UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRICA Y

ELECTRONICA

INFORME PREVIO N 1
AMPLIFICADOR MULTIETAPA

CURSO:

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS 2

DOCENTE:

NUEZ ZUIGA, TERESA ESTHER

ALUMNO:

BUENO QUISPE MARIA ESTHER

20082549F

MENACHO GARCIA FREDDY

20072523D

MUCHA AQUINO RONALD TOMAS

20074504G

SECCIN: N

GRUPO: 1

EE442-N

FECHA: 3- 09 - 2012

INFORME PREVIO EXPERIENCIA N1

AMPLIFICADOR MULTIETAPA
1.-Detallar las condiciones para los que un BJT y/o FET opera en baja frecuencia.
Conocidas las frecuencias de corte inferior ( ) y superior ( ) para una configuracin dada solo
hay que ajustar la frecuencia de la seal que se va a amplificar a un valor menor a la frecuencia ,
es decir el transistor opera en una zona donde se encuentre linealidad entre las caractersticas de
la seal de entrada y salida (Por lo general cuando la seal de entrada presenta una pequea
amplitud con baja frecuencia, comnmente menores a 25mV y valores contenidas en la banda de
audio-frecuencia, 100Hz-100kHz, respectivamente). Cuando el transistor se encuentra trabajando
en baja frecuencia se considerar el modelo de parmetros hbridos para su funcionamiento, pero
cuando trabaja en alta frecuencia hay que considerar un nuevo modelo en el que juegan un papel
importante las capacitancias parsitas del transistor. Es decir a estas frecuencias, entra en
consideracin las capacidades internas del dispositivo como la capacidad de la juntura BE y BC,
que con el efecto MILLER forman una dependencia con las altas frecuencias muy limitantes por los
efectos sobre sintonizacin de seales, que en esos casos son moduladas.

2.-Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, escriba la ecuacin

y considerando que los BJT son de silicio.
Se sabe que:

Dada la condicin que:

Luego:

De Q2 sabemos que:

, tal que

Derivando respecto a

En la malla que pasa por la base y el emisor de Q2 tenemos que:

Derivando respecto a

y despejando se tendr:

Donde S y S representan los factores de estabilidad de

respectivamente.

respecto a los parmetros

Finalmente, reemplazando (1) y (2) en (*) tendremos el ndice de variacin de

T:

con respecto a

3.- Fundamente las razones por los que se disea la ganancia y otros parmetros de un
amplificador independientemente de hfe , hie, etc. del BJT por ejemplo.
Uno de los objetivos en el diseo, es lograr la mxima estabilidad posible de un sistema o red.
Como en el siguiente experimento trabajaremos con BJT, la corriente que circula por el colector es
sensible a los siguientes parmetros:

: Se incrementa con el aumento de la temperatura

|VBE|: Disminuye cerca de 7.5 mV por cada incremento de la temperatura de un grado Celsius (C).
ICO(corriente de saturacin inversa): se duplica en su valor por cada incremento de 10C en la
temperatura.
Cualquiera de estos factores puede ocasionar que el punto de operacin se desve del punto de
operacin determinado. Haciendo as al sistema demasiado inestable e intil para utilizarlo, de
esta manera se busca la manera de disear el sistema independiente de cualquiera de estos
factores para que la ganancia no se vea afectada, o no vare llegue a ser muy inestable.
4.-Disee el circuito amplificador ARGOS1.CIR bajo las siguientes premisas
-Fuente de operacin DC 12V.
- Elementos activos 2N2222A o similares
- Seal de prueba 1Khz 10 mV con resistencia interna de 10K
- Corrientes ICQ mayor igual a 1 mA
- Frecuencia de Corte fi=100 Hz y fs= 5Khz
- Ganancia de frecuencias medias 350 (Aprox.)
Se laa ganancia total 896, nos excedemos del valor de 350 por que el valor de la fuente continua
es muy cercano al valor pico - pico de nuestra seal de salida, optamos por:
G12=32 y G34=28 (ganancias)
Adoptamos hfe=150 para todos los transistores dado que este es su valor sugerido por el manual
Adoptamos : SI = 11 y fa=0.8
Entonces: Rb/R5=10
Adems: Zin = Rb//(hie+R5 hfe) con un : fa = Zin/(Zin+Ri)
como Ri=10k y Rb >>40k pero como sabemos que Rb<Zin entonces sea Rb=39.5k para este
valor tendremos R5=3.6k .
asumimos: ICQ1=1.1mA
ademas V3=3.44 V , V2=4.085 , V5=2.8V
dado que :V2=4.085V y Rb=39.5
o R2>> 110k y R3>> 62K

asumimos Vce1=6.5V
y adems :V1=10V con R4=(V+ V1)/Icq1 >> 2k
como V5=2.8v adoptamos Icq2=1.11mA
y R7+R8=2.8/1.11=2.51k
dado que G1=fa=0.8 G2=G12/G1=32 /0.8=40
adems R5<<hfe2 R7 y R7>> 0.11k
dado que G2=32 =R6/R7
entonces R6>> 3.6k
adems R8=2.51-R7>> 2.4K

tenemos entonces el circuito equivalente para la primera etapa Vin'=400mV y Ri'=3.6k

