APLICACIONES DE BJT Y JFET: CIRCUITOS

AMPLIFICADORES EN CASCADA CON TRANSISTORES

BJT Y JFET
RESUMEN
En este laboratorio se realizaron los anlisis tericos y
prcticos de dos circuitos de amplificacin en cascada
o por etapas, donde se hace uso de componentes
electrnicos como capacitancias, resistencias y dos
tipos de transistores, JFET y BJT, donde cada transistor
tiene una funcin especfica para cada etapa del
circuito amplificador.

es de 10 mVRMS y su respectiva salida amplificada

es de 1 VRMS tal y como se planteaba en la gua
del laboratorio.
1. CIRCUITO
AMPLIFICADOR
EN
CASCADA CON TRANSISTORES BJT Y
JFET (BF245A)
Este circuito tiene la siguiente distribucin:

INTRODUCCIN
El transistor JFET funciona mediante la excitacin
de su material n o material p por un potencial
aplicado entre los terminales Gate y Source, que
se denota como VGS, valores que al ser ubicados
en un plano en el eje de las abscisas junto con el
valor correspondiente de la corriente que pasa por
Drain y Source, IDS, en el eje de las ordenadas, se
puede observar la curva caracterstica del
transistor, el cual cuenta con tres zonas: hmica,
Activa y Corte. En esta prctica de laboratorio se
trabaja en la zona activa, ya que permite
mantener un flujo casi uniforme de corriente frente
a un valor de potencial aplicado en el Gate, para
as lograr una primera etapa de amplificacin de
la seal de entrada, todo esto con sus respectivos
condensadores de acople y desacople segn lo
visto en clase.
Siguiendo con la seal pre-amplificada a la
segunda etapa, la cual contiene un transistor tipo
BJT, el cual mediante un divisor de tensin se
encuentra en su zona activa, dando as la mayor
amplificacin del circuito al analizarlo por etapas.

Figura1.Circuito Amplificador

En la Figura 1 se puede observar un circuito

amplificador en cascada con dos etapas, en la
primer etapa se encuentra el transistor JFET
(BF245A) y en la segunda etapa el transistor BJT
(2N2222).
Para facilitar se pasa el Voltaje RMS a Voltaje
Pico, ya que es el que vamos a utilizar en esta
prctica.

Teniendo as a la salida, una seal amplificada

100 veces su magnitud original, donde la entrada


Anlisis en DC
Para realizar esta prctica primero se debe
analizar el equivalente del circuito en DC, que se
puede observar en la Figura 2:
Anlisis en AC
En la Figura 3 se puede observar la imagen del
equivalente del circuito para el anlisis en AC,
para el transistor JFET en este anlisis se utiliz
su equivalente en el modelo que es muy similar
al modelo del BJT, y para el transistor BJT se
utiliz su equivalente en el modelo T, ya que este
modelo es muy til cuando se tienen resistencias
en el emisor.

Figura2. Anlisis en DC del circuito Amplificador

Con un multmetro se mide el beta (hFE) del

transistor 2N2222 para poder hacer los clculos,
el valor encontrado para el beta del transistor que
se va a usar en el montaje
Luego, se debe calcular si el divisor de tensin es
estable aplicando la siguiente formula:
(

Como se cumple lo anterior, el divisor de tensin

es estable y se puede continuar con los
procedimientos.

Figura3. Anlisis en AC del circuito Amplificador

Antes de empezar con los clculos del anlisis en

AC, se debe hacer un barrido en PSpice para
obtener los datos necesarios del JFET, y as tener
valores suficientes para continuar con los clculos
y el anlisis del circuito.
En la Figura 4 se puede observar el circuito para
hacer el barrido del JFET BF245A, del cual se
puede observar la grfica en la Figura 5.

Ahora se hacen los clculos necesarios para

hallar
que se necesita para poder hacer el
anlisis en AC.
Figura4. Circuito del Barrido del transistor JFET BF245A

La
que se va a utilizar es
ser ms grande que la
.

porque no puede

Se halla la transconductancia, para poder sacar la

ganancia del JFET.

)
(

La ganancia del JFET es:

Figura5. Grfica del Barrido del transistor JFET (BF245A)

De la Grfica 5 se obtienen los valores de Vp, el

cual es el punto donde el transistor entra en su
zona activa.

))

Ahora se calcula la Ganancia del BJT.

