Memrias ROM

1-Introduo
Rom (Read-Only Memories) memria de apenas leitura a semicondutor,
que armazena informao em carter permanente.
Durante sua operao normal nenhum dado pode ser escrito na ROM, ou seja,
utilizada somente para leitura dos dados que foram armazenados previamente.
Para alguns tipos de ROM os dados so gravados durante o processo de fabricao
enquanto que, para outros, os dados so gravados eletricamente.
O processo de gravao de dados em uma ROM denominado programao ou
queima. Algumas ROMs no podem ter seus dados alterados, enquanto que outras podem
ter seus dados apagados e regravados.
As ROMs so no volteis e por isso so empregadas para guardar dados que no
mudaro durante a operao de um sistema, uma vez que, aps cessada a alimentao
eltrica os dados no se perdem.
Aplicada no armazenamento de programas de sistemas operacionais em
computadores e outros sistemas digitais (eletrodomsticos, sistema de segurana, caixa
eletrnico), Circuitos Geradores de Caracteres e pode ser empregada na construo de um
circuito combinacional qualquer. Simbologia (mais comum):

Figura 1- Smbolo ROM

Uma ROM pode ser implementada como um circuito combinacional, conforme

ilustra a figura 2, abaixo:

Figura 2- Circuito Combinacional ROM

Na realidade trata-se de um circuito combinacional codificador onde E0 a E2 so as

entradas. Essas entradas combinadas equivalem ao endereo e, na sada tm-se a palavra
S0 aS4.
Por exemplo: para o endereo 100, a palavra na sada seria 10111.
importante notar que no codificador somente uma das entradas pode ser levada a
nvel lgico 1 de cada vez, o que limita uma ROM feita com codificadores.
Outra alternativa utilizar um decodificador e um codificador, para implementar
uma ROM, conforme mostra a figura 3. Podemos atravs das combinaes de entrada
estabelecer uma sada, onde neste caso, as entradas podero estar todas submetidas a nvel
1.

Figura 3- Estrutura Geral para uma ROM combinacional

A vantagem deste circuito o aumento na capacidade de armazenamento, para um

nmero de linhas de endereamento mais reduzido. Para n linhas de endereamento
haver 2n entradas no codificador e consequentemente 2n palavras.
Com base no decodificador e codificador, podemos projetar uma memria ROM,
conforme a tabela 1, mostrada na fig.4:
Tabela 1

Figura 4- ROM combinacional

ROM (Read Only Memory) uma memria somente de leitura, ou seja, os dados so
armazenados no processo de fabricao, no permitindo nova gravao. Em computadores antigos
a ROM continha a programao (BIOS-Basic Input Output System) que permite a inicializaode
um computador

2-Estrutura Geral e Organizao de uma mmria

A Arquitetura bsica utilizada para ROM nos processos de fabricao dos circuitos
integrados atuais mostrada na figura 5. Na figura 5a temos um exemplo para o
decodificador de endereos, usando portas lgicas ANDs.

Figura 5 Arquitetura Interna das Memrias ROM

Bloco decodificador de endereos um gerador de produtos cannicos e ativa uma linha por
vez, de acordo com o endereamento (fig .5 a).
Matriz de dados Arranjo de linhas e colunas que atravs de um elo de ligao possibilita a
gravao dos dados pelo fabricante e consequente leiutura pelo usurio. Na prtica, esses elos so
elementos semicondutores (diodos ou transistores) que se constituem na estrutura de dados
propriamente ditos.

Chaves de sada- conjunto de chaves (buffers) que so habilitadas atravs do terminal

CS. A conexo feita em nvel 0 (1 fica em alta impedncia)

Figura 5a Bloco decodificador de endereos Gerador de produtos cannicos de 2 bits
constitudo por portas AND e INVERSOR

Fig.6-ROM Mscara

ROM 4X4

PROM (Programmable Read-only Memory) uma ROM que fornecida virgem para o
comprador. Para a gravao de dados na ROM deve ser usado um equipamento especial.
A gravao feita de uma s vez, para toda a capacidade da PROM, e uma vez realizada,
5

no pode ser desfeita. A gravao feita atravs da circulao de uma corrente eltrica
que rompe o fusvel onde deseja-se armazenar o nvel lgico 0.

Fig 7-Uma memria PROM com diodo

EPROM
1-Introduo

(Erasable Programmable ROM - ROM Apagvel e Programvel) foi

inventada pelo engenheiro Dov Frohman.
Uma EPROM, ou erasable programmable read-only memory, um tipo de dispositivo
de memria de computador no-voltil, isto , mantm seus dados quando a energia
desligada. Uma EPROM programada por um dispositivo eletrnico que fornece tenses
maiores do que as usadas normalmente na alimentao do dispositivo. Uma vez
programada, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposio a uma forte luz
ultravioleta (comprimento de onda entre 0,2 a 0,4 microns). EPROMs so facilmente
reconhecveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de silcio pode
ser visto (Fig.6), e por onde passa luz ultravioleta durante o apagamento. O processo de
apagamento dura de 10 a 30 minutos.

Figura 6. EPROMS e a pequena janela de quartzo para a passagem da luz ultravioleta durante o
apagamento.

