EL TRANSISTOR

EN SU 50
ANIVERSARIO
Carlos Garca Quiroz y
Leopoldo Parra Reynada

La electrnica de estado slido

descansa en los semiconductores
como medios para la amplificacin
y rectificacin de seales, la
conmutacin de estados lgicos,
etc. Desde su descubrimiento, hace
50 aos, los semiconductores
mostraron ventajas con respecto a
las vlvulas de vaco, pues
permitieron construir dispositivos
ms pequeos, con un consumo
mnimo de energa, eficientes,
confiables, fciles de producir y de
conectar. El transistor es el
elemento ms importante de los
dispositivos semiconductores, pues
es el ladrillo con el que se
construye el edificio de la tecnologa
electrnica moderna.

Comienza la revolucin digital

En el ltimo nmero de diciembre de 1997, la
revista Time design como el hombre del ao a
Andrew Grove, cofundador de Intel, y no precisamente por la sencillez extrema que lo caracteriza, sino por la influencia determinante que a
nivel mundial ejercen los productos de esa gigantesca compaa.
Intel es la empresa que fabric por primera
vez un microprocesador, una pastilla de circuito
integrado que contiene todos los elementos
necesarios para realizar los complejos clculos
numricos y lgicos que se ejecutan en una computadora. Nos referimos al ya legendario 4004,
un microprocesador con apenas 2300 transistores, pero con la misma capacidad de cmputo
que la ENIAC, la primera computadora (1947), la
cual contena unas 18 mil vlvulas, ocupaba una
habitacin entera para albergar sus gigantescas
proporciones y pesaba 30 toneladas (figura 1).
La industria de los microprocesadores y sus
productos complementarios (monitores, discos
duros, memorias, tarjetas de interface, sistemas
operativos, programas de aplicaciones, etc.), cons-

ELECTRONICA radio-grfica

Figura 1

menzar en la tecnologa electrnica, con repercusiones en todas las reas del quehacer humano. Por su descubrimiento, William Shockley, John
Bardeen y Walter Brattain fueron acreedores al
Premio Nobel de Fsica en 1956 (figura 2).

En el principio fue la vlvula de vaco

Archivo de AT&T

tituyen el motor de las modernas economas,

especialmente de la norteamericana, donde tan
slo Silicon Valley, una pequea regin de California, produce alrededor de 200 mil millones de
dlares al ao (ms de la mitad de todo lo que
produce Mxico en el mismo perodo!). No es
gratuito que los especialistas econmicos afirmen que los pases desarrollados tienden hacia
una economa digital.
Pero los microprocesadores no son sino un
eco o resultado de otro invento sobre el que en
ltima instancia se fundamenta la revolucin
digital: el transistor.
Hace 50 aos, el 23 de diciembre de 1947,
cientficos de los Laboratorios Bell demostraron
que un dispositivo construido con base en materiales slidos, poda comportarse de forma prcticamente idntica a las vlvulas de vaco, pero
sin sus inconvenientes. Aunque desde un principio se supuso que el invento tendra mucha importancia en el futuro, sus inventores jams imaginaron la revolucin que estaba a punto de co-

Cientficos de los
laboratorios Bell
que desarrollaron el
transistor. Al frente,
Shockley, atrs
izquierda, Bardeen
y atrs derecha
Brattain.

Figura 2

ELECTRONICA radio-grfica

El transistor vino a desplazar a otro gran dispositivo en el que descans por dcadas la incipiente
tecnologa electrnica: la vlvula triodo, inventada en 1906 por Lee De Forest, quien a su vez
se apoy en la vlvula diodo, inventada en 1905
por John A. Fleming, basndose en un fenmeno
(el efecto Edison) descubierto por Tomas A. Edison durante las investigaciones que lo llevaron
a inventar la bombilla incandescente.
Lee de Forest encontr que una rejilla de
alambre electrificada originaba un flujo de electrones cuando se le colocaba dentro de un tubo
o vlvula de vaco. Dicho flujo poda ser controlado de distintas maneras: se le poda interrumpir, reducir o incluso detener por completo; as
por ejemplo, una muy baja corriente de electrones en la entrada del tubo llegaba a ser amplificada por ste, a fin de producir una intensa corriente en la salida, por lo que este dispositivo
fue utilizado en televisores, radios y en cualquier
otro equipo electrnico en el que se requiriera
aumentar el nivel de una seal de entrada.
La vlvula de vaco pudo ser aprovechada para
la rectificacin de corrientes (vlvula diodo), para
la amplificacin (vlvula triodo) y para un gran
nmero de aplicaciones especializadas (vlvulas
pentodo, tetrodo y otras ms, figura 3). Con todo
este potencial en el control de la electricidad, el
hombre pudo manejar seales electrnicas (electricidad transportando informacin); y as surgieron y se desarrollaron nuevas formas de comunicacin como la radio y la televisin, y nuevos
avances tecnolgicos, como el radar y las primeras computadoras.

