Fisica del Semiconductor

Estructura del atomo

- Nucleo formado por neutrones y protones

- Electrones orbitan el nucleo (sentido clasico)

repartidos en distintas capas a distintas distancias del nucleo

mayor distancia menor atraccion al nucleo
capa exterior: electrones de valencia. Definen las propiedades electricas de un atomo

Semiconductores

- Cantidad de electrones de valencia entre las de un conductor (1) y un aislante (8)

- Silicio
14 p y 14 e
4 de los 14 e en la capa de valencia (i.e. grupo IV)
semiconductor mas usado
elemento mas abundante del planeta

Cristal de silicio [Fig 1]

- Solido resultado de la combinacion ordenada de atomos de silicio (forma de tetraedro)

- Cada atomo de Si comparte sus 4 e de valencia con sus vecinos (formando enlaces covalentes)
- Cada atomo termina con 8 e de valencia (4 ajenos)

Bandas de energia [Fig 2]

- Cuando varios atomos de Si se juntan para formar un cristal, los electrones ocupan cada uno un
nivel de energia distinto (a distintas distancias del nucleo), agrupandose en bandas (con zonas
prohibidas intermedias)
- Los e de valencia ocupan la banda de valencia (a 0C)
a mayores temperaturas, los e de valencia aumentan su nivel de energia termica (vibran)
con suficiente energia pasan a la banda de conduccion (electrones libres), y pueden
moverse por el material

Huecos [Fig 2]

- Son los espacios bacantes que dejan atras los electrones al pasar de la banda de valencia a la
de conduccion

- Se comportan como cargas positivas que se desplazan por la banda de valencia

- Cuando un electron ocupa el hueco dejado por otro se dice que ocurre recombinacion
- La corriente en un semiconductor esta conformada tanto por el flujo de e como de huecos,
ambos llamados portadores (portan carga de un lugar a otro).

Semiconductor Intrinseco

- Material con todos sus atomos de un mismo elemento semiconductor (i.e. puro)
- En el caso del cristal de silicio, todos sus atomos son de Si
- El nro de e es igual al de huecos (la energia termica genera electrones y huecos de a pares).
- A temperatura ambiente el cristal de silicio actua como aislante (bajo numero de portadores
generados por temperatura).

- # 1.1

Dopado

- Proceso que permite incrementar la conductividad de un material semiconductor a travez del

agregado de atomos de otros elementos (para el Si, suelen usarse del grupo III o V).

- Un semiconductor dopado pasa a ser denomida semiconductor extrinseco.

- Incrementando el nro de electrones [Fig 3.a]

se agregan atomos del grupo V, i.e. con 5 e de valencia (mas comunes: fosforo, arsenico)
en los atomos agregados, 4 de los 5 e establecen enlaces covalentes y el quinto queda
ligeramente ligado al nucleo
a temperatura ambiente, el quinto e pasa a la banda de conduccion y queda libre para
moverse por el material
cuando el quinto e abandoa su atomo deja atras un ion positivo (atomo que tenia 5 e, pasa
a tener 4).
estos atomos agregados se llaman impurezas donantes (donan e)
al silicio dopado con impurezas donantes se lo conoce como semiconductor tipo-n
(negativo)
dado que el numero de electrones libres sobrepasa al de huecos, a los e se los llama
portadores mayoritarios y a los huecos portadores minoritarios
- Incrementando el nro de huecos [Fig 3.b]

se agregan atomos del grupo III (mas comunes: boro, aluminio)

sus 3 e forman enlaces covalentes con tres de sus cuatro atomos de Si vecinos, dejando
un hueco en el cuarto
cuando un electron vecino se recombina con el hueco dejado, se forma un ion negativo
en este caso estos atomos son impurezas aceptadoras (aceptan e)
a este material se lo llama de tipo-p (positivo)
los portadores mayoritarios son los huecos y los minoritarios los e
- # 1.2

Velocidad de desplazamiento

- A temperatura ambiente, los e y huecos en un semiconductor se mueven aleatoriamente, i.e.

no tienen un movimiento neto dentro del cristal

- En su movimiento los e y huecos impactan entre si o se recombinan

- Al aplicar un campo electrico E, pasa a aparecer un moviemiento neto en los e opuesto al
sentido del campo (y uno en el mismo sentido para los huecos)

- La velocidad de los e y los huecos dependera de su movilidad (i.e. qu tan bien se pueden

mover por el material) y el campo aplicado, donde la movilidad es inversamente proporcional a

la termperatura (+temp +agitacion +colisiones -velocidad) y al nivel de dopado
(+portadores +colisiones -velocidad)
- La velocidad alcanzable por los portadores no es infinita (+E ! +velocidad), esta limitada por
un fenomeno llamado saturacion de la velocidad de desplazamiento, a partir de la cual un
incremento en el campo ya no incrementa la velocidad

