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FIEE-UNMSM
U.N.M.S.M
MATRICULA
15190039
CURSO
TEMA
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
INFORME
FECHAS
PREVIO
NOTA
REALIZACIN
ENTREGA
02 DE JUlIO DEL
2016
05 DE JULIO DEL
2016
NUMERO
09
GRUPO
LUNES DE 10 am 12pm
PROFESOR
Informacin bsica:
El transistor monounin: Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo
N o P en cuyos extremos se tienen los terminales Base 1 (B 1) y Base 2 (B2). En un punto
de la barra ms prximo a B2 se incrusta un material de tipo P o N dando lugar al terminal
de emisor.
Observando
el
circuito
de
polarizacin de la figura se advierte que al ir aumentando la tensin V ee la unin E-B1 se
comporta como un diodo polarizado directamente. Si la tensin Vee es cero, con un valor
determinado de Vbb, circular una corriente entre bases que originar un potencial interno
en el ctodo del diodo (Vk). Si en este caso aumentamos la tensin Vee y se superan los
0,7v en la unin E-B1 se produce un aumento de la corriente de emisor (I E) y una
importante disminucin de RB1, por lo tanto un aumento de VBE1. En estas condiciones se
dice que el dispositivo se ha activado, pasando por la zona de resistencia negativa hacia
la de conduccin, alcanzando previamente la VEB1 la tensin de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de la
intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensin de activacin Vp se alcanza
antes o despus dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de tensin entre
bases VBB.
Procedimiento:
I. CUESTIONARIO PREVIO
Armar el circuito de la Figura 1, iniciando los potencimetros P1 y P2 en 0 ,
Debiendo estar los 2 miliampermetros en el rango de 30 mA. (Por lo menos);
llenar la Tabla 2.
VALORES
TEORICOS
Ve(v)
0
Ie (mA)
0
Vb1 (v)
19.02381
Vb2 (v)
0.116
Ib (mA)
2.077
20
=2.077 mA
Ib1mn= 470+56+ 9100
2.077 10
( 470 )=19.0238 V
20(3)
Vb1=
3
Vb2= ( 2.077 10 ) ( 56 ) =0.116 V
Ve(v)
13.8
Ie(mA)
4.402
Vb1(v)
18.2046
Vb2(v)
0.213
Ib(mA)
3.82
P1()
4.896k
Ve=Vp
Vp=VBB+0.7= (0.655) (20)+0.7
Vp=13.8 V
4
Vp
13.8
Ie= R BB + R 2 = ( 0.655 )( 4700 ) +56 =4.402 mA
mn
V P =I P1
V BB =I (+ R 1)
I=
V BB
+ P1
I=
20
13.8
=
2200+ P 1 P1
I=
VP
P1
6.2 P1 =30360
P1=4.896 K
20
=3.82 mA
Ib1= 470+56+ 4700
3.82 10
Vb1= 20(3) ( 470 )=18.2046 V
3
Vb2= ( 3.82 10 ) ( 56 )=0.2139V
Ve(v)
14.324
Ie(mA)
4
Vb1(v)
19.023
Vb2(v)
0.116
Ib(mA)
2.077
P1()
4.896 k
P2()
4.971k
Ve=Vp
20
Ib= 470+56+ 9100 =2.077 mA
2.077 10
Vb1= 20(3) ( 470 )=19.023 V
3
Vb2= ( 2.077 10 ) ( 56 ) =0.116 V
P 2=
V BBV b 2 200.116
=
=4.971 k
3
Ie
4 10
Conclusiones:
Bibliografa:
http://www.unicrom.com/buscar.asp
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/unijun.html
http://es.slideshare.net/luznellygonzalez/exposicion-transistores
Boylestad- Fundamentos de circuitos elctrinocos.
Separatas de la clase de laboratorio y teora dispositivos electrnicos.