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INTRODUCCIN A L

ELECTRNICA DE
POTENCIA
INSTITUTO TECNOLGIC
O DE CHIHUAHUA
ING. COSME RAL ALVARADO MEZA

Wendy Lizbeth Espino Lucio

ELECTRNICA DE POTEN
CIA| 09061057

INTRODUCCIN
Electrnica de potencia se puede definir como las aplicaciones de la electrnica de
estado slido para el control y conversin de la energa elctrica.
La electrnica de potencia se basa en primer trmino en la conmutacin de
dispositivos semiconductores de potencia y con el desarrollo de la tecnologa de
esos las capacidades del manejo de energa y la velocidad de conmutacin han
mejorado considerablemente.
Los sistemas electrnicos de potencia pueden ser utilizados para regular voltaje,
adecuar las necesidades de potencia para el control de carga y muchas ms
aplicaciones,

para

conseguir

esto

se

requieren

desarrollos

futuros

en

componentes de conmutacin, en circuitos y sistemas de control.


La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control
se encarga del rgimen permanente o de estado estable, de las caractersticas
dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. Mientras que la energa tiene que ver
con la electrnica de potencia esttica y rotativa para la generacin, transmisin y
distribucin de la energa. Y la electrnica aporta los dispositivos de estado slido
para el procesamiento de seales y cumplir con los objetivos de control deseado.

ANTECEDENTES HISTRICOS
El arranque de la electrnica de potencia inicia en 1900 con la introduccin del
rectificador de mercurio, despus de forma gradual introdujeron el rectificador de
tanque de metal, el rectificador de tubo de vaco, el ignitrn, fanatrn y el tiratrn
usados hasta el ao de 1950.
La primera revolucin electrnica comenz en 1948, con la invencin del transistor
en los Bell Telephone laboratorios, por Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor
parte de las tecnologas modernas de electrnica avanzada se pueden rastrear a
partir de este invento.
El siguiente adelanto, en 1956, tambin fue logrado en los Bell laboratorios, el
transistor de disparo PNPN, que se defini como tiristor o rectificador controlado
de silicio (SCR).
El siguiente adelanto, se inicia en el ao 1958, con el desarrollo del tiristor
comercial, por la compaa General Electric.

En 1970, los tiristores convencionales se haban usado para el control de potencia


en aplicaciones industriales. Y en este mismo ao se inician nuevos desarrollos de
dispositivos semiconductores de potencia que se introdujeron al comercio; diodo
de potencia, tiristores, transistores bipolares de juntura de potencia, MOSFET de
potencia y los transistores bipolares de compuerta aislada y transistores de
induccin estticos.

DESCRIPCIN GENERAL DE
LAS VLVULAS
ELECTRNICAS
TIRATRN
En 1929 se introduce el tiratrn que es una
vlvula termoinica igual a un trodo pero
llena de gas o vapor inerte de mercurio a
baja presin, el cual es usado para controlar
grandes potencias y corrientes. Consta de
tres electrodos que son; nodo, ctodo y
rejilla de control.
El ctodo puede ser calentado de forma
directa o indirecta al igual que el trodo. El
ctodo se encuentra rodeado por una
pantalla metlica, la cual hace imposible el
surgimiento de un campo elctrico entre el nodo y
el ctodo adems de la rejilla. La terminal del
nodo se encuentra en la parte superior del vidrio.
Las terminales del ctodo y de la rejilla estn en el
casquillo de la parte inferior de la vlvula.

En operacin cuando se aplica un voltaje positivo al nodo, no fluye corriente.


Cuando el electrodo de control se hace menos negativo, los electrones desde el
ctodo pueden viajar al nodo porque la atraccin positiva desde el nodo
prevalece sobre la repulsin negativo causado por la tensin ligeramente negativa
en la rejilla de control. Los electrones se ionizan por las colisiones con el gas en el
tubo y una avalancha es el resultado de los efectos, causando una descarga de
arco entre el ctodo y el nodo. El blindaje evita trayectorias de corriente
ionizados que podran formar dentro de otras partes del tubo. El gas en un tiratrn
es tpicamente a una fraccin de la presin de aire al nivel del mar; 15 a 30
milibares es tpico. Para un tiratrn ctodo fro el voltaje de disparo en la rejilla de
control ser tpicamente positivo, y un flash de ms de rejilla de control al ctodo
iniciar la descarga de arco en el tubo.
Ambas versiones se encuentran en caliente y en fro ctodo. Un ctodo caliente es
una ventaja, como la ionizacin del gas se hace ms fcil, por lo que el electrodo
de control del tubo es ms sensible. Una vez activada, el tiratrn permanecer en
el tiempo que hay una corriente significativa que fluye a travs de l. Cuando la
tensin de nodo o corriente cae a cero, el dispositivo se apaga.