Uma EPROM programada mantm seus dados por aproximadamente dez a vinte anos e
pode ser lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser mantida coberta para
evitar apagamento acidental pela luz do sol. Antigos chips de BIOS (Basic
Input/Output Systems) de PC usavam EPROMs, e a janela de apagamento era
frequentemente coberta com um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS, a reviso
da BIOS, e um aviso de copyright (Fig.6a).

Figura 6a. Microcontrolador 8749 que armazena seu programa em uma EPROM.

Antes da era da memria flash, alguns microcontroladores frequentemente, usavam

EPROM para armazenar seus programas. Este procedimento til para desenvolvimentos
de projetos, possibilitanto que os dispositivos programveis sejam programados vrias
vezes, facilitanto a depurao do projeto.
Para se programar uma EPROM, necessrio utilizar um equipamento conhecido como
Programador, que so encontrados em empresas epecializadas ou pode-se fazer um
programador do tipo caseiro.

Existem EPROMs em vrios tamanhos (fsicos) e de capacidade de armazenamento, ver

tabela 2:
Tabela 2- Memrias EPROMs comerciais

Tipo de EPROM

Tamanho bits

Tamanho bytes

Tamanho
(hex)

ltimo endereo
(hex)

2716, 27C16

16 kbit

2KBytes

800

007FF

2732, 27C32

32 kbit

4KBytes

1000

00FFF

2764, 27C64

64 kbit

8KBytes

2000

01FFF

27128, 27C128

128 kbit

16KBytes

4000

03FFF

27256, 27C256

256 kbit

32KBytes

8000

07FFF

27512, 27C512

512 kbit

64KBytes

10000

0FFFF

27C010, 27C100

1Mbit

128KBytes

20000

1FFFF

27C020

2 Mbit

256 kbytes

40000

3FFFF

27C040

4 Mbit

512 kbyte

80000

7FFFF

NOTA: As sries de EPROMs 27x contendo um C no nome so baseadas em CMOS, sem o C so NMOS

2- Clulas de Armazenamento
Na figura7 mostra-se uma clula de uma EPROM. As clulas de armazenamento em uma
EPROM so transistor MOS com porta de slicio sem conexo (flutuante). No estado
normal, o transistor est desligado e a clula armazena 1 lgico. O transistor pode ser
ligado aplicando um pulso de tenso que injeta eltrons de alta energia na regio da porta
flutuante. Estes eltrons ficam presos, pois no h caminho de fuga.

Figura7- Seo transversal de uma clula de uma EPROM NMOS

Uma EPROM pode ser programada pelo usurio e tambm pode ser apagada e
reprogramada quantas vezes desejar. O processo de programar uma EPROM consiste
em aplicar tenses especiais (10 a 24V) nos pinos apropriados, durante um certo tempo
(50ms por locao).
Uma EPROM pode ser apagada se for exposta a luz ultravioleta, que produzir uma
corrente da porta flutuante para o substrato, removendo as cargas e desligando o
transistor, e restaurando o 1 lgico.Este processo deve gastar entre 15 e 20 minutos,
dependendo da memria e intensidade de luz, e apagar toda a memria.
3- CMOS EPROM AM27C64
A AM27C64 uma memria s de leitura apagvel por luz ultravioleta e programvel.
organizada como 8K palavras de 8-bits. Segue na figura 8, o diagrama de blocos da
AM27C64.

Figura 8-Organizao interna da memria EPROM AM27C64

EEPROM
1-Introduo
Uma EEPROM (de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)
um chip de armazenamento no-voltil usado em computadores e outros aparelhos.
Ao contrrio de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada vrias
vezes, eletricamente e ainda isoladamente por palavras de dados (bytes individuais) sem
necessidade de reprogramao total. Este fato faz com que as alteraes sejam efetuadas
pelo prprio sistema no qual a memria esteja inserida.
Pode ser lida um nmero ilimitado de vezes, mas s pode ser apagada e programada um
nmero limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milho. A memria flash
uma variao moderna da EEPROM, mas existe na indstria uma conveno para reservar
o termo EEPROM para as memrias de escrita bit a bit, no incluindo as memrias de
escrita bloco a bloco, como as memrias flash. As EEPROM necessitam de maior rea
que as memrias flash, porque cada clula geralmente necessita de um transstor de leitura
e outro de escrita, ao passo que as clulas da memria flash s necessitam de um.

Dispositivos da srie MAX7000S como o EPM7128SLC84-7 de mdia densidade, tem

internamente elementos de uma EEPROM. Este dispositivo apresenta as seguintes
caractersticas:
PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) -package de 84 pinos;
128 macroclulas onde cada macroclula tem um array de AND programvel/OR
fixa;registrador reconfigurvel com clock independente programvel, clock enable,
clear e funes preset.
Capacidade de 2500 gates;
Arquitetura simples, ideal para projetos introdutrios, funes lgicas
combinatrias e sequenciais;
Tenso de alimentao de 5,0 e 3,3V;
Reprogramvel no sistema;
Compatvel PCI2;
Apresenta alta velocidade (tp=5ns)

Barramento PCI (Peripheral Component Interconnect) surgiu no incio de 1990(Intel). Tem como
caractersticas a capacidade de transferir dados a 32 bits e clock de 33 MHz, especificaes estas
que tornaram o padro capaz de transmitir dados a uma taxa de at 132 MB por segundo. Os slots
PCI so menores que os slots ISA (Industry Standard Architecture) padro anterior a este, assim
como os seus dispositivos.