Corrientes en un semiconductor

- La corriente debido al movimiento de portadores generado por un campo electrico se llama

corriente de desplazamiento

- Cuando existen variaciones en la concentracion de portadores en un material (por dopado no

homogeneo, inyeccion de e o huecos, etc), los portadores tienden a moverse de las regiones
con alta concentracion a aquellas con baja, generando un corriente llamada corriente de
difusion
- La corriente total en un semiconductor esta dada por la suma de ambas componentes, la de
difusion y desplazamiento (aunque solo una suele ser la dominante)

Diodos
Juntura PN [Fig 4.a]

- Por si sola, un pieza de material tipo-n o tipo-p no es mucho mas util que una resistencia
- Dopar un mismo cristal de forma tal que una parte sea de tipo-n y la otra de tipo-p da como
resultado en su union a la juntura PN, base para la construccion de diodos y transistores

En equilibrio [Fig 4.b]

- No se aplica tension alguna a la juntura

- Existe un gran gradiente en la concentracion de portadores en la juntura, por lo que inicialmente
se da una difusion de e de la zona n a la zona p y viceversa para los huecos

- Los e que pasen de la zona n a la p enseguida se recombinan con los huecos (p. mayoritarios) de
la zona p

- Cada atomo pentavalente de la zona n que pierda un e durante la difusion pasa a ser un ion

positivo, y cada atomo trivalente de la zona p que recibe un e (pierde su hueco) se convierte en
un ion negativo
- Los iones generados estan inmoviles (a dif. de los e y huecos), sujetos por los enlaces cobalentes
a la estructura del cristal, formandose cerca de la juntura dos zonas, una de carga positiva en el
material tipo-n, y otra negativa en el p
- En su conjunto, estas zonas se llaman zona de vaciamiento (vacia/libre de portadores)
- Las partes positiva y negativa de la zona de vaciamiento dan lugar a un campo electrico (de zona
n a p), que ira incrementando con la formacion de iones, hasta que sea lo suficientemente fuerte
para evitar que continue el paso de cargas de un lado a otro por difusion, alcanzando el equilibrio
- La barrera de potencial fruto del campo electrico es del orden de los 0,7v (para el diodo de Si)
- En la practica, el nivel de dopado de cada region suele ser distinto, con lo que el alcance de la
zona de vaciamiento en cada lado no es igual, siendo mayor para la zona con menor dopado.

En inversa [Fig 4.c]

- Si se aplica una diferencia de potencial a la juntura de forma tal que la zona n queda a un mayor
potencial que la zona p, la juntura se encuentra en polarizacion inversa

- El potencial aplicado induce un campo electrico en el material en el mismo sentido que el campo
ya presente en la zona de vaciamiento, donde ahora la maginutd del campo incrementa

- El incremento en la magnitud del campo debe venir acompaado por un incremento en el numero
de iones a ambos lados de la zona de vaciamiento, haciendo que esta se ensanche

- La barrera de potencial aumenta, evitando (casi) por completo el paso de la corriente (existe una

corriente de saturacion formada por portadores minoritarios generados termicamente que va de

la zona n a la p)
- Cuanto mas grande sea la tension en inversa, mas ancha se vuelve la zona de vaciamiento (existe
un limite dado por la tension de ruptura del material)
En directa [Fig 4.d]
- Si se aplica una diferencia de potencial en sentido opuesto al anterior (+ en zona p y - en zona n),
la juntura se encuentra en polarizacion directa
- En este caso, el potencial aplicado genera un campo electrico con direccion opuesta a aquel en la
zona de vaciamiento, lo cual da como resultado una reduccion en la barrera de potencial
- Esta reduccion en la barrera se ve acompaada por una disminucion de cargas (iones) en la zona
de vaciamiento, la cual se vuelve en consecuencia mas angosta y genera un aumento en la
concentracion de portadores minoritarios de cada lado
- Esta serie de eventos da lugar a que continue el proceso de difusion, pasando e de la zona n a la
p y huecos en el sentido contrario, generandose asi una corriente en la juntura de la zona p a la n
- A medida que los portadores mayoritarios de cada lado cruzan la juntura, se convierten en
portadores minoritarios, incrementando el numero de minoritarios en ambas zonas cerca de los
bordes de la zona de vaciamiento

El Diodo y su relacion I-V [Fig 5]