Surge el transistor
Las investigaciones de las que surgi el transistor, como todo desarrollo humano, estuvieron
rodeadas de acontecimientos diversos en los que

Los bulbos o vlvulas de vaco

aprovechaban para su operacin la
transferencia de electrones entre
un ctodo y un nodo colocados
en el vaco, e introduciendo
algunas rejillas de control,
actuaban como amplificadores.

intervinieron las deducciones lgicas, el ensayo,

el error, la suerte y la pericia.
El primer transistor fue construido en una
base plstica en forma de C, en la cual se montaron dos piezas de un elemento por entonces no
muy conocido, el germanio, sostenidas por un
resorte elaborado en ltimo momento con un clip
de oficina. De las terminales de esta estructura
salan delgados hilos de oro, que hacan las veces
de conectores para la entrada y salida de seales
(figura 4). Con este dispositivo tan rudimentario,
los investigadores pudieron amplificar seales
de igual forma como lo hubieran hecho con una
vlvula triodo; y no haba necesidad de una
envoltura de cristal al vaco, de filamentos incandescentes o de elevados voltajes de operacin.
En efecto, el transistor (llamado as debido a
que transfiere la seal elctrica a travs de un
resistor) pudo realizar las mismas funciones del
tubo al vaco, pero con notorias ventajas: no slo
sustituy el complejo y delicado tubo por un sencillo montaje que consiste bsicamente en un
conjunto de finos alambres bigotes de gato,
acoplado en un pequeo cristal semiconductor,
sino que hizo innecesaria la condicin de vaco.
Adems, no requera de previo calentamiento
para empezar a funcionar, y tampoco de un gran
volumen para su encapsulado; su estructura fija
haca de l un dispositivo ms confiable y duradero; y su consumo de energa era insignificante.

Qu es un semiconductor?
Para saber cmo trabaja un transistor, se debe
entender la manera en que la corriente elctrica

es conducida a travs de un slido y el principio

de operacin de los semiconductores.
Bsicamente, la conduccin de electricidad en
un slido depende del grado de libertad de sus
electrones. Sabemos que el cobre es un buen conductor, puesto que tiene un electrn en su rbita
o capa externa, el cual se libera fcilmente, provocando un flujo de electrones y por consiguiente
conduccin de electricidad. Y como la mayora
de los metales mantiene esa condicin en sus
electrones, resultan ser buenos conductores.
Por su parte, los llamados aislantes son
elementos que, como en el caso del azufre, por
tener sus electrones contenidos en estrechos
enlaces con los ncleos y con otros tomos, no
conducen electricidad.
Pero existe un tercer de tipo de materiales que
no se comportan ni como conductores ni como
aislantes puros: los semiconductores; espordicamente, stos proporcionan un electrn libre o
un espacio hueco para permitir la conduccin
de la corriente.
Entre los semiconductores ms comunes
puede mencionarse al silicio y al germanio, que
tienen aproximadamente un electrn libre por
cada mil tomos; esto contrasta con el cobre,
que suministra un electrn por cada tomo.
Los fsicos manifestaron gran inters por
dichos materiales, pues al ser posible controlar
su nmero de electrones libres, podan comportarse como conductores ante ciertas condiciones
y como aisladores ante otras. Precisamente, una
investigacin especfica sobre las propiedades
elctricas de los semiconductores, fue lo que
condujo al desarrollo del transistor. Con el pro-

Archivo de AT&T

Figura 3

Imagen del primer

transistor. Los
cristales de
germanio eran la
pequea pieza en
forma de cilindro
(emisor) conectada
al tringulo (base)
y a la placa inferior
(colector). Todos
los dems
elementos son de
soporte.