10

Memria Flash
1-Introduo
As memrias Flash foram uma resposta da indstria s memrias EPROM e EEPROM,
que oferecem as vantagens destas memrias sem o alto custo, apresentando as seguintes
caractersticas:

No-Voltil
Apagvel e escrita feitos eletricamente como as EEPROMS
Apagvel eletricamente total ou por setor, no circuito
Grande Densidade
Alta Velocidade de Acesso (igual a EPROM e a EEPROMs)
Baixo custo

A Memria Flash uma memria de computador do tipo EEPROM que permite que
mltiplos endereos sejam apagados ou escritos numa s operao. Trata-se de um
dispositivo reprogramvel e ao contrrio de uma RAM, preserva o seu contedo sem a
necessidade de fonte de alimentao. Esta memria comumente usada em cartes de
memria drives flash, USB e em iPod.
Tambm vem sendo chamada de disco slido pelas suas perspectivas de uso, no somente
devido a sua maior resistncia quando comparada aos discos rgidos atuais, mais por
apresentar menor consumo, maiores taxas de transferncia, latncias e peso muito mais
baixos. Chega a utilizar apenas 5% dos recursos normalmente empregados na alimentao
de discos rgidos. J utilizado em notebooks, o que ser expandido para a verso desktop
nos prximos 5 anos.
2. A Clula
A clula de uma memria Flash semelhante clula de uma EPROM, e constuda por
um nico transistor. Na memria Flash, uma fina camada de xido de slicio forma a porta
(gate) do transistor, permitindo apagar eletricamente a memria e uma maior densidade
que as EEPROMs, com um custo menor. A Figura 9 compara os dois tipos de clulas de
memria, onde a camada de xido entre a porta e o substrato na clula Flash 100
Angstroms, aproximadamente, e na EPROM maior que 150 Angstroms.

Figura 9- Clula Flash e Clula EPROM

11

2.1 Operaes de escrita / leitura/Apagamento

Na operao de escrita, uma alta tenso de programao (VPP=12 Volts) aplicada na
porta de controle (Control Gate), a tenso no dreno (Drain) aumentada para 6 Volts
enquanto a tenso na fonte (Source) permanece em 0 Volts. Isto forma uma regio reversa,
crescendo a corrente dreno-fonte, provocando um aumento na energia dos eltrons que
vencem a barreira de xido e so capturados pela porta flutuante (floating gate) Fig.10.

Figura 10 - Clula Flash - Operao de Escrita

Depois da escrita ser concluda, uma carga negativa na porta flutuante aumenta a tenso
de limiar (Vt) da clula acima da tenso equivalente a 1 lgico da linha de seleo de
palavra (worldline). Quando a linha de seleo de palavra de uma clula escrita levada
ao nvel lgico 1 durante uma leitura, a clula no conduzir. Um amplificador sensor
detecta e amplifica a corrente da clula, e fornece uma sada 0 para uma clula escrita.
Para apagar o contedo de uma clula Flash, a tenso de fonte (Source) colocada em
VPP=12 Volts, a port (Control Gate) de controle aterrada e o dreno (Drain) fica flutuando
(Fig. 11).Devido grande tenso aplicada na fonte (em relao tenso na porta), h uma
atrao dos eltrons negativamente carregados da porta flutuante para a fonte atravs da
fina camada de xido.

Figura 11- Clula Flash - Operao de Apagar

Depois da operao de apagar ser completada, a ausncia de cargas na porta flutuante

baixa a tenso Vt da clula para um valor abaixo da tenso equivalente a 1 lgico da linha
de seleo de palavra (worldline). Quando uma clula apagada tem a linha de seleo de
palavra (wordline) colocada no nvel lgico 1 durante uma leitura, o transistor conduzir
mais corrente que uma clula escrita, fornecendo sada lgica 1.
12

3- Circuito Integrado (CI) - Memria Flash CMOS A28F256A

mostrado na figura 12, o smbolo lgico para o CI da memria Flash, CMOS
A28F256A (DIP-dual-in-line), da Intel, cuja capacidade 32K X 8-palavrasXbits.

Figura12- Pinagem do dispositivo 28F256A

As funes executadas por cada pino do diagrama acima esto indicadas na tabela 3.

13

Tabela 3-Pinagem e funo dos pinos.

Diagrama Funcional ou diagrama de blocos para a memria Flash

A28F256A (Figura 13).
Todas as operaes associadas com alteraes no contedo da memria - identificador
inteligente, apagar, verificao de apagar, programar e verificao de programa - so
acessadas atravs do registrador de comando, interno memria.

Figura13- Diagrama de blocos para a memria Flash A28F256A.

