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Institut fr Hochfrequenztechnik

und Elektronik

Skriptum zur Vorlesung

Grundlagen der
Hochfrequenztechnik

von

Prof. Dr.-Ing. Thomas Zwick

3. Auflage 2010
Skript berarbeitet von
T. Kayser, M. Pauli, A. Lambrecht, S. Beer

Postanschrift:

Institut fr Hochfrequenztechnik und Elektronik


Kaiserstrae 12
D-76131 Karlsruhe

Gebude:

Engesserstrae 5, Geb. 30.10

Tel.:
Sekr.:
Fax:
E-Mail:
Web:

+49 (0) 721 608 25 22


+49 (0) 721 608 2523
+49 (0) 721 69 18 65
ihe@ihe.uka.de
www.ihe.uni-karlsruhe.de

Inhaltsverzeichnis
1. Einleitung
2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen
2.1. Widerstnde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1. Einfluss des Skineffekts . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2. Einfluss der Eigeninduktivitt . . . . . . . . . . .
2.1.3. Einfluss der Eigenkapazitt . . . . . . . . . . . . .
2.1.4. Vollstndiges Ersatzschaltbild eines Widerstandes .
2.2. Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.1. Kapazittsformeln . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.2. Wahl des Dielektrikums . . . . . . . . . . . . . .
2.2.3. Einfluss der Eigeninduktivitt . . . . . . . . . . .
2.2.4. Verluste eines Kondensators . . . . . . . . . . . .
2.2.5. Vollstndiges Ersatzschaltbild eines Kondensators
2.3. Induktivitten, Spulen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.1. Magnetische Energie in einer Spule . . . . . . . .
2.3.2. Eigenkapazitt einer Spule . . . . . . . . . . . . .
2.3.3. Verluste einer Spule . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.4. Vollstndiges Ersatzschaltbild einer Spule . . . . .

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3. Passive, lineare Schaltungen


3.1. Transformationsschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.1. Wirkleistungsabgabe einer Quelle an den Verbraucher
3.1.2. Serienschaltung eines Blindwiderstandes . . . . . . .
3.1.3. Parallelschaltung eines Blindwiderstandes . . . . . . .
3.1.4. Transformation mit zwei Blindwiderstnden . . . . . .
3.1.5. Frequenzabhngigkeit der Transformation . . . . . . .
3.2. Resonanzkompensation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3. Breitbandkompensation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.1. Tiefpass- und Hochpasskompensation . . . . . . . . .
3.3.2. Bandpasskompensation . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Inhaltsverzeichnis

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4. Leitungstheorie
4.1. Ersatzschaltbild einer TEM-Leitung . . . . . . . . .
4.2. Telegraphengleichungen . . . . . . . . . . . . . . .
4.3. Wellenausbreitung auf Leitungen . . . . . . . . . . .
4.4. Leitung mit beliebigem Abschluss . . . . . . . . . .
4.5. Die verlustfreie Leitung bei Anpassung . . . . . . .
4.6. Strom- und Spannungsverteilung . . . . . . . . . . .
4.7. Nherungslsung fr Leitungen mit kleinen Verlusten

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5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen


5.1. Impedanztransformation mit Leitungen . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.1. Strom- und Spannungsverlauf . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.2. Eingangswiderstand und m-Kreis . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.3. Eingangsleitwert einer Schaltung . . . . . . . . . . . . . . .
5.2. Das Smith-Diagramm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.1. Konforme Abbildung in die r-Ebene . . . . . . . . . . . . . .
5.2.2. Anwendung des Smithdiagramms zur Leitungstransformation
5.2.3. Die Transformation durch Serien- oder Parallelschaltung . . .
5.3. Leitungstransformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3.1. Leitung mit beliebig komplexem Abschluss . . . . . . . . . .
5.3.2. Spezielle Flle der Transformation mit Leitungen . . . . . . .
5.3.3. Die fehlangepasste Leitung mit Verlusten . . . . . . . . . . .
5.4. Leitungen mit stehenden Wellen (Reaktanzleitungen, Blindleitungen)
5.4.1. Die kurzgeschlossene Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4.2. Die offene Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4.3. Leitung mit beliebigem Blindwiderstand als Abschluss . . . .
5.5. Spezielle Leitungstypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.1. Koaxialleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.2. Mikrostreifenleitung (Microstrip) . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.3. Hohlleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse
6.1. Impedanz- und Admittanz-Matrizen . .
6.2. Streuvariable . . . . . . . . . . . . . .
6.2.1. Leistungswellen . . . . . . . .
6.3. Streumatrix . . . . . . . . . . . . . . .
6.4. Spezielle Eigenschaften von Netzwerken
6.5. ABCD-Matrix und Transmissionsmatrix

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Inhaltsverzeichnis
6.6. Berechnungsmethoden fr die Streumatrix . . . . . . . . . . . . . .
6.6.1. Streuparameterbestimmung aus Strom-Spannungsdefinition
6.6.2. Konversion zwischen Matrizen . . . . . . . . . . . . . . . .
6.6.3. Zusammenschaltung von Mehrtoren . . . . . . . . . . . . .

