L

CICLO 2008-I

Fecha 6-5-2008

1ra PRCTICA CALIFICADA

Prob. 1
Se tiene una barra de Silicio de 1cm de radio y 10 cm de longitud (seccin
trasversal circular) a una temperatura de 25 C.
a) Considerando su grado de pureza de 99.999%, determine la resistencia
mnima entre sus extremos (Considere que las impurezas presentes pueden
ser del tipo P o N). (3 puntos)
b) Realizando la medicin de la resistencia de la barra a 200C se obtiene 10 .
Determine la concentracin de huecos y electrones si las impurezas son del
tipo donador. (3puntos)
Datos EG = 1.21 eV, ni (300K) = 1.5x1010 cm-3, n = 1300 cm2/v-s, p = 500 cm2/v-s,
tomos/cm2: 5x1022,
K =8.6x10-5eV /K.
SOLUCIN:
R=

L
At ,

1
==( n n + p p ) q ,

22

A t = r 2 ,

Concentracion de las Impurezas=5 10 ( 10099.999 ) =5 10

ni = A 0 T e

EG 0
K T

17

PARTE A.
Suponiendo que las impurezas son:

17
Tipo n ( N D =5 10 ):

17

n=N D =5 10 p=

ni 2
=450
ND

Como

n p

despreciamos

ni 2
p=N A =5 10 n=
=450
NA
17

:
=( n n ) q

Como

17

=5 10 1300 1.6 10

=( p p ) q
=5 1017 500 1.6 1019

1
0.1

104 0.012

=40

R=3.0607

R=

R=3

despreciamos

19

=104

R=

p n

1
0.1

40 0.012

R=7.9577

17
Tipo p ( N A =5 10 ):

R=8
R min=3 cuando elmaterial es del tipo n
PARTE B.
ni (298 K )=1.5 x 10 10 cm3 , R=10
3

ni (298 K )= A 0 298 e
n

2
i (473)

= A 0 473 e

Dividiendo

( ) y

1.21
5
8.6x 10 298

1.21
5
8.6 x10 473

()

( )

( ) :
1.21
5

ni(298 K ) A 0 2983 e 8.6 x10 298

=
1.21
ni(473 K )
A 0 4733 e 8.6 x10 473
5

10

1.5 x 10
=6.4824 109
ni(473 K )
ni (473 K) =

1.5 x 1010
=2.314 1018
9
6.4824 10

Sea tomo donador o del tipo n

(N A =0) :

n+ N A = p+ N D
n= p+5 1017 (i)
p n=ni2=( 2.314 1018 )2
p n=5.35 1036 (ii)
Reemplazando

( ii )

en

(i) :

p2+ p ( 5 1017 )=5.35 1036

Resolviendo la ecuacin de segundo grado:
18

p=2.077 10

18

n=2.577 10

I
-+
1M
5V

Prob. 2
Se dispone de pastilla semiconductora de AsGa con una longitud de 0.5 mm y con
una seccin transversal homognea de 1 mm 2. Se introduce concentracin de
impurezas donadoras en la pastilla para conseguir que, a partir de 400K, la
corriente sea de I= 2.5 A. Determinar:
a) de la pastilla, n y p. (3 putos)
b) ND. (2 puntos)
Datos: ni (400K) = 1010 cm-3, n = 1000 cm2/v-s, p = 400 cm2/v-s.
S(OLUCION:
PARTE A.

Aplicando la 2da ley de Kirchhoff:

( 1 M + R AsGa ) 2.5 106 =5

R AsGa =1 M

1
0.5 103

=5 104
6
6
10
10

Sea el material de tipo n (n p) :

=( n n ) q

En el material semiconductor:
=

1 L
R At

5 104 =n 1000 1.6 1019

n=3.125 1012
Adems sabemos:

 n N D

ni 2
p=
n

N D =3.125 1012
p=

1020
=3.2 107
12
3.125 10

Por lo tanto:
=5 104
n=3.125 10
p=3.2 10

12

PARTE B:
Como es del tipo n podemos asumir
N A =0 :
n= p+ N D
3.125 1012=3.2 107 + N D
Se observa

n p

Prob. 3
V

500 K

Se tiene una pastilla semiconductora de silicio puro como se muestra en la figura.

