Plan de proyecto de titulacion

Alvaro Martnez
Enero 2016

1.

Ttulo
Implementaci
on del calculo del invariante topologico Z2 en aislantes topologicos bidimensionales

2.

Planteamiento del Problema

Los aislantes topol

ogicos son nuevos estados de la materia basados en la topologa no trivial de la estructura

electr
onica. Estos
materiales se comportan como aislantes en el volumen, y tienen propiedades de metales en su

superficie o borde. Estos

materiales tienen propiedades u
nicas de transporte de carga y espn debido a su estabilidad
frente al desorden del sistema [1].
Los aislantes topol
ogicos est
an en la frontera de la investigacion en materia condensada debido a su exito en
avances de teoras topol
ogicas de estados electronicos, tambien tienen una gran motivacion de investigaci
on por la
gran variedad de materiales que se pueden predecir y despues sintetizar [6].
El efecto Hall cu
antico de espn (QHS por sus siglas en ingles) es un nuevo estado cuantico de la materia con
propiedades topol
ogicas no triviales que se caracteriza por n
umeros topologicos Z2 [4]. EL QHS a generado muchas
expectativas como alternativa para realizar espintronica [5]. Para un material bidimensional se necesita un solo
n
umero Z2 para caracterizarlo, el n
umero Z2 es un invariante topologico que determina si el aislante bidimensional
es topol
ogico o un aislante normal [2].
En investigaciones recientes se han desarrollado formulas computacional-mente eficientes del invariante topol
ogico Z2 para caracterizar el efecto Hall cu
antico de espn, estas nuevas formulaciones nos dan la capacidad de implementar c
alculos numericos para modelos realistas de aislantes topologicos bidimensionales [2].
Una manera directa y sencilla de calcular el invariante topologico Z2 seria una herramienta muy robusta para
la investigaci
on de estos materiales y la base para futuras implementaciones del calculo del n
umero Z2 en tres
dimensiones.
Por esta raz
on se busca implementar un c
odigo en phyton que nos permita calcular el n
umero Z2 para materiales
bidimensionales, como heteroestructuras de grafeno con nitruto de Boro, que se han propuesto como posibles
aislantes topol
ogicos. El c
odigo implementara el modelo propuesto por Fukui T. y Hatsugai. Y. [2].

3.
3.1.

Objetivos
Objetivo general

Calculo del numero Z2 en materiales bidimensionales basado en los modelos de aislantes topologicos propuestos
por Fukui T. y Hatsugai. Y..

3.2.

Objetivos especificos
Generar un c
odigo en phyton para determinar el invariante Z2 para el sistema grafeno-nitruro de boro.
Comprobar el funcionamiento del c
odigo, comparandolo con calculos del numero Z2 realizados con otros
metodos en materiales bidimensionales como el germanio, bismuto y antimonio.

4.

Justificaci
on del proyecto

Debido al interes por los aislantes topol

ogicos como nuevos materiales con un gran potencial de aplicaciones en
ramas de la tecnologa como la espintr
onica, nueva electronica y nanotecnologa [3]. El tener un metodo directo
para evaluar si un material es un aislante topologico viable es de mucho interes para el desarrollo experimental de
estos aislantes y el de nuevas tecnologas en los campos ya enunciados.
Desarrollar un c
odigo que sea de f
acil implementacion y tenga un gran rango de aplicabilidad en modelos de
materiales bidimensionales como el Bi y el Sb cuasi bidimensionales es de gran importancia practica.
La ventaja e importancia de tener este c
odigo implementado es que se puede evaluar cualquier sistema bidimensional propuesto y seg
un el resultado del calculo del invariante Z2 seguir o no con la sntesis del material propuesto
y/o su estudio mas detallado.

5.

Hip
otesis de trabajo

EL modelo de Fukui T. y Hatsugai. Y. puede ser implementado en un codigo computacional para calcular el
invariante topol
ogico Z2 en modelos de materiales bidimensionales.
La formula que se implementara en el c
odigo para calcular el invariante Z2 tiene las siguientes propiedades: es
estrictamente integral, es invariante en el grupo SU(2M) y Z2 es invariante [2].
El c
odigo ha ser desarrollado confirma los resultados anteriormente desarrollados para el invariante Z2 en materiales bidimensionales de Bi, Sb, Ge y siliceno.

6.

Aspectos metodol
ogicos

La implementaci
on del c
odigo se basa en el modelo propuesto por Fukui T. y Hatsugai. Y. La formula derivada
por estos investigadores esta definida en un enrejado en la zona de Brillouin, lo cual permite implementar c
alculos
numericos.

Este
modelo es mas eficiente si se usa en sistemas con fuerza apropiada de acoplamiento de espn-orbita adecuada,
si el sistema tiene una fuerza de acoplamiento de espn-orbita muy peque
na el modelo apropiado es el desatollado
por C.L. Kane y E.J. Mele.
Estos dos metodos est
an basados en desarrollos recientes de teoras de gauge de enrejados.
Se propone implementar en phyton todos los calculos necesarios para reproducir los resultados derivados de la
formula para Z2 de Fukui y Hatsugai. Luego comprobar la funcionalidad del codigo con datos de materiales de Bi,
Sb y comparar los resultados con los ya conocidos en la bibliografa.
Una vez que el c
odigo sea funcional para sistemas calculados con anterioridad en la bibliografa se someter
a al
c
odigo a nuevos c
alculos con materiales propuestos para ser aislantes topologicos.

Referencias
[1] Claudia Felser and Xiao-Liang Qi. Topological insulators. MRS Bulletin, 39(10):843846, 2014.
[2] Takahiro Fukui and Yasuhiro Hatsugai. Quantum spin hall effect in three dimensional materials: Lattice computation of z2 topological invariants and its application to bi and sb. Journal of the Physical Society of Japan,
76(5):053702, 2007.
[3] Seung Sae Hong, Desheng Kong, and Yi Cui. Topological insulator nanostructures. MRS Bulletin, 39(10):873
879, 2014.
[4] Charles L Kane and Eugene J Mele. Z 2 topological order and the quantum spin hall effect. Physical review
letters, 95(14):146802, 2005.
[5] Cheng-Cheng Liu, Wanxiang Feng, and Yugui Yao. Quantum spin hall effect in silicene and two-dimensional
germanium. Physical review letters, 107(7):076802, 2011.
[6] Hongming Weng, Xi Dai, and Zhong Fang. Exploration and prediction of topological electronic materials based
on first-principles calculations. MRS Bulletin, 39(10):849858, 2014.