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7. Mikrowellensysteme
7.1. Ebene Welle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.1.1. Poynting-Vektor und Leistungsdichte . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.1.2. Polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.2. Antennen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.2.1. Abgestrahlte Leistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.2.2. Antennengewinn und Richtwirkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.2.3. Richtcharakteristik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.2.4. Halbwertsbreite und Halbwertswinkel . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.2.5. Zusammenhang zwischen Gewinn und Richtcharakteristik . . . . . . .
7.2.6. Antennenwirkflche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.3. Wellenausbreitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.3.1. Freiraumausbreitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.3.2. Atmosphrische Effekte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.4. Rauschen in Mikrowellensystemen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.4.1. Elektrisches Rauschen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.4.2. quivalente Rauschtemperatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.4.3. Rauschtemperaturmessung durch die Y-Faktor-Methode . . . . . . . .
7.4.4. Rauschzahl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.4.5. Rauschzahl eines kaskadierten Systems . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.5. Komponenten von Mikrowellensystemen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.5.1. Nichtlineare Kennlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.5.2. Verstrkung hochfrequenter Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.5.3. Schwingungserzeugung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.5.4. Zusammenfassung der wichtigsten HF-Komponenten von Mikrowellensystemen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.6. Funkkommunikationssysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.6.1. Mikrowellensender und -empfnger . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.6.2. Rauschcharakterisierung eines Mikrowellenempfngers . . . . . . . . .
7.7. Radarsysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.7.1. Radargleichung und Radarstreuquerschnitt . . . . . . . . . . . . . . .
7.7.2. Pulsradar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.7.3. Dopplerradar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Inhaltsverzeichnis

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7.7.4. FMCW-Radar . . . . . . . . . . . . .
7.8. Radiometrie . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.8.1. Grundlagen der Radiometrie . . . . .
7.8.2. Beispiel eines Radiometers . . . . . .
7.9. Erwrmen mit Mikrowelle . . . . . . . . . .
7.9.1. Grundlagen der Mikrowellenheizung

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A. Schreibweise orts- und zeitabhngiger Gren


205
A.1. Beliebige Orts- und Zeitabhngigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
A.2. Bei harmonischer Zeitabhngigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
B. Verzeichnis der verwendeten Abkrzungen

207

C. Leitungsdiagramme

211

1. Einleitung
Der Begriff Hochfrequenztechnik unterlag im Laufe der Zeit mehrfachen nderungen. Es
zeigte sich, dass die Angabe fester Frequenzen nicht sinnvoll ist. Die Hochfrequenztechnik wird
am besten durch charakteristische Merkmale, die der theoretischen und praktischen Behandlung
zugrunde gelegt werden, gekennzeichnet.
Hierzu gehren:
verteilte Wirk- und Blindelemente
Bercksichtigung der Wellenlnge
Bercksichtigung der Wellenwiderstnde
Einbeziehung parasitrer Bauelemente
Bauelemente in der Grenordnung der Wellenlnge (oder grer)
In Bild 1.1 sind die internationalen Vereinbarungen der Definition der Frequenzbereiche dargestellt. Danach umfasst der klassische Bereich der Hochfrequenztechnik (HF) die Frequenzen

Bild 1.1.: bersicht der internationalen Frequenzdefinitionen

1. Einleitung

von 3 MHz bis 30 MHz. Im deutschen Sprachraum hat sich allerdings die Verwendung des
Begriffs Hochfrequenztechnik stellvertretend fr das gesamte Gebiet bis in den Bereich von
mehreren hundert Gigahertz etabliert. Dies zeigt sich z.B. an der Bezeichnung von Universittsinstituten, Bezeichnungen von und in Firmen. Im englischen Sprachraum (insbesondere
den USA) wird der Begriff High Frequency tatschlich nur fr den Frequenzbereich von
3 MHz bis 30 MHz benutzt. Fr das gesamte Gebiet der Hochfrequenztechnik nutzt man dort
die Begriffe Radio Frequency Techniques oder Microwave Engineering . Wie aus Bild 1.1
ersichtlich ist, werden fr bestimmte Frequenzbnder Buchstaben verwendet, die aber je nach
Anwendung und normierender Stelle unterschiedlich sind.
Die Hochfrequenztechnik (HF) ist eine wesentliche Grundlage fr alle Funksysteme wie Rundfunk, Mobilfunk, Satellitenfunk usw. sowie jegliche Sensorik basierend auf elektromagnetischen Wellen (z.B. Radar). Neuerdings werden allerdings auch bei der Entwicklung extrem
schneller Digitalschaltungen (z.B. Prozessoren mit Taktraten ber 1 GHz) HF-Experten gesucht
(z.B. bei AMD und Intel).
Im Automobilbereich ist vor allem die rasante Entwicklung radarbasierter Fahrerassistenzsysteme ein Technologietreiber. Mittlerweile sind erste Produkte auf dem Markt erfolgreich, so dass
in den nchsten Jahren ein immenses Wachstum in diesem Bereich erwartet wird. Hierbei werden Frequenzen verwendet, bei denen die Wellenlnge des Radars im Millimeterwellenbereich
(ca. 30 300 GHz) liegt. Dies hat den Vorteil, dass das Radarsystem als ultrakompakte Baugruppe realisiert werden kann. Zuknftige Millimeterwellensysteme fr Nachbereichs-Radar
und Kommunikation werden sehr wahrscheinlich komplette System-on-Chip Lsungen sein,
mit bereits auf dem Chip realisierter Antenne und Hochfrequenzarchitektur. Namhafte Unternehmen wie Bosch, Continental, Valeo, TRW, Delphi usw. haben als Automobilzulieferer ein
ausgeprgtes Interesse an diesem Thema.
Ein weiterer sehr kapitalintensiver Bereich, in welchem stndig anspruchvolle Lsungen fr
Hochfrequenzsysteme zu entwickeln sind, ist die Satellitentechnik. Die Satelliten werden hierbei entweder fr Kommunikationssysteme oder zur Fernerkundung der Erdoberflche oder aber
des Weltalls bentigt. Die wichtigsten Komponenten der Satelliten sind hierbei die Leistungsendstufen und die Antennen, welche die meist bei mehreren Gigahertz liegenden Signale abstrahlen. Extreme Anforderungen an die Funktionalitt solcher Antennensysteme knnen nur
basierend auf einer genauen Kenntnis theoretischer Zusammenhnge erfllt werden.
Obwohl in letzter Zeit durch negative Schlagzeilen belastet, ist auch die mobile Funkkommunikation (Handy, Laptop, Car-Entertainment) nach wie vor ein wichtiges Feld der Hochfrequenztechnik. Hier wird die technologische Entwicklung hauptschlich durch einen enormen
Kostendruck voran getrieben, welcher auf den Herstellern der Mobilkommunikationsendgerte
(Basisstationen, Handys, etc.) liegt. So mssen beispielsweise zu einer effizienteren Ausnutzung
der vorhanden Frequenzspektren alte Techniken erweitert und neue Methoden entwickelt wer-

