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PRIMITIVAS DE SPICE
SINTAXIS DE SPICE
TIPOS DE ANLISIS:
Anlisis en DC
Anlisis en AC
Anlisis transitorio
Anlisis a distintas temperaturas
ELEMENTOS:
Resistencias
Condensadores
Bobinas
Bobinas acopladas
Fuentes independientes
Fuentes variables con el tiempo:
Pulso
Sinusoidal
Exponencial
Lineal a tramos
Modulada en frecuencia
Fuentes dependientes
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES:
Diodo de unin p-n
Transistor BJT
Transistor JFET
Transistor MOSFET
SUBCIRCUITOS
LNEAS DE CONTROL:
Anlisis en DC:
.OP .DC .TF .SENS
Anlisis en AC:
.AC .NOISE .DISTO
Anlisis transitorio:
.IC .TRAN .FOUR
Control de Salida
PROBLEMAS EN LA SIMULACIN
ANEXO
Pgina 1 de 59
SPICE: Primitivas
PRIMITIVAS DE SPICE
SPICE es un simulador elctrico que reproduce el comportamiento (I, V)
de circuitos formados por los siguientes elementos o primitivas:
1. Resistencias
2. Condensadores (lineales o no (polinmicos))
3. Inductores (lineales o no)
4. Fuentes independientes de tensin e intensidad
5. Cuatro tipos de fuentes dependientes (lineales o no)
o
o
o
o
6. Dispositivos semiconductores
o
o
o
o
o
o
o
Diodos
BJT NPN
BJT PNP
JFET canal P
JFET canal N
MOSFET canal P
MOSFET canal N
7. Lneas de transmisin
SPICE: Primitivas
EJEMPLO:
R1
10k
V1 = 5V
+
10k
R2
SPICE: Primitivas
FICHERO DE SALIDA DE SPICE
CIRCUIT DESCRIPTION
****************************************************************
*
* Esta linea es un COMENTARIO.
*
V1 1 0 5V
R1 1 2 10K
R2 2 0 10k
*
*
.OP
.END
** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE =27.000 DEG C
****************************************************************
NODE VOLTAGE
1)
5.0000
NODE VOLTAGE
2)
NODE VOLTAGE
NODE VOLTAGE
2.5000
-2.500E-04
1.59
SPICE: Sintaxis
SPICE: Sintaxis
G = 1E9
MEG = 1E6
M = 1E-3
U = 1E-6
N = 1E-9
K = 1E3
P = 1E-12
F = 1E-15
Se ignoran:
1) Las letras que haya detrs de un nmero y no sean factores de escala.
2) Las letras que sigan a un factor de escala.
Ejemplo: 1000V = 1E3 = 1KV = 1000.0 VOLT
SPICE: Sintaxis
SPICE: Anlisis
TIPOS DE ANLISIS
ANLISIS EN DC
n Cculo del punto de trabajo o punto de operacin: Considera Ls nulas
(cortos), Cs nulas (abiertos) y excitaciones estticas. (por defecto)
n Evaluacin de caractersticas estticas: Clculo del punto de trabajo
para un rango de valores de la excitacin (.DC)
n Informacin de los modelos en pequea seal de los dispositivos en
el punto de trabajo (.OP)
n Anlisis de sensibilidad en pequea seal (.SENS)
n Caracterstica de transferencia, resistencia de salida y resistencia de
entrada en pequea seal (.TF)
ANLISIS EN AC
n Respuesta frecuencial en pequea seal: Circuito linealizado alrededor del punto de trabajo y considerando entrada sinusoidal (.AC)
