49.95
49.95
54.95
99.95
11-25
C07
C07
dx
dx
dw
dx
dx
n-i7
HHH141
gv
149.95
11-22
11-22
11-19
J17
J17
J17
J17
J17
dz
dz
dz
dz
dz
89.95
89.95
89.95
89.95
89.95
11-16
11-26
C07
C07
dy
dy
(1-49)
19.95
19.95
11-21
n-2i
11-11
n-22
99.95
99.95
Qty.
NOTES:
x
a
Average of conversin lossatcenter of mid-band frequency (fL+fu/4)

Standard deviation
Non-hermetic
Available only wth SMA connectors
A. General Quality Control Procedures, En virn mental Speciflcations, HlRel and MIL description are given n section O, see "Mini-Circuits
Guarantees Quality" article.
B. Connector types and case mounted options, case finishes are gven in
section O, see "Case styles &
outline drawings".
C. Pnces and specifications subject to change
without notice.
1. Absolute mximum power, voltage and current ratng:
la. LO power, 50mW
Ib. l&Q current, 40mA
2. Operating LO power: 10 IdBm
3. TdB compression: OdBm typical
4. Conversin Loss = (I+Q) power, dBm - RF power, dBm
5. Carrier and sideband rejections rneasured at -5dBm
I/Q power.
6. Q=l-90 for MIQA-70M
Q=l+90a for all other models
ini-Circuits
l&Q Modulation Block Diagram
QMini-Circuits
JC!Q
CONVERSIN , CARRIHR SIDEBAND HARMONIO SUPPRESSION CAPO CASE

LOSS
REJECT1ON REJECTION
DATA STYLE
CdB)
(-dBc)
C-dBc)
(-dBc)
see RF/iF
FREQUEIMCY
(MHz)
MODEL
NO.
JCIQ-8BM
JC1Q-176M
RF(signal)/
LO(carrer)
t
52
104
t
88
176
I&Q
x
Mn. Max
DC
DC
5
5
5.6
5.6
' o- Max. Typ. Miv Typ. Min,

0.1
0.1
7.0
7.0
40
35
32
30
35
35
3xl/Q
Typ. Min,
30
30
45
45
35
35
features
shielded surface mount metal case
solder plated J-leads for excellent solderability and strain relief
cellular applications, radar and communication systerns
smaii size 0.8 X 0.87 X 0.25 inch
good carrier and sideband rejections
excellent 3rd and 5th order harmonic suppression
all MIQA and MIQC models, metal case and hermetically sealed
pin and coaxial connections

see case styleputline drawings
dv
dw
PORT
LO (carrier)
1
13
8
RF (sgnal)
2
7
4
I(0)(ref.)
4
1
Q (90)'
9,12,16
1SOLATED"
50W TERM. EXT.

2
~
NOT USED
3.5.6
3,5,6,7,8,
GND EXT.
10,11,14,15
3,5,6
3,5.6,7,8,
CASE GND
10.11,14,15
dy
13
1
1
8
8
5
5
10,11
2,3,4.6,7,9,10. 2,3,4,6,7.9,
11,12,14,15.16 12,14,15,16
3,4,6,7,10,11, 2,3,4,6,7,9,
12,14,15,16
14,15
dx
13
gd
i
dz
1
3
S
2
2
3,5,6
3,5,6
7
4
gu
13
1
8
5
10,11
2,3,4,6,7,9,
12,14,15,16
3,4,6,7,
14,15
gv
i
hs
2
3
9
4
4
2
11
1,3,5,6,7,8,10
12,13,14
_
For I&Q modulators: Q(90) for lower sideband suppression.

For MIQY, MIQC-38M external variable capacitors can be connected at pins 10
& 11 to ground for mprovementof sideband rejection.
In Stock... Immediate Delivery

For Custom Versions Of Standard Models Consult Our Applications Dept.
Sxl/Q
Typ. Min.
65
65
50
50
Designar
i3nd"
bookj
Page
11-24
11-24
O
N
N
E
PRICE
$
Note
^
i
Qty.
0-9)
BG291
BG291
hs
hs
49.95
54.95
EPN
MODULADOR
Vin VinM BnM
(mA)
(V) (V)
3
0.4
2,5
0,4
2 0.37
0.3
1,5
0.
25
1
0,7 0. 18
0.5 0, 14
0.4 0, 11
0,2 0.06
0,1 0.03
0
0
ZinM
(ohm)
a 9655 44.6154
7.2414 55.2381
5.6207 65.8282
72.5
4.1379
2:5862 96.6667
17931 100. 385
1.2414 112. 778
110
1
0,4828 124. 286
0:2414 124. 286
0
RF
(Dm
(l)m
( I ) RF Ideal
(dBm) - (dBm) (dBm)
(mW)
(dBm)
* ,
3,58621 5.546353 -2,45365 -10.454 2,53605346
2.89655 4.618813 -3,38119 -11,381 1.60851292
2.07966 3.179913 -4.82009 -12.82 0,16961335
1.24138 0.939045 -7.06095 -15 .061 -2.07125493
0,64655 -1.89397 -9,89397 -17 .894 -4,90426721
0,32276 -4.91122 -12,9112 -20 .911 -7,92152145
-23.6 -10'.6099746
0.17379 -7,59967 -15,5997
* 0.11 -9.58607 ^-1 7*5861 -25 .586 -12,5963731
0,02897 -15.3812 -23,3812 -31.381 -18,3914871
0,00724 -21.4018 -29.4018 -37,402 -24,412087
-.
Vin M vs Pin M
5 -r
3- 2-
0-L i i i i
' )~
R --
- --
"- -
q-
A*'
. , , s*F
, . , ,
i .
>^
05
0
0 2s* 0
U
<s
s*^
s
Jt
X^
-12/y
L
/
/
4
v
- /
\- 41
Z -11-
i , .
--
Vin M (V)
EPN
Vin-Vin r
Un T =
I
220 + 70
Vin7
Zinr =
p,
Vin Vin I VinQ
linl
Jln Q ^
(mA)
8.9655 8.9655
7.2413 7,2413
5.6206 5,6206
1,5 0.3 , o;s 4,1379 ,4, 1379
1 0.25 0.25 2.5862 2,5862
7931
07 0.18 0.18 17931 1
0,5 0.14 0,14 1.2413^ 1,2413
1
0,4 0.11 5.11
1
0.2 0.06 0,06 0.4827 0,4827
0.1 0.03 0,03 0.2413 0,2413
(V) (V) (V)

3 0.4 ' 0,4
2,5 0.4
O42 0.37 ,0,37
Vin V i n M
(V)
(V)
-079 -0.2
-0,21 -0.0667
0,21 0.06667
o.ra
0.2
Zin IM (h-Q)m (l+Q)m RF

(ideal)
(ohms) (mW) (dBm) dBm
44.6153 7,1724 8.5566 5>0515
55.2381 57931 7.6291 5.0515
65.8282 4,1593 6.1902 4,37433
725 ^2*4827 3.9493 2,55272
96.6666 12931 1.1163 0,9691
100 .384 0.6455 -1,9009 -1.88425
112 777 0.3475 -4.5894 -4,06714
110
0,22 -6.5758 -6,16185
124.285 , 0,0579 -12.371 -11.4267
124 .285 0,0144 -18.391 -17,4473
*
Corriente
(mA)
-2.0345
-0.4943
0.49425
2P03448
DISEO E JMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
FACULTAD DE INGENIERJA ELCTRICA
EPN
8-QAM
P1.0yP1.2
Q1
11
P1.3
, 0
P1.1
0
0
0.
* 1 .
1
t
1
0
0
Vnl*
HnQ
lnl
PO
(mA)
(V)
^(mA)
.(V)
0
-0.066 -0.066 -0.49425 -0,494
1 ,
1
1
'
0
0
1
1
Vin Q
-0.2
~0<Z -2.03448 -2.034
-0.066 0.0666 -0.49425 0.4942
1 -0.2 ^ 0.2 -2.03448 2.0344
o - 0.0666 -0,066 0.494253 -0.494
1, 0.2 -0,2' 2.034483 -2.034
0 , 0.0666 0,0666 0.494253 0.4942
0.2
-o, 2.034483 2.0344

0
(l+Q)m i
/Ts I
(dBm)
-11.811
-0.8949
-11.811
-0.8949
-11.811
-0.8949
-11.811
-0.8949
ANEXO B-2
Oscilador controlado por voltaje ZOS-1025
EPN
JTOS
ROS
HARtp'Nics i>. ?;B

-POWER
-MH%* OTPUi ~^c/$$fflj& Upzf;
SENSIVJf %;','7dB'c? ; , MotATION SPPUY
^Hg1^'
'dBmt off sepffec|'.e ci es: "VR~pt ;'?C *'<!- S yiHz/v -, ",
JB'AND\WIDTH
- <
~. vi*- "*" "/r''!^ty o 55% *//?: 4. ~';*KHZ' f* '^^V.C^RENJT
'/IZ-CBf
lyjQDEL
' *-?
-" '
NO~*4 - ''' 'rM, '^Sop^^p?! '^^~. ''/'.'"'I 'I VjW, **y? &*;$$$ *$f, '.*-. ,'*'' v'oTAGl^^'r
"Tv
J Ma'x,
Mn-Max. iyp- , ' Jtfz KHz^ KHtf MHz'; ' Typ.- - Typ,'* , -" . Typ." - ; Tryp, '/Max. ,~ , Typ,',
FREO- P,OWER -' fptsNbsW^ ptife PUSHlhJG --TNNG-
~- '-'>,": y>-
'.y/ sjfyp^zfffi*
JTOS-50P
JTOS-75P
JTOS-100P
24-29
35-43
48-59
+9.5
JTOS-150P
JTOS-20QP
JTOS-300P
72-91
95-120
148-174
+9.5
+8.8
JTOS-400P
JTOS-535P
JTOS-765P
t
NEW
NEW
NEW
NEW
NEW
+9
+9
+10
194-220
+11
278 - 325
486-510
+9.5
'Page
50
125
100
12
12
12
20
20
18
15-48
15-49
15-50
BK377
BK377
BK377
6 -9
10-14
-30
-30
-27
-17
-20
-20
112
110
120
12
12
12
20
20
20
15-51
15-52
15-53
e
Je
BK377 Je
BK377 Je
BK377 je
13-18
17-22
20-30
-25
-30
-30
-20
-20
-20
130
115
100
12
12
12
20
20
20
15-54
15-55
15-56
BK377
BK377
BK377
0.6
5.0
5.0
30-40
70-120
120-160
-27
-15
-22
-20
-12
-12
100
10000
20000
12
5
5
22
25
25
15-57
2.0
3.0
2.0
2.0
10
0.2
2.0
0.2
0.7
3.0
10-20
26-30
25-28
27-38
25-38
-20
-25
-27
-33
-26
-10
-16
-18
-20
-16
1000
1000
1000
1000
5
4.5
5
5
5
20
12
12
22
25
2-2.5
2.5-4
3.5-5
-18
-25
-30
-12
-20
-18
50
100
100
12
12
12
20
20
?n
15-48
15-49
15-50
6-9
-17
-20
-20
100
100
100
12
12
12
20
20
20
-20
-20
-20
-18
100
100
100
100
12
12
12
12
20
20
22
22
0.6
0.2
-82 -106 -127 -147