9
den. Fr moderne Kommunikationsendgerte werden immer mehr Standards definiert (WLAN,
WiMax, UMTS, GSM, Bluetooth, GPS etc.), welche mglichst alle von einem kleinen Gert beherrscht werden sollen. Hierzu bedarf es nicht nur der Miniaturisierung der Antennen, sondern
auch fortschrittlicher Signalverarbeitung, welche z.B. auf den Eigenschaften mehrerer verteilter
Antennen beruht, sog. Intelligente Antennen. Ein aktuelles Forschungsgebiet ist ein weiterer
Kommunikationsstandard fr ultrakurze Abstnde (<7 m), welcher auf der Abstrahlung ultrabreitbandiger Impulse im Frequenzbereich von 3,1 10,6 GHz (Ultra-Wide-Band) basiert. Dies
soll die Verbindung unterschiedlicher technischer Gerte mit sehr hohen Datenraten und einer
hohen Strsicherheit gewhrleisten.
Das Thema Strsicherheit hat unter der berschrift EMV (Elektromagnetische Vertrglichkeit)
einen eigenen Stellenwert in der Hochfrequenztechnik. Nicht nur die Tatsache, dass alle mglichen Gerte zur Kommunikation strahlen, sondern auch Schaltnetzteile etc., erfordert einen
hohen Aufwand zur Abschirmung von elektronischen Baugruppen, um eine Einkopplung der
hochfrequenten Strungen zu vermeiden.
Viele weitere Themengebiete knnen genannt werden. So z.B. die Hochleistungsmikrowelle
zur Prozessierung von Materialien, oder aber die Erzeugung hoher Leistungen bei Frequenzen ber 100 GHz fr die Kernfusion, welche alle ein tiefes Verstndnis der Wechselwirkung
hochfrequenter Felder erfordern. Auch in der Medizintechnik spielen hochfrequenztechnische
Fragestellungen eine immer strkere Rolle, sei es die echtzeitfhige Videobertragung von Operationen, die Verbesserung der Magnetresonanztomographie oder bildgebende Verfahren mit
Terahertzstrahlung.
Die theoretischen Grundlagen, die in den folgenden Abschnitten abgeleitet werden, sind in den
Bereichen
Hochfrequenztechnik
Mikrowellentechnik und
Millimeterwellentechnik
sinngem anwendbar, so dass von diesen Grundlagen her keine Einschrnkungen bestehen.
Das Skriptum basiert in manchen Teilen auf den Werken [25] und [22], die auch zur zustzlichen
Lektre empfohlen werden.
Im Anhang ist eine bersicht zur Schreibweise der zeitabhngigen Gren sowie zu den in
diesem Skript verwendeten Begriffen, Einheiten und Definitionen zusammengestellt.

2. Passive, lineare Bauelemente bei


hheren Frequenzen
Die wichtigsten passiven, linearen Bauelemente der Schaltungen sind Widerstnde, Kondensatoren, Spulen und bertrager. Ein Bauelement wird als passiv bezeichnet, wenn es keine
Spannungs- oder Stromquellen enthlt. Es wird als linear bezeichnet, wenn die komplexe Amplitude der Spannung und die komplexe Amplitude des Stromes stets proportional sind, also der
Quotient aus beiden eine amplitudenunabhngige Impedanz Z ist.

2.1. Widerstnde
Ein Widerstand, im engeren Sinne auch ohmscher Widerstand genannt, ist eine Anordnung, die
einen mglichst phasenfreien Wirkwiderstand enthlt. Bei solchen Widerstnden entstehen mit
wachsender Frequenz folgende Probleme:
Zunahme des Widerstandswertes mit wachsender Frequenz durch den Skineffekt
Induktiver Phasenwinkel durch die Eigeninduktivitt des Widerstandes
Kapazitiver Phasenwinkel durch die Eigenkapazitt des Widerstandes

2.1.1. Einfluss des Skineffekts


Aufgrund des Skineffekts wird jeder Widerstand, da er aus mehr oder weniger gut leitendem
Material aufgebaut ist, mit steigender Frequenz in seinem Wert wachsen. Da Widerstnde jedoch bei unterschiedlichen Frequenzen auch breitbandig eingesetzt werden, sollten sie mglichst frequenzunabhngig sein, da sonst der Widerstandswert als Funktion der Frequenz angegeben werden msste. Ziel ist es, sowohl fr die NF-, die HF- als auch fr die Digitaltechnik,
Widerstnde einzusetzen, die ihren Gleichstromwert bis zu mglichst hohen Frequenzen beibehalten, deren Grenzfrequenz also mglichst hoch liegt.
Wenn man Widerstnde aus Draht
q wickelt, muss der Durchmesser des verwendeten Drahtes
2
kleiner als die Eindringtiefe s =
sein. Dadurch entsteht bei gegebener Drahtstrke eine
obere Frequenzgrenze, bei der der Widerstand beginnt, eine Frequenzabhngigkeit zu zeigen. Je

11

12

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

(a) Chipwiderstand (SMD-Widerstand)