Figura 4

ELECTRONICA radio-grfica

psito de apreciar el comportamiento elctrico

de una de estas sustancias, veamos la figura 5A.
Podemos observar un cristal de germanio (o
silicio) que tiene en su capa externa cuatro electrones, llamados electrones de valencia, que
en conjunto enlazan a los tomos. Precisamente, como todos los electrones se encuentran ocupados en unir a los tomos, no estn disponibles
para generar electricidad. (Gracias a la estructura
cristalina, los tomos comparten momentneamente sus electrones exteriores, de modo que
viendo una fotografa instantnea del conjunto
se podra suponer que en todos los tomos hay
ocho electrones en su rbita exterior, condicin
que resulta sumamente estable, puesto que no
deja ningn electrn libre para la conduccin de
electricidad.)
Ahora, supongamos que alguna impureza con
cinco electrones en la rbita de valencia (por
ejemplo, un tomo de fsforo) entra al cristal.
Esto provoca que cuatro de los electrones formen
enlaces con los tomos de germanio, pero el
quinto queda libre para conducir la corriente (figura 5B).Otro caso similar muy interesante, es
el del tomo de boro introducido en el cristal de
germanio (figura 5C). El tomo de boro es una
impureza con tres electrones de valencia.
Aqu, uno de los puntos necesarios para la
unin con los tomos de germanio est ausente;
se crea entonces un estado de desequilibrio,
donde alguno de los tomos de la estructura tan
slo cuenta con siete electrones, lo que deja un
espacio libre que puede ser llenado con un
electrn viajero. Por consecuencia, la falta de un
electrn (a la que se considera una entidad fsica
y se le denomina hueco) posee todas las propiedades de esta partcula; es decir, tiene masa y

carga; aunque, como est ausente, su carga es

positiva en vez de negativa.
De acuerdo con este comportamiento, se pudo
establecer que un cristal semiconductor es capaz
de conducir electricidad cuando se da la presencia de impurezas. Con base en ello, fue diseado
un mtodo de control de electrones o huecos en
un cristal, que los cientficos de los laboratorios
Bell consideraron en el invento del transistor. Dependiendo del tipo de impurezas introducidas en
el cristal, existen dos tipos de material: el material tipo N o negativo (que posee algunos electrones libres) y el material tipo P o positivo (con
algunos huecos libres). Estos materiales se combinan entre s para construir diversos tipos de
dispositivos, siendo el ms comn de todos ellos
el transistor bipolar, cuya operacin explicaremos a continuacin.

Principio de operacin de un transistor

A los transistores con las caractersticas citadas
se les denomina bipolares, y su estructura
interna es como se muestra en la figura 6A. Note
que se forma con tres capas alternadas de material semiconductor: una N, otra P y finalmente
otra N (es por ello que se les llama NPN). Observe
tambin que a la terminal conectada en la parte
superior del dispositivo se le denomina colector, a la capa intermedia base y a la inferior
emisor. Veamos cmo funciona el conjunto.
En primer lugar, para que un transistor funcione tiene que estar polarizado en cierta forma;
en el caso que nos ocupa (transistor NPN), esta
polarizacin implica un voltaje positivo aplicado
entre colector y emisor y una alimentacin positiva de pequea magnitud entre base y emisor

B
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

C
Si

Si

Si

Electrn libre
(material tipo N)

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Hueco libre
(material tipo P)

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Figura 5

ELECTRONICA radio-grfica

(figura 6B). Cuando esto sucede y la polarizacin

de base es inferior al voltaje de ruptura del diodo
formado entre base y emisor (0.3 volts para el
germanio, 0.7 volts para el silicio), el voltaje entre
colector y emisor forma un campo elctrico considerable en el interior del dispositivo; pero como
se enfrenta a una estructura semejante a un diodo invertido (unin NP de colector a base), no
puede haber un flujo de corriente entre el colector y el emisor. Sin embargo, se tiene una condicin tal de excitacin de los electrones y huecos
en el dispositivo, que bastara con cualquier
impulso externo para que el conjunto entrara en
conduccin.
Este impulso proviene justamente de la corriente aplicada en la base, misma que se dispara
al momento en que el propio voltaje aplicado en
la base supera el punto de ruptura antes mencionado; entonces, la corriente que circula entre

