Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FS30R06XL4
vorlufige Daten
preliminary data

Hchstzulssige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation

Tvj = 25 C

VCES

600

TC =

60 C

IC,nom.

30

TC =

25 C

IC

35

A
A

ICRM

60

Ptot

119

VGES

+20

IF

30

IFRM

60

It

110

As

VISOL

2,5

kV

tp= 1ms, TC =

60 C

Tc= 25C, Transistor

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current

tp= 1ms

Grenzlastintegral
It value

VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C

Isolations Prfspannung
insulation test voltage

RMS, f= 50Hz, t= 1min

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
collector emitter saturation voltage

VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom

min.

typ.

max.

1,95

2,55

2,20

VGE(th)

4,5

5,5

6,5

VCEsat

VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= IC,nom

Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage

VCE= VGE, Tvj= 25C, IC=

Gateladung
gate charge

VGE= -15V...+15V

QG

0,16

Eingangskapazitt
input capacitance

f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V

Cies

1,35

nF

Rckwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance

f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V

Cres

0,12

nF

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

VCE =

ICES

mA

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C

IGES

400

nA

prepared by: P. Kanschat

date of publication:

approved: M. Hierholzer

revision:

0,7

mA

600 V, VGE= 0V, Tvj= 25C

2002-12-17

2.0

1 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FS30R06XL4
vorlufige Daten
preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)

turn off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

IC=

30

A, VCC =

VGE = 15V, RG =

8,2 , Tvj= 25C

VGE = 15V, RG =

8,2 , Tvj= 125C

IC=

30

A, VCC =

8,2 , Tvj= 25C

VGE = 15V, RG =

8,2 , Tvj= 125C

30

A, VCC =

8,2 , Tvj= 25C

VGE = 15V, RG =

8,2 , Tvj= 125C

30

A, VCC =

8,2 , Tvj= 25C

VGE = 15V, RG =

8,2 , Tvj= 125C

A, VCC =

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

IC=

Ausschaltverlustenergie pro Puls

turn off energy loss per pulse

IC=

Kurzschlussverhalten
SC data

tP 10sec, VGE 15V, Tvj= 125C,

300 V

RG = 8,2 , Tvj = 125C, L =

30

A, VCC =

15 nH

300 V

RG = 8,2 , Tvj = 125C, L =

15 nH

VCC = 360 V, VCEmax=VCES -LCE |di/dt|

Modulinduktivitt
stray inductance module
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip

td,on

20

ns

21

ns

tr

ns

ns

td,off

80

ns

110

ns

18

ns

25

ns

Eon

0,95

mJ

Eoff

0,65

mJ

ISC

135

LCE

25

nH

RCC/EE

1,4

1,35

72

74

1,7

2,8

0,55

mJ

0,75

mJ

300 V

VGE = 15V, RG =

30

max.

300 V

VGE = 15V, RG =
IC=

typ.

300 V

VGE = 15V, RG =
IC=

min.
300 V

Tc= 25C

tf

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rckstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzgerungsladung
recovered charge

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

IF =

30 A, VGE= 0V, Tvj= 25C

IF =

30 A, VGE= 0V, Tvj= 125C

IF =

30

A, -diF/dt =

4000 A/s

VR =

300 V, VGE= -10V, Tvj= 25C

VR =

300 V, VGE= -10V, Tvj= 125C

IF =

30

A, -diF/dt =

300 V, VGE= -10V, Tvj= 25C

VR =

300 V, VGE= -10V, Tvj= 125C

30

A, -diF/dt =

Qr

4000 A/s

VR =

300 V, VGE= -10V, Tvj= 25C

VR =

300 V, VGE= -10V, Tvj= 125C

2 (8)

IRM

4000 A/s

VR =
IF =

VF

Erec

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vorlufige Daten
preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

min.

typ.

max.