14

As operaes de leitura, escrita e 'standby' so controladas pelas entradas de controle

WE#, CE# e OE#. A tabela 3 mostras resumidamente o que acontece com os pinos de
dados DQ0 a DQ7 para diferentes nveis das entradas de controle. Na tabela 4 tem-se as
informaes completas da operao, dadas pelo fabricante.
Tabela 3 - Da Operao

Input
Modo
READ
WRITE*
STANDBY

CE

OE

Output
WE

Dados

LOW LOW HIGH DATA OUT

LOW HIGH LOW DATA IN
HIGH
X
X
HIGH-Z

*Note: se VPP6,5V a operao de escrita no pode ser executada. Isto assegura memria Flash
um comportamento de ROM. Em outras palavras, se a tenso VPP for menor que 6,5Volts, o
registrador de comando vai para 00H e a memria entra no modo de somente leitura

Tabela 4- Memria Flash A28F256A-operao

O Registrador de Comando usado para gerenciar todas as funes do dispositivo,

como:
Apagar;
Apagar e Verificar;
Programar;
Verificar programa;
Para que a memria realize qualquer uma das operaes listadas na tabela 4 necessrio
alterar o contedo do registrador de comando da memria. As operaes da memria
so selecionadas aplicando uma tenso maior que 6,5V no pino VPP, em seguida, escrevese uma palavra de dados especfica no registrador de comandos. A tabela 5 mostra as
definies para cada comando.Veja que alguns comandos precisam de dois ciclos de
clock.
15

Tabela 5- Definies dos comandos -memria Flash A28F256A

4-Aplicaes
In consumer devices, Flash memory is widely used in:

Notebook computers Personal computers

Personal Digital Assistants (PDAs) Digital cameras
Global Positioning Systems (GPS) Cell phones
Solid-state music players such as Electronic musical instruments
MP3 players Television set-top boxes
Flash memory is also used in many industrial applications where reliability and data retention in
power-off situations are key requirements, such as in:
Security systems Military systems
Embedded computers Solid-state disk drives
Networking and communication products Wireless communication devices
Retail management products Medical products
(E.g., handheld scanners)

Flash Card or USB Flash Drive Capacity

Some of a Flash storage devices listed capacity is used for formatting and other functions and
thus is not available for data storage.
When a Flash storage device is manufactured, steps are taken to ensure that the device
operates reliably and to permit the host device (computer, digital camera, PDA, cell phone,
etc.) to access the memory cells i.e., to store and retrieve data on the Flash storage device.
These steps loosely called formatting utilize some of the memory cells within the device
and thus reduce the capacity available for data storage by the end user.
Formatting includes the following operations:
1. Testing each memory cell in the Flash storage device.
2. Identifying all defective cells and taking steps to ensure that no data will be written to
or read from a defective cell.
2

Carto de memria
Carto de memria ou carto de memria flash um dispositivo de armazenamento
de dados com memria flash utilizado em videogames, cmeras digitais, telefones
16

celulares, palms/PDAs, MP3 players, computadores e outros aparelhos eletrnicos.

Podem ser regravados vrias vezes, no necessitam de eletricidade para manter os dados
armazenados, so portteis e suportam condies de uso e armazenamento mais rigorosos
que outros dispositivos baseados em peas mveis.

Figura 14- Modelos de cartes de memria.Em sentido horrio a partir do topo, CompactFlash,
xD-Picture Card, MultiMediaCard e Secure Digital Card.

Tabela 6- Alguns formatos para cartes de memria

Nome
PC Card

Acrnimo

Dimenses

PCMCIA 85,6 54 3,3 mm

CompactFlash I

CF-I

43 36 3,3mm

CompactFlash II

CF-II

43 36 5,5mm

SmartMedia

SMC

45 37 0,76mm

Memory Stick
Memory Stick Duo
Memory Stick Micro
MultiMediaCard

DRM

MS
MS Duo
M2
MMC

50 21,5 2,8mm MagicGate

31 20 1,6mm

MagicGate

15 12,5 1,2mm MagicGate

32 24 1,5mm

Reduced Size MultiMediaCard RS-MMC 16 24 1,5mm

MMCmicro Card
Secure Digital Card
miniSD

MMCmicro 12 14 1,1mm
SD
miniSD
17

32 24 2,1mm

CPRM

21,5 20 1,4mm CPRM

microSD
xD-Picture Card

SD
xD

11 15 1mm

CPRM

20 25 1,7mm

Memory cards
Com advento dos jogos distribudos em discos ticos, os consoles de video game
adotaram como soluo de armazenamento de dados os cartes de memria, conhecidos
como memory cards apesar de ter sido adotado tambm no console NeoGeo em 1990
para troca de dados entre as verses domstica e arcade.

As capacidades listadas entre parnteses se referem aos cartes originais.

Microsoft Xbox:
o Xbox Memory Unit (8 MB)
o Xbox 360 Memory Unit (64MB, verso 256MB anunciada)
Nintendo:
o Nintendo 64 Controller Pak (256 KB, dividido em 123 pginas) o
Nintendo GameCube Memory Card (verses com 59, 251 e 1019 blocos)
Pode utilizar tambm cartes Secure Digital com um adaptador
o Nintendo Wii compatvel com memory cards do GameCube Memory
Card e cartes Secure Digital
Sega Dreamcast Visual Memory Unit (VMU) (128 KB divididos em 200 blocos)
o Teve tambm uma verso sem LCD e capacidade quatro vezes maior
(dividido em quatro partes de 200 blocos/128 KB)
Sony PlayStation:

18

PlayStation Memory Card (1 MB/128 KB dividido em 15 blocos) o O

PocketStation pode ser usado como um carto de memria PlayStation o
PlayStation 2 Memory Card (8 MB)
PlayStation Portable: cartes Memory Stick Duo e Memory Stick Duo Pro
(carto de 32 MB includo nas verses mais baratas; carto de 1GB
includo nos pacotes Giga e Entertainment).

