Conception optique et hyperfr

equence dun modulateur

electro-optique sur polym`

ere : optimisation de
transitions ultra-large bande pour l
electrode de
commande
Mohammed El Gibari

To cite this version:

Mohammed El Gibari. Conception optique et hyperfrequence dun modulateur electro-optique
sur polym`ere : optimisation de transitions ultra-large bande pour lelectrode de commande.

Electronique.
Universite de Nantes, 2009. Francais. <tel-00751910>

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publics ou prives.

UNIVERSIT DE NANTES
UFR SCIENCES ET TECHNIQUES
_____

COLE DOCTORALE STIM

SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LINFORMATION ET DE MATHMATIQUES
N attribu par la bibliothque

Anne 2009

Conception optique et hyperfrquence d'un modulateur

lectro-optique sur polymre : optimisation de
transitions ultra-large bande pour l'lectrode de
commande
___________

THSE DE DOCTORAT
Discipline : Physique
Spcialit : lectronique et Gnie lectrique
Prsente et soutenue publiquement par

Mohammed EL GIBARI
Le 22 Octobre 2009 luniversit de Nantes, devant le jury ci-dessous

Prsident
Rapporteurs
Examinateurs
Invit
Directeur de thse
Encadrant
Encadrant

Serge VERDEYME
Didier DECOSTER
Catherine ALGANI
Jean CHAZELAS
Henri PORTE
Dominique BOSC
HongWu LI
Dominique AVERTY
Cyril LUPI

Professeur, XLIM, Universit de Limoges

Professeur, IEMN, Universit de Lille 1
Professeur, ESYCOM, CNAM de Paris
Directeur des cooprations scientifiques Thales Division Aronautique
Directeur de recherche au CNRS et PDG de Photline Technologies
Ingnieur de recherche HDR, FOTON, Universit de Rennes 1
Professeur, IREENA, Universit de Nantes
Matre de confrences, IREENA, Universit de Nantes
Matre de confrences, IREENA, Universit de Nantes

N ED : 503-074

Remerciements
Le travail de cette thse a t ralis au sein de lquipe photonique et communication
du laboratoire IREENA, je tiens donc remercier chaleureusement toute lquipe ainsi que la
direction du laboratoire de mavoir accueilli dans les meilleures conditions possibles pour
effectuer cette thse.
Je souhaite remercier M. Didier Decoster, Professeur lIEMN de lUniversit de
Lille 1 et Mme Catherine Algani, Professeur lESYCOM au CNAM de Paris pour avoir
accept dtre rapporteur de ce travail ainsi que M. Serge Verdeyme, Professeur lXLIM de
lUniversit de Limoges qui ma fait lhonneur de prsider le jury de cette thse. Je remercie
au mme titre les autres membres du jury M. Dominique Bosc, Ingnieur de recherche et
HDR au laboratoire FOTON de lUniversit de Rennes 1, M. Jean Chazelas, Directeur des
cooprations scientifiques Thales Division Aronautique et M. Henri Porte, Directeur de
recherche au CNRS et PDG de Photline Technologies. Lintrt quils ont port ce travail
reprsente pour moi un grand honneur.
Je naurais videmment pas pu mener bien ce projet de thse sans mon directeur de
thse et mes encadrants. Je remercie donc M. HongWu Li pour mavoir accord sa confiance,
pour son accueil et pour sa disponibilit, je tiens donc lui exprimer tous mes remerciements.
Bien sr, je ne saurais oublier davouer toute ma reconnaissance mes encadrants de thse M.
Dominique Averty et M. Cyril Lupi. Merci Dominique pour ta disponibilit permanente et
particulirement ton courage pour aller affronter des problmes en hyperfrquence et chercher
les rsoudre en tant que spcialiste matriau. Cyril, je te dis merci de mavoir appris la
rigueur et la dmarche scientifique indispensables pour mener bien des projets de recherche.
Tes remarques et critiques, plus particulirement pendant la priode de rdaction, me seront
trs utiles pour le futur. Je remercie galement M. Serge Toutain davoir accept de nous
aider, merci Serge pour tous les changes et les conseils prcieux que vous avez pu nous
donner durant ces trois annes. Je vous remercie tous pour lensemble des remarques
pertinentes et des discussions qui ont contribu lenrichissement scientifique de ce
manuscrit.
Je tiens remercier M. Yann Mahe de mavoir initi lutilisation de HFSS, M. Marc
Brunet pour les ralisations des transitions sur substrats pais et M. Nicolas Barreau pour le
dpt de laluminium sur wafers en silicium.

~1~

Je remercie lensemble du dpartement de physique, le personnel administratif, les

enseignants-chercheurs et en particulier M. Christian Boisrobert et M. Dominique Leduc pour
toutes les discussions scientifiques ou autres que nous avons souvent changes autour dun
caf.
Je voudrais galement remercier Chantal Thbaud et Sylvie Maisonneuve pour leur
gentillesse et leur aide concernant les dmarches administratives.
Je ne saurais oublier de dire un grand merci Virginie pour mavoir support pendant
ces trois annes de thse et plus particulirement davoir accept que lon partage le mme
bureau. Je te remercie pour ta patience et pour la contribution que tu as apporte cette thse
(Le code en C, les figures.). Je noublierai pas quil faut toujours penser mettre la
monnaie dans un distributeur si on veut viter lalarme.
Une pense particulire aux thsards des quipes Photonique et Communications
et Matriaux fonctionnels : Kenny et Elsy ainsi aux deux mcaniciens Pierre-Antoine et
Yann qui je souhaite bon courage pour la fin de leur thse.
Pour donner du piment ces remerciements, je terminerai en ayant une pense
particulire vers les personnes qui me sont chres. Je commence bien videmment par mes
parents Abedellah et Safia, je leur dis merci du fond du cur pour tout ce quils ont pu
mapporter, je les remercie pour les sacrifices quils ont fait pour que je puisse tudier sans
avoir me soucier de quoi que ce soit. Ensuite, je remercie celle qui a contribu dune
manire trs directe laboutissement de cette thse, celle qui na pas cess de mencourager
et me donner la force pour continuer ; je te dis un gros merci Alexandra (Sara) pour tout ce
que tu mas donn et je suis certain que tu continueras tout faire pour le bien de notre
couple. Je remercie galement mon fils Bilal davoir t calme et gentil pendant toute la
priode de la rdaction, enfin peut tre !!! Cest Alexandra qui sest occup de Bilal, javoue.
De mme je tiens dire un gros merci mes beaux parents Gilles et Marie Elisabeth (Babette)
pour leur soutien et leur aide, sachez que je suis fier de vous avoir et jen suis tout fait
reconnaissant. Je remercie mes frres, mes surs et tous mes amis, Abdel, Reda qui mont
toujours encourag. Une pense particulire ma grande mre Rahma et ma belle grand
mre (Christiane) qui je dis merci pour le soutien, les encouragements et les discussions que
nous avons pu changer. Enfin, je pense ma grand-mre qui nous a quitts pendant ma
thse, cest toi, Fatna que je la ddie.

~2~

Table des matires

Introduction gnrale .................................................................................................................. 6

1.

Modulation de la lumire .............................................................................................................13

1.1.

Introduction ..........................................................................................................................13

1.2.

Modes de modulation ...........................................................................................................13

1.2.1.

Modulation directe .......................................................................................................... 14

1.2.2.

Modulation externe ......................................................................................................... 15

1.3.

Guides dondes optiques .......................................................................................................16

1.3.1.

Guides dondes optiques plans ........................................................................................ 16

1.3.1.1.

Mode de polarisation TE .......................................................................................... 19

1.3.1.2.

Equation de dispersion et modes guids ................................................................... 20

1.3.1.3.

Indice effectif et constante de propagation ............................................................... 21

1.3.1.4.

Relation entre lordre des modes guids et les paramtres opto-gomtriques ........ 22

1.3.1.5.

Onde vanescente et taux de confinement ................................................................ 22

1.3.1.6.

Mode de polarisation TM ......................................................................................... 24

1.3.2.
1.4.

Guides dondes largeur limite .................................................................................... 25

Effet lectro-optique .............................................................................................................25

1.4.1.

Effets optiques non linaires ........................................................................................... 25

1.4.2.

Effet lectro-optique (Pockels) ....................................................................................... 28

1.4.2.1.

Ellipsode des indices ............................................................................................... 28

1.4.2.2.

Tenseur lectro-optique ............................................................................................ 29

1.4.2.3.

Orientation optimum pour le signal lectrique et la polarisation de la lumire ........ 31

1.5.

Modulateurs commande lectrique ....................................................................................32

1.5.1.

Modulateurs lectro-absorption.................................................................................... 32

1.5.2.

Modulateurs lectro-optiques .......................................................................................... 33

1.5.2.1.

Modulateur de phase ................................................................................................ 33

1.5.2.2.

Modulateur dintensit de type Mach-Zehnder ........................................................ 35

1.5.3.
1.6.

Bande passante et adaptation de phase entre ondes lectrique et optique ....................... 37

Matriaux effet lectro-optique ..........................................................................................41

1.6.1.

Matriaux semi-conducteurs ........................................................................................... 41

1.6.2.

Matriaux inorganiques : LiNbO3 .................................................................................. 42

~3~

1.6.3.
1.7.

Matriaux organiques : Polymres .................................................................................. 42

Caractrisation des matriaux polymres EO effectue au laboratoire.................................43

1.7.1.

Gnralits sur les polymres lectro-optiques ............................................................... 44

1.7.2.

Le polymre lectro-optique PIII .................................................................................... 47

1.7.3.

Dtermination de lindice de rfraction par la technique M-lines ................................... 48

1.7.4.

Dtermination de la permittivit par mesure de la capacit ............................................ 49

1.7.5.

Mesure du coefficient lectro-optique laide dun banc Teng ...................................... 50

1.8.

Etat de lart des modulateurs sur polymres .........................................................................51

1.9.

Bilan .....................................................................................................................................53

Bibliographie ............................................................................................................................ 54
2.

Conception dun modulateur lectro-optique base de polymre...........................................63

2.1.

Introduction ..........................................................................................................................63

2.2.

Contraintes technologiques lies la ralisation dun tel composant ...................................64

2.2.1.

Dpt en couches minces de polymres .......................................................................... 64

2.2.2.

Orientation des chromophores du polymre lectro-optique : Poling ............................. 66

2.2.2.1.

Orientation par lectrode .......................................................................................... 66

2.2.2.2.

Orientation par effet couronne :................................................................................ 67

2.3.

Dmarche de ralisation dune structure lectro-optique de type Mach-Zehnder ................68

2.3.1.

Ralisation dun guide donde optique monomode......................................................... 68

2.3.2.

Choix de llectrode de commande ................................................................................. 72

2.3.2.1.

Quelques rappels sur les lignes planaires ................................................................. 72

2.3.2.2.

Ligne de transmission optimale ................................................................................ 75

2.4.

Optimisation lectro-optique du modulateur ........................................................................78

2.4.1.

Optimisation du guide donde optique ............................................................................ 79

2.4.1.1.

Outil de simulation optique ...................................................................................... 79

2.4.1.2.

Conception de la section droite du guide optique ..................................................... 81

2.4.2.

lectrode de commande .................................................................................................. 86

2.4.3.

Ralisation dun coupleur 1 vers 2 -3dB ...................................................................... 90

2.5.

Quelle structure finale, pour quelles performances et avec quels facteurs limitatifs ? .........94

2.5.1.

Structure optique ............................................................................................................. 94

2.5.2.

Impact de llectrode sur les performances ..................................................................... 96

2.1.

Bilan .....................................................................................................................................99

Bibliographie .......................................................................................................................... 100

3.

tude de la ligne de commande du modulateur en vue de son test et de sa mise en botier.107

3.1.

Introduction ........................................................................................................................107

3.2.

Contraintes associes lexploitation industriellement du composant ...............................107

3.2.1.

Problmatique ............................................................................................................... 107

3.2.2.

Structure de la ligne de commande ............................................................................... 109

3.2.3.

tape du coude de liaison de llectrode de commande .......................................... 112

~4~

3.3.

tude de la transition GCPW-MS .......................................................................................115

3.3.1.

tat de lart et choix de la transition ............................................................................. 115

3.3.2.

Validation exprimentale sur substrat commercial ....................................................... 120

3.4.

Transition GCPW-MS-GCPW sur couche mince ...............................................................124

3.4.1.

tude et optimisation de la transition sur polymre SU8 .............................................. 125

3.4.1.1.

Influence de la longueur du plan de masse de la ligne coplanaire L1 .................... 125

3.4.1.2.

Influence de la largeur du plan de masse de la ligne coplanaire G ......................... 128

3.4.1.3.

Performances de la transition retenue ..................................................................... 129

3.4.2.

Ralisation et validation exprimentale ........................................................................ 131

3.4.2.1.

Description du dpt du polymre SU8 ................................................................. 131

3.4.2.2.

Dpt et gravure de llectrode suprieure ............................................................. 133

3.4.3.

Caractrisation de structures ralises sur couche mince .............................................. 133

3.4.3.1.

Lignes coplanaires sur polymre SU8 .................................................................... 133

3.4.3.2.

Transition GCPW-MS-GCPW sur polymre SU8 ................................................. 137

3.5.

Extension de la bande passante de la transition GCPW-MS-GCPW ..................................138

3.5.1.

Minimisation des pertes par effet de peau..................................................................... 139

3.5.2.

Conductivit lectrique ................................................................................................. 140

3.5.3.

Pertes dilectriques ....................................................................................................... 141

3.6.

lectrode de test de modulateur lectro-optique .................................................................144

3.7.

Bilan ...................................................................................................................................147

Bibliographie .......................................................................................................................... 148

Conclusion gnrale ............................................................................................................... 151

~5~

Introduction gnrale

Les polymres font actuellement lobjet de recherches trs actives dans de nombreux
domaines dapplication en raison essentiellement dun bon rapport performances-cot des
dispositifs. Ils sont utiliss entre autres dans les cellules photovoltaques, les crans matrice
active base de diodes lectroluminescentes, les hologrammes (stockage de donnes et
scurit), les verres correcteurs pour la lunetterie, systmes d'clairage, capteurs et
amplificateurs

optiques[1-3].

Dans

le

domaine

optolectronique

et

de

lopto-

hyperfrquence, les polymres effet lectro-optique peuvent cumuler au moins trois atouts :
bas cot, large bande passante et faible signal de commande lectrique grce un bon accord
de vitesse de phase entre ondes lumineuses et signaux hyperfrquences dune part et un
coefficient lectro-optique pouvant tre beaucoup plus lev que celui du Niobate de Lithium
(LiNbO3) dautre part. La faisabilit du modulateur le plus rapide 110 GHz a t dmontre
base de polymre par des quipes amricaines de lUniversit de la Californie du Sud et de
lUniversit de Washington [4].
Le champ dapplication des polymres lectro-optiques est trs vaste tant ils peuvent
servir de foyers dinteraction efficace entre les signaux optiques et les signaux
hyperfrquences, et ce dans de nombreux domaines o on veut profiter de la trs large bande
passante optique pour obtenir de meilleures performances, tels que les tlcommunications,
les capteurs et les systmes hyperfrquences. On peut citer titre dexemple les dispositifs et
fonctions suivants : modulateurs bien entendu, mais galement convertisseurs analogiquenumriques de signaux RF [5], commutateurs de signaux optiques [6], antennes photoniques
[7], capteurs de champ lectromagntique [8], etc.
Avec sa bande passante sans commune mesure avec aucune autre technologie, grce
la frquence porteuse optique trs leve et la rduction de lattnuation dans les fibres
monomodes en silice 0,2 dB/km la longueur donde de 1550 nm en 1984, loptique a
acquis une suprmatie sans partage dans les rseaux de cur des tlcommunications. Depuis
la mise en service de la premire liaison transatlantique par cbles de fibres optiques en 1988,

~6~

le dbit ne cesse daugmenter pour rpondre aux besoins toujours croissants dans lchange
de donnes. La capacit de transmission dune fibre dpasse aujourdhui le Tb/s laide du
multiplexage de longueur donde [9]. Loptique permet galement damliorer les
performances des systmes hyperfrquences, apportant faible poids, immunit aux
perturbations lectromagntiques, trs faibles pertes de propagation et trs large bande
passante. Lattnuation de la fibre monomode de silice est faible, indpendamment de la
frquence des signaux RF sur sous-porteuse optique et de leur occupation spectrale, alors que
celle des cbles coaxiaux atteint le dB/m pour les frquences dans la gamme des dizaines de
GHz. Or les systmes radar hyperfrquences de la nouvelle gnration tendent vers un
fonctionnement multifaisceaux et multibandes dans la gamme de frquences de 20 GHz voire
40 GHz, ce qui ncessite donc de larges bandes passantes que seule loptique est capable
doffrir [10].
A lheure o loptique est en passe de pntrer dans les rseaux daccs haut dbit
garanti quelle que soit la distance entre labonn et la centrale, de nombreuses quipes
travaillent sur loptique dans les rseaux locaux domestiques chez labonn en utilisant la
radio sur fibre [11]. Dans ce contexte, il est important de disposer de modulateurs bas cots et
performants pour transcrire le signal lectrique transmettre en signal optique. Les polymres
effet lectro-optique possdent des proprits requises permettant de raliser ce type de
modulateurs. Il existe aussi dautres domaines o les polymres permettent de faire sauter des
goulots dtranglement. La conversion analogique-numrique des signaux est de ceux-l. En
effet, dans les systmes hyperfrquences, on souhaite effectuer le maximum de traitements de
signaux par voie numrique laide des DSP (Digital Signal Processor pour processeur de
signal numrique) de plus en plus puissants pour rduire les composants analogiques
spcifiques coteux et encombrants dune part, et gagner en flexibilit et reconfigurabilit
dautre part. Mais avec laccroissement du dbit et/ou de la frquence porteuse, les
convertisseurs analogique-numriques lectroniques peinent rpondre au besoin avec une
cadence plafonne 10 GHz.
Cette thse sinscrit dans la continuit des recherches sur les polymres effet lectrooptique en Pays de la Loire dmarres dans le cadre du CPER N 18007 Photonique
Microondes en 2000. Ce dernier a runi des quipes ayant des comptences
complmentaires : synthse de polymres effet lectro-optique (CEISAM de Nantes et
UCO2M du Mans), mise en forme de polymres et fabrication de guides dondes optiques
(quipe Matriaux Fonctionnels de lIREENA de Nantes et CCLO de Lannion), conception et
~7~

caractrisation de composants du point de vue optique et hyperfrquences (quipes

Photonique et Communications et Communications Numriques et Radio Frquences de
lIREENA de Nantes). Ces mmes partenaires sont associs dans le cadre du projet rgional
MATTADOR (Matriaux, Technologies, Traitements et Architectures pour les systmes et
Dispositifs Optiques et Radiofrquences utiliss en communications) et du projet MODPOL
retenu par lANR dans son appel projet Tlcommunications en 2007.
Dans cette thse, nous visons dmontrer la faisabilit dun modulateur MachZehnder sur polymres effet lectro-optique pour son multiple intrt scientifique et
technique. Cest en effet un dispositif gnrique pouvant servir de brique de base dans
certains autres dispositifs opto-hyperfrquences, tels que les filtres de signaux microondes, les
antennes photoniques et les multiplieurs de frquences. Dautre part, lexprience et les
comptences acquises et consolides au cours de leur dveloppement nous seront utiles pour
ltude dautres dispositifs et fonctions, tels que les convertisseurs analogique-numrique de
signaux RF par voie optique, les rsonateurs et les filtres accordables. En outre, lheure
actuelle, les modulateurs lectro-optiques base de polymres sont les seuls pouvoir
prtendre tre bas cot, ce dernier lment tant dterminant pour une grande diffusion.
Mme sans avoir une bande passante exceptionnelle, si un modulateur polymre est de
faible cot et que sa tension de commande est basse, ce qui permet donc de se passer dune
lectronique associe onreuse, il peut tre produit en grande quantit et install chez
labonn dans un rseau local professionnel ou domestique. Dans une antenne de radar
formation de faisceaux, comme les lments radiants peuvent se chiffrer par milliers, on
comprend limportance du bas cot.
Nous avons tudi la structure optique dun modulateur Mach-Zehnder base dun
nouveau polymre PGMA/DR1 (PIII) [12] qui prsente un effet lectro-optique de stabilit
amliore grce une rticulation aprs lorientation des chromophores (Poling) [13]. Dans sa
conception, nous avons cherch trouver un compromis optimal entre les principales
caractristiques suivantes : bande passante de la rponse du modulateur au signal lectrique,
signal de commande, pertes dinsertion optiques et taux dextinction. Cette tude a t mene
laide du logiciel de simulation doptique intgre OptiBPM. Nous avons optimis en mme
temps llectrode de commande hyperfrquence laide du logiciel HFSS. Pour simplifier le
procd technologique de fabrication de modulateurs et faciliter leur caractrisation ltat
non connectoris, nous avons tudi plus particulirement des transitions entre lignes
coplanaire et microruban (GCPW-MS) trs large bande sans via-holes ni motif dans le plan de
~8~

masse. En effet, ayant adopt la technique de Poling par effet couronne, pour avoir une
efficacit lectro-optique optimale, le signal de commande lectrique doit tre appliqu par
une ligne microruban alors que nous utilisons un systme sous pointes coplanaires de type
GSG (Ground Signal Ground) pour amener le signal hyperfrquence. Ces transitions sont
donc indispensables et doivent avoir la plus large bande passante possible et tre faciles
raliser.
Le premier chapitre est consacr une prsentation gnrale des principes de
modulation de la lumire en mettant en avant lavantage de la modulation externe en terme de
bande passante et de chirp , nous tudierons ensuite la notion de guidage de la lumire
dans un guide plan afin dillustrer les diffrents lments qui nous seront ncessaires pour la
conception du modulateur base de polymre. Aprs une prsentation de leffet lectrooptique linaire, nous ferons un tat de lart des diffrents modulateurs lectro-optiques base
des matriaux semi-conducteur (GaAs), niobate de lithium (LiNbO3) et polymres. Nous
prsenterons le polymre lectro-optique PGMA/DR1, baptis PIII, utilis dans notre tude
ainsi que les techniques mises en place dans notre laboratoire pour orienter les chromophores
et dterminer ses proprits intrinsques. Nous terminerons le chapitre par un tat de lart des
modulateurs lectro-optique base de polymre.
Dans le deuxime chapitre nous commencerons par expliquer les diffrentes
contraintes lies la ralisation dun modulateur lectro-optique base de polymre telles que
lpaisseur de film dposable avec le polymre PIII et lorientation de ses chromophores.
Nous expliquerons ensuite le choix dune lectrode de commande optimale aprs un bref
rappel des lignes de transmission utilises gnralement pour la ralisation dun tel
composant. La conception optique et hyperfrquence de la structure dun modulateur lectrooptique de type Mach-Zehnder sera alors dveloppe en dtail.
Une tude approfondie de la partie hyperfrquence de notre modulateur fera lobjet du
troisime et dernier chapitre. Notre but tant dobtenir un composant faible cot, il est
primordial de minimiser les tapes technologiques de sa ralisation et de simplifier laccs
llectrode de commande. Dans ce cadre, une tude sur les transitions entre lignes coplanaire
et microruban (CPW-MS) est fondamentale. La largeur de la bande passante et la tension du
signal de commande dpendent en grande partie de cette tude. Aprs un tat de lart des
transitions CPW-MS large bande et sans via, nous avons retenu une topologie simple et bien
adapte la caractrisation du modulateur lectro-optique avec un systme sous pointes. Nous
prsenterons et comparerons les rsultats de mesures et de simulations de transitions ralises
~9~

sur le substrat commercial NH9338 dpaisseur 254 m, de lignes coplanaires et de

transitions ralises sur le polymre SU8 en couche mince. Le bon accord entre les rsultats
de mesures et simulations nous permettra ensuite dtudier et analyser linfluence des
paramtres de transitions laide de loutil de simulation HFSS. Nous finirons le chapitre par
une simulation des performances de lensemble hyperfrquence incluant laccs lectrique et
llectrode de commande retenue pour notre modulateur lectro-optique.

~ 10 ~

Chapitre I : Modulation de la
lumire

~ 11 ~

~ 12 ~

Chapitre I :
1.

Modulation de la lumire

1.1.

Introduction

La modulation de la lumire est une fonction essentielle pour la transmission des

donnes par fibre optique, les systmes opto-hyperfrquences utilisant la sous-porteuse
optique pour le transport et le traitement des signaux hyperfrquences et certains capteurs, de
champs lectromagntiques par exemple. Elle assure la conversion des signaux lectriques en
signaux optiques par variation dun des paramtres de la lumire, tels que sa phase, son
intensit, sa frquence, ou sa polarisation parfois. Le type de modulation diffre selon les
applications. Par exemple, le format de modulation est numrique dans les rseaux de
tlcommunications de cur. Par contre, la modulation de la lumire est analogique en radio
sur fibre dans les rseaux daccs et les rseaux locaux domestiques, ce qui exige une trs
grande bande passante et une linarit importante. Il en est de mme pour les modulateurs
dans les radars utilisant la sous-porteuse optique pour vhiculer des signaux hyperfrquences.
Dans ce chapitre, nous passerons dabord en revue les diffrents modes de modulation.
Nous introduirons des notions sur loptique guide et sur leffet lectro-optique ncessaires
lexpos de la conception de modulateurs sur polymre lectro-optique. Nous exposerons
ensuite les diffrentes familles de modulateurs lectro-optiques. Nous terminerons le chapitre
par une prsentation des techniques de caractrisation des matriaux polymres mises en
uvre au Laboratoire et un tat de lart des modulateurs sur polymres lectro-optiques.

1.2.

Modes de modulation

Une chane de transmission par fibre optique de base est constitue dun module
dmission et dun module de rception placs aux extrmits dune fibre optique. Selon le
format de modulation, le dbit, la frquence, la puissance requise, le type de source optique et
le chirp acceptable, on recourt la modulation directe ou la modulation externe au
niveau du module dmission.
~ 13 ~

1.2.1. Modulation directe

La modulation directe consiste faire varier le courant dalimentation de la diode
laser, seule source optique permettant une vitesse de modulation compatible avec les
applications en tlcommunications haut-dbit
haut dbit longue distance et avec les systmes
hyperfrquences, pour obtenir une onde lumineuse module en intensit en sortie. Cette
solution requiert peu de composants (cf. figure 1- 1)) et prsente un faible cot de mise en
uvre. En plus de la source optique, seuls un gnrateur de courant et un circuit de
commande (driver) sont ncessaires. Bien que simple, ce type de modulation n'est pas adapt
aux applications exigeantes
ntes en termes de monochromaticit de la lumire. En effet la
modulation du courant dalimentation dune diode laser provoque en gnral une variation de
la frquence de la lumire accompagnant la modulation de son intensit. Ce phnomne,
appel chirp en termes anglo-saxons,
anglo
est d la modification de lindice de rfraction du
milieu actif par la variation de la densit de porteurs injects [14;15].. Le phnomne de chirp
conjugu avec la dispersion chromatique de la fibre optique peut dgrader le signal optique en
provoquant un largissement temporel des impulsions. En outre, la bande passante de la
modulation directe est limite par la frquence
frquence de relaxation lie la dure de vie des porteurs
dans la diode laser. On peut lamliorer en augmentant le courant de polarisation, mais cela au
dtriment de lindice de modulation [16]. On trouve sur le march des VCSEL 850 nm mis
en boitier et connectoriss des fibres multimodes dont la bande passante atteint une dizaine
de GHz [17].. Des lasers DFB puits quantiques 1550 nm optimiss et polariss 150 mA
arrivent des bandes passantes de 20 GHz [18]. Une bande passante de 30 GHz a t
dmontre en laboratoire avec des lasers DFB puits quantiques bi-lectrode
lectrode [19].

Figure 1- 1 : Synoptique
Synoptique dun module dmission en modulation directe

~ 14 ~

1.2.2. Modulation externe

La modulation externe consiste modifier un paramtre de londe lumineuse laide
dun modulateur externe la source lumineuse. Cest la technique de modulation privilgie
des tlcommunications
mmunications haut dbit longue distance, car elle permet de limiter ou de
contrler le phnomne de chirp , tant donn que la densit de porteurs dans le milieu
actif est constante avec un courant de polarisation du laser maintenu constant (cf. figure 1- 2).
Elle offre en gnral une bande passante plus importante et un indice de modulation bien plus
lev que la modulation directe en ddiant la fonction dmission la source laser et celle de
modulation au modulateur et en les optimisant chacun pour leur fonction.

Figure 1- 2 : Synoptique dun module dmission

dmission en modulation externe

Selon la nature de leur

leur signal de commande, on peut classer les modulateurs de
lumire en plusieurs grandes catgories : acousto-optiques, magnto-optiques
optiques et lectrolectro
optiques. Parmi ces modulateurs, seuls les modulateurs commande lectrique permettent
datteindre des dbits ( 10 Gb/s) ou des frquences de modulation (
( 10 GHz) compatibles
avec les applications vises en tlcommunications optiques et dans les systmes
hyperfrquences ; les autres types pouvant
pouv nt tre utiliss dans certaines applications assez
spcifiques. Par exemple, on peut raliser un aiguillage spatial de signaux optiques ou
effectuer un dcalage de frquence de faisceaux lumineux avec des cellules acousto-optiques
acousto
de Bragg [20].
Avant de prsenter les deux principaux types
types de modulateurs commande lectrique :
modulateurs lectro-absorption
absorption et modulateurs lectro-optiques,
lectro optiques, nous allons introduire
dabord les notions doptique guide et leffet lectro-optique.
lectro optique. En effet, les effets physiques
sous-jacents leur fonctionnement
ement sont sensibles au champ lectrique appliqu. Pour produire
une modulation significative des frquences leves, il faut appliquer un champ lectrique

~ 15 ~

intense avec un signal lectrique de faible tension. Cest pourquoi on utilise des guides
dondes optiques de faible dimension transverse h en appliquant une tension V laide
dlectrodes places de part et dautre des guides, pour obtenir un champ lectrique E=V/h.

