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Mexicana de Fisica
23 (1974) FA19-FA37
FA19
Centro de Investigacin
Apartado
ABSTRACT:
The design
up to 5MN/m
light
oE digital
stability,
limited
Mxico
UNAM
20, D. F.
abril 5. 1974)
pure,
de Materiales.
70-360,
(Recibido:
Tsumura
is presented.
fluids.
programming
oE (he order
by (he electronic
The
The
I
cell
design
between
is conceived
was
analyzed
to study
by means
to accomplish
a great temperature
3
The real stability
will be
oE IO. K.
conuol
equipment.
El estudio de la ecuacin de estado de los fluidos reviste un doble inters en vista de aspectos fundamentales y de su utilidad prctica.
Las investigaciones
en mecnica estadstica
permiten ya predecir la ecuacin
de
estado de las sustancias ms simples, los gases nobles, con una precisin
cercana al 1% en un amplio intervalo de presin y temperatura.1
No obstante,
hay varios aspectos que no han sido totalmente aclarados, como el papel que
Investigador
del Instituto
Mezicano
del Peui?leo.
dd
fA20
Ro y Tsumura
Juega la forma de las molculas, y otros que estn lejos oc emenderse en una
forma siquiera cualitativa,
como el efecto de la asociacin
de molculas,
de
la formacin de puentes de hidrgeno, etc.2
Por otra parte, las propi{.dadcs
PVl' de los fluidos forman parte del cuadro bsico de propiedades
indispensables para el diseo de equipo en las industrias
qumica y pctroqumica.'"
Por ambas razones es imprescindible
el contar con un sistema de mediciones
PV'f en cualquier grupo dedicado al estudio de propiedades
termodinmicas
de fluidos.
Teniendo
en mente el estudio
de propiedades
pv"r
de sustancias
li-
a lo tratado
en este artculo.
1. INTRODUCCION
El tipo de aparato para la medicin de propiedades PVT debe seleccionarse en funcin de los intervalos de presin, densidad y temperalura de
inters, as como de la clase de susrancias
que se pretenden estudiar.
Des.
de el punto de vista bsico, las propiedades de los fluidos a bajas densidades y presiones estn, en principio, claramente entendidas."
Se plantea as
la necesidad de trabajar a presiones lo suficientemente
altas para que se manifiesten las desviaciones
respecto a la idealidad.
Adems, las sustancias
de mayor inters fundamental son actualmente
aquellas compuestas de mol~
culas sencillas,
como los gases nobles, el nitrgeno y los hidrocarburos
lige~
Celda PVT
FA21
moderadamente altas \
y son .de mucho iore.
y manejo del gas na~
SMN/m .
Dentro de estos intervalos se encuentran
sustancias
como el argn, el nitrgeno y el metano,
la regin gaseosa densa y la lquida.
la adiabaticidad
del sistema consiste en redu.
de calor por conduccin, aislando la celda que
del Ro y Tsumura
F A22
10
6
-------1 ,
7
I
I
I
- ,
..........
-..-......
.....rJ
- -------........- -----
9
Fig. 1.
Celda Esquemtica.
1) Celda.
2) Sustancia de muestra.
3) Termmetro.
4) Campana. 5) Dewar. 6) Refrigerante.
7) Calefactor de la celda.
8) Pantalla.
9) Calefactor
de la pantalla.
10) Tubos de soporre y de
alimentacin.
11) A la bomba de vaco.
'de platino,
rpida.
Celda PVT ..
FA23
temperatura consiste
esenamplificada,
de la seal elcde temperatura entre la pantemperatura de la primera me.
en mantener a la pantalla
ms
a la pantalla debe ser cero si su
FA24
del Ro y Tsumura
Il.
FENOMENOS
BASICOS
En un cnostato, la transferencia
efectiva de calor tiene lugar por conduccin tanto del gas residual a bajas presiones, cuanto a travs de los s.
lidos que interconectan las diversas pactes del cristato, y por radiacin.