Calcule la temperatura de la pastilla para el cual el voltmetro marca 0 voltios.
Si consideramos que la concentracin de portadores intrnsecos vara con la
temperatura aproximadamente de la siguiente forma: ni = ni (T0) ea (T-T0).
Donde T0 = 300K (temperatura ambiente)
a = constante = 0.06K-1, ni (T0) = 1.5x1010 cm-3 (5 puntos).
SOLUCIN:
Redibujando el circuito:

Dado que V marca cero se trata de un puente

Winston.
1 M RSi =1 M 500 K
R Si =500 K
De acuerdo a su geometra:
=

1 L

R At

1
2 102
4

=4 10
5
4
5 10
10

Como se trata de un material intrnseco:

2

=ni ( n + p ) q ,
4

n=1300 cm /v s ,
19

4 10 =n i (1300+ 500 ) 1.6 10

(1)

(1) :

Resolviendo
ni=1.389 10

p=500 cm /v s

12

Adems segn el problema:

ni=ni(0) e a (T T )
0

12

10

1.389 10 =1.5 10 e

0.06 ( T 300 )

(2)

T =375.47 K

CICLO 2013-I

Fecha 17-4-2013

1ra PRCTICA CALIFICADA

Prob. 1

V0

5K
6V

5K

Prob. 1

2
V 0= V i
3
V 0=3

Vi

V0

5K

2.5 K

6<V i <20 :
D1 en ON
D2 enOFF
D 3 enOFF
V i =V 0 +

V0
2

2
V 0 = V i
3

Si

20 V

10 K

5K

V0

Vi

Si

V i >20 :

D1 en ON

D2 enOFF
D 3 enON
V i 20=12.5 I 10 I (i)
20=10 I + 15 I (ii)
Resolviendo (i)
4
20
V 0 = V i+
7
7

(ii) :

2.5 K

3 , si V i< 6

2
V 0 3 V i , si 6<V i <20
4
20
V i + , V i> 20
7
7

V0=f(Vi)
25
20
15

2
V 0= V i
3

10

V 0=3

-5

10
Vi < 6

15

20

6 < Vi < 20

25
Vi > 20

30

35

Prob. 2
El circuito regulador de voltaje mostrado en la figura, tiene un diodo zener con
parmetros VZ = 6.3 voltios con Izr = 40 mA y RZ = 2 . La tensin de alimentacin
es de VS puede variar entre 12 y 18 voltios. La corriente I L mnima IL (mn.) es de 0 mA.
La corriente zener mnima Iz (mn.) es de 1 mA. La disipacin de potencia P Z (mx) del
diodo zener no debe exceder de 750 mW.
Determine:
a) El valor mximo permisible de la corriente zener Iz (mx.).
(1 punto)
b) El valor de RS que limita la corriente zener Iz (mx.).
(1 punto)
c) La disipacin de la potencia mxima PR de RS.
(1 punto)
d) La corriente de carga mxima IL (mx.).
(2 punto)

SOLUCIN:
PARTE A.

V S =( RS + 2 ) I Z (mx )+ 6.3 (b)

I Z(mx .) I L es mnimo

Asumiendo

I L(mn)=0

Datos del problema:

V S <18 (c)

I Z ( mx )=I S

Reemplazando

Por condicin del problema:

(b)

en

(c ) :

( RS + 2 ) 114.86 103 +6.3< 18

PZ (mx ) 750 mW

R S=99.863

( 6.3+2 I Z ( mx )) I Z ( mx ) 750 mW (a)

Resolviendo
(a) :

la

ecuacin

cuadrtica

I Z (mx )=114.86 mA
I Z ( mx )=115 mA

PARTE B.
Por la segunda ley de Kirchhoff:

PARTE C.
PR (mx )=RS ( I S )2
I Z (mx )=I S
3 2

P R (mx )=99.863 ( 114.86 10 )

P R (mx )=1.317 mW