1.3.

Guides dondes optiques

Nous allons tudier des guides plans, dont la simplicit de rsolution analytique
permet dexpliquer facilement les notions et les phnomnes utiles pour la conception de
modulateurs sur polymre lectro-optique,
lectro
tels que le taux de confinement,
confinemen la constante de
propagation et londe vanescente.
vanescente Les relations entre les paramtres opto--gomtriques et les
proprits des guides plans resteront qualitativement valables pour les guides enterrs utiliss
dans les modulateurs sur polymre lectro-optique.
lectro optique. Pour simplifier la prsentation, nous
supposerons ici que les milieux
milieux considrs sont linaires, homognes, transparents et
isotropes.

1.3.1. Guides dondes optiques plans

Soit un guide dondes optiques plan constitu de 3 matriaux appels respectivement
cur (strate dpaisseur tg et dindice de rfraction n2) et gaines (dindices
ices respectivement n1
et n3), avec n2> n3 n1 (cf. figure 11 3).
). Ils sont invariants suivant les axes des y et des z.

Figure 11 3 : Structure dun guide plan

Dans un guide optique constitu de matriaux dilectriques (conductivit = 0, donc

courant nul), non-magntiques
magntiques (permabilit = 0, permabilit du vide) et lectriquement
neutres (densit de charge
rge lectrique = 0), londe
onde lumineuse sy propageant est rgie par les
quations de Maxwell simplifies suivantes :
~ 16 ~

  





quation 1- 1

   







quation 1- 2

 

. 

quation 1- 3

 

. 

quation 1- 4

 reprsentent respectivement le champ lectrique et

Dans ces quations,  et 

lexcitation magntique,  la permittivit lectrique du vide avec n2  r  , et r

respectivement la permittivit et la permittivit relative (ou constante dilectrique) des

milieux dilectriques dans la gamme des frquences optiques.

Nous pouvons en dduire dune part lquation donde, appele aussi quation
dHelmholtz :
  

 ,

,
 
 

 


quation 1- 5

Dans cette quation, c est la clrit de la lumire dans le vide et  le rayon vecteur du

point courant.

 , !.
Une quation donde similaire peut tre obtenue pour lexcitation magntique

Dautre part, les relations de continuit des composantes tangentielles des champs aux

interfaces sparant le cur des gaines scrivent:

 ,
" ,
" ,
   
  et 
   
  x = 0
 ,

# ,
# ,
 ,
   
  et 
   
  x = -tg
 ,


quation 1- 6
quation 1- 7

Supposons que la lumire injecte dans la structure soit monochromatique de pulsation

, nous pouvons alors crire lexpression du champ lumineux comme suit :
,

   
 $%& '(


quation 1- 8

~ 17 ~

Avec cette hypothse de rgime harmonique, lquation donde se rduit une

quation
uation diffrentielle par rapport aux variables despace uniquement :


 ) *  

 

 

O + 

,
-

./
01

quation 1- 9

, k et 0 sont respectivement le module du vecteur donde et la longueur

donde de la lumire dans le vide.

Si la direction de propagation de la lumire injecte est selon laxe des z, le champ

3
B?C, o
fonction des variables despace scrit alors sous la forme :     2 3@3A

est la constante de propagation qui dcrit lvolution de la phase de londe suivant laxe des z,

2 3 est la distribution transverse du champ, uniquement fonction de x, tant donn quil ny
a pas de discontinuit suivant laxe des y. En reportant    dans lquation donde (1(1 9),
nous obtenons, pour chacune de ses composantes :
4 %

 
)

%

4 %
% 
5* 6  7 8

quation 1- 10

O i = 1, 2 et 3 suivant la zone considre.

9:; <
Le champ 2 3 et sa drive 9<
doivent tre continus aux interfaces entre les trois


milieux. Les solutions 2 3 de cette quation sont sinusodales ou exponentielles en fonction
de x selon le signe de la quantit + . =>.  ? . , comme cela est prsent sur la figure 1- 4.

Figure 1- 4 : Diffrents rgimes de confinement selon la valeur de la constante de propagation

~ 18 ~

Pour ? D +=. , la solution ne correspond aucune ralit physique, sinon le champ

crotrait exponentiellement dans les gaines, ce qui est impossible.

Pour +=E D ?, les solutions correspondent des modes de fuite (ou rayonns), qui

provoquent la perte rapide dnergie au cours de la propagation de londe

lumineuse.

Seules les solutions obtenues avec +=. D ? D +=E correspondent des modes

guids. Lnergie lumineuse est alors essentiellement confine dans le cur

dindice n2 avec une distribution sinusodale suivant laxe des x. Une onde
vanescente est prsente dans les gaines dindices n3 et n1 dont lamplitude dcrot
exponentiellement mesure quon sloigne de linterface vers les gaines.
En raison des conditions de continuit issues des quations de Maxwell, pour un guide

de paramtres opto-gomtriques donns, seules certaines distributions transverses F 3

permettent une propagation du champ lumineux sans pertes si les matriaux eux mmes ne
prsentent pas dabsorption. On les appelle les modes de propagation guide.
La propagation guide de londe lectromagntique diffre dans une mme structure
selon sa polarisation. On distingue deux modes de polarisation : le mode TE (Transverse
Electrique) dont le champ lectrique  est parallle laxe des y et le mode TM (Transverse

 parallle laxe des y. Nous illustrons les

Magntique) avec lexcitation magntique 
paramtres caractristiques de la propagation guide travers le mode de polarisation TE
avant de donner les rsultats essentiels du mode de polarisation TM.

1.3.1.1.

Mode de polarisation TE

Dans ce mode de polarisation, seule la composante y du champ lumineux est non

nulle :
G %, H,   G % $%& '(  7H

quation 1- 11

Nous dterminons la distribution transverse du champ F 3 en rsolvant

lquation

9 I :J1 <
9< I

) + . =>.  ? . F 3  0 (i = 1, 2 et 3) et en utilisant la continuit de

F 3 aux interfaces du cur avec les gaines x = 0 et x = tg et celle de la drive

linterface x=0. Cette distribution est donne par la relation 1- 12.

~ 19 ~

9:J1 <
9<

G

Y%Y
N O $%& 5 Q%8
L
Q
 W Y % Y _
T6
 ORSTU%  U T6 U%[
M
Q
LO VST5UW 8 ) T6 5U
T6
W 8\ $%&]&5% ) W 8^  Y % Y W
U
K

quation 1- 12

O les paramtres pour les modes guids sont positifs et donns par les expressions
suivantes :
Q  7  * " 
"

&  7
   * # 
"

U  *   7 
"

quation 1- 13

La constante B dpend de la puissance lumineuse injecte dans le guide.

1.3.1.2.

Equation de dispersion et modes guids

Nous remarquons que les paramtres p, q et h, de la formule 1-13,

1 13, sont tous exprims
en fonction de la constante de propagation . La continuit de la drive

9 J1 <
9:
9<

linterface

x = - tg permet dtablir une quation pour dterminer cette constante de propagation :

UW  XX  U ) XX 
XX U ) `a
Q

&

&Sb `  , ", 

quation 1- 14

Cette quation
quation transcendantale,
transcendantale, appele quation de dispersion, nadmet que des
solutions discrtes pour la constante de propagation , en fonction des indices n2, n3 et n1, de
lpaisseur du cur tg, de la longueur donde de la lumire 0 et du nombre entier m.
m Chaque
valeur m correspond une distribution transverse du champ lumineux F
F 3 dans le guide,
appele mode dordre m (cf. figure 11 5).

Figure 1- 5 : Distribution transverse du champ lumineux des modes dordre 0, 1 et 2 en polarisation

TE
~ 20 ~

1.3.1.3.

Indice effectif et constante de propagation

Dans les expressions des paramtres q, p et h, la constante de propagation est

homogne au produit dun indice de rfraction par le module du vecteur donde k de la

lumire dans le vide, on pose donc  ndee k pour dfinir lindice effectif ndee pour le mode

dordre m. La phase de londe lumineuse du mode dordre m volue en fonction de z comme

si ctait une onde plane se propageant dans un milieu dindice ndee . Pour un mode guid, cet

indice varie entre lindice de rfraction de la gaine la plus rfringente et celui du cur, soit

nE g ndee g n. en loccurrence, selon la proportion de lumire guide dans le cur et dans

les gaines. Plus la proportion de la lumire dans le cur est grande, plus lindice effectif se

rapproche de son indice n2. Sur la figure 1- 6, lindice effectif est prsent en fonction de
lordre du mode TE et du rapport entre lpaisseur du cur tg du guide et la longueur donde
de la lumire 0. Lvolution de lindice effectif, donc de la phase, de la lumire diffre selon
lordre du mode guid.

Figure 1- 6 : volution de lindice effectif en fonction de lordre du mode en polarisation TE et du

rapport entre lpaisseur du cur tg du guide et la longueur donde de la lumire 0 = 1550 nm pour
n2 = 1,6 et n1 = n3 = 1,575

~ 21 ~

1.3.1.4.

Relation entre lordre des modes guids et les paramtres opto-

gomtriques
Pour cette tude, on se place dans le cas dun guide symtrique o n1 = n3. La lumire

du mode dordre m nest guide que lorsque kn. D h D +nE  kni. Dans le cas limite o
h  knE  kni , lquation 1- 13 donne :
Q&

U  *    " 
"

quation 1- 15

De lquation 1- 15 et de lquation de dispersion 1- 14, nous dduisons les conditions

dobtention du mode m en polarisation TE :
   " D l 

` k
W  m " 

quation 1- 16

Pour quun mode dordre donn soit guid, il faut que lcart dindice entre le cur et
les gaines et/ou lpaisseur du cur soit dautant plus grand que la longueur donde est
grande. En principe, le mode fondamental m = 0 peut toujours tre guid mais son
confinement sera mauvais lorsque le contraste dindice n est faible et/ou que la couche de
cur est mince (cf. figure 1- 6). Le guide est monomode si seul le mode fondamental peut sy
propager. On le qualifie de multimode sil admet deux modes au minimum.

1.3.1.5.

Onde vanescente et taux de confinement

Daprs ce que nous avons vu, les paramtres q et p de la relation 1- 13 peuvent tre
crits en fonction de lindice effectif :
Q  * $nn  " 
"

&  * $nn  # 
"

quation 1- 17

Daprs les quations 1- 12 et 1- 17, londe vanescente prsente dans les gaines
dcrot dautant plus vite vers les gaines suivant la normale, et donc le confinement de la
lumire dans le cur est dautant meilleur, que :
-

Le contraste dindice entre le cur et les gaines est grand,

Lpaisseur du cur est grande par rapport une longueur donde donne.
~ 22 ~

Cette onde vanescente mrite quelque attention particulire, en prsence des

lectrodes de part et dautre du guide, comme cela est notre cas pour appliquer des signaux de
commande. Les paisseurs des gaines infrieure et suprieure doivent tre suffisamment
grandes afin dviter que lnergie ne soit absorbe par les lectrodes.
Le champ dans les gaines optiques, en loccurrence les zones 1 et 3 sur la figure 1- 3,
dcrot exponentiellement suivant la normale linterface entre le cur et les gaines. Il
dcrot dun facteur e une distance appele profondeur de pntration. Dans le cas dun
guide symtrique o n1 = n3, la profondeur de pntration de londe vanescente du mode
fondamental dans les gaines est donne par la relation 1- 18 en fonction des indices de
rfraction des matriaux et de lpaisseur du cur du guide optique :
 "/

s
p" r
p
"
o"  a "  t  "
p w

W
"
r
u" )  " v
a W
q

z
y
y
x

quation 1- 18

Avec :
p" 

"/

5  | " 8

quation 1- 19

Les connaissances de la profondeur de pntration de londe vanescente dans les

gaines nous permettront doptimiser les choix des paisseurs des gaines dans la conception
dun modulateur lectro-optique.
Le taux de confinement optique C correspond la portion de la puissance confine
dans le cur sur la puissance totale guide. Il est fonction de la prsence de londe
vanescente dans les gaines et donn par la relation suivante :
}

~ %%
W

~ %%

quation 1- 20

O R(x) est le module du vecteur de Poynting donn par 3 

pour le mode TE, o  3 peut tre exprime en fonction de F 3.

i
.

F 3 3

Un fort taux de confinement permet de minimiser la tension de commande du

modulateur comme nous le verrons plus loin dans ce chapitre.

~ 23 ~

1.3.1.6.

Mode de polarisation TM

La composante y de lexcitation magntique pour ce mode est la seule composante

non nulle (F 0). Les composantes x et z du champ lumineux sexprimeront en fonction
de F :

 GS %

%

) 5* 6  7 8GS % 

%S %   ( GS %

7

HS %  

6  ",  $ #

quation 1- 21

quation 1- 22

"
GS %
'(

quation 1- 23

La rsolution de ce systme permet dobtenir la distribution transverse de lexcitation

magntique dcrite dans la relation suivante :

G 

Q  $%& 5 Q%8

U

N
L

"

Y%Y

 W Y % Y _ quation 1- 24
"
M
L V U ST5U 8 ) T6 5U 8\ $%&]&5% )  8^  Y % Y W
W
W
W
K
Q"
RQ STU% ) T6 U%[
U

Finalement, on dtermine les valeurs discrtes de sa constante de propagation en

rsolvant lquation de dispersion suivante :
UW  XX  U" ) XX  U" ) `a
Q

&

&Sb `  , ", 

quation 1- 25

Avec
Q" 


"

Q $ &" 


#

&

quation 1- 26

D est une constante similaire B dans lquation 1- 12.

~ 24 ~

1.3.2. Guides dondes largeur limite

En pratique, pour la plupart des applications, on utilise des guides largeur limite
pour confiner la lumire suivant les deux directions transverses laxe de propagation. La
rsolution analytique de lquation donde devenant impossible, on recourt alors des
mthodes numriques pour dterminer leurs proprits. Dans nos travaux, nous avons utilis
le logiciel de simulation numrique doptique intgre OptiBPM. Les relations entre les
caractristiques des guides et leurs paramtres opto-gomtriques tires des guides plans
restent qualitativement valables pour les guides largeur limite, notamment les guides
enterrs, dans lesquels le cur dindice n2 est entour du matriau gaine dindice infrieur n1.
Nous aborderons plus en dtail ce type de guide dans le deuxime chapitre.

1.4.

Effet lectro-optique

Leffet lectro-optique sur lequel repose le modulateur lectro-optique que nous

tudions fait partie dune classe gnrale deffets optiques non-linaires. Nous en donnons un
aperu avant de prsenter leffet lectro-optique en dtails

1.4.1. Effets optiques non linaires

Les proprits optiques dun milieu, telles que son indice de rfraction et son
absorption, sont en gnral indpendantes de lintensit de la lumire incidente lorsque celleci nest pas trop leve. On est en rgime doptique linaire parce que la polarisation
dilectrique induite est proportionnelle au champ lumineux incident.
Par contre, lorsque le champ lumineux appliqu E atteint le mme ordre de grandeur
que le champ atomique (~1010 V/m), comme cela est rendu possible du fait de la cohrence
des faisceaux laser, la rponse du milieu devient non-linaire, linstar dun pendule. On peut
crire la polarisation dilectrique Pi comme un dveloppement non-linaire des champs
lumineux [21]:
6   ' 6' ' )  '* 6'* ' * )  '* 6'* ' *  )
"



#

~ 25 ~

quation 1- 27

O > est le tenseur de susceptibilit linaire, > et > sont les tenseurs de
i

.

E

susceptibilits quadratique et cubique,  ,  et  sont les diffrentes composantes de champ

lectrique. Dans un milieu dont la structure microscopique est centrosymtrique, les tenseurs
dordre pair sont nuls, notamment le tenseur de susceptibilit dordre deux.

On simplifie le dveloppement de la polarisation en ignorant le caractre vectoriel des

champs :
  "  )    )  # # )

quation 1- 28

Suivant les milieux et les conditions exprimentales, le terme quadratique de la

polarisation en fonction des champs lectriques peut donner lieu la gnration du second
harmonique (SHG en anglais pour Second Harmonic Generation) ou une modification de
lindice de rfraction. La SHG est relativement facile comprendre tant donn quune fois
induite, la polarisation agit en source de champ lectrique. Nanmoins, pour obtenir une SHG
macroscopiquement significative, certaines conditions doivent tre remplies, notamment celle
de laccord de phase qui permet une cumulation de champs de second harmonique crs
localement.
Pour expliquer la modification de lindice de rfraction, considrons un milieu soumis
un champ lumineux de pulsation 0 et un champ lectrique de pulsation e beaucoup plus
basse que 0 :
  $ ST($  )  ST(  $ )  ST( 

quation 1- 29

En reportant cette expression du champ dans la formule 1- 28, on obtient alors celle de
la polarisation la pulsation 0 :

(    "  ST(  )   $  ST( 

)# # $  ST(  ) l  # # ST( 

#

quation 1- 30

Pour dterminer lexpression de lindice de rfraction n du milieu en rgime doptique

non-linaire par analogie la relation entre lindice de rfraction n en rgime doptique

linaire et la susceptibilit linaire i : n.  1 ) i , nous posons comme susceptibilit

effective le coefficient de proportionnalit entre la polarisation et le champ optique :
~ 26 ~

(    $nn  ST( 

quation 1- 31

Par identification des deux expressions de la polarisation P (0), nous obtenons :

$nn  " )  $ ) ## $ ) # 
#
l

quation 1- 32

On crit par analogie la relation entre lindice de rfraction du milieu n et la

susceptibilit effective :

  " ) $nn   )  $ ) ## $ ) l # 

#

quation 1- 33

Par consquent nous obtenons lexpression approche de lindice de rfraction tenant

compte de la petitesse des autres termes devant n. :

)

" 
$

#
# $


#
# 

quation 1- 34

O les 2me, 3me et 4me termes de droite correspondent respectivement leffet

lectro-optique linaire (effet Pockels), leffet lectro-optique quadratique (effet Kerr) et
leffet Kerr optique.
Les deux effets Kerr font partie des effets non-linaires du troisime ordre. Leffet
Kerr a t observ pour la premire fois par John Kerr en 1875. Il se produit particulirement
dans des liquides et ventuellement dans des gaz [22] et est lorigine de la birfringence
induite dans certains milieux sous leffet de lapplication dun champ lectrique. Leffet Kerr
optique se traduit par une variation de lindice de rfraction du milieu en fonction de la
puissance du faisceau lumineux incident. Il est responsable entre autres des phnomnes
dauto-focalisation et dauto-modulation de phase qui se produisent respectivement lorsquun
faisceau lumineux prsente une variation dintensit dans un plan transverse sa direction de
propagation et dans le temps [21].
On sintresse ici leffet lectro-optique linaire, appel couramment effet lectrooptique et connu aussi sous le nom deffet Pockels. Etant li la susceptibilit dordre deux,
leffet Pockels ne peut tre observ dans un milieu dont la structure microscopique est
centrosymtrique.

~ 27 ~

1.4.2. Effet lectro-optique (Pockels)

1.4.2.1.

Ellipsode des indices

Dans un milieu anisotrope, chaque composante du dplacement lectrique D est une

combinaison linaire des trois composantes du champ lectrique E :
6  ' 6' '

quation 1- 35

Dans cette quation, les indices i, j = x, y et z, dsignent respectivement les

composantes suivant les axes x, y et z. Les neuf lments ij constituent le tenseur de
permittivit dilectrique et forment une matrice 3x3. On peut dmontrer, par un choix
convenable de lorientation des axes des coordonnes, quil est possible de transformer le
tenseur ci-dessus en un tenseur dont seuls les lments situs sur la diagonale de la matrice
sont non nuls : xx = x, yy = y et zz = z. Dans ce cas la matrice du tenseur est appele base
principale, les axes sont alors les axes principaux et les lments de la matrice les constantes
dilectriques principales [23]. On dfinit galement les indices de rfraction principaux :
%   % ,

G  G et


H   H ,


quation 1- 36

Ainsi lellipsode des indices qui dcrit les proprits optiques dun milieu anisotrope
transparent a pour quation dans les axes principaux du tenseur de permittivit :
%
%

G
G

H
H

"

quation 1- 37

Pour une onde lumineuse se propageant suivant laxe z dans un milieu dont
lanisotropie est dcrite par lellipsode ci-dessus, la composante de son champ lectrique

vibrant suivant la direction x se propage la vitesse  et voit donc un indice de

-

rfraction gal =< , sa composante vibrant suivant la direction y voit quant elle un

indice gal =F .

~ 28 ~

1.4.2.2.

Tenseur lectro-optique

En 1893, Pockels dcouvre leffet lectro-optique linaire qui porte son nom. Il
correspond une dformation de lellipsode des indices proportionnelle au champ lectrique
appliqu dcrite par la formule gnrale suivante :
 % )  G )  H )   GH )   %H )   %G  " quation 1- 38
"

"

"

"

"

"

"

En prsence dun champ lectrique appliqu E (Ex, Ey, Ez), chacun des coefficients de
lquation 1- 38 subit une variation linaire due leffet lectro-optique :
  _ 
"

"

6 

) 
"

6  ", , . . ,

quation 1- 39

O dune part, par identification entre (1-37) et (1-38), les valeurs des coefficients en
labsence de champ lectrique appliqu scrivent :
_ "


" 

_ "


l 

"
,
%

_ "


"
 _ 

 

"
,
G

"
 _ 

_ "


# 

"
H

quation 1- 40

Dautre part, leur variation induite par leffet lectro-optique scrivent :

  #' 6' '
"

6  ", , . . ,

quation 1- 41

O on utilise la convention 1 = x, 2 = y et 3 = z pour la sommation. Cette relation

linaire peut aussi scrire sous forme matricielle :

~ 29 ~

s " z
r " y
""
r  y
r " y s"
r # y r#"
r " y  rrl"
r l y r"
r " y q
"
r  y
"

r " y
q  x

"

#
l



"#
# z
"
## y
y . 
l# y
# y #
# x

quation 1- 42

Les 18 lments de la matrice 3x6 sont les coefficients lectro-optiques dont

lensemble forme le tenseur lectro-optique qui dcrit compltement leffet lectro-optique.
Suivant le groupe de symtrie auquel appartient le matriau, certains lments du tenseur
lectro-optique sont nuls, dautres sont soit gaux soit de signes opposs.
Les principaux matriaux lectro-optiques actuellement tudis et utiliss pour la
ralisation de modulateurs sont le niobate de lithium (LiNbO3), larsniure de gallium (GaAs)
et des polymres lectro-optiques. Le tableau 1- 1 rcapitule leurs tenseurs lectro-optiques
linaires :
0
s 0
r
r 0
r 0
r i
q ..

LiNbO3


..

..

0
0

z
iE
y
EE y
0y
0y
0x
iE

s
r
r
r
r
q

0
0
0

0
0

GaAs
0
0
0
0

0
0
0
0
0

z
y
y
y
y
i x

s
r
r
r
r
q

Polymres

0
0
0
0

iE

0
0
0

iE

0
0

z
y
EE y
0y
0y
0x
iE
iE

Tableau 1- 1 : Tenseurs lectro-optiques des principaux matriaux effet Pockels

Les coefficients lectro-optiques pour le LiNbO3 sont : r22 = 3,4 pm/V, r13 = 8,6 pm/V,
r33 = 30,8 pm/V et r51 = 28 pm/V et pour le GaAs r41 = 1,4 pm/V.
noter que les polymres prsenteront une anisotropie uniaxe uniquement aprs une
tape dorientation de leurs chromophores responsables de leur proprit lectro-optique par
un champ lectrique. Cette opration, appel poling en anglais, est indispensable pour faire
apparatre leffet lectro-optique au niveau macroscopique. Leur axe optique z sera orient
suivant le champ de poling utilis.

~ 30 ~

1.4.2.3.

Orientation optimum pour le signal lectrique et la

polarisation de la lumire
Pour tirer le meilleur parti de leffet lectro-optique dun matriau, la direction du
champ lectrique appliqu doit tre choisie de manire exploiter son coefficient lectrooptique le plus lev. Par exemple, LiNbO3 est un matriau anisotrope uniaxe en labsence de
leffet lectro-optique, son ellipsode des indices ne possde donc quun seul axe de symtrie,
appel axe optique. On oriente laxe z suivant cet axe de symtrie, lquation de son
ellipsode des indices en labsence de champ lectrique scrit donc :
% mG
S

)   "
H

quation 1- 43

Avec n1 = n2 = no et n3 = ne, o no reprsente lindice ordinaire et ne lindice

extraordinaire. Comme r33 = 30,8 pm/V est son plus grand coefficient lectro-optique, on
applique toujours le signal de commande lectrique suivant son axe z pour produire un champ
lectrique E3 suivant laxe z. Sous leffet lectro-optique, daprs les formules (1-38) (1-42)
et le tenseur lectro-optique du LiNbO3, lquation de son ellipsode des indices s'crit :
 ) "# # % )  ) "# # G )  ) ## # H  "
"

"

"

quation 1- 44

Leffet lectro-optique ne modifie ici que la demi-longueur de lellipsode des indices.

Par identification entre (1-37) et (1-44), la demi-longueur suivant laxe z scrit :
1
1
 .)
.
= =

EE E

d o = 

1
=  =E
2
1 ) =. EE E

EE E

tant donn que =.

EE E

Lindice de rfraction vu par le champ lumineux suivant laxe z subit une

variation :
H    #$ ## #
"

quation 1- 45

Cet indice est proportionnel au champ lectrique appliqu E3, au coefficient lectrooptique r33 et au cube de lindice de rfraction ne. De mme, lindice de rfraction vu par
le champ lumineux suivant laxe x ou suivant laxe y =<  =F =  . =E
variation =<  =F  . =E
i

iE E ,

iE E 

subit une

proportionnelle au coefficient lectro-optique r13 et au

~ 31 ~

cube de lindice de rfraction no. Comme les indices ordinaire no et extraordinaire ne sont trs
peu diffrents et que le coefficient r33 est presque trois suprieur au coefficient r13, le champ
lumineux suivant laxe z subit un effet lectro-optique trois fois plus important que le champ
lumineux suivant laxe x en terme de variation dindice de rfraction lorsquon applique un
champ lectrique suivant laxe optique z de LiNbO3.

1.5.

Modulateurs commande lectrique

Il existe deux principaux types de modulateurs dans cette famille : modulateurs

lectro-absorption et modulateurs lectro-optiques. Ils prsentent chacun des avantages et
limites spcifiques. Dans ce paragraphe, nous expliquerons leur principe de fonctionnement et
dfinirons leurs paramtres caractristiques mesurant leurs performances, en insistant plus
particulirement sur les modulateurs lectro-optiques.

1.5.1. Modulateurs lectro-absorption

Le fonctionnement des modulateurs lectro-absorption repose sur les modifications
du spectre dabsorption de matriaux semi-conducteurs soumis un champ lectrique. Leffet
lectro-absorption est connu sous diffrents noms selon le type de matriau utilis : effet
Franz-Keldysh dans les matriaux semi-conducteurs massifs et effet Stark confin
quantiquement dans les structures puits quantiques. Ces effets font apparaitre des
oscillations dans le coefficient dabsorption inter-bande [24-27]. Les modifications du spectre
dabsorption sont bien plus prononces dans une structure quantique que dans un matriau
massif.
Les modulateurs lectro-absorption sont beaucoup plus compacts que les
modulateurs lectro-optiques Mach-Zehnder sur LiNbO3 bande passante quivalente. Ils se
prtent bien intgration avec des diodes laser et sont peu sensibles la polarisation de la
lumire. Ils ont en outre lavantage de ne ncessiter quune faible tension de commande. Par
contre, en tant que concurrents aux modulateurs lectro-optiques Mach-Zehnder sur LiNbO3
pour les applications 40 Gb/s, ils prsentent plusieurs inconvnients : chirp plus important,
plage de longueur donde plus rduite, faible puissance optique admissible et drive
thermique [28;29].

~ 32 ~

1.5.2. Modulateurs lectro-optiques

lectro
Le principe physique sous-jacent
sous jacent ce type de modulateurs est leffet lectro-optique.
lectro
Il permet de modifier le dphasage dun faisceau lumineux au moyen dun
dun signal lectrique.
Sa ralisation la plus directe est donc un modulateur de phase. On peut transformer la
modulation de phase en une modulation damplitude laide dun interfromtre de MachMach
Zehnder.

1.5.2.1.

Modulateur de phase

Le modulateur de phase est constitu

stitu dun guide donde optique monomode, dont le
cur est constitu dun matriau lectro-optique
lectro
(cf. figure 1- 7).. Une lectrode place auau
dessus du guide
de permet dappliquer un signal lectrique de commande.