-84 -105 -124 -145
-82 -102 -122 -142
0.8
1.0
1.0
0.3
0.2
0.2
1.4
2.0
2.0
0.4
0.5
0.5
5.0
15
50
7-10
+9
-82 -102 -122 -142

-75 -97 -117 -137
-75 -98 -118 -138
JTOS-102SP 680 - 755

JTOS-2200P 2000-2200
JTOS-3000P 2300-2600
+9
+6
+11
-70
-65
-65
ROS-285PV
ROS-900PV
ROS-960PV
ROS-1000PV
ROS-1600PV
245-285
810-900
890-960
900-1000
1520-1600
+3
+1
0
+6
+7
-80
-80
-30
-80
-75
POS-50P
POS-75P
POS-100P
24-29
35-43
48-59
+10
+9
+9
-92 -113 -134 -151

-91 -113 -135 -151
-92 -112 -134 -151
0.06
0.15
0.04
0.11
0.6
0.2
POS-150P
POS-200P
POS-300P
72-91
95-120
148-174
+10
+10
+10
-84 -104 -126 -147

-77 -102 -123 -146
-83 -105 -125 -145
0.8
1.0
1.8
0.3
0.2
0.3
10-14
-25
-30
-27
POS-4QOP
POS-535P
POS-765P
POS-1025P
194 - 220
278 - 325
486 - 510
680-755
+10.5
+10
-82 -103
-66 -95
-70 -92
-74 -96
1.8
2.0
5.0
5.0
0.3
0.4
0.4
0.6
13-18
17-22
20-30
30-40
-25
-30
-26
-24
+9.5
+8.5
-124 -142
-120 -138
-116 -135
-116 -135
C
T
1
O
N
-12
-20
-20
0.04
0.11
-140
-142
-142
-144
-140
"-
. JJote
-14
-25
-30
0.06
0.15
-100 -120
-102 -122
-102 -122
-104 -124
-100 -120
,__
/'
7-10
100
C
t
N
2-2.5
2.5-4
3.5-4
-88 -108 -127 -147

-89 -110 -130 -140
-83 -IOS -128 -140
-94 -114 -134

-92 -112 -132
-92 -112 -132
CAPO' Case
DATA Style
'
X5
C
Je
Je
je
BK377 Je
BK377 Je
BK377 Je
JIOS-7SP
JTOS-100P
JIOS-150P
JTOS-200P
JTOS-300P
JTOS--100P
JIOS-535P
JIOS-765P
2.
15V
+16V
+16V
+16V
+16V
+16V
+16V
+16V
+16V
+16V
+15V
+24V
*7V
+7V
+7V
+7V
*7V
7V
7V
+7V
+7V
+7V
JTOS-1025P
JIOS-2200P
JTOS-3000P
POS Models
RQS-285PV
ROS-900PV
ROS-960PV
ROS-1000PV
ROS-1600PV
IOS models
except ZOS-50
Operating Temperature: -55"C to +85"C
ini-Circuits
*16V
*7V
+7V
+16V
+7V
7V
+7V
+7V
+BV
*6V
6V
*6V
+6V
+10V
*16V
+16V
+18V
+17V
*6V
*6V
+6V
*6V
1
1
1
1
2
2
1
1
1
1
1
A06
A06
A06
hx
hx
hx
1
1
1
15-51
15-52
15-53
A06
A06
A06
hx
15-54
15-55
15-56
15-57
A06
A06
A06
A06
hx
hx
hx
hx
_
_
hx 1
hx 1
NOTES:
Non-hermetic
A. General Quality Control Procedures, Environmental specifications, Hi-Rel, and MIL description are given in General Information (Section 0).
B. Connector types and case mounted options, case finishes are given in section O, see "Case Styles & Outline Drawings".
C. Prices and Specifications subject to change without notice.
1. Absolute Mximum Supply Voltage (Vcc)& Tuning Voltage (VtunB):
(V J
Model
(viw J
Model
(VrJ
(\J
jros-sop
1
1
1
CK605 kg
CK605 Kg
CK605 Kg
CK605 (g
CK605 <g
TUNING VOLTAGE TO COVER FREQUENCY RANGE 0.5V TO 5V
JCOS models
JTOS-2SP
1
1
1
1
1
1
1
QMini-Circuits
JCOS
FREQ. POWER TUNING
MHz
VOLTAG
oTPT
dBm
MODEL
PHASENOISE
Typ-
Mln. Max.
JCOS-820WLN 780-860
JCOS-B20BL.N 807-832
JCOS-1100LN '1079-1114
10 ''lOO
TUNING HARMONIOS
-SENS1dBc -'_
-'TIVITY
' '.
3dB
0
1
0
20
14
20
-60
-57
-60
+5
+5
1
1
16
16
-72 -100 -125 -145 -163

-72 -100 -125 -145 -163
-90 -112 -132 -150

-88 -112 -132 -151
-88 -110 -130 -150
Typ.
typ.
Typ.
4.5
0.4
7.5
0.3
0.4
0.5
0.07
0.07
0.03
0.03
CAPO
DATA
(see
RF/IF
CUR8ENI
mA
VOUAGE
V
Max.
signer
figtidjooFO
Page
BANDWIDTH
MHz/V
POWER
SUPPLY
, MOD;
KHz -
,1
+8.5
118-138
138-158
POSA-138
POSA-15B
Hz kHz kHz kHz MHz
Mn. Max.
+9
+3
PUUING PUSHJNG
MHz/V
MHzdBc/Hz-SSBat offset
pk-pk .
' frqurices
<ri2d&r
Typ,i* r v^ ,
100
NO,
POSA
Typ, Max,
Typ.
8
6
4.5
-13
-24
-15
-8
-20
-10
2000
2000
2000
9
10
8
25
25
25
2,3
2.4
-40
-40
-30
-25
2000
2000
12
12
25
25
Case c
o
Style
De--
O
N
Mole
B
15-59 BG419 J
15-59 BG419 jd
15-59 BG419 J
C07
C07
jr
zos
MODEl
NO.
20S-50
ZOS-75
ZOS-100
TUNING
-PHASE NOSE
VOLTA3E dBc/Hz,SSB:at offset
dBm ' , ' ' - V - '/' .frquehcs:,', ;
FREQ.
POWER
MHz
OUTPUT
Typ-
' 'V7yp*:-Vr.l-
Max. Main, Aux, Mn- Max.

+9
-12
1
16
50
+9
-12
1
16
37.5
75
50
IDO
+9
-12
1
16
Mn.
25
10 kHz ,100 kHz 1MHr '

-107
-110
-111
-126
-128
-131
PUSHING TUNING HARMONIOS

3dB
MHz/V SENSIMOD.
dBc
TIVITY
pk-pk.'
BANDWIDTH
MHz/V
KHZ ',
(Open/Sliort)
PULUNG
MHz -
Typ;'
Typ.'"-
TyK
Typ. Max.
-141
-142
-143
0.012
0.016
0.026
0.08
0,15
0.25
2.5
3.5
4.5
-22
-26
-29
-12
-20
-20
Typ.
100
100
100
CAPO Case
DATA Style
fsee.
Rf/IF
CURREfJT Designe
handVOLTAG J"A
Note
booh
V Max.
B
Page
12
140 15-47 BR386
12
140 15-47 BR386
12
140 15-47 BR386
POWER
SUPPLY
ZOS-150
ZOS-200
ZOS-300
75
100
150
150
200
280
+9
+10
+9
-12
-11
-13
1
1
1
16
16
16
-107
-106
-103
-127
-126
-123
-142
-141
-142
0,017
0.015
0.017
0.39
0.42
0.50
s.a
7.7
11
-26
-25
-27
-20
-20
-20
100
100
100
12
12
12
140
140
140
15-47
15-47
15-47
BR386
BR386
BR386
ZOS-400
ZOS-535
Z05-765
ZOS-1025
200
300
485
685
380
525
765
+10
+9
1025
+8
-13
-13
-14
-13
1
1
1
1
16
16
16
16
-100
+8.5
-120
-118
-117
-112
-136
-131
-132
-136
0.021
0.018
0.033
0.051
0.50
0.50
0.72
1.00
15
18
22
30
-24
-27
-27
-25
-18
-20
-17
-18
100
100
100
100
12
12
12
12
140
140
140
140
15-47
15-47
15-47
15-47
BR386
BR386
BR386
8R386
-96
-96
-92
ZOS schematic
pin connections
see case style outline drawngs
PORT
RFOUT
v-cc
V-TUNE
GWD EXT
hx
2
1
8
3,4,5,6,7
le
13
2
5
1,3,4,6,7,8.9,
10,11,12.14
Id
kq
fr
7
9
10
8
14
12
1
3
2
2,3,4,5.6,9
1,2,4,5,6,7,8
1,3,4,5,6,7,8,9
10.11.12.13,14 10.11.13,14.15.16 11.12.13.15,16
In Stock... Immediafe Delivery

For Cusfom Versions Of SfancJarcJ Models Consulf Our Applicafions Dept.
ANEXO B-3
Mezclador de frecuencia ZLW-2
EPN
IP
ZMX
FREQUENCY*,
IvlHz
MODEL
NO.
2MX-7GR
2MX-10G
LO/RF .-
;|f
[t-fu
' , .''
3700-7000 DC-1000
370Q-1000Q DC-2000
ZLW
- CONVERSIN LOSS
'' : ^cm".;/""
>5 - Md-Band''"*' '4"<L?l

