Fet

Field effect transistor

Transstor de efeito de campo

INTRODUO
Os transstores bipolares e os transstores de
efeito de campo (Fet) distinguem-se pela sua
estrutura e teoria de funcionamento; h no
entanto uma diferena que determina a sua
utilizao:
O transstor bipolar comandado por corrente,
enquanto o Fet comandado por tenso.

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIPOS DE FET
J-Fet
(Junction Field Effect
Transistor)

MOS-Fet
(Metal Oxide
Semiconductor - Field
Effect Transistor
)

FORMADOR: FERNANDO SIMES

J-Fet
Zona de depleco

VGS

VDS

NOTA: Para o J-Fet canal P devemos inverter a

polaridade das tenses aplicadas aos terminais.

FORMADOR: FERNANDO SIMES

J-FET
O J-Fet canal N constitudo basicamente por uma juno
PN, sendo ambos os extremos da regio N dotada de
terminais (Dreno e Fonte), formando a regio P (Gate ou
porta) um anel em volta da regio N.
Se ligarmos uma bateria entre os terminais da regio N
circular uma corrente limitada apenas pela resistncia do
material
semicondutor.
Porm,
se
polarizarmos
inversamente a juno PN (Gate negativa em relao
Fonte), formar-se- uma zona de depleco em volta da
juno PN. Devido a esse facto, ficar mais estreito o canal
o que equivale a um aumento da resistncia interna da
regio N.
Atravs da Gate podemos determinar o maior ou menor
fluxo de corrente entre os terminais Fonte e Dreno. Fixando
o valor da tenso dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno (ID)
ser funo da polarizao inversa da Gate que variar a
espessura do canal por variao da zona de depleco.
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SIMBOLOGIA

D Drain (Dreno)
S Source (Fonte)
G Gate (Porta)
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MODO DE FUNCIONAMENTO

RD

VDS

IDS
RG

RS

J-Fet canal N

Para o Fet funcionar a Gate deve ser inversamente

polarizada (no J-Fet canal N: Gate negativa em
relao Fonte, no J-Fet canal P: gate positiva em
relao Fonte).
O Dreno (D) positivo em relao Fonte (S). A
corrente dreno-fonte (IDS) ou simplesmente
corrente de dreno (ID) inversamente proporcional
tenso gate-fonte (VGS), conhecida por tenso de
gate (VG). Assim se: VG ID (isto porque a zona
de depleco vai aumentar e o canal vai estreitar o
que provoca um aumento de resistncia e
consequentemente uma diminuio da corrente)
Mantendo-se constante VDS e fazendo variar VG, ID
sofrer uma certa variao e a relao ID/VG dnos a transcondutncia em Siemens do Fet,
representada por gm.
Considerando ID como sada e VGS como entrada, o
J-Fet surge como uma fonte de corrente
controlada por tenso.

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CURVAS CARACTERISTCAS

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ATENO
Evitar tocar com as mos nos terminais dos
Fet j que todos eles, mas especialmente os
de tecnologia MOS, so sensveis a cargas
elctricas estticas que podem danificar
permanentemente a sua estrutura interna.
A sua resistncia de entrada muito elevada
(da ordem dos 1015 ).

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MOS-FET
Os transstores de gate
isolada (Mos-Fet ou IgFet) recebem esse
nome em virtude da
gate ser uma pelcula
metlica (de alumnio)
isolada electricamente
do canal (semicondutor)
atravs
de
uma
finssima camada de
xido de silcio.
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Tipos de Mos-Fet
Mos-Fet de
empobrecimento ou NMOS (canal tipo N)
depleco PMOS (canal tipo P)
CMOS (transstor NMOS e PMOS
Mos-Fet de no mesmo chip)

enriquecimento

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Mos-Fet de empobrecimento
Substrato

