Sie sind auf Seite 1von 11

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA


AV. TPAC AMARU 210 - RIMAC / LIMA 25 PER
1070

TELEFONO: 481 -

INFORME PREVIO DE LABORATORIO I

CURSO:

Laboratorio de Electrnica de Potencia

TEMA:

DISPARO DE UN TIRISTOR CON COMPONENTES


DISCRETOS

ESTUDIANTES:

Gomez Reyes Carlos


20122065D
Porta Bendezu Eder

20060200K

Romn Crdova Dennis


DOCENTE:
AREVALO-MACEDO-ROBINSON DOILING

20120022F

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica de Potencia

Lima, 24 DE AGOSTO del 2016

INDICE
Marco terico.............................................................................................................. 1
Simulacin.................................................................................................................. 5
Circuito 1 :................................................................................................................. 5
Circuito 2:.................................................................................................................. 9

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad de ingeniera mecnica
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica de Potencia

Marco terico
Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

Por puerta.
Por mdulo de tensin. (V)
Por gradiente de tensin (dV/dt)
Disparo por radiacin.
Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y
gradiente de tensin son modos no deseados, por lo que los evitaremos en la medida
de lo posible.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad de ingeniera mecnica
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
Facultad de ingeniera mecnica
de Electrnica
de Potencia
Laboratorio
Disparo por
puerta

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin


en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y
ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Una vez disparado el dispositivo, perdemos el control del mismo por puerta. En estas
condiciones, si queremos bloquearlo, debemos hacer que VAK < VH y que IA < IH

Disparo por mdulo de tensin

Este mtodo podemos desarrollarlo basndonos en la estructura de un transistor: si


aumentamos la tensin colector - emisor, alcanzamos un punto en el que la energa de
los portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos
portadores en la unin de colector, que hacen que se produzca el fenmeno de
avalancha. N

Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada;


sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobretensiones anormales en los
equipos electrnicos.

Disparo por gradiente de tensin

Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo con


tiempo de subida muy corto, los portadores sufren un desplazamiento para hacer frente
a la tensin exterior aplicada. La unin de control queda vaca de portadores
mayoritarios; aparece una diferencia de potencial elevada, que se opone a la tensin
exterior creando un campo elctrico que acelera fuertemente a los portadores
minoritarios produciendo una corriente de fugas.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad
de ingeniera
mecnica
Disparo
por
radiacin
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica de Potencia
La accin de la radiacin electromagntica de una determinada longitud de onda
provoca la elevacin de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor crtico,
obligando al disparo del elemento.

Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de pequea
potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada.

Disparo por temperatura

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco


generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a 1+a 2) tiende rpidamente
a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante
hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.
Condiciones necesarias para el control de un SCR

Disparo

Polarizacin positiva nodo - ctodo.


La puerta debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese
momento tengamos en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que IA sea
mayor que la intensidad de enganche.

Corte

Anular la tensin que tenemos aplicada entre nodo y ctodo.


Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de nodo sea inferior a la
corriente de mantenimiento (IH), o forzar a que IA < IH.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad de ingeniera mecnica
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica de Potencia

Simulacin

Circuito 1 :

Rp valor de 50k y el interruptor SW1 cerrado LA LAMPARA NO ENCIENDE

Como podemos observar el voltaje nodo -ctodo es igual que el voltaje de


entrada por ende la corriente es casi cero por el foco y no se prende

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad de ingeniera mecnica
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica de Potencia
Cerramos el SW2

Rp = 70k (SW1 CERRADO , SW2 ABIERTO)

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad de ingeniera mecnica
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica de Potencia

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad
de ingeniera
mecnica
Podemos
Observar
que
ponemos en nuestro simulador el valor de
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE cuando
INGENIERA
Laboratorio
de
Electrnica
de
Potencia
30 k elmecnica
foco enciende
FacultadRp
de =ingeniera
Laboratorio de Electrnica de Potencia

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad de ingeniera mecnica
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica de Potencia

Circuito 2:

Rp = 50 k , SW1 CERRADO , SW2 CERRADO

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA


Facultad de ingeniera mecnica
UNIVERSIDAD
NACIONAL
DE INGENIERA
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
Facultad de ingeniera mecnica
Laboratorio de Electrnica de Potencia

Rp = 70 k , SW1 CERRADO , SW2 CERRADO

Das könnte Ihnen auch gefallen