USB Flashdisk
Memria USB Flash Drive, tambm designado como Pen Drive, um dispositivo de
armazenamento constitudo por uma memria flash tendo uma semelhana de um isqueiro
ou chaveiro e uma ligao USB tipo A, permitindo a sua conexo a uma porta USB de
um computador. Uma vez encaixado na porta USB, o Flash Drive aparece como um disco
removvel, similar a um disco rgido ou disquete.
As capacidades de armazenamento so 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB a 64
GB. A velocidade de transferncia de dados pode variar dependendo do tipo de entrada:
USB 1.1: 1,5 a 12 Mbits/s;
USB 2.0: Apesar do USB 2.0 pode transferir dados at 480 Mbit/s, as flash drives
esto limitadas pela largura de banda da memria nelas contida, com uma
velocidade mxima real de, aproximadamente, 100 Mbits/s.
Em condies ideais as memrias flash podem armazenar informao durante 10
anos.

Figura 17- Memria USB Flash Drive

Figura 18- Pen Drive da Toshiba, de 1

GB

Figura19- Aparncia interna do USB

Flash Drive

Alguns fabricantes de memrias flash so: Imation, Kingston, Corsair, SanDisk, HP,
Sony, Markvision, Extralife , LG e Toshiba.
19

Em computadores com sistema operacional Windows XP ou com as verses recentes do

Linux ou MacOS, o flash drives so reconhecidos automaticamente como dispositivos de
armazenamento removvel. Em sistemas operacionais mais antigos (como o Windows 98)
necessrio instalar um pacote de software denominado "device driver", especfico para
o dispositivo utilizado, que permite ao sistema operacional reconhec-lo. H alguns
"device drivers" anunciados como genricos ou universais para Windows 98, mas nem
sempre funcionam perfeitamente com qualquer dispositivo.
Alguns modelos podem reproduzir msica MP3 e sintonizar FM. Em contrapartida, so
um pouco mais caros, volumosos e pesados (por causa do peso da pilha), e utilizam uma
pilha interna (geralmente no tamanho de uma pilha AAA).
Existe normalmente quatro partes de uma drive flash:
Componentes essenciais
Conector USB macho do tipo A Interface com o computador
Controlador USB Mass Storage Acesso memria flash
NAND flash Armazena a informao
Oscilador de cristal Produz um sinal de relgio com 12 MHz, que usado para ler
ou enviar dados a cada pulso
Componentes opcionais
Alguns drivers podem tambm incluir:
Jumpers e pinos de teste Para testes durante a sua produo
LEDs Que indicam quando se est a ler ou a escrever no drive
Interruptor de modo de escrita Para que no se possa apagar algo do dispositivo
Reconhecedor de inpresso digital - Para que nenhuma pessoa no autorizada utilize
o dispositivo.

20

Figura 20- Componentes internos de um pen drive tpico. (Na foto um da marca Seite USB1.1)

1 Conector USB
2 Dispositivo de controle de armazenamento USB
3 Pontos de teste
4 Chip de memria flash
5 Cristal oscilador
6 LED
7 Chave de proteo contra gravao
8 Espao para um chip de memria flash adicional

21

TECNOLOGIAS FLASH NAND E NOR NO VOLTIL

Diferente das memrias (DRAM), a memria Flash no-voltil, ou seja retm dados
mesmo se retirada a alimentao. Portanto, quando um computador desligado, todo o
dado perdido na memria DRAM; no caso da Flash, mesmo se o dispositivo removido
de uma cmera digital, as fotografias permanecem salvas no dispositivo flash. Por esta
habilidade a Flash aplicada em cmeras digitais, telefones celulares, PDAs e outros
dispositivos transportveis.
As duas tecnologias principais de memria Flash so: NOR e NAND. Cada uma delas
tem vantagens que as tornam ideais para diversos tipos de aplicaes, conforme resumido
na tabela 7:
Tabela 7- Tecnologias da Flash

*para sistema operacional

** para armazenamento de dados
MEMRIA FLASH NOR
A NOR, uma abreviao da tecnologia de mapeamento de dados especficos (Not OR),
uma tecnologia Flash de alta velocidade. A memria Flash NOR fornece capacidade de
acesso aleatrio de alta velocidade, sendo capaz de ler e gravar dados em locais
especficos da memria sem ter de acess-la no modo sequencial. Diferentemente da Flash
NAND, a Flash NOR permite a recuperao de dados to pequenos quanto um nico byte.
A Flash NOR destaca-se em aplicaes nas quais os dados so recuperados ou gravados
aleatoriamente. A NOR normalmente incorporada em telefones celulares (para
armazenamento de sistema operacional destes) e PDAs, e tambm usada em
computadores para armazenar o programa BIOS executado para fornecer a funcionalidade
de inicializao.