FANOTRN
El fanotrn es una vlvula termoinica
parecida a un diodo de vaco que est llena de
gas, es usada para la rectificacin de la
corriente alterna de gran intensidad, lo que en
un dispositivo de vaco es muy difcil debido al
nmero limitado de electronesque puede
producir un ctodo termoinico.

Su funcionamiento es similar al
del diodo de vaco y su smbolo
en los esquemas elctricos y
electrnicos es el mostrado en la
imagen.

IGNITRN
En 1932 se introduce el ignitrn, es un
rectificador de mercurio lquido de tres
electrodos. Su nombre fue derivado
del mtodo del encendido del arco. El
ignitrn es una vlvula grande de
ctodo fro que se usa para conmutar
corrientes intensas.
El nodo es generalmente un bloque
de carbono y el ctodo una bolsa de mercurio. El electrodo activador o
encendedor, es una varilla de carburo de silicio especialmente conformada y
parcialmente sumergida en el mercurio. Cuando para por el interruptor una
corriente muy intensa produce una emisin electrnica en los puntos de contacto

con el mercurio que se evapora para formar un paso conductor entre los
electrodos. Unas versiones tienen cubiertas compuestas de metal y vidrio con un
sistema de enfriamiento por agua similar al de los rectificadores de arco de
mercurio.

RECTIFICADOR DE ARCO DE MERCURIO


Este se utiliz durante muchos aos como el nico rectificador de potencias
alternas de distintos tipos de mquinas rotatorias. En la imagen observamos un
rectificador monofsico de arco de mercurio. Se inicia el arco cerrando el
interruptor del cebador, inclinando la ampolla de manera que el mercurio lquido
haga contacto con el cebador y volviendo a poner la ampolla, bruscamente, en su
posicin normal, con lo que se interrumpe as la conexin por el mercurio y se
forma un arco. Este arco forma la Mancha Catdica sobre el mercurio lquido y se
produce la ionizacin inicial que hace que pueda
circular la corriente hacia los nodos.
Estos nodos suelen ser de grafito y, se conectan al
transformador

de

tal

manera

que

sean

alternativamente positivos y negativos. Cuando un


nodo sea positivo, captara electrones de vapor de
mercurio ionizado y circulara por la carga una corriente
rectificada. Dicha carga se muestra en la figura de
abajo representada por una batera que est en carga.

Si por cualquier causa se interrumpiera el arco de mercurio, se producira


recombinacin, se desionizara el gas del tubo y no volvera a formarse el arco, a
menos que inclinramos el tubo tal como se ha mencionado anteriormente. La
bobina puesta en serie con la carga evita que se interrumpa el arco cuando la
onda de tensin alterna aplicada pase por el valor cero. La reactancia inductiva
evita que se extinga la corriente que circula por un nodo hasta que se haya
establecido ya la que pasa por el otro. En los rectificadores de mayor tamao se
instalan dos electrodos de excitacin auxiliares. Teora del arco de mercurio.- En
un principio se crey que la temperatura de la mancha catdica era elevada y que
dicha mancha emita electrones por emisin termoinica. En la actualidad se
considera que la temperatura de la mancha es demasiado baja para una tal
emisin. Se sugiri el bombardeo de los iones positivos como causa de la emisin,
pero tambin esto se considera inadecuado para explicar la gran emisin que se
produce durante el proceso de rectificacin. La teora que vamos a ver a
continuacin es la que se tiene como ms aceptable.
En el interior del rectificador de arco de mercurio se produce ionizacin
choque.

por

Los electrones

mviles as liberados van


rpidamente hacia los nodos,
contribuyendo muy poco a la
corriente total.
Los iones positivos pesados se
mueven relativamente despacio
hacia

el

ctodo

de

mercurio

lquido, donde se forma una carga


espacial

positiva

muy

intensa

sobre la superficie del mercurio,


con lo que entre dicha superficie y
los iones positivos se crear un
campo elctrico muy intenso. La presin del vapor de mercurio en la regin
inmediatamente encima de la mancha catdica es grande y se supone que los
electrones recorrern un camino muy corto antes de chocar con un tomo de

mercurio y ionizarlo. Esta accin suministra iones positivos que arranquen


electrones de la superficie del mercurio.

CLASIFICACIN DE LOS TIRISTORES O


SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
DIODOS DE POTENCIA
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y
ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben
ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin.
En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de
nodo con una pequea intensidad de fugas.