n Anlisis de ruido: Las fuentes de ruido se calculan automticamente
(.NOISE)
n Anlisis de distorsin: Se superponen en la entrada una o varias
seales de distintas frecuencias (.DISTO)
SPICE: Anlisis
ANLISIS EN TRANSITORIO
n Anlisis temporal de variables de salida: Se pueden especificar distintas excitaciones: pulsos, exponenciales, sinusoidales, etc. (.TRAN)
n Anlisis de Fourier: Distintas componentes de Fourier de la salida
para una entrada sinusoidal (.FOUR)
SPICE: Elementos
ELEMENTOS PASIVOS
RESISTORES:
Rxxxxxxx N1
N2
VALOR
N1
+
Rxxxxxxx=VALOR ()
N2
TC1 y TC2 son coeficientes opcionales de temperatura (nulos por
defecto)
CONDENSADORES Y BOBINAS:
Cxxxxxxx N+
N-
VALOR
<IC=val>
Lxxxxxxx N+
N-
VALOR
<IC=val>
N+
N+
+
+
Cxxxxxxx=VALOR (F)
Lxxxxxxx=VALOR (H)
N-
SPICE: Elementos
N+
N-
POLY C0 ... CM
<IC=val>
Lxxxxxxx N+
N-
POLY L0 ... LM
<IC=val>
N+
N+
+
q = f( v ) =
-
i=0
c ivi
= f( I) =
N-
Li I i
i=0
N-
BOBINAS ACOPLADAS:
Kxxxxxxx
Lyyyyyyy
Lzzzzzzz
VALOR
N+
Lyyyyyyy
N+
Lzzzzzzz
N-
N-
SPICE: Elementos
FUENTES INDEPENDIENTES
Se pueden dar dos situaciones bsicas de especificaciones:
n Caso A:
N+
+
+
-
N+
valor
AC
valor
DC/TRAN
cte.
N-
valor
AC
valor
DC/TRAN
cte.
N-
n Caso B:
N+
+
-
valor
AC
+ DC/TRAN
f(t)
N+
valor
AC
DC/TRAN
f(t)
N-
SPICE: Elementos
Tanto en el caso A como en el B el formato es el mismo:
Vxxxxxxx N+ N- <<DC> Valor DC/TRAN> <AC <ACMAG <ACPH>>>
Ixxxxxxx N+ N- <<DC> Valor DC/TRAN> <AC <ACMAG <ACPH>>>
DC y AC delimitan qu parte de la informacin corresponde a la
fuente DC/TRAN y cul a la fuente de AC.
DC es opcional, normalmente slo se usa cuando se va a hacer
un barrido del valor de la fuente (.DC).
n VALORES POR DEFECTO :
Valor DC/TRAN
AC
=
=
0
no hay fuente de AC
ACMAG
ACPHASE
0o
SPICE: Elementos
V2
TD
TR
TF
PW
PERIODO)
V2
V1
0
TD
TD+TR+PW
TD+TR
TD+TR+PW+TF
VALOR DEF.
UNIDAD
V1 (valor inicial)
obligatorio
VoA
V2 (valor final)
obligatorio
VoA
TD (tiempo de retraso)
0.0
TR (tiempo de subida)
TSTEP
TF (tiempo de bajada)
TSTEP
PW (tiempo a V2)
TSTOP
PERIODO
TSTOP
SPICE: Elementos
10NS
5NS
5NS
20NS
50NS)
5V
0V
10 15
35 40 50 60 65
85 90 100 110115
t (ns)
135 140
o bien:
PULSE (0V
5V
10N
5N
5N
20N
50N)
PULSE (0V
5V
10NS
5NS
5NS
20NS
50NS)
pulse
10n
(0
5n
5n
20n
50n)
SPICE: Elementos
VA
V0
t
0
TD
Se describe por:
V0
si 0 < t < TD
V0 + VAe-(t-TD)THETA sen[2FREQ(t-TD)]
si
t TD
VALOR DEF.
UNIDAD
V0 (offset)
obligatorio
VoA
VA (amplitud)
obligatorio
VoA
FREQ (frecuencia)
1/TSTOP
Hz
TD (retraso)
0.0
0.0
1/s
SPICE: Elementos
V2
TD1
TAU1
TD2
TAU2)
V2
cte. de tiempo
TAU1
cte. de tiempo
TAU2
V1
t
0
TD1
TD2
Se describe por:
V1
si 0 < t < TD1
V1 + (V2-V1)(1 - e-(t-TD1)/TAU1)
V1 + (V2-V1)(1 TD2
si
si
VALOR DEF.