Figure 11 7 : Schma dun modulateur de phase

La variation de lindice
dice effectif induite
induite par lapplication du champ lectrique E scrit
:
$nn   # 
"

quation 1- 46

O n et r reprsentent respectivement lindice de rfraction et le coefficient lectrooptique du matriau de cur, le taux de recouvrement entre londe optique et le champ
lectrique appliqu. Ce paramtre peut
ut tre calcul partir de la formule suivante [30]:

~ 33 ~

~ W ~ S %,G%,G%G

U 

U T
~U ~T S %,G%G
 

quation 1- 47

Dans lquation 1- 47, E0(x, y) et E(x, y) reprsentent respectivement le champ

optique et le champ lectrique dans un plan perpendiculaire la direction de propagation de
londe lumineuse, h la distance entre les lectrodes, V la tension applique, s la largeur totale
du guide optique, Lg et tg reprsentent respectivement la largeur et lpaisseur du cur en
polymre lectro-optique.
Le taux de confinement pour un guide largeur limite est donn par la formule
suivante, analogue lexpression obtenu pour un guide plan (cf. relation 1- 20) :
W

~ W ~ S %,G%G

}

W

U T
~U ~T S %,G%G
 

quation 1- 48

Pour avoir un taux de recouvrement optimal, il est indispensable davoir un taux de

confinement maximum, tant donn que le taux de recouvrement (1- 47) est plafonn par ce
dernier.
Le dphasage subit par lapplication du champ lectrique scrit alors sous la forme :


a
$nn
k

quation 1- 49

Avec 0 la longueur donde dans le vide et L la longueur dinteraction entre londe

optique et londe lectrique.
Tension demi-onde V
Nous dfinissons par ce terme la tension de commande du modulateur lectro-optique
qui permet dinduire une variation de phase de sur londe lumineuse en sortie du
modulateur. En utilisant les relations (1- 46) et (1- 49), on obtient:
a 

k U
 #

quation 1- 50

~ 34 ~

La tension V est une caractristique importante du modulateur EO. On cherche la

rduire au maximum aussi bien pour diminuer la consommation que pour faciliter la
conception de drivers large bande. Avec un coefficient lectro-optique et une longueur donde
donns, pour rduire la tension demi-onde, on peut soit augmenter la longueur dinteraction L
entre londe optique et le signal lectrique, soit diminuer la distance entre llectrode et le
plan de masse.
Pertes dinsertion optiques
Les solutions envisages ci-dessus pour rduire la tension demi-onde reprsentent un
inconvnient pour les autres caractristiques dun modulateur. En effet, dune part, une
longueur dinteraction plus grande dgrade les pertes optiques cause de labsorption du
matriau lectro-optique et la bande passante du modulateur (cf. paragraphe 1.5.3 pour les
raisons). Dautre part, une diminution de lpaisseur du substrat h risque de rduire le taux de
confinement de londe optique et de provoquer une absorption de londe vanescente par
llectrode. Le compromis trouver entre une faible tension de commande et une large bande
passante est un point primordial lors de la conception dun modulateur EO, cette partie sera
tudie plus en dtail dans le deuxime chapitre.

1.5.2.2.

Modulateur dintensit de type Mach-Zehnder

La figure 1- 8 montre larchitecture dun modulateur dintensit de type MachZehnder. Il est compos dune jonction Y en entre permettant de sparer le faisceau incident
en deux ondes de puissances gales sur les deux bras du modulateur. Sur lun des bras de
linterfromtre, llectrode permet dappliquer un champ lectrique modifiant ainsi la phase
de londe lumineuse dans ce bras comme un modulateur de phase. A la sortie de
linterfromtre, une autre jonction Y combine les deux ondes dphases. Celles-ci interfrant
en fonction du dphasage optique introduit, lamplitude de londe optique en sortie est alors
module.

~ 35 ~

Figure 1- 8 : Schma dun modulateur dintensit de type Mach-Zehnder

Zehnder

Taux dextinction et guide monomode

Le taux dextinction est une caractristique importante des modulateurs dintensit. Il

sexprime en dB : 10

, o < et > sont les taux de transmission maximum et

minimum du modulateur. Pour amliorer le taux dextinction dun modulateur, comme le taux
de transmission maximum est plafonn par ses pertes
pertes dinsertions, on doit rduire au
maximum son taux de transmission minimum. Le taux de transmission dun
d modulateur
dintensit de type Mach-Zehnder
Zehnder est donn par :


 ST   ST

7.

quation 1- 51

Si sa jonction Y dentre spare la puissance incidente quitablement entre les deux

bras, identiques en labsence de leffet lectro-optique.

lectro
et  reprsentent respectivement

les intensits en entre et en sortie, et le dphasage et la diffrence de constante de

propagation entre les deux bras, L la longueur dinteraction lectro-optique.
lectro optique.

La formule 1- 51 montre quil est obligatoire dutiliser des guides optiques

monomodes dans un modulateur dintensit Mach-Zehnder
Mach Zehnder pour rduire son taux de
transmission minimum. En effet, si les guides sont multimodes, supportant les modes dordres
0 et 1 par exemple, lorsquon
squon applique une tension pour obtenir un dphasage de entre les
deux bras de linterfromtre pour le mode fondamental avec ?  ,, le dphasage sera

en gnral diffrent de + 2b
2b (b un entier) pour le mode dordre m = 1 avec ?i ,
tant donn que chaque mode a une constante de propagation et un taux de recouvrement
propres,, le taux de transmission minimum ne pourra pas atteindre sa valeur thorique zro.

~ 36 ~

1.5.3. Bande passante et adaptation de phase entre ondes

lectrique et optique
Dans un modulateur lectro-optique, en dehors de la bande passante du driver et de
son accs lectrique associ, la limitation de la bande passante intrinsque diffre selon le
type de signal lectrique appliqu. Avec un signal de commande stationnaire, elle est
essentiellement due la constante RC cause de leffet capacitif entre llectrode et le plan de
masse. Typiquement, avec 2,3 pF/cm pour LiNbO3, sur 50 , le produit BPL entre la bande
passante et la longueur dinteraction est de lordre de 2,5 GHzcm [31].
Pour obtenir des bandes passantes de 40 GHz ou plus, on utilise des signaux
lectriques progressifs qui se propagent sur une ligne hyperfrquence dans le mme sens que
londe lumineuse. En effet, si londe lumineuse et le signal lectrique pouvaient se propager
la mme vitesse dans le matriau lectro-optique, un front donde lumineux donn verrait
le mme signal lectrique, donc le mme effet lectro-optique pendant toute sa traverse de la
zone dinteraction, si bien que les dphasages subis par le front lumineux dans toutes les
tranches du matriau cumuleraient quelle que soit la frquence du signal lectrique, la
frquence de modulation ne serait pas limite. Les ondes optique et lectrique ne se propagent
pas la mme vitesse en gnral, la frquence de modulation est limite en dfinitive par la
diffrence de vitesse entre eux.
Pour dterminer la bande passante intrinsque, limite par le dsaccord de vitesse de
propagation entre londe optique et le signal lectrique hyperfrquence, considrons le
modulateur de phase reprsent sur la figure 1- 9 [32]. Dans ce modulateur base de
structures guidantes, londe lumineuse se propage la vitesse 

lectrique la vitesse 

et le signal

Pour simplifier le calcul, on suppose que :

-

La structure nattnue ni londe lumineuse ni le signal lectrique.

La ligne hyperfrquence est parfaitement adapte, il ny a donc pas de

rflexion.

Le temps de rponse de leffet lectro-optique est extrmement court devant la

priode du signal de modulation.

Lintgrale de recouvrement entre les ondes lumineuse et lectrique = 100%

~ 37 ~

De mme on utilise la notation suivante :

-

Le temps de transit de la lumire travers la zone dinteraction : 

Le champ
hamp lectrique de modulation :  !, C   cos
cos !  + C 
 C avec le signal appliqu !  cos !

 cos ! 

Le dphasage
phasage dun front lumineux : reprsente la diffrence entre sa phase

,
-

Le coefficient lectro-optique
lectro
: reo

en prsence de leffet lectro-optique

lectro optique et celle en labsence de ce dernier.
dernier

Figure 1- 9 : Zone dinteraction lectro-optique

lectro
dun
un modulateur de phase

Lorsque le signal de modulation vm(t) varie trs lentement, tel que 1, on crit

directement le dphasage total subi par le front donde lumineux, tant donn que le champ de
modulation vu par lui reste pratiquement le mme pendant son transit dans la zone
dinteraction lectro-optique
optique :  t   cos t

 k #S& $S `   X`   X ST(` 

a

quation 1- 52

Avec  nE rd

Lorsque la frquence de modulation

modulation est leve, le signal de modulation vm(t) peut
varier sensiblement dune tranche lautre lors du transit dun front donde lumineux dans la
zone dinteraction lectro-optique,
optique, le dphasage doit tre calcul dabord pour chaque tranche
de la structure avant de dterminer le total cumul en sortie de la zone.

C   CC. Le
Le dphasage cr sur la tranche dz est donn par : C

dphasage total en sortie de la zone dinteraction est donn par cette intgrale :
~ 38 ~

  CC


Pour exprimer le dphasage dans le temps, on remarque que pour un front donde
donn, sil sort de la zone dinteraction (z = L) linstant t = t, il est entr dans la zone
dinteraction (z = 0) linstant !  !  , la position du front lumineux considr

scrit donc : C 

!  ! ) , le champ lectrique est donn par lexpression suivante :

` R , H [   ST V(`  

o  1 

lectrique et 

(`

$nn H\   STR(`  ) [


qui caractrise le dsaccord de vitesse entre ondes optique et

 !  .

En reportant cette expression du champ lectrique et lpaisseur de la tranche

lmentaire C 

cumul :

 X.

$nn

 (

! dans lintgrale ci-dessus, on peut calculer le dphasage total

"

  X.

$nn

~|  STR(`  ) [


ST (`  )   (` T6

(`

"

quation 1- 53

Aprs dveloppement, on obtient lexpression du dphasage suivante :

  X ST (`  ) 
Avec 

quation 1- 54

"
 (` "


$nn

$nn

et 

(
T6 `


(
`


Il est intressant dexaminer ce rsultat dans les deux cas limite.

Frquence de modulation trs basse : h 0

Dans ce cas, tend vers zro et le facteur sinus cardinal tend vers un, les formules
(1- 52) et (1- 54) sont identiques, ce qui est logique.

Frquence de modulation apprciable devant linverse de d : h 0

~ 39 ~

Le facteur sinus cardinal || infrieur 1 tend asymptotiquement vers zro lorsque la

frquence de modulation augmente, le dphasage ! tend galement asymptotiquement

vers zro. Le temps de transit impose une frquence de modulation maximum fmax ne pas

dpasser, sous peine de perdre trop defficacit de modulation. Avec

i

 2 rad, le

facteur est rduit . , on dduit le produit frquence de modulation maximum (bande

passante intrinsque) par longueur dinteraction [33]:

n`X%  a



$nn |$nn

quation 1- 55

Avec un signal de commande lectrique progressif, la frquence de modulation est

inversement proportionnelle la longueur dinteraction lectro-optique et la dsadaptation
de vitesse entre londe optique et le signal de commande lectrique. Prenons toujours LiNbO3
comme exemple, avec sa constante dilectrique 33 = 28 et son indice de rfraction n = 2,2, le
produit entre la bande passante et la longueur dinteraction BPL est port plus de 6 GHzcm
avec un signal de commande progressif alors quil ne vaut que 2 GHzcm avec un signal de
commande stationnaire.
La relation (1- 55) sapplique aussi aux modulateurs lectro-optiques dintensit et aux
modulateurs lectro-absorption, bien quelle ait t tablie en prenant comme exemple un
modulateur lectro-optique de phase. Il faut noter quen cas daccord de vitesse parfait entre
ondes optique et lectrique, la bande passante dun modulateur est limite par lattnuation de
la ligne hyperfrquence due aux pertes dilectriques du substrat et leffet Joule de
llectrode mtallique.
Bande passante et guides monomodes
Le caractre monomode des guides dans un modulateur lectro-optique est aussi
impratif pour avoir une grande bande passante intrinsque, en plus de son importance pour le
taux dextinction abord dans le paragraphe 1.5.2.2. Cette bande passante serait dgrade dans
le cas de guides optiques multimodes : laccord de vitesse de phase entre ondes optique et
lectrique ne pourrait tre ralis simultanment pour tous les modes comme ils ont des
indices effectifs diffrents.

~ 40 ~

1.6.

Matriaux effet lectro-optique

Les caractristiques de modulateurs optimiser sont souvent imbriques et parfois

contradictoires : bande passante, pertes dinsertion, tension de commande, insensibilit la
polarisation, plage dutilisation en longueur donde, cot de fabrication, stabilit des
performances dans le temps, encombrement, stabilit du point de polarisation lectrique en
temprature, etc... Diffrents types de matriaux effet lectro-optique sont choisis en
fonction de lapplication vise.

1.6.1. Matriaux semi-conducteurs

Des modulateurs semi-conducteurs GaAs 40 Gb/s sont commercialiss et
exploitables pour la transmission sur de longues distances. Malgr un coefficient lectrooptique trs faible ( 1,4 pm/V) [29] par rapport ceux de LiNbO3 dont le coefficient le plus
lev est r33 qui gal 30,8 pm/V, le fait quils prsentent un indice de rfraction lev ( 3,6
1,3 m et 1,55 m) leur permet de compenser en partie cette faiblesse. En outre, le carr
de son indice de rfraction est proche de sa permittivit relative (r 12,9), ce qui assure donc
un excellent accord de vitesse de phase entre londe optique et lectrique et permet par
consquent dobtenir une bande passante optique trs large selon la formule (1- 55).
Les premiers modulateurs semi-conducteurs ont t raliss avec des lignes
microruban afin dobtenir un taux de recouvrement optimal entre ondes optique et lectrique.
Cependant les pertes de propagation hyperfrquences de ces modulateurs sont trs leves ce
qui fait que la bande passante ne dpassait pas 10 GHz [34]. Dans le but de minimiser les
pertes de propagation hyperfrquences, des lignes hyperfrquences en technologie coplanaire
ont t utilises, ce qui a permis dobtenir une bande passante de 20 GHz mais avec une
tension de commande de plusieurs dizaines de volts [35]. Finalement avec une structure
hybride (coplanaire microruban), les auteurs de larticle [36] ont obtenu une large bande
passante de lordre de 40 GHz avec une tension de commande de lordre de 6 V.
Par ailleurs les modulateurs en semi-conducteurs souffrent des pertes optiques
dinsertion importantes ( 8 dB) et de leur dpendance en longueur donde. En effet les
modulateurs en semi-conducteurs fonctionnent uniquement sur une seule bande optique
(bande C en gnral) [28]. Compars aux modulateurs en LiNbO3, ils sont plus compacts et
leur point de polarisation lectrique prsente peu de drive.
~ 41 ~

1.6.2. Matriaux inorganiques : LiNbO3

Les modulateurs lectro-optiques base de LiNbO3 destins aux tlcommunications
optiques datent des annes 90 [28]. Grce au coefficient lectro-optique lev du niobate de
lithium (30,8 pm/V), ils prsentent une tension de commande de quelques volts. Leurs pertes
dinsertion optiques peuvent tre rduites 2 ou 3 dB par composant [37] grce la bonne
transparence du matriau et une taille de guide assez proche de celle dune fibre monomode
en silice. Par contre, la bande passante des modulateurs base de LiNbO3 est plafonne
40 GHz en raison de la diffrence des vitesses de phase entre ondes optique et lectrique. En
effet, la permittivit relative du LiNbO3 est gale 28 alors que lindice optique est
seulement de 2,2. De plus, les composants en niobate de lithium souffrent des problmes
dencombrement. En effet, les longueurs dinteraction du modulateur pourront tre comprises
entre 1 et 5 cm.

1.6.3. Matriaux organiques : Polymres

Pour franchir le plafond de bande passante de 40 GHz tout en maintenant la tension de
commande quelques volts, voire en-dessous du volt, il faut trouver des matriaux avec un
fort coefficient lectro-optique, un indice de rfraction proche de la racine carre de sa
constante dilectrique effective et prsentant de faibles pertes optiques et lectriques. Grce
aux avances de lingnierie chimique, des matriaux organiques polymres effet lectrooptique prometteurs ont vu le jour ; ces matriaux semblant pouvoir satisfaire nombre des
critres ci-dessus. En effet, la diffrence des matriaux inorganiques et semi-conducteurs
dont les proprits physiques sont figes par leur structure cristalline, les polymres peuvent
tre constitus de chromophores dont les proprits peuvent tre faonnes et amliores dans
le sens souhait.
Plusieurs quipes ont dj dmontr lintrt des polymres par rapport aux matriaux
inorganiques et semi-conducteurs. Ainsi des modulateurs de bande passante suprieure
100 GHz ont t raliss base de polymres [1;4;38-41]. Lintrt des matriaux polymres
a aussi t mis en vidence travers la ralisation dune grande diversit de composants
optolectronique et opto-hyperfrquence actifs tels que des commutateurs, des filtres [41] et
des modulateurs lectro-optiques [42]. En plus dune bande passante plus importante, un autre
avantage des matriaux polymres rside dans la facilit de leur mise en uvre et dans la
~ 42 ~

possibilit dintgration de circuits de commande [43-45], contrairement au niobate de lithium

qui ncessite davoir recours aux techniques de report de puces et dinterconnexions difficiles
raliser.
Cependant la ralisation et lintgration des composants lectro-optiques base de
polymres ncessitent la rsolution dun nombre important de problmes en sciences des
matriaux et en sciences de lingnieur. Le premier dentre eux concerne la dgradation dans
le temps de leurs proprits.
Une comparaison entre les proprits optiques et lectriques des trois familles de
matriaux lectro-optiques est prsente dans le tableau 1- 2 :
Proprit

LiNbO3

GaAs

Polymre

Indice optique (n)

2,2

3,4

1,5 - 1,7

Permittivit relative (r)

28

12,9

2,5 4 [46]

Coefficient EO (pm/V)

30,8

1,4

> 100

Perte optique (dB/cm) [47]

0,2

>1

Bande passante f (GHz)

40

40

> 100

V (V)

<1

Tan

0,004 [48]

0,00025 [49]

0,08 0,0013 [50]

Fabrication [51;52]

moyen

moyen

facile

Intgration [52;53]

moyen

facile

facile

Cot [52]

lev

moyen

faible

Tableau 1- 2 : Rcapitulatif des caractristiques des diffrents matriaux lectro-optiques. Les

proprits optiques et lectro-optiques sont donnes la longueur d'onde o= 1,55 m

1.7.

Caractrisation des matriaux polymres EO effectue

au laboratoire
Nous prsentons dans ce paragraphe quelques gnralits sur les polymres effet
lectro-optique puis nous dcrivons quelques techniques de caractrisation mises en uvre au
laboratoire pour dterminer les proprits des polymres indispensables la conception dun
modulateur sur polymre.

~ 43 ~

1.7.1. Gnralits sur les polymres lectro-optiques

lectro optiques
Leffet lectro-optique
optique macroscopique dun matriau organique provient des
proprits des chromophores qui le composent [12]. Ces derniers sont des molcules
constitues dun donneur dlectrons
lectrons et dun accepteur dlectrons relis par un systme
conjugu (cf. figure 1- 10), prsentant ainsi un caractre non centrosymtrique lorigine des
proprits non-linaires
linaires quadratiques dont relve leffet lectro-optique.
lectro

Figure 1- 10 : Schmatisation dun chromophore, constitu dun accepteur et dun donneur reli
par un connecteur conjugu

Un moment dipolaire est induit lorsque le chromophore est soumis un champ

lectrique :
6  ' 6' ' ) ',* 76'* ' * ) ',*, 6'* ' *  )

quation 1- 56

O ij reprsente la polarisabilit linaire de la molcule ; ijkl et ijk reprsentant quant

eux respectivement ses hyperpolarisabilit
yperpolarisabilits cubique et quadratique. Cee dernier terme est
responsable de leffet lectro--optique linaire.
re. Lorsquils sont orients de manire alatoire,
les proprits optiques non-linaires
linaires des chromophores, notamment son hyperpolarisabilit
quadratique
atique au niveau molculaire, ne se traduisent pas par un effet non-linaire
non
macroscopique. En effet, leurs moments dipolaires sannulent mutuellement. Il faut les aligner
pour obtenir un effet lectro--optique macroscopique. On peut relier le coefficient lectro
optique r33, caractristique macroscopique du matriau, lorientation de tous les
chromophores :
##  l 7 g ST# D


quation 1- 57

Avec n lindice de rfraction optique, lhyperpolarisabilit molculaire, N la densit

de chromophores par unit de surface, F le facteur de variations de champ local et langle
moyen des chromophores autour de laxe dun
d
champ lectrique appliqu. Cet angle est
~ 44 ~

caractristique de la qualit de lorientation des chromophores. Les molcules sorientent

dautant plus facilement quelles possdent une faible masse molaire Mc et un fort moment
dipolaire permanent p. Cela est exprim dans lquation suivante selon le modle de
Langevin [12]:
##  l. " | 7&

&

 4&

quation 1- 58

O Ep est le champ lectrique appliqu, Tp la temprature de travail et Q un facteur de

dispersion tenant compte du rapport entre la longueur donde applique et la longueur donde
dexcitation du chromophore. Dans cette quation, le terme le plus appropri pour exprimer la
qualit lectro-optique intrinsque du chromophore est le facteur de mrite .

Nous avons vu que les molcules organiques, les chromophores, doivent avoir le le

facteur de mrite le plus grand possible ainsi quune forte densit afin davoir un fort
coefficient lectro-optique. Le chromophore commercial le plus utilis dans le cadre de
loptique non-linaire est le DR1 (Disperse Red One) [54-56]. Cependant dautres
chromophores sont apparus avec des proprits lectro-optiques beaucoup plus intressantes.
A titre dexemple nous pouvons citer le chromophore AJL8 [57] qui possde un coefficient
lectro-optique de lordre de 83 pm/V 1300 nm ainsi que le CLD-1 [58] mis au point par
lquipe de L. R. Dalton dont le coefficient lectro-optique est de lordre de 55 pm/V 1550
nm.
Les chromophores sont insrs dans une matrice hte qui doit tre constitue dun
polymre amorphe dot dune excellente transparence. Une des matrices les plus utilises est
le PMMA (PolyMthacrylate de Mthyle) [59] pour sa qualit de rsistance mcanique et sa
transparence. La performance lectro-optique des milieux dpend de la concentration des
chromophores insrs dans la matrice. Cette insertion des chromophores dans la matrice
support peut se faire de plusieurs manires. Nous citerons ici deux mthodes couramment
utilises :
Par dopage (guest-host):
Cest la mthode la plus simple mettre en uvre. Elle consiste disperser les
chromophores dans la matrice support (cf. figure 1- 11 a). Cette mthode prsente cependant
des inconvnients limitant son utilisation. Parmi ses inconvnients, on peut citer la
compatibilit rduite des chromophores avec la matrice polymre et la faible stabilit dans le
~ 45 ~

temps de lorientation des chromophores sous leffet de lagitation thermique [60]. La

relaxation des chromophores, intervient en quelques jours ou quelques heures temprature
ambiante, voire mme en quelques minutes sous chauffage.
Par greffage (side-main)
main) :
Dans cette technique, la matrice est lie chimiquement au chromophore comme le
montre la figure 1- 11 b.. Le chromophore est attach par une extrmit la chane du
polymre. Cette mthode permet davoir une concentration plus forte de chromophore par
rapport aux systmes dops. Dans ce cas le coefficient lectro-optique
lectro optique est plus lev et les
liaisons covalentes rendent le polymre est plus stable en rduisant la mobilit des
chromophores.
Afin dtre utilisable dans un dispositif lectro-optique,
lectro optique, il est primordial de sassurer
de la stabilit dans le temps de lorientation des chromophores. Pour cela, on rajoute une
fonction
on de rticulation qui consiste crer des ractions chimiques de pontage entre les
chromophores et la matrice lorsque le polymre est port au dessus de sa temprature de
rticulation.

Figure 1- 11 : Deux techniques dinsertion de chromophores dans une matrice polymre (a)
( dopage
(b) greffage

~ 46 ~

1.7.2. Le polymre lectro-optique PIII

Dans le cadre de laxe
axe MATTADOR1 du projet MILES2 soutenu par la Rgion des
Pays de la Loire la suite du CPER (Contrat de Projets tat Rgion) Photonique Microondes , nos partenaires chimistes du Laboratoire CEISAM 3 (Dr. Fabrice Odobel) de
lUniversit de Nantes et du Laboratoire UCO2M4 (Prof. Laurent Fontaine) de lUniversit du
Maine ont synthtis le matriau polymre lectro-optique utilis dans notre tude. Ce
polymre baptis PIII avait initialement t mis au point par F. Foll, dans le cadre de sa thse
dirige par le Prof. Bernard Boutevin lUniversit de Montpellier en utilisant un systme de
rticulation dvelopp par le Dr. Dominique
D
Bosc [61;62].. Cest un polymre lectro-optique
lectro
greff rticulable comme le montre la figure 1- 12.

Chromophore DR1

Figure 1- 12: Notre polymre dtude PGMA/DR1 (PIII) dvelopp par CEISAM et UCO2M

Le polymre PGMA/DR1 est form de deux types de monomres. Le premier

monomre ( droite sur la figure 11 12) contient le chromophore DR1. Ce
C chromophore est
1

MATTADOR : Matriaux,
triaux, Technologies, Traitements et Architectures
rchitectures pour les systmes et
Dispositifs Optiques et Radiofrquences
adiofrquences utiliss en communications
2
MILES : Multimdia Ingnierie
ngnierie du Logiciel aidE la dcision Tlecommunication, Dtection et
LocaliSation
3
CEISAM : Chimie Et Interdisciplinarit : Synthse, Analyse, Modlisation
4
UCO2M : Unit de Chimie Organique Molculaire et Macromolculaire

~ 47 ~

co-polymris dans une matrice de type mthacrylate avec le mthacrylate de glycidyle

(GMA). Le second monomre est celui gauche sur la figure 1- 12. Cest une fonction
poxyde utilis pour la rticulation. La stabilit des chromophores aprs leur orientation sous
champ est assure grce la raction de rticulation qui se dclenche aux alentours de 140C
correspondant louverture des fonctions poxydes par lacide carboxylique [12]. Les chanes
de polymre vont ainsi tablir des liaisons covalentes supplmentaires entre elles par
lintermdiaire de lestrification des chromophores DR1. Lapparition de ces nouvelles
liaisons diminue la mobilit du chromophore dans la matrice, favorisant ainsi le maintien de
lorientation.
Le lecteur dsirant connatre plus dinformations sur le polymre PIII peut sorienter
vers les thses de C. Monnereau et de A. Scarpaci [13]. Nous prsentons un rsum des
mesures des proprits optique, lectrique et lectro-optique de PIII aux longueurs dondes
tlcoms. Leur connaissance est fondamentale pour le choix des matriaux de gaine, le
dimensionnement de la structure optique et de llectrode de commande hyperfrquence afin
dtablir le meilleur compromis possible.

1.7.3. Dtermination de lindice de rfraction par la technique

M-lines
La mesure de lindice de rfraction optique du polymre PIII a t effectue par J.
Cardin dans le cadre de son stage post-doc lInstitut de Technologie de Stokholm. La
technique de mesure utilise est la spectroscopie M-lines qui repose sur lexcitation slective
des modes guids dans une couche mince, par lintermdiaire dun prisme de couplage (cf.
figure 1- 13) et pour des angles dincidence particuliers du faisceau laser (angles synchrones).
Pour pouvoir rsoudre lquation de dispersion impliquant lindice et lpaisseur du matriau
caractriser en couche mince, cette technique de mesure ncessite une structure multimode
avec au moins deux modes excits dans le guide plan en couches minces [63]. partir de la
mesure de la position angulaire des modes synchrones laide dune platine tournante et dun
photo-dtecteur plac sur le chemin du faisceau lumineux rflchi sur le prisme, on peut
dterminer lindice effectif des modes guids. Lindice de rfraction optique et lpaisseur de
la couche guidante sont dtermins ensuite partir de lquation de dispersion en mode TE ou
TM.

~ 48 ~

Champ propagatif
Interstice dair

Champ vanescent
Couche mince
Substrat

Figure 1- 13 : Principe de mesure de lindice de rfraction dun matriau en couche par la

mthode de M-lines

Dans le cadre de sa thse prpare lIREENA, S. Le Tacon a dpos sur des substrats
de silicium des films de polymre PIII de lordre de 2,7 m dpaisseur, ce qui permet davoir
une structure multimode la longueur donde de 1550 nm ncessaire la mesure de lindice
de rfraction par la technique M-lines [64]. Les chantillons caractriss ont donn un indice
de rfraction en mode TM de 1,621.

1.7.4. Dtermination de la permittivit par mesure de la

capacit
La permittivit relative r fixe non seulement la vitesse de propagation du signal de
commande hyperfrquence, donc la bande passante lectrique de ce dernier daprs la formule
1- 55 mais sa connaissance est galement indispensable pour dterminer les dimensions de
llectrode de commande hyperfrquence. Cette caractrisation du polymre a t ralise par
A. Gardelein dans le cadre de sa thse prpare lIREENA [8], en basses frquences et en
statique par mesure de la capacit, en plaant le polymre PIII entre deux lectrodes planes
parallles. partir de la distance d entre les deux lectrodes, de leur surface S et de la valeur
de la capacit mesure C, on calcule la valeur de la permittivit relative partir de la relation :
 

}


quation 1- 59

~ 49 ~

Sur lensemble des chantillons mesurs, la valeur de la permittivit relative r en

statique est estime 4,46 avec une marge derreur de 0,38.

1.7.5. Mesure du coefficient lectro-optique laide dun banc

Teng
Le dernier paramtre ncessaire loptimisation dun modulateur base de polymre
PIII est le coefficient lectro-optique r33. En utilisant la mthode propose par Teng et Man
[65], A. Gardelein a mesur le coefficient lectro-optique (r33) du polymre PIII. Cette
mthode consiste placer entre deux polariseurs croiss un film de polymre PIII agissant en
modulateur de polarisation et en orientant laxe de transmission du premier polariseur 45
du plan de lchantillon (cf. figure 1- 14).