Con estos valores se hacen los clculos para

hallar la ganancia del transistor JFET
(Mxima transconductancia)

Se utiliza la auto polarizacin ya que hace que el

circuito sea ms estable y tambin esta elimina la
necesidad de dos fuentes en DC.

(
[

Como la ganancia no da del 100%, entonces hay

que acomodar los datos para poder obtener esta
ganancia. La ganancia que se va a acomodar es
la del transistor BJT de la siguiente manera:
Se hace la ganancia igual a:

La ganancia total del circuito es:

]
(
)

Se vuelve a calcular la ganancia con la nueva

(
)
Y la ganancia total del sistema con la nueva
ganancia del BJT es:

Luego de la siguiente formula se despeja RL

(
)

------------------------------------------------------------------

-----------------------------------------------------------------Ahora se hallan las Capacitancias del circuito con

la siguiente formula:

((

))

((

))

SIMULACIN

-----------------------------------------------------------------(

Figura6. Grafica de la onda de entrada del circuito

Figura7. Grafica de la onda amplificada del circuito

En la grafica6 se puede ver la onda de entrada

que tiene el circuito, y en la Figura 7 se observa la
onda ya amplificada. Como se realizaron los
clculos y la simulacin con voltaje pico, entonces
se debe dividir los valores de las grficas por
para saber cunto nos da en voltaje RMS
Voltaje de entrada
(

( )
Voltaje de salida
(

NOTA: Como el transistor JFET (BF245A) esta

descontinuado, se va a realizar nuevamente los
clculos, simulacin y montaje con el JFET
(2SK105) que fue el transistor que se consigui.

2. CIRCUITO
AMPLIFICADOR
EN
CASCADA CON TRANSISTORES BJT Y
JFET (2SK105)

El circuito tiene la siguiente distribucin:

Figura7. Circuito Amplificador

En la Figura 7 se puede observar un circuito

amplificador en cascada con dos tipos de
transistores, en la primer etapa est el transistor
JFET (2SK105) y en la segunda etapa el
transistor BJT (2N2222).
Anlisis en DC
Primero se analiza el circuito en DC, el cual se
puede observar en la figura8.

Figura8. Anlisis en DC del circuito Amplificador

Al solo cambiar el transistor JFET, la parte de la

configuracin y clculos del mismo cambia, pero la
del transistor BJT sigue igual. Por lo tanto el del
transistor al 2N2222 sigue siendo el mismo.

Al igual que sus clculos, por esto re es igual.

Figura9. Anlisis en AC del circuito Amplificador

Para poder empezar con los clculos del anlisis

en AC, se debe hacer un barrido en PSpice del
nuevo transistor JFET para poder sacar los datos
necesarios, para empezar hacer el anlisis
correspondiente.

En la Figura 10 se puede observar el circuito para

hacer el barrido del transistor JFET (2SK105), del
cual se puede observar la grfica en la Figura 11.

Figura10. Circuito del Barrido del transistor JFET (2SK105)

Anlisis en AC
En la Figura 9 se puede observar la imagen del
circuito del anlisis en AC, primero con el modelo
del JFET que es muy similar al modelo del BJT,
seguido de este, est el modelo del BJT del cual
utilizamos el modelo T, ya que esta es muy til
cuando se tienen resistencias en el emisor.

(Mxima transconductacia)

Figura11. Grfica del Barrido del transistor JFET (2SK105)

De la grafica11 se obtienen los valores de Vp e

IDSS.

Se utiliza la auto polarizacin ya que hace que el

circuito sea ms estable y tambin esta elimina la
necesidad de dos fuentes en DC.
(

Con estos valores se hacen los clculos para

hallar la ganancia del transistor JFET

La
que se va a utilizar es
ser ms grande que la
.

porque no puede
(

Se vuelve a calcular la ganancia con la nueva

Se halla la transconductancia, para poder sacar la
ganancia del JFET.
(

Se obtiene la ganancia total del sistema con la

nueva ganancia del BJT que es:

La ganancia del JFET es:

Para poder tener una mejor ganancia en este
transistor se cambi la resistencia
, por una de
3Kohms ya que el con la de 5.5Kohms la seal se
montaba en otra y hacia que el circuito
conmutara.

Ahora ya con la ganancia del 100% y con los

ajustes se puede proceder a hallar las
Capacitancias del circuito con la siguiente
formula:

))

Ahora se calcula la Ganancia del BJT.

