UNIDAD I: DIODOS SEMICONDUCTORES

Tema 1

ELECTRNICA I

UNIDAD I: DIODOS SEMICONDUCTORES

1. Principio de los Semiconductores

1.1 Materiales Semiconductores:
Conductor: se aplica a cualquier material que soporta un flujo generoso de
carga, cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs
de sus terminales.
Aislante: es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo
la presin de una fuente de voltaje aplicada.
Semiconductor: por lo tanto, es un material que posee un nivel de
conductividad sobre algn punto entre los extremos de un aislante y un
conductor.

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Resistividad de los Materiales:

La resistividad , con unidades de
.cm
= R*A / l
Los Aislantes presentan resistividad
entre 1010 a 1022 cm.
Los Semiconductores entre 10-2 a
1010 cm

Material

Resistividad
(cm)a 20C

Clasificacin

Aluminio

2.67

Conductor

Calcio

3.70

Conductor

Cobre

1.694

Conductor

Germanio

89x103

Semiconductor

Oro

2.20

Conductor

Plata

1.63

Conductor

Silicio

103-106

Semiconductor

Dixido de silicio

1020

Aislante

Oxido de berilio

1020

Aislante

Aleaciones

Los Conductores metlicos de 10-2 a

10-6 cm.

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9 El semiconductor es un material slido, el cual posee la caracterstica atractiva
de variar su resistividad por medio de fenmenos como:
Excitacin trmica.
Excitacin ptica.
Contaminacin del material.
9 Los semiconductores ms usados son el germanio (Ge) y el silicio (Si) cuya
estructura electrnica tienen cuatro electrones en su capa ms externa y
forman enlaces covalentes. Ellos son utilizados en la fabricacin de
dispositivos no lineales como el diodo, transistores, circuitos integrados, entre
otros.
9 Existen tambin los semiconductores compuestos, formados por la
combinacin de 2 o ms materiales, con la finalidad que presenten
caractersticas muy parecidas a las del semiconductor puro. Un ejemplo de los
semiconductores compuestos es el arseniuro de galio (AsGa).
9 Los materiales semiconductores se estudian partiendo de las propiedades que
presentan los electrones en los cristales. Inicialmente se deben comprender las
teoras fsicas que estudian al tomo y los electrones.
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Semiconductores en equilibrio y desequilibrio

Caractersticas de los semiconductores

En los semiconductores, se deben definir las partculas que intervienen en el

flujo de carga que genera la corriente.
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Cristales Semiconductores:
Es un Slido Cristalino el
cual consta de un gran
nmero
de
tomos
acomodados
de
forma
regular, generando una
estructura peridica. En los
semiconductores
los
electrones se mueven a
travs
de
estructuras
cristalinas o cristales, que
presentan una periodicidad
y que facilita el estudio de
la fsica y la electrnica de
estado slido
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Los tomos de SI y Ge
presentan 4 electrones de
valencia en su capa ms
externa, eso permite que
formen ligaduras moleculares
con los tomos vecinos
compartiendo
sus
cuatro
electrones de valencia.
Las ligaduras moleculares
formadas
por
los
semiconductores se conocen
como Enlaces Covalentes.
Los
enlaces
covalentes
mantienes
la
estructura
semiconductora fuertemente
unida.
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Estructura Atmica

Ncleo
Si
14 p+

Electrones:
14 para el Si
32 para el Ge

SI

SI

Ncleo
Ge
32 p+

SI

SI

SI

SI

SI
SI

SI

SI

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Teora de las bandas de energa:

BANDAS DE ENERGA
-Los cristales slidos estn formados por una gran cantidad de tomos
distribuidos peridicamente y, que debido a su proximidad interactan entre
ellos, dando como resultado la formacin de niveles permitidos adicionales
en cada tomo siempre y cuando los electrones cumplan con el principio de
exclusin de Pauli (PEP)
- PEP: El cual dice que no pueden existir dos electrones
en el mismo tomo con el mismo grupo de nmeros
cunticos, es decir, dos electrones no pueden ocupar
el mismo nivel de energa.