' m ^'r/ânge
, x , <f Max? r*tAax
5.0
5.0
.30
.10
Lo-^spir'TlONr ae . ,
30 (typ.) 20 (mln.)
8.2
8.5
37 (typ.)20 (mln.)*
DC-600
DC-1000
DC-400
DC-1000
5.85
.10
7.0
8.0
60 50
42 30
37 25
5.85
.10
7.5
9.0
4.7
.10
7.0
B.O
5.7
.10
9.0
9.0
58 40
60 50
54 40
47 30
46 30
42 30
42 25
35 25
39 25
ZP-5X
1-1500
1400-1900
800-1050
.2-500
1-1000
40-500
DC-250
DC-500
5.9
.10
7.0
9.0
6.8
.30
8.6
8.6
5.6
.24
7.75
7.75
5,18
.10
7.0
8.5
5S 45
50 35
35 30
DC-500
DC-750
DC-500
DC-1000
DC-200
5.81
5.74
4.82
5.68
4.61
.08
.05
.07
.08
.06
7.0
7.5
7.5
7.5
7.5
8.5
8.5
8.5
9.5
8.5
50 45
50 45
45 30
45 30
35 25
35 25
ZLW-2
ZLW-3
.5-500
1-750
.1-500
1-1000
.025-200
ZLW-5
ZLW-6
ZLW-8
ZLW-1 1
ZLW-1 2
5-1500
.003-100
.0005-10
5-2000
BOO-1250
10-600
DC-100
DC-10
10-600
50-90
5.81
,08
7.5
S.5
4.5B
5.66
6.85
6.21
.05 7.5
.08 7.5
.10 8.5
.13
ZAD-1
ZAD-1W
ZAD-1-1
ZAD-2
ZAD-3
.5-500
1-750
.1-500
1-1000
.025-200
DC-500
DC-750
DC-500
.5-500
DC-200
5.24
5.56
4.B3
5.66
4.61
.10
.05
.04
.07
.06
ZAD-4
ZAD-6
ZAD-8
ZAD-ll
ZAD-12
5-1250
.003-100
.0005-10
5-2000
800-1250
,5-500
DC-100
DC-10
10-600
50-90
5.71
4.65
5.79
7.12
6.21
.08
.08
.05
.12
.13
ZLW-1
ZLW-1W
ZLW-1 -1
L = low range [fLto 10 fL]
NOTES:
60 40
33
40 20 28 17
(typ.)20 (min.)
35 (typO 25 (min.)
60
50
60
40
CASE
STYLE
NoleB
C
O
N
N
C
1
O
N
36(typ.) 20 (mln.)
17 (typ.) 8 (min.)
1-67
1-69
BU413
BU413
af
ad
45
35
40
25
36 22
29 18
35 20
23 8
1-192
1-194
1-200
1-206
GG60
GG60
GG60
GG60
ag
45 25 38 20
(iyp.)15 (min.)
(typ.) 20 (mln.)
36 30 30 20
1-83
1-167
1-165
GG60
GG60
GG6Q
GG60
hg
M21
ae
ae
î
- L ;, ''M"'^';(J'/;,
2-600
50-1000
0.15-400
20-1500
ZP-860
ZP10514
LO T lfsOLTION,dB" ,-CAPD
*DATA
(seoRF/iF
DQSignef
HantbootO
L
' M
, *',
Typx. Min,' Ifyp* M& jyp, MTn/ Typ. Min. " Typ'. Min, lyp. Min. Pa'ge
ZP-1
ZP-2
ZP-3
ZP-5
ZP-1 1 A
2AD
60 45
29
27
50 40
47
44
47
32
30
20
25
18
1-124
50 45
45 30
35 25
55 45
60 50
40 25
45 35
35 20
35 25
8.5
8.5
9.0
7.5
55
60
60
50
35
40
50
50
45
25
35
45
50
35
35
25
30
40
25
25
30
35
45
30
35
20
25
35
20
25
50
60
60
45
30
40
45
50
40
20
35
40
50
30
30
25
25
40
20
20
30
30
45
25
30
20
25
35
15
20
1-120
1-48
1-50
1-5B
1-74
M21
M21
M21
M21
M21
ae
ae
7.0
7.5
7.5
7.5
7.5
8.5
B.5
8.5
8.5
8.5
50
50
50
45
60
45
45
45
30
50
45
45
45
35
45
30
30
30
20
35
35
35
35
30
35
25
25
25
20
25
45
45
45
45
45
35
30
30
30
35
40
40
40
35
40
25
25
25
20
30
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
1-92
1-54
1-52
1-B6
1-46
M22
M22
M22
M22
M22
ae
ae
ae
ad
ae
7.5
7.5
7.5
8.5
7.5
8.5
8.5
8.5
9.0
7.5
50
60
60
50
40
50
50
45
40
45
50
35
20
30
40
25
30
35
45
30
20
25
35
20
50
60
60
45
30
40
45
50
40
20
40
40
50
30
30
20
25
40
20
20
30
30
45
25
30
20
20
35
15
20
1-122
1-48
1-50
1-58
1-74
M22
M22
M22
M22
M22
ad
ae
ae
35 25
35 25
M = mid range [10 fLto fJ2]

m = mid band [2futo fy2]
x
a
Average of conversin loss at center of mid-band frequency (fL+fu/4)

Standard deviation
Available only with SMA connectors
Phase detection, positive polarity
15dBmin. B.StolOGHz
A. General Quality Control Procedures, Environmental Specifications, HiRe! and MIL description are given in section O, see "Mini-Circuits
Guarantees Quality" article.
B. Connector types and case mounted options, case finishes are given in
section O, see "Case Styles & Qutline Drawings".
C. Prices and Specifications subject to change without notice.
1 . Absolute mximum power, voltage and current ratings:
la. RF power, SOmW
Ib. Peak IF current, 40mA
ini-Circuits
40
40
40
40
40
25
25
25
25
30
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
1-92
1-54
1-46
M21
M21
M21
M21
ag
ag
ag
45
45
45
50
45
35 25
35
30
30
40
35
as
ag
ag
1-52
1-66
ae
ae
ae
36
ae
ae
ae
ae
U = upper range [fu/2 to f
ini-Circu
B
ZEM
LO/RF
CONVERSIN LOSS, LO-RFlSplATlON,dB

dB
Mid-Band
Total
m
Range
l
M
U
"x
a Max. Max. Typ. Min, Typ. Min. Typ. Min.
IF
LO-lFISOLATiON.dB
Designer
l
M
U
Handbook)
Typ. Min. Typ. Min. Typ. M!n.
Page
DC-1000
DC-1000
5.74
6.65
.07
.06
7.0
8.5
9.5
55 50
40 20
30 25

25 20
30 17
55 45
15
ZFM-1W
ZFM-2
ZFM-3
ZFM-4
ZFM-5X
ZFM-11
10-750
1-1000
0.04-400
5-1250
1-1500
1-2000
DC-750
DC-1000
DC-400
DC-1250
1-1000
5-600
5.42
5.72
4.78
5.70
.14
.06
.03
.34
.10
.17
7.0
7.5
7.0
7.5
7.0
8.5
8.0
B.5
B.O
8.5
9.0
9.0
50
50
60
50
60
50
45
40
50
40
40
35
35
30
35
30
28
25
45
45
55
45
60
45
40
40
40
40
45
40
ZFM-12
ZFM-200Q
ZFM-4212
800-1250
50-90
100-2000
DC-600
2000-4200 DC-1300
5.67
7.49
5.44
.12
.20
9.5
.088 ~
7.5
9.5
8.S
35 25
~ ~
_ _
35 25 35 25
37 20
25 17
30 20
_ _
__ _
30 20 30 20
_ 3Q 20
is 10
ZAM-42
1500-4200
5.67
.11
8.5
25 14
25 14
18 10
18 10
5.9
7.03
DC-500
30
25
35
30
20
25
25
25
25
25
17
20
25 14
M = mid range [10 fLto f/2]

rn = mid band [2fLto fy2]
L = low range [fu to 10 fL]
CASE
STYLE
(see Rf /IF
ZEM-2B
ZEM-4300
45
45
50
45
40
45
CAPO
DATA
V'u
10-1000
300-4300
NSN CUIDE
MCLNO.
. A >. W T C E
ZAM
FREQUENCY
MHz
MODEL
NO.
' C i,; R
30 20
40
35
45
35
45
27
25
25
30
25
25
20
af
5
7
K18
K18
K18
K18
K18
K18
ad
ad
ad
ad
ad
sd
5
5
6
6
5
8
K18
K1B
K18
ad 7
ad 7
ad 5
F14
af
1-211
27
25
35
25
38
25
20
20
25
20
20
20
1-54
1-66
1-6B
1-70
1-83
1-72
1-74
1-60
U = upper range [f12 to f;
5985-00-280-7750
5895-01-127-0376
5895*01-344-7843
5895-01-235-7834
5895-01-412-3037
4935-01-230.3782
5395-01-257-9523
5895-01-214-7362
5895-01-381-9289
6625-01-415-2182
5895-00-607-7010
6920-01-037-1974
5840-01-186-8398
6625-01-103-6156
5895-01-384-7453
ZLW-2B
ZP-10514
ZP-1Q514(BNC)
coaxial connections
see case style ouine drawings

ae
ad
PORT
LO
RF
IF
GND EXT.
CASEGND
NOT USED
1
2
3
1
3
2
af
2
1
3
ag . , hg
L
R
X
(1
ad
1-B6
15
NSN
ZAD-1BCBNC)
ZAD-4B
ZAD-6B
ZEM-2
ZFM-1W
ZFM-2
ZFM-3
ZFM-3 (SMA)
ZFM-3B
ZFM-11 (SMA)
ZLW-1W
ZLW-2
H
E
C
T
I
O
N
V37
V37
25 20
18 10
NoteB
c
o P
L
X
R
f comqUer-Qutomated}
penormance da
ANEXO B-4
Multiplexer/Demultiplexer CD4052BM
DISEO E BVIPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
EPN
>0
National
October1989
Semiconductor
CD4051BM/CD4051BC Single 8-Channel Analog