(b) Zylindrischer Schichtwiderstand

Bild 2.1.: Schichtwiderstnde


kleiner die Leitfhigkeit des Widerstandsmaterials, desto grer ist die Eindringtiefe und desto
besser ist die Eignung des Materials fr hhere Frequenzen. Aus Widerstandsdraht gewickelte
Widerstnde findet man heute fast nur noch fr kleine Widerstandswerte und dann auch nur,
wenn groe Leistungen zu bewltigen sind. Bei drahtgewickelten Widerstnden, deren Drhte
sehr dicht beieinanderliegen, kann neben dem Skineffekt noch eine frequenzabhngige Widerstandserhhung durch Nachbarschaftswirkung der Drahtschleifen (Proximityeffekt) auftreten.
In der Hochfrequenztechnik werden deshalb fast ausschlielich Schichtwiderstnde in zylindrischer oder planarer Form verwendet. Ein Material schlechter Leitfhigkeit, das gleichzeitig
billig ist, ist kristalline Glanzkohle. Sie hat auch noch bei sehr hohen Frequenzen technisch
brauchbare Eindringtiefen und wird daher fr die Herstellung von billigen Widerstnden ber
10 verwendet. Da Kohle nur geringe mechanische Festigkeit besitzt und ihre Wandstrke
kleiner als die Eindringtiefe sein soll, verwendet man sie in Form von Schichtwiderstnden, die
eine Kohleschicht auf einer isolierenden, ebenen Unterlage (Bild 2.1(a)) oder auf einem keramischen Zylinder nach Bild 2.1(b) besitzen. Mit dnnen Schichten kann man auf diese Weise
frequenzunabhngige Wirkwiderstnde bis zu Frequenzen von etwa 5 GHz schaffen. Solche Widerstnde knnen eine zusammenhngende zylindrische Schicht haben. Die Schicht kann aber
auch wendelfrmig unterbrochen sein, wodurch der Stromweg lnger, der stromdurchflossene
Querschnitt kleiner und der Widerstandswert grer wird.
Nachteilig bei den billigen Kohlewiderstnden ist ihr hoher Temperaturkoeffizient von ca.
3 104 / C. Sie vertragen keine hheren Belastungen, da Kohle bei hheren Temperaturen oxidiert. Die Maximaltemperatur sollte 100 C nicht berschreiten. Erheblich bessere Eigenschaften haben Metallschichtwiderstnde z.B. aus Tantal, Tantalverbindungen oder Nickel-Chrom-

2.1. Widerstnde

13

Bild 2.2.: Integrierte Widerstnde eingebunden in Streifenleitungstechnik


Verbindungen. Mit ihnen lassen sich Temperaturkoeffizienten von kleiner 106 / C erreichen;
zudem sind Schichtdicken im Bereich kleiner 1 m mglich. Die Temperaturvertrglichkeit ist
je nach Verbindung ebenfalls wesentlich besser.
In der Mikrowellentechnik, aber auch in der schnellen Digitaltechnik, werden bis zu hchsten
Frequenzen (> 30 GHz) Schichtwiderstnde direkt in die Schaltung integriert oder als sogenannte Chipwiderstnde eingebracht; Bild 2.2 zeigt ein Beispiel.

2.1.2. Einfluss der Eigeninduktivitt


Jeder Leiter, der von einem Strom durchflossen wird, umgibt sich mit magnetischen Feldern
und es entsteht daher an ihm bei Wechselstrom neben der normalen Spannung U = R I eine
Zusatzspannung durch einen Selbstinduktionsvorgang. Der Widerstand wirkt daher so, als ob
in Serie zum ohmschen Widerstand R noch eine Induktivitt LS nach Bild 2.3 lge.
Der Widerstand erhlt den komplexen Wert
Z = R + jLS

(2.1)

und eine induktive Phase


tan =

Im {Z}
LS
=
R
Re {Z}

(2.2)

die mit wachsender Frequenz grer wird.


Falls man Widerstnde aus Draht wickelt, sollte man diesen Draht nicht spulenfrmig aufwickeln, weil dadurch im Innern der Spule ein sehr groes H-Feld in Richtung der Spulenachse
entsteht. Gleiches gilt fr wendelfrmige Schichtwiderstnde nach Bild 2.1(b). Wenn man Widerstandsdrhte induktionsarm gestalten will, whlt man die Form der Bifilaranordnung nach

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

14

Bild 2.3.: Widerstand mit Eigeninduktivitt

(a) bifilar

(b) zick-zack

Bild 2.4.: induktionsarme Widerstandswicklung


Bild 2.4(a) oder die der Zickzackanordnung nach Bild 2.4(b), bei denen dicht neben jedem
stromdurchflossenen Drahtstck ein gleichgroes Drahtstck mit entgegengesetzter Stromrichtung liegt. Dadurch heben sich die Felder der Drahtstcke weitgehend gegenseitig auf. Bei
hheren Frequenzen vermeidet man Widerstandsdrhte und besonders geformte Widerstandsschichten nach Bild 2.1(b) fast immer und zieht die induktionsrmeren glatten Schichtwiderstnde wie z.B. Chipwiderstnde nach Bild 2.1(a) vor.
Neben dieser mit dem Widerstand direkt verknpften induktiven Erscheinung wirkt noch die
Induktivitt seiner Zuleitungen. Diese Zuleitungsinduktivitt ist oft ein Vielfaches der Eigeninduktivitt und es muss mit wachsender Frequenz immer mehr darauf geachtet werden, dass die
Verbindungsdrhte in einer Schaltung nicht zu lang werden. Bei sehr hohen Frequenzen darf es
berhaupt keine induktiv wirkenden Zuleitungen mehr geben.

2.1.3. Einfluss der Eigenkapazitt


Wenn ein Strom durch den Widerstand fliet, entsteht an ihm eine Spannung. Zwischen den
beiden Punkten P1 und P2 des Widerstandes in Bild 2.5(a) besteht die Spannung U = I 4 R,
wobei 4R der Widerstand zwischen P1 und P2 ist. Zwischen den verschiedenen Bereichen
der Oberflche und auch teilweise zwischen dem Widerstand und seiner Umgebung entstehen
elektrische Feldlinien nach Bild 2.5(a).
Der Raum um den Widerstand herum ist mit elektrischer Feldenergie erfllt. Dies kann man
durch Kapazitten andeuten, die zwischen den verschiedenen Bereichen der Oberflche und
gegen die Umgebung wirken, wie in Bild 2.5(b) gezeigt. Dadurch wird das Verhalten des Widerstandes kompliziert, denn der durch den Widerstand flieende Leitungsstrom I ist nicht
konstant, da auch kapazitive Verschiebungsstrme lngs der in Bild 2.5(a) gezeichneten elek-