La ecuacin de la conduccin de calor se puede expresar por
(1)
de un rea constante
L y que se mantienen
a una 'diferencia
de temperatura
f:j,T.
El factor" es la conductividad
trmica cuyo valor depende tanto de la naturaleza. cuanto de la temperatura de la sustancia.
La ecuacin (l) se aplica para estados estacionarios;
en particular, para una placa ( un cilindro) se ob.
tiene
q = -~ A(J: - T )/(X
",
en donde X
:= x
- X ) .
2
(2)
'
la distancia
de
.1
TI
O; - T2) J: ~ (T)T
es la conductividad
T2
media.
El valoF de'- (T) para los diferentes materiales necesarios en la construccin de la celda es bien conocida.
En cambio en los gases a bajas presiones, donde la conduccin de calor se debe a los impactos elsticos de las
molculas, el camino libre medio llega a ser comparable a las dimensiones
del sistema y la conductividad trmica se vuelve funcin del nmero de molculas presente.
As pz ca dos superficies de rea A, aproximadamente paralelas, a temperaturas ~ y T2 la cantidad de calor q transferida a la presin P a travs de un gas de peso molecular M y razn de calores especficos y= cp/cu est dada por7
FA25
Celda PVT .
q = [a(')'
+ 1} Ap
(7; -
J; }/4(')'
- I}) (2R/7TMT)
(4)
de acomo-
planas paralelas
de rea
(S)
del ti empo
Una vez conocido el flujo de calor en funcin de los distintos parmetros, segn el caso de inters, es posible considerar el problema de los cambios en temperatura en las distintas
(6)
partes conectadas
trmicamente entre
puede escribirse
como
del Ro y Tsumura
FA26
en donde We es la potencia
control.
cedida
espontneamente
y W
la suministrada bajo
es decir,
w{u') =
W!!U') .
el sistema
de control.
Si el sistema
de control
responde
adecuadamente,
WCu'
+ T) = W.U')
La estabilidad
a) lIacer
que
(8)
tienda
TOl.
(7) y (8) :
al mnimo.
FA27
IlI.
SIMULACION
de las distintas
- Constantes de aparatos,
plificadores.
de los am-
FA28
del Ro y Tsumura
- Propiedades
fsicas, como calores
trmicas, emisividades,
etc.
especficos,
conductividades
PARAMETROS
POTENCIAS
CONDICIONES
INICIALES
no
VOLUMEN
no
EDO.
Figura
FA29
Celda PVT ..
El mtodo esencial
para la integracin
de las ecuaciones
(6) conSIS-
La conductividad
aparato
2.
(3),
de las
parte s de 1
en funcin de la temperatura.
3.
Para la
La potencia suministrada a la celda por su calefactor.
dependencia
de la resistencia
de platino en funcin de la temperatura se us la ecuacin de Callendar-Van
Dusen 10.
4.
La potencia
suministrada
se aprovecharon
de cobre-constan
a la pantalla-.por
su calefactor.
Aqu
del aparato,
dades.
6.
La conduccin
de calor por'gas
7.
La conduccin
8.
La conduccin
IV.
RESULTADOS
a bajas
OBTENIDOS
preSiOnes.
slidas del anrato.
elctricas.
CON EL MODELO
FA30
del Ro y Tsumura
81
:00:
/
/
oC
ll:
::l
1-
- --
/
/
80
oC
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CL
2
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TO
Te
TP
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79
.:
4
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F gura 3
peraturas
FA31
81
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lo-
e
Cl:
':E"
'"
-- TD
--- Te
lo-
------ TP
79
2
TIEMPO
,4
s x 10
F gura 4
FA32
del Ro y Tsumura
de IO-2W; parte de esta potencia sale de la celda por el tubo de soporte (e)
y el resto sigue tratando de aumentar la temperatura
de la celda, pero este
efecto es despreciable
en e 1 tiempo ya que la celda tiene una capacidad
calorfica de l orden de II 50 ] /K.