UNIDAD
V1 (valor inicial)
obligatorio
VoA
obligatorio
VoA
0.0
TSTEP
TD1+TSTEP
TSTEP
SPICE: Elementos
V0
<T1
V1
<T2
V2
<T3
V3 ...>)
V3
V2
V1
V0
0
T1
T3
T2
VALOR DEF.
UNIDAD
0.0
VoA
TSTEP
V (valor)
TD1 (retraso del valor V)
EJEMPLO
1
2
5V
0V
10 15
5V
35 40
0V
t (ns)
0)
10 15
35 40
t (ns)
SPICE: Elementos
VA
FC
MDI
FS)
VA
V0
Se describe por:
V = V0 + VAsen[2FCt + MDIsen(2FSt)]
VALOR DEF.
UNIDAD
V0 (offset)
obligatorio
VoA
VA (amplitud)
obligatorio
VoA
FC (frecuencia de portadora)
1/TSTOP
Hz
1/TSTOP
Hz
SPICE: Elementos
N+
N-
NC+
NC+
+
+
V1
-
+
-
NC-
VALOR
N+
V
V2
-
NC-
VALOR
= ----V
N-
N+
N-
NC+
NC+
NC-
VALOR
N+
I
I2
VALOR
= ----V
NC-
+
V1
-
N-
N+
N-
NC+
VNAM
+
I1
+ VNAM
-
+
-
VALOR
N+
V
V2
-
NC-
VALOR
= ----I
1
N-
N+
N-
VNAM
NC+
VALOR
N+
I1
+ VNAM
-
I2
VALOR
I2
= --I
NC-
N-
SPICE: Elementos
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
n Su descripcin requiere dos lneas:
Una lnea de elemento donde se especifica la topologa y
algunos parmetros.
Una lnea de control donde se especifica el modelo. Varios dispositivos semiconductores pueden compartir el mismo modelo.
LNEA DE ELEMENTO
DIODO DE UNIN:
Dxxxxxxx N+ N- MNAME <AREA> <OFF> <IC=V(0)> <M=val>
I
N+
N+ V -
NPN
NB
+
NS VCE
+
VBE -
NC
PNP
NB
+
NS VCE
+
VBE -
NE
NE
TRANSISTOR JFET:
Jxxxxxxx ND NG NS MNAME
+ <IC=VDS,VGS> <M=val>
CANAL N
NG
ND
CANAL P
NG
VDS
+
VGS -
<AREA>
<OFF>
ND
+
VDS
+
VGS -
NS
NS
NMOS
NG
ND
+
+
+
VGS
NS
NB
VBS
VDS
ND
PMOS
NG
+
+
+
VGS
NS
NB VDS
VBS
AD, AS
PD, PS
= 1
LNEA DE MODELO
Se usa para especificar los modelos de los dispositivos semiconductores
.MODEL
MNAME
TIPO
MNAME:
TIPO:
DIODO
BJT
BJT
JFET
JFET
MOSFET
MOSFET
PARMETRO
UNID .
IS
Saturation current
1.0E -14
1.0E-14
RS
Parasitic resistance
0.0
10
Emission coefficient
TT
Transit time
0.0
0.1ns
CJ0
0.0
2pF
VJ
Junction potential
1.0
0.6
0.5
0.5
EG
Activation energy
1.11
11.1
XTI
IS temperature exponent
10 KF
11 AF
12 FC
0.5
13 BV
14 IBV
1E-10
1.0
eV
50
PARMETRO
LEVEL
Model type
VTO
0.0
1.0
KP
Transconductance parameter
A/V2
2.0E -5
3.1E-5
GAMMA
V0.5
0.0
0.37
PHI
Surface potential
0.6
0.65
LAMBDA
Channel-length modulation
(LEVEL=1 and 2 only)
V-1
0.0
0.02
RD
0.0
1.0
RS
0.0
1.0
CBD
0.0
20fF
10 CBS
0.0
20fF
11 IS
1.0E -14
1.0E-15
12 PB
0.8
0.87
13 CGSO
F/m
0.0
4.0E-11
14 CGDO
F/m
0.0
4.0E-11
15 CGBO
F/m
0.0
2.0E-10
16 RSH
/o
0.0
10.0
17
F/m2
0.0
2.0E-4
0.5
0.5
0.0
1.0E-9
CJ
UNID.