Figure 1- 14 : Principe de mesure du coefficient lectro-optique par la mthode de simple rflexion

Teng et Man

Le film de polymre caractriser est pris en sandwich entre une couche daluminium
rflchissante et une couche conductrice transparente. Ces couches servent dlectrodes pour
appliquer un signal lectrique induisant une modulation de polarisation de la lumire lors de
sa traverse du film de polymre. Le compensateur Babinet-Soleil sert annuler le dphasage
d la birfringence entre les deux composantes orthogonales de la lumire, de telle manire
ce que lintensit transmise par lanalyseur soit nulle en labsence de signal lectrique, ce
qui permet davoir une intensit transmise module sur fond continu quasiment nul pour une
dtection optimum.

~ 50 ~

La dtermination du coefficient lectro-optique r33 avec cette mthode est simplifie et

ne ncessite pas la connaissance de lpaisseur de la couche de polymre en prenant les
hypothses suivantes :
-

Seule la rflexion entre le film de polymre et la couche daluminium est

significative.

Les molcules de chromophores sont planes, ce qui permet de supposer que r33 =
3r13.

La diffrence entre les indices de rfraction ordinaire et extraordinaire est

numriquement ngligeable.

Avec ces hypothses, les mesures effectues donnent une estimation du coefficient
lectro-optique r33 du polymre PIII variant de 5 10 pm/V 1550 nm [8]. On remarque un
cart important de la valeur de r33 suivant les chantillons analyss. Il est d la prsence de
points de court-circuit sur les chantillons qui ne permettaient pas de connatre le champ
lectrique avec prcision en tout point de lchantillon. Les prcdentes tudes sur le mme
polymre ont montr que le coefficient lectro-optique du PIII est de lordre de 12 pm/V [62].
Le tableau suivant regroupe les proprits de notre polymre dtude partir
desquelles nous avons procd au choix du matriau des gaines infrieure et suprieure et
optimis la structure dun modulateur lectro-optique.
Proprits

Valeur

Indice de rfraction (n) 1550 nm

1,6 selon [62]

1,621 selon [64]

Permittivit relative (r)

4,46

Coefficient lectro-optique (r33) 1550 nm

5-10 pm/V

Tableau 1- 3 : Valeurs des paramtres caractristiques de notre polymre dtude PGMA/DR1

1.8.

Etat de lart des modulateurs sur polymres

Les meilleures performances sont obtenues par des quipes amricaines, notamment
celles de Dalton et Steier.
Lexemple le plus clatant qui illustre le potentiel en bande passante des modulateurs
sur polymres lectro-optiques est la faisabilit dun modulateur 110 GHz rapporte par D.
~ 51 ~

Chen et al. en 1997 [4]. Il faut signaler que dans cette tude, les auteurs ont fait abstraction
des pertes dinsertion et quils ne donnent pas dinformation sur la tension de commande V
ncessaire au bon fonctionnement du modulateur.
Y. Shi et al. ont prsent, quant eux, un modulateur Mach-Zehnder avec une tension
de commande V de 0,8 V et des pertes dinsertion de 7 dB 1318 nm [66]. Le modulateur
est en mode de fonctionnement push-pull (chromophores orients en sens opposs dans les
bras) avec une longueur dinteraction entre ondes lectrique et optique de 2,75 cm. Les guides
optiques ont une structure de ruban invers. Leur cur est constitu dun polymre de type
dop, dont la matrice hte est le PMMA et le chromophore est le CLD-1. Il prsente un r33 de
58 pm/V 1318 nm selon la valeur de V obtenue. Pour cette tude, la valeur de la bande
passante nest pas indique.
H. Chen et al. [67] ont prsent en 2008 trois modulateurs Mach-Zehnder avec des
polymres de cur diffrents : LPD-80, AJ-416 et AJ-CKL1. La structure guidante du
modulateur est un guide ruban invers. La longueur dinteraction est de 2 cm. Les trois
modulateurs ont une bande passante de 40 GHz. A la longueur donde de 1,55 m, selon le
polymre utilis, le coefficient lectro-optique va de 43 84 pm/V, la tension de commande
est comprise entre 0,6 et 0,9 V. Ces rsultats trs intressants sont malheureusement
contrebalancs par des pertes dinsertion optiques leves (entre 11 et 17 dB).
A ce jour, aucun modulateur sur polymre nest encore parvenu runir toutes les
qualits pour concurrencer les modulateurs dj commercialiss. Vraisemblablement, le
problme de stabilit des caractristiques des modulateurs demandera encore des efforts de
recherche avant darriver lindustrialisation de modulateurs sur polymres.

~ 52 ~

1.9.

Bilan

Dans ce chapitre, nous avons dans un premier temps compar les deux modes de
modulation, modulation directe et modulation externe, en mettant en avant lavantage de la
modulation externe en termes de bande passante et de chirp . Nous avons ensuite tudi les
notions et les phnomnes utiles pour la conception de modulateurs sur polymre lectrooptique, tels que le facteur de confinement, la constante de propagation et londe vanescente.
Les effets optiques non-linaires en gnral sont brivement abords avant de
prsenter leffet lectro-optique plus en dtail. Parmi les modulateurs actuellement
disponibles sur le march, nous avons prsent les deux types les plus performants,
modulateurs lectro-absorption et modulateurs lectro-optiques bass sur leffet Pockels, en
soulignant leurs avantages et leurs inconvnients. Nous avons tudi galement linfluence du
dsaccord de vitesse de phase entre ondes optique et lectrique sur la bande passante
intrinsque des modulateurs commande lectrique.
Une prsentation comparative a t effectue sur les trois principales familles de
matriaux lectro-optiques et fait apparatre les polymres comme une piste prometteuse pour
franchir le plafond en bande passante des modulateurs lectro-optiques base de semiconducteurs et de cristaux inorganiques. Nous avons expos quelques gnralits sur les
polymres lectro-optiques et les techniques mises en place dans notre laboratoire pour
dterminer leurs proprits. Enfin, un tat de lart des modulateurs sur polymres rapports
dans la littrature a t dress.

~ 53 ~

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~ 60 ~

Chapitre II : Conception dun

modulateur lectro-optique base
de polymre

~ 61 ~

~ 62 ~

Chapitre II
2.

Conception dun modulateur lectro-optique base

de polymre

2.1.

Introduction

Comme nous lavons vu prcdemment, les proprits des matriaux organiques, en

loccurrence des polymres lectro-optique, peuvent tre intressantes pour la ralisation dun
modulateur lectro-optique. Cependant, la ralisation dun modulateur passe par un certain
nombre dtapes de fabrication et ce sont ces dernires, avec leurs contraintes, qui vont, en
grande partie, dterminer nos choix et stratgies.
La premire tape consiste dposer le polymre sous forme de films mince en vue
den raliser un guide donde optique. Or, pour rendre leffet lectro-optique optimal, une
tape supplmentaire est ncessaire afin dorienter sous haute tension les chromophores actifs.
Ces derniers seront figs lors de la rticulation avant les tapes de gravure.
Les tapes de gravure entrent alors en jeu en vue de raliser une structure de type
Mach-Zehnder. Or, pour raliser une telle structure guidante monomode, il convient de
raliser tout dabord un guide monomode de type rectangulaire enterr. Dans notre cas, cette
contrainte dicte alors le choix du matriau polymre qui confinera londe optique dans le
matriau lectro-optique. Une fois le guide optique monomode dfini, il faut alors raliser
llectrode de commande qui permettra dappliquer la tension lectrique et de moduler ainsi la
lumire. Le taux de recouvrement des ondes optiques et hyperfrquences et ladaptation de
llectrode une impdance de 50 conditionneront alors les dimensions de cette lectrode
et auront galement des incidences sur les jonctions Y du modulateur lectro-optique de type
Mach-Zehnder. Cest pourquoi, nous nous attacherons expliciter les diffrents choix
stratgiques effectus en fonction des contraintes technologiques et physiques pour la
ralisation dun tel composant.
Ayant pris conscience de ces contraintes, loptimisation de la structure guidante
monomode, dune lectrode de commande microruban et des jonctions Y sera prsente. Ces
~ 63 ~

optimisations sont ralises laide du logiciel de simulation optique OptiBPM et du logiciel

de simulation lectromagntique HFSS. La bande passante du composant optimis sera
ensuite value et nous mettrons alors en vidence les facteurs limitant les performances du
modulateur lectro-optique base de polymre.

2.2.

Contraintes technologiques lies la ralisation dun tel

composant
Quelles que soient la nature et les performances du polymre, il est ncessaire de le
rendre exploitable dun point de vue optique. Cela passe par la ralisation dune structure
guidante, mais avant darriver cette fonctionnalisation, il faut raliser des films minces de
polymres.

2.2.1. Dpt en couches minces de polymres

Pour la mise en forme du polymre, nous avons utilis la mthode de dpt par
centrifugation la tournette appele aussi spin-coating [1]. Cette mthode consiste
dposer le polymre en solution sur un substrat, de mettre ensuite ce dernier en rotation afin
dtaler uniformment le polymre. Finalement, le solvant svapore lors dune phase de
schage vitesse de rotation constante (cf. figure 2- 1). Contrairement la mthode de
trempage (dip-coating) [2] qui ncessite une grande quantit de polymre pour pouvoir
tremper le substrat entier dans le flacon, la mthode de dpt la tournette ncessite une
quantit limite et permet davoir des films dpaisseur homogne. noter que lpaisseur
des couches obtenues dpend essentiellement de la viscosit du polymre employ et de la
vitesse de rotation de la tournette.

Figure 2- 1 : Dpt de polymre par centrifugation la tournette (spin-coating)

~ 64 ~

Suivant le type de polymre (photopolymrisable ou bien thermopolymrisable), le

traitement diffre lgrement aprs ltalement la tournette : lchantillon est alors soit port
la temprature ncessaire sa rticulation dans un four ou sur une plaque chauffante, soit
insol sous une radiation lumineuse permettant la rticulation du polymre. Les deux
procds peuvent tre, parfois, appliqus un mme polymre.
Afin dapprhender lvolution de lpaisseur de film de polymre dpos en fonction
de la vitesse de la tournette, nous prsentons sur la figure 2- 2 la courbe dtalonnage obtenue
pour une rsine photosensible dsigne par lacronyme SU8-2005. Par la suite, nous
utiliserons cette rsine comme gaine optique. Lanalyse de lvolution de lpaisseur ralise
laide dun profilomtre a montr que lpaisseur dpose est relativement homogne
jusqu 4 m, cette valeur correspondant une vitesse de rotation de la platine de 4000 tr/min.
Au-del, des variations significatives sont observes. Par consquent, pour raliser des
paisseurs suprieures 4 m, nous procdons des dpts multicouches ou successifs
dpaisseur infrieure 4 m.

Figure 2- 2 : volution de lpaisseur du polymre SU8-2005 en fonction de la vitesse de rotation de

la platine tournante

Les multicouches seront ralises sur un substrat en silicium. Ce dernier sera mtallis
en vue de raliser un plan de masse ncessaire lapplication du champ lectrique lorigine
de leffet lectro-optique. Ces multicouches, nous le verrons par la suite, seront ralises
partir de polymres passif (gaine optique) et actif (lectro-optique).

~ 65 ~

En ce qui concerne le polymre actif, il est ncessaire dorienter les chromophores afin
dobtenir un effet lectro-optique optimal et ce, avant de rticuler le polymre. Un dispositif
dorientation des chromophores plus communment appel poling est alors employ.

2.2.2. Orientation des chromophores du polymre lectrooptique : Poling

Comme il a t dit prcdemment (cf. chapitre I), lefficacit lectro-optique nest
optimale que lorsque les lignes de champs appliques par llectrode de commande sont
orientes dans la mme direction que les chromophores. En effet, lorsque nous dposons la
couche du polymre actif (PIII), les chromophores sont orients dune faon alatoire et par
consquent leffet lectro-optique moyen est nul. Ainsi, pour induire une non-linarit dans le
matriau, les molcules doivent tre orientes. La qualit de cette orientation agit directement
sur le coefficient lectro-optique du polymre (cf. formule 1- 57) et donc sur les performances
du modulateur lectro-optique que lon souhaite raliser. Il existe diffrentes manires
permettant dorienter les chromophores. Nous prsentons ici la technique la plus utilise qui
est lorientation sous un champ lectrique. Pour mettre en uvre cette technique il faut
chauffer le film de polymre une temprature suprieure sa temprature de transition
vitreuse afin de faciliter la mobilit des molcules. Nous appliquons ensuite un champ
lectrique intense cr par un fort potentiel (5 12 kV) pendant plusieurs minutes. Dans le cas
o le polymre possde une fonction de rticulation, on augmente la temprature du dispositif
en dessus de sa temprature de rticulation tout en maintenant le champ lectrique appliqu.
Lorsque la rticulation est effective, on ramne la temprature du polymre la temprature
ambiante. Au final, on obtiendra une couche mince dont les chromophores seront orients
dans la direction du champ appliqu. Ce dernier peut tre appliqu de deux manires
diffrentes : par une lectrode ou par une pointe.

2.2.2.1.

Orientation par lectrode

Les chromophores, placs entre les lectrodes, vont tre orients selon le champ
lectrostatique appliqu (cf. figure 2- 3). Pour cela, une forte tension lectrique (de lordre de
500 V [3]) est applique entre les deux lectrodes. Le champ lectrique ainsi cr lintrieur
du matriau va permettre lorientation des chromophores dans la direction perpendiculaire au
~ 66 ~

substrat. Cette mthode permet davoir une orientation homogne sur de grandes
grand surfaces,
mais prsente des risques de claquage plus importants. En effet, linhomognit prsente
dans le film de polymre peut provoquer un point de court-circuit
court circuit entre les lectrodes [4].

Figure 2- 3 : Orientation des chromophores du polymre lectro-optique

lectro optique (EO) en utilisant une
lectrode de type microruban

2.2.2.2.

Orientation par effet couronne :

Dans cette configuration, lchantillon

lchantillon orienter est plac sur une plaque chauffante
servant aussi de plan de masse et situ quelques centimtres de la pointe. Le champ
lectrique intense appliqu au niveau de la pointe entraine une ionisation de lenvironnement.
Les ions positifs ainsi produits
oduits sous leffet du champ lectrique appliqu se dirigent vers la
surface de lchantillon. Si la temprature de polymre est suprieure sa temprature de
transition vitreuse, les chromophores sorientent alors suivant la direction du champ lectrique
ainsi cr (cf. figure 2- 4 (a)). Malgr lapparente facilit de la mise en uvre de cette
mthode, lorientation des chromophores par effet couronne ne permet
permet pas davoir une
orientation homogne sur toute la surface de lchantillon. Pour augmenter cette homognit,
on insre une grille, dune grande transparence,
transparence, entre la pointe et lchantillon (cf. figure 2- 4
(b)). Cest ce systme, appel systme triode [5;6],, que nous utilisons pour orienter les
chromophores du polymre actif (PIII). Avec cette technique, nous obtenons une uniformit
de lorientation de lordre de 80%
80% sur la surface dun chantillon du polymre actif (PIII) de
25 x 25 mm [7]. Cette surface homogne nous donne une indication trs importante quant
aux dimensions du modulateur et plus particulirement la longueur dinteraction ralisable
entre londe optique et londe lectrique comme nous allons le voirr par la suite.
suite

~ 67 ~

Figure 2- 4 : Les
es deux techniques dorientation des chromophores par effet couronne

Avec les deux techniques prsentes ci-dessus,

ci dessus, il est possible dorienter les
chromophores orthogonalement au plan des couches
couches de polymres actifs. Il conviendra donc,
pour obtenir une efficacit lectro-optique,
lectro optique, dappliquer le champ lectrique dans cette mme
direction, ce qui nous obligera choisir une configuration dlectrode adapte pour la
commande du modulateur.

2.3.

Dmarche
he de ralisation dune structure lectrolectro

optique de type Mach-Zehnder

Mach
2.3.1. Ralisation dun guide donde optique monomode
Dans un guide donde optique, la lumire est, pour lessentiel, confine dans le cur
dont lindice de rfraction doit tre suprieur celui
celui du matriau de gaine optique qui
lentoure. Cest pourquoi nous employons le polymre lectro-optique
lectro optique PIII comme le cur du
guide donde optique. Par consquent, les matriaux de gaine devront avoir un indice de
rfraction infrieur celui du polymre lectro-optique
optique PIII, de lordre de 1,6. Or, dun point
de vue performance, il est primordial quil ne se propage quun seul mode au sein du guide
optique. En effet, une structure Mach-Zehnder
Mach Zehnder ralise sur un guide multimode serait alors
pnalise par les interfrences entre modes et par consquent, la bande passante du composant
et son taux dextinction seraient restreints (cf. paragraphe 1.5.2.2 du premier chapitre).
~ 68 ~

Il faut garder en mmoire quun composant est galement qualifi par ses pertes
dinsertions optiques. Or, les pertes dinjection dans un tel guide sont gnralement lorigine
de pnalits souvent rdhibitoires. Cest pourquoi, les dimensions du guide et/ou du mode
devront tre les plus grandes possibles afin de faciliter le couplage entre la fibre optique et le
guide donde en polymre lectro-optique.
Les dimensions gomtriques dun guide donde et son caractre monomode sont
directement lis lcart dindice entre le cur et la gaine entourant celui-ci. titre
dexemple, nous prsentons sur la figure 2- 5 le caractre monomode ou multimode dun
guide de section carr en fonction de ses dimensions et de lcart dindice entre le cur et la
gaine.

Figure 2- 5 : Domaines monomode et multimode en fonction de lcart dindice entre le cur et la

gaine pour n = 1,6

Cependant plusieurs autres critres essentiels sont prendre en compte lors du choix
du matriau de la gaine optique. Dabord, lindice de rfraction optique doit tre plus faible
que celui du polymre lectro-optique tout en respectant un cart dindice raisonnable nous
permettant davoir un guide optique avec une section la plus grande possible. Ensuite, ce
matriau de gaine doit tre compatible chimiquement et thermiquement avec le matriau
lectro-optique. En effet, la gaine infrieure ne doit pas subir de dgradation lors du dpt en
solution et du cycle thermique de lorientation et de la rticulation du polymre. Et
finalement, dun point de vue lectrique, sa permittivit relative doit tre proche du carr de
son indice de rfraction car une fraction de lumire guide est tout de mme confine dans la
~ 69 ~

gaine et sa tangente de perte (tan ) doit tre assez faible pour limiter lattnuation de la
puissance du signal lectrique. Nous avons ainsi choisi le polymre SU8 qui semble tre la
rsine commerciale la plus approprie pour rpondre nos besoins selon ltude effectue par
S. Le Tacon [8]. Cette rsine est constitue dune matrice poxy dans laquelle sont disperss
des agents photosensibles. Elle est couramment utilise en photolithographie et elle a fait
lobjet de plusieurs tudes en optique intgre [9-11].
Les proprits optiques et lectriques de la rsine SU8, qui nous seront ncessaires
pour loptimisation du modulateur lectro-optique, sont regroupes dans le tableau 2- 1:
Proprits

Valeur

Indice de rfraction 1550 nm

1,575 [8]

Permittivit relative (r)

3,55 de 10 40 GHz selon [12]

3,22 de 2 40 GHz selon [13]

Tangente de perte (tan)

0,078 de 10 40 GHz selon [12]

0,043 de 2 40 GHz selon [13]

Rsistivit

1,3 108 .m 135C [10]

Tableau 2- 1 : Proprits intrinsques de la gaine optique SU8

Pour la ralisation du guide donde optique, nous avons opt pour une structure de
guides enterrs rectangulaires laide de dpt et gravures successives. La figure 2- 6
schmatise le procd technologique complet pour la ralisation du guide optique base du
polymre lectro-optique PGMA/DR1 (PIII).

~ 70 ~

Figure 2- 6 : Procd technologique de ralisation dun guide donde optique enterr base du
polymre actif PGMA/DR1 (PIII)

Sur un wafer en silicium, nous procdons au dpt par spin-coating

spin coating de la gaine
infrieure en SU8. Afin de pouvoir dposer sur cette couche le polymre lectro-optique
lectro
PIII,
il est ncessaire de procder la rticulation de la SU8 par irradiation UV et par le chauffage
thermique. On utilise nouveau la mthode de dpt par spin-coating
spin coating pour obtenir une
couche du polymre PIII. Ce dernier tant dpos, on procde lorientation des
chromophores par poling. Cette tape se termine par la rticulation du polymre
poly
pour figer
lorientation de ses chromophores. Une gravure sche RIE, cette dernire tant ralise en
collaboration avec le Centre Commun Lannionnais d'Optique (CCLO) du laboratoire
FOTON, permet de dlimiter latralement le cur du guide en couche de polymre PIII dans
lequel sera confine londe optique. Enfin, un dernier dpt de polymre SU8 permet de
raliser la gaine suprieure et latrale du guide rectangulaire, enterrant ainsi le cur dans la
gaine en SU8. Un des facteurs limitants reste cependant
cependant lpaisseur maximale de polymre
PIII que nous pouvons dposer. Selon S. Le Tacon [8] cette paisseur est de 2,5 m.

~ 71 ~

Figure 2- 7 : Vue de la structure finale retenue pour loptimisation et la ralisation du guide donde
optique base de polymre PGMA/DR1 (PIII)

La structure finale sera donc constitue de ce guide donde qui se sparera en deux
bras travers une jonction Y pour venir se recombiner au sein dun mme guide travers une
seconde jonction Y en vue de constituer un interfromtre
interfromtre de type Mach-Zehnder.
Mach
Une
illustration de la structure du modulateur lectro-optique
lectro
[12] base du polymre
PGMA/DR1 (PIII) en vue dune ralisation est montre sur la figure 2- 7.
Lutilisation dun modulateur Mach-Zehnder
Mach Zehnder ncessite lapplication dune tension de
commande pour modifier les proprits optiques du guide. Nous allons maintenant nous
intresser la mise en place des lectrodes qui permettront lapplication de cette tension.
ten

2.3.2. Choix de llectrode

l
de commande
2.3.2.1.

Quelques rappels sur les lignes planaires

Il existe plusieurs structures de propagation permettant de transmettre le signal

lectrique. Dans le cadre de cette thse, nous prsentons les trois principales structures de
propagation que nous avons t amens employer et qui sont utilises dans la plupart des
composants opto-hyperfrquence
hyperfrquence et plus particulirement dans les modulateurs lectrolectro
optiques, savoir la ligne microruban, la ligne coplanaire et la ligne coplanaire
coplana plan de
masse infrieur (cf. figure 2- 8).
8). En raison de linhomognit de ces lignes de transmission,
air en dessus et dilectrique en dessous du ruban
ruban central, les modes de propagation sont
hybrides et prsentent donc une composante longitudinale la fois du champ lectrique et du
champ magntique. Cependant comme lamplitude de ces composantes longitudinales est
ngligeable par rapport celle des composantes
c
transverses, les champs lectromagntiques
~ 72 ~

TEM lorsque la distance entre les rubans mtalliques est beaucoup plus
sont en mode quasi-TEM
faible devant la longueur donde. 80 GHz, la longueur donde est de 3,75 mm dans le vide
et denviron 2 mm dans le polymre SU8. Elle est bien suprieure la distance de 8 m entre
le ruban et le plan de masse dune ligne microruban et la distance 13 m entre les rubans
dune ligne coplanaire.
lanaire. On parle alors dun mode quasi-TEM
quasi TEM au lieu du mode TEM pur dont
les composantes longitudinales sont nulles.

Figure 2- 8 : Diffrents types de lignes de transmission que nous avons tudies

Les lignes de transmission hyperfrquence se caractrisent, dans le cas gnral, par

deux principaux paramtres qui sont limpdance caractristique (Zc) et la constante de
propagation ( = + j). Rigoureusement, limpdance caractristique (Z
(Zc) de la ligne nest
clairement dfiniee que dans le cas dune structure propageant un mode TEM pur. Pour les
frquences les plus basses du spectre hyperfrquence, on peut tendre ce concept aux modes
quasi-TEM.
TEM. Dans le cas de lignes devant fonctionner sur de larges bandes de frquences et
aux trs hautes frquences (ondes millimtriques), il convient de faire trs attention lors de
lutilisation de cette notion. La nature hybride du mode de propagation met en vidence les
ambiguts associes la dfinition de limpdance de la ligne.
Plusieurss dfinitions de limpdance caractristique sont en effet possibles : la
dfinition Puissance Courant (ZC = 2P/|I|), Puissance Tension (ZC = |U|/2P
U|/2P) ou Tension
Courant (ZC = U/I). Si ces dfinitions aboutissent des rsultats similaires en basse frquence
pour les lignes de transmission quasi-TEM,
quasi TEM, en moyenne et haute frquence les rsultats
divergent. Enn fonction de lapplication envisage, on utilise alors
lors lune ou lautre de ces
dfinitions. Pour la conception de dispositifs passifs nutilisant quun seul type de ligne, le
choix dune dfinition particulire nest pas forcment critique. Il peut le devenir dans le cas
o lon dveloppe des dispositifs actifs et quil faut adapter une impdance localise ou des
dispositifs passifs utilisant plusieurs
plusieurs types de lignes (association microruban microfente par
exemple).
~ 73 ~

Concernant la constante de propagation ( = + j), sa partie relle () reprsente

laffaiblissement linique de londe dans la direction de propagation provoqu par lensemble
des pertes. Quant sa partie imaginaire (), elle reprsente le dphasage linique et indique la
variation de phase de londe dans la direction de propagation.
Les pertes de la ligne hyperfrquence sont des lments essentiels prendre en compte
lors de loptimisation de llectrode de commande. Elles reprsentent la cause principale de la
limitation de la bande passante dans les modulateurs lectro-optiques sur polymre dont
laccord de vitesse entre ondes optique et lectrique autorise une bande passante au-del de
100 GHz. Il existe trois types de pertes dans les structures planaires : les pertes lies la
conductivit finie et ltat de surface des mtallisations, les pertes dilectriques lies la
nature du substrat et finalement les pertes lies au rayonnement gnralement engendres par
une discontinuit sur la ligne.
Nous verrons par la suite que, dans notre application, la majorit des pertes dans les
lignes planaires est due essentiellement aux pertes mtalliques en raison de la conductivit
finie des mtaux employs. Gnralement, les mtaux utiliss pour la fabrication des lignes de
transmissions sont : laluminium (Al), lor (Au) et le cuivre (Cu). Leffet de peau, o le
courant se concentre juste en dessous de la surface du conducteur peut aggraver les pertes
mtalliques de manire assez significative. Il est montr dans la littrature quune paisseur de
mtal suprieure trois fois lpaisseur de peau est ncessaire pour minimiser ces pertes
[14;15]. Cette paisseur de peau se calcule partir de la formule suivante :


"

an

quation 2- 1

O, est la conductivit du mtal utilis (S/m) et 0 est la permabilit du vide. Pour

laluminium ( = 3,8.107 S/m), cette paisseur de peau , une frquence de 10 GHz est de
0,82 m. Par consquent, afin de saffranchir des pertes qui peuvent tre engendres par
leffet de peau, le mieux est de prendre une paisseur daluminium minimale de 2,5 m pour
des applications allant jusqu 10 GHz. Par ailleurs, la rugosit de la surface de mtallisation
peut contribuer laugmentation des pertes mtalliques. Par exemple, pour une lectrode en
cuivre, si elle prsente une rugosit de moyenne quadratique de 1 m, les pertes mtalliques
seront majores de 60% pour la gamme de frquence de quelques GHz, tant donn que cette
rugosit est du mme ordre de grandeur que lpaisseur de peau [16].

~ 74 ~

La seconde source de pertes dans les lignes de transmission hyperfrquence provient

du matriau dilectrique employ. En effet, les pertes dilectriques dpendent principalement
des caractristiques du substrat dans la bande de frquence utilise [17].
[17] Ces pertes sont
caractrises par un terme dpendant de la frquence appel tangente de perte (not tan ) et
qui est dfini comme tant le rapport entre la partie imaginaire de la permittivit dilectrique
et sa partie relle. Dans le cas gnral, les pertes dilectriques sont plus faibles que les pertes
mtalliques.
Il existe galement les
es pertes dites par rayonnement qui sont dues aux discontinuits
rencontres par londe le long de la ligne de transmission.. Gnralement, ces pertes sont
ngligeables devant les autres pertes voques prcdemment. Elles peuvent cependant
favoriser le couplage avec les modes de propagation dans la structure autre que ceux dsirs.

2.3.2.2.

Ligne de transmission optimale

Compte tenu de la gomtrie dorientation des chromophores du polymre lectrolectro

optique PIII, la ligne la plus approprie
approprie pour solliciter les proprits doptique non linaires
du polymre est la ligne microruban.

Figure 2- 9 : Lignes de champ lectrique appliqu par llectrode de commande et lorientation des
chromophores

En effet, le champ lectrique appliqu par llectrode microruban est parallle aux
chromophores orients (cf. figure 22 9): condition ncessaire pour induire la variation dindice
optique du polymre lectro-optique
optique et garantir une efficacit lectro-optique
lectro optique optimale.
optimale
La structure de la ligne microruban (cf. figure 2- 10 (a)) a t propose pour la
premire fois en 1952 [18].. Elle est constitue dun ruban mtallique de largeur (W) et
~ 75 ~

dpaisseur (t) dpos sur un substrat dilectrique dpaisseur (h), de permittivit

permitti
relative
(constante dilectrique) r et dun plan de masse mtallique recouvrant la partie infrieure du
substrat. La reprsentation des composantes transverses des champs lectrique et magntique
du mode fondamental quasi-TEM
TEM est illustre sur la figure 2- 10 (b).