Un diodo tiene dos terminales: un nodo y un ctodo; los diodos de potencia son
de tres tipos:
o De propsito general
o De alta velocidad o
De Schottky

APLICACIONES
Rectificadores de red
Baja frecuencia (50Hz)
Conmutacin
a
alta
frecuencia
Inversores
UPS
Accionamiento de motores
AC

Fuentes

conmutadas
Convertidores
Diodos
de
libre
circulacin
Cargadores de bateras
Aplicaciones de alta
tensin

Aplicaciones
corriente

de

alta

TRANSISTORES
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los
transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones
e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Un transistor bipolar tiene 3 uniones: base, emisor, colector. Mientras la base del
transistor NPN est a mayor potencial que el emisor, y la corriente de la base
tenga el valor suficiente para activar al transistor en la regin de saturacin, el
transistor permanece cerrado, siempre que la unin colector a emisor tenga la
polarizacin correcta. Los transistores de potencia son de 4 clases: o BJT o
MOSFET de potencia o IGBT o SIT

TIRISTORES

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas


(pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante
circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.
Un tiristor tiene 3 terminales: un nodo, un ctodo y una compuerta. Cuando se
hace pasar una corriente pequea por la terminal de la compuerta, hacia el
ctodo, el tiristor conduce siempre que la terminal del nodo tenga mayor
potencial que el ctodo. Los tiristores se pueden dividir en 11 tipos:
o Tiristor conmutado forzado o Tiristor
conmutado por lnea o Tiristor de abertura
de compuerta (GTO) o Tiristor de
conduccin inversa (RCT) o Tiristor de

induccin esttica (SITH) o Tiristor de


abertura de compuerta asistida (GATT) o
Rectificador foto-activado controlado de
silicio (LASCR) o Tiristor abierto por MOS
(MTO) o Tiristor abierto por emisor (ETO) o
Tiristor conmutado por compuerta
integrada (IGCT) o Tiristores controlados
por MOS (MCT)

DEFINICIN DE LOS PARMETROS ELCTRICOS DE LOS


DISPOSITIVOS

Voltaje de ruptura en directa: BVO o VBO

Voltaje inverso de ruptura: BVR o VBR

Corriente de mantenimiento: IH

Corriente inversa: IR

Corriente mxima en directa: Ifmax

Corriente en compuerta: IGT

Potencia mxima: P

Voltaje de pico mxima repetitiva en el estado bloqueo en el sentido directo:


Vdrm

Voltaje de pico mxima repetitiva en el sentido bloqueo que soporta el


tiristor: Vrrm

Corriente eficaz mxima: It

Corriente media mxima: Io

Corriente de pico mxima: Itsm

Corriente de puerta directa mxima: Ifgm

Potencia de pico de puerta: Pgfs

Potencia media disipable por la puerta: Pgav

Voltaje mximo de puerta: Vgm

Corriente de nodo de fuga mxima en el estado de bloqueo: Idrm

Corriente de nodo de fuga mxima en el sentido de bloqueo: Irrm

Corriente de disparo de puerta: Igt

Voltaje de disparo de puerta: Vgt

Corriente de enganche: IL

Voltaje nodo-ctodo mxima: Vtm

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LA ELECTRNICA DE


POTENCIA
COMO VENTAJAS TENEMOS:

Mejores caractersticas elctricas (respuesta rpida, precisin y mejora en


la estabilidad).

Costo y tamao.

Mayor fiabilidad y vida.

Carencia de mantenimiento (no existen partes mviles que se desgasten).

No hay vibraciones.

No se producen arcos elctricos (no existe desgaste de contactos ni ruido


electromagntico).

LAS DESVENTAJAS:

Menor robustez elctrica.

Son de capacidad reducida para soportar voltajes y corrientes muy grandes.

Algunos circuitos son caros.

Ventajas y Desventajas de los Semiconductores


VENTAJAS
Menor costo.

Menor tamao.

Mayor rapidez de conmutacin.

Libres de mantenimiento.

Capacidad en manejo de altas corrientes.

Operacin silenciosa.

No necesitan de sistemas de enfriamiento.

Fuertes resistencias a los choques y aceleraciones.

Ausencia de vibraciones (no hay arco elctrico).

Insensibilidad a las sobrecargas.

DESVENTAJAS:

No provee aislamiento elctrico (los relevadores s).

Requiere de cuidado en su conexin.

Les puede afectar la alta temperatura.

Fciles de destruir si se sobrepasan sus especificaciones.

Requieren voltajes regulables.