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Teora de las bandas de energa:

BANDAS DE ENERGA
- Cuando los tomos se encuentran
alejados entre s, no interactan y
sus niveles de energa equivalen al
de tomos aislados.

- Cuando un gran nmero de tomos se

juntan para formar slidos cristalinos,
ocurre un solapamiento de niveles de energa
de los electrones de las capas ms externas.

Cloruro sdico, 27 tomos

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Teora de las bandas de energa:

- Obedeciendo al PEP los diferentes niveles de energa, generan estados

de energa prximos que dependen de la distancia interatmica. Estos
estados prximos dan origen a las llamadas bandas de energa.
- En la figura se observa que para las diferentes orbitas de energa a una
distancia entre tomos muy amplia, los niveles de energa por orbita
asumen valores fijos y discretos.

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Teora de las bandas de energa:

- Cuando la distancia entre tomos se reduce los niveles discretos de
energa aportados por cada tomo, se sitan muy prximos unos de otros
para formar las diferentes bandas de energa .

Diagrama de bandas de energa del silicio.

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Teora de las bandas de energa:

Energa vs vector onda:
- Para comprender el comportamiento del electrn en el semiconductor,
podemos recurrir a un modelo que relaciona la energa del electrn con un
parmetro k, conocido como constante de propagacin , vector de onda o
nmero de onda.

2.

P
k=
=

h
h: Constante de Planck = 6.62x10-34. (J.seg).
P: Cantidad de movimiento

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Teora de las bandas de energa:

Energa vs vector onda:
- La Energa de los electrones E se puede tambin relacionar con k, para
analizar las bandas de energa permitidas y prohibidas que tiene el electrn
en el interior del semiconductor con un potencial peridico.
- En la figura se observa que la banda de la energa en funcin de k, no est
permitida para todos los valores y tiene algunos segmentos de energa
prohibida

Electrnica I

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Teora de las bandas de energa:

Energa vs vector onda:
- La banda de valencia para la mayora de los semiconductores se da para
un k = 0
- La banda de conduccin tiene dos posibilidades:
k=0 son ptimamente activos.
9 Arseniuro de galio (GaAs)
9 Fosfuro de Indio (InP), etc.

Donde:
EC : Energa de la banda de conduccin.
EV : Energa de la banda de valencia.
Eg : Energa de la banda prohibida.
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Banda de separacin directa

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Teora de las bandas de energa:

Energa vs vector onda:
K 0 son muy agudos con la luz y no sirven
como dispositivos pticos eficaces activos.
9 Silicio (Si)
9 Germanio (Ge)
9 Arseniuro de aluminio (AlAs)

Banda de separacin indirecta

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Los materiales presentan tres bandas
Energa, las cuales estn formada por
aportes energticos de los electrones
valencia y los estados disponibles
energa. Clasificamos estas Bandas en:

de
los
de
de

Clasificacin de los materiales segn las

bandas de energa
EC
Eg
EV

BC: Banda
de conduccin: donde los
electrones no tienen ningn enlace y se
pueden movilizar a travs de todo el material.
BP: Banda prohibida: cantidad de energa
requerida por el semiconductor para romper
sus enlaces covalentes.
BV: Banda de valencia: donde estn los
electrones de las rbitas ms externas,
formando enlaces covalentes.
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BC

BC

BC
BP

BP

BC
EC
Eg
EV

BC

BC

BP

BP

BV
BV

BV
BV

BV
BV

Aislante

Semiconductor

Conductor

Conduccin de los materiales

Semiconductor
BC
BP
BVV

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1.2 Clasificacin de los Semiconductores