Vc

Colector

Ic=0
-

N
Base

P
V
B
(muy
I =0
pequea) B

++++++ +
- - - - - - -

Transistores contenidos en obleas de silicio

Campo
elctrico

Emisor

Vc
Ic = Hfe x I

VB
> 0.7 V (Si)
> 0.3 V (Ge)

I =0
B

Campo
elctrico

E
C

N
B

P
B

N
E
E

base y emisor provoca una avalancha de

electrones entre colector y emisor. Pero esta
avalancha no es desordenada, sino que depende
muy estrechamente de la cantidad de electrones
que circulen a travs de la base (figura 6C); de
hecho, una de las caractersticas principales de
un transistor es un factor de ganancia de
corriente, el cual indica cuntas veces ser
amplificada la corriente de la base en el colector
(la frmula es IC = Hfe x IB, donde Hfe es el factor
de ganancia de corriente, I C = corriente de
colector e IB = corriente de base). Para fines
prcticos, esto significa que el transistor amplifica por un factor Hfe la corriente de su entrada.
La estructura NPN no es la nica que se ha
desarrollado, sino que tambin existen transistores con una lgica negativa; esto es, formados por capas alternas de material P, N y P (de
hecho, el primer transistor construido fue de este
tipo). El comportamiento de tales dispositivos
resulta prcticamente idntico al anterior, slo
variando el sentido de los voltajes de polarizacin aplicados en las terminales. Vea en la figura 6D la simbologa con que se identifica a los
transistores bipolares tipo NPN y PNP.

P
C
C

Figura 6

El transistor tuvo un predominio absoluto en los

aos 50, 60 y parte de los 70, desplazando a las
vlvulas de vaco, en tanto elemento activo, en
funciones como amplificador de audio, de seales de TV, de pulsos y como oscilador.
Sin embargo, ya desde fines de los 50s se
adverta que la miniaturizacin de estos elementos poda alcanzar niveles extraordinarios. Precisamente, en 1958 en los laboratorios Fairchild
(gracias a los esfuerzos de un ingeniero muy creativo: Jean Hoerni) por primera vez se logr algo
que pareca imposible: en la superficie de un bloque de silicio se grabaron varios dispositivos a
la vez, conectados entre s para realizar un trabajo en conjunto, y se introdujo este cristal semiconductor en un encapsulado nico, de tal manera que se poda manejar como un bloque funcional. Fue as como nacieron los circuitos integrados, que vendran a ser el siguiente paso en la
evolucin de la tecnologa electrnica.

ELECTRONICA radio-grfica

Figura 7

National Semiconductor

Oblea de silicio
en donde se
observa la gran
cantidad de
circuitos
idnticos que
se obtienen de
una sola pieza.

Ms adelante, las tcnicas de fabricacin de

cristales de silicio mejoraron, la produccin de
mscaras de grabado se depur y se desarrollaron nuevos e ingeniosos mtodos para el dopado
de los materiales semiconductores. Fue posible,
entonces, fabricar circuitos integrados mediante
un proceso de fotograbado, en el que se tiene una
delgada oblea de silicio (figura 7) sobre la cual
se proyectan las sombras de unas mscaras
donde vienen grabadas las delgadas pistas que
posteriormente se convertirn en las terminales
de los transistores.
Utilizando mtodos fotoqumicos se aprovechan las sombras para sembrar impurezas en
el sustrato semiconductor, y al ir apilando capas
alternativas de cristales tipo N y tipo P, finalmente
se obtiene una amplia variedad de dispositivos,