Figure 22 10 : Ligne de transmission microruban

La bande passante dune ligne microruban est limite par les pertes globales de
propagation (pertes mtalliques, pertes dilectriques et pertes par rayonnement), par
lapparition des modes dordre suprieur ou encore par lapparition des modes parasites lis
li
aux modes de substrat [19]. Une estimation de la frquence dapparition dun mode suprieur
dordre n est donne par la relation suivante [20] :
n, 



o U

quation 2- 2

O, c est la vitesse de la lumire dans le vide en m/s,

m , n est un entier positif,
posit Zc
reprsente limpdance caractristique de la ligne, h est lpaisseur du substrat en mm et 0
limpdance donde dans le vide (
( 0 377 ).
). La frquence f est donne en GHz.
Lquation 2- 2 reste valable tant que h / 0 << 1 et W / h >> 1. Nous verrons,
verr
par la
suite, que compte tenue de la valeur de lpaisseur du substrat (h), la premire condition est
toujours respecte mme de trs hautes frquences ( titre dexemple, une frquence de
100 GHz et pour une paisseur de 10 m, le rapport h / 0 est de 3,34.10-3
<< 1). Quant la

seconde condition, pour avoir une impdance caractristique proche de 50 , il faut un

rapport W / h 2 puisque, dans le cas gnral, la constante dilectrique de polymre est

~ 76 ~

relativement faible. Dans ce cas, nous ne pouvons pas dire que W / h >> 1. Par ailleurs, mme
si la seconde condition nest pas totalement remplie, nous pouvons obtenir une valeur
approximative de la frquence de coupure et sassurer ainsi de ne pas avoir des problmes lis
lapparition des modes dordre suprieur.
Les modes de substrat ou ondes de surface sont des modes de type TE ou TM. Ces
modes peuvent tre coupls avec le mode fondamental quasi-TEM de la ligne microruban
lorsque la vitesse de phase de ce dernier devient proche de celle dun mode de substrat.
Lexcitation de ces modes est lorigine de pertes supplmentaires. Lexpression de la
frquence de couplage du premier mode de substrat de type TE au mode quasi-TEM est
donne par la formule suivante :
nX,4 

#

lU |"

quation 2- 3

De mme, la frquence de couplage du premier mode de substrat de type TM au mode

fondamental quasi-TEM est donne par la formule suivante :
nX,4 

.XX  
aU "

quation 2- 4

Dans les formules 2- 3 et 2- 4, h est lpaisseur du substrat en m et f la frquence

obtenue en Hz.
Dans le cas de couches minces (quelques micromtres dpaisseur), le problme li au
couplage du mode de substrat, de type TE ou TM au mode fondamental quasi-TEM est vit
sans problme, mis part des frquences de travail de lordre des THz. Dun point de vue
transmission, le couplage du mode fondamental avec dautres modes apparatra bien au-del
de la frquence de coupure haute lie essentiellement aux pertes.
Ainsi, lemploi dune telle lectrode pour raliser le modulateur lectro-optique
engendrera trois tapes technologiques supplmentaires celles dj ncessaires la
ralisation du guide donde optique (cf. figure 2- 6). En effet, un plan de masse doit tre
pralablement dpos sur le wafer en silicium, puis, aprs avoir ralis la structure du guide
optique, une seconde couche de mtal est dpose sur la gaine suprieure. Cette couche est
alors grave en vue de raliser llectrode de commande aligne sur un des bras de guide
optique en polymre PIII.

~ 77 ~

Figure 2- 11 : Procd technologique complet pour la ralisation du modulateur lectro-optique

lectro

base du polymre actif PGMA/DR1

Ayant pris conscience des tapes et contraintes technologiques lies la ralisation du

modulateur lectro-optique,
ique, nous pouvons alors procder loptimisation des deux guides
donde : optique et hyperfrquence.

2.4.

Optimisation lectro-optique
lectro optique du modulateur

Le dpt des diffrentes couches de polymre et les gravures successives vont nous
amener raliser un guide donde optique, nous rappelons que celui-ci
celui ci devra prsenter les
dimensions gomtriques les plus grandes possibles tout en restant monomode. Nous allons
donc optimiser la structure partir des donnes physiques des polymres que nous utilisons
(indice de rfraction, pertes, paisseur dposable, etc) et ce, laide dun logiciel de
simulation optique. Par la suite, nous nous intresserons au dimensionnement de llectrode
pour optimiser ses performances tout en garantissant un taux de recouvrement de londe
lon
optique et lectrique optimal. partir de ces donnes, le design du coupleur 1 vers 2
(jonction Y) -33 dB qui permettra de raliser les "jonctions sparatrices" du Mach-Zehnder
Mach

~ 78 ~

sera effectu [21]. Il sera enfin temps dvaluer la bande passante du modulateur que nous
aurons numriquement optimis.

2.4.1. Optimisation du guide donde optique

2.4.1.1.

Outil de simulation optique

Pour dcrire le phnomne de propagation de la lumire dans des guides dondes

optiques dont les solutions analytiques des quations de Maxwell nexistent pas, on fait appel
des mthodes semi-analytiques ou numriques permettant de rpondre efficacement aux
besoins de lutilisateur. De ce fait, plusieurs mthodes de rsolution ont t dveloppes selon
la nature et la complexit des guides optiques [22]. Les deux mthodes les plus utilises dans
le domaine de loptique intgre, pour leur facilit de mise en uvre, sont la mthode de
lindice effectif [23-25] et la mthode de faisceaux propags (Beam Propagation Method :
BPM) [26-28]. La premire mthode est base sur une approche semi-analytique qui consiste
transformer une structure tridimensionnelle en une structure deux dimensions qui peut
alors tre traite analytiquement. En effet, lquation donde deux dimensions, par
sparation des variables du champ propag, est transforme en un systme de deux quations.
Cependant la mthode de lindice effectif nest pas adapte pour la dtermination prcise des
profils de champ et elle ne permet pas de traiter des structures complexes : les courbures et
jonctions qui sont employes pour la ralisation dun interfromtre Mach-Zehnder ne
peuvent tre traites par cette mthode.
Pour nos travaux de conception et doptimisation nous avons utilis la mthode de
faisceaux propags (BPM) du fait de sa simplicit demploi et son efficacit dans le domaine
de loptique intgre. Cette mthode est adapte des structures complexes avec prise en
compte des effets lis aux champs radiatifs et des problmes lis aux couplages entre modes.
Elle permet, entre autre, de prendre en compte les diffrents tats de polarisation, les effets de
loptique non linaire ainsi que les pertes dabsorption des matriaux. Cette mthode est assez
prcise et est considre comme lune des mthodes les plus puissantes dans le domaine de
loptique linaire et non linaire. Elle ncessite, cependant, dimportantes ressources
informatiques.
La mthode BPM est base sur une rsolution numrique permettant dtudier le
comportement lectromagntique des quations qui rgissent la propagation de la lumire
~ 79 ~

dans les milieux considrs. Le calcul est effectu en divisant la structure en tranches
espaces dun pas de discrtisation z dfini par lutilisateur (cf. figure 22 12). Le calcul
du champ chaque pas est obtenu partir du rsultat du champ connu au pas prcdent. Le
champ initial est dtermin
n par lutilisateur et peut correspondre un faisceau gaussien, dont
on peut dfinir les
es proprits pour sapprocher du mode similaire linjection
linjecti partir dune
fibre optique. Cee champ peut correspondre aussi un mode rectangulaire ou encore un
mode propre de la structure guidante dtermin partir de lanalyse modale.
Sur chaque tranche, la mthode BPM fait appel aux mthodes de rsolution numrique
les plus couramment utilises telles
te s que la mthode des lments finis (FEM) [29], la
transforme
ransforme de Fourier rapide (FFT)
(
[30] ou encore la mthode de diffrences
diffrence finies (FD)
[31]. La mthode de calcul que nous utilisons partir du
du logiciel commercial OptiBPM est
fonde sur les diffrences finies. Cette mthode dcoule directement des quations de
Maxwell avec dpendance temporelle [32] et permet de prendre en compte les changements
de direction de propagation. En effet, le champ prsent sur le plan transverse (xy) (cf. figure
2- 12)) est dtermin partir de la mthode de diffrence finie selon une discrtisation dfinie
par lutilisateur. Ensuite, partir des conditions initiales et des conditions aux limites,
li
le
champ correspondant au point de coordonnes
coordonne (m, n), par exemple, est obtenu partir des
points qui lentourent. Lorsque la totalit du champ est connue sur le plan transverse (xy), le
champ est projet sur le plan z suivant partir dun pas de discrtisation dfini par
lutilisateur. Enfin, la mthode que nous utilisons est une mthode vectorielle qui permet de
prendre en compte les effets de la polarisation.

Figure 2- 12 : Schma de principe de la mthode de faisceaux propags (BPM) base sur les
diffrences finies
~ 80 ~

Pour de plus amples informations quant au dtail de lalgorithme utilis par cette
mthode et notamment les conditions aux limites, nous renvoyons le lecteur aux articles
suivants [33;34].

2.4.1.2.

Conception de la section droite du guide optique

Pour loptimisation de la structure du modulateur lectro-optique, nous avons opt

pour lutilisation des guides rectangulaires saut dindice (cf. figure 2- 7) qui permettent de
concentrer lnergie lumineuse lendroit de linteraction de londe optique et de londe
lectrique. Ceci nous permettra, comme nous allons le voir par la suite, dobtenir un taux de
recouvrement optimal. Ltude thorique de ce type de guide confinement suivant deux
dimensions permet de dfinir des modes TE (transverse lectrique) et TM (transverse
magntique), ou plus exactement des modes quasi-TE et quasi-TM, du fait que les champs
sont dpendants lun de lautre. Toutes les composantes du champ de ces modes existent
part celles suivant laxe de propagation (Oz), savoir les composantes Ez et Hz,
respectivement pour les modes TE et TM. Ainsi, en raison du couplage entre les composantes
et les conditions aux limites des structures, la rsolution des quations de Maxwell appliques
une structure deux dimensions nest pas possible analytiquement. Pour remdier ce
problme, nous allons utiliser le logiciel commercial OptiBPM pour la conception de la partie
optique de notre modulateur. La premire tape consiste en loptimisation dun guide donde
optique dont le cur est en polymre effet lectro-optique PGMA/DR1 (PIII) et les couches
de confinement sont en polymre SU8. Ce guide donde doit tre monomode avec un fort
facteur de confinement de londe optique dans le cur afin doptimiser terme la conversion
lectro-optique. En raison de lorientation des chromophores perpendiculaire la couche de
polymre lectro-optique suite un poling par effet couronne, la polarisation de la lumire
dans le guide doit tre en mode TM afin de bnficier du coefficient lectro-optique le plus
lev, en loccurrence le coefficient r33, comme cela a t expliqu dans les paragraphes
1.4.2.2 et 1.4.2.3 du chapitre 1.
Nos contraintes technologiques nous imposent une paisseur du cur en polymre
actif (PIII) de seulement 2,5 m, ralis en deux dpts successifs. Partant de cette valeur,
notre premire tche a consist en loptimisation de lpaisseur de la gaine infrieure et de
celle de la gaine suprieure ncessaires pour assurer un guidage de la lumire optimal. En
effet, londe vanescente peut reprsenter un handicap pour le guidage optique dans le cas o
~ 81 ~

les paisseurs de ces gaines sont trop petites et que par consquent,
nsquent, une grande partie de
l'nergie de l'onde se trouve absorbe terme par les
l lectrodes infrieure et suprieure.
suprieure Afin
dviter labsorption de la lumire par les lectrodes, la littrature montre quune paisseur pe
suprieure deux trois foiss la profondeur de pntration de londe vanescente suffit pour
lviter [35;36].. En effet, la profondeur pe=3, le champ lumineux dcrot dun facteur e3
par rapport au champ linterface entre le cur et la gaine. Avec un cur en polymre PIII
de section rectangulaire 4 m x 2,5 m, le calcul de la profondeur
ur de pntration de londe
vanescente dans les matriaux de gaines en polymre SU8 effectu suivant les relations
dcrites au chapitre 1 (formules 11 18 et 1- 19), a montr que cette profondeur de pntration
est comprise entre 0,8 m et 1,15 m dans le cas o lindice de rfraction du polymre PIII

est compris entre 1,621 et 1,6.

1,6 Lcart
cart dindice entre le cur et la gaine est un lment
important. En effet plus cet cart est petit, plus londe pntre profondment dans le matriau
formant la gaine optique. titre dillustration, la figure 2- 13 montre les rsultats de
simulation dun guide donde optique,
optique en mode quasi-TM, dont lpaisseur
paisseur du cur en
polymre lectro-optique PIII est fixe 2,5 m et les paisseurs des gaines
gaine infrieure et
suprieure en polymre SU8 1 m ; cette paisseur tant infrieure la profondeur de
pntration de londe vanescente dans le matriau de gaine optique.

Figure 2- 13 : Rsultats de simulation

simula
du guide optique avec lpaisseur du cur de 2,5 m et les
paisseurs de la gaine infrieure et suprieure de 1 m

La figure 2- 13 (b) qui montre la composante (Ey) du champ lumineux, confirme donc
quune paisseur de 1 m pour les gaines infrieure et suprieure nest pas suffisante pour que
londe vanescente soit totalement
lement attnue. Par consquent, une portion non ngligeable de
lnergie se confine dans les matriaux de gaines et risque dtre absorbe par les lectrodes.
~ 82 ~

Toutefois, nous rappelons que la tension de commande du modulateur dpend aussi de

lpaisseur totale de la structure optique et donc, une faible paisseur permet de minimiser
cette tension de commande. En conclusion, pour notre application, nous prendrons une
paisseur de gaine infrieure de 3 m. Quant lpaisseur de la gaine suprieure, nous avons
effectu une tude avec diffrentes paisseurs afin de confiner au mieux le champ lectrique
appliqu par llectrode dans la section du cur de la structure optique tout en vitant les
pertes par onde vanescente. Le tableau 2- 2 regroupe le taux de recouvrement obtenu pour la
structure de guide optique avec diffrentes paisseurs de la gaine suprieure.
paisseur de la gaine suprieure (m)

Taux de recouvrement (%)

82

2,5

80

77

Tableau 2- 2 : Taux de recouvrement de londe optique et de londe lectrique pour diffrentes

paisseurs de la gaine suprieure

Daprs le tableau 2- 2, nous pouvons constater que lamlioration du taux

recouvrement entre londe optique et londe lectrique est trs limite en rduisant lpaisseur
de la gaine suprieure. Le gain est de seulement de 5 % pour une paisseur de la gaine
suprieure de 2 m au lieu de 3 m. Par consquent, nous prendrons une paisseur de lordre
de deux fois lpaisseur de la profondeur de pntration de londe vanescente dans le
matriau gaine. De mme, cette paisseur rduira la tension de commande du modulateur
lectro-optique : nous fixons donc une paisseur de gaine suprieure de 2,5 m.
Compte tenu de la faible paisseur du polymre actif PGMA/DR1 (PIII) que nous
sommes mme de dposer et dorienter (2,5 m), le guide restera "monomode" suivant la
dimension correspondant lpaisseur. Pour obtenir un guide rigoureusement monomode, la
grandeur sur laquelle nous pourrons agir est alors la largeur du guide (Lg) puisque les indices
des polymres (gaine et cur) sont dans notre cas fixs. Cependant, nous avons cherch
optimiser la structure guidante de sorte ce que londe optique soit confine de manire
optimale dans la partie active du guide. Ainsi, le rendement de conversion lectro-optique
serait galement optimal. Pour cela on sintresse loptimisation du taux de confinement
dfini par la relation 2- 5 dans le cas dun guide rectangulaire.

~ 83 ~

}


 | %,G| % G
~
~W
S


~ ~%,G |S %,G| % G

quation 2- 5

O, d est lpaisseur du cur en polymre actif PIII gale 2,5 m,

m Lg est la largeur
du guide optique et Eo(x,y) reprsente le champ lectrique de londe optique.
Ainsi, en fonction des proprits optiques des matriaux employs et des dimensions
retenues pour les paisseurs des couches (cf. figure 2- 14),
), nous avons ralis une tude
approfondie permettant dobtenir une structure optimale. tant
tant donn que lindice optique de
notre polymre actif
tif PGMA/DR1 (PIII), en mode TM, est de 1,6 ou 1,621 selon la littrature
(respectivement selon [37] et [8]),
[8]), nous avons tudi les deux cas de figures.

Figure 2- 14 : Schma de la section droite du guide optique tudi

Le tableau 2- 3 regroupe les rsultats de simulation obtenus en polarisation quasi-TM

quasi
1550 nm en fonction de la largeur (Lg) du guide optique. Comme nous nous y attendions,
les rsultats de simulations montrent que plus
plus la largeur de guide est grande, meilleur est le
confinement de londe optique.
optique Ainsi pour le premier cas de figure (lindice de PIII tant de
1,6), il savre quun guide monomode avec un fort facteur de confinement est obtenu avec
une largeur du guide (Lg) de 6 m. Dans ce cas, le facteur de confinement serait de lordre de
81 % et par consquent 19 % de lnergie optique ne subirait pas leffet lectro-optique.
lectro
Cependant, le second cas de figure (lindice de PIII tant de 1,621) montre que la structure
optimale est obtenue pour une largeur (Lg) de 4 m. Le facteur de confinement, dans ce cas,
serait de 85 %. Ce dernier est bien meilleur que celui obtenu dans le premier cas mme avec
une largeur du guide optique de 6 m. Lcart dindice entre le cur et la gaine, dans le
~ 84 ~

second cas (0,046 au lieu de 0,025), est lorigine de ce constat. En effet, la lumire se
confine davantage dans le cur si lcart dindice est important.
Dans tous les cas de figures, la largeur (Lg) du guide doit tre suffisamment grande
pour faciliter linjection de la lumire dans le guide et, par consquent, de minimiser les
pertes dinsertion globale du composant. tant donn que la valeur de lindice optique de
notre polymre actif nest pas connue avec certitude, nous avons retenu une largeur (Lg) de 4
m.
titre dillustration, la figure 2- 15 reprsente la distribution normalise de londe
lumineuse dans le guide optique optimal. Le maximum dnergie est donc bien confin dans
le cur form en polymre PIII de 4 m de largeur et de 2,5 m dpaisseur.
Indice optique
Gaine
SU8

1,575

1,575

Cur
PIII

1,6

1,621

Gaine
SU8

1,575

1,575

Lg (m)

Nombre de
Modes

Indice effectif
du mode

Confinement
(%)

1,5773

51

1,5828

64

1,5849

77

1,5862

80

1,5870

82

1,5929

71,32

1,5987

80

1,6017

85

Tableau 2- 3 : Rcapitulatif des rsultats de simulation en polarisation quasi-TM 1550 nm en

fonction de la largeur Lg du cur du guide optique tudi

~ 85 ~

Figure 2- 15 : Amplitude normalise du champ lumineux dans une section droite du guide optique
retenue avec une largeur Lg = 4 m et une paisseur d = 2,5 m

2.4.2. lectrode de commande

Les dimensions de la structure optique guidante tant dsormais fixes en tenant
compte de toutes nos contraintes technologiques, il est alors ncessaire doptimiser le
dimensionnement de llectrode de commande en vue doptimiser leffet lectro-optique de
notre futur composant. Pour cela, nous avons employ le logiciel de simulation
lectromagntique HFSS. Ce dernier est bas sur la mthode des lments finis qui consiste
diviser les surfaces en sous-rgions de forme triangulaire pour les problmes bidimensionnels
et les volumes en sous-rgions de forme ttradrique pour les problmes tridimensionnels. Le
champ lectromagntique est calcul sur les nuds de chaque lment de base constituant le
maillage (ttradre ou triangle), puis, de proche en proche, il peut tre dduit dans toute la
structure. Cette mthode permet ltude de structures gomtriques complexes et elle est donc
adapte pour traiter les problmes de discontinuits lors de la conception de llectrode de
commande du modulateur. ce stade de nos travaux, des mthodes analytiques ou plus
simples numriquement (donc moins gourmandes en ressources informatiques) auraient pu
suffire pour optimiser llectrode de commande du modulateur. Nanmoins, nous avons
choisi de lutiliser ds cette tude car, lors de la ralisation dun tel composant, le problme
des interconnexions se pose entrainant des problmes lis aux discontinuits nous obligeant
utiliser un outil numrique adapt tel que le logiciel HFSS.
Le premier paramtre que lon doit en priorit optimiser pour llectrode de
commande (qui dans notre cas, est une ligne microruban) est limpdance caractristique Zc.
Cette dernire doit tre adapte celle du gnrateur et la charge sur la gamme de frquence
~ 86 ~

vise pour viter toute rflexion du signal hyperfrquence et par consquent ltablissement
dune onde stationnaire.. Cette impdance dpend de la largeur de llectrode, de la distance
entre llectrode et le plan de masse, de lpaisseur du mtal et de la permittivit relative des
matriaux dilectriques. La distance
stance entre llectrode et le plan de masse a t dtermine lors
de ltude optique de notre composant. Cette distance, que nous appelons h, a t fixe 8
m. partir de cette donne et de la valeur de la permittivit relative du polymre SU8 et de
celle du polymre lectro-optique
optique PIII, nous pouvons dterminer la largeur optimale de
llectrode afin davoir une impdance caractristique proche de 50 .. Il existe des relations
analytiques simples permettant de donner une valeur approche de cette impdance
impd
caractristique, comme par exemple lapproximation de Wheeler [38] ou encore
lapproximation dHammerstad [39].. Cependant lutilisation de ces deux approximations reste
limite au cas quasi-statique.
statique. En effet, le mode de propagation est considr de type TEM pur
et de ce fait, la ligne
igne de transmission est suppose baigner dans un milieu homogne de
permittivit effective eff. Par ailleurs, ces mthodes dapproximations ne permettent pas de
prendre en compte
te les structures multicouches telles que celle du modulateur lectro-optique
lectro

base de polymres (cf. figure 22 16).

Figure 2- 16 : Schma de la section droite du modulateur lectro-optique

lectro optique base du polymre
poly
PIII

La structure de la figure 22 16 a donc t modlise sous le logiciel HFSS en prenant

en compte les valeurs de permittivit relative (
( r) du polymre SU8 disponible dans la
littrature (r1(SU8) = 3,22 [13] et r2(SU8) = 3,55 [12])) et du polymre lectro-optique
lectro
PIII
(r(PIII) = 4,45 [40]).
). Nous avons donc tudi lvolution de limpdance caractristique en
fonction
on de la largeur de llectrode pour la structure considre (cf. figure 22 17).

~ 87 ~

Figure 2- 17 : Variation de limpdance caractristique de llectrode de commande 2 GHz en

fonction de la largeur de llectrode (W) pour les deux valeurs de permittivit relative du polymre
SU8 : r1 (SU8)= 3,22 et r2 (SU8)= 3,55 avec r (PIII) = 4,46

Pour cette tude, llectrode est en aluminium avec une paisseur de 4 m. Nous
avons arrt de manire prliminaire ce matriau car ce type de dpt est aisment accessible
au Laboratoire. Pour raliser une adaptation 50 , ltude montre quune largeur de
llectrode de lordre de 17 m est ncessaire. Or, ladaptation dimpdance nest pas la seule
condition remplir pour loptimisation de notre composant. En effet, laccord de vitesse de
phase entre londe optique et londe hyperfrquence doit tre optimal. En dautres termes,
laccord de phase entre les deux ondes est ralis lorsque le carr de lindice effectif du guide
optique est gal la permittivit effective du guide hyperfrquence. titre dillustration, nous
avons prsent sur la figure 2- 18 lvolution de la permittivit effective, 2 GHz, pour les
deux cas de figures tudis (r1 (SU8)= 3,2 et r2 (SU8)= 3,55 avec r (PIII) = 4,46) en
fonction de la largeur de llectrode de commande (W).

~ 88 ~

Figure 2- 18 : volution de la permittivit effective 2 GHz en fonction de la largeur (W) de

llectrode de commande pour deux valeurs de permittivit relative du polymre SU8 : r1 (SU8)=
3,22 et r2 (SU8)= 3,55 avec r (PIII) = 4,46

Pour une largeur dlectrode de 17 m favorisant le transfert dnergie (adaptation

dimpdance), lcart dindice entre londe optique et londe lectrique est de 0,12 dans le
premier cas (r1 (SU8)= 3,22) et est port 0,23 dans le second cas (r2 (SU8)= 3,55). La
connaissance de cette grandeur nous permet destimer la limite de frquence de coupure haute
daprs la relation (1- 54) du chapitre 1. Ainsi, dans le cas o le polymre SU8 aurait une
permittivit relative de 3,22, la frquence de coupure haute serait au maximum de 80 GHz
alors quelle chuterait 42 GHz dans dune permittivit relative du polymre SU8 de 3,55.
Dans notre cas dtude, le choix dune lectrode large de 17 m a t retenu pour la suite de la
conception du modulateur, ce paramtre pourra tre affin par la suite en trouvant le bon
compromis entre impdance caractristique et accord de phase. En effet, se figer une
impdance caractristique de 50 pourrait tre rdhibitoire en terme de bande passante alors
quune lgre dsadaptation de quelques Ohms permettrait de trouver le parfait accord de
phase. Il faudra donc choisir entre tension de commande et bande passante si le besoin sen
faisait ressentir. Ladaptation de lindice effectif neff constitue une autre solution alternative
pour amliorer la bande passante du modulateur en ajustant la dimension du cur du guide
daprs la figure 1- 6. Ceci ncessite un compromis entre le taux de confinement C (donc la
tension demi-onde) et lindice effectif.
Finalement, afin de vrifier lefficacit du couplage entre londe optique et londe
lectrique, nous avons dtermin le taux de recouvrement entre llectrode de commande de
~ 89 ~

17 m de largeur et le guide optique optimis prcdemment (paragraphe 2.4.1.2). Pour ce

faire, nous avons effectu, dans un premier temps, des simulations lectrostatiques avec une
lectrode de commande de 17 m porte une tension de 18 V. Cette dernire correspond la
tension quil faut appliquer pour observer un dphasage de entre les deux bras de
linterfromtre Mach-Zehnder. Les simulations optique et lectrique tant effectues sous
deux solveurs diffrents du logiciel OptiBPM, OptiBPM 3DSim et Electro Optical
Solver , les donnes issues de cette tude ont t rcupres et traites ensuite sous un code
tabli par nos soins.
Ainsi, pour une structure du guide optique de 4 m de largeur, de 2,5 m dpaisseur
et une lectrode de commande microruban de 17 m de largeur, le taux de recouvrement de
londe optique et de londe lectrique est de lordre de 80%, dans le cas o lindice de
rfraction du polymre PIII serait de 1,621, et de lordre de 73% dans le cas o lindice de
rfraction du polymre PIII serait de 1,6.

2.4.3. Ralisation dun coupleur 1 vers 2 -3dB

Aprs avoir tudi la section droite du guide lectro-optique, il est ncessaire de se
rappeler quun modulateur lectro-optique de type Mach-Zehnder est constitu, comme le
montre la figure 2- 19, dun guide dentre, dun guide de sortie et que la modulation du
signal repose sur le dsaccord de phase entre les deux bras de linterfromtre. Or, pour
constituer ces deux bras, il faut sparer londe injecte dans le guide dentre entre les deux
guides de manire quilibre puis recombiner les deux ondes issues des deux bras dans le
guide de sortie. Pour ce faire, il est ncessaire de raliser un coupleur un vers deux 3 dB.
Cette jonction, en raison de sa forme, est plus communment appele jonction Y.

~ 90 ~

Figure 2- 19 : Schma des diffrents lments constituant linterfromtre Mach-Zehnder

Mach

Pour raliser la jonction Y, il faut, comme dans les cas tudis prcdemment,
prcdemment, trouver
le compromis idal et minimiser les pertes globales de la structure. Or celles-ci
celles
sont
essentiellement dues aux pertes intrinsques du matriau lectro-optique
lectro optique (PIII) (de 4 dB/cm
10 dB/cm pour une longueur donde de 1550 nm [8]) et au dimensionnement
nsionnement de la jonction Y.
En effet, les courbures ncessaires la ralisation de la jonction dpendent de lespace entre
les deux bras (D) et de la longueur sur laquelle se ralise cette jonction (Lj) (cf. figure 2- 20).
Plus lespace entre les deux bras est grand, plus la longueur de jonction (Lj) devra tre grande
pour minimiser les pertes par courbure. Or, laugmentation de cette longueur de jonction aura
a
pour effet daugmenter la longueur de propagation dans le matriau lectro-optique
lectro
dont les
pertes dabsorption sont leves.

Figure 2- 20 : Vue de dessus de la structure de la jonction dtude

~ 91 ~

Cependant, il existe une valeur

valeur minimale en dessous de laquelle D ne peut descendre.
Autrement dit, il faut viter tout recouvrement de londe hyperfrquence applique lun des
bras du modulateur lectro-optique
optique avec le second bras afin que les dphasages dans les deux
bras crs par leffet lectro-optique
optique ne sannulent pas, mme partiellement. La figure 2- 21
prsente, dans une vue de coupe selon le plan T de section droite (cf. figure 22 20), les lignes
quipotentielles du champ lectrique obtenues avec une largeur dlectrode de 17 m en
fonction de la distance D entre les bras de linterfromtre.
linterfromtre. Nous observons, pour le cas o la
distance D est infrieure 25 m (cf. figure 2- 21 a), quune partie du recouvrement de londe
lectrique appliqu au premier guide a lieu galement avec le second guide. Cest pourquoi,
afin dviter ce problme, nous retiendrons pour la ralisation de notre composant une
distance inter-bras
bras (D) gale 25 m et 30 m.

