LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

FIEE-UNMSM

U.N.M.S.M

FACULTAD DE ING. ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE

TELECOMUNICACIONES
APELLIDOS Y
NOMBRES

MATRICULA

Segovia Pujaico Alvaro Saul

15190039

CURSO

TEMA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

INFORME

FECHAS

PREVIO

NOTA

REALIZACIN

ENTREGA

02 DE JUlIO DEL
2016

05 DE JULIO DEL
2016

NUMERO

09
GRUPO

LUNES DE 10 am 12pm

PROFESOR

ING. LUIS PARETTO QUISPE

1

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

FIEE-UNMSM

LABORATORIO 9: EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

INFORME PREVIO

Tema: Transistor monounion (UJT).

Objetivos:
a. Verificar en forma esttica el estado operativo de un UJT.
b. Verificar y determinar las caractersticas de funcionamiento de un UJT.

Informacin bsica:
El transistor monounin: Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo
N o P en cuyos extremos se tienen los terminales Base 1 (B 1) y Base 2 (B2). En un punto
de la barra ms prximo a B2 se incrusta un material de tipo P o N dando lugar al terminal
de emisor.

Smbolo de un Circuito equivalente de un transistor

UJT
monounin tipo N
Cuando se polariza el transistor la barra acta como un divisor de tensin apareciendo
una VEB1 de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce notablemente. Observa el
circuito equivalente.

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Observando
el
circuito
de
polarizacin de la figura se advierte que al ir aumentando la tensin V ee la unin E-B1 se
comporta como un diodo polarizado directamente. Si la tensin Vee es cero, con un valor
determinado de Vbb, circular una corriente entre bases que originar un potencial interno
en el ctodo del diodo (Vk). Si en este caso aumentamos la tensin Vee y se superan los
0,7v en la unin E-B1 se produce un aumento de la corriente de emisor (I E) y una
importante disminucin de RB1, por lo tanto un aumento de VBE1. En estas condiciones se
dice que el dispositivo se ha activado, pasando por la zona de resistencia negativa hacia
la de conduccin, alcanzando previamente la VEB1 la tensin de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de la
intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensin de activacin Vp se alcanza
antes o despus dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de tensin entre
bases VBB.

Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso, circuitos de bases de

tiempos y circuitos de control de ngulo de encendido de tiristores.
El encapsulado de este tipo de transistores son los mismos que los de unin.

Procedimiento:

I. CUESTIONARIO PREVIO
Armar el circuito de la Figura 1, iniciando los potencimetros P1 y P2 en 0 ,
Debiendo estar los 2 miliampermetros en el rango de 30 mA. (Por lo menos);
llenar la Tabla 2.

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VALORES
TEORICOS

Ve(v)
0

Ie (mA)
0

Vb1 (v)
19.02381

Vb2 (v)
0.116

Ib (mA)
2.077

Al no haber disparo Ie=0 A por ende Ve=0 V

20
=2.077 mA
Ib1mn= 470+56+ 9100
2.077 10
( 470 )=19.0238 V
20(3)
Vb1=

3
Vb2= ( 2.077 10 ) ( 56 ) =0.116 V

1. Ajustar gradualmente el valor de P1 hasta llegar al valor de Vp

observando los miliampermetros, visualizando el instante de disparo del
UJT; llenar la Tabla 3.
VALORES
TEORICOS

Ve(v)
13.8

Ie(mA)
4.402

Vb1(v)
18.2046

Vb2(v)
0.213

Ib(mA)
3.82

P1()
4.896k

Ve=Vp
Vp=VBB+0.7= (0.655) (20)+0.7
Vp=13.8 V
4

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Vp
13.8
Ie= R BB + R 2 = ( 0.655 )( 4700 ) +56 =4.402 mA
mn

V P =I P1

V BB =I (+ R 1)

I=

V BB
+ P1

I=

20
13.8
=
2200+ P 1 P1

I=

VP
P1

6.2 P1 =30360
P1=4.896 K
20
=3.82 mA
Ib1= 470+56+ 4700
3.82 10
Vb1= 20(3) ( 470 )=18.2046 V

3
Vb2= ( 3.82 10 ) ( 56 )=0.2139V

Ajustar gradualmente el valor de P2 observando el miliampermetro de Ie,

hasta llegar al instante de obtencin de la corriente de valle (retorno a Off);
llenar la Tabla 4.
VALORES
TEORICO
S

Ve(v)
14.324

Ie(mA)
4

Vb1(v)
19.023

Vb2(v)
0.116

Ib(mA)
2.077

P1()
4.896 k

P2()
4.971k

La corriente de valle es Ie= 4 mA

Vp=Ie(RBBmin +R2)
3
Vp= 4 x 10 (0.75 ( 4700 )+56)
Vp=14.324 V
Ve=14.324 V

Ve=Vp

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20
Ib= 470+56+ 9100 =2.077 mA
2.077 10
Vb1= 20(3) ( 470 )=19.023 V

3
Vb2= ( 2.077 10 ) ( 56 ) =0.116 V

El P1 no se modificado su valor entonces P1= 4.896 k

V BB V b 2=I e P2

P 2=

V BBV b 2 200.116
=
=4.971 k
3
Ie
4 10

Conclusiones:

Se puede comprobar como el transistor proporcionara los momentos de disparo

por momentos especficos en el que variara la corriente y el voltaje emisor.
Asimismo tambin podemos ver que con la introduccin del potencimetro 1 se
llegara al momento de disparo con la variacin de este elemento.

Bibliografa:

http://www.unicrom.com/buscar.asp
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/unijun.html
http://es.slideshare.net/luznellygonzalez/exposicion-transistores
Boylestad- Fundamentos de circuitos elctrinocos.
Separatas de la clase de laboratorio y teora dispositivos electrnicos.