Multiplexer/Demultiplexer
CD4052BM/CD4052BC Dual 4-Channel Analog
CD4053BM/CD4053BC Triple 2-Channel Analog
=
a
Q) .u
5"
<S 2
so:
ES
r-*-
18
|s
OOJ
<D O
General Description
These analog multlplexers/demultiplexers are digitally controlled analog switches having low "ON" Impedance and
very low "OFF" [eakage currents. Control of analog signis
up to 15Vp,p can be achleved by digital signal amplitudes of
3-15V. For example, if VDD = 5V, VSS = OV and VEE= -5V,
anaiog signis from 5V to +5V can be controlled by digital inputs of 0-5V. The multiplexer clrcuits dissipate extremely low quiescent power oven the full VDD-Vss and
VDD~VEE supply voltage ranges, independen! of the logic
state of the control signis. When a loglcal "1" is present at
the Inhibit input terminal all channels are "OFF".
CD4051BM/CD4Q51BC is a single 8-channel multiplexer
having three blnary control Inputs. A, 8, and C, and an nhibit
input. The three blnary signis select 1 of 8 channels to be
turned "ON" and connect the Input to the output.
CD4052BM/CD4052BC is a differentlal 4-channel multlplexer having two blnary control Inputs, A and B, and an Inhlblt
Input. The two binary input signis select 1 or 4 palrs of
channels to be turned on and connect the differentlal analog inputs to the differentlal outputs.
CD4053BM/CD4053BC Is a triple 2-channel multiplexer
having three seprate digital control inputs, A, B, and C, and
an nhlblt input. Each control input selects one of a pa!r of

channels whlch are connected in a single-pole double-throw
confguration.
Features
Wjde range of digital and analog signal levis: digital
3-15V, analog to 15Vp.p
Low "ON" reslstance: 801 (typ.) over entire 15Vp.p signal-lnput range for V D QV EE =15V
HIgh "OFF" reslstance: channel leakage of 10 pA
(typ.)atVDD-VEE=10V
Logic leve! conversin for digital addresslng signis of
3-15V (VDD-VSs = 3~15V) t0 switch analog signis to
15 Vp.p (VDD-VEE=15V)
Matched switch characteristcs: RoN==5 (typ-) fr
VDD-VEE=15V
Very low qulescent power dlsslpatlon under all dgitalcontrol input and supply condtlons: 1 iW (typ.) at
VDD-VSS=V DD -V EE =IOV
Blnary address decodlng on ch!p
Dual-ln-Llne Packages
CD4052BM/CD40S2BC
CD4051BM/CD4051BC
m/guT
t]
11
'f
OUT/IN
CD4053BM/CD4053BC
ift/guT
t
14
Vpo
IS
I'
-1
i
i?
;
1!
C
10
liJ/T DUT/|N TwoV
TOPVIEW
'
TOPVIEW
|-
m/oui
iN/uT
' aUT/IN
IN/OU.T
TOPVIEW
Order Number CD40S1B, CD4052B, or CD4053B
1B95Naoo8JSmiconduc(or Corporation
S
x
2
a> 03
O
^
o
ai
10
OD
O
O
O
t
O
ai
w
03
Connection Diagrams
vN
r is
"5.0
TL/F/S66Z
RRD-B30UlOS/Prinled!nU.S.A.
O
^
o
ai
w
CD
O
Absoluta Mximum Ratings
Recommended Operating
11 Mllltary/Aerospace specified devices are required,

please contact the National Semiconductor Salea
Office/Distributora for avallability and apecificatlons.
GonditiOHS
^_ _
. ....
_. .
DC Supply Voltage (VDD)
DC Supply Voltage (VDD)

-0.5 VDC to + 18 VDC
Input Voltage (V!N)
-0.5 V DC to VDD+0.5 VDC
StorageTemperature Range Os)
-65'Cto +150-C
Power Disslpation (PD)
DuaMn-LIne
700 mW
Small Outline
500 mW
Lead Temp. (TO (solderng, 1 0 sec.)
260C
lnPUt Volta9e ^
Operating Temperatura Ranga (TA)
4051BM/4052BM/4053BM
4051BC/4052BC/4053BC
, ,...
, J r .,,
+5 VDC to +15 VDC
OV to V ^C
-55Cto -M25C
-40'Cto + 85'C
DC Elctrica! Characteristcs (Note 2)

Symbol
Parameter
Conditions
-55C
MIn
IDD
Qulescent Device Current
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD=15V
Max
+ 25
Mn
Typ
5
10
20
+ 125C
Max
Min
Units
Max
5
10
20
150
300
600
,iA
MA
MA
Signal Inputs (V,s) and Outputs (VOs)
RON
ARoN
"ON" Resistance (Peak

forV5EV,sVDD)
A"ON" Resistance
Between AnyTwo
Channels
R L =iokn
(any channel
selected)
RL=10kl
(any channel
selected)
VDD = 2.5V,
VEE=-2.5V
orV DD = 5V,
VEE=OV
800
270
1050
1300
VDD = 5V
VEE=-5V
orV 0 D = 10V,
VEE = OV
310
120
400
550
VDD = 7.5V1
VEE=-7.5V
orV DD = 15V,
VEE = OV
200
80
240
320
VDD = 2.5 v,
VEE=-2.5V
orV DD = 5V,
VEE=OV
10
VDD=5V,
V EE =-5V
orV D D = 10V,
VEE = OV
10
VDD = 7.5V,
VEE=-7.5V
orV DD = 15V,
VEE = OV
"OFF" Channel Leakage

Current, any channel
"OFF"
VDD=7.5V,
VEE=-7.5V
O/I-7.5V,|/O = OV

Current, all channels
"OFF" (Common
OUT/IN)
lnhlbit=7.5V
VDD - 7.5 V,
VEE=~7.5V,
0/I = OV,
I/O=7.5V
50
0.01
50
500
nA
C04051
200
0.08
200
2000
nA
CD4052
200
0.04
200
2000
nA
CD4053
200
0.02
200
2000
nA
1.5
3.0
4.0
1.5
3.0
4.0
V
V
V
Control Inputs A, B, C and Inhibit
VIL
Low Level Input Voltage
VEE=VSSRL:=I kitoVss
I|S<2 ifl, on all OFF channels
kfi
vis=VDDtnf1Jl
VDD = 5V
1.5
3.0
4.0
VDD = 10V
VDD = 15V
VIH
Hgh Level Input Voltage
VDD =5
VDD = 10
VDD = 15
3.5
7
11
3.5
7
11
3.5
7
11
V
V
V
Note 1: "Absoluta Mximum Ratings" are Diosa vales beyond which Bie safety of the device cannot be guaranteed. Except or "Operating Temperatura Ranga"
they are not mean! to mply that the devices should ba operated at these limits. Ttie table of "Bectncal Chara cteristfcs" prvidas conditions for actual device
operation.
Nole 2: AH vdtages roeasured with respect to Vss unless otherwisa specifed.
DC Electrical Characteristics (Note 2) (continued)

Symbol
Conditions
Parameter
-40"C
Min
IIN
Input Current
VDD=15V,
V,N=OV
VDD = 15V,
VEE=OV
Quiescent Device Current
0.1
VDD = 5V
VDD=10V
VDD = 15V
+ 85"C
f25'C
Min
-0.1
VEE=OV
V,N = 15V
IDO
Max
Typ
Max
-10-5
-0.1
10-5
20
40
60
Min
Units
Max
-1.0
MA
0.1
1.0
,iA
20
40
80
150
300
600
/iA
/iA
MA
Signal Inputa (V|s) and Outputs (VOs)
RON
ARoN
"ON" Resistance (Peak

forVEEV)S^VDD)
A"ON" Resistance
Between Any Two
Channeis
RL-10kl
(any channel
selected)
RL=10kl
(any channel
selected)
VDD = 2.5V,
VEE=-2.5V
orV DD = 5V,
V EE =OV
850
270
1050
1200
VDD = 5V,
V EE =-5V
orV DD = 10V,
V EE =OV
330
120
400
520
VDD = 7.5V,
VEE= -7.5V
orV DD = 15V,
VEE=OV
210
80
240
300
VDD=2.5V,
VEE=-2.5V
orV DD = 5V,
10
VDD = 5V
V EE =-5V
orV DD = 10V,
VEE = OV
10
VDD=7.5V,
VEE= -7.5V
orV DD = 15V,
VEE=OV
VEE=OV
VDD = 7,5V,
VEE=-7.5V
Current, any channel "OFF" O/l=7.5V, ]/O = OV
Current, all channels
"OFF" (Common
OUT/IN)
lnhbt=7.5V
VDD = 7.5V,
VEE=-7.5V,
O/I = OV
]/O7.5V
50
0.01
50
500
nA
CD4051
200
0.08
200
2000
nA
CD4052
200
0.04
200
2000
nA
CD4053
200
0.02
200
2000
nA
1.5
3.0
4.0
1.5
3.0
4.0
V
V
V
Control Inputs A, B, C and Inhibit
VIL
Low Level Input Voltage
VIH
High Level Input Voltage
IIN
Input Current
v EE =v S sR L =i!ntoVs S
lis <2 jiA on all OFF Channels
V|s = VDDthru1kl
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 5
VDD = 10
1.5
3.0
4.0
3.5
7
11
3.5
7
11
VDD = 15
VDD=15V,
V EE =OV
VlN = OV
VDD = 15V,
V,N = 15V
VEE=OV
3.5
7
11
-0.1
-10-5
-0.1
0.1
10-5
0.1
V
V
V
-1.0
(xA
1.0
fiA
Note 1: "Absoluta Mximum Ratitigs" are those vales beyood wh ch the safety o the device cannot be guaranteed. Except for "Operating Temperatura Ranga"
they are not meant to imply tliat Bie devices should be operated at these limits. The table of "Electrcal Characteristics" pravides cond tions lar actual device
operation.
Nole 2: Al! vollages rneasuied with respact to Vgg Unless otherw se specified.
AC EleCtriCal CharaCteristiCS* TA=25C,tr=tf=20ns,unlessotherwsespecifed.