R25

R/R

-5

P25

20

mW

B25/50

3375

1,05

K/W

2,00

K/W

1,35

K/W

2,35

K/W

0,40

K/W

0,60

K/W

Tvjmax

150

Betriebstemperatur
operation temperature

Top

-40

125

Lagertemperatur
storage temperature

Tstg

-40

125

Nennwiderstand
rated resistance

Tc= 25C

Abweichung von R100

deviation of R100

Tc= 100C, R100= 493

Verlustleistung
power dissipation

Tc= 25C

B-Wert
B-value

R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)]

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC

Transistor Wechselr. / transistor inverter

Diode Wechselrichter / diode inverter

Transistor Wechselr. / transistor inverter

Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to heatsink; DC
Diode Wechselrichter / diode inverter

RthJC

RthJH

Paste = 1 W/m*K / grease = 1 W/m*K

bergangs-Wrmewiderstand, DC
thermal resistance, case to heatsink, DC

Transistor Wechselr. / transistor inverter

Diode Wechselrichter / diode inverter

RthCH

Paste = 1 W/m*K / grease = 1 W/m*K

Hchstzulssige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Innere Isolation
internal insulation

Al2O3

CTI
comperative tracking index

225

Anpresskraft pro Feder

mounting force per clamp

20..50

Gewicht
weight

25

10,5

mm

mm

mm

mm

Kriechstrecke
creepage distance

Anschluss - Khlkrper
terminal to heatsink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal

Luftstrecke
clearance distance

Anschluss - Khlkrper
terminal to heatsink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal

3 (8)

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vorlufige Daten
preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)

IC= f(VCE)
VGE= 15V

Tvj = 25C

60

Tvj = 125C

50

IC [A]

40
30
20
10
0
0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

IC= f(VCE)

output characteristic (typical)

Tvj= 125C

VGE = 20V

60

VGE = 15V
VGE = 12V

50

VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V

IC [A]

40
30
20
10
0
0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5
VCE [V]

4 (8)

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

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vorlufige Daten
preliminary data

bertragungscharakteristik (typisch)

IC= f(VGE)

transfer characteristic (typical)

VCE= 20V

60
Tvj = 25C
Tvj = 125C

50

IC [A]

40
30
20
10
0
5

9
VGE [V]

10

11

12

13

IF= f(VF)

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)

forward characteristic of inverse diode (typical)
60
Tvj = 25C
Tvj = 125C

50

IF [A]

40
30
20
10
0
0,0

0,2

0,4

0,6

0,8
VF [V]

5 (8)

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

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vorlufige Daten
preliminary data

Schaltverluste (typisch)
switching losses (typical)

Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC)

VGE= 15V, RGon=RGoff= 8,2, VCE= 300V, Tvj= 125C

Eon
Eoff

Erec

E [mJ]

0
0

10

20

Schaltverluste (typisch)
switching losses (typical)

30
IC [A]

40

50

60

Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)

VGE= 15V, IC= 30A, VCE= 300V, Tvj= 125C

Eon
Eoff

2,5

Erec

E [mJ]

1,5

0,5

0
0

20

40
RG []

6 (8)

60

80

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vorlufige Daten
preliminary data

Transienter Wrmewiderstand
transient thermal impedance

ZthJH = f (t)

ZthJH(K/W)

10,00

1,00

Zth:IGBT
Zth:Diode
0,10
0,001

0,01

i
ri [K/kW]: IGBT
i [s]: IGBT
ri [K/kW]: Diode
i [s]: Diode

0,1
t (s)

1
81,0
0,000529
141,0
0,00032

10

270,0

756,0

243,0

0,01290

0,12731

0,19842

470,0

1316,0

423,0

0,00532

0,10769

0,14540

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

reverse bias safe operation area (RBSOA)

VGE=15V, Tj=125C, RG = 8,2

80
IC, Chip
IC, Modul

IC [A]

60

40

20

0
0

200

400
VCE [V]

7 (8)

600

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vorlufige Daten
preliminary data

Schaltbild
circuit diagram

Gehusemae
package outline

Bohrplan
drilling layout

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.

8 (8)

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zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fr Sie zustndigen Vertriebsbro
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einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fr diese Flle
- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualittssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die
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- to establish joint measures of an ongoing product survey,
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