que pueden ir desde diodos hasta transistores

de efecto de campo. Vea en la figura 8 el proceso
de fabricacin de los chips.
Gracias a ello, el transistor pudo ser reducido
hasta alcanzar la dimensin de unas cuantas
micras, es decir, una milsima de milmetro (en
la actualidad un transistor puede llegar a medir
0.25 de micra); precisamente, la experiencia obtenida en la fabricacin de circuitos integrados,
permiti a Intel fabricar en 1971 el primer microprocesador en un solo chip: el 4004.
Aqu cabe hacer la aclaracin de que, para
que estos circuitos sean capaces de realizar clculos matemticos complejos en fracciones de
segundo, se aprovecha una caracterstica muy
especial de los transistores: su capacidad de funcionar como switches o interruptores de corriente o voltaje; esto es, un transistor puede presentar
dos estados bsicos: uno de conduccin y otro
de no conduccin. A esta aplicacin de los transistores se le denomina electrnica digital.

Surgen los microprocesadores

Intel es la empresa pionera en la fabricacin de
microprocesadores. Fue fundada en 1968 por
Gordon E. Moore, Andrew Grove y Ted Hoff,
quienes previamente haban trabajado para IBM
y/o Fairchild, y por lo tanto tenan experiencia

Fotoresistencia

Oblea de silicio
preparada

Capa de dixido de silicio

Proyeccin
de luz

Capa de nitruro de silicio

Sustrato de silicio

Retcula
(o mascarilla)

Un ciclo similar es repetido para cubrir las

uniones de metal entre los transistores

La nueva fotoresistencia es girada en la

oblea y los pasos 2 al 4 se repiten

Conector de metal

Los patrones son

proyectados sobre
la oblea repetidamente

5
Regin con impurezas

Los iones baan las reas

grabadas con impurezas
Las reas no protegidas por la
fotoresistencia son grabadas con gases

ELECTRONICA radio-grfica

Lente

La fotoresistencia
expuesta es removida

Figura 8

en la fabricacin en serie de circuitos integrados,

lo que les permiti manufacturar los primeros
chips de memoria RAM. En 1970, debido a la
buena reputacin que haban ganado en el mercado electrnico sus circuitos de memoria, una
firma japonesa fabricante de calculadoras electrnicas (Busicom) los contact para que desarrollaran trece nuevos circuitos integrados que seran el corazn de su nueva lnea de modelos.
Enfrentados a este compromiso, los ingenieros de Intel advirtieron que no tendran el tiempo
suficiente para desarrollar los trece circuitos individuales; pero a dos de sus fundadores e investigadores ms brillantes (Ted Hoff, reconocido
hasta la fecha como el padre del microprocesador, y Gordon E. Moore), se les ocurri la idea
de crear un ncleo comn que sirviera a los trece
modelos por igual; y los pequeos cambios que
atendieran a las particularidades de cada modelo
se grabaran en una memoria ROM independiente, en forma de un programa de instrucciones.
Este circuito de propsito general fue el primer
microprocesador de la historia; mas los derechos
de comercializacin no pertenecan a Intel, pues
todo el diseo se haba hecho por encargo de
Busicom. Sin embargo, la fortuna le fue favorable
a Intel, ya que en poco tiempo Busicom se vio
en serias dificultades financieras y le vendi los
derechos de explotacin comercial del circuito
que haba salido de sus laboratorios. Surge as,
en 1971, el primer microprocesador de venta al
pblico: el Intel 4004, un dispositivo que poda
manejar palabras de 4 bits de longitud y que estaba construido a partir de un circuito integrado
de 2,300 transistores.
Este fue el punto de arranque de una extraordinaria industria que a la fecha reporta miles de
millones de dlares al ao de ganancias, y que
han convertido a Intel en la sptima compaa
ms rentable del mundo.
La evolucin de los microprocesadores de Intel
ha marcado de forma definitiva el crecimiento
del mercado de las computadoras personales.
Por ejemplo, cuando present su microprocesador
8080, los estudiantes e investigadores dispusieron de un circuito con la suficiente capacidad de
cmputo para crear una microcomputadora. Y
as surgi la industria de las computadoras per-