Symbol
Parameter
Conditions
tpZH,
tpZL
Propagatlon Delay Time from

Inhlbit to Signal Output
(channel turning on)
VEE^VSSÔV
RL=I kn
tpHZ,
tpLZ
Propagation Delay Time from

Inhibit to Signal Output
(channel turning off)
VEE=VSS=OV
RL=1 kn
CIN
CL=50pF
C L =50pF
Typ
Max
Unit3
5V
10V
15V
600
225
160
1200
450
320
ns
ns
ns
5V
10V
15V
210
100
75
420
200
150
ns
ns
ns
5
10
7,5
15
PF
VDO
Input Capacitance
Control input
Signal Input (IN/OUT)
COUT
Mn
pF
Output Capacitance
(common OUT/IN)
CD4051
CD4052
CD4053
CIOS
Feedthrough Capacitance
CPD
Power Dissipation Capacitance
VEE=VSS=OV
10V
10V
10V
30
15
8
pF
pF
PF
0.2
PF
110
140
70
pF
PF
PF
10V
0.04
CD4051
CD4052
CD4053
Sgnal Inputs (V|S) and Outputs (VOs)
Sine Wave Response
(Distortion)
R L =iokn
fis=i kHz
V|S = 5Vp.p
VEE=VSI = OV
tpHL
tpLH
Frequency Response, Channel

"ON" (Sine Wave Input)
Rl_=1kaV EE =OV,V| S = 5Vp,pl

20logi 0 V os /V, s =-3dB
10V
40
MHz
Feedthrough, Channel "OFF"
RL=1 kfl,VEE=Vss = OV1V|S = 5Vp.p,

20log,0V0s/V|s=-40dB
10V
10
MHz
Crosstalk Between AnyTwo

Channels (frequency at 40 dB)
RL=1 kl,VEE=VSs = OV,V|S(A) = 5Vp.p

20 Iog10 VOS(B)/V|S(A)= -40 dB (Note 3)
10V
MHz
Propagation Delay Signal

[nputto Signal Output
VEE=VSS = OV
C L =50pF
5V
10V
15V
25
15
10
VEE= VSS = OV, RL=10 kn at both ends

of channel.
Input Square Wave Amplltude = 1 0V
10V
65
5V
10V
15V
500
180
120
55
35
25
ns
ns
ns
Control Inputs, A, B, C and Inhlbit

Control Input to Signal
Crosstalk
VEE=VSS=OV
Propagation Delay Time from
Address to Signal Output
C L =50pF
(channeis "ON" or "OFF")
*AC Parameiers are guaranteed by DC cofrelated tastng,
Note 3: A, B are two arbitrary channels with A turned "ON" and B "OFF".
tpHL,
tpLH
mV (peak)
1000
360
240
ns
ns
ns
BlockDiagrams
CD4051BM/CD4051BC
CHANNELIN/QUT
CD40S2BM/CD4052BC
XCHANNLS1N/OUT
YCHANNELSIN/QUT
Block Diagrams (contmued)

CD40S3BM/CD4053BC
!">
2 Yl3 |12
di
BINA BYTO
1 F2
DEC 00 ER
WITH NHIBIT
^
. Ofib^
LOGIC
LEVEL
CONVERSIN
|f
rr
h
I~T
Truth Table
INPUT STATES
"ON"CHANNELS
INHIBIT
CD4051B
CD4052B
CD4053B
1 0
1 1
OX.OY
1X.1Y
2X.2Y
3X,3Y
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
ex, bx, ax
ex, bx, ay
ex, by, ax
ex, by, ay
cy, bx, ax
cy, bx, ay
cy, by, ax
cy, by, ay
NONE
0
0
'Don't Cara conditon.
2.
3
4
5
6
7
NONE
NONE
Switching Time Waveforms
AODHESSTO SIGNAL DUTPUT
VDD ::V-
9G
-90*
1NH1BIT-J 50
IN/OUTaf
OUT/IN
0 \^ 10K
ANYCHANNEL
-^
. /
=f~
OUT/INorIN/OUT
VOS
_^
** 'PZH
-SITi
"-*
,^
^
^-9DX
SDpF
vos
INHIBIT
0
-^.
0%
SOS
M-.o
_Ei
OUT/IN ar
-*
1PZL
^
< 'PL2
N
Vos
INHIBIT
it-10%
Special Considerations
In certain applicatons the external load-resistor current may
include both VDD and signal-line components. To avoid
drawing VDD current when switch current fiows into IN/OUT
pin, the voltage drop across the bidirectional switch must
not exceed 0.6V at TA 25C, or 0.4V at TA>25"C (calculated from RON vales shown). No VDD current will flow
through R L if the switch current flows into OUT/IN pin.
Typical Performance Characteristics

"ON" Resistance as a
Function of Temperature for
"ON" Resistance vs Signa!

Voltage forT A = 25C
444*
V DD -V EE =IOV
.-.125-c
fl
f<
/ /'
> /
III!
\ u-1
*v
-! S'C
l) ("H) 33HVJ.SISSH-NO 13NNVHD
a s a s a s s
1 - 2 0
fi
/ '
SIGNAIVOLTACE)V B ](V]
SUFm VOLTAGE |VB) (V]
PhysiCal DimenSOnSfoches(mllltmetere)
r' 7 8 5 -,IUV
[19.94] HAX
0.220-Q.31G
[5.59-7.37]
a
R
0,025
[0.64]
p 0. 005-0, 020-TYp
R [0.13-0.51] TYP
GUSSSEALAHT
0. 125-0.200
[3.1B-5.
o.oao .....
[2.03] MftA
BOTH ENDS
S/
Cavity Dual-In-Une Package (JJ

Order Number CD4051BMJ, CD4051BCJ, CD4052BMJ,
CD4052BCJ, CD4053BMJ or CD4053BCJ
NS Package Number J16A
(9,KM-]0.00|
16
15
14
1!
10
==
3 0 U U y U
0.053-fl.QCT
ll.W-UBJ
TiTiLTrjLXf
|OJ5]
*4
I" 'M.IM
Small Outline Package (M)

Order Number CD4051 BCM,
CD4052BCM orCD4053BCM
NS Package Number M16A
~*^'* '(0.3-O.SU;
S2
CU <U
PhySCal DimenSOnS inches (mllllmeters) (Continued)
oH.
0.740-0.730
(18.80- 19.31)
Q
T 3
fiel t5) IT
-^ F
1
k
U
î
CO *^
IDE7
LO d)
^^
VJ
^* QJ
<L2
'
[H[>y
1
t
/^T\0 0.010
Vi!/
(W50TOJ54)
pit[ fp ^ *.(>
CQ O
_J
*i fm (12! rm Toijgi
LU LU LLJ LU UJ Lll LU 18|

OPT10N 01
0.130 0.005
(3.30210,127) ]
0.060
h (U24) "r
[j fTsi r~
REA
(aRM
"^ro^S^M
J'^^^^^B
piH HO 1
V^-Ww;
IDENT"" LiJ LU l_
OPT1QN 02
JU. 4TYp
\L
0.065
OJOO- 0.320 i _
0.651)
^ (7.620-8.128) \
\\D 0,0,3p
0.145-0.200
t
' '
(3.683 - S.OfiO) _L___ t 0 Q
*-îE
O
3
^^ ^_.
m^
J o>
O
\\L
0.020 iMuJ
_T
TTP
90<>>TYP
L!54 ^
l _ 0.0300.015
"*" r~(0.762OJ81)
1
0.1000.010
00C00010
t2-540 0'25*1
(1.27Q 0^54)
jYp
(3.175-3.810)
Q.Q14-J.023
* "ra
Q c
0<
innnn
r
1
U U
95o50
1 95,5
1
l/r; 0^80 Ji
**" (7.112) "*i
UIN
( T ^ c +0,040
^'^"-0.013
(8.255 IBI)
*
"u.jol/
008-0.016
(0^03-0.406) "r
MISE (REV f)
Molded Dual-ln-Lne Package (N)

Order CD4051BM, CD4051BC,
5
^
CD4052BM, CD4052BC, CD4053BM, CD4053BC

NS Package Number N16E
CM
LO
O
O
o"
CQ
LO
O
Q
O
5
CQ
LO
LIFE SUPPORT POLICY

NATIONAL'S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF NATIONAL
SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:
1. Ufe
support devices or systems are devices or

systems which, (a) are intended or surgcal implant
Inlo the body, or (b) support or sustain ufe, and whose
failure to perform, when properly used In accordance
2. A critical component is any component o a Ufe

support device or system whose failure to perform can
with nstructions for use provided in the labeling, can
be reasonably expected o cause the failure o the ufe

support device or system, or to affect its safety or
effectiveness.
be reasonably expected to result in a significant injury

to the user.
i7!
nf
\S*
National Semiconductor
Corporation
1111 Wast Batdin Road
Ariington.TX 76017
Tal: 1(800) 272-9959
Fax: 1(800)737-7018
Nat anal Semiconductor

Euro pe
Fax (+49) 0-1BQ-530 85 8B
Erna cnjwge@levm2.nsc.com
De utsQh Te (+49) 0-1BO-530 85 85
En gisli Te [+49) 0-180-5327B 3z
Fn ncais Te (+49) 0-180-532 93 SB
Bal ano Te [+49) 0-180-534 16 80
Natona doi nol isum any reponsM(j ttf uie d srrf crctiiliy dssoibsd. no ercuil paterrtto
Hong Kong Ltd.
13tn Floor, Stralgnt Block,
Ocaan Centie, 5 Cantn Hd.
Tslmshatsul, Kowoon
Hong Kong
Te!; [852) 2737-1600
Fax: [852) 2736-9960
Ja pan Ltd.
Tal: 81-043-299-2309
Fax: B1-fl-293-2i08
id srd National raYBj Bw righl si any lime wtnoulnolica lo diange sakj cif eury Brvl ^
(L-7'll
ANEXO B-5
Amplificador Operacional LM324
DISEO E 3MPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q
EPN
May 1999
LM124/LM224/LM324/LM2902
Low Power Quad Operational Amplifiers
ro
ps
General Description
Advantages
The LM124 series conslsts offour Independent, hlgh gain,

internally frequency compensated operationa! ampllfiers
whch were deslgned specifically to oprate from a single
power supply over a wide range of voltages. Operation from
split power supplies js also possible and the low power supply current dran Is independent of the magnitude of the
power supply voltage.
Ellminates need for dual supplies