-------------------------------------------------------------------

(
La ganancia total del circuito es:

-------------------------------------------------------------------

((
Como la ganancia no da del 100%, entonces hay
que acomodar los datos para poder obtener esta
ganancia. La ganancia que se va a acomodar es
la del transistor BJT de la siguiente manera:
Se hace la ganancia igual a:
, ya que es lo que necesitamos para
tener una ganancia del 100%.
Luego de la siguiente formula se despeja RL

))

-------------------------------------------------------------------

((

)Voltaje de entrada
(

SIMULACIN

Voltaje de salida
(

(
)

Barrido experimental

Figura12. Grafica de la onda de entrada del circuito

Figura13. Grafica de la onda amplificada del circuito

Figura14. Tabla del barrido experimental

En la grafica12 se puede ver la onda de entrada

que tiene el circuito, y en la Figura 13 se observa
la onda ya amplificada. Como se realizaron los
clculos y la simulacin con voltaje pico, entonces
se debe dividir los valores de las grficas por
para saber cunto nos da en voltaje RMS

Figura15.
Grfica
experimental

del

barrido

Con los valores obtenidos en el barrido

experimental, que se pueden apreciar en las
Figuras 14 y 15, se pueden comparar con
los valores calculados en la siguiente Tabla.

Tabla de resultados

Vp
IDSS
VGS

Valores
calculados
2.5V
6.8ma
-0.95V

Valores
medidos
3.5V
5.5mA
-0.7V

Tabla1. Tabla de comparacin de resultados

Diagrama de bloques

Figura16. Diagrama de bloques del circuito

3. RESULTADOS EXPERIMENTALES
El circuito montado fue el cual tiene el
JFET
2SK105 debido a que el BF245A est
descontinuado y este es un reemplazo aceptable
para este componente.

Figura17. Circuito montado.

Figura18. Seal de entrada en CH2 del Osciloscopio con

configuracin de 10mV por divisin.

Debido a que la entrada es una seal muy pequea

puede suceder que por caractersticas del
generador de funciones, esta salga con alguna
interferencia elctrica como se puede observar en la
Figura 18.

Luego de la amplificacin, en la Figura 19 se

puede observar que las capacitancias de acople
ayudan a filtrar el ruido inicial que hay en la seal
de entrada para as lograr una salida muy
estable y con poco ruido.

Figura19. Seal de salida en CH1 del Osciloscopio con

configuracin de 1V por divisin.

Viendo as en la Figura 20 ambas seales

superpuestas, donde se observa que no existe
desfase entre las seales de entrada y de salida.

Figura20. Seal de entrada en CH2 superpuesta con la seal

de salida en CH1.

4. CONCLUSIONES
Inicialmente se puede concluir que para este
ejercicio de circuito amplificador en cascada, se
tienen dos diferentes familias de transistores para
dos objetivos distintos, para empezar, la etapa
con el JFET se encarga de proporcionar un buen
acople a la seal con su gran impedancia de
entrada pero debido a esto no proporciona una
ganancia significativa para la amplificacin de la
seal, es por esto que es necesaria una segunda
etapa implementando un BJT que proporcionara
una mejor amplificacin debido a las altas
ganancias que se pueden obtener a partir de
estos transistores. Los transistores JFET tienen
una amplia gama de usos comerciales, por lo
tanto para este laboratorio es importante

asegurarse que el transistor que se va a utilizar

sea de amplificacin.
Los valores de I_DSS y de V_p que entrega el
fabricante para el JFET o los valores que puede
entregar una simulacin, no son valores
totalmente exactos, por lo tanto es muy
recomendable encontrar el valor experimental
para estos valores, esto podr evitar posibles
errores adems de brindar valores ms acertados
para el sistema de amplificacin.
El buen calculo y uso de condensadores de
acople y desacople, permiten eliminar el posible
ruido que entre en el sistema, y permiten
mantener las seales en fase.

5. BIBLIOGRAFA

InterFET Corporation. (s.f.). Datasheet

Catalog.
Recuperado el 26 de Marzo de
2015, de
http://pdf.datasheetcatalog.com/d
atashe et_pdf/interfet-

corporation/2SK105_and_IFN105.
pdf
Malvino, A. P. (2000). Principios de
Electrnica. (J.
L. Alba Castro, & C. L. Cortn,
Trads.) Madrid, Espaa: Mc
Graw Hill.