Al

SiO2
Figura:
NMOS de
empobrecimento
Canal N Substrato P

Tal como no J-Fet um dos

extremos do canal a
Fonte, e o outro o Dreno;
e sobre o canal existe
uma delicada capa de
xido de silcio (SiO2)
sobre a qual aplicada
uma camada de alumnio
(Al) para formar a Porta
ou Gate.
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Mos-Fet de empobrecimento
O Dreno ligado ao plo positivo da
bateria e a Fonte ao negativo.
Se a tenso na Gate ou Porta for
zero (VG= 0 Volt) a corrente de dreno
(ID) ser limitada apenas pela
resistividade do canal n (que no
elevada).
Porm, se aplicarmos uma tenso
inversa entre a gate e a fonte (Gate
negativa em relao Fonte) formase um campo electrosttico que
repelir os electres livres que no
material N, so os portadores de
corrente, formando-se, desta forma,
uma zona de depleco, cuja
profundidade depender da tenso
aplicada.
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Mos-Fet de empobrecimento
Quando a tenso de porta se
torna negativa o campo elctrico
produzido pelo condensador
(formado pela Porta SiO2
canal N) vai atrair cargas positivas
para o canal.
A presena das cargas positivas
destri as negativas e isso produz
um estreitamento do canal.
Desta forma, tal como sucede
nos J-Fet, a intensidade da
corrente entre Fonte e Dreno (ID)
ser inversamente proporcional
tenso entre Gate e Fonte (VG) VG
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ID

Mos-Fet de empobrecimento
H um valor da tenso de Gate, chamada
tenso de corte, no qual o canal ficar
totalmente fechado e a corrente de dreno ser
igual a zero.
O menor valor negativo da tenso de Gate que
elimina o canal designa-se por tenso limiar
ou tenso de threshold (VT) ou VGS off.

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SIMBOLOGIA
NMOS
de
empobrecimento

PMOS
de empobrecimento

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Mos-Fet de enriquecimento

Figura:
NMOS de enriquecimento
Canal N Substrato P

A zona P mais larga, sendo o canal restrito a

pequenas pores de material N junto fonte e
ao dreno.
Tal como no Fet de empobrecimento, a gate ou
porta isolada do canal por uma camada de
xido de silcio.
Neste transstor, no entanto, a porta ou gate
recebe uma tenso positiva em relao fonte,
de modo que o campo electrosttico assim
formado, em vez de repelir os electres, os
atrai, formando um canal N entre a fonte e o
dreno (a tracejado na figura).
A formao deste canal permite, ento, a
circulao da corrente de dreno (ID) cuja
intensidade, ir depender da tenso de gate
(VG), j que a profundidade do canal entre a
Fonte e o Dreno ser determinada pelo campo
electrosttico.
Se a tenso gate fonte (VGS) for nula no se
formar o canal induzido logo no haver
corrente de dreno (ID).
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Mos-Fet de enriquecimento
No caso do Mos-Fet de canal N o
dreno deve ser ligado ao positivo
da bateria, e a Fonte ao negativo,
sendo a gate ou porta ligada ao
positivo atravs de um divisor de
tenso destinado a fornecer a
exacta tenso da gate.
importante recordar que, como
a resistncia de entrada infinita
(j que a gate electricamente
isolada do canal) a gate de um
Mos-Fet no consome qualquer
corrente, da a necessidade do
divisor.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

SIMBOLOGIA
NMOS
de enriquecimento

PMOS
de enriquecimento

FORMADOR: FERNANDO SIMES

CURVAS CARACTERISTCAS

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Caractersticas dos Fet

IDmx Mxima corrente de dreno.

IGmx Mxima corrente de gate.
VGSmx
Mxima tenso permitida entre dreno e fonte .
VGSOmx
Mxima tenso permitida entre gate e fonte com o dreno aberto.
VDGOmx
Mxima tenso permitida entre dreno e gate com a fonte aberta.
IDSS Corrente de dreno com a gate em curto-circuito com a fonte (VGS= 0).
Especifica-se para uma determinada tenso VDS.

V(P)GS

Tenso de estrangulamento (pinch-off) entre a gate e a fonte.

Especifica-se para determinada tenso VDS e corrente ID, para as quais se considera
o canal cortado.