CIRCUITOS DE APLICACIN POR SU FORMA DE


CONVETIR ENERGA ELCTRICA
Un convertidor de energa es un sistema o equipo electrnico que tiene por
objetivo la conversin de energa elctrica entre dos formatos diferentes. Por
ejemplo, obtener corriente continua a partir de corriente alterna.
El concepto inicial de convertidor puede extenderse para incluir aspectos como:
eficiencia, reversibilidad, grado de idealidad, fiabilidad, volumen o tecnologa por
citar las ms importantes. En la figura 1 se muestra la estructura bsica de un
convertidor.

CONVERTIDOR DE CA A CC (RECTIFICADORES NO CONTROLADOS):


Convierten la energa elctrica de corriente alterna en energa de corriente
continua. Cuando se utilizan diodos, el valor de la tensin CC de salida, est
determinada por el valor de la tensin de entrada. A estos convertidores tambin
se les denomina rectificadores no controlados.

CONVERTIDOR DE CA A CC (RECTIFICADORES CONTROLADOS):


En este caso, el valor de la tensin contina de salida y la potencia elctrica
convertida, puede ser controlada, variando el tiempo de conmutacin de los
semiconductores interruptores. En el dibujo, vemos un rectificador controlado con
tiristores del tipo SCR.

CONVERTIDOR DE CORRIENTE ALTERNA A CORRIENTE ALTERNA


(CONTROLADORES DE VOLTAJE):

Estos convertidores convierten una tensin alterna de valor eficaz fijo, en una
tensin alterna de valor eficaz variable y controlable. Como ejemplo bsico,
presentamos un circuito que utiliza como interruptor bidireccional un tiristor del tipo
TRIAC. Estos convertidores se les denominan tambin controladores de voltaje.
Aplicaciones tpicas de esta conversin pueden ser como arrancadores de
motores de ca., control de iluminacin, etc. El control de la tensin eficaz de
salida, para este caso, se logra variando el ngulo de conduccin del interruptor
semiconductor.

CONVERTIDOR DE CORRIENTE CONTINUA A CORRIENTE CONTINUA


(PULSADORES):
Estos convertidores, denominados tambin como pulsadores o reguladores de
tensin continua por conmutacin, el voltaje promedio de la salida, se controla
mediante la variacin del tiempo de conduccin t1 respecto al periodo T. El
siguiente dibujo, nos muestra un convertidor bsico, realizado con un transistor
bipolar de potencia. La tensin continua de salida, depender del tiempo t1, cuya
relacin con el periodo, est dado por t1= .T, siendo , la relacin del ciclo del
convertidor. Si calculamos el valor de la tensin de salida, esta resulta:
Vo(promedio) = . Ve

CONVERTIDORES DE CORRIENTE CONTINUA A CORRIENTE ALTERNA


(INVERSORES):
Estos convertidores, convierten una fuente de tensin continua, en una fuente de
corriente alterna Se les denomina a estos convertidores, inversores

En el caso del circuito presentado, en el tiempo, desde cero a T/2, se hacen


conducir los transistores de efecto de campo (MOS) M1 y M2. a partir de T/2, se
cortan M1 y M2 y se hacen conducir a M3 y M4, obtenindose sobre la carga RL
una corriente alterna. En el tiempo T nuevamente se repite el ciclo de conduccin
de los interruptores MOS. Este convertidor tiene varias aplicaciones siendo una
de ellas, controlar la velocidad de motores de ca.
INTERRUPTORES ESTTICOS:
Se utilizan para interrumpir corriente alterna o corriente continua en aplicaciones
todo o nada, en forma similar como lo hacen los interruptores electromecnicos o
contactores.

En el circuito simplificado, tenemos dos SCR que actan como interruptores. La


conmutacin (cierre y apertura) se hace en el cruce por cero de la tensin de
entrada. La grafica muestra la tensin de entrada y salida donde hasta el tiempo

t1, los SCR se alternan en su conduccin de manera tal que sobre la carga,
prcticamente la tensin vo es prcticamente igual a ve. A partir de t1, ambos
SCR dejan de conducir y la tensin sobre la carga pasa a valer cero volt.

CONSTRUCCIN DE DIAGRAMA A BLOQUES


EXPLICANDO QUE ELEMENTOS FORMAN UN SISTEMAO
EQUIPO ELECTRNICO.
Un equipo electrnico consta fundamentalmente de:

Un circuito de potencia:
Compuesto

de

semiconductores

de

potencia

de

elementos

pasivos

(transformadores, bobinas, condensadores, etc.), que liga la fuente de


alimentacin con la carga.

Un circuito de mando:
Elabora la informacin proporcionada por el primero y genera unas seales de
excitacin que determinan la conduccin de los semiconductores controlados
(tiristores, transistores) con una fase y una secuencia convenientes. Dada la gran
amplificacin de estos (cociente entre la potencia manejada por el elemento y la
potencia necesaria para su excitacin) la potencia consumida por el circuito de
mando es despreciable frente a las perdidas en el circuito de potencia. Es obvio
que si este carece de semiconductores controlados el circuito de mando no existe.