Figure 2- 21 : Lignes quipotentielles du champ lectrique appliqu avec une ligne micro ruban de
17 m de largeur sur lun des bras de linterfromtre Mach-Zehnder
Mach
; (a) Avec une distance entre
les deux bras de linterfromtre D = 15 m, (b) D = 25 m, (c) D = 30 m

Le travail restant alors raliser consiste trouver un compromis entre les pertes de
courbures et les pertes dabsorption de notre polymre actif (PIII) afin de minimiser les pertes
globales du modulateur lectro-optique.
lectro
Pour ltude, nous avons ralis
alis des simulations de la
jonction Y pour diffrentes longueurs (Lj) (cf. figure 2- 22 (a)) et pour les deux distances de
sparation entre les bras de linterfromtre Mach-Zehnder retenues (25 et 30 m). Nous
avons galement effectu la mme tude en intgrant les pertes dabsorption du polymre
lectro-optique (PIII) dans les simulations effectues en les considrant
ant gales de 4 dB/cm.
~ 92 ~

Les courbes de la figure 2- 22 (b) reprsentent les puissances optiques normalises la

sortie de chaque jonction en fonction de la longueur Lj. Dans le cas dun matriau idal et
pour une sparation de 25 m entre les deux bras de linterfromtre Mach-Zehnder, une
perte minimale de lordre de 4 % dans chaque bras est attendue pour une gamme de longueur
de jonction Lj allant de 0,8 mm 1,5 mm. Nous constatons galement une perte
supplmentaire de lordre de 1,2 % dans le cas o la distance entre les bras de linterfromtre
est de 30 m dans la mme gamme de longueur de la jonction Lj.

(a) Propagation du faisceau lumineux dans la jonction de linterfromtre Mach-Zehnder

(b) Puissance de sortie normalise en fonction de la distance entre les bras de linterfromtre
MZ sans et avec pertes dabsorption du matriau
Figure 2- 22 : Optimisation de la jonction Y

~ 93 ~

En prsence du matriau prsentant les pertes dabsorption de 4 dB/cm, la longueur de

la jonction Lj optimale se situe dans une gamme allant de 0,5 mm 1 mm. La perte dans
chaque bras sera alors de lordre de 13 % du signal dentre, la jonction nest donc pas le
facteur limitatif prpondrant la ralisation de notre modulateur. En effet, dun point de vue
optique, le facteur bloquant reste les pertes intrinsques du matriau lectro-optique utilis.

2.5.

Quelle structure finale, pour quelles performances et

avec quels facteurs limitatifs ?

2.5.1. Structure optique
ce stade de ltude, les paramtres concernant le guide optique, llectrode de
commande et la jonction Y sont connus et dfinis pour permettre la ralisation du modulateur
dintensit lectro-optique base de polymre. Dans le paragraphe 2.2.2.2 de ce chapitre,
nous avons tabli que la surface de polymre que nous tions mme dorienter de manire
homogne tait de 25 x 25 mm. Par consquent, en vue de raliser le modulateur lectrooptique avec la plus faible tension demi-onde possible, nous avons choisi une longueur
dinteraction de londe optique et de londe lectrique de 2 cm. Compte tenu des paramtres
du polymre lectro-optique employ (r33 = 10 pm/V), de lindice effectif du guide optique
gal 1,60, du taux de recouvrement de londe optique et de londe lectrique de 80 %, de la
longueur dinteraction (L) de 2 cm, de la distance entre les lectrodes (h) de 8 m et de la
longueur donde (0) de 1550 nm, la tension demi-onde a pour valeur 18 V selon la formule 150 du premier chapitre.
Lensemble des paramtres gomtriques retenus pour la ralisation du modulateur
base du polymre lectro-optique PGMA/DR1 (PIII) est synthtis dans le tableau 2- 4 :

~ 94 ~

paisseur de la gaine infrieure

3 m

paisseur de la gaine suprieure

2,5 m

paisseur du guide optique en PIII

d = 2,5 m

Largeur du guide optique en PIII

Lg = 4 m

Largeur de llectrode

W = 17 1 m

Sparation entre les bras du Mach-Zehnder

D = 25 - 30 m

Longueur de la jonction

Lj = 1 mm

Longueur dinteraction

L = 2 cm

Tableau 2- 4 : Rcapitulatif des paramtres gomtriques retenus pour la ralisation du modulateur

lectro-optique base du polymre PIII

Les paisseurs des gaines infrieure et suprieure, respectivement 3 m et 2,5 m, ont

t fixes en prenant en considration tous les lments qui agissent sur les performances du
modulateur lectro-optique, tels que les pertes par onde vanescente, la minimisation de
tension de commande ou encore le confinement de londe optique dans le cur de la structure
optique. Les dimensions de ce dernier (Largeur 4 m et paisseur 2,5 m) ont t, elles aussi,
optimises pour en dduire la meilleure configuration possible : le cur doit tre le plus large
possible pour avoir un taux de confinement optimal et pour minimiser les pertes par couplage
tout en restant monomode pour viter les interfrences entre modes. Loptimisation de la
structure optique nous a amen tudier llectrode de commande. Une impdance de 50
simpose afin dviter ltablissement dune onde stationnaire. Une largeur de 17 m avec une
tolrance de gravure de 1m permet dobtenir une impdance proche de 50 tout en
optimisant laccord de vitesse de phase de londe optique et lectrique ncessaire pour obtenir
une large bande passante intrinsque du modulateur. La jonction Y et la distance de
sparation entre les bras de linterfromtre Mach-Zehnder constituent une brique importante
de loptimisation. En effet, la distance de sparation entre les bras (D) a t fixe 25 m et
30 m afin dviter que londe lectrique applique sur lun des bras de linterfromtre
nagisse aussi sur le second bras. Ensuite, partir de ce rsultat, une longueur de jonction (Lj)
a t fixe 1 mm permettant de trouver le meilleur compromis entre les pertes par courbures
et celles intrinsques du matriau. Finalement, pour rester dans la zone dhomognisation de
poling et rduire la tension demi-onde, une longueur dinteraction entre londe optique et
londe lectrique de 2 cm a t retenue.

~ 95 ~

Afin dvaluer la structure de linterfromtre Mach-Zehnder que nous avons retenue

pour la ralisation du modulateur lectro-optique, nous avons effectu une simulation optique
de la structure entire de linterfromtre avec les deux jonctions correspondant lentre et
la sortie du dispositif, ainsi quune longueur dinteraction (L) de londe optique et de londe
lectrique de 2 cm. Nous avons regroup dans le tableau 2- 5 les rsultats de simulation
optique de la structure retenue. Cette tude a t ralise pour les deux distances de sparation
entre les deux bras de linterfromtre (25 et 30 m) avec et sans perte dabsorption du
polymre lectro-optique PIII. La longueur des guides dentre et de sortie de linterfromtre
Mach-Zehnder est suppose gale 500 m.
D (m)

25

30

Perte (dB)

Psortie
Sans perte
dabsorption

0,55

2,59

Avec perte
dabsorption
(4 dB/cm)

0,1

10

Sans perte
dabsorption

0,52

2,84

Avec perte
dabsorption
(4 dB/cm)

0,08

10,97

Tableau 2- 5 : tude des performances optiques de la structure retenue de linterfromtre MachZehnder avec une longueur de la jonction Lj = 1 mm et une longueur dinteraction L = 2 cm.

Daprs le tableau 2- 5, les pertes intrinsques du polymre lectro-optique (PIII) sont

de loin le facteur le plus pnalisant et qui risque de poser des problmes lors de la
caractrisation du composant. Une longueur (L) plus courte permettrait de minimiser ces
pertes, ce qui montre limportance de faire le bon choix et de privilgier lapplication
souhaite entre la rduction de la tension de commande et les performances attendues.

2.5.2. Impact de llectrode sur les performances

Les pertes de propagation hyperfrquences de llectrode reprsentent un autre critre
important prendre en considration lors de la conception et de loptimisation du modulateur
lectro-optique. En effet ces pertes doivent tre faibles afin dobtenir une large bande passante
~ 96 ~

lectrique du modulateur. Cette dernire dpend essentiellement du type de mtal et de

lpaisseur de llectrode ainsi que la tangente de pertes des matriaux polymres. Par
ailleurs, la tangente de pertes fait partie des proprits intrinsques des matriaux sur
lesquelles nous ne pouvons pas agir. La rsine SU8 a t choisie pour principalement ses
proprits optiques, afin dassurer un guidage monomode et un fort facteur de confinement, et
sa compatibilit chimique avec notre polymre lectro-optique PGMA/DR1 (PIII). Il faut
donc optimise la passante de llectrode de commande en agissant sur la nature et lpaisseur
du mtal la constituant. Afin dillustrer ce phnomne, nous avons ralis des simulations
sous le logiciel HFSS pour une ligne microruban de 2 cm de longueur et de 17 m de largeur
ralise sur un substrat compos du polymre PIII de permittivit r (PIII) = 4,45 et du
polymre SU8 de permittivit relative r (SU8) = 3,55. Lensemble des rsultats est synthtis
dans la figure 2- 23 o les bandes passantes de lignes ralises en diffrents mtaux sont
reportes en fonction de lpaisseur de mtallisation.

(a) Sans pertes dilectriques (tan = 0)

(b) Avec pertes dilectriques (tan = 0,043)

Figure 2- 23 : Bande passante (3dB) de llectrode de commande en fonction de lpaisseur et de

diffrents types de mtaux pour L = 2 cm

Daprs la figure 2- 23 (a), la bande passante augmente nettement avec lpaisseur et

la conductivit du mtal ((Cu) = 5,8.107 S/m, (Au) = 4,1.107 S/m, (Al) = 3,8.107 S/m).
Cependant, les pertes intrinsques du matriau ont pour effet de fortement diminuer la bande
passante (cf. figure 2- 23 (b)). Dans notre tude, au sein du Laboratoire, la mtallisation
daluminium dpaisseur 4 m tant ralisable, on peut sattendre avoir une bande passante
de lordre de 8 GHz.

~ 97 ~

Bien sr, on peut amliorer la bande passante de llectrode de commande en

diminuant la longueur dinteraction, mais cela se fait au dtriment de la tension de demi-onde.
titre dillustration, la figure 2- 24 prsente lvolution de la bande passante dune ligne
microruban ralise sur le polymre SU8 (avec et sans prise en compte de la tangente de
pertes) avec une paisseur daluminium de 4 m en fonction de cette longueur dinteraction.

Figure 2- 24 : Bande passante (3dB) de llectrode de commande en aluminium en fonction de la

longueur dinteraction de londe optique et de londe lectrique, lpaisseur du mtal est de 4 m et
la largeur W = 17 m

On peut ainsi ajuster la bande passante de llectrode de commande en modifiant la

tension demi-onde du modulateur lectro-optique. Cependant, il faut garder en tte que la
longueur de la ligne de commande ne se limite pas la longueur dinteraction entre londe
optique et londe lectrique (cf. chapitre III) et que par consquent, le gain obtenu reste faible
aux vues de la dgradation de la tension demi-onde.

~ 98 ~

2.1.

Bilan

Dans ce chapitre, nous avons optimis la structure dun modulateur base de matriau
polymre lectro-optique PGMA/DR1 (PIII) en tenant compte des contraintes diverses
auxquelles nous sommes soumis. Pour raliser cette tude, nous avons employ les logiciels
de simulation OptiBPM et HFSS, respectivement ddis ltude optique et lectrique du
modulateur lectro-optique.
Une tude approfondie nous a permis de retenir la structure la plus performante : nous
avons dfini, dans un premier temps, un guide optique monomode avec un fort facteur de
confinement afin de minimiser la tension de commande du modulateur. Ensuite, nous nous
sommes intresss ltude de la jonction Y permettant de sparer le faisceau lumineux dans
les deux bras de manire quilibre tout en maintenant une distance raisonnable entre ces
derniers. Ltude de la distance de sparation entre les bras de linterfromtre Mach-Zehnder
tant indispensable afin dviter tout couplage entre les bras lorsque le champ lectrique est
appliqu sur un seul bras.
Ltude de llectrode de commande est une tape aussi importante que les autres. En
effet, en raison de lorientation des molcules actives du polymre, une ligne microruban a t
retenue afin de bnficier dune efficacit optimum de leffet lectro-optique. partir des
dimensions de la structure optique, nous avons donc dtermin celles de la ligne microruban
pour avoir une impdance caractristique de 50 tout en optimisant laccord de vitesse de
phase de londe optique et de londe lectrique afin daugmenter la bande passante lectrooptique de notre composant. Au-del des performances envisages du modulateur lectrooptique optimis, nous avons montr et ralis une tude approfondie applicable tous les
matriaux du mme genre.
Dans le troisime chapitre, nous prsenterons une tude dtaille de transitions back to
back entre lignes coplanaires et microruban que nous proposons afin de tester notre
composant avec le systme sous pointes. Une ralisation de cette transition sur un substrat
commercial sera effectue, dans un premier temps, pour dmontrer sa faisabilit et, en mme
temps, talonner le logiciel de simulation HFSS sur de telles structures. Les rsultats de
mesures et de simulations sur couches minces en polymre SU8 sont trs encourageants et
permettent de donner des perspectives quant lutilisation de cette transition pour des
applications autres que le modulateur.

~ 99 ~

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~ 103 ~

~ 104 ~

Chapitre III : tude de la ligne

de commande du modulateur en vue
de son test et sa mise en botier

~ 105 ~

~ 106 ~

Chapitre III
3.

tude de la ligne de commande du modulateur en vue

de son test et de sa mise en botier

3.1.

Introduction

Ce chapitre est entirement ddi ltude de llectrode de commande. En effet, cette

dernire est souvent relgue au second plan dans ltude de ralisation dun modulateur
compte tenu des contraintes fortes imposes par la partie optique du composant. La ralisation
de lignes et de transitions sur des substrats pais est un vaste sujet dj longuement dvelopp
dans la littrature [1;2]. Cependant, les ralisations sur couche mince sont essentiellement
tudies, dans la littrature, pour les applications lies la microlectronique sur les substrats
semi-conducteurs. Lors de ltude bibliographique, nous avons constat que les lignes et les
transitions sur couches minces en polymres taient trs peu abordes, cest pourquoi, nous
traitons dans ce chapitre ltude des lignes et transitions sur polymres ncessaires la
ralisation dune lectrode de commande pour un modulateur lectro-optique.

3.2.

Contraintes associes lexploitation industriellement

du composant
3.2.1. Problmatique
Dans le chapitre prcdent, nous avons dcrit la dmarche suivie et explicit nos choix
pour raliser une structure de type Mach-Zehnder partir du polymre lectro-optique et des
technologies notre disposition. Cependant, il ne faut pas perdre de vue que, outre les
performances du composant, le choix de ce dernier, par le client industriel, se fait galement
par sa facilit demploi. Cette dernire est fortement conditionne par la mise en botier du
composant (cf. Figure 3- 1). Dans le cas dun modulateur, ses dimensions ne sont pas les

~ 107 ~

seules contraintes prendre en compte, mais il faut aussi prendre en considration les entres
et sorties du composant.

Figure 3- 1 : Photographie du botier dun modulateur lectro-optique

lectro optique base de polymre [3]

Ces entres et sortiess sont au nombre de quatre : une entre et une sortie optiques
caractrises par deux pigtails de fibre optique, un connecteur RF qui donne accs
llectrode de commande et des accs via des traverses DC tanches qui permettent
dapporter des fonctionnalits
onnalits (Bias, .) (cf. Figure 3- 1).

Figure 3- 2 : Schma de packaging dun modulateur lectro-optique

lectro optique

Afin de mieux prendre en compte les contraintes lies la mise en botier du

composant, la figure 3- 2 prsente un schma complet du packaging (en noir sur la figure)
dans lequel nous avons
ons report un schma de la structure analyse au second chapitre (sur la
figure 3- 2,, en bleu le guide optique et en vert llectrode de commande
mande microruban). Ainsi, la
problmatique qui est ouverte ce stade de ltude est de rendre oprationnelle cette lectrode
~ 108 ~

microruban. Encore une fois, de par les fortes contraintes lies leurs dimensions, les accs
optiques seront privilgis. Classiquement, le couplage optique se fait par des fibres lentilles
permettant dinjecter la lumire dans le guide et de la collecter en sortie de linterfromtre
Mach-Zehnder. Aprs un alignement dynamique, ces dernires peuvent tre fixes au botier
laide dune colle poxy ou encore par brasage dun revtement mtallique dpos sur la fibre
optique laide de source laser, on parle alors de soudure la torche laser. Cependant, avant
de raliser la mise en botier du composant, nous aurons tester le modulateur lectro-optique
hors botier. Compte tenu des dimensions du guide optique optimis dans le second chapitre,
nous avons retenu des fibres lentilles de chez LovaLite avec un rayon de courbure de 3 m,
dont la taille de mode la sortie de la fibre est de 3 m la distance de travail optimum de 3
m selon le fabricant [4]. Les accs RF la ligne de commande restent alors dfinir. Il
faudra donc venir relier la ligne microruban un connecteur dont laxe est perpendiculaire
la ligne (cf. partie rouge (1) de la figure 3- 2) et relier lautre extrmit de la ligne (cf. partie
rouge (2) de la figure 3- 2) une charge 50 .
La qualit de cette ligne est value partir de la bande passante -3dB, gnralement
dfinie comme tant la gamme de frquences sur laquelle le gain en tension est suprieur au
gain maximum divis par racine carre de deux. Or dun point de vue pratique, lutilisateur
voit ce quun lment actif lui requiert en termes dalimentation par rapport un composant
sans perte c'est--dire ayant un gain maximum nul. Par consquent, par la suite nous
utilisons la bande passante utile comme tant celle dfinie partir dun gain maximal 0 dB.

3.2.2. Structure de la ligne de commande

Pour rendre oprationnelle la ligne de commande, londe se propageant le long de la
ligne ne doit pas tre rflchie. Par consquent, on doit charger lextrmit de la ligne (partie
rouge (2) de la figure 3- 2) par une charge 50 . Classiquement, en technologie planaire, cette
dernire, pour tre large bande, est ralise avec une couche mince rsistive dpose sur un
substrat dalumine et grave par ablation laser aux dimensions requises afin dobtenir une
impdance de 50 . On obtient ainsi un composant pouvant tre mont en surface (CMS).
Dans notre cas de figure, il est dlicat de raliser une connexion large bande entre la charge et
la structure de commande microruban car cela requiert la ralisation dun trou mtallis qui
introduit des perturbations (discontinuit) (cf. Figure 3- 3).

~ 109 ~

Figure 3- 3 : Difficult lie linterconnexion dune charge 50 sur une ligne microruban

Un moyen ais est de reporter deux charges de 100 sur une structure coplanaire.
Elles sont en parallle et permettent donc le chargement par 50 de la ligne microruban (cf.
figure 3- 4).
). La problmatique se rsume alors, dans ce cas, raliser une transition
coplanaire microruban (CPW--MS)
MS) pour relier les deux lignes (partie rouge sur la figure 3- 4).

Figure 3- 4 : Interconnexion dune charge 50 ralise avec deux charges de 100 mises en
parallle sur une ligne coplanaire

Lorsque lon souhaite connecter une structure de propagation microruban un cble

coaxial, il est ncessaire que le rayon du conducteur extrieur du cble soit de mme ordre de
grandeur que lpaisseur du substrat. Dans le cas dun substrat de faible paisseur, comme
notre cas, le cble coaxial est quasiment charg par le court circuit que constitue le botier
et une grande partie de lnergie est rflchie (cf. figure 3- 5).

~ 110 ~

Figure 3- 5 : Contrainte lie lexcitation par un connecteur coaxial dune structure en couche
mince

Ainsi, afin dviter tout problme de dsadaptation, il est prfrable dutiliser un

connecteur coplanaire de type V [5] (cf. Figure 3- 6).
). Dans ce cas, ladaptation 50 entre le
connecteur et la ligne de commande est ralise par une transition entre le mode quasi-TEM
quasi
de la ligne coplanaire et celui de la ligne microruban.

Entre
coplanaire

Figure 3- 6 : Photographie dun connecteur coplanaire

coplanaire de type V [DC - 65 GHz]

Ayant pris conscience de la problmatique lie au conditionnement, la phase

intermdiaire de test sur wafer reste, avant tout, notre priorit pour dmontrer les
performances du modulateur lectro-optique
lectro optique avant de penser sa mise en botier. Cependant,
prendre
ndre cette dernire en considration permet danticiper, voire de simplifier les choses. Le
choix de tester le wafer laide des pointes coplanaires (CPW) est dict par les considrations
annonces prcdemment. Nous allons donc nous attacher raliser une
u
lectrode de
commande de type coplanaire plan de masse microruban coplanaire plan de masse
(GCPW-MS-GCPW)
GCPW) sur la structure optique du modulateur jouant le rle de substrat
dilectrique. Les transitions tudies sont plan de masse infrieur afin
afin de minimiser les
~ 111 ~

tapes de fabrication et par consquent, le cot du composant. Bien sr, la transition GCPWMS ncessaire aux tests sous pointes nest pas identique celle ncessaire au montage du
connecteur lors de la mise en botier du composant. En effet, en vue dlargir et doptimiser la
bande passante pour tester la rponse du composant avec un systme sous pointes, des
structures de type stub sont proposes dans la littrature [6-8]. Nous avons nous-mmes
tudi et ralis une transition avec des stubs enveloppant les extrmits de la ligne
microruban [9], cependant, elle ne peut pas tre relie aux connecteurs en vue de la mise en
botier du composant. Cest pourquoi nous avons poursuivi nos travaux sur des transitions
GCPW-MS ouvertes leurs deux extrmits, dont lultime tape, en vue du conditionnement
du composant, consiste alors en ltude dun taper dadaptation du mode GCPW (cf.
figure 3- 7).

Structure
ltude

Figure 3- 7 : Taper dadaptation pour la mise en botier

Pour la suite de notre tude, nous nous contenterons de lanalyse de la ligne de

commande du modulateur lectro-optique pour un test sur wafer par pointes CPW (cf.
structure ltude de la figure 3- 7).

3.2.3. tape du coude de liaison de llectrode de commande

Le test du modulateur lectro-optique base du polymre PIII est fait donc en
injectant londe optique laide de fibres lentilles. Les pointes RF seront, pour des raisons
dencombrement (cf. figure 3- 8), positionnes orthogonalement la ligne de commande
microruban comme le montre la figure 3- 9.

~ 112 ~

Figure 3- 8 : Photographie du banc dinjection optique avec les pointes RF

Figure 3- 9 : tude
tude de la zone de liaison entre la position des pointes coplanaires et llectrode de
commande microruban

Daprs la figure 3- 9,, une liaison entre la position des pointes coplanaires et
llectrode de commande du modulateur doit tre tudie. Pour ce faire, nous
n
avons analys
trois configurations : une liaison angle droit, une liaison chanfreine et une liaison courbe
(cf. figure 3- 10).
). Les dimensions du chanfrein
chanfrein sont dtermines partir des relations
analytiques donnes par Edwards [2] afin de rduire la dsadaptation due au coin externe du
coude droit et par consquent, rendre maximale la puissance lectrique transmise. Pour
obtenir les meilleures performances avec un coude chanfrein, il faut que le rapport x/d (cf.
figure 3- 10 (b)) vrifie la relation 33 1:
~ 113 ~

 ,  ) , $

",#


U

quation 3- 1

Lquation 3- 1 est valable lorsque :

1 Y  Y 25 @!


 0,25


O, w est la largeur de llectrode de commande et h lpaisseur du substrat. Dans

cette configuration, llectrode de commande en aluminium une paisseur de 4 m et une
largeur de 17 m, elle est dpose sur un substrat de 8 m dpaisseur en SU8 (r = 3,55). Les
performances optimales sont obtenues lorsque x est gale 0,557d avec d = 24,04 m. Pour la
simulation, nous avons donc pris x = 13,36 m.

Figure 3- 10 : Diffrentes configurations tudies de la zone coude pour relier les pointes
coplanaires llectrode de commande microruban ; (a) Coude droit, (b) Coude chanfrein et (c)
Coude courbe

Les rsultats de simulations de ces trois structures, sans tenir compte des pertes
dilectriques du polymre SU8, sont prsents sur la figure 3- 11. Comme nous pouvons le
constater en tudiant cette dernire, la structure la plus performante est celle utilisant une
liaison courbe (cf. figure 3- 10 c) du fait que le changement de direction de propagation se fait
de manire progressive. Nous estimons, dans ce cas, que les pertes engendres par les coudes
sont de lordre de 0,8 dB 40 GHz. Par ailleurs, ces pertes sont de lordre de 1 dB et 1,1 dB
dans le cas o les coudes sont respectivement en chanfrein et en angle droit. Enfin cest la
configuration courbe que nous avons retenue pour assurer la liaison entre llectrode de
commande microruban et la zone coplanaire correspondant lemplacement des pointes
CPW. Dans notre tude, le rayon de courbure du coude a t fix 2 mm, ce qui rpond nos
besoins en termes dencombrement li au banc de caractrisation opto-hyperfrquence.

~ 114 ~

(a) Coefficient de transmission S21

(b) Coefficient de rflexion S11

Figure 3- 11 : Rsultats de simulations de la zone coude de llectrode hyperfrquence pour les

trois configurations possibles : coude droit, coude chanfrein et coude courbe

La structure dlectrode de commande du modulateur lectro-optique que nous allons

employer par la suite est celle illustre sur la figure 3- 12. Elle est constitue de deux
transitions GCPW-MS, de deux courbures dun rayon de 2 mm et dune lectrode microruban
dans la zone dinteraction des ondes optique et hyperfrquence de 2 cm de long.

Figure 3- 12 : Schma de llectrode de commande du modulateur lectro-optique

3.3.

tude de la transition GCPW-MS

3.3.1. tat de lart et choix de la transition

Avec les modulateurs sur polymres, on vise non seulement de bonnes performances
fonctionnelles, telles quune large bande passante et une faible tension de commande, mais
aussi le bas cot. Dans ce contexte, nous nous attachons raliser la structure permettant de
~ 115 ~

rduire au maximum les tapes de fabrication afin de minimiser le cot du modulateur. Cest
pourquoi les structures contenant des via-holes seront proscrites de notre tude. Dans la
littrature, il existe diffrentes topologies de transitions plus au moins compliques raliser
selon lapplication souhaite et la bande passante dsire [10-13]. La plupart des transitions
sans via-holes sont ralises sur des substrats commerciaux dune paisseur standard de 635
m. Avec un substrat de cette paisseur, la ralisation des transitions coplanaire microruban
est gnralement plus facile , en terme de gravure, que dans le cas des couches minces. Les
rsultats de telles transitions proposes par la littrature sont prometteurs [14;15], mais avant
de les raliser directement sur polymre en couche mince, nous avons dabord voulu prouver
et confronter les performances de certaines transitions proposes dans la littrature. Les
structures slectionnes et tudies sont prsentes sur la figure 3- 13. Les structures 1 et 2
tudies par Straub et al. [15] prsentent lavantage davoir un plan de masse infrieur
homogne. La premire propose une ligne coplanaire plan de masse suprieur constitu de
rectangles. Lextension de la bande passante peut tre obtenue en ajoutant aux rectangles des
stubs radiaux (structure 2 sur la figure 3- 13). La troisime structure propose par Zhu et al.
[14] prsente une bande passante de [2,5 GHz - 11,8 GHz], mais requiert une gravure prcise
du plan de masse infrieur. Cependant, les rsultats donns par la littrature concernent des
substrats diffrents, la comparaison est donc dlicate. Nous avons donc dcid de raliser la
simulation numrique sous HFSS de ces trois structures en configuration back to back sur
un substrat commercial PTFE/glass ceramic NH9338 de 635 m dpaisseur et de permittivit
relative de 3,41. Nous avons retenu ce substrat en raison de sa permittivit relative proche de
celle du polymre utilis en vue dune validation ultrieure des rsultats de simulation. Les
substrats commerciaux proposs sont mtalliss des deux cts par une couche de cuivre de
18 m dpaisseur. Nous avons donc utilis ces caractristiques pour nos simulations.

~ 116 ~

Figure 3- 13 : Structures des transitions coplanaire microruban tudies ; structure 1 : transition

simple ; Structure 2 : transition avec stubs radiaux ; Structure 3 : transition plan de masse grav

Afin de maintenir ladaptation dimpdance caractristique 50 , chaque transition a

t pralablement optimise laide du logiciel Linecalc dAgilent Advanced Design System.
Les dimensions que nous avons retenues pour chaque transition sont regroupes dans
le tableau 3- 1:
Structure 1

Structure 2

Structure 3

Lpaisseur du substrat h = 635 m, la permittivit relative r = 3,41

Mtal utilis : cuivre de 18 m dpaisseur
L = 2 cm, L1 = 2 mm,
S = 150 m, W = 1,4 mm et
G = 2 mm

L = 2 cm, R = 1,5 mm,

S = 150 m, W = 1,4 mm,
G = 0,5 mm
et langle du stub = 30

W1 = 1 mm, W2 = 1,2 mm,

W3 = 1,4 mm,
S1 = 125 m, S2 = 140 m,
S3 = 1 mm
Lg1 = Lg2 = Lg3 = 0,75 mm,
L = 2 mm, G1 = 1,5 mm et
G2 = 0,5 mm

Tableau 3- 1 : Paramtres caractristiques des transitions tudies

Les rsultats de simulations de ces trois transitions GCPW-MS-GCPW sous HFSS

sont prsents sur la figure 3- 14 :

~ 117 ~

(a) Coefficient de transmission S21

(b) Coefficient de rflexion S11

Figure 3- 14 : Rsultats de simulation HFSS de diffrentes transitions GCPW-MS-GCPW tudies

La bande passante la plus tendue est celle obtenue avec la structure 3 propose par
Zhu et al. [14]. Cependant, la gravure du plan de masse infrieur et le double masquage
prsentent des inconvnients pour notre application et compliquent le procd de fabrication.
Pour les deux autres structures, la prsence des stubs radiaux a bien pour effet dtendre la
bande passante de la structure 2 par rapport celle obtenue pour la structure 1. Toutefois, au
vu de la bande passante obtenue pour la structure 1, et malgr les pertes importantes du
polymre utilis, elle pourrait tre une base dtude raisonnable. Elle prsente notamment
lavantage de ne pas ncessiter la gravure du plan de masse. De plus, si lon sintresse de
plus prs la structure du champ excit, le mode qui se propage dans la ligne coplanaire
plan de masse est un mode quasi-TEM. La carte du champ lectrique vrifie les relations de
continuit dans la structure. Comme le propose Raskin et al. [16], il peut se propager trois
configurations de modes dans cette structure (cf. Figure 3- 15) : le mode microruban (MS), le
mode coplanaire (CPW) et le mode microruban coplanaire (CPM). Or, notre application
concerne des couches dpaisseur trs faibles, nous pouvons donc envisager que lexcitation
du mode microruban sera favorise rapidement et que, par consquent, les effets non dsirs
dexcitation du mode CPM seront alors moins pnalisants.

