ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y

ELECTRNICA

Trabajo Preparatorio
Practica #: 09
Tema:
Transistor de Efecto de Campo
Laboratorio de Dispositivos Electrnicos

Cisneros Ordoez Pablo Isaac

PROFESOR: Ing. Fernando Becerra

Quito, 13 de julio de 2016.

Transistor de Efecto de Campo

Objetivo General.

Analizar e implementar un circuito de polarizacin para JFET.

Analizar e implementar un amplificador usando JFET.

Trabajo Preparatorio
1. Consultar las principales caractersticas de los transistores de efecto de campo y
presentar un cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y
los de juntura bipolar.

El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a
la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico

Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de

efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal
N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N

Smbolo de un FET de canal

CURVA CARACTERSTICA
Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:
La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En
ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la
tensin VGS.

Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el

FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn
(SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor
comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la
amplificacin de seales dbiles.

CARACTERSTICAS DE SALIDA

Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador

permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor
aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una
saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este
transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y
surtidor.
Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de
drenador es mxima.

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.

HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET

En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes
parmetros (los ms importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN.
IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se
polariza directamente.
PD.- potencia total disipable por el componente.
IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0.
IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

DIFERENCIAS:
BJT (Bipolar Junction Transistor): transistores de unin bipolar que poseen una baja
impedancia de entrada, y en donde el control del flujo de corriente se realiza inyectando una
baja corriente (corriente de base). Estos transistores surgen de la unin de tres cristales de
semiconductor con dopajes diferentes e intercambiados. Se puede tener por tanto transistores
PNP o NPN.

FET (Field Effect Transistor): transistores de efecto de campo, son aquellos transistores
que poseen una alta impedancia de entrada y en donde el control del flujo de corriente
se realiza mendiante voltaje o tensin de la compuerta.
JFET (Junction Field Effect Transistor): transistores de efecto de campo de unin,
formados por una zona de material tipo P en cuyos extremos se situn dos terminales de
salida, flanqueadas por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre s (puerta).

2. Revisar las hojas de datos de los dispositivos 2N3819, 2N3821, 2N3823 y presentar
un cuadro con los valores de los parmetros ms importantes.

3. Simular los circuitos del preparatorio.

BIBLIOGRAFIA:
Cuaderno de Dispositivos Electrnicos, Dra. Diana Navarro.
Amplificador colector comn, informacin adquirida de la pgina web:
http://unicrom.com/amplificador-seguidor-emisor/
Electrnica Bsica- Ing. Ricardo Llugsi