Lima Cerdado, lunes 27 de junio del 2016

Pgina 1

I. TEMA:
Transistor Monounion (UJT)
II. OBJETIVOS:
1. Verificar en forma esttica el estado operativo de un UJT
2. Verificar y determinar las caractersticas de
funcionamiento de un UJT

III. INTRODUCCIN TERICA:

Tambin llamado Transistor Unijuntura es otro dispositivo
semiconductor unipolar constituido por una barra de material
semiconductor tipo N, que posee una conexin elctrica en cada
extremo, denominadas B1 y B2. En el centro de la barra se dopa al
semiconductor para formar zonas P+ y N-, cuya unin determinada
el emisor (E) del transistor.
En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad
est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina
con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un
nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy
pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su
estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy
alta cuando el diodo del emisor no conduce.
R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos
entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada
por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre
bases es igual a:
RBB=R1+R2
Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre
las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que
corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de
tensin se cumplir que:
V 1=R1

V BB
R
= 1 V BB
R1 + R2 RBB

Lima Cerdado, lunes 27 de junio del 2016

Pgina 2

Si llamamos

R1
R BB

, la ecuacin queda

V 1= V BB

As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica

igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el
terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12 V entre bases, bastar con
operar de la siguiente forma:
V 1= V BB =0.8512=10.2V
Al valor de V1 se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay
que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si
aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el
ctodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2 V correspondiente
a la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo permanecer polarizado
inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a 10,9 V
(los 10,2 V de V1 ms 0,7 V de la tensin de barrera del diodo D), el diodo
comenzar a conducir, producindose el disparo o encendido del UJT. En
resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es
necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca.

Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una
tensin de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los
portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal
de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el
cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N dbilmente).
Este efecto produce una disminucin repentina de la resistencia R1 y, con
ella, una reduccin de la cada de tensin en la base 1 respecto del
emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente
considerablemente.
Aplicaciones del UJT
Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos
en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el
disparo de la puerta de TRIACS y SCR.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.
Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito
serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho
condensador comienza a cargarse. Como este condensador est
conectado al emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar
Lima Cerdado, lunes 27 de junio del 2016

Pgina 3

en conduccin. Debido a que el valor hmico de la resistencia R1 es muy

pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en el terminal de
B1 aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga
del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de
mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y
descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base
1 aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede
utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC.
Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor
hmico de la resistencia variable RS, ya que de sta depende la constante
de tiempo de carga del condensador.
En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de
pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR.
Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de
cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc.) gracias a la
regulacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para
controlar la velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los
pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del
potencimetro RS.

IV. MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR:

1. Una fuente de Corriente Continua de Voltaje Ajustable.
2. Un voltmetro Analgico DC.
3. Dos Miliampermetros Analgicos DC.
4. Un Multmetro Digital.
5. Un UJT 2N2646.
6. Resistores: 470 , 56, 1k, 2.2k.
7. Potencimetros: 5k y 10k.
8. Cables conectores de Cocodrilo/banano (10) y un cordn
CA.

9. Una placa con zcalo de 3 terminales.

V. PROCEDIMIENTO:
1. Verificar el estado operativo del UJT con el ohmmetro,
llenando la tabla 1
Lima Cerdado, lunes 27 de junio del 2016

Pgina 4

Resistencia
Emisor-Base 1
Emisor-Base 2
Base 1-Base 2

Directa()
0.827k
0.777k
4.470k

Inversa()
>60M
>60M
4.533

2. Armar el circuito de la Figura 1, iniciando los potencimetros P1 y P2 en 0

, Debiendo estar los 2 miliampermetros en el rango de 30 mA. (por lo
menos); llenar la Tabla 2.
VALORES
TEORICOS
MEDIDOS

Ve(v)
0
0.031

Ie (mA)
0
0

Vb1 (v)
19.02381
18.66

Lima Cerdado, lunes 27 de junio del 2016

Vb2 (v)
0.116
0.159

Ib (mA)
2.077
2.5

Pgina 5

3. Ajustar gradualmente el valor de P1 hasta llegar al valor de Vp observando

los miliampermetros, visualizando el instante de disparo del UJT; llenar la
Tabla 3.
VALORES
TEORICO
S
MEDIDOS

Ve(v)

Ie(mA)

Vb1(v)

Vb2(v)

Ib(mA)

P1()

2.562

7.43

13.00

1.248

15.5

1.843K

4. Ajustar gradualmente el valor de P2 observando el miliampermetro de Ie,

hasta llegar al instante de obtencin de la corriente de valle (retorno a
Off); llenar la Tabla 4.
VALORES
TEORICO
S
MEDIDOS

Ve(v)

Ie(mA)

Vb1(v)

Vb2(v)

Ib(mA)

P1()

P2()

2.101

1.11

17.17

1.718

5.98

1.826 K

8.99K

VI. DATOS OBTENIDOS:

INTERPRETACIN
VII.
CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES:

Lima Cerdado, lunes 27 de junio del 2016

Pgina 6