PD

Potncia total mxima dissipvel para uma determinada temperatura em

condies normais de funcionamento (PD= VDS x ID)

gm

Transcondutncia (expressa a relao entre o aumento da corrente de dreno

e a tenso gate-fonte , mantendo-se constante VDS). A unidade o Siemens.
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Aplicaes dos Fet

Os Mos-Fet tipo depleco so semelhantes
aos J-Fet, pelo que tm aplicaes
semelhantes,
nomeadamente
como
amplificadores de sinais.
Os Mos-Fet tipo enriquecimento tm a sua
maior aplicao nos circuitos digitais por
razes ligadas ao baixo consumo e ao reduzido
espao que ocupam.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES
Os

tiristores so uma famlia de dispositivos semicondutores de

potncia com 4 camadas (PNPN).

A principal vantagem a capacidade de converter e controlar grandes

quantidades de potncia, em sistemas DC ou AC, utilizando uma pequena
potncia para controle.

So exemplos de tiristores:
SCR
TRIAC

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
O retificador controlado de silcio (silicon controlled rectifier SCR) o
controlador eltrico de potncia com uso mais difundido, sendo
amplamente utilizado em aplicaes como:

fontes de alimentao reguladas de potncia;

choppers (conversores DC-DC);
inversores (conversores DC-AC);
controle de aquecedores, iluminao (dimmers) e motores.

Essa ampla utilizao deve-se a sua ao de chaveamento rpido,

dimenses reduzidas e altos valores nominais de corrente e tenso.
O SCR possui 3 terminais: anodo (+), catodo (-) e gatilho. Na verdade o
SCR pode ser entendido como um diodo com terminal de controle.

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
FUNCIONAMENTO DO SCR
Pode-se explicar o funcionamento do SCR utilizando um modelo
equivalente com transistores:

Quando o modelo
transistores conduz.

est

reversamente

polarizado

(VA<VC),

nenhum

dos

Quando o modelo est diretamente polarizado (VA>VC) e IB=0, a corrente que flui
pelos transistores apenas uma corrente de fuga, insuficiente para coloc-los em
conduo.
Quando o modelo est diretamente polarizado e fornecido um pulso de tenso
no gatilho com corrente suficiente para acionar a base de Q2, este entra em
conduo e puxa corrente da base de Q1, fazendo com que este tambm entre em
estado de conduo. Ao cessar o pulso, os transistores continuam no estado de
conduo, pois so complementares e um aciona a base do outro. Este processo
s termina se a corrente de base de Q2 cair abaixo da corrente mnima para
manuteno da conduo ou ocorrer
uma
polarizao
FORMADOR:
FERNANDO
SIMES reversa do modelo.

TIRISTORES - SCR
CURVA CARACTERSTICA DO SCR

VBR: tenso reversa de ruptura

IR: corrente reversa
IGK: corrente no gatilho
IL: corrente de reteno (corrente de disparo com tenso mnima de gatilho)
IH: corrente de manuteno
VBO: tenso direta de disparo quando IGK=0
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
TESTE DO SCR

Com polarizao direta o gatilho acionado e observa-se se, aps a

remoo do pulso no gatilho, o SCR continua conduzindo. Para testar
SCRs com pequena corrente de sustentao, pode-se utilizar um
multmetro digital.
Utilizando o ohmmetro ligue a ponteira positiva no anodo e a
negativa no catodo, polarizando o SCR diretamente. A leitura deve
ser bastante alta pois no deve haver conduo. Em seguida,
provoque um curto entre o anodo e o gatilho para acionar o SCR. A
resistncia deve diminuir e se manter baixa aps a remoo do
curto.
Se ocorrer a conduo antes do acionamento da porta, anodo e catodo
esto em curto.
Se no ocorrer a conduo aps o acionamento do gatilho, o diodo
estar em aberto.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
COMUTAO DE UM SCR

Comutar um SCR significa bloque-lo , ou seja, cortar sua corrente e

impedir que ele retorne conduo. Os processos bsicos para bloqueio
so a comutao natural e a comutao forada.

A comutao pode ser de dois tipos:

Natural: quando a corrente do anodo reduzida a um valor abaixo
de por ao do sistema onde se encontra o SCR.