Four internally compensated op amps n a single
package
Allows directly senslng near GND and VOUT also goes
toGND
Compatible with all forms of logic
Power drain suitable for battery operatlon
Application reas include transducer amplifiers, DC gain

blocks and all he conventonal op amp crcuits whlch now
can be more easily Implemented in single power supply systems. For example, the LM124 series can be directly operated off of he standard +5V power supply voltage which Is
used in diglal systems and wll easlly provide he required
Interface electronics without requring the addiional 15V
power supplies.
5
co
(>
O
Features
Internally frequency compensated for unlty gain
Large DC voltage gain 100 dB
Wide bandwldth (unlty gain) 1 MHz
(temperature compensated)
Wjde power supply range:
Single supply 3V to 32V
or dual supplies 1.5V to 16V
Very low supply current drain {700 uA)essentially
independent of supply voltage
Low input biasing current 45 nA
(temperature compensated)
Low input offset voltage 2 mV
and offset current: 5 nA
Input common-mode voltage range includes ground
Differential Input voltage range equai to the power
supply voltage
Large output voltage swlng OV to V*" - 1.5V
Unique Characteristics
In the linear mode the input common-mode voltage
range includes ground and the output voltage can also
swing to ground, even though operated from only a
single power supply voltage
The unlty gain cross frequency is temperature
compensated
The Input blas current is also temperaure compensaed
O
3E
-o
o
CD
"^
O
c
)
Q_
O
o
o
-i
cu
l-t*
o
Z3
Connection Diagram
3
g_
^j
Dual-In-Line Package
OUIrUT*
INfUTT
INfUTt*
CKP
I.1PUI3*
INPI1TJ-
QUTPUT3
ro'
i
V)
(NPUTI*
IKPUT2~
OUTPUTZ
DSOQ9299-1
Top VI ew
Order Number LM124J, LM124AJ, LM124J/883 (Note 2), LM124AJ/883 (Note 1), LM224J,
LM224AJ, LM324J, LM324M, LM324AM, LM2902M, LM324N, LM324AN or LM2902N
LM124AJRQML and LM124AJRQMLV(Note 3)
See NS Package Number J14A, M14A or N14A
Note 1; UM124A avaable per JM38510/110D6
Note 2: IM124 avaable per JM38510/11005
1999 National Semiconductor Corporation
DS009299
www.national.com
Connection Diagram
Nota 3: See STD Ml DWG 5962R99504 (or Radlatlon Toleran! Device
INPUT2 [
1NPUT3- C
OUIPUT 2 [
DSOOT299-33
Order Number LM124AW/883 or LM124W/883

LM124AWRQML and LM124AWRQMLV(Note 3)
See NS Package Number W14B
LM124AWGRQML and LM124AWGRQMLV(Note 3)
See NS Package Number WG14A
wvw/.natonal,com
Absolute Mximum Ratings (Note 12)

lf MHltary/Aerospace specifled devices are required,
please contact the National Semiconductor Sales Office/
Distributors for avaabilty and specificatons.
Supply Voltage, V*
Dlfferential Input Voltage
LM1 24/LM224/LM324
LM124A/LM224A/LM324A
32V
32V
LM2902
-0.3V to +32V
-0.3V to +26V
50 mA
50 mA
1130mW
1260mW
600 mW
1130 mW
Input Voltage
Input Current
(V,N < -0.3V) (Note 6)
26V
26V
Power Dlssipation (Note 4)

Molded DIP
Cavity DIP
Small Outllne Package
1260 mW
800 mW
Output Short-Clrcuit to GND

(One Amplifier) (Note 5)
V* < 15V and TA = 25'C
Operatlng Temperatura Range
Contlnuous
Continuous
-40'C to +85'C
O'C to +70 "C
LM324/LM324A
LM224/LM224A
-25'C to +85'C
-55'Cto+125'C
LM124/LM124A
Sorage Temperatura Range
-65'C to -t-150'C
Lead Temperature (Soldering, 10 secnos)
260"C
-65'Cto-HSD'C
260'C
260'C
26 O'C
215'C
220*C
215'C
Soldenng Information
Dual-ln-LIne Package
Soldering (10 seconds)
Smal Outline Package
Vapor Phase (60 seconds)
Infrared (15 seconds)
220'C
See AN-450 "Surface Mounting Methods and Their Effect on Product Reliabity" for other methods of soldering surface mount
devices.
ESD Tolerance (Note 13)
250V
250V
Electrical Characteristics
V* = +5.0V, (Note 7), unless otherwise stated
Input Offset Voltage

Input Blas Current
(Note 9)
[nput Offset Current
LM2 24A
LM124A
P ramete r
Mln
(Note 8) TA = 25'C
IINM
i*t ) or IM-I.
i"t f V
t,M = OV.
Typ
Max
2Q
5Q
Mln
Typ
Max
80
45
100
nA
15
30
nA
V-1.5
4C
10
Mln
Unlts
Max
TA = 25-C
IINM or lirJW, Vcu = OV.
LM324A
Ty p
mV
TA = 25'C
Input Common-Mode
Voltage Range (Note 10)
Supply Current
Large Slgnal
Voltage Gan
Common-Mode
Rejection Rato
V* = 30V, (LM2902, V* = 26V),
V*-1.5
V-1.5
TA = 25'C
Over Full Temperature Range

RL = On All Op Amps
V = 30V (LM2902 V" = 26V)
V* = 5V
V* = 15V. RUS 2kn,
(V0 = lVto11V),TA = 25'C

DC. VCM = OVtoV* - 1.5V.
mA
1.5
50
70
0.7
100
85
1. 5
1.2
50
70
0,-r
10 0
Se
1 . 5
0.7
100
1.2
25
65
85
1.2
V/mV
dB
TA = 25-C
www. national.com
Elctrica! Characteristics (Continued)

LM124A
Condltlons
Parameter
Power Supply
Mln
Typ
65
100
LM224A
Max
Mln
Typ
65
100
LM324A
Max
Mln
Typ
65
100
Max
Units
V* = 5V to 30V
Rejection Ratio
(LM2902, V* = 5V to 26 V),
dB
TA = 25'C
Amplifier-to-Ampl fier
f = 1 kHz to 20 kHz, TA = 25'C
Coupling (Note 11)
(Input Referred)
Output Current
Source
VIH* = 1V, V,M- = OV.
-120
-120
-120
20
40
20
40
20
40
10
20
10
20
10
20
12
50
12
50
12
50
dB
V* = 15V,VD = 2V,TA = 25"C

Slnk
vw- = iv. v,H* = ov.
mA
V* = 15V, V0 = 2V, TA = 25"C

VIH" = 1V, VW* = OV,
UA
V* = 15V, V0 = 200 mV, TA = 25'C
Short Circuit to Ground
(Note 5) V* = 15V, TA = 25'C
Input Offset Voltaga
(Note 8)
Input Offset
RS = on
40
60
4
20
10
200
40
60
40
60
20
10
200
mA
mV
uWC
30
10
300
pA/'C
200
nA
V
Voltage Drifl
Input Offset Current
IINW " 'IN(-). VCM = OV
Input Offset
Rs = on
30
30
75
nA
Current Drift
40
Input Bias Current
IINM or IJN(-)
Input Common-Mode
V* = -t-SOV

Large Signal
(LM2902, V* = 26V)
V* = -M5V
Voltage Gan
(V0Swing = 1Vto1iV)
100
V*-2
25
40
40
100
V*-2
25
V*-2
V/mV
15
RL:2kn
Output Voltage
VOH
Swing
VOL
Output Current
Source
V* = 30V
(LM2902, V* = 26V)
V* = 5V, RL = 10 kn
V0 = 2V
26
RL = 2kfi
26
RL = 10 kn
27
28
VIMT = +1V.
10
10
27
28
20
10
5
20
28
20
10
15
20
26
27
20
20
Vw- = OV,
V^=15V
v,M- = +iv.
Slnk
mV
mA
Vw* = OV,
\ = 15V
V"" = -fS.OV, (Note 7), unless otherwise stated
Conditions
Parameter
(Note 8) TA = 25"C
Inpul Bias Cuirent
'(+ or IIN(-). VCM OV,
(Note 9)
TA = 25'C
IJNM or IJf4(.,, Vcu = OV,
LM324
LM124/LM224
Mln
Max
7
45
150
45
30
Max
Mln
LM2902
Typ
2
Typ
Mln
Unlts
Typ
Max
mV
250
45
250
nA
50
50
nA
TA = 25'C
Input Common-Mode
Supply Current
V* = 30V, (LM2902, V* = 26 V),

TA = 25-C
Over Fuli Temperatura Range
V*-1.5
V-1.5
V-1.5
mA
RL = On All Op Amps
V* = 30V (LM2902 V* = 26V)
\ = sv
Large SIgnal
V = 15V,RL^2kQ,
Voltage Gan
(V0 = lVto11V),T A = 25'C
WWW.n ato n a I. com
50
1.5
0.7
1.2
100
25
1.5
0.7
100
1.2
25
1.5
0.7
100
3
1.2
V/mV
Electrical Characteristics (continued)

LM124/LM224
Condltions
Parameter
Common-Mode
DC, VCM = OV to V* - 1.5V,
Rejection Rato
TA = 25'C
V* = 5V to 30V
Power Supply
{LM2902, V" = 5V to 26V),
Rejectbn Ratio
Min
Typ
70
65
Max
LM2902
LM324
Min
Typ
85
65
100
65
Max
85
Min
50
Typ
70
100
50
100
Max
Unlts
dB
dB
TA = 25'C
Amplifi e r-to-Amplfer
f = 1 kHz to 20 kHz, TA = 25'C
Coapling (Note 11)
(Input Referred)
Output Current
-120
-120
dB
-120
Source
VW* = IV, VW- = OV,

V" = 15V, V0 = 2V, TA B 25'C
20
40
20
40
20
40
SInk
VIH" = 1V, VJM* = OV,
10
20
10
20
10
20
12
50
12
50
12
50
mA
V+ = 15V,V0 = 2V,TA = 25'C
v,N- = 1V, VIM* = ov,
MA
V = 15V, V0 = 200 mV, TA = 25'C