~ 118 ~

Figure 3- 15 : Diffrentes configurations de modes dans la ligne coplanaire plan de masse

infrieur GCPW

Afin de valider cette hypothse, nous avons donc tudi la structure de la transition 1
pour les trois paisseurs standards du substrat commercial NH9338 savoir 635 m, 254 m
et 127 m. La mtallisation retenue tant du cuivre dune paisseur de 18 m. Pour chaque
paisseur, la largeur de la ligne et le gap coplanaire de la transition GCPW-MS-GCPW
simule ont t ajusts de manire vrifier une adaptation dimpdance de 50 . La
longueur de la ligne que nous avons retenue est de 2 cm car elle correspond la longueur
dinteraction de londe lectrique et de londe optique du modulateur lectro-optique
envisag. Les paramtres S simuls pour ces trois structures sont donns dans la figure 3- 16.

(a) Coefficient de transmission S21

(b) Coefficient de rflexion S11

Figure 3- 16 : Rsultats de simulation HFSS de la transition GCPW-MS-GCPW tudie (structure

1 sur la figure 3- 13) pour diffrentes paisseurs
~ 119 ~

Lexcitation du mode CPM est lorigine du pic de rsonance 20 GHz pour le

substrat dpaisseur 635 m. Cette frquence est rejete 37 GHz pour le substrat de 254 m
dpaisseur et au-del de 40 GHz pour le substrat de la plus faible paisseur. Ainsi, au vu de
la bande passante obtenue en simulation pour une structure aussi simple raliser, nous
serions tents de la retenir pour la suite de notre tude. Nous avons, cependant, souhait
valider exprimentalement les rsultats encourageants en terme de bande passante obtenus en
simulation HFSS.

3.3.2. Validation exprimentale sur substrat commercial

Pour la validation exprimentale, les transitions GCPW-MS-GCPW sont ralises sur
le substrat NH9338 dpaisseur 254 m. Les paramtres de la transition sont dtermins pour
avoir une impdance caractristique proche de 50 tout en restant compatible avec les
dimensions des pointes GSG que nous employons. Pour la caractrisation de ces transitions
sur le substrat NH9338, nous avons utilis les pointes 50A3N500GSG de SuSSMicrotec [17].
Le pitch qui correspond la distance entre les centres des pointes contigus est de 500
m. Par consquent, afin dviter toute perturbation lectromagntique, les dimensions des
transitions doivent respecter lingalit suivante : (W/2+S) < 500 m. Compte tenu de ces
contraintes, les paramtres retenus pour la ralisation de la transition 1 sont donc une largeur
W = 530 m et un gap coplanaire S = 200 m. Quant la longueur totale de la transition L,
elle est de 2 cm.
De mme, la largeur du plan de masse coplanaire G doit tre optimise. Nous verrons
par la suite son influence sur la bande passante dans le cas des couches minces. Pour une
premire ralisation en couches paisses, nous avons pris une largeur du plan de masse
coplanaire G gale 2 mm. Nous avons ralis des transitions pour diffrentes longueurs de
ligne coplanaire L1 (cf. structure 1 de la figure 3- 13).
La figure 3- 17 montre les rsultats de simulation de la transition pour deux longueurs
coplanaires (L1 = 1 mm et 5 mm). Nous constatons, pour les deux transitions tudies,
lapparition de pics de rsonance diffrentes frquences selon la longueur coplanaire L1 ce
qui diminue la bande passante de la transition. Nous avons galement remarqu que lorsque la
largeur coplanaire G est fixe, la position du pic est lie la longueur coplanaire L1 : dans le
cas o cette longueur est petite, le pic de rsonance est rejet loin en frquence. Comme nous
pouvons le voir sur la figure 3- 17 (b), le pic de rsonance apparat autour de 15 GHz dans le
~ 120 ~

cas dune longueur coplanaire L1 de 5 mm alors quil apparat autour de 35 GHz dans le cas
o L1 = 1 mm (cf. figure 3- 17 (a)). Par ailleurs, nous pouvons galement constater que la
limite basse de la bande passante dpend de la surface globale du pad coplanaire. En effet,
pour avoir une transition qui dmarre des basses frquences, il faut que la surface du pad
coplanaire soit la plus grande possible augmentant ainsi leffet capacitif entre les plans de
masse suprieurs et le plan de masse infrieur. Dans le cas o L1 = 5 mm, la frquence de
coupure basse est de lordre de 1,1 GHz alors quelle est de lordre de 2,5 GHz dans le cas o
L1 = 1 mm. Par consquent, il est important de bien optimiser les dimensions des pads
coplanaire afin de bnficier dune large bande passante selon lapplication et la bande de
frquence souhaite et ceci est valable mme pour des substrats ayant des paisseurs leves.

(a) L1 = 1 mm

(b) L1 = 5 mm

Figure 3- 17 : Rsultats de simulations de la transition 1 sur le substrat commercial NH9338 pour

diffrentes longueurs de la ligne coplanaire L1

Pour une validation exprimentale de ces rsultats de simulation lectromagntique, la

caractrisation des transitions a t effectue avec un analyseur de rseaux vectoriel Agilent
E8364B (10 MHz - 50 GHz) et une station de test sous pointes manuelle de type PM5 [18]
quipe de 2 bras positionneurs avec un dplacement possible dans les 3 directions de lespace
(X, Y et Z). La procdure de calibration utilis est la mthode standard Line Reflect Matching

(LRM) avec le substrat de calibration CSR-4 de SussMicrotec [19]. La photographie du

dispositif de mesures sous pointes complet est prsente ci-dessous.

~ 121 ~

Figure 3- 18 : Photographie de la station de mesure et de caractrisation sous pointe

Les rsultats de mesure et de simulation de la transition GCPW-MS-GCPW (structure

1 sur la figure 3- 13) pour les diffrentes longueurs du plan de masse de la ligne coplanaire L1
sont prsents sur la figure 3- 19. Cette figure montre un trs bon accord entre les rsultats
exprimentaux et les rsultats de simulations HFSS. Avec le substrat commercial NH9338
dune paisseur de 254 m, nous obtenons exprimentalement une trs large bande passante
de la transition GCPW-MS-GCPW. En effet, si lon sintresse au premier cas o la longueur
coplanaire L1 est de 1 mm (cf. figure 3- 19 (a)), la bande passante mesure -3 dB stend de
5,5 GHz 33 GHz. Pour L1 = 5 mm (cf. figure 3- 19 (c)), cette bande passante est limite
12,7 GHz en raison de lapparition du pic de rsonance li la longueur du plan de masse de
la ligne coplanaire L1. noter galement que, dans ce dernier cas, la frquence de coupure
basse est de 1,7 GHz alors que cette frquence est de 5,5 GHz pour L1 = 1 mm. Ce rsultat
montre linfluence de la longueur coplanaire L1 et donc la ncessit doptimiser cette
longueur L1 en fonction de lapplication dsire. En ce qui concerne le coefficient de
rflexion S11, nous avons obtenu exprimentalement un coefficient S11 infrieur -10 dB
partir de 7 GHz dans le cas o L1 = 1 mm (cf. figure 3- 19 (b)). Cette frquence est de 1,9
GHz dans le cas o la longueur du plan de masse de la ligne coplanaire L1 est gale 5 mm
(cf. figure 3- 19 (d)). En effet, une bonne adaptation est primordiale, elle assure le bon
transfert dnergie.

~ 122 ~

(a) Coefficient S21 pour L1 = 1 mm

(b) Coefficient S11 pour L1 = 1 mm

(c) Coefficient S21 pour L1 = 5 mm

(d) Coefficient S11 pour L1 = 5 mm

Figure 3- 19 : Rsultats de mesure et de simulation de la transition GCPW-MS-GCPW sur le

substrat commercial NH9338 pour diffrentes longueurs de la ligne coplanaire L1

Il est trs important de prciser que les ports dexcitation en simulation

lectromagntique doivent correspondre exactement aux dimensions relles des pointes
coplanaires utilises pour caractriser les structures planaires et notamment les transitions
GCPW-MS-GCPW. Pour le logiciel HFSS, il est indispensable dexciter les ports avec
loption Lumped port en prenant en compte les dimensions des pointes qui comprennent
la largeur de la lame centrale et la distance qui spare le centre de chaque lame le pitch .
Dans le cas contraire, les simulations ne permettent pas dobtenir des rsultats en bon accord
avec les mesures.
Daprs cette tude, les performances dune transition coplanaire microruban, sans
via-holes ni motifs dans le plan de masse infrieur, dpendent fortement de lpaisseur du
~ 123 ~

substrat employ. Logiquement, lorsque cette paisseur est faible, nous pouvons prdire une
trs large bande en optimisant au mieux les pads du tronon de ligne coplanaire. Par
consquent, une transition simplifiant de manire considrable les tapes technologiques peut
tre utilise pour caractriser le modulateur lectro-optique sur polymre en couche mince.
Nous allons donc largir cette tude et examiner le comportement et les amliorations que
nous pouvons apporter la transition GCPW-MS-GCPW de la structure 1 sur des couches
minces en polymre SU8.

3.4.

Transition GCPW-MS-GCPW sur couche mince

Le schma de la transition tudie est rappel sur la figure 3- 20, la largeur de la ligne
centrale W a t fixe 17 m lissue de ltude de la structure optique du modulateur afin
davoir une impdance caractristique de lordre de 50 . Par ailleurs, le gap coplanaire S a
t optimis pour rester compatible avec les pointes CPW utilises pour la caractrisation des
structures tudies tout en maintenant limpdance caractristique de la ligne coplanaire
proche de 50 . Pour toutes les tudes effectues dans ce chapitre, nous avons considr que
la permittivit relative du polymre SU8 est de 3,55. Nous verrons dans la partie
exprimentale quavec cette valeur, nous avons un trs bon accord entre les rsultats de
mesures et de simulations. Compte tenu donc de la valeur de la permittivit relative du
polymre SU8 et de lpaisseur retenue lors de ltude optique (8 m), le gap coplanaire S a
t fix 13 m.

Figure 3- 20 : Transition tudie sur polymre SU8 en couches minces

Pralablement, nous avions tudi une ligne GCPW-MS-GCPW de 2 cm de long qui

est la longueur dinteraction ncessaire pour maintenir la tension de commande du modulateur

~ 124 ~

 des valeurs raisonnables, compte tenu du coefficient lectro-optique du polymre en vue

dune premire ralisation. Par la suite, nous retiendrons une longueur dinteraction L de 1 cm
qui correspond la longueur dinteraction raliste des modulateurs lectro-optique sur
polymres [20;21].
Finalement et daprs ltude ralise sur le substrat commercial NH9338 de 254 m
dpaisseur, les performances de cette transition dpendent beaucoup de la longueur de la
ligne coplanaire L1 et de sa largeur G [22]. Le prochain paragraphe est donc consacr une
tude dtaille de linfluence de L1 et G.

3.4.1. tude et optimisation de la transition sur polymre SU8

La premire tude que nous avons effectue consiste dterminer linfluence des
paramtres caractristiques du plan de masse de la ligne coplanaire (L1 et G). Pour ce faire,
nous avons ralis deux tudes. La premire consiste prendre la largeur G fixe 1 mm et
faire varier la longueur L1 (1, 2 et 3 mm). La seconde tude consiste fixer la longueur
coplanaire L1 1 mm et faire varier la largeur G (2 et 3 mm). Pour examiner linfluence de
ces paramtres sur la trs large gamme de frquence que les modulateurs lectro-optique sur
polymres autorisent, toutes les simulations ont t effectues jusqu 80 GHz. Le mtal
utilis est laluminium de 4 m dpaisseur.
3.4.1.1.

Influence de la longueur du plan de masse de la ligne

coplanaire L1

La figure 3- 21 (a) montre les variations du paramtre de transmission S21 (dB) en

fonction de la longueur coplanaire L1 et pour une largeur G fixe 1 mm dans le cas dun
polymre sans pertes. Comme nous pouvons le constater lapparition des pics de rsonance
dpend de la longueur de la ligne coplanaire L1. Lorsque cette dernire est petite, le pic de
rsonance est rejet des frquences leves. titre dexemple, lorsque L1 = 1 mm, le
premier pic de rsonance apparat autour dune frquence de 70 GHz, alors quil apparat
autour de 23 GHz dans le cas o L1 = 3 mm. noter galement que lapparition de ces pics
est indpendante de la tangente de pertes du polymre SU8 (cf. figure 3- 21 (c)). Par ailleurs,
la limite basse de la bande passante dpend de la surface totale du pad coplanaire (G.L1). Plus
cette surface est grande, plus leffet capacitif est grand et par consquent la limite basse de la
bande passante diminue. Ainsi, nous constatons que cette limite basse de la bande passante est
~ 125 ~

de 130 MHz dans le cas o L1 = 3 mm et de 420 MHz dans le cas o L1 = 1 mm. En ce qui
concerne le coefficient de rflexion de londe, la figure 3- 21 (b) montre une trs bonne
adaptation avec un coefficient de rflexion S11 infrieur 10 dB partir dune frquence de
370 MHz et ce mme dans le cas o les pertes du polymre SU8 (tan = 0,043) sont prises en
compte (cf. figure 3- 21 (d)).

(a) Coefficient S21 sans pertes dilectriques

(b) Coefficient S11 sans pertes dilectriques

(c) Coefficient S21 avec pertes dilectriques

(d) Coefficient S11 avec pertes dilectriques

Figure 3- 21 : Influence de la longueur de la ligne coplanaire L1 de la transition GCPW-MSGCPW pour une largeur du plan de masse coplanaire G fixe 1 mm

Le tableau 3- 2 regroupe les performances de la transition GCPW-MS-GCPW en

fonction de la longueur du plan de masse de la ligne coplanaire L1 et pour une largeur G fixe
1 mm. Nous y prsentons les deux cas de figure : le cas du polymre SU8 sans prise en
compte des pertes et le cas avec prise en compte des pertes (tan = 0,043).

~ 126 ~

Tan

Frquence basse (MHz)

Frquence haute (GHz)

f -3 dB (GHz)

420

47,6

47,18

200

35,2

35

130

24,39

24,26

420

20,34

19,92

200

20

19,8

130

19,95

19,82

L1 (mm)
1
2

0,043

Tableau 3- 2 : Performances de la transition de la structure prsente sur la figure 3- 20 en

fonction de la longueur coplanaire L1 pour une largeur (G) fixe 1 mm

Daprs ce tableau nous pouvons dgager quelques informations importantes propos

de loptimisation de la transition :
-

Dans le cas du polymre SU8 sans prise en compte de ses pertes dilectriques

(tan = 0), nous obtenons une trs large bande passante (- 3 dB) de 47 GHz avec
une longueur L1 de 1 mm. La bande passante est alors limite par les pertes
mtalliques. Nous verrons dans la suite que le choix du mtal peut influer nettement
sur la bande passante. Par ailleurs, la limite basse de cette bande passante, avec
cette longueur de 1 mm, est de 420 MHz. Cette dernire peut tre ramene une
frquence de 130 MHz lorsque la longueur L1 est de 3 mm. Cependant, la bande
passante dans ce cas est limite 24 GHz du fait de lapparition du premier pic de
rsonance (cf. figure 3- 21 (a)).
-

Lorsquon prend en compte les pertes dilectriques du polymre SU8 avec

(tan = 0,043), la limite basse de la bande ne change pas par rapport au cas du
polymre SU8 sans prise en compte de ses pertes. Par contre, la borne haute de la
bande passante (-3 dB) est maintenant limite 19,9 GHz indpendamment de la
longueur du tronon coplanaire L1 car les pertes dilectriques ont rduit le
paramtre de transmission S21 3 dB avant lapparition des pics de rsonance
(cf. figure 3- 21 (c)).

~ 127 ~

3.4.1.2.

Influence de la largeur du plan de masse de la ligne

coplanaire G

La seconde partie de loptimisation a consist en ltude de linfluence de la largeur du

plan de masse coplanaire G pour une longueur L1 fixe 1 mm. La figure 3- 22 montre
lvolution du coefficient S21 de la transition 1 (cf. figure 3- 20) sur polymre SU8 sans (cf.
figure 3- 22 (a)) et avec (cf. figure 3- 22 (b)) prise en compte des pertes du polymre SU8.

(a) Coefficient S21 sans pertes dilectrique

(b) Coefficient S11 sans pertes dilectrique

(c) Coefficient S21 avec pertes dilectrique

(d) Coefficient S11 avec pertes dilectrique

Figure 3- 22 : Influence de la largeur G du plan de masse de la ligne coplanaire de la transition

GCPW-MS-GCPW pour une longueur du plan de masse L1 fixe 1 mm

Les frquences des pics de rsonance sont identiques celles observes lors de ltude
de linfluence de la longueur du plan de masse coplanaire L1. Par consquent, ces frquences,
comme nous lavions indiqu au paragraphe 3.3.1 sont lies lexcitation du mode CPM.
~ 128 ~

Daprs ce rsultat, le compromis permettant davoir la plus large bande passante est celui
obtenu avec la transition 1, soit celle de la figure 3- 20 dont la longueur du tronon coplanaire
L1 est de 1 mm et la largeur des plans de masse G est galement de 1 mm.
3.4.1.3.

Performances de la transition retenue

Finalement, pour la ralisation du modulateur lectro-optique et afin de saffranchir

des perturbations lies lapparition de ces pics de rsonance, nous avons retenu la transition
1 avec une longueur coplanaire L1 de 1 mm et une largeur G de 1 mm. La figure 3- 23 montre
lvolution des paramtres S de la ligne associe cette transition avec et sans prise en
compte des pertes du polymre SU8. Nous remarquons que nous avons une trs bonne
adaptation en terme de coefficient de rflexion S11 : partir de 1 GHz ce coefficient est
infrieur -10 dB.

Figure 3- 23 : Rsultats de simulation de la transition GCPW-MS-GCPS avec et sans prise en

compte des pertes du polymre SU8 pour une longueur du plan de masse de la ligne coplanaire L1
de 1 mm et une largeur du plan de masse G de 1 mm

Pour comprendre le phnomne physique sous-jacent aux proprits de la transition,

nous prsentons sur la figure 3- 24 lvolution du champ lectrique 1 GHz le long de la
transition. La faible paisseur h de la couche de polymre dilectrique constitue un double
atout pour une telle transition. Dune part, elle permet de crer facilement un couplage
lectromagntique entre le plan de masse de la ligne microruban et la masse des pads
coplanaires par effet capacitif. Dautre part, le faible rapport entre lpaisseur h et le gap S de
la ligne coplanaire favorise la conversion du champ entre les modes coplanaire et microruban.
~ 129 ~

3 24 (a) montrant le champ lectrique lentre de la

Ceci est bien illustr sur la figure 3premire transition. Lnergie qui sy
s propage, le fait suivant les modes microruban et
coplanaire. Ces deux modes sont coupls (cf. figure 3- 25), le couplage
uplage est dautant plus
important que la capacit entre le pad coplanaire et la masse infrieur est grande. De ce fait on
observe trs rapidement le confinement de lnergie sous le ruban central,
central, tant donn que le
gap coplanaire (S = 13 m) est suprieur
suprieur lpaisseur du substrat en polymre (h = 8 m)
dans notre cas.. Le mode voit alors, dans un premier temps, le plan de masse de la ligne
microruban, ce qui facilite la conversion coplanaire-microruban.
coplanaire microruban. Ce propos semble tre
justifi par lobservation du champ lectrique la sortie de la premire transition sur la figure
3- 24 (b). Nous constatons que le mode install est de type microruban : le maximum de
lnergie se confine sous le ruban central. Ainsi sur la figure 3- 24 (c), nous avons un mode
quasi-TEM
TEM qui correspond au mode qui se propage le long de la ligne
ligne microruban. Sur la
figure 3- 24 (d) qui prsente le champ lectrique lentre de la seconde transition, nous
retrouvons le phnomne de la premire coupe, o le mode de propagation est un mode
coplanaire microruban avec un maximum dnergie qui est davantage confine sous le ruban
central
ntral en raison de la faible paisseur du substrat.

Figure 3- 24 : Reprsentation du champ lectrique, 1 GHz, dans plusieurs plans transverses de la

transition GCPW-MS-GCPW
~ 130 ~

Figure 3- 25 : Cartographie du champ lentre de la transition GCPW-MS-GCPW (plan 1)

Ce que nous venons dobserver dans ce paragraphe est valable quelle que soit la
frquence de londe se propageant dans la structure, lexception des frquences o le mode
CPM est excit. Dans la structure tudie, lexcitation de ce mode a lieu aux environs dune
frquence de 71 GHz (cf. figure 3- 23). La figure 3- 26 prsente la cartographie du champ
lectrique de londe la frquence dapparition du pic de rsonance. La distribution
correspond bien lexcitation du mode CPM (cf. figure 3- 15).

Figure 3- 26 : Reprsentation du champ lectrique de londe 71,3 GHz lentre de la transition

GCPW-MS-GCPW (plan 1)

3.4.2. Ralisation et validation exprimentale

3.4.2.1.

Description du dpt du polymre SU8

Pour obtenir une paisseur totale de 8 m en polymre, nous avons ralis deux dpts
successifs. La vitesse de la tournette a t rgle une valeur de 4000 tr/min qui permet
davoir une paisseur de lordre de 4 m comme nous lavons montr lors de ltalonnage du
polymre SU8 dans le deuxime chapitre. Nous dcrivons dans ce paragraphe, les tapes
suivies pour la ralisation des structures en polymre SU8. Pour le dpt du polymre SU8
sur un wafer en silicium, nous avons suivi les tapes suivantes :
~ 131 ~

Sur un wafer en silicium, nous dposons du polymre SU8 en solution (~ 150 l)

avec une vitesse de rotation de 4000 tr/min pendant 30 s.

Le wafer est plac sur une plaque chauffante rgle 100 C, pendant 4 min, afin
de faciliter lvaporation des solvants et de densifier la couche. Le wafer est
ensuite insol afin damorcer le processus de rticulation par lirradiation UV
(~100 mJ/cm) 365 nm.

Afin damplifier le phnomne de rticulation et viter toute perturbation lors du dpt

de la seconde couche, nous avons suivi le cycle suivant :

La plaque chauffante est rgle pour passer de 100 C 180 C en 8 min. Cette
tape permet une rticulation du polymre SU8.

Lchantillon est maintenu 180 C pendant 30 min.

La temprature revient spontanment 100 C. Cette dernire tape dure environ

30 min.

Le cycle global de rticulation est dcrit sur la figure suivante :

Figure 3- 27 : Cycle de rticulation du polymre SU8

Une fois lchantillon refroidi, les mmes tapes dcrites ci-dessus sont effectues
pour le dpt de la seconde couche.

~ 132 ~

3.4.2.2.

Dpt et gravure de llectrode suprieure

Lobtention des lectrodes seffectue en plusieurs tapes :

Dpt daluminium par effet Joule dans une enceinte sous vide,

Transfert des motifs sur lchantillon par lithographie,

Obtention des lectrodes par gravure chimique de laluminium travers le

masque lithographi.

Pour obtenir un motif qui servira de barrire lors de la gravure chimique, nous
utilisons une plaque de verre recouverte des motifs raliser sous la forme dune couche
mince de chrome (masque lithographique). Cette fine couche empchera les rayonnements
UV dinteragir avec le polymre photosensible.
La rsine utilise pour cette tape est une rsine positive S1818 fabrique par Shipley.
Le dpt de cette rsine seffectue par centrifugation avec une vitesse de rotation de la
tournette de 2000 tr/min pendant 30 s. Une tape dvacuation des solvants et de schage de
la couche (100C pendant 3 min) est ncessaire avant de passer linsolation par
rayonnement UV travers le masque chrom (~100 mJ/cm) 365 nm.
Ltape de dveloppement seffectue dans un dveloppeur Microposit 351 de chez
Shipley (solution aqueuse alcaline) pendant environ 45 s. La rsine tant une rsine positive,
ce sont les zones ayant t insoles qui disparaissent.
Finalement, lchantillon est pass dans une solution de gravure daluminium
(mlange dacide nitrique, dacide phosphorique, dacide actique dilu avec de leau),
chauff 50 C, pendant environ 8 min pour graver les structures de 4 m dpaisseur et
environ 6 min pour les structures de 2 m dpaisseur. Cette tape est visuelle et savre une
tape critique du procd de ralisation.

3.4.3. Caractrisation de structures ralises sur couche mince

3.4.3.1.

Lignes coplanaires sur polymre SU8

Afin de minimiser les tapes technologiques, nous avons choisi de raliser toutes nos
structures sur un wafer en silicium dop dont la rsistivit est choisie pour tre trs faible
~ 133 ~

(0,001 0,05 .cm) dans le but de lutiliser comme plan de masse infrieur. Cela permet
donc dvaluer la possibilit dviter ltape technologique supplmentaire qui consiste
dposer un plan de masse mtallique.
Sur un wafer 3 pouces en silicium dop dune paisseur de 365 m, nous avons
dpos 8 m de polymre SU8 et avons ralis un certain nombre de lignes coplanaires plan
de masse infrieur ainsi que des transitions GCPW-MS-GCPW (cf. photographie de la figure
3- 28 (a)). La plupart de ces structures ont une largeur de ruban central de 17 m et un gap
coplanaire de 13 m. Les dimensions de toutes les structures que nous avons pu exploiter ont
t dtermines grce une mesure au profilomtre, ce qui a permis de prsenter tous les
rsultats de mesures et de simulations des lignes coplanaires et des transitions GCPW-MSGCPW avec leurs dimensions relles. En effet, en raison de la gravure chimique de
laluminium une tolrance de gravure de 2 m est observe. La photo de la figure 3- 28 (b)
montre la qualit dune des transitions ainsi ralises.

(a) Photographie du wafer

(b) Transition de la structure 1

Figure 3- 28 : Photographies des ralisations sur wafer silicium et polymre SU8

Pour la caractrisation des structures ci-dessus, nous avons utilis des pointes Cascade
I40AGSG250 [23] diffrentes de celles employes pour la caractrisation des transitions sur
le substrat commercial NH9338. En effet, pour mesurer les paramtres S des structures
ralises, il faut des pointes avec une largeur de contact infrieure 17 m, celle du ruban
central des transitions. Les pointes utilises pour la caractrisation de ces structures sur
couche mince de SU8 ont une largeur de contact de 12 m alors que celles utilises pour la
caractrisation des transitions sur le substrat commercial NH9338 avaient une largeur de
~ 134 ~

contact de 30 m. Pour ltalonnage des dispositifs de mesure, nous avons utilis la mthode
classique LRM (Line-Reflect-Match) avec le substrat de calibration commercial de Cascade
AE-101-190 [24]. Tout le systme est pilot par le logiciel Wincal de Cascade [25].
La figure 3- 29 montre les rsultats de mesures et de simulations HFSS dune ligne
coplanaire ralise sur ce substrat, les paramtres caractristiques de cette ligne sont : une
largeur du ruban central W de 15 m, un gap coplanaire S de 13 m et une longueur de la
ligne de 1 cm. Quant lpaisseur du mtal, nous avons d la limiter 350 nm suite des
problmes dadhrence de laluminium sur la SU8 (en particulier lors de ltape de gravure).

Figure 3- 29 : Rsultats de mesures et de simulations dune ligne coplanaire ralise sur le wafer en
silicium dop avec la largeur du ruban central W = 16 m, le gap coplanaire S = 13 m, lpaisseur
de laluminium de 350 nm et une longueur L = 1 cm

Sur la figure ci-dessus, nous remarquons un trs bon accord entre les rsultats de
mesures et de simulations de la ligne coplanaire. Pour obtenir ce bon accord des rsultats
exprimentaux et simuls, il est obligatoire de mailler lintrieur des botes mtalliques
afin de prendre en compte leffet de peau. Cette opration ncessite un maillage plus fin et
donc un grand nombre de ttradres. Le temps de simulation peut tre long. La faible
paisseur de la mtallisation est probablement la cause principale des pertes dinsertion de la
ligne coplanaire de 3,7 dB. Par ailleurs, nous avons galement constat que le wafer en
silicium utilis comme plan de masse infrieur engendrait des pertes dilectriques
supplmentaires ce qui explique la pente du coefficient de transmission S21 observe sur la

~ 135 ~

figure prcdente. Dans le cas gnral, les pertes dilectriques sont calcules partir de la
relation suivante [2]:
O/`   , #



$nn

$nn |" X
 |"
k

quation 3- 2

Dans cette relation,  est la permittivit relative du milieu,  la permittivit

effective,
 la longueur donde dans le vide et != la tangente de pertes dilectrique et elle
sexprime comme suit :
X 

(

) 
"

Avec

   

quation 3- 3

Avec et respectivement la partie relle et complexe de la permittivit. Pour un

substrat de silicium, o  Si  11,9, nous avons

dilectriques scrivent sous la forme :
O/` 

$nn |"
$nn

" ,
)

", . " |# n

"

 0,0018 [26]. Dans ce cas, les pertes

quation 3- 4

Dans cette formule, la frquence f sexprime en GHz et la rsistivit en .cm.