- Un diodo es en escencia una juntura PN, con el lado tipo-p llamado anodo, y el lado n catodo
- ## 4.8 (sedra)
- La corriente en un diodo esta dada por la formula
- # 1.18 (sin el n), 1.16 (Vt)
- En inversa la corriente en el diodo tiende a la de saturacion
- Tanto la corriente de saturacion (IS) como el voltaje termico (VT) son dependientes de la
temperatura, por lo que las caracteristicas del diodo varian con la temperatura

- A temperaturas cada vez mas grandes y una tension en directa constante, la corriente aumenta
(2mV por C en el Si)

Efecto avalancha [Fig 6]

- Los diodos tienen un limite en la tension en inversa que pueden resistir, ese limite se denomina
tension de ruptura

- A tensiones en inversa cercanas a la de ruptura, los portadores minoritarios que suelen cruzar la

juntura (corriente de saturasion) empiezan a tomar mas velocidad (debido al incremento del
campo en la zona de vaciamiento), hasta llegar a un punto en el cual tienen energia suficiente
como para desligar e de sus enlaces covalentes durante las colisiones con atomos en el material,
generando e libres (y a sus vez huecos)
- Los nuevos e se suman a los ya existentes portadores minoritarios y colisionan a su vez con otros
atomos (liberando mas e), dando como resultado una progresion gemoetrica
(1e2e4e8e) conocida como efecto avalancha, que genera una gran corriente inversa
donde antes solo estaba la de saturacion
- Este efecto ocurre en semiconductores con bajo dopaje, a tensiones en inversa mayores a los 6v
(aprox)

Efecto Zener

- Este efecto se da, a diferencia del anterior, cuando semiconductores estan altamente dopados, a
tensiones en inversa menores a los 4v (aprox)

- Los altos niveles de dopado hacen que la zona de vaciamiento se vuelva muy delgada, dando

como resultado un elevado campo electrico (E = V/dist), proporcional a la tension en inversa

aplicada
- Cuando la tension alcanza valores proximos a los de ruptura, el campo cobra suficiente fuerza
como para desligar e de sus orbitas de valencia, creando e libres listos para sumarse a la ya
presente corriente de saturacion
- Notese la diferencia con el efecto avalancha, donde los encargados de generar e libres son e a
alta velocidad

Diodo Zener

- Existen dispositivos diseados especificamente para trabajar en sus tensiones de ruptura

llamados diodos zener (muy usados en fuentes), donde para tensiones en inversa bajas (<4v) el
efecto predominante es el de zener y para mayores (>6v) predomina el avalancha, dejando en el
medio una zona donde ambos estan presentes
- Por qu se llama zener si segun su tension tiene ambos efectos? Porque zener fue el primer
efecto que se decubrio y qued ese nombre
- [Curva diodo zener]
- Para tensiones en inversa mayores a 6v (avalancha) el zener presenta un coeficiente de temp.
positivo (+temp +tension) mientras que para tensiones menores a 4v (zener) el coeficiente es
negativo (+temp -tension)
- Entre tensiones de 4v y 6v, el coeficiente pasa de negativo a positivo, por lo que en algun punto
se vuelve cero, dando lugar a diodos zener (que trabajan en ese rango de tensiones) altamente
estables ante cambios en la temperatura, ideales para referencias de tension

Distintos tipos de diodos

Circuitos diodos, zener, rectificadores

Transistor BJT
Caracteristicas generales

- Dispositivo de tres terminales formado por tres regiones dopadas, llamadas emisor, base y
colector

- El dopado puede ser NPN o PNP (en el orden e,b,c) [Fig 5.a/b]
- En terminos de tamao, la base es mucho mas fina comparada con el emisor y el colector, siendo
el colector la zona de mayor tamao

- El emisor esta altamente dopado, mientras que la base esta levemente dopada y el colector cae
en un punto medio entre los anteriores

- El transistor esta formado por dos junturas (b|e, b|c), que dependiendo de su polarizacion definen
distintas zonas de trabajo para el transistor [Fig 5.c]
Activa (usada en circuitos amplificadores)
Corte/saturacion (usada en circuitos logicos)
Activa inversa (poco usada, amplificacion pobre)
- Tanto e como huecos forman parte del proceso de conduccion en un transistor, por eso se lo
llama bipolar (Bipolar Junction Transistor)

Transistor NPN en zona Activa [Fig 5.d]