Los Materiales Semiconductores Conducen Corriente al romper los enlaces
covalentes y generan dos portadores de carga: Electrones (carga negativa) y
Huecos (Carga Positiva), para manipular estos valores de corriente debemos
controlar el nmero de portadores de carga que se genera. En base a esto
clasificamos los semiconductores en Intrnsecos y Extrnsecos.
INTRINSECO: Es un semiconductor ideal, es decir, su red cristalina est
formada solamente por tomos de un mismo tipo (Si o Ge), adems no
presenta defectos en su estructura y sus enlaces covalentes se encuentran
completos.
EXTRINSECO: Es un semiconductor que se le aade en su red cristalina
cierta cantidad de impurezas (tomos trivalentes y pentavalentes), para
doparlo o contaminarlo y modificar su concentracin de portadores. Las
impurezas modifican el nivel de energa de Fermi, aumentado la probabilidad
de que los portadores sean excitados a niveles de energa menores que las
necesarias en la concentracin intrnseca.
Electrnica I

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1.2 Clasificacin de los Semiconductores

INTRINSECO:
- En los semiconductores intrnsecos la concentracin de electrones n = ni y la
concentracin de huecos p = pi, y ni = pi; el producto de las concentraciones
es:

n. p = ni2 = pi2

Ecuacin de equilibrio del semiconductor.

- Para el semiconductor intrnseco el nivel de Fermi coincide con el nivel de

energa intermedia de la banda prohibida (Ei) como se observa en la fig.

Electrnica I

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Electrn de valencia del

Fsforo que no forma
enlace.

Si

Hueco del Galio que no

forma enlace, es decir,
enlace roto

Si

Si

Enlace covalente
formado por los
electrones de valencia
del Silicio y el Fsforo

Si

Si
Ga

Si

Enlace covalente
formado por los
electrones de valencia
del Silicio y el Galio

Si
Si

TIPO N

TIPO P

Los semiconductores extrnsecos se pueden clasificar segn las impurezas

contaminantes en tipo P y tipo N. Si la impureza es pentavalente, es decir
cinco electrones de valencia (5 ev-, Fsforo, Arsnico, etc) donan
electrones al material ya que 4 electrones forman enlaces covalentes y el
otro electrn queda disponible. La energa necesaria para liberar ese quinto
electrn es de 0.01eV para el Ge y 0.05eV para el Si, la impureza se
conoce como donadora (Nd) y el semiconductor como tipo N.

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Niveles de energa del silicio extrnseco

TIPO N

TIPO P

- Para tipo N el nivel de Fermi se acerca a la BC

- Para tipo P a la BV.
- Los portadores de carga dejan de ser de igual concentracin, por lo tanto, se
debe hablar de portadores mayoritarios y minoritarios.

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Niveles de energa del silicio extrnseco

MATERIAL TIPO N
Electrones mayoritarios, concentracin nn.
Huecos minoritarios, concentracin pn.
Ecuacin de equilibrio:

nn . pn = ni2
MATERIAL TIPO P
Huecos mayoritarios, concentracin pp.
Electrones minoritarios, concentracin np.
Ecuacin de equilibrio:

n p . p p = ni2
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Densidad de carga en el semiconductor:

- Los portadores de carga positiva y los tomos ionizados positivamente
deben estar en equilibrio elctrico con los portadores de carga negativa y los
tomos ionizados negativamente, por lo tanto, se puede representar con la
siguiente relacin:

Nd + + p = Na + n
- Los tomos donadores estn ionizados, la carga por cm3 positiva debe
ser la suma de Nd+ + p, en forma similar con la carga negativa debe ser
Na- + n. En equilibrio ambas deben ser iguales.

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Densidad de carga en el semiconductor:

MATERIAL TIPO N
- Tiene una Na = 0 y n>>p, por lo tanto, nn= Nd y la concentracin de huecos
se define como:

MATERIAL TIPO P
- Tiene una Nd = 0 y p>>n, por lo tanto, pp= Na y la concentracin de huecos
es:

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