Il est bien vident, daprs cette dernire formule, que le premier terme est bien
suprieur au second terme et plus particulirement lorsque la rsistivit du silicium est faible.
On peut galement remarquer que les pertes dilectriques sont dautant plus importantes que
la rsistivit du wafer est faible. titre dexemple, avec la rsistivit du wafer que nous
avons utilis ( = 0,05 .cm) et une permittivit effective de 6,45 indpendante de la
frquence, les pertes dilectriques du substrat silicium slve 645 dB/mm 40 GHz.
Afin de saffranchir de ces pertes, il est donc indispensable de dposer un bon
conducteur comme plan de masse infrieur sur le wafer en silicium avant de dposer le
polymre SU8 comme le montre la figure 3- 30. Nous ne pouvons donc pas nous passer de
cette tape.

~ 136 ~

Figure 3- 30 : volution du coefficient de transmission S21 (dB) de la ligne coplanaire pour un

wafer en silicium conducteur et plan de masse en aluminium

Par cette ralisation et mesure de ligne coplanaire sur le wafer en silicium dop, nous
avons pu valider le process de ralisation et les performances des dispositifs de mesures sous
pointes. Nous avons galement vrifi que le logiciel HFSS tait adapt aux simulations de
lignes hyperfrquences sur des substrats en polymre en couche mince. Cette validation nous
permet alors daborder la mesure de notre transition.
3.4.3.2.

Transition GCPW-MS-GCPW sur polymre SU8

La transition GCPW-MS-GCPW retenue pour la caractrisation du modulateur

lectro-optique a t caractrise en appliquant la mme mthodologie et laide du mme
dispositif que ceux employs prcdemment. La figure 3- 31 prsente les rsultats
exprimentaux compars ceux simuls de cette transition. Nous remarquons que nous avons
un bon accord entre mesures et simulations, cependant, les performances de cette transition en
terme de bande passante sont assez dcevantes cause de la faible paisseur de mtallisation.
Cette dernire engendre des pertes dinsertion trs leves (de lordre de 4,45 dB). Quant la
chute de la pente du coefficient de transmission S21, elle est due lutilisation dun wafer en
silicium de faible rsistivit (cf. Paragraphe 3.4.3.1).

~ 137 ~

Figure 3- 31 : Rsultats de mesure et de simulation de la transition GCPW-MS-GCPW retenue pour

la caractrisation du modulateur lectro-optique avec la largeur du ruban central W de 15 m, le
gap coplanaire S de 11 m, lpaisseur de laluminium de 370 nm, la longueur coplanaire L1 de 1
mm, la largeur G de 1 mm et une longueur L de 1 cm

Mme si les rsultats de mesures sont mdiocres cause de nos difficults actuelles
dposer un mtal pais avec une bonne adhrence et des pertes dilectriques prononces du
polymre SU8, nous avons pu, avant tout, valider notre matrise de loutil de simulation en
confrontant les rsultats de mesures obtenus sur cette ralisation ceux issus des simulations.
De plus, dun point de vue technologique, il est tout fait envisageable de changer la nature
du mtal, daugmenter lpaisseur de dpt et de dposer un mtal sur le wafer en silicium
afin de raliser un plan de masse optimal. Cest pourquoi nous allons nous attacher, par la
suite, optimiser cette lectrode de commande.

3.5.

Extension de la bande passante de la transition GCPW-

MS-GCPW
Compte tenu des rsultats obtenus prcdemment, nous allons chercher optimiser
certains paramtres de la transition GCPW-MS-GCPW de 1 cm de long. Cela nous permettra
de dterminer quelle bande passante nous pouvons esprer avec ce genre de structure. Puis,
nous finaliserons notre tude par la structure quil est ncessaire de raliser pour tester le
modulateur lectro-optique base de polymre avec le systme sous pointes.

~ 138 ~

3.5.1. Minimisation des pertes par effet de peau

La premire tude consiste donc examiner limportance de leffet de peau et donc de
lpaisseur de laluminium sur la bande passante. La figure 3- 32 montre lvolution des
paramtres S (dB) de la transition, traite au paragraphe 3.4.1.3, en fonction de lpaisseur de
llectrode en aluminium, en prenant en compte la tangente de pertes du polymre SU8 (tan
= 0 ,043). Nous avons galement analys cette transition avec une longueur coplanaire L1 de
2 mm.

(a) Coefficient S21 pour L1 = 1 mm

(b) Coefficient S11 pour L1 = 1 mm

(a) Coefficient S21 pour L1 = 2 mm

(b) Coefficient S11 pour L1 = 2 mm

Figure 3- 32 : Paramtres S obtenus par simulation de la transition GCPW-MS-GCPW en fonction

de lpaisseur de laluminium

~ 139 ~

Le tableau 3- 3 regroupe les performances de la transition GCPW-MS-GCPW en

polymre SU8 (paisseur 8m, r = 3,55 et tan = 0 ,043) en fonction de lpaisseur de
laluminium. La bande passante utile (-3 dB) crot de 5 GHz lorsque lpaisseur de
laluminium passe de 4 m 8 m. En revanche, laugmentation de la longueur des pads
coplanaires L1, de 1 mm 2 mm, a pour avantage damliorer la limite basse de la bande
passante sans affecter la limite haute puisque les pics de rsonance apparaissent au del de 3 dB cause de la tangente de perte du polymre SU8.
L1 (mm)

paisseur Al (m)

Frquence basse (MHz)

4
1

Bande passante (GHz)

20,05

420

22,35

25,8

20,1

210

22,5
25,35

Tableau 3- 3 : Rcapitulatif des performances de la transition GCPW-MS-GCPW en fonction de

lpaisseur de laluminium

3.5.2. Conductivit lectrique

Afin de minimiser les pertes dans la structure, nous pouvons choisir un mtal ayant
une meilleure conductivit mtallique que laluminium avec lequel nous avons fait les
premires ralisations. Largent (Ag), le cuivre (Cu) et lor (Au) ont une meilleure
conductivit que laluminium (Al) et leur dpt diffre peu de celui de laluminium dun point
de vue technologie. Nous avons donc effectu une simulation avec ces mtaux. Lorsque nous
prenons en compte la tangente de perte du polymre SU8, la longueur de la ligne coplanaire
L1 na aucune influence sur la limite haute de la bande passante. Cette longueur intervient
quen basse frquence. Pour cela, ltude est faite pour une seule longueur L1 de 1 mm. La
figure 3- 33 prsente les paramtres S de la transition pour les diffrents types de mtal, leur
paisseur ayant t fixe 4 m.

~ 140 ~

(a) Coefficient de transmission S21

(b) Coefficient de rflexion S11

Figure 3- 33 : Les paramtres S de la transition GCPW-MS-GCPW en fonction de la frquence

pour plusieurs types de mtal

Le tableau 3- 4 regroupe les performances de la transition GCPW-MS-GCPW en

fonction des diffrents types de mtal. Lutilisation de mtaux de conductivit plus leve
permet de rduire les pertes mtalliques et par consquent damliorer considrablement la
bande passante de la transition, en portant par exemple la limite haute de la bande passante de
20,47 GHz avec laluminium 27,62 GHz avec largent.
L1 (mm)

Mtal utilis

Frquence basse (MHz)

Aluminium (Al)
1

Bande passante (GHz)

20,05

Or (Au)

420

Cuivre (Cu)
Argent (Ag)

20,85
26,3
27,2

Tableau 3- 4 : Rcapitulatif des performances de la transition GCPW-MS-GCPW en fonction du

choix du mtal de 4 m dpaisseur

3.5.3. Pertes dilectriques

Depuis le dbut de notre tude, nous avons fix le choix du matriau dans lequel se
propage londe hyperfrquence en raison de son indice de rfraction optique qui doit tre
infrieur et le plus proche possible de celui du polymre actif. Notre choix sest arrt sur le
polymre SU8 dont la tangente de pertes est leve (tan = 0,043). Nous navons pas pouss
~ 141 ~

plus loin nos investigations dans ce domaine, mais il est clair que llaboration de polymres
lectro-optiques ayant de plus forts coefficients lectro-optiques doit saccompagner du
dveloppement de matriaux de confinement optique prsentant des pertes dilectriques les
plus faibles possibles. Faute de quoi, la bande passante des modulateurs sur polymres sera
limite par leurs pertes dilectriques, bien loin de la bande passante intrinsque autorise par
le faible dsaccord de vitesse de phase entre ondes optique et lectrique dans les polymres.
Pour montrer cela, nous avons test numriquement notre structure dans les cas o le
substrat utilis prsente des pertes identiques celles du polymre NOA61 (tan = 0,013) [27]
voire celles du substrat NH9338 (tan = 0,0047).

(a) Coefficient de transmission S21

(b) Coefficient de rflexion S11

Figure 3- 34 : Paramtres S de la transition GCPW-MS-GCPW en fonction de la tangente de pertes

du substrat utilis avec laluminium de 4 m dpaisseur

La figure 3- 34 prsente les paramtres S de telles ralisations et dmontre nettement

la ncessit de prendre le plus grand soin dans le choix de la couche de confinement optique :
le dveloppement et ltude du matriau de gaine requirent alors une attention tout aussi
particulire que ceux du matriau actif. Les simulations prsentes sur la figure 3- 34 sont
ralises avec une lectrode en aluminium de 4 m dpaisseur. Le gain en bande passante
serait alors optimal si lon choisit une lectrode en argent de 6 m dpaisseur comme illustr
sur la figure 3- 35.

~ 142 ~

(a) Coefficient de transmission S21

(b) Coefficient de rflexion S11

Figure 3- 35 : Paramtres S de la transition GCPW-MS-GCPW en fonction de la tangente de perte

du matriau utilis avec largent de 6 m dpaisseur

Daprs la figure 3- 35, nous pouvons avoir une trs large bande passante qui stend
de 420 MHz jusqu 60,35 GHz dans le cas o le substrat de la transition est compose du
polymre NOA61. Cette bande passante peut mme tre porte 67,4 GHz avec un matriau
de substrat ayant une tangente de pertes gale celles du substrat commercial NH9338. Ces
bandes passantes ultra-larges ouvrent la voie des applications en pleine expansion [28].
Mme si lindice de rfraction n = 1,5 de NOA61 ne nous permet pas de lutiliser comme
gaine optique pour notre polymre dtude PIII dont lindice de rfraction est de 1,6, il nest
pas utopique de penser quil existe ou quil est possible de synthtiser des matriaux
polymres de faibles pertes dilectriques adapts des matriaux lectro-optiques
performants en termes de proprits optiques et mcano-chimiques.
Le tableau 3- 5 rcapitule les performances en bande passante (-3 dB) pour diffrentes
configurations de la transition GCPW-MS-GCPW sur substrat en couche mince. Une trs
large bande passante est possible avec des matriaux de gaine optique adapts comme
substrat, un mtal de forte conductivit et dpaisseur suffisante permettant dchapper
leffet de peau. Une fois les matriaux choisis, une optimisation des dimensions de la
transition est indispensable afin dviter lexcitation des modes CPM non dsirs et qui ont
pour effet de dgrader la bande passante. Cette optimisation dimensionnelle mrite dautant
plus dattention que cest le CPM qui dterminera la limite haute de la bande passante quand
les pertes dilectriques sont faibles.

~ 143 ~

Tan

Mtal

L1 (mm)

Epaisseur du mtal (m)

Bande passante (-3

( dB)

Al

420 MHzMHz 20,45 GHz

Au
Cu
0,043

4
1

0,013

0,0047

Ag

420 MHzMHz 26,7 GHz

420 MHzMHz 27,6 GHz

Ag

Al

420 MHzMHz 21,27 GHZ

420 MHzMHz 30,75 GHz

420 MHzMHz 31,8 GHz

210 MHzMHz 31,56 GHz

420 MHzMHz 34,4 GHz

420 MHzMHz 60,35 GHz

Ag

210 MHzMHz 36,71 GHz

Al

420 MHzMHz 51,6 GHz

Ag

420 MHzMHz 67,4 GHz

Tableau 3- 5 : Rcapitulatif de la bande passante (-3

( dB) de diffrentes structures de la transition
GCPW
GCPW-MS-GCPW
sur substrat en couche mince

3.6.

lectrode
lectrode de test de modulateur lectro-optique
lectro optique

Les rsultats du tableau prcdent sont trs indniablement intressants et significatifs

voire vendeurs. Mais, il faut savoir raison garder,
er, en effet pour tester le modulateur sur
polymre raliser, llectrode de commande doit avoir la gomtrie coude de la figure 336 et non celle tudiee pralablement.

Figure 3- 36 : Schma complet de llectrode de commande du modulateur lectro-optique

lectro
~ 144 ~

Dans notre cas, la longueur dinteraction lectro-optique est de 2 cm. On peut rduire
1 cm cette longueur en utilisant des polymres actifs ayant un fort coefficient lectro-optique
sans pour autant augmenter la tension de commande du modulateur. La figure 3- 37 donne les
paramtres S de la structure de test pour les deux longueurs dinteractions (1 et 2 cm) avec
une lectrode en aluminium de 4 m dpaisseur. La structure hyperfrquence simule inclut
le guide optique, dans la zone dinteraction de londe optique et londe lectrique, dont le
cur en polymre PIII est enterr dans le polymre SU8 (cf. figure 2- 15), avec la constante
dilectrique du polymre PIII r = 4,45 et sa tangente de pertes suppose gale celle du
polymre NOA61 (tan = 0,013). Cette hypothse sur la tangente de pertes est certes
arbitraire mais son influence est faible sur le rsultat de simulation, tant donn que le volume
du cur en PIII est trs faible devant celui occup par le champ lectromagntique sur toute la
longueur de la structure hyperfrquence. Par exemple, en supposant la tangente de pertes du
PIII gale celle du polymre SU8 (tan = 0,043), la bande passante est rduite seulement
8,63 GHz contre 8,65 GHz avec une tangente de pertes de 0,013 pour une longueur
dinteraction lectro-optique de 1 cm.

(a) Coefficient de transmission S21

(b) Coefficient de rflexion S11

Figure 3- 37 : Paramtres S de lensemble hyperfrquence associant la transition, laccs coud et

llectrode de commande du modulateur lectro-optique pour les deux longueurs
dinteraction lectro-optique : 1 cm et 2 cm

Bien sr, la bande passante serait beaucoup plus attrayante si le substrat prsentait
moins de pertes. Cest pourquoi, nous avons ralis le mme genre dtude que
prcdemment avec des pertes dilectriques identiques celles du polymre NOA61 et du
substrat NH9338. Lensemble de ces rsultats sont synthtiss dans le tableau 3- 6.
~ 145 ~

Longueur dinteraction L (cm)

Tan

Bande passante (-3 dB)

0,0047

420 MHz - 14,6 GHz

0,013

420 MHz - 12,55 GHz

0,043

420 MHz - 8,65 GHz

0,0047

420 MHz - 6,8 GHz

0,013

420 MHz - 6,1 GHz

0,043

420 MHz - 4,46 GHz

Tableau 3- 6 : Rcapitulatif de la bande passante de lensemble hyperfrquence associant la

transition, laccs coud et llectrode de commande du modulateur lectro-optique pour diffrentes
tangentes de pertes

Pour revenir notre tude : pour un modulateur lectro-optique ralis partir du

polymre PIII, de polymre SU8 et avec nos moyens technologiques, sa rponse lectrooptique sera dores et dj limite par la bande passante de llectrode de commande qui est
de [420 MHz - 4,46 GHz] pour notre configuration.

~ 146 ~

3.7.

Bilan

Dans ce chapitre, nous avons dans un premier temps explicit les contraintes lies la
caractrisation dun modulateur lectro-optique base de polymre et avons fait en sorte de
rendre la ralisation, la caractrisation et lutilisation de notre composant le plus simples
possible pour une exploitation industrielle : une transition coplanaire microruban plan de
masse infrieur et sans via-holes, facilement ralisable permet de caractriser le
modulateur avec un systme sous pointes tout en rduisant son cot global de fabrication.
Ltude dun taper dadaptation afin dinsrer le connecteur coplanaire V constitue lultime
tape pour la mise en botier du composant.
Les rsultats exprimentaux de cette transition sur le substrat commercial NH9338 de
254 m sont trs encourageants et ont permis davoir une trs large bande passante. Par cette
premire ralisation, nous avons dmontr limportance de lpaisseur du substrat et en avons
conclu que lexcitation du mode CPM qui perturbe la bande passante est repousse des
frquences trs leves dans le cas des couches minces. Le composant en couche mince nous
permet dailleurs daccder des frquences basses jusqu 400 MHz, voire 200 MHz, et ce
sans via-holes.
Les pertes leves des matriaux que nous avons utiliss, la nature et lpaisseur du
mtal employ, ont une grande influence sur la bande passante de notre transition et lont
dgrade dune manire significative. Nanmoins, nous avons effectu une tude
complmentaire avec diffrents types de mtaux et pour diffrentes paisseurs : il savre que
la bande passante peut tre nettement amliore en faisant le bon choix de mtal et de son
paisseur. De mme, le dveloppement et ltude du matriau de gaine optique requirent
autant dattention que ceux du matriau actif.
Finalement, nous savons que les performances de notre modulateur lectro-optique
seront pnalises par les pertes trs leves de nos matriaux, mais au-del du modulateur,
ltude que nos proposons, notamment celle de la transition, ouvre la voie dautres
applications telle que la radio sur fibre par exemple.

~ 147 ~

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~ 150 ~

Conclusion gnrale

Lobjectif de cette thse consiste en la conception et ltude optique et hyperfrquence

dun modulateur Mach-Zehnder sur polymre, en vue de dmontrer la faisabilit de sa
ralisation base du polymre lectro-optique PIII (PGMA/DR1) synthtis par nos
partenaires chimistes du CEISAM de Nantes et de lUCO2M du Mans dans le cadre de
collaboration travers des projets rgionaux, CPER N 18007 Photonique Microondes
et MATTADOR/MILES.
Pour ltude et loptimisation de la structure optique dun modulateur de type MachZehnder sur polymre lectro-optique, nous avons opt pour lutilisation dOptiBPM, logiciel
de simulation spcialis dans la conception de circuits doptique intgre, en raison de ses
fonctionnalits bien adaptes notre application. A partir des proprits optiques du polymre
lectro-optique PIII, nous avons choisi pour la gaine optique le polymre SU8 pour son indice
1,575 lgrement infrieur celui du PIII (1,60) et sa compatibilit chimique avec ce dernier.
En prenant en compte limpratif dun guide optique monomode avec un fort taux de
confinement et le souci dviter labsorption de la lumire par llectrode mtallique, nous
avons dabord dtermin les dimensions transverses du guide optique cur enterr
rectangulaire : 4 m de large et 2,5 m de haut avec une gaine suprieure de 2,5 m
dpaisseur et infrieure de 3 m. Avec une distance de 8 m entre llectrode et le plan de
masse, ces dimensions devraient constituer un bon compromis pour minimiser la tension de
commande du modulateur et les pertes dinsertion optiques. Nous avons ensuite optimis la
longueur des jonctions Y pour minimiser les pertes optiques dues labsorption par les
matriaux et au rayonnement par courbure, tout en respectant la distance minimum requise
entre les deux bras de linterfromtre Mach-Zehnder permettant dviter que le champ
appliqu un bras ne dborde sur lautre. noter que le cur du guide optique a t optimis
pour tre le plus large possible afin de rduire les pertes de couplage avec la fibre optique.
Comme les chromophores sont actuellement orients par effet couronne par un champ
perpendiculaire au plan de la couche mince de PIII, la ligne microruban est tout indique pour
appliquer un signal de commande progressif pour une efficacit dinteraction lectro-optique

~ 151 ~

optimale. Etant donne lpaisseur de substrat de 8 m impose par la structure optique du

modulateur, une largeur du microruban de 17 m est retenue pour avoir une impdance
caractristique de 50 . Pour faciliter la caractrisation de modulateurs avec un systme
quip des pointes coplanaires et rduire le nombre dtapes technologiques de ralisation,
nous nous sommes proposs dtudier des transitions entre ligne coplanaire et microruban
(CPW-MS) sans via-holes ni gravure de plan de masse infrieur.
Les premires transitions ont t ralises sur le substrat commercial NH9338 de
254 m dpaisseur afin dtalonner et de valider notre utilisation du logiciel HFSS ce type
de structures. Ces transitions coplanaires microrubans plan de masse infrieur (GCPW-MSGCPW) optimises ont une bande passante de 28 GHz, avec un trs bon accord entre mesures
et simulations. Ltude des lignes coplanaires ralises sur une couche de SU8 de 8 m
dpaisseur nous a permis dune part dacqurir lassurance que le logiciel HFSS est bien
adapt ltude des structures sur des substrats de faible paisseur. Elle nous a permis dautre
part de rgler des difficults de caractrisation sous pointes spcifiques des circuits sur
couche mince. Nous avons pu raliser des transitions entre lignes GCPW-MS-GCPW sur SU8
en couche mince avec une longueur de ligne microruban de 1 cm. Les mesures jusqu 40
GHz et les simulations sont en trs bon accord. Les pertes dinsertions sont malheureusement
levs (4 dB) cause de la faible paisseur de mtallisation que nous avons t contraints de
limiter 370 nm en raison du problme daccrochage de laluminium sur le polymre SU8.
Dans ltude de linfluence des diffrents paramtres, nous avons dabord analys le
rle cl jou par lpaisseur du substrat sur la large bande passante des transitions. La faible
paisseur du substrat permet non seulement une conversion rapide du mode de propagation
entre les diffrents types de ligne de la transition mais aussi dtendre la limite basse de la
bande passante jusqu quelques centaines de MHz. Les simulations effectues dans cette
tude prvoient une bande passante de 420 MHz 20 GHz pour une transition GCPW-MSGCPW sur SU8 avec une mtallisation daluminium de 4 m et un plan de masse mtallis.
La frquence haute de la bande passante sera porte 60 GHz pour une transition GCPWMS-GCPW sur le polymre NOA61 avec une mtallisation dargent de 6 m et un plan de
masse mtallis.
lissue de ltude optique et hyperfrquence dun modulateur sur polymres PIII et
SU8, nous avons fait raliser des masques pour la mise en formes des guides optiques et de
toute la structure hyperfrquence (les accs couds, la transition et llectrode de commande)
du modulateur lectro-optique partir de notre dessin de design. La bande passante de
~ 152 ~

lensemble de la structure hyperfrquence est de 4 GHz pour une longueur dinteraction

lectro-optique de 2 cm et de 8,2 GHz pour une longueur de 1 cm. La bande passante est ici
pnalise essentiellement par les pertes dilectriques leve du polymre SU8.
Les travaux de cette thse ont permis de dfinir la structure optique et hyperfrquence
dun modulateur base du polymre lectro-optique PIII, concrtise par les masques prts
lemploi. Ils ont permis notamment dtudier de manire trs approfondie des transitions
GCPW-MS-GCPW performantes et simples raliser qui facilitent considrablement la
caractrisation des modulateurs sur polymre.

Au terme de nos travaux et au-del des

rsultats obtenus qui nous approchent indniablement de la ralisation dun modulateur sur
polymre lectro-optique, nous prsentons dabord quelques pistes possibles explorer suite
nos travaux, puis nous ferons part de quelques rflexions.
- Dans un futur proche, on pense naturellement la ralisation dun modulateur sur
polymre PIII optimis dans le cadre de cette thse afin de montrer sa faisabilit. Ceci permet
aussi de tirer des renseignements prcieux sur les moyens de caractrisation optohyperfrquence, process technologique et la conception du dispositif.
- La ralisation de transitions avec une mtallisation dor de plusieurs m dpaisseur
est en cours. Leur caractrisation nous permettra de confronter leurs performances relles
des frquences plus leves avec les pertes dinsertion et la bande passante dtermines par
simulation laide de HFSS.
- Lors de notre tude de transitions GCPW-MS-GCPW sur substrats pais
de 254 m, une amlioration de la bande passante a t obtenue avec les stubs radiaux par
rapport aux pads rectangulaires. Il serait intressant dtudier lapport rel des stubs radiaux
pour les transitions sur substrat en couche mince.
- Ensuite, ltude du taper dadaptation entre la transition et le connecteur coplanaire
de type V est une tape prendre en compte pour rendre le prototype exploitable
industriellement.
- Il existe plusieurs techniques pour la dtermination de la constante dilectrique et la
tangente de pertes des polymres. Par exemple, lIEMN a mis au point une mthode trs
performante de mesure partir des lignes coplanaires sur polymre utilisant un code de calcul
dvelopp en interne. Dans le cadre de cette thse, nous avons voulu mettre en place une
mthode de caractrisation propre notre utilisation. Pour cela, une tude thorique
accompagne de simulations HFSS a t ralise sur la rsonance dun disque sur polymres
mais ltude na pas abouti une ralisation exprimentale. La mise au point de cette mthode
~ 153 ~

de caractrisation doterait lIREENA dune technique de mesure des proprits

hyperfrquences des polymres.
Pour complter ce travail, nous adressons, nos partenaires chimistes, deux rflexions
sur les proprits intrinsques de matriaux polymres qui sortent de nos domaines de
comptences :
Il parat en effet trs clairement, travers notre tude, que les pertes dilectriques des
matriaux polymres, qui servent de cur et de gaine de guides optiques, constituent un
vritable facteur limitant pour la bande passante. Cela est dautant plus pnalisant que la
bande passante dun modulateur sur polymre est potentiellement trs large grce un bon
accord de vitesse de phase entre ondes optique et lectrique. Cest pourquoi les polymres de
gaine optique mritent autant dattention en ce qui concerne leur tangente de pertes que les
polymres actifs pour leur coefficient lectro-optique. La compatibilit chimique entre les
matriaux polymres de cur et gaine optiques risque de restreindre considrablement le
choix.
Si lon peut disposer de polymres de gaine actifs, dont lindice de rfraction est
infrieur celui du cur, le taux de recouvrement optique et lectrique pourrait alors
approcher 100 %, si bien quon peut rduire soit la longueur dinteraction lectro-optique, soit
la tension demi-onde.

~ 154 ~

Rsum
Les polymres lectro-optiques devraient permettre de raliser terme des modulateurs de
meilleures performances au moindre cot que ceux base des cristaux inorganiques comme LiNbO3 et
des semi-conducteurs comme GaAs. Cette thse porte sur la conception de la structure optique et
hyperfrquence dun modulateur Mach-Zehnder sur polymre, en vue de dmontrer la faisabilit de sa
ralisation base du polymre lectro-optique PIII (PGMA/DR1).
Ltude de la structure optique laide du logiciel OptiBPM a permis dabord de
dimensionner la section droite du guide donde monomode avec un fort taux de confinement, afin de
minimiser labsorption de londe vanescente par llectrode mtallique et la tension de commande du
modulateur. Ltude des jonctions Y a abouti un compromis entre les pertes par absorption du
polymre PIII et celles par courbure, tout en respectant la distance minimum requise entre les deux
bras de linterfromtre Mach-Zehnder permettant dviter que le champ appliqu un bras ne
dborde sur lautre.
Afin de rduire le cot de fabrication des modulateurs et de faciliter leur caractrisation sur
wafer avec des pointes CPW, nous avons tudi des transitions coplanaire et microruban trs large
bande sans via-holes ni motif dans le plan de masse. Les rsultats de mesures et de simulations
effectues laide du logiciel HFSS sont en trs bon accord pour les transitions aussi bien sur le
substrat commercial NH9338 que sur le polymre SU8 en couche mince de 8 m. Les simulations
prvoient une bande passante de 420 MHz 60 GHz pour une transition GCPW-MS-GCPW sur le
polymre NOA61 en couche mince avec une mtallisation dargent de 6 m.
Mots cls : guides dondes optiques, modulateurs lectro-optique, polymres, structure de propagation
hyperfrquence, transition coplanaire microruban, caractrisation sous pointes

Summary
The electro-optical polymers are expected to allow realizing eventually cheaper modulators
with better performances than those based on inorganic crystals such as LiNbO3 and semiconductors
such as GaAs. This PhD thesis concerns the study and the design of the microwave and optical
structure of a Mach-Zehnder modulator based on polymer, in order to demonstrate the feasibility of its
realization based on the electro-optical polymer PIII (PGMA/DR1).
The study of the optical structure using the software OptiBPM allowed, at first, to optimize the
dimensions of the cross section of single mode with high confinement factor, so the absorption of the
evanescent lightwave by the metallic electrode and the driving voltage of the modulator are
minimized. The study of Y-junctions results in a trade-off between the losses by absorption of the
polymer PIII and those by curvature, while keeping the minimum distance required between the two
arms of the Mach-Zehnder interferometer, so the electrical field applied to one arm does not extend
into the other one.
In order to reduce the manufacturing cost of modulators and facilitate their characterization on
chip with CPW probes, we studied especially ultra-broadband transitions coplanar microstrip (GCPWMS) without via-holes and etching the ground plane. The results of measurements and simulations
obtained using the software HFSS are in very good agreement for the transitions realized on both the
commercial NH9338 substrate and polymer SU8 in thin layer of 8 m. The simulations anticipate a
bandwidth from 420 MHz to 60 GHz for a transition GCPW-MS-GCPW on polymer NOA61 in thin
film with a metallization of silver of 6 m.
Keywords : optical waveguides, electro-optics modulators, polymers, microwave propagation
structure, coplanar microstrip transition, probe characterization