sonales, la ms famosa de las cuales fue la ZX

Spectrum. Posteriormente, cuando Intel present
el primer microprocesador de 16 bits, el 8086,
IBM lo eligi como el cerebro de su nueva plataforma de computadoras personales. Nace entonces la PC (Personal Computer).
La plataforma PC ha ido evolucionando segn
han aparecido en el mercado los nuevos microprocesadores de la serie X86: el 80286 impuls
a la segunda generacin de PCs, el i386 a la tercera, el 486 a la cuarta y el Pentium a la quinta y
posteriores; y aunque hay otros tipos de microprocesadores que ofrecen igual o mayor potencia
de cmputo que los circuitos de Intel, gracias a
su enorme posicin de mercado esta compaa
monopoliza algo as como el 90% de las ventas
mundiales de microprocesadores en el mundo.
Y en esta revolucin el transistor es el personaje principal. Desde el microprocesador 4004
hasta el ms moderno y avanzado diseo de
Intel, el Pentium II, estn construidos con base
en minsculos transistores, combinados de tal
forma que pueden realizar complejsimos clculos en fracciones de segundo; de hecho, segn
se ha ido avanzando en la evolucin de los microprocesadores, el nmero de transistores incluidos en una de estas pastillas ha ido creciendo
de forma exponencial, pasando de 2,300 en el
4004 hasta 7.5 millones en el Pentium II.
Como podr suponer, agrupar millones de
transistores bipolares en un pequeo bloque de
silicio que apenas rebasa el rea de una ua
(figura 9), requiri de profundas investigaciones
en el mbito de los semiconductores. Fue as
como surgieron tecnologas que permitieron
fabricar nuevos tipos de transistores, como explicaremos a continuacin.

Familias MOS y MOSFET

Los transistores que se utilizan en la construccin de circuitos integrados extremadamente
complejos, como microprocesadores o bloques
de memoria, son del tipo semiconductor metal
xido o MOS (figura 10). Estos transistores tienen
dos regiones principales: la fuente (source) y el
drenado (drain); como en este ltimo hay electrones en abundancia, se dice que los transistores

ELECTRONICA radio-grfica

Figura 9

Dig

ita

lE

qu

ipm

en

Motorola

Microprocesador Power PC
620 de Motorola, con 7
millones de transistores.

Microprocesador Alpha de
500 MHz en su encapsulado.

son tambin del tipo N. Entre la fuente y el drenado se encuentra una regin del tipo P en la que
faltan muchos electrones; como ya se dijo, a
estas regiones se les llama huecos.
En su parte superior, el sustrato de silicio tiene
una capa de dixido de silicio aislante; a su vez,
la parte superior es un metal que corresponde a
la compuerta (gate). Precisamente, de la anterior
combinacin de un metal con un xido se deriva
el nombre de semiconductor metal xido.
Cuando un voltaje positivo es aplicado en la
compuerta de metal, se produce un campo elctrico que penetra a travs del aislante hasta el
sustrato. Este campo atrae electrones hacia la
superficie del sustrato, justo abajo del aislante,
permitiendo que la corriente fluya entre la fuente
y el drenado. Dependiendo de la magnitud de

voltaje aplicado en la compuerta, menor o mayor

ser el canal conductor que se abra entre drenaje y fuente, de modo que tendremos un comportamiento idntico al de un transistor tradicional, pero con la diferencia de que ahora la
corriente de salida es controlada por voltaje, no
por corriente.
La estructura tan sencilla de este tipo de transistores permiti fabricar, mediante avanzadas
tcnicas fotoqumicas y el uso de dispositivos
pticos muy sofisticados, transistores de dimensiones francamente inconcebibles. Como ya se
mencion, en los modernos microprocesadores
un transistor mide alrededor de 0.25 micras, y
se espera que en poco tiempo se desarrolle la
tecnologa para producirlos de 0.18 e incluso 0.13
micras. Y esto, a su vez, ha permitido la inclusin
de cada vez ms dispositivos en un chip sin necesidad de que ste tome proporciones gigantescas y por lo tanto inmanejables.
Esta ha sido la clave para la produccin de
circuitos integrados y microprocesadores cada
vez ms poderosos, sin que ello implique un aumento en el costo de fabricacin que los ubique
fuera del mercado; y gracias a ello, en la actualidad podemos tener en nuestro escritorio una
computadora con ms poder de clculo que todas las mquinas que se utilizaron para guiar a
la misin Apollo 11 a la Luna.
De hecho, en el mundo de los microprocesadores circula casi como un acto de fe, un principio que hasta la fecha se ha cumplido casi puntualmente: la ley de Moore, segn la cual cada
aproximadamente 18 meses los circuitos integrados duplican la cantidad de transistores que