18 MJ
19 CJSW
20 MJSW
F/m
0.50 (level1)
0.33 (level2,3)
PARMETRO
UNID.
21 JS
A/m2
1.0E-8
22 TOX
Oxide thickness
1.0E -7
1.0E-7
23 NSUB
Substrate doping
cm-3
0.0
4.0E15
24 NSS
cm-2
0.0
1.0E10
25 NFS
cm-2
0.0
1.0E10
26 TPG
27 XJ
0.0
1U
28 LD
Lateral diffusion
0.0
0.8U
29 UO
Surface mobility
cm2/(Vs)
600
700
30 UCRIT
V/cm
1.0E 4
1.0E4
31 UEXP
0.0
0.1
32 UTRA
0.0
0.3
33 VMAX
0.0
5.0E4
34 NEFF
1.0
5.0
35 KF
0.0
1.0E-26
36 AF
1.0
1.2
37 FC
0.5
38 DELTA
0.0
1.0
39 THETA
Mobility modulation
(LEVEL= 3 only)
0.0
0.1
40 ETA
0.0
1.0
41 KAPPA
0.2
0.5
m/s
V-1
SPICE: Subcircuitos
SUBCIRCUITOS
Son circuitos definidos como un conjunto de elementos en el fichero de
entrada y que pueden ser llamados y colocados como un dispositivo ms
dentro de un circuito ms complejo.
n FORMA DE DEFINIRLOS:
.SUBCKT
NOMBRE
N1
N2
...
<NOMBRE>
n FORMA DE INVOCARLOS:
Xzzzzzzz
N1
N2
...
NOMBRE
Dentro de la definicin del subcircuito pueden existir otros subcircuitos y estos a su vez pueden contener otros.
SPICE: Subcircuitos
EJEMPLO
VA
VB
X1
X3
X2
VC
VD
Vcc=5V Vcc=5V
V1
V2
R1
5k
Vo
V1
V2
D1
Ro
5k
D2
Vo
G1(V3)=1+V3+V32+V33
+
V3
-
R2
5k
CIRCUITO COMBINACIONAL
*
* Descripcin del circuito
*
X1 1 2 4 NAND
X2 2 3 5 NAND
X3 4 5 7 NAND
VA 1 0 DC 5
VB 2 0 DC 0
VC 3 0 DC 4.5
*
* Fin de la descripcin del circuito
*
* Subcircuito NAND
*
.SUBCKT NAND 1 2 4
D1 3 1 MOD1
D2 3 2 MOD1
R1 5 3 5K
R2 3 0 5K
Ro 5 4 5K
G1 4 0 POLY 3 0 1 1 1 1
VCC 5 0 DC 5
.MOD MOD1 D
.ENDS NAND
*
.END
LNEAS DE CONTROL
Permiten especificar el anlisis a realizar sobre el circuito, indicando asimismo cmo cambiar parmetros de carcter general.
.NOMBRE
....
ASOCIADAS AL ANLISIS EN DC
.OP
Adems de calcular el punto de trabajo (por defecto) da informacin de los modelos en pequea seal de los dispositivos.
.DC
.DC NOMBRE1
+
<NOMBRE2
VALC1
VALC2
VALF1
VALF2
VALI1
VALI2>
ASOCIADAS AL ANLISIS EN DC
.NODESET
.NODESET
V(NUMNOD)=VAL
V(NUMNOD)=VAL
....
.TF
.TF
VARSAL
VALENT
.SENS
.SENS
OV1
<OV2 ...>
SPICE calcula la sensibilidad en pequea seal para cada variable indicada respecto a cada parmetro del circuito.