MEMRIA FLASH NAND

A Flash NAND foi inventada depois da Flash NOR e recebeu esse nome graas
tecnologia de mapeamento especfico usada para dados (Not AND). A memria Flash
NAND l e grava em alta velocidade, no modo sequencial, e trata dos dados em pequenos
blocos (pginas). A Flash NAND pode recuperar ou gravar dados como pginas
simples, mas no pode recuperar bytes individuais como a Flash NOR. A memria Flash
NAND normalmente encontrada em unidades de disco em estado slido, em dispositivos
de mdia Flash de udio e vdeo, em set-top boxes para televiso, em cmeras digitais,
telefones celulares (para armazenamento de dados) e em outros dispositivos nos quais os
dados so geralmente gravados ou lidos em ordem sequencial. Por exemplo, a maioria das
cmeras digitais usa filme digital baseado em Flash NAND, j que as fotos geralmente
22

so tiradas e armazenadas sequencialmente. A Flash NAND tambm mais eficiente na

releitura das fotos, pois transfere pginas inteiras de dados com muita rapidez. Por ser
uma mdia de armazenamento sequencial, a Flash NAND ideal para armazenar dado.
A memria Flash NAND mais acessvel do que a memria Flash NOR e tem mais
capacidade de armazenamento em um molde com o mesmo tamanho.
A memria Flash que armazena um nico bit por clula (por exemplo, o valor de 0 ou
1) conhecida como Flash SLC (Single-Level Cell).
As memrias flash acrescentam reprogramabilidade e apagamento eltrico do chip
EPROM no voltil e facilidade de uso. A memria flash ideal para armazenar cdigos
de programas e/ou tabelas de dados, em aplicaes onde atualizaes peridicas so
necessrias. As memrias flash tambm servem como um meio de aquisio e
armazenamento no voltil de dados.
A necessidade de atualizao de cdigos aparece em todas as etapas da vida de um
sistema - desde o prottipo para fabricao do sistema at o servio de ps-venda. Na
fabricao, durante a obteno do prottipo, revises para controlar o cdigo exigem
apagamento por ultravioleta e reprogramao de cdigos gravados em EPROM do
prottipo. Uma memria flash substitui o apagamento por ultravioleta que dura de 15 a
20 minutos, por um apagamento eltrico com 1 segundo de durao. Apagamento eltrico
e reprogramao do chip podem ser feitos pela mesma estao de trabalho ou programador
de PROM.
Diagnsticos feitos nos estgios de pr-montagem e montagem final, requerem
frequentemente o uso de EPROMs. Os cdigos de teste so finalmente substitudos por
EPROMs contendo o programa final. Com apagamento e reprogramao eltricos, a
memria flash pode ser soldada na placa do circuito. Os cdigos de teste so carregados
na memria flash quando esta montada na placa do circuito. Ento, o cdigo final pode
ser carregado no dispositivo. A programao da memria flash no circuito elimina
manuseios desnecessrios e conexes menos confiveis em soquetes, enquanto acrescenta
maior flexibilidade de teste.
Custos de material e trabalho associados com mudana em cdigos aumentam em
sistemas com alto nvel de integrao - o maior custo a atualizao de ps-venda. A
necessidade de aumentar a funcionalidade do sistema, exigem atualizaes de cdigos
ps-venda. Revises em campo de cdigos residentes em EPROM exigem a remoo da
EPROM ou de placas inteiras.
Projetar com memrias flash alterveis no circuito elimina memrias em soquetes, reduz
o custo total de material e corta drasticamente os custos de trabalho associados com
atualizaes de cdigos. Com memrias flash, atualizaes de cdigos so feitas
localmente atravs de um conector, ou remotamente por meio de uma comunicao serial.
As caractersticas da memria flash de apagamento eltrico do chip, reprogramabilidade
por byte e completa no volatilidade, atendem as necessidades de acumulao de dados.
Os dados (cdigo) podem ser descarregados para anlise e atualizados e repetir o ciclo.
Ou vrios dispositivos podem manter uma 'janela deslizante' sobre os dados acumulados.
Personal digital assistants (PDAs ou Handhelds), ou Assistente Pessoal Digital, um
computador (pocket pc) de dimenses reduzidas, dotado de grande capacidade
computacional, cumprindo as funes de agenda e sistema informtico de escritrio
elementar, com possibilidade de interconexo com um computador pessoal e uma rede
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informtica sem fios - wi-fi - para acesso a correio electrnico e internet. Os PDAs atuais
possuem grande quantidade de memria e diversos softwares para vrias reas de
interesse.
Os modelos mais sofisticados possuem modem (para acesso internet), cmera digital
acoplada (para fotos e filmagens), tela colorida, rede sem fio embutida. Os PDAs antigos
guardam das agendas eletrnicas somente as dimenses, pois sua utilidade e
aplicabilidade esto se aproximando cada vez mais rapidamente dos computadores de
mesa.

Figura 21-Um exemplo de PDA

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RAM
A Memria de acesso aleatrio (do ingls Random Access Memory, frequentemente
abreviado para RAM) um tipo de memria que permite a leitura e a escrita, utilizada
como memria primria em sistemas eletrnicos digitais.