2.1. Widerstnde

15

trischen Feldlinien flieen. Solange die kapazitiven Nebenwirkungen klein bleiben, kann man
diesen Effekt nherungsweise durch eine einzige Kapazitt CP parallel zum ganzen Widerstand
R beschreiben.
Es entsteht dadurch der komplexe Leitwert gem Bild 2.5(c)
1
+ jCP
R

(2.3)

R
CP R2
1
=

j
Y
1 + (CP R)2
1 + (CP R)2

(2.4)

Y =
bzw. der komplexe Widerstand
Z=

Der kapazitive (negative) Phasenwinkel von Z ist gegeben durch


tan = CP R

(2.5)

Er wchst proportional zur Frequenz. Je grer der ohmsche Widerstand R ist, desto grer ist
auch die Wirkung dieser Kapazitt, da stets das Produkt CP R wirksam ist. Solange die kapazitiven Nebenwirkungen klein sind, d.h. solange CP R < 0,1 ist, kann man in (2.4) das (CP R)2
im Nenner vernachlssigen und erhlt die einfache Nherungsformel
Z = R jCP R2

(2.6)

Die einzige Richtlinie, die man geben kann, um CP klein zu halten, besagt, dass die einzelnen
Teile des Widerstandes mglichst weit voneinander entfernt sein sollten. Dieses ist bei einem
zylindrischen Schichtwiderstand nach Bild 2.1(b) optimal gelst. Die Eigenkapazitt eines solchen Widerstandes betrgt durchweg einige pF. Die folgende Tabelle gibt ungefhr an, bei
welcher Frequenz f ein Schichtwiderstand R die Grenze tan = 0,1 erreicht.
R
f

100 1000 10 k
100 MHz 10 MHz 1 MHz

100 k
100 kHz

1 M
10 kHz

Sehr groe Widerstnde zeigen also schon bei relativ niedrigen Frequenzen merkliche kapazitive Nebenwirkungen.

2.1.4. Vollstndiges Ersatzschaltbild eines Widerstandes


Die Kombination von Bild 2.3 und Bild 2.5(c) lsst sich mit dem vollstndigen Ersatzschaltbild des Widerstandes gem Bild 2.6 annhern. Fgt man zu (2.6) das jLS hinzu, so wird

16

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

(a)

(b)

(c)

Bild 2.5.: Elektrische Felder und Eigenkapazitten eines Widerstandes

Bild 2.6.: Vollstndiges HF-Ersatzschaltbild eines Widerstandes

2.2. Kondensatoren

17

der Eingangswiderstand Z1 nach Bild 2.6 nherungsweise fr nicht zu hohe Frequenzen, d.h
CP R < 0,1
Z1 = R + j(LS CP R2 ) .

(2.7)

Da die Effekte der Eigeninduktivitt nach (2.1) und der Eigenkapazitt nach (2.6) verschiedene
Vorzeichen haben, ist es naheliegend, dass sich beide Effekte bei richtiger Dimensionierung
aufheben knnen.
Der Blindwiderstand von Z1 verschwindet, wenn
LS = CP R

oder

R=

LS
CP

(2.8)

wird. Die Realisierung dieser Kompensation ist fr mittlere Widerstnde im Bereich 20 bis
200 sehr einfach, meist durch zweckmige Gestaltung der Widerstandsform.

2.2. Kondensatoren
Kondensatoren verwendet man vorzugsweise fr zwei Aufgaben:
Als negativen Blindwiderstand in Schaltungen. Hierbei legt man groen Wert auf kleine
Verlustwinkel und verwendet Blindwiderstnde im Bereich von etwa 10 bis 1000
Als berbrckungskondensator mit sehr kleinem Blindwiderstand von etwa 1 bis 10 ,
dessen Aufgabe es ist, einen guten Durchgang fr hhere Frequenzen darzustellen, whrend er niedrigere Frequenzen oder Gleichstrom sperrt.
Die folgende Tabelle zeigt, welche Kapazittswerte C in den verschiedenen Frequenzbereichen
1
etwa auftreten werden, um verschiedene Widerstandswerte |XC | = C
zu erzeugen.
|XC |

1
10
100
1000

100 Hz

10 kHz

1 MHz

100 MHz

10 GHz

1600 F
160 F
16 F
1600 nF

16 F
160 nF
1600 nF 16 nF
160 nF 1600 pF
16 nF
160 pF

1600 pF
160 pF
16 pF
1,6 pF

16 F
1,6 pF
0,16 pF
0,016 pF

Die Elektrotechnik bentigt also sehr verschiedenartige Kapazitten und kennt daher zahlreiche
Bauformen. Im Folgenden sollen die Grundregeln zusammengestellt werden, nach denen man
solche Kondensatoren aufbaut.

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

18

(a)

(b)

Bild 2.7.: Flchen- und Zylinderkondensator

2.2.1. Kapazittsformeln
Die Grundformel fr alle Kondensatoren ist dadurch gegeben, dass zwei Flchen A im Abstand
a nach Bild 2.7(a) die Kapazitt
C = 0 r

A
A/ cm2
= 0,089 r
pF
a
a/ cm

(2.9)

besitzen, wenn zwischen den Flchen ein Dielektrikum mit der relativen Dielektrizittskonstanten r liegt. Diese Formel gilt exakt nur fr ebene Flchen, die unendlich gro sind.
Wenn die Flchen gekrmmt sind, knnen sie im einfachsten Fall nur in einer Richtung gekrmmt sein, wie beispielsweise zwei gleichachsige Zylinder nach Bild 2.7(b). Wenn hier d der
Durchmesser des inneren Zylinders und D der Durchmesser des ueren Zylinders ist, so lautet
die Kapazitt
C=

l/ cm
20 r l
= 0,55 r D pF .
D
ln d
ln d

(2.10)

Wenn die Flchen des Kondensators in beiden Richtungen gekrmmt sind, im einfachsten Fall
wie die Teile zweier konzentrischer Kugeln nach Bild 2.8, so lautet ihre Kapazitt
C = 0 r

r1 r2
r2 /cm
pF .
= 0,089 r r2
1
r2 r 1
r1

(2.11)