0_
4(
U
Z
I&J
1-
b-_
~ ~========~d-==C
---------
O
ll.
-------------
~------
f_ Q -h---
------
~
~~
6
2
S X
Fig. 5.
10
a = Potencia suministrada
a la celda por medio del sistema de retroalimentacin. b = Potencia suministrada
a la pantalla por su calefactor.
e = Prdidas
de calor de la pantalla por conduccin a travs del gas residual en la campana.
d = Prdidas de calor de la pantalla a travs del sopane. e =: Prdidas de calor de la celda por el tubo soporte. I =: Energa que pierde la pantalla por radiacin. g =: Energa que llega a la celda por los alambres
de conexin.
h ::::Energa que entra a la pantalla por los alambres de conexin. i ::::Conduccin de calor por el tubo de alimentacin.
::::
Transferencia
de calor desde la
celda por el gas demro de la campana. le = Energa que pierde la celda por ra.
diacin.
C.lda PVT .
FA33
alimentando
a la
es conveniente te~
voltajes de entra.
diferencia de temslo cuando T(
La TP se acerca ms a la Te y sta
bIes respecto al Caso 11.
permanece
sin cambios
nota.
Al aumentar la distancia
entre la pantalla y el punto fro en el tubo
de soporte, Il, por un factor de 10, Caso IV, se encuentra que el calor sumi.
nistrado a la pantalla POt su calefactor,
b, disminuye continuamente
como en
la figura 5 pero alcanza un valor final ms bajo (7 x 10.4 al tiempo t = 2400 s),
mientras que la conduccin de calor a travs del tubo de sopone
entre la
pantalla y la celda, e, disminuye continuamente
siendo menor que en la figu.
ra 5 (4x 10-' en I = 2400 s).
Desde luego este aumento en la longitud del
soporte, con la disminucin en e mencionada, hace que cerca del lmite esta.
cionario la temperatura de la celda se aproxime ms a la de r-efer-cnciaj sin
embar-go esta difetencia
en tempemtura slo disminuye en un 0.001 K. La
pantalla tambin se acerca ms en temperatum a la celda quedando en el lmhe estacionario
a 0.025 K POt debajo.
Esto quiere decir- que de esta mane.
ra se podrn hacer medidas ms precisas en 0.001 K; pero como no estamos
del Ro y Tsumura
FA34
originalmente
interesados
en (anta prCCISlon y como sta implicara un tubo
de soporte de 3 m de longitud, podemos concluir que la longitud de alrededor
de 0.30 m es adecuada.
El anlisis del Caso IV nos hace
gitud del soporte
podemos
sospechar
caer en dificultades
que si reducimos
por el aumento
la lon-
en la conduc-
cin.
Al disminuir la longitud de 11 por un factor de 10, Caso V, la b despus de 600 s deja de disminuir, ya que la d aumenta por un factor de 10 y
2
ambas se mantienen alrededor de 2.4)( 10. a partir de t = 1200 s. Y la e a
t = 2400 s es el doble del valor de la figura '5. En este caso la pantalla se
estabiliza
a una temperatura que difiere de la celda en 0.63 K que es bastan.
te mayor que en los casos anteriores.
Igualmente debe suceder con Te, lo
que afecta la precisin en las medidas de temperatura;
sin embargo este l.
timo punto slo puede ser estimado a partir de los datos del programa,
ya
que en el modelo, la celda pierde calor por conduccin a la pantalla y no directamente
al punto fro.
81
_..:.=:: ----:-:-........
~- ,
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C1.
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,,
t-
79
12
14
2
TIEMPO
Figura
(,
I X 10
FA35
Al poner la temperatura
del punto fro TM = 100 K, Caso VI, se encuentra que el sistema se vuelve inestable,
figura 6, rpidamente, ya que la
pantalla recibe calor a travs del tubo soporte.