Compuerta de polisilicio
Terminal

Aislador de
xido

Electrones
Fuente

Colector
bipolar

Compuerta
(metal)

Base bipolar

Drenado
Huecos

Sustrato
MOSFET
Fuente
MOSFET

Emisor bipolar

Aislador
Sustrato tipo P

Drenado
MOSFET

ELECTRONICA radio-grfica

Figura 10

Terminal

Figura 11

utilizan, al tiempo que tambin

multiplican por 2 su potencia de
cmputo.

Figura 12
Traccin

1.000

HVDC
Auto elctrico

Rango de corriente del dispositivo (amperes)

Transistores de altas
potencias

100

Fuentes de alimentacin
de computadoras
Automatizacin de fbricas

Refrigeracin

Otra vertiente en el desarrollo

de los transistores, paralela a la
miniaturizacin, ha sido el ma10
Electrnica
nejo y control de grandes magAire
automotriz
acondicionado
nitudes de energa. Para ello, se
Procesador
de alimentos
1
disearon transistores y, en
Balastro de
lmpara fluorescente
general, semiconductores de
Estreo
Plancha de
switcheo que son capaces de
mano
Telecomunicaciones
manejar elevadas potencias.
0.1
Los transistores de este nueDisplay
vo tipo, llamados transistores
0.01
bipolares de compuerta aisla10
100
1,000
10,000
da (IGBT, figura 11), son del taRango de tensin de bloqueo del dispositivo (volts)
mao de una estampilla postal
y pueden agruparse para manejar incluso 1,000 amperios de corriente en rangos
dores deben considerar tambin el tamao del
de hasta varios miles de volts. Lo ms imporcircuito. Si los transistores se someten a fuertes
tante, sin embargo, es que los dispositivos IGBTs
campos elctricos, stos pueden afectar en varias
pueden conmutar esas corrientes con una gran
formas el movimiento de los electrones, produvelocidad.
ciendo lo que se conoce como efectos cunticos.
Actualmente, los IGBTs se utilizan en diferenEn el futuro, el tamao de los transistores puetes aplicaciones, componentes y sistemas. Por
de ser de tan slo algunos cientos de angstrom
ejemplo, en controles de motores elctricos, en
(1 angstrom = una diezmilsima de micra); por
motores que manejan maquinaria, equipo o
esto mismo, la presencia o ausencia de algunos
robots; los motores del tren bala en Japn (shintomos, as como su comportamiento, ser de
kansen) son controlados por IGBTs.
mayor importancia. Al disminuirse el tamao, se
incrementa la densidad de transistores en un
Futuro del transistor
chip; entonces ste aumenta la cantidad de calor
residual despedido. Adems, tomando en cuenta
Desde su invencin hace 50 aos, el transistor
que por su reducido tamao los elementos del
ha evolucionado de acuerdo con necesidades
circuito pueden quedar por debajo del rango en
especficas de aplicacin en diferentes sistemas
que se desenvuelve la longitud de onda de las
y equipos (figura 12). Los transistores se han
formas de radiacin ms comunes, existen mtoproducido en tales cantidades hasta la fecha, que
dos de manufactura en riesgo de alcanzar sus
resultan muy pequeos y baratos; a pesar de ello,
mximos lmites (especficamente el mtodo
son varias las limitaciones fsicas que han tenido
fotoqumico que se emplea hasta la fecha para
que superarse para que el tamao de estos disfabricar circuitos integrados de alta complejidad).
positivos contine reducindose.
Finalmente, podemos sealar que la revoluAsimismo, puesto que la tarea de interconeccin contina y que, tal como ha sucedido en
tar elementos cada vez ms diminutos puede
los ltimos 50 aos, seguiremos viendo progrevolverse prcticamente imposible, los investigasos ahora insospechados.

ELECTRONICA radio-grfica