ASOCIADAS AL ANLISIS EN AC
.AC
.AC
.AC
.AC
DEC
OCT
LIN
NO
NO
NO
FCOM
FCOM
FCOM
FFIN
FFIN
FFIN
.NOISE
.NOISE
OUTV
INSRC
NUMS
OUTV =
INSRC =
NUMS =
RC2
RC1
RS1
VIN
+
-
RS2
Q2
Q1
RE
VEE
PAR DIFERENCIAL SIMPLE
*
* Alimentaciones y entradas
*
VCC 7 0 12
VEE 8 0 -12
VIN 1 0 AC 1
*
* Descipcion del circuito
*
RS1 1 2 1K
RS2 6 0 1K
Q1 3 2 4 MOD1
Q2 5 6 4 MOD1
RC1 7 3 10K
RC2 7 5 10K
RE 4 8 10K
*
* Modelos y tarjetas de control
*
.MODEL MOD1 NPN BF=50 VAF=50
+ IS=1.E-12 RB=100 CJC=.5PF TF=.6NS
.AC DEC 10 1 100MEG
.PRINT AC VM(5) VP(5)
.END
Tecnologa de dispositivos y componentes electrnicos y fotnicos
VOLTAGE
-0.0100
VOLTAGE
-0.0100
VOLTAGE
-0.5290
VOLTAGE
-12.0000
FREQ
VM(5)
VP(5)
5.012E+05 6.848E+01 -8.602E+00
6.310E+05 6.804E+01 -1.078E+01
7.943E+05 6.737E+01 -1.349E+01
1.000E+06 6.635E+01 -1.681E+01
1.259E+06 6.482E+01 -2.084E+01
1.585E+06 6.260E+01 -2.562E+01
1.995E+06 5.950E+01 -3.117E+01
2.512E+06 5.542E+01 -3.736E+01
3.162E+06 5.037E+01 -4.399E+01
3.981E+06 4.459E+01 -5.074E+01
5.012E+06 3.848E+01 -5.728E+01
6.310E+06 3.245E+01 -6.336E+01
7.943E+06 2.686E+01 -6.882E+01
1.000E+07 2.192E+01 -7.360E+01
1.259E+07 1.770E+01 -7.776E+01
1.585E+07 1.417E+01 -8.137E+01
1.995E+07 1.127E+01 -8.454E+01
2.512E+07 8.908E+00 -8.734E+01
3.162E+07 7.000E+00 -8.985E+01
3.981E+07 5.465E+00 -9.207E+01
5.012E+07 4.239E+00 -9.400E+01
6.310E+07 3.265E+00 -9.563E+01
7.943E+07 2.497E+00 -9.697E+01
1.000E+08 1.890E+00 -9.801E+01
JOB CONCLUDED
TOTAL JOB TIME
0.23
VM(5)
VP(5)
ASOCIADAS AL ANLISIS EN AC
.DISTO
.DISTO
RLOAD
<INTER
<SKW2
<REFPWR
<SPW2 >
RLOAD
= Nombre de una resistencia de carga en la que se calculan los productos de potencia de distorsin.
INTER
SPW2
= Amplitud de F2
V(NUMNOD)=VAL
V(NUMNOD)=VAL
....
.TRAN
.TRAN
TSTEP
TSTOP
<TSTART
<TMAX
<UIC >
.FOUR
.FOUR
FREQ
OV1
<OV2
OV3
...>
Periodo=1/FREQ
T1
<T2
<T3
... >
Si se omite entonces la temperatura de simulacin es la especificada con TNOM en la lnea de control .OPTIONS. (Si sta a su
vez se omite, la temperatura por defecto es de 27 oC)
.WIDTH
.WIDTH
IN=NCOLUM
OUT=NCOLUM
.OPTIONS
.OPTIONS
OPT1
OPT2
...
(o OPT=OPTVAL ...)