Esto confirma la decisin
de mantener 10 que hemos llamado el "punto fro" a una temperatura
inferior
a la de la celda.
Al
aumentar
los dimetros
se obtiene que la Te y la TP se acercan ms a YD y el resto de las variables permanecen sin cambios apreciables,
excepto por la conduccin de caS
3
lor por el tubo de alimentacin,
i, que aumenta de 4.1 x 10. a 1.6 x ID. y b
que disminuye
a la mitad del valor de la figura 5 al ciempo t ::::2400 s.
ferentes)
Se obdenen resultados semejantes (aunque con valores numricos dien los casos en los que las condiciones
iniciales
se fijan a una
mayor temperatura.
Un caso distinto es aqul en el que se coloca a TM
200 K,
2
TD = 166 K, TP = 164 K, TC = 165 K Y P5 = 10- Torr.
En este Caso VIII,
se observa que la temperatura de la pantalla al principio disminuye debido a
la gran conduccin por gas, ocasionada
por el vaco imperfecto, aunque de
inmediato empieza a aumentar la b hasta que logra sobrepasar la c.
Con los resulcados anteriores se pueden entender
que ocurren y decidir con ms seguridad los parmetros.
CONCLUSIONES
versos
11, es indispensable
para disear
dicho aparato
cuali-
del Ro y Tsumura
FA36
del modelo
que sern
importantes
Los errores
.
PrestOn:
Los efectos
Los
al corregir
relativos
1,0-'
ad :
que determinan
Presin:
precisin
densidad:
temperatura:
calibracin
intervalo"s
de operacin
medidas
del manmetro
directas.
Temperatura:
errores
son los
<) x
10-'
siguientes:
usado;
y calibracin
de la resistencia
son los
par-
son:
10-' y
estos
otros
experimentales
que se esperan
D'd
ensl
predominantes
las
estimados
experimenestablecer
Adems,
aparato, co-
del volumen
de platino
de la celda;
y su ubicacin.
siguientes:
2
Presin:
temperatura:
75 a 273 K.
Lmite de seguridad:
6 MN/m
R.EFERENCIAS
l.
Ver p.ej.
2.
cias ah citadas.
J. S. Rowlinson,
3.
4.
L. Verlet y J.J.
Liquids
Weiss,
Phys.
and Liquid
Mixtures
(Butterworth
& Co.,
5.
F. Din, Thermodynamic
Functions
o{ Gases
G. B.
1962) .
& R.
J.
6.
F. Theeuwes
7.
Bearman,
Transactions
o Kansas
Technique
in LoU! Temperature
2a ed. 1968) Cap. VII.
Academy
Physics
of
FA37
8.
B. Carnahan,
JI.A. LUlher y J.O. Wilkes, AppliedNumerical
(] ohn Wiley & Sons, Inc., E. U. A. 1969) Cap. 11 y V.
9.
A Compendium
phase 1 (V. J.
R. Kohlhass
F.J.
o/Ihe
J ohnson
Properlies
o/ Malerials
edi IOr geneeal,
1960).
y M. Beaum, Aech,
B.M.
du Chateniee,
Eisenhltenw
Boeestoel
J.
al Low
Temperalure,
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de Novel,
Melhods
391.
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31 (1965)
1061.
!O.
11.
lIandhoolt
Company
IV.
o{ Chemislry
1968-69.
and Physics,
The Chemica1
Rubbee
Publishing
RESUMEN
Se pre"enla
el diseo de una celda PVT paea trabajar entre 75 y 273K,
2
Y hasta 5 MN/m .
La celda est concebida para el estudio de fluidos puros
y ligeros.
El diseo se analiz mediante programacin digital
para lograr
una gran estabilidad
en la temperatura, del orden de 10 . .3 K. La estabilidad
real estar limitada por el equipo electrnico
de control.