El objeto de la electrnica de potencia es precisamente el estudio del circuito de


potencia y la apropiada eleccin de las seales de excitacin que ha de
proporcionar el circuito de mando.

EXPLICAR LA OPERACIN DE CADA UNO DE LOS


TIRISTORES DE LA TABLA
Tiristor diodo de bloqueo inverso/Diodo shottcky de 4 capas.
Es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductoras

NPNP.

Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar un tensin positiva entre


nodo y ctodo se puede observar que la unin J1 y J3 est polarizada en directa,
y la unin J2 polarizada en inversa.
En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y
el dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a
una tensin VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta
y la cada de tensin decrece de la misma manera.
En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a
conduccin.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en


separar su a en dos mitades.
La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el
circuito mostrado en la figura anterior que normalmente es referido como candado.
Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la

grfica de la figura 12.3. En esta grfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro
regiones de operacin:

1.- Zona directa (V > 0)


1.a) Regin de corte. El diodos e encuentra en corte con unas corrientes
muy bajas. En esta regin se puede modelar como una resistencia R OFF de
valor
1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y
ctodo es suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un
incremento muy elevado en corriente comportndose el diodo como si
fuera una resistencia negativa debido a la realimentacin positiva de su
estructura.
1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de
tensin entre nodo y ctodo est comprendida entre 0.5V y 1.5V,
prcticamente independiente de la corriente. Se mantendr en este estado
siempre que la tensin y corriente alcancen unos valores mnimos
conocidos como niveles de mantenimiento definidos por V H e IH.
2.- Zona inversa (V < 0)
2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima
inversa VRSM que superado ese valor entra en conduccin debido a
fenmenos de ruptura por avalancha.

Son ideales para fuentes de alimentacin de gran corriente y alto voltaje de


cd.
Rectificador Controlado de Silicio (SCR)
El SCR est formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,
teniendo 3 terminales: nodo (A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente
principal, y la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se
establezca una corriente en sentido nodo-ctodo. La figura 2.4 ilustra una
estructura simplificada del dispositivo.

Si entre nodo y ctodo tenemos una tensin positiva, las uniones J1 y J3 estarn
directamente polarizadas, en cuanto que la unin J2 estar inversamente
polarizada. No habr conduccin de corriente hasta que la tensin VAK aumente
hasta un valor que provoque la ruptura de la barrera de potencial en J2.
Si hay una tensin VGK positiva, circular una corriente a travs de J3, con
portadores negativos yendo del ctodo hacia la puerta. Por la propia construccin,
la capa P donde se conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte
de los electrones que atraviesen
J3 tengan energa cintica suficiente para vencer la barrera de potencial existente
en J2, siendo entonces atrados por el nodo.

De esta forma, en la unin inversamente polarizada, la diferencia de potencial


disminuye y se establece una corriente entre nodo y ctodo, que podr persistir
an sin la corriente de puerta.
Cuando la tensin VAK es negativa, J1 y J3 quedarn inversamente polarizadas,
en cuanto que J2 quedar directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la
unin J3 est entre dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear
tensiones elevadas, de modo que cabe a la unin J1 mantener el estado de
bloqueo del componente.
Existe una analoga entre el funcionamiento del tiristor y el de una asociacin de
dos transistores bipolares, conforme se muestra en la figura 2.5.

Cuando se aplica una corriente de puerta IG positiva, Ic2 e IK aumentarn. Como


Ic2 = Ib1, T1 conducir y tendremos Ib2 = Ic1 + IG, que aumentar Ic2 y as el
dispositivo evolucionar hasta la saturacin, aunque se elimine la corriente de
puerta IG. Tal efecto acumulativo ocurre si las ganancias de los transistores son
mayores que 1. El componente se mantendr en conduccin desde que, despus
del proceso dinmico de entrada en conduccin, la corriente del nodo haya
alcanzado un valor superior al lmite IL, llamada corriente de enclavamiento
latching current.
Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo
del valor mnimo de mantenimiento (IH), permitiendo que se restablezca la barrera
de potencial en J2. Para la conmutacin del dispositivo no basta con aplicar una

tensin negativa entre nodo y ctodo. Dicha tensin inversa acelera el proceso
de desconexin por dislocar en los sentidos adecuados los portadores en la
estructura cristalina, pero ella sola no garantiza la desconexin.
Caractersticas tensin-corriente
En la figura 2.6 podemos ver la caracterstica esttica de un SCR. En su estado de
apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y no conducir
corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo
independientemente del signo de la tensin VAK. El tiristor debe ser disparado o
encendido al estado de conduccin (ON) aplicando un pulso de corriente positiva
en el terminal de puerta, durante un pequeo intervalo de tiempo, posibilitando
que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin directa en el estado de
conduccin (ON) es de pocos voltios (1-3 V).
Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin (estado
ON), aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por
pulso de puerta.
nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un
valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de
bloqueo.