Short Cifcult to Ground
(Note5)V* = 15V,TA = 25'C
(Note 8)
Input Offset
Rs = on
40
60
40
60
40
60
10
mA
mV
uWC
Voltage Drift
IINM - liN(-]. VCM = ov
Input Offset
Rs = on
100
45
10
150
10
10
200
nA
pA/'C
500
nA
V
Cufrent Drift
Inpul Blas Current
IINW or IIH-)
Input Common-Mode
V^ = +30V
Voltage Ranga (Note 10)
(LM2902. V* = 26V)
Large Slgnal
V* = +15V
Voltage Gan
40
0
300
V*-2
25
(Va5wng = 1Vto1lV)
40
0
500
V*-2
15
40
0
V*-2
V/mV
15
Rc2:2kQ
Output Voltage
VOK
Swing
Output Current
V* = 30V
RL = 2 kil
26
(LM2902, V* = 26V)
RL = 10 kl
27
28
5
VIH* = +1V,
10
Vou
V* = 5V, RL = 10 kn
Source
V0 = 2V
26
28
5
20
10
20
22
27
23
24
5
20
10
20
20
100
Vw- = OV,
mA
V^=15V
Sink
vlfg- = +iv,
mV
V^ = OV,
\r=isv
Note 4: ForoperatlngatWghtempeatures, the IM324/LM324A/LM2902 must fae derated based on a +125'C mximum Junctlon temperatura and a therma resistance o( 88'C/W which apolles for the device soldered In a printed circuit board, operating In a still alr amblent The LM224/LM224A and LM124/LM124A can be derated based or a +15G'C mximum Junctlon temperatura. The dlsslpaton is the total of alIfourampWiers use externa I reslstors, wh era possible, to allow the amplrferto satrate of to reduce Uie power which Is disstpated In the Integrated drcuit
Noto 5; Short clrcurts (rom the output to V* can cause excesslve heating and eventual destructlon. When consldering short circuits to ground, the mximum output
curren! Is approxlmately 40 mA Independent of the magnitude of V*. At vales of supply Voltage in excess of +15V, contlnuous short-clrcuits can exceed the power
disslpatlon ratings and cause eventual destructon. Destructive dlsslpaon can result from slmultaneous shorts on all amplifiers.
1''"
jv
Note 6: Thls Input current will ooly exist when the Voltage at any of the Input leads Is driven negatlve. It Is due to the collector-base Junctlon of the Input PNP translstors becoming forward biased and thereby acting as nput diode damos. ln add tion to thls diode action, there Is also lateral NPN parasltlc transistor action on the
]C chlp. This trans stor action can cause the output voltages of the op amps to go to the V* voltage level (or to ground for a large ovefdrive} for the time duraton that
an input ls driven negativo. Th s Is not destructve and normal output states will re-establish when the nput voltage, which was negativo, agaln retums to a valu
greater than -0.3V (at 25'C).
Note 7: These specifications are lmlted to -55'CTA:5+125'Cforthe LM124/LM124A. With the LM224/UM224A, all tempe ratu re specifications aie limited to -25'C
TA +85'C, the LM324/LM324A temperature specfficatlons are limited to O'C TA +70'C, and the LM2902 specifications are mited to -40'C TA -t-85'C.
Note 8: V0 = 1.4V, Rs = On with V* from 5V to 30V; and over the full input common-mode rango (OV to V* - 1.5V) for LM2902, V* from 5V to 26V.
Note 9: The direction of the Input curren! Is out of the IC due to the PNP nput stage. Thls current Is essentlally constant, Independen! of the state of the output so
no loading change exlsts on the input unes.
Nota 10: The Input common-mode voltage of either input signa! voltage shoutd not be allowed to go negatrve by more than 0.3V (at 25'C). The upper end of the
common-mods voltage range ls V- 1.5V (at25'C), but either or both Inputs can go to +32V without damage (+26V for LM2902), Independen! of the magnitude of
V*.
Note 11: Due to proxlmlty of extemal components, Insure that coupling Is not origlnating via stray capacitance between these extemal parts. This typlcally can be
detected as this type of capacitance Increases at hlgher frequendes.
Note 12: Refer to RET5124AX for LM124A milltary specrfications and refer to RETS124X for LM124 military spedflcations.
www.national.com
Note 13: Human body model, 1.5 tl in series with 100 pF.
Schematic Diagram (Each Ampifer)
Typical Performance Characteristics

InputVoltage Range
Supply Current
V* OR V - POWER SUPPLY VOLTAGE tiV^)
-55-35-15 5 25 15 65 BS 105125
IA - TEMPERHURE (C)
DS009Z99-W
DS009299-3S
10
15
Voltage Galn
Open Loop Frequency

Responso
10
20
30
10
20
V* - SUPPLY VOLIACE {V^}

DSQO9Z&-X
Common Mode Rejection

Ratio
(O
V* - SUPPLY VOLIACt: {VQC)

I - FHEOUENCr (Hi)
DSO09299.M
www.national.com
100
Jk
lOk
lOOk
1U
1 - FREOUENCY (Hi)
DS009I99-39
Typical Performance Characteristics (continued)

Voltage Follower Pulse
Responso
Voltage Follower Pulse

Response (Small Signal)
sao
Large Sgnal Frequency

Response
,t
tr i
1 - FREQUEHCT (Hi)
DS009299-2
Output Characteristcs
Current Sourcng
Output Characteristics
Current Sinklng
Current Lmiting
^ ao
|70
-5S-JJ5 -15 5
0.001
0.01
0.1
10
100
0.001
l - OUTPUI EGURCE CURRENT (mA~0
0.01
D.l
10
IDO
I0 - OUIPUT SINK CURREN! (m^;)
Input Current (LM2902 only)
25
65 85 IOS 125
T, - IEUPERHUHE (C)
DS009299-45
Voltage Can (LM2902 only)

160
100 r-
10
V + -5UPPLY VOLTAGE (Voc)
20
30
Y*-SUPPLY VDLTAGE (VDC)
DS09299J6
Application Hints
The LM124 series are op amps whlch oprate with only a
single power supply voltage, have true-differental Inputs,
and reman In the linear mode with an input common-mode
voltage of O VQC. These amplifers oprate over a wide range
of power supply voltage with little change In performance
characterslcs. At 25*C amplfier operation s possble down
to a mnimum supply voltage of 2,3 VDG.
The pnous of the package have been deslgned to slrnpllfy

PC board layouts. Inverting inputs are adjacent to outputs for
all of the ampllfiers and the outpus have also been placed at
the corners of the package (pns 1, 7, 8, and 14).
Precautions should be taken to Insure that the power supply
for the ntegrated crcuit never becomes reversed n polarity
or that the unit s not nadvertently nstalled backwards In a
wwiV.national.com
Application HntS (Contlnued)

test socket as an unlimited current surge through he resulting forward diode withln the [C could cause fusing of the inernal conductors and result in a destroyed unit.
Large differential input voltages can be easily accommodated and, as input differential voltage protection diodes are
not needed, no large input currents result from large differential input voltages. The differential input voltage may be
larger than V" without damaglng the device, Protection
should be provided to prevent the input voltages from going
negative more than -0.3 VDC (at 25'C). An input clamp diode
with a resistor to the IC inpu terminal can be used.
To reduce the power supply drain, the amplifiers nave a
class A output stage for small signa! levis which converts to
class B in a large signal mode. Thls allows the amplifiers to
both source and sink large output currents. Therefore both
NPN and PNP externa! current boost transistors can be used
to extend the power capabilty of the basic amplifiers. The
output voltage needs to ralse approximately 1 diode drop
above ground to bias the on-chlp vertical PNP transistor for
output current slnking appllcations.
For ac applicatons, where the load is capactively coupled to
the output of the amplifier, a resistor should be used, from
the output of the amplifier to ground to increase the class A
bias current and prevent crossover distortion.
Where the load s dlrectly coupled, as in de appllcations,
there Is no crossover disortion.
Capacitive loads which are applled directly to the output of
the amplifier reduce the loop stability margin. Vales of
50 pF can be accommodated uslng the worst-case
Typical Single-Supply Applications
non-inverting unty gain connection. Large closed loop gains

or resistive isolaton should be used f larger load capacitance must be driven by the amplifier.
The bias network of the LM124 establlshes a drain current
which Is independent of the magnitude of the power supply
voltage over the range of from 3 V^ to 30 VDC.
Output short circuits eiher o ground or to the postive power
supply should be of short time duration. Units can be destroyed, not as a result of the short circuit current causing
metal fusing, but rather due to the large Increase in IC chlp
dissipation which will cause eventual falure due to excessive junction temperatures. Putting direct short-clrcuits on
more than one amplifier at a time will Increase the total !C
power dissipation to destructive levis, f not properly protected with external dissipation limiting resistors in series
with the output leads of the amplifiers. The larger valu of
output source current which Is avallable at 25'C provides a
larger output current capabilty at elevated temperatures
(see typical performance chara cterlstics) than a standard [C
op amp.
The circuis presented in the section on typical applications
emphasize operation on only a single power supply voltage.
If complementary power supplles are availabie, all of the
standard op amp circuits can be used. In general, introducing a pseudo-ground (a bias voltage reference of V72) will
allow operation above and below this valu In single power
supply sysems. Many appcation circuits are shown which
take advantage of the w!de input common-rnode voltage
range which Includes ground. In most cases, input biasing is
not requlred and input voltages which range to ground can
easily be accommodated.
= 5.0 VDC)
Non-lnverting DC Gain (OV Input = OV Output}

-rSV
V,K ImVJ
"R not needed due to lemperature Independen! I|jj
www.national.com
Typical Single-Supply Applications (\ = 5.0 voc) (Continuad)

DC Summing Amplifier
(VIN.S O Voc and V0 > VDC)
Power Amplifier
IDDk
W, O
Wv
Vi CKWWJ
im
R
IDOk
i
> mk
-=r
~
w,oW*\
+V40%A/V'
O VDC for
A V =10
Where: V0 - Vj + Vz - V3 - V4
(Vi + VJ s (V3 + V4) to k&ep V0 > O VD
LED Driver
"Bl-QUAD" RC Active Bandpass Fter
f0 = 1 kHz
Q = 50
AV= 100(40dB)
www.national.com
Typical Single-Supply Applications (\ = 5.0 v^) (continuad)

Fixed Current Sources
Lamp Drlver
Current Monitor
Driving TTL
V0-
'(Increase Rl for IL small)
VAVW.national.com
Typical Single-Supply Applications (v- = 5.0

Voltage Follower
Pulse Generator
Squarewave Osclllator
Pulse Generator
LTLTL
Hlgh Compliance Current Sink
I
I
lo = 1 amp/vott VIN
(Increase Rg for I0 smatl)
www.national.com
Typical Single-Supply Applications (\ = 5.0 vo

Low Drift Peak Detector
1NPUTCURRENT
COMPENSAD O N
Comparator with Hysteresis
Ground Referenclng a Dfferentlal Input SIgnal

I
I
www.nalional.com
Typical Single-Supply Applications (\ = s.o VD

Voltage Controlled Oscillator Circuit
O.GBuF
C'
OI I
14A
>-H>
Wide control voltaga ranga: O Vpc S Vc 2 (V* -1.5 VD
Photo Voltaic-Cell AmpIIfier
{CELLHASOV ( ' ACROSS IT) l *
DSO39299.23
AC Coupled Inverting Amplifier
(As shown. Ay " 10)
www, natlonal.com
Typical Single-Supply Applications (\ = 5.0 VDC)

AC Coupled Non-lnverting Amplifer
'T
R1
11 (Aa shown}
DC Coupled Low-Pass RC Active Filter
fo = 1 k
0=1
Ai/= 2
www.national.com
Typical Single-Supply Applications (\ = 5.0 VD