Dabei ist r2 der Radius der ueren Kugel, r1 der Radius der inneren Kugel und der Raumwinkel der verwendeten Kugelflchenteile. Fr ganze Kugeln ist = 4.
Die genannten Kapazitten sind durch die Streukapazitten der Flchenrnder zu ergnzen.
Diese Streukapazitten sind an sich sehr klein. Je kleiner der Flchenabstand a gegenber den
Querabmessungen der Flchen ist, desto weniger sind die Streukapazitten wirksam. Bei niedrigen Frequenzen, bei denen C und daher auch A/a in Gleichung (2.9) sehr gro sein mssen,

2.2. Kondensatoren

19

Bild 2.8.: Kugelkondensator

Bild 2.9.: Randstreuung


kann man daher ohne weiteres mit den streuungsfreien Formeln (2.9) bis (2.11) rechnen. Mit
wachsender Frequenz werden jedoch die benutzten C-Werte und daher die Querabmessungen
der Flchen kleiner, so dass dann die Bercksichtigung der Randstreuung wichtiger wird. An
den Rndern der Flchen entstehen elektrische Feldlinien E nach Bild 2.9 in den umgebenden
Raum hinein.
Diese Felder besitzen eine elektrische Feldenergie We und erzeugen dadurch eine zustzliche
Kapazitt C. Dieses C ist schwer exakt zu berechnen, jedoch kann man sich eine ungefhre
Vorstellung von der Gre dieser Zusatzkapazitt durch folgende Merkregel verschaffen:
Die Zusatzkapazitt der Randstreuung wirkt etwa so, als ob die Flchen des Kondensators an
den Rndern um die Strecke a/2 verbreitert wren (gestrichelt in Bild 2.9).
Auf die so vergrerten Flchen kann man dann die Formeln ohne Randstreuung anwenden.
Bei sehr hohen Frequenzen sind die Kapazitten und daher auch die Flchen sehr klein, so
dass in vielen Fllen die Randstreuung einen entscheidenden Anteil ergibt. Aus (2.11) folgt mit

20

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen


Material
Teflon
Paraffinl
Polystyrol
Bernstein
Quarz
Pertinax
Glimmer
Al2 O3
Y3 Fe5 O12
CaZr0,985 Ti0,015 O3
BaTi4 O9
(ZrSn)TiO4
Ba2 Ti9 O2 0
(B9 Pb)TiO3

r
2,0
2,2
2,4
2,8
4,5 . . . 4,7
5
7
9,8 . . . 11,2
15,6
29
38
38
40
90

tan e (103 )
0,1 . . . 0,4
0,1 . . . 0,5
0,01
0,1 . . . 0,4
0,05 . . . 1,0

Tabelle 2.1.: Dielektrika fr die Hochfrequenztechnik


r2  r1 , r2 und D = 2r1 die Kapazitt einer Kugel mit Durchmesser D im freien Raum:
D
C 40
2

C 0,55

D
cm

pF

(2.12)

Dieser ungefhre Richtwert stellt eine wertvolle Hilfe bei der Abschtzung von Streukapazitten sehr kleiner Gebilde dar. Wenn also ein kleines Leitergebilde (wie z.B. ein Ltklecks)
etwa Kugelform hat, so ist seine Kapazitt gegen eine etwas weiter entfernte Umgebung, gemessen in pF, zahlenmig etwa gleich der Hlfte seiner mittleren Querabmessung D in cm.
Daher ist es schwierig, Kapazitten unter 0,1 pF herzustellen, weil schon kleinste Leitergebilde
Streukapazitten dieser Gre haben.
Die genannten Regeln ber die Kapazitt von Kondensatoren reichen im allgemeinen aus, um
solche Gebilde annhernd zu berechnen. Es ist blich und fast immer unvermeidbar, die letzten
Feinheiten der Dimensionierung experimentell oder durch numerische Berechnungen zu ermitteln.

2.2.2. Wahl des Dielektrikums


Aus Gleichung (2.9) erhlt man die Merkregel, dass die Kapazitt eines Flchenkondensators
in Luft, gemessen in pF, bei einem Flchenabstand a = 1 mm nahezu gleich dem Zahlenwert
der Flche A, gemessen in cm2 , ist. Daraus folgt, dass Luftkondensatoren praktisch nur fr

2.2. Kondensatoren

21

Kapazitten bis zu einigen 1000 pF gebaut werden knnen, da sie sonst zu gro wrden. Dielektrika finden daher auch schon bei kleineren C-Werten rege Anwendung. Durch sie knnen
bei vorgeschriebenem Kapazittswert die rumlichen Abmessungen (d.h. die Flche A) wesentlich kleiner gestaltet werden als beim Luftkondensator, der bei gleicher Dimensionierung eine
um den Faktor r kleinere Kapazitt besitzt. Strend sind allerdings die dielektrischen Verluste,
so dass stets zu prfen ist, ob der durch die dielektrischen Verluste entstehende Verbrauch an
Wirkleistung P fr den jeweiligen Zweck tragbar ist und ob sich die damit verbundene Erwrmung des Kondensators in zulssigen Grenzen hlt.
Die heute verwendeten Dielektrika fr die Hochfrequenztechnik berspannen den Bereich
2 < r < 40. Im niederen Bereich werden Kunststoffe, Teflon usw., um r = 10 Keramiken und
darber Titanate u.. verwendet. In Tabelle 2.1 sind einige Materialien zusammengestellt. Der
Faktor tan e stellt dabei die Gre der dielektrischen Verluste dar.

