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1.-Para cada uno de los siguientes circuitos determine la caracterstica de transferencia (vo vs. vs).
Indique todas las pendientes y voltajes de inters. Escoja el modelo de diodos a menos que se
indique lo contrario.
R3
R1
D1
10k
vs(t)
R5
10k
10k
D2
R4
R2
10k
+
+
vo(t)
V2
10k
V1
-
8V
20V
Ra
Rb
D1
D2
R1
Rc
R2
R
v s(t)
D1
v o(t)
R1
v o(t)
2.5k
D2
D3
R4
v s(t)
R2
R3
5k
10k
6Vdc
20Vdc
5k
R1
vo(t)
2k
D2
D3
D4
R2
R3
R4
R5
vs(t)
5k
2k
V3
V4
6Vdc
20Vdc
0.5k
5k
V5
R1
8Vdc
D2
R5
vo(t)
1k
56k
D1
D3
R2
vs(t)
R3
1k
R4
5k
1k
20Vdc
7Vdc
D1
R1
v o(t)
2.5k
Vz=5 v
D2
D3
R4
v s(t)
R2
R3
5k
10k
6Vdc
20Vdc
5k
R1
V1
D1
v o(t)
D2
R2
v s(t)
R1
Vz=8 V
R3
2k
vs(t)
vo(t)
4k
R2
D2
R4
2k
V2
2k
10Vdc
Vz=10 V
R3
v o(t)
1k
R1
v s(t)
R2
2k
1k
D2
V2
20Vdc
10Vdc
D3
R3
v o(t)
10k
R4
10k
v s(t)
D4
D2
V2
10Vdc
R2
10k
R1
D1
v o(t)
1k
Vz=5 V
R2
1k
v s(t)
2Vdc
R3
1k
0
R1
v o(t)
1k
7Vdc
D2
D1
D3
R4
v s(t)
R2
R3
5k
1k
1k
4Vdc
3Vdc
R1
vo (t)
1k
R2
5k
D2
R3
V z= 1 0 v
0 .5 k
vs (t)
8 Vd c
Aplique el modelo real para los diodos, luego compare la respuesta utilizando el modelo ideal.
R
D1
D2
R
R
vo(t)
vs(t)
+
5V
V1
-
Aplique el modelo ideal para los diodos, luego compare la respuesta utilizando el modelo real.
R2
10k
R1
D2
v o(t)
10k
R3
v s(t)
10k
D1
D3
5mAdc
2.-Determine la caracterstica de transferencia (v vs. vs). Indique todas las pendientes y voltajes de
inters. Aplique el modelo real para los diodos. Luego, asuma R=0 y compare los resultados.
R
10k
+
D4
D2
v(t)
-
v s(t)
D3
D1
3.-El circuito mostrado puede ser utilizado como un cargador de batera (VB=9 voltios) al ajustar en
un valor especfico la corriente DC que circula a travs del circuito (IDC=2 amp). Obtenga un valor
para la resistencia R. Suponga un diodo ideal, vS(t)=170 sen wt voltios y f=60 Hz. Indique todos los
puntos de inters.
D
i(t)
v s(t)
Vb
4.-En el circuito mostrado determine una expresin para el voltaje RMS de vO(t) en cada una de las
posiciones del interruptor SW. Suponga un diodo ideal, Va=VM, Vb=VM /2 y vS(t)=VM sen wt voltios.
Indique todos los puntos de inters.
D
vs(t)
R
SW
Va
Vb
5.-En el punto A se realizaron dos mediciones: el voltaje de entrada (V1) y la resistencia de entrada
(Ri) y se obtuvieron los siguientes valores:
Av =
Vo
; Ri
V1
A partir de stos resultados determine una expresin para el voltaje de salida (Vo) en funcin de
,VT, Vs, R, IO; si
i d = Io(e V2 VT 1)
travs
7.-Al circuito mostrado se aplica una rampa que crece a razn de 10 v/seg. a)Determine el tiempo
t1 al cual el voltaje de salida vO(t) deja de ser constante. b)Para el mismo circuito con R=1k y
Rf=0.2k, se determin que vO(t) alcanz el voltaje vO(t2)=VA>VR en el instante t=t2>t1, luego se
cambi R=100k y se determin el instante t=t3 para el cual el voltaje de salida alcanz el mismo
nivel anterior vO(t3)=VA=vO(t2). Compare los tiempos t2 y t3. JUSTIFIQUE SU RESPUESTA.