- Se polariza en directa a la juntura b|e y en inversa a la juntura b|c

- La polarizacion directa en la juntura b|e da lugar a una corriente de emisor fromada por e que se

difunden del emisor (n) a la base (p) y por huecos que se difunden de la base al emisor, siendo la
componente de e mucho mayor debido al elevado nivel de dopado del emisor
- Los e que llegan a la base desde el emisor se vuelven portadores minoritarios y se difunden por
la region hasta llegar la zona de vaciamiento de la juntura b|c
- En su viaje al colector algunos e se recombinan con los huecos (mayoritarios) de la base, pero
gracias a que la base es muy delgada y con bajo dopado, la proporcion de e que se pierde por
recombinacion es minima, por lo que la mayoria llegan a la zona de vaciamiento entre base y
colector
- En la juntura b|c (en inversa) los e son arrastrados por el campo electrico hasta el colector, donde
junto con la corriente de saturacion (ver diodo en inversa) constituyen la corriente de colector, la
cual se puede ver que no depende de la tension que haya entre colector y base, si no de la
cantidad de e que le entregue la base (provenientes del emisor)
- La corriente de base esta constituida por los huecos que pasan al emisor por difusion, aquellos
que la fuente debe proporcionar para recuperar los peridos durante recombinacion y los e que
pasan al colector en forma de corriente de saturacion

Polarizacion

Pasivos
Caracteristicas generales (6)

- Solo atenuan y/o desfasan seales

- Tolerancia: cambio porcentual en el valor nominal de un componente
- Coef. de T: cambio en un valor (porcentual o partes por millon) en funcion de la temp

en general no lineal
puede ser positivo o negativo
- Coef. de V: cambio en un valor por en funcion de la V
- Estabilidad: cambio de valor en el tiempo ante ciertas condiciones (humedad, I, V, T)
- Confiabilidad: Probabilidad de que el componente funcione de manera correcta en un tiempo
Tiempo medio entre fallas (MTBF)
Tasa de fallo cada 1000hrs
- De-rating: disminucion de las exigencias sobre un valor en funcion de factores externos(I, V, T)

Resistores (6)
Bobinada

Carbon prensado

Pelicula de carbon

Construccion: bobinado de
alambre metalico
Muy buen TCR (3ppm/C)
Tolerancia 0,01%
Soportan alta T
Ajustables
Para baja f

Construccion: polvo de grafito,

ceramica y resina
TCR: 1000
Tolerancia: 10-20%
Variables con V
Alto ruido electrico
Muy buena respuesta en f

Evolucion de la anterior
Construccion: pelicula de carbon
sobre cilindro metalico. se
espiralan para ajustar valor
TCR: 100
Tolerancia: 1-10%
Muy buena respuesta en f
No soportan sobrecarga

Pelicula de metal

Pelicula gruesa

Otros

Idem anterior pero:

TCR:5-25
Tolerancia: 0,1-5%
Bajo ruido
Muy buena respuesta en f
Menor tamao para misma
potencia

Utilizadas mayormente en montaje Variables: Se ajusta valor con

superficial
cursor (lineales, giratorios,
Deposicion controlada de cermet
multivueltas)
RTD: para sensado de T. metal
sobre sustrato de ceramica y
aluminio
que varia su resistencia
TCR: 200
Sensado: Para sensado de
Tolerancia: 0,5-5%
corriente (con 4 terminales para
Bajo ruido
mayor precision, no se agrega
Muy buena respuesta en f
resistencia al medir)

Capacitores (5)
Electrolitico de Aluminio

Electrolitico Tantalio

Ceramicos

Dielectrico basado en oxido de

aluminio
Unipolares (no soportan V en inv)
Valores y Voltajes grandes (47mF,
630v)
Apps de alta frencuencia y
fuentes
Varian con temp
mucha perdida

Dielectrico basado en oxidos de

tantalio o niobio
Unipolares
Valores hasta 470uF
V hasta 100v
Para baja y media f
Mas estables en temp
Menos perdidas

Dielectrico basado en un material

ceramico
Clase 1: muy estables y precisos,
valores chicos (1 nF)
Clase 2: poco estables y precisos,
valores 1nF - 1uF

Poliester

Mica

Dieletrico plastico
Muy buena estabilidad y precision
Baja ESR (resistencia serie equiv)
Alto voltaje (2kv)
Valores 1nF - 1uF

Dielectrico de Mica
Excelente estabilidad termica y
precision
No afectados por humedad
Alto voltaje (2kv)
Valores 100pF - 10nF
Caros y voluminosos

 Inductores
Nucleo de Hierro

Nucleo de Ferrite

Formas del Nucleo

Baja frecuencia
Perdidas por corrientes parasitas
Usados mayormente en trafos de
50Hz
Muy voluminosos

Alta frecuencia (100kHz)

Bajas perdidas
Usados en fuentes conmutadas y
filtros
Tamao reducido

Cilindrico
Toroide
Tipo E
Cazoleta