2.2.3. Einfluss der Eigeninduktivitt


Der Ladestrom I(t) fliet ber die leitenden Flchen des Kondensators nach Bild 2.10. Mit
wachsendem Abstand von den Anschlusspunkten wird der Strom auf den Flchen kleiner, weil
die von ihm transportierten Ladungen lngs des Stromweges stetig verteilt liegen bleiben. Dieser Strom ist von magnetischen Feldern umgeben, die eine magnetische Feldenergie besitzen.
Letztere ist die Ursache induktiver Wirkungen. Das wirkliche Verhalten des Kondensators erlutert das Ersatzschaltbild in Bild 2.10(b)
Man denkt sich den Kondensator in viele kleine Kapazitten aufgeteilt, die durch die Induktivitt der zwischen ihnen liegenden Leiter verbunden sind. Das exakte Verhalten einer solchen
LC-Kombination ist ziemlich kompliziert, jedoch kann man es fr nicht allzu hohe Frequenzen
durch das Verhalten der Schaltung in Bild 2.10(c) beschreiben, in dem der gesamten Kapazitt
C eine einzige Induktivitt LS in Serie geschaltet ist. Dieses LS bezeichnet man als Eigeninduktivitt des Kondensators. In Schaltungen, in denen mehrere Schaltelemente kombiniert sind,
kommt zum LS noch die Zuleitungsinduktivitt hinzu, d.h. die Induktivitt der Verbindungsdrhte, die vom Kondensator zu den Anschlusspunkten der Schaltung fhren. Mit wachsender
Frequenz muss man immer mehr darauf achten, diese Zuleitungen so kurz wie mglich zu halten, um die Wirkung der Zuleitungsinduktivitt klein zu halten.
Der Kondensator nach Bild 2.10(c) besitzt den Blindwiderstand


1
1
= j
jX = j LS
C
Cers

(2.13)

|X| ist kleiner als der Betrag 1/C des Blindwiderstandes des Kondensators C allein. Die
Anordnung wirkt wie der Blindwiderstand eines gedachten Kondensators Cers , der grer als C

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

22

I(t)

(a)
I(t)

(b)
I(t)
LS
C

(c)

Bild 2.10.: Eigeninduktivitt des Kondensators


ist. Nach (2.13) wre die Ersatzkapazitt
Cers =

C
1 2 LS C

(2.14)

Je hher die Frequenz, desto grer ist Cers . Fr eine bestimmte Frequenz, die als die Eigenfrequenz fR des Kondensators bezeichnet wird und fr die
R2 LS C = 1

fR =

2 LS C

(2.15)

gilt, ist Cers unendlich gro; der Kondensator ist ein Serienresonanzkreis. Nur fr Frequenzen,
die kleiner als 1/10 der Eigenfrequenz sind, verhlt sich ein Kondensator wie eine frequenzunabhngige Kapazitt. Je grer die Kapazitt C und je grer die Lnge des Stromweges
im Kondensator ist, desto niedriger ist die Eigenfrequenz und auch diejenigen Frequenzen, bei
denen der Kondensator noch seine normale Wirkung hat. Je hher also die gewnschte Betriebsfrequenz, desto mehr muss auf induktionsarmen Aufbau, d.h. auf kurze Stromwege, Wert
gelegt werden. Bei berbrckungskondensatoren ist der Effekt nach (2.14) in manchen Fllen

2.2. Kondensatoren

23

Bild 2.11.: Kondensator mit Polarisationsverlusten


wertvoll, weil er |X| in seinem Wert verkleinert, jedoch in wesentlichem Umfang nur in einem
relativ kleinen Frequenzbereich in der Umgebung der Eigenfrequenz.

2.2.4. Verluste eines Kondensators


Der Verlustfaktor eines Kondensators tan C ist der Quotient der Wirkleistung PW und der
Blindleistung PB
tan C =

GP
RS
PW
=
=
= RS C
PB
|XC |
BC

(2.16)

mit
XC = Blindwiderstand
BC = Blindleitwert des Kondensators
GP = Verlustleitwert nach Bild 2.11.
Die Hauptursache der Kondensatorverluste sind die Polarisationsverluste im Dielektrikum.
Wenn der Kondensator ganz mit Dielektrikum gefllt ist, ist sein Verlustfaktor tan C gleich
dem Verlustfaktor tan e des Dielektrikums. Wenn der Kondensator nur zum Teil mit Dielektrikum, zum restlichen Teil mit (praktisch verlustfreier) Luft gefllt ist, wird tan C < tan e .
Nur in dem durch das Dielektrikum beeinflussten Teil des elektrischen Feldes im Kondensator
entstehen dielektrische Verluste. Diese dielektrischen Verluste lassen sich nach Bild 2.11 durch
einen parallel zum Kondensator liegenden Wirkleitwert
GP = C tan C
beschreiben.

(2.17)

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

24
LS

RL

GP

Bild 2.12.: Vollstndiges Ersatzschaltbild eines Kondensators

2.2.5. Vollstndiges Ersatzschaltbild eines Kondensators


Bercksichtigt man auch die Serieninduktivitt LS aus Bild 2.10(c) und setzt statt XC das X
aus Gleichung (2.13), so wird der Verlustfaktor des Kondensators mit LS nherungsweise
tan C,ers =

Cers
1
tan C
=
|X|GP
C

(2.18)

Da Cers > C ist, vergrert LS die Wirkung der Kondensatorverluste. Die zweite Verlustursache
des Kondensators sind die Widerstnde der Leiter, ber die nach Bild 2.10(a) die Ladestrme
flieen. Diese Verluste kann man als einen Serienwiderstand RL zur Eigeninduktivitt LS darstellen. Insgesamt hat das vollstndige Ersatzschaltbild eines Kondensators die Form nach Bild
2.12.

2.3. Induktivitten, Spulen


Induktivitten verwendet man vorzugsweise fr zwei Aufgaben:
Als positiven Blindwiderstand in Schaltungen. Hierbei legt man groen Wert auf kleine
Verlustwinkel und verwendet Blindwiderstnde im Bereich von etwa 10 bis 1000 .
Als Drossel mit sehr groem Blindwiderstand von etwa 1000 bis 10 000 , deren Aufgabe es ist, eine Sperre fr Wechselstrme hherer Frequenzen darzustellen, whrend
niedrigere Frequenzen oder Gleichstrom einen guten Durchgang vorfinden.
Im Folgenden werden vorwiegend Luftspulen behandelt, wie sie primr in der Hochfrequenztechnik eingesetzt werden.