EFECTO
GMIN=x
INVERSOR CMOS
Vout
VDD = 3.3V
5/0.35
Vin
Vout
2/0.35
10pF
Vin
Tecnologa de dispositivos y componentes electrnicos y fotnicos
mn
mp
model
nmos
pmos
id
311.5309u
-311.5310u
ibs
ibd
vgs
vds
vbs
vth
vdsat
beta
gam eff
gm
gds
gmb
cdtot
cgtot
cstot
cbtot
cgs
cgd
0
-101.8000p
1.6000
1.7502
0
573.9130m
830.3756m
115.0323u
527.6252m
440.4485u
14.5032u
76.2947u
2.6143f
2.5567f
5.0148f
6.2974f
2.3439f
1.455e-16
0
2.272e-17
-1.7000
-1.5498
0
-550.4180m
-981.8583m
157.8427u
527.6252m
437.4501u
29.0124u
120.8119u
6.5795f
5.5348f
13.2306f
16.9915f
4.9162f
4.123e-16
Vout
INVERSOR CMOS
Vin
VDD = 3.3V
5/0.35
Vin
Vout
2/0.35
10pF
****
v(out)/vin = -20.1737
input resistance at vin = 1.000e+20
output resistance at v(out) = 22.9795k
Vin
Vout
VdB(out)
Vp(out)
90o
(1)
(2)
(3)
ANLISIS EN AC: .NOISE **** total output noise voltage = 1.7394m volts
**** total equivalent input noise = 120.0657u
Ingeniero en Electrnica - Primer curso
Vin
10mV
180o
Vout
200mV
1.75V
Vin
10mV
135o
Vout
142.5mV
1.75V
Vin
10mV
90o
Vout
2.75mV
1.75V
Vout
A = 50mV
Vout
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1.0000k
2.0000k
3.0000k
4.0000k
5.0000k
6.0000k
7.0000k
8.0000k
9.0000k
Vout
A = 250mV
Vout
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1.0000k
2.0000k
3.0000k
4.0000k
5.0000k
6.0000k
7.0000k
8.0000k
9.0000k
R2
R1
Vout
Vout
Vin
V1
C1
2) NUDOS FLOTANTES
R1
RL
C1
Vout
L1
V1
R >>
A.V1
R1
R2
V1
R >>
R >>
C3
V2
L1
L2
V1
L1
V1
L1
Se permiten valores<0 de R, C y L
**warning**
**warning**
-40
Vin
-20
+25
node
+0:1
=voltage
node
= 1.0000 0:2
=voltage
= 714.2857m
64
Transistores
10
OpAmps
Prinitivas Digitales
65
7) TRANSITORIOS LARGOS
- Limitacin del nmero de print steps: LIMPTS en .OPTIONS
Vin (V)
Vout
3
2
1
0
Vin
- .OP
- .TRAN:
t (s)
Usar .NODESET
Precisin relativa: RELTOL en .OPTIONS
9) PRECISIN
.OPTIONS
RELTOL
Precisin relativa de V, I
0.001
VNTOL
Precisin de V
1V
ABSTOL
Precisin de I
1pA
CHGTOL
10-14
Ingeniero en Electrnica - Primer curso
2 z
s
s
s 1 + ------- 1 + ----------i s + ----------
wz
w nz
w
i
i
i
i
nz i
H ( s ) = K ---------------------------------------------------------------------------------------2
2p
s
s
s 1 + -------- 1 + -----------i s + -----------
wp
w np
w
i
i
i
i
np i
Img(s)
Re(s)
SEMIPLANO IZQUIERDO
K>0
polo
s=0
cero
s=0
polo real
s = wp
cero real
s = wz
polos complejos
(wnp)
ceros complejos
(wnz)
|H(jw)|
20logK
-20dB/dec
+20dB/dec
-20dB/dec
+20dB/dec
-40dB/dec
+40dB/dec
H (jw)
-/2
+/2
-/2
+/2
SEMIPLANO DERECHO
K<0
polo real
s = wp
cero real
s = wz
polos complejos
(wnp)
ceros complejos
(wnz)
|H(jw)|
20logK
-20dB/dec
+20dB/dec
-40dB/dec
+40dB/dec
H(jw)
+/2
-/2
Gain
(dB)
Amax
Amax
STOPBAND
STOPBAND
PASS-BAND
PASS-BAND
Amin
Amin
fp
Gain
(dB)
fs
fs
f
Gain
(dB)
Amax
Amax
UPPER
STOPBAND
LOWER
PASSBAND
STOPBAND
LOWER
PASSBAND
Amin
fp
UPPER
PASSBAND
STOPBAND
Amin
fs1 fp1
fp2 fs2
fp1 fs1
fs2 fp2