Considere para todos los casos que V=0 voltios.
vs(t)
vO(t)
VR
8.-Determine la grfica de v O (t ) .
vO(t)
D1
+
vD1
D2
vS(t)
IDC
V
-
Asuma:
Diodos cuasi reales e iC(t)=C dvC(t)/dt
IDC=10 mA, C=10 f, V=10 voltios, f=1kHz, vs(t)=5 sen wt voltios, vc(t=0)=0 voltios
9.-Disee una fuente DC que cumpla las siguientes especificaciones: VDC=5 voltios, IL=100 mA y
Vr=100 mV. Utilice el mejor rectificador que conozca. La seal de entrada es la seal de la lnea
(120 VRMS).
10.-Determine la grfica de vo(t) si vs(t)=60 cos wt voltios.
D1
R3
R1
R4
v o(t)
20k
10k
10k
D2
D3
R2
20k
v s(t)
20Vdc
30Vdc
11.-Para la seal de entrada vS(t)=10+sen wt voltios disee un circuito Regulador de Voltaje para
producir una seal de salida vO(t)=5 VDC y una corriente de carga 50 mA<IL<100mA. Considere un
diodo zener con 5 mA<IZ<150 mA.
vS(t)
REGULADOR DE
VOLTAJE
vO(t)
12.-Determine las grficas de vo(t) e i(t), indique todos los puntos de inters. Si el diodo es real y
de silicio, vs(t)=0.5sen wt voltios y f=1 kHz.
3*V2
R1
vo(t)
4k
i(t)
R2
V2
vs(t)
6k
_
13.-Determine la grfica de i(t) en funcin de vs(t), indique todos los puntos de inters. Suponga
diodos ideales.
D1
i(t)
V1
R1
D2
D3
R2
R3
4k
32Vdc
v s(t)
1k
0.5k
V2
5Vdc
14.-Determine la grfica de i(t), indique todos los puntos de inters. Suponga diodo cuasi real. Si
v1(t)=12 sen wt voltios, v2(t)=5 sen wt voltios y f=1kHz. Todas las resistencias en ohms.
10
15.-Para el circuito mostrado encuentre una expresin para el voltaje de salida vO(t).
16.-Determine V1, V2 y la grfica de vo(t). Todas las resistencias en ohms a menos que se indique
lo contrario.
V2
25mAdc
V1
R1
R2
R3
R4
R5
23.7
44.2
75
100
75
D1
D2
D3
D4
D5
R6
R7
R8
R9
30
392
1.33k
3.24k
R10
v o(t)
523
vs(t)
v s(t)
4V
0
t
17.-Determine la grfica de vo(t), si N1=200000 y N2=20000.
D1
v o(t)
Ls 1
VOFF = 0
VAMPL = 170
FREQ = 60
v s(t)
Lp
RL
Ls 2
4k
0
D2
V2
3.2Vdc
11
D1
R3
R4
2k
2k
D2
D4
D3
Va
20Vdc
8Vdc
12Vdc
19.-Obtenga la forma de onda de vo(t). Indique todos los puntos de inters en la grfica.
D1
D2
v o(t)
R2
R4
40meg
1k
R5
R1
40meg
v (t)
0.125mAdc
200k
R3
100k
0.06mAdc
0.3uAdc
Si
30
30
1 ;0
3 ;2
2
; Rf=100 y V=0.7 voltios.
4
20.-Determine la grfica de vo(t), indique todos los puntos de inters. Suponga diodo real. Si
vs(t)=6 sen wt voltios y f=1 kHz.
12
21.-Obtenga una expresin para vo(t). Asuma que los diodos son reales (Rf0 y V0 voltios).
Adicionalmente, que los dos diodos estn conduciendo.
+Vc
Rc
D1
v o(t)
RL
D2
v s(t)
R
0
0
Rc
-Vc
22.-Obtenga la forma de onda de vo(t). Indique todos los puntos de inters en la grfica.
D2
100k
v o(t)
D1
200k
1k
0.03mAdc
0.25mAdc
100k
D2
15meg
v o(t)
Z1
D1
20k
v s(t)
Z2
10k
10k
2.5mAdc
0.3mAdc
13
10V
D2
v o(t)
e1(t)
T1
10k
e2(t)
e2(t)
10Vdc
8V
T2
e1(t)
D1
2V
D2
v o(t)
e1(t)
T1
e2(t)
e2(t)
R>>>>>>>>Rf
6V
T2
14
24.-Para cada uno de los siguientes circuitos, indique la lectura del instrumento de medicin.
1s
e(t)
100k
100k
20s
e(t)
10V
e(t)
2n
Medidor
Medidor
R0
R0
D
25.-Determine el rango de vs(t) (voltajes mximos) para que la corriente a travs del diodo D sea
17mA<iD<25mA (corrientes mximas).