nuevamente sabemos fa=0.8
fa = Zin/(Zin+Ri) y Zin>> 15.12k >> Rb
tomamos Icq3=1.4mA y V8=2.1 V
y R12>> 1.5kW
Como R12<<hfe2 R14 y R14>> 0.091k
V7=2.8 v y V10=1.47v en consecuencia al valor de V8=2.1v
dado que G3=0.8 G34/G3=G4=36=R13/R14
Como V7=2.8 v y Rb=15.12k y R9>> 62k y R10>> 20k
Sea Vceq3=4.3v
Y V6=6.4v , tambin R11=( V+V6)/Icq3>>3.9kW
Dado que V10=1.47V y (R14+R15)=V10/Icq4
asumimos Icq4=2mA
Tendremos entonces que R14+R15>> 0.735kW y R15=0.65k
Para que l ultimo transistor se mantenga operando elegimos Vce4=4V
Por tanto V9>> 5.47V y R13>>3.3k

5. Simular el circuito
V2
12 V

R2
100k
C1

0.22F
R1
10k

V1

R4
2.2k
C6
1.8nF

R9
68k

R6
3.3k

2N2222A
R5
3.9k

1.2nF

C3

Q1

C7

0.15F

Q2

R10
22k

2N2222A

R13
3.3k

Q3

2N2222A

R12
1.5k

R7
01k

10mVrms
1kHz
R3
0
68k

R11
3.9k

C4

Q4

0.22F

2N2222A
R14
0.1k

R8
2.2k

C2
47F
R15
0.68k

Diagrama de Ganancia

X--Trace
1::[V(16)]
10
15,8489319
25,1188643
39,8107171
63,0957344
79,4328235
100
125,892541
199,526231
316,227766
501,187234

Y--Trace
1::[V(16)]
1,46093281
4,38192252
10,8474658
21,2478131
32,8623248
37,8489657
41,8703722
44,8948327
48,5137182
50,0892143
50,6330094

1258,92541
1995,26231
3162,27766
5011,87234
7943,28235
10000
12589,2541
19952,6231
31622,7766
50118,7234
79432,8235
100000

49,8341009
47,8951328
43,6338121
35,8838119
25,3129748
19,9846262
15,2601737
8,49355374
4,95822399
3,36062037
2,68593923
2,51600999

C5
47F

R16
10k

X--Trace
1::[V(16)]
10
15,8489319
25,1188643
31,6227766
50,1187234
79,4328235
100
125,892541
199,526231
316,227766
501,187234
794,328235

Y--Trace
1::[V(16)]
-160,13832
175,860324
145,414652
128,888173
95,9386375
66,5899411
54,1844436
43,459785
26,6684675
14,6968958
5,64545379
-2,22897171

X--Trace
1::[V(16)]
1000
1258,92541
1995,26231
3162,27766
6309,57344
7943,28235
10000
12589,2541
19952,6231
31622,7766
50118,7234
79432,8235
100000

Y--Trace
1::[V(16)]
-6,22002635
-10,5000997
-20,6571121
-33,9117179
-58,9085527
-67,0552842
-73,9559662
-78,8741175
-80,7811039
-72,0287536
-57,0171803
-42,0948154
-36,049472

Repuesta del amplificador a la frecuencia de 1KHz

El voltaje de entrada es:
14.14mV
El voltaje de salida es:
540mV
Como la relacin entre el
Voltaje de Entrada y el
Voltaje de Salida no estn
desfasados entonces se
puede concluir que la
ganancia es mayor de cero.

6. Comprobar que las junturas Base-Emisor trabajan en el rgimen lineal y de mnima distorsin
armnica, basado en los diagramas de Bode del circuito:
Grafica de V(Q2N2222 ) Y Vi

Analizando con frecuencia variable

(diagrama de Bode)

Grafica de V(Q4)/ Vi

Magnitud

Fase

Se observa que la relacin entre V(Q4)/ Vi se va a mantener casi constante de 10Hz a 100kHz
-

Grafica de V(Q2)/ Vi

Magnitud

Fase

Se observa que la relacin entre V(Q2)/ Vi se va a mantener casi constante de 10Hz a 100kHz
7.-Presente los diagramas de Bode.
V13/V12

V3/V12

V14/V3

V4/V12

V16/V8

V16/V12

V8/V4

V9/V8

U7
-

U6
+
V

4.578

DC 10MOhm
V2
12 V

5.181

U5

+
V

3.629

DC 10MOhm
R2
100k

C1
0.22F
R1
10k

V1
10mVrms
1kHz
R3
0
68k

DC 10MOhm
R4
2.2k

C6
1.8nF

+
V

U2
R6
3.3k

R5
3.9k

5.800

DC 10MOhm
C3

Q1

2N2222A

R9
68k

Q2

C7
1.2nF

0.15F
R10
22k

R12
1.5k

R7
01k

5.683

R13
3.3k

DC 10MOhm

Q3

2N2222A

2N2222A

R8
2.2k

U3
R11
3.9k

C4

Q4

0.22F

R16
10k

2N2222A
R14
0.1k

C2
47F

2.294
-

U1
DC 10MOhm

R15
0.68k

C5
47F

1.309
-

U4
DC 10MOhm