Forada:

obtida quando usamos de um circuito auxiliar para

bloquear o SCR.

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
COMUTAO NATURAL (OU DE LINHA AC)

Se

a chave est fechada, no semi-ciclo

positivo o SCR acionado quando VGK
atingir o valor mnimo para disparo. Na
passagem por zero, para o semi-ciclo
negativo, o SCR bloqueado.

Quando

a chave for aberta, o SCR ser

desligado na primeira passagem por zero
para o semi-ciclo negativo, desde que
permanea reversamente polarizado pelo
tempo mnimo necessrio para bloqueio.

O tempo mnimo para bloqueio determina

a freqncia mxima de operao do SCR.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
COMUTAO FORADA

Algumas possibilidades para forar o desligamento do SCR so:

Desviar a tenso de anodo por um caminho alternativo;

Realizar um curto-circuito entre anodo e catodo do SCR;
Aplicar uma tenso inversa sobre o SCR;
Reduzir a zero, por um instante, a tenso de anodo (abrindo o
circuito antes do catodo, por exemplo).

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
COMUTAO FORADA BLOQUEIO POR CHAVE

Quando SW2 acionada, a corrente entre anodo e catodo cai a zero e o

SCR bloqueado. Em seguida a chave aberta e a carga desligada.

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
COMUTAO FORADA BLOQUEIO POR CAPACITOR
Quando SW2 est desligada, o capacitor se
carrega.

Ao acionarmos a chave SW2, o capacitor

carregado polariza inversamente o SCR, j que
conectado ao terra da fonte.
O SCR bloqueado e o capacitor se
descarrega no circuito fonte-carga.
A chave SW2 pode ser um SCR auxiliar.
Para assegurar a comutao, deve-se utilizar a capacitncia conforme a equao:

tOFF
0,6963 RL

onde C o capacitor de comutao (em F), RL a resistncia da carga (em ) e

tOFF o tempo de desligamento
do SCR
(em s).
FORMADOR:
FERNANDO
SIMES

TIRISTORES - SCR
CIRCUITOS DE ACIONAMENTO DO GATILHO
Para a operao adequada do SCR, o circuito de acionamento deve

fornecer um sinal de disparo no tempo correto, de modo que assegure a

passagem para o estado ligado.
Em geral, o circuito de disparo deve atender, basicamente, os
seguintes critrios:
Produzir um sinal de gatilho com amplitude e tempo de durao
adequados e tempo de subida suficientemente curto;
Assegurar que no ocorram disparos acidentais por falsos sinais
ou rudos;
Em circuitos AC, aplicar o sinal de gatilho somente quando o SCR
estiver diretamente polarizado

Usualmente, so adotados 3 tipos de sinais de disparo: sinais DC,

sinais AC e sinais pulsados.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
CIRCUITOS DE ACIONAMENTO DO GATILHO SINAL DC

Ao fechar a chave, uma corrente aplicada no gatilho do dispositivo que est

diretamente polarizado. Isso faz com que o SCR passe para o estado ligado. O
resistor RG limita a corrente no gatilho e o diodo D limita a amplitude do sinal
negativo no gatilho.

A aplicao de um sinal DC constante no gatilho no recomendada pois gera

dissipao de potncia.

No

se deve utilizar acionamento DC em circuitos AC pois pode ocasionar

aumento demasiado de corrente inversa no SCR durante o semi-ciclo negativo,
danificando o componente.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
CIRCUITOS DE ACIONAMENTO DO GATILHO SINAL PULSADO

Para

reduzir a dissipao de potncia no gatilho, os circuitos de disparo do

SCR geram um nico pulso, ou um trem de pulsos, substituindo o sinal DC
contnuo.

Alm disso, fcil obter isolamento entre o circuito de controle e o SCR usando
um transformador de pulso ou um acoplador ptico.

circuito ao lado apresenta o controle de um

SCR usando um transistor de unijuno UJT e
acoplamento por transformador de pulso. Quando o
capacitor estiver carregado ao nvel da tenso de
pico do UJT, este passa ao estado ligado por um
breve intervalo de tempo, gerando um pulso no
transformador.