High Input 2, DC Dfferential Amplifer
Por - (CMRR depends on tir resistor rato match)

fZ
R3
As shown: Vo - 2<VZ - Vi)
Hgh Input Z Adjustable-Gain

DC Instrumentaron Amplifier
If R1 - R54R3 - R4 - R6 - H7 {CMRR depends on match)
As shown V 0 - 101 (V2 -V,)
www. national.com
Typical Single-Supply Applications (\ - 5.0 VDC) (continuedj

Uslng Symmetrical Amplflers to
Reduce Input Current (General Concept)
Bridge Current Amplifier
For 5 1 and R| H
INPUTCURBENT
CGMPENSATION
Bandpass Active Filter
wvw.national.com
PhySCal DimenSOnS nches (mllllmeters) unless otherwise noted

0.7B5
(19.939)'
MAX
nn fi fii m m
RT1 fl
U.U!)
(Q.B35)~^\
RAO
.220-0.310
>O
i .588-7,874)
LU LU LU LU LU LU LU
0.290-0.320
Q.QQS
(7 ^6G-a.l28}
P.127J
0.200
GLASS
0.060 0.005
(1.524 0.127)
(4.572) ' A i/
r-
f 35 5"
V,
0MAX
fl6940
firtnrtrtrtn=_
\f\f\A /
TYP *
\ O.OD8-O.D12
310-0.410
iK(7.874-10.41)
(5.080)
MAX Q.02o_o_Q6o
1
(0.508-1.524)
t
1
LJ L J
|l
(0.203-0.305)
""> __
(2.483) ~^
MAX BOTH ENDE
[__
^~
0.01 B 0.003
II
(0.457 0.076)
"
0
(2.540 tO .254)
MI
JHMBVQI
Ceramc Duai-ln-Line Package (J)

Order Number LM124J, LM124AJ, LM124AJ/883, LM124J/883, LM224J, LM2 24AJ or LM324J
NS Package Number J14A
0.335- a.w
[B.509- B.73S)
H
fl
13
1?
)1
10
*"
9
A fl P fl fl A
O.Z2B-D.2"
>
S'79I[ÛO
]
u"f
y uuu
1
21.MAX
(0.2H)
0.150-0.157
(3.S10-3.9M )
0.053-0.069
(U16-1JS3)
1
I
O.D10-0.020
l'2M~0l50'
J
(M
3U,
o.ooa-o.oio
B-MAXT1P
ALL UADS
T~
T
WM
FLAHE
J
1
O'i*
0.00*-O.D10
.
fcfeU3L
1
^^ r . 1
1
TPALULEADS
Q.OM
"
pjf
Ati lAD UPS
(D.06-1.I7C)
TTPALL LEAOS
D.OH-O.D2Q ftf
(0.356-0.508)
TrP
~H. "*' 'la' 7031nf
S.O. Package (M)

Order Number LM324M, LM324AM or LM2902M
NS Package Number M14A
www.national.com
PhySCal DimenSOnS inches {millimeters) unless otherwise noted (Continuad)
ri (ni lu fi no) m r n
IOENT
bJ LU yj LI M/LU LU
D.Q9Z
O.OM MM
[Z.337J
(0.7S! DE-TK
OPJION 1
Molded Dual-ln-LIne Package (N)

Order Number LM324N, LM324AN or LM2902N
NS Package Number N14A
S:SS
0.026
TYP
0.0500.005
TYP
-H
0.005 UIN TYP
0.370
0.250
0.260
0.235
0,280 MAX
GLASS
0.012
' 0.008
0.370
0.250
PIN #1
I CENT
0.006
0.00*
TYP
0.045 MAX
TYP
Ceramic Flatpak Package

Order Number LM124AW/883 or LM124W/883
NS Package Number W14B
www.national.com
VI4B (REV J)
Notes
co
NJ
CO
o
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o
CD
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LIFESUPPORTPOLICY
NATIONAL'S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTE 1N LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT AND GENERAL
COUNSEL OF NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:
1. Ufe support devices or sysems are devices or
systems which, (a) are ntended for surgcal implant
into the body, or (b) support or sustan ufe, and
whose failure to perform when properly used n
accordance with nstructions for use provided n the
labeling, can be reasonably expected to result in a
sgnifcant njury to the user.
Natlonal Somlconauctor
Ame ricas
Tal: 1-800-272-9953
Fax: 1-800-737-7018
EmaU; support@nsc.D3m
ww.naUonal.cool
National S
Europa
Fa) '49 (0} 1 80-530 85 86

europe.su pport@nsc.com
+49 (0) 1 BO-530 B5 85
+49 (0) 1 BO-532 7B 32
Franjis Te +49 (0) 1 80-532 93 58
Italiano Te +49(0)180-5341680
A critical component is any component of a life

support devce or system whose failure to perform
can be reasonably expected o cause the failure of
the life support device or system, or to affect its
safety or effectiveness.
Asia Pacific CUlortwf

Raspn Group
Tal; 65-2544466
Fax: 65-2504466
Emall; saa.support@nsacom
Japan Ltd.
T*1: 81-3-5639-7560
Fax: 81-3-5639-7507
Nabonal boes ix>( a&sufm anyrespcnsb%(of use of any drculiry itesoibed. no omH patenl licenses are Imped andNalioial reserves tnerighl al any orne ioU nobce tocrange said drcuilry and spadficaDciis.
ANEXO C
Resumen de especificaciones Tcnicas
EPN
ELEMENTO
VALOR DE
ESPECIFICACIN
Rango de frecuencias
868-895 Mhz
Potencia
mxima
de 50mW-17dBm
entrada en RF
Nivel
de
corriente +/- 20 mA
mximo en puerto de
datos
Impedancia de puertos 50 ohmios
RF
Conectores
SMA hembra
Frecuencia de operacin 1-1000MHz
RF
1-1000MHz
Oscilador Local LO
Entrada
recomendada +7dB'
LO
SMA hembra
Conectores
Frecuencia intermedia IF DC-IOOOMHz
Entrada mxima RF
+1dB
685-1 025 MHz
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Principal +8. dBm
Auxiliar -13 dBm
1-16 voltios
Voltaje de control
Sensibilidad
SOMHzA/
Corriente
mxima de 140mA
alimentacin
12 voltios
Voltaje de alimentacin
-t-5,-5,0 voltios DC
Alimentacin
Entrada de datos
Por un conector de 40
pines
conectado
a!
mdulo principal
+5,+12,-12 voltios DC
Alimentacin
12MHz
Reloj de sistema
8 Kbytes
Memoria RAM
8 Kbytes
Memoria ROM
RS-232
Comunicacin serial
Cristal
lquido,
16
Display
caracteres por 4 lneas
teclado
Matriz de 16 interruptores
64 Kbytes
Memoria Eprom
110Vac
IN
OUT
+5, +12, y-12VDC
PARMETRO
Dispositivo
modulador
ZAMIQ-895M
Mezclador ZLW-2
Oscilador controlado por

voltaje ZOS-1 025
Mdulo
niveles
convertidor
de
Equipo
trabajo
principal
de
Fuente de alimentacin
EPN

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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Tesis previa a la obtencin del Ttulo de

Quito, Junio del 2000

Ing. Carlos Egas Acosta

Un agradecimiento especial al Ing. Carlos Egas y al Ing. Ramiro Morejn, que

TEORA BSICA UTILIZADA

INTRODUCCIN A LAS COMUNICACIONES ELECTRNICAS........12

1.1.1 Las comunicaciones electrnicas..........

1.2.2 Transmisin en banda base...

1.2.3 Bits y Baudios

1.2.4 Eleccin de niveles de la seal de datos para la transmisin........17

1.3.1 Serie de Fourier Trigonomtrica

1.3.3 Propiedad de desplazamiento de frecuencia (modulacin)...

TRANSMISIN DE DATOS UTILIZANDO UNA PORTADORA DE

1.4.1 Transmisin analgica de informacin..................

1.5.1 Modulacin bsica de una portadora por informacin digital.......27

Eficiencia del ancho de banda.............

CLASES DE MODULACIN DIGITAL...........

1.6.1 Desplazamiento de Amplitud (ASK)

1.6.2 Desplazamiento de Frecuencia (FSK)

1.6.3 .Desplazamiento de Fase (PSK)

1.7.1 Desplazamiento de fase cuaternaria o en cuadratura (QPSK)

2.2IMPLEMENTACION DE MODULADORES QPSK Y 8-QAM CON UN

2.2.1 Modulador QPSK...........

2.2.2 Modulador 8-QAM.........

EQUIPO MODULADOR I/Q

2.3.1 Esquema general del equipo modulador.....

REQUERIMIENTOS DE HARDWARE Y SOFTWARE PARA LA MPLEMENTACION DEL

DESCRIPCIN DEL HARDWARE DEL EQUIPO MODULADOR.

3.1.1 Dispositivo modulador I&Q (ZAMIQ-895M)

3.1.2 Mdulo principal,.

3.1.3 Mdulo de Display y Teclado......

3.1.5 Mdulo convertidor de niveles...........

3.1.7 Presentacin de! Equipo........

3.2.1 Descripcin del programa principal...

3.2.2 Modo remoto...

3.2.3 Modo local......

Manejo del modulador QPSK y 8-QAM....

3.2.4 Descripcin de las subrutinas generales......

Instrucciones de funcionamiento, Pruebas sobre el equipo, Prdica de laboratorio

4.1.1 Mdulo principal de trabajo............

4.1.2 Manejo de pantallas

PRUEBAS SOBRE EL EQUIPO,.

4.2.1 Prueba 1. Seal en banda base.....

4.2.2 Prueba 2. Seal modulada

4.2.3 Prueba 3. Espectro de potencia....

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Hace algn tiempo lo ms comn era encontrar una modulacin

En este trabajo se desea implementar prcticas para el laboratorio de

Para la elaboracin de la Gua de usuario se realizaron varias pruebas

DISEO E IMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

en consideracin la realizacin de una prueba obligatoria del equipo que nos

El equipo esta hecho con un alcance tal que se puedan implementar

En el captulo I se citan conceptos bsicos que son base terica del

En el captulo II se exponen los requerimientos bsicos de hardware

En el captulo III se tiene la presentacin del equipo completo y la

DISEO E IMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

En el captulo IV se indican de una manera sencilla instrucciones para el

Las conclusiones y recomendaciones sobre el tema desarrollado, as

DISEO EIMPLEMENTACION DE UN MODULADOR I&Q

La velocidad mxima de datos = 2ABlog2M bps