A RAM um componente essencial no apenas nos computadores pessoais, mas em

qualquer tipo de computador, pois onde basicamente ficam armazenados os programas
bsicos operacionais. Por mais que exista espao de armazenamento disponvel, na forma
de um HDD ou memria flash, sempre necessria uma certa quantidade de RAM e,
naturalmente, quanto mais memria, melhor o desempenho, uma vez que os programas
tendem a se desenvolver com o passar do tempo e da pesquisa cientfica.

O termo acesso aleatrio identifica a capacidade de acesso a qualquer posio e em

qualquer momento, por oposio ao acesso sequencial, imposto por alguns dispositivos de
armazenamento, como fitas magnticas. O nome no verdadeiramente apropriado, j que
outros tipos de memria (como a ROM) tambm permitem o acesso aleatrio a seu
contedo. O nome mais apropriado seria: Memria de Leitura e Escrita, que est
expressa na programao computacional.

Apesar do conceito de memria operacional de acesso aleatrio ser bastante amplo,

atualmente o termo usado apenas para definir um dispositivo eletrnico que o
implementa, uma vez que atualmente essa memria se encontra espalhada dentro do
prprio sistema dos atuais computadores (sistema por assim dizer "nervoso" do
computador, como o humano), basicamente um tipo especfico de chip. Nesse caso,
tambm fica implcito que uma memria voltil, isto , todo o seu contedo perdido
quando a alimentao da memria desligada. A memria principal de um computador
baseado na Arquitetura de Von-Neumann constituda por RAM. nesta memria que
so carregados os programas em execuo e os respectivos dados do utilizador. Uma vez
que se trata de memria voltil, os seus dados so perdidos quando o computador
desligado. Para evitar perdas de dados, necessrio salvar a informao para suporte no
voltil, como o disco rgido.

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Diferentes tipos de RAM. A partir do alto: DIP, SIPP, SIMM 30 pin, SIMM 72
pin, DIMM (168-pin), DDR DIMM (184-pin)

Introduo

usada pelo processador para armazenar os arquivos e programas que esto sendo
processados. A quantidade de RAM disponvel tem um grande efeito sobre o desempenho,
j que sem uma quantidade suficiente dela o sistema passa a usar memria virtual, que
lenta. A principal caracterstica da RAM que ela voltil, ou seja, os dados se perdem
ao reiniciar o computador. Ao ligar necessrio refazer todo o processo de carregamento,
em que o sistema operacional e aplicativos usados so transferidos do HD para a memria,
onde podem ser executados pelo processador.

Os chips de memria so vendidos na forma de pentes de memria. Existem pentes de

vrias capacidades, e normalmente as placas possuem dois ou trs encaixes disponveis.
H como instalar um pente de 1 GB junto com o de 512 MB que veio no micro para ter
um total de 1536 MB, por exemplo.

Histria

Chip de 1 Megabyte - Um dos ltimos modelos desenvolvidos pela VEB Carl Zeiss Jena
em 1989.

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O primeiro tipo de RAM foi a ncleo magntico, desenvolvida de 1955 a 1975 e,

posteriormente, utilizada na maioria dos computadores at o desenvolvimento e adoo
da esttica e dinmica de circuitos integrados RAM no final dos anos 1960 e incio de
1970.

Chip de 1 Megabyte - Um dos ltimos modelos desenvolvidos pela VEB Carl Zeiss Jena
em 1989.

Tipos

Exemplo de memria gravvel de acesso aleatrio voltil: Mdulos Synchronous

Dynamic RAM, usada principalmente como memria principal em computadores
pessoais, workstations e servidores.
Existem basicamente dois tipos de memria em uso: SDR e DDR. As SDRs so o tipo
tradicional, onde o controlador de memria realiza apenas uma leitura por ciclo, enquanto
as DDR so mais rpidas, pois fazem duas leituras por ciclo. O desempenho no chega a
dobrar, pois o acesso inicial continua demorando o mesmo tempo, mas melhora bastante.
Os pentes de memria SDR so usados em micros antigos: Pentium II e Pentium III e os
primeiros Athlons e Durons soquete A. Por no serem mais fabricados, eles so atualmente
muito mais raros e caros que os DDR, algo semelhante ao que aconteceu com os antigos
pentes de 72 vias, usados na poca do Pentium 1.

fcil diferenciar os pentes SDR e DDR, pois os SDR possuem dois chanfros e os DDR
apenas um. Essa diferena faz com que tambm no seja possvel trocar as bolas,
encaixando por engano um pente DDR numa placa-me que use SDR e vice-versa. Mais
recentemente, tem acontecido a uma nova migrao, com a introduo dos pentes de
memria DDR2. Neles, o barramento de acesso memria trabalha ao dobro da frequncia
dos chips de memria propriamente ditos. Isso permite que sejam realizadas duas
operaes de leitura por ciclo, acessando dois endereos diferentes. Como a capacidade
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de realizar duas transferncias por ciclo introduzida nas memrias DDR foi preservada,
as memrias DDR2 so capazes de realizar um total de 4 operaes de leitura por ciclo,
uma marca impressionante. Existem ainda alguns ganhos secundrios, como o menor
consumo eltrico, til em notebooks.