2.3.1. Magnetische Energie in einer Spule


Ein vom Strom I durchflossener Drahtring umgibt sich mit magnetischen Feldern H, die teils in
Luft, teils in einem eventuell vorhandenen ferromagnetischen Kern verlaufen (siehe Bild 2.13).
Diese Felder besitzen eine magnetische Feldenergie Wm , die sich aus drei Teilen zusammensetzt:

2.3. Induktivitten, Spulen

25

Bild 2.13.: Prinzip einer Spule


der Feldenergie Wm1 der Felder innerhalb des Drahtes
der Energie Wm2 der Felder in der Luft
der Energie Wm3 der Felder im ferromagnetischen Kern

2.3.2. Eigenkapazitt einer Spule


Bei einer stromdurchflossenen Spule bestehen Spannungen zwischen benachbarten Windungen
und daher auch elektrische Felder in der Umgebung der Wicklung. Die Feldlinien verlaufen
nach Bild 2.14(a) vorzugsweise zwischen benachbarten Windungen, aber auch zwischen entfernteren Windungen und zwischen der Wicklung und dem Eisenkern bzw. der anderen Umgebung. Man muss diese Feldstrke bei Spulen mit grerer Blindleistung annhernd kennen, um
durch ausreichende Leiterabstnde und isolierendes Dielektrikum die Spannungsfestigkeit der
Spule zu sichern. Diese Felder enthalten eine elektrische Feldenergie, die kapazitive Wirkungen
verursacht. Zwischen den Spulendrhten und auch gegen die Umgebung entstehen daher nach
Bild 2.14(b) zahlreiche Kapazitten, deren Leitwerte mit wachsender Frequenz zunehmen und
ein kompliziertes Verhalten der Spule ergeben.
Fr niedrigere Frequenzen kann man diese kapazitiven Wirkungen durch eine einzige Parallelkapazitt CP nach Bild 2.14(c) nherungsweise beschreiben. Dieses CP nennt man die Eigenkapazitt der Spule. Die Spule hat dann den Blindleitwert


1
jB = j CP
L

= j

1
Lers

(2.19)

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

26

(a)

(b)

(c)

Bild 2.14.: Eigenkapazitt einer Spule


Sie wirkt wie eine grere Induktivitt
Lers =

L
1 2 LCP

(2.20)

Wenn in (2.20) der Nenner gleich Null wird, d.h. bei der Frequenz
fR =

2 LCP

(2.21)

hat die Spule ihre Eigenresonanz, eine Parallelresonanz. Nur fr Frequenzen f < 0,1 fR wirkt
eine Spule wie eine reine Induktivitt L mit einem frequenzproportionalen Blindwiderstand L.
Mglichkeiten zur Verringerung der Eigenkapazitt
In vielen Fllen werden die Verminderung der Eigenkapazitt einer Spule und die der dielektrischen Verluste dieser Eigenkapazitt erstrebenswert sein.
Hierzu knnen folgende Manahmen dienen:

2.3. Induktivitten, Spulen

27

(a) Wicklung lagenweise

(b) Wicklung scheibenweise

Bild 2.15.: Mehrlagige Spulen


Vergrerung des Abstandes benachbarter Windungen
Vermeidung dielektrisch wirkenden Isolationsmaterials zwischen den Windungen,
Wickelkrper aus Isoliermaterial mit kleinem r und kleinem Verlustwinkel,
Verwendung von Bauformen mit mglichst wenig dielektrischem Material,
Vergrerung des Abstandes zwischen Wicklung und Kern bzw. zwischen Wicklung und
Umgebung allgemein.
Bei mehrlagigen Spulen muss man insbesondere beachten, dass der Abstand zwischen den Windungen um so grer sein sollte, je grer die zwischen ihnen bestehende Spannung ist. Wenn
wie in Bild 2.15(a) die Spule lagenweise gewickelt wird und man das Ende jeder Lage (Marke
2 in Bild 2.15(a)) mit dem Anfang der nchsten Lage verbindet, so liegt der Anfang jeder Lage
sehr nahe am Ende der nchsten Lage. Zwischen den Marken 1 und 4 besteht eine relativ hohe
Spannung und wegen des kleinen Abstandes auch eine sehr hohe Feldstrke. Da die Feldstrke
quadratisch in die Feldenergie eingeht, entsteht hohe elektrische Feldenergie und daher groe
kapazitive Wirkung. Man vermindert diese Kapazitt durch die Scheibenwicklung nach Bild

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

28

(a)

(b)

Bild 2.16.: Spule mit Verlusten


2.15(b), bei der die Wicklung in Scheiben senkrecht zur Spulenachse aufgeteilt ist und Anfang
und Ende der Wicklung sehr weit auseinander liegen.

2.3.3. Verluste einer Spule


Eine Spule besitzt vier Ursachen fr Verluste:
1. Der ohmsche Widerstand der Leiter einschlielich Skineffekt und Proximityeffekt: RD .
2. Falls ein magnetischer Kern vorhanden ist, der Verlustwinkel des Materials: RK .
3. Wirkleistung, die durch Strme verbraucht wird, die in benachbarten Leitern erzeugt werden. Dies gilt bei Luftspulen insbesondere fr Strme in metallischen Hllen, die zum
Zwecke der Abschirmung um die Spule gelegt werden. Bei Eisenkernspulen betrifft dies
auch die Wirbelstrme im Kern: RA .
4. Dielektrische Verluste in den Eigenkapazitten der Spule: RC .
Eine exakte Berechnung der Gesamtverluste ist kaum mglich, so dass die genauere Bestimmung der Verluste meist durch Messung erfolgt. Solange die Verluste klein sind, kann man ihre
Wirkung durch einen Serienwiderstand RS