A largura do pulso de sada pode ser aumentada

com o acrscimo do valor de C, no entanto existem
limitaes. Em alguns casos pode no haver tempo
de pulso suficiente para acionarFORMADOR:
o SCR. FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
CIRCUITOS DE ACIONAMENTO DO GATILHO SINAL AC

mtodo mais comum para controlar SCRs em aplicaes AC

derivar o sinal de disparo da prpria fonte AC, sendo utilizado um
controle do ponto de disparo.

No

circuito abaixo temos o controle de fase resistivo. No semiciclo

positivo, o SCR est em estado de bloqueio direto at que a corrente no
gatilho seja suficientemente alta para levar o tiristor a conduo. O
controle do ponto de disparo se d pela tenso da rede e pelo ajuste do
reostato R2.

REOSTATOS:

so dispositivos que podem

variar sua forma ou suas dimenses a fim de se
obter uma resistncia varivel. A variao pode
ser contnua ou discreta, dependendo da
construo.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
CIRCUITOS DE ACIONAMENTO DO GATILHO SINAL AC

No circuito a seguir temos o controle de fase realizado por um circuito

RC, que provoca um atraso da fase no gatilho.

O ngulo de fase do atraso no gatilho depende dos valores de R1+R2 e

de C. Um aumento em R2 faz com que o atraso aumente.

No

semiciclo negativo o SCR bloqueado na passagem por zero

devido polarizao reversa.

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCR
CIRCUITOS DE ACIONAMENTO DO GATILHO SINAL AC

Em ambos os circuitos vistos, o diodo D impede que se tenha uma

corrente negativa no gatilho.
No controle resistivo, o disparo pode ser ajustado para um ponto entre 0
e 90 do semiciclo positivo, pois depois de 90 a tenso comea a diminuir.
No controle por circuito RC, o disparo pode ser ajustado para qualquer
ponto entre 0 e 180, j que podemos atrasar o sinal de controle em at 90.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - SCS

A chave controlada de silcio (SCS) um dispositivo com 4 camadas

(PNPN) com 4 terminais.
Possui menor capacidade de controle de potncia que o SCR, sendo
utilizado, normalmente, para acionamento.
O SCS passa para o estado ligado em um pulso positivo em KG ou
negativo em AG. Se o SCS estiver ligado, passar para desligado com um
pulso positivo em AG ou negativo em KG.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - GTO

O tiristor de desligamento por porta (Gate turn-off tyristor GTO) uma

chave semicondutora de potncia que passa para o estado ligado como um
SCR normal, isto , com um sinal positivo no terminal porta.
Alm disso, pode passar para o estado desligado por meio de uma
corrente de porta negativa. Portanto, tanto a operao no estado ligado
quanto desligado so controladas pela corrente de porta.
Outra boa caracterstica a velocidade de chaveamento. No disparo
igual a de um SCR. No desligamento, o tempo gasto menor.
Contudo, valores nominais de tenso e corrente so inferiores aos do
SCR e a perda de potncia maior devido necessidade de corrente para
o desligamento.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - DIAC
O diodo AC (DIAC) uma chave semicondutora de 3 camadas e 2
terminais. Opera como dois diodos em contraposio srie.
A nica maneira de disparar o DIAC excedendo a tenso de disparo,
podendo ser chaveado para qualquer polaridade de tenso.

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - TRIAC
um DIAC com terminal de gatilho. capaz de conduzir corrente em
ambas as direes e pode ser controlado por um sinal de porta positivo ou
negativo. Isto o torna til para o controle de potncia AC.

O TRIAC pode ser entendido como a unio de e SCRs em antiparalelo.

Dessa forma, pode ser acionado nos dois semiciclo da rede AC, sendo
desligado na passagem por zero.
FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - TRIAC
IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DOS TIRISTORES

FORMADOR: FERNANDO SIMES

TIRISTORES - TRIAC

FORMADOR: FERNANDO SIMES

 FIM

FORMADOR: FERNANDO SIMES