Os pentes de memria DDR2 so incompatveis com as placas-me antigas. Eles possuem

um nmero maior de contatos (um total de 240, contra 184 dos pentes DDR), e o chanfro
central posicionado de forma diferente, de forma que no seja possvel instal-los nas
placas antigas por engano. Muitos pentes so vendidos com um dissipador metlico, que
ajuda na dissipao do calor e permite que os mdulos operem a frequncias mais altas.

Exemplo de memria gravvel de acesso aleatrio voltil: Mdulos Synchronous

Dynamic RAM, usada principalmente como memria principal em computadores
pessoais, workstations e servidores.

Capacidade e Velocidade

A capacidade de uma memria medida em Bytes, Kilobyte (1 KB = 1024 ou 210 Bytes),

Megabyte (1 MB = 1024 KB ou 220 Bytes), Gigabyte (1 GB = 1024 MB ou 230 Bytes) e
Terabyte (1 TB = 1024GB ou 2 40 Bytes).

A velocidade de funcionamento de uma memria medida em Hz ou MHz. Este valor

est relacionado com a quantidade de blocos de dados que podem ser transferidos durante
um segundo. Existem no entanto algumas RAMs que podem efetuar duas transferncias
de dados no mesmo ciclo de clock, duplicando a taxa de transferncia de informao para
a mesma frequncia de trabalho. Alm disso, a colocao das memrias em paralelo
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(propriedade da arquitetura de certos sistemas) permite multiplicar a velocidade aparente

da memria.

Cache

Top LR, DDR2 com dissipador de calor, DDR2 sem dissipador de calor, Laptop DDR2,
DDR, DDR Laptop
De qualquer forma, apesar de toda a evoluo a RAM continua sendo muito mais lenta
que o processador. Para atenuar a diferena, so usados dois nveis de cache, includos no
prprio processador: o cache L1 e o cache L2. O cache L1 extremamente rpido,
trabalhando prximo frequncia nativa do processador. Na verdade, os dois trabalham
na mesma frequncia, mas so necessrios alguns ciclos de clock para que a informao
armazenada no L1 chegue at as unidades de processamento. No caso do Pentium 4,
chega-se ao extremo de armazenar instrues j decodificadas no L1: elas ocupam mais
espao, mas eliminam este tempo inicial. De uma forma geral, quanto mais rpido o cache,
mais espao ele ocupa e menos possvel incluir no processador. por isso que o Pentium
4 inclui apenas um total de 20 KB desse cache L1 ultrarrpido, contra os 128 KB do cache
um pouco mais lento usado no Sempron.

Em seguida vem o cache L2, que um pouco mais lento tanto em termos de tempo de
acesso (o tempo necessrio para iniciar a transferncia) quanto em largura de banda, mas
bem mais econmico em termos de transistores, permitindo que seja usado em maior
quantidade. O volume de cache L2 usado varia muito de acordo com o processador.
Enquanto a maior parte dos modelos do Sempron utilizam apenas 256 KB, os modelos
mais caros do Core 2 Duo possuem 4 MB completos.4 Paridade de memria um mtodo
criado para correo de erros de memria, antigo, e somente identifica erros, no os
corrige. Consiste na adio de um bit de controle no final de cada byte de memria.

Top LR, DDR2 com dissipador de calor, DDR2 sem dissipador de calor, Laptop DDR2,
DDR, DDR Laptop
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Paridade de memria

um mtodo criado para correo de erros de memria. o mtodo mais antigo, e

somente identifica erros, no os corrige, e consiste na adio de um bit de controle no final
de cada byte de memria.

A operao de checagem dos dados na paridade bem simples: so contados o nmero de

bits 1 de cada byte. Se o nmero for par, o bit de paridade assume um valor 0 e caso
seja mpar, 9 bit assume um valor 1. Quando requisitados pelo processador, os dados
so checados pelo circuito de paridade que verifica se o nmero de bits 1 corresponde
ao depositado no 9 bit. Caso seja constatada alterao nos dados, ele envia ao processador
uma mensagem de erro.

O mtodo no totalmente eficaz, pois no capaz de detectar a alterao de um nmero

de bits que mantenha a paridade. Se dois bits zero retornassem alterados para bits um, o
circuito de paridade no notaria a alterao nos dados. Felizmente, a possibilidade de
alterao de dois ou mais bits ao mesmo tempo remota. O uso da paridade no torna o
computador mais lento, pois os circuitos responsveis pela checagem dos dados so
independentes do restante do sistema. Seu nico efeito colateral, o encarecimento das
memrias, que ao invs de 8 bits por byte, passam a ter 9, tornando-se cerca de 12 a 60%
mais caras. Dispositivo ECC-(Error Correct Code) - Cdigo de correo de erros. Cdigo
de deteco no qual uma combinao de pulsos proibitiva pelo acrscimo ou perda de 1
bit indica qual bit est errado.

Alm do custo, a paridade no permite corrigir os erros, apenas identific-los, o que

diminui sua utilidade prtica. O aumento do bom nvel de confiabilidade dos novos
mdulos de memrias fez com que as memrias com paridade cassem em desuso.

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