10k
iD(t)
1k
+
10k
vs(t)
vx
0.001vx
100s
t
- 300V
LA UNIVERSIDAD TCNICA DEL ESTADO VENEZOLANO
15
27.-Dada la seal mostrada como seal de entrada, disee un circuito ECONMICO para obtener
la mejor componente continua.
v(t)
VM
T/2
28.-El circuito mostrado se utiliza para hacer cuadrada una seal senosoidal de entrada de
10kHz. Cuyo valor pico es de 50 voltios. Se desea que la onda de la seal de salida sea plana el
90% del tiempo. Se emplean diodos cuya resistencia directa es de 100 y resistencia inversa de
100k. Halle los valores de VA y VB. Qu valor es razonable para R?.
R
VCC
D1
VA
v s(t)
D2
VB
v o(t)
VA>VB
D4
D1
Ls 1
V1
VA
Lp
Ls 2
D3
D2
RL
RL
VB
Si V1=220 VRMS, f=60 Hz., Rf=0.1 , V=0.7 voltios, Io=0.1 nAmp., IL=0.5 mAmp., C=20 f.,
RL=10k. Especifique los diodos a utilizar (D1, D2, D3, D4), voltaje de rizado (Vr), relacin de
transformacin (n), PL, VB y VA.
16
v S (t )
100V
T/2
100V
vO ( )
50V
wt
-50V
A travs de circuitos recortadores se puede aproximar por tramos la onda triangular a la mejor
onda senosoidal posible.
Obviamente, a mayor cantidad de tramos mejor es la aproximacin (mayor costo!). El circuito
produce a la salida una onda similar a la onda segmentada (ver figura siguiente). Disee un circuito
recortador que conforme por tramos una onda senosoidal a partir de una onda de entrada
triangular. El voltaje mximo de la onda seno es de 50 voltios. Debe especificar los valores de las
fuentes y resistencias. Suponga diodos ideales.
17
v( )
100V
Vb
50V
V2
Va
V1
T/12
30
T/6
60
T/3
120
5T/12
150
T/2
= wt
180
D
vs(t)
Vb
R3
1k
6k
VAMPL = 30
FREQ = 1k
I
2mAdc
R4
VAMPL = 5
FREQ = 1k
4k
v 1(t)
R2
1k
B
v 2(t)
18
33.-Para el circuito mostrado, determine: 1)La grfica de g(t) y perodo, 2)La grfica de h(t) con SW
abierto y 3)R y C para obtener la mejor seal h(t) con SW cerrado.
f(t)
100 V
34.-Para el circuito mostrado, determine: 1)La grfica de vo(t) con SW abierto, 2)R y C para
obtener la mejor seal vo(t) con SW cerrado y 3)El P.I.V. de los diodos. Si N1=104, N2=2572,
N3=965
19
Vx
R2
1k
D
I1
R1
1mAdc
2k
R6
1k
R4
R3
1k
1k
I2
R5
I3
4mAdc
2k
0.002Vx
36.-Determine a)La caracterstica de transferencia (vo vs. vs). Indique todas las pendientes y
voltajes de inters y b)El voltaje vo(t). Suponga diodos cuasi-reales y vs(t)=Vm sen wt voltios
(Vm>1.6 voltios).
R1
0.1k
1.6Vdc
R2
v s(t)
0.1k
v o(t)
D
VCC
37.-Determine la caracterstica de transferencia (vo vs. vs). Indique todos los puntos de inters.
D1
R
v o(t)
R
v s(t)
R
D2
20
38.-Determine la caracterstica de transferencia (vo vs. vs). Indique todos los puntos de inters.
D2
R1
v o(t)
10k
R2
20k
D1
v s(t)
V2
V1
2.5Vdc
10Vdc
39.- Determine la caracterstica de transferencia (i vs. vs). Indique todos los puntos de inters.
R6
i(t)
R7
1.25k
V1
R5
v s(t)
1k
5k
D2
3Vdc
V2
3Vdc
D1
40.- Determine la caracterstica de transferencia (i vs. vs). Indique todos los puntos de inters.
i(t)
D1
Va
D1N4001
27Vdc
D2
D1N4001
V1
3Vdc
vs(t)
V2
Ra
3Vdc
5k
R1
1k
R2
1.25k
21
41.-El diodo utilizado en el circuito tiene una aproximacin lineal de su curva caracterstica como la
mostrada. Determine la caracterstica de transferencia y una expresin para el voltaje DC a la
salida. Indique todos los puntos de inters. Si vs(t)=VM sen wt voltios.
iD
R
m1
vs(t)
m2
-Vx
Vy
vD
vo(t)