En
rgimen
esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo podemos
distinguir tres regiones de funcionamiento:
1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): sta condicin corresponde al estado de
no conduccin en inversa, comportndose como un diodo.
2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un
circuito abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa.
3. Zona de conduccin (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un
interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula

una corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en conduccin, se


mantendr en dicho estado si el valor de la corriente nodo ctodo es
superior a la corriente de mantenimiento.
SCR activado por luz LASCR
Tienen tres terminales, y por tanto, el umbral del disparo ptico puede controlarse
electrnicamente. La ventaja principal del fototiristor es que es un excelente
conmutador, con una capacidad de gobernar potencias muy superiores a otros
fotodetectores. Con refrigeracin apropiada, algunos fototiristores pueden trabajar
a unos cientos de voltios con un ampere.

La Figura 43 muestra un corte de un foto-SCR tpico. Con polarizacin apropiada


los fotones entrantes crean pares electrn-hueco en la vecindad de la segunda
unin y estos portadores libres son atrados a travs de las uniones produciendo
una corriente nodo-ctodo. A un cierto nivel de radiacin, la ganancia neta de
corriente del dispositivo excede a la unidad y la corriente nodo-ctodo slo viene
limitada por la impedancia exterior. En este punto, el SCR ha cambiado de ser un
conmutador prcticamente abierto a uno casi en cortocircuito, como se ve en la
Figura 44.

La salida de un foto-SCR no es proporcional a la radiacin incidente como en el


caso de los fotodetectores anteriores. El foto-SCR est CORTADO (baja corriente
de nodo) antes que una irradiancia adecuada lo dispare (Figura 45) y CONDUCE
en cuanto se supera el umbral ptico.

La resistencia puerta-ctodo (RGK) determina la sensibilidad a la luz (figura 46) y


a su vez influye en los efectos de temperatura, respuesta en frecuencia y dv/dt.
Aumentando RGK aumenta la sensibilidad a la luz ya la temperatura, pero
disminuye la respuesta en el tiempo. Como puede esperarse, el nivel de disparo
de un foto-SCR depende de la temperatura de la unin, de la tensin aplicada, etc.
La Fig. 44 muestra lo esencial de un circuito con foto-SCR. Antes que se alcance
el umbral ptico, el SCR est CORTADO y solo Huye una pequea corriente de

prdida (unos A) de nodo a ctodo, por tanto, la carga no tiene conexin a


masa. Cuando la irradiancia alcanza el valor de disparo adecuado, el
SCR CONDUCE 0,9 A. Como el foto-SCR no se CORTA al eliminar la luz, debe
emplearse un mtodo de conmutacin. C1 es necesario para evitar que el SCR
conduzca con un falso disparo si la alimentacin se aplica muy rpidamente.

Conmutador con control de puerta (CGS)


El tiristor bloqueable puede:

Dispararse, si se aplica un impulso positivo a su electrodo de mando.

Bloquearse de nuevo, si se aplica un impulso negativo a este mismo


electrodo de mando.

Esta propiedad es consecuencia de que al abrir el circuito, el elemento


proporciona una ganancia de corriente.

La seal de puerta conmuta CGS lento en corte como en conduccin se aplica en


conmutadores de cc inversores, troceadores, circuitos lgicos. Conmutador
unilateral de silicio (SUS)
Destinado esencialmente al disparo de tiristores, el conmutador unilateral de silicio
(sillicon unilateral switch = SUS) est constituido por un tiristor miniatura, con
puerta de nodo, al que se asocia, entre la puerta y ctodo, un diodo de avalancha
de baja tensin (fig. 7-2).
Algunas de las caractersticas de este elemento, tomadas de un D13D1 de
general electric, son las siguientes:

Tensin de disparo VS=6 a 10 V.

Corriente en el momento de disparo =0.5 mA max.

Tensin de mantenimiento VH = aproximadamente 0.7 V o 25 C.

Corriente de mantenimiento IH= 1,5 mA lnix.

Cada de tensin directo (para IF=200 mA)= 1.75 V.

Tensin inversa VR = 30 V.

Pico de los impulsos Vo=3.5 V mn.

Este ltimo dato es uno de los ms importantes, y se mide montando el SUS en el


circuito de la figura 7-

3; se ve que, en
efecto, nos evala la
aptitud del SUS para
controlar tiristores.
Comparado con el
UJT, el SUS se
dispara a una tensin
fija, determinada por
su diodo de
avalancha, y su corriente IS resulta mayor, y muy cercana a IH. Estos datos limitan
la frecuencia (tanto alta como baja) de trabajo del elemento. La sincronizacin se
asegura mediante los impulsos aplicados a la puerta del SUS.
Sealemos, a propsito de este elemento, que existen igualmente disparadores de
este tipo, de sensibilidad regulable.

Conmutador controlado de silicio (SCS)


El SCS es un dispositivo de cuatro capas y cuatro terminales externos. La adicin
de un cuarto terminal permite una mayor flexibilidad en sus caractersticas y
aplicaciones. La conexin nodo-compuerta es utilizada para llevar al dispositivo
de su estado de conduccin a bloqueo.

a) Estructura interna b) smbolo

c) analoga

d) curva corriente-voltaje

Fig. 15
En la figura 15 puede observarse que un pulso de polaridad negativa aplicado en
compuerta de nodo har conducir a T1 y por lo tanto a T2 inicindose un proceso

regenerativo y por lo tanto una elevada circulacin de corriente entre terminales


nodo-ctodo. Si se aplica un pulso positivo en esta misma compuerta o uno
negativo en la de ctodo se obtiene el estado de circuito abierto del dispositivo. En
general, la corriente requerida en la compuerta de nodo para el disparo es mucho
mayor que la requerida en la compuerta de ctodo. Valores tpicos de corriente de
compuerta de nodo y de ctodo son respectivamente 1.5 mA y 1 &A.
Diac
Es bsicamente una combinacin paralelo inversa de dos diodos de cuatro capas,
lo cual permite el disparo en ambas direcciones. La figura 1 muestra su
conformacin fsica, su smbolo y su caracterstica tensin-corriente.
La caracterstica tensin-corriente muestra claramente un voltaje de ruptura tanto
para valores positivos como para negativos, es decir que el nico camino de
disparo del dispositivo es exceder los niveles de ruptura V S.
Los voltajes de ruptura pueden variar entre 25 y 42 voltios.
Los niveles de corriente son de aproximadamente .2 mA

Triac
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres
terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y puede
ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos.

El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su


funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en
antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en ambos
sentidos de la circulacin de corriente. La figura 2.9 muestra el esquema
equivalente de un TRIAC.

La figura 2.10 muestra el smbolo utilizado para representar el TRIAC, as como su


estructura interna en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC
permite la conduccin de corriente de nodo a ctodo y viceversa, de ah que los
terminales no se denominen nodo y ctodo, sino simplemente nodo 1 (A1) y
nodo 2 (A2). En algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que
nos permite la puesta en conduccin del dispositivo en ambos sentidos de
circulacin. Si bien el TRIAC tiene varios mecanismos de encendido (con
corrientes positivas y negativas), lo ms usual es inyectar corriente por la puerta
en un sentido para provocar la puesta en conduccin.

La figura 2.11.muestra la caracterstica esttica I-V del TRIAC. Se puede observar


que presenta estado de conduccin tanto para iA positiva como negativa, y puede
ser disparada desde el estado de corte al de conduccin tanto para vA1A2 positiva
como negativa. Adems, la corriente de puerta que fuerza la transicin del estado
de corte al de conduccin puede ser tanto positiva como negativa. En general, las
tensiones y corrientes necesarias para producir la transicin del TRIAC son
diferentes segn las polaridades de las tensiones aplicadas.

Conmutador bilateral de silicio (SBS)


Un SBS o Conmutador Bilateral de Silicio, por sus siglas en ingls (Silicon Bilateral
Switch) es un tiristor del tipo bidireccional, que est compuesto por dos tiristores
unidireccionales o SUS conectados en anti paralelo. Al igual que los tiristores UJT,

PUT y SUS, el SBS es utilizado en circuitos osciladores de relajacin para el


control de disparo de dispositivos que entregan potencia elctrica a una carga,
como los SCR y los TRIAC; la diferencia consiste en que pueden dispararse tanto
en el semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente
alterna, debido a que pueden polarizarse directa e inversamente. En la figura 7.1
se muestra su smbolo y que aparenta ser dos SUS en sentido contrario.

Fig. 7.1 smbolo del conmutador bilateral de silicio


Como casi todos los familiares de los tiristores, el SBS cuenta con tres
conexiones: la compuerta (G), el nodo o terminal 1 (A1 o T1) y el nodo o
terminal 2 (A2 o T2). Una caracterstica muy especial de este dispositivo es que no
es una versin modificada de un diodo con sus capas NPNP, sino ms bien est
compuesto internamente por transistores, diodos Zener y resistencias internas, y
que adems vienen fabricados como circuitos integrados como lo muestra la figura
7.2 en su circuito equivalente.

Fig. 7.2 Circuito equivalente de un SBS


Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada; esta
terminal solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo y por tanto altera
sus caractersticas de voltaje-corriente (fig. 7.3). Si se comparara esta curva
caracterstica con la de un DIAC, se podra observar que son muy similares; sin
embargo, la curva del SBS tiene una regin de resistencia negativa ms
pronunciada, lo que significa que su cada de voltaje es mucho ms drstica
despus de llegar a su estado de conduccin. Usualmente, el voltaje de ruptura de

un SBS se encuentra entre los 7 y 9 voltios, cuyo voltaje es mucho menor que el
de un DIAC.

Fig. 7.3 Curva


voltaje-

caracterstica
corriente del SBS.

La compuerta de un SBS es usada para alterar el comportamiento mostrado en la


curva caracterstica Voltaje-Corriente; por ejemplo, si se desea tener ngulos de
disparo diferentes en los semiciclos positivos y negativos, se puede conectar un
diodo Zener entre la compuerta G y la terminal T1, con la finalidad de que el
voltaje de ruptura directo llegue hasta el valor de voltaje del diodo Zener, mientras
que el voltaje de ruptura inverso no se modifica. Con esto, se logra modificar el
voltaje de ruptura original a uno determinado por el "usuario" para una aplicacin
cualquiera, aunque no es comn tener diferentes ngulos de ruptura.

EXPLICAR LA OPERACIN DEL GTO Y DEL IGBT


El GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

Es un dispositivo con retencin, pero tambin es un dispositivo que se puede


apagar.

Como un SCR, un GTO se puede encender aplicando una seal positiva a la


compuerta. Empero, el GTO puede abrirse con una seal negativa de compuerta.
Un GTO es un dispositivo que no retiene, y se puede construir con
especificaciones de corriente y voltaje parecidas a las de un SCR. Un GTO se
enciende aplicando un pulso positivo corto y se apaga con un pulso negativo corto
a su compuerta.
Encendido: se requiere un pulso grande inicial de disparo, para activarlo. Los
valores mnimos y mximos de IGM se pueden deducir de las hojas de datos. La
duracin del pulso no debe de ser menor que la mitad del mnimo de tiempo que
aparezca en las hojas de datos.
Estado encendido: una vez activado el GTO, debe continuar la corriente en sentido
directo de la compuerta durante todo el periodo de conduccin, para asegurar que
el dispositivo permanezca en conduccin. La corriente de estado de encendido en
la compuerta debe ser como mnimo, el 1% del pulso de activacin, para asegurar
que la compuerta mantenga la retencin.
Apagado: el proceso de apagado implica la extraccin de la carga de la
compuerta, el periodo de avalancha en la compuerta y la disminucin de la
corriente andica. La cantidad de extraccin de carga es un parmetro del
dispositivo y su valor no afecta en forma importante por las condiciones del circuito

externo. La corriente pico inicial de apagado y el tiempo de apagado, dependen de


los componentes del circuito externo.
El GTO tiene una larga cola de corriente de apagado, al final del apagado y en el
siguiente encendido debe esperar hasta que se haya disipado la carga residual del
nodo, por el proceso de recombinacin.
El IGBT

Un IGBT solo se enciende aplicndole un voltaje de compuerta positivo, para que


los portadores n formen el canal, y se apaga eliminando el voltaje de compuerta,
para que el canal desaparezca. Requiere un circuito de control muy simple.
Tiene menores perdidas de conmutacin y de conduccin, y al mismo tiempo
comparte muchas propiedades adecuadas de los MOSFET de potencia, como la
facilidad de excitacin de compuerta, corriente pico, buenas caractersticas y
robustez.
Un IGBT es ms rpido que un BJT.
La velocidad de conmutacin de los IGBT es menor que las de MOSFET.

La especificacin de corriente puede llegar hasta los 1200 V y 400 A, y la


frecuencia de conmutacin puede ser hasta 20 KHz.
Los IGBT estn encontrando aplicaciones crecientes en potencias intermedias,
como por ejemplo propulsores de motores de cd y de ca, fuentes de corriente,
relevadores de estado slido y contactores.

REFERENCIAS
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http://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_potencia Electrnica
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http://www.ie.itcr.ac.cr/juanjimenez/cursos/Potencia/introduccion1.pdf
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de potencia: Tiristores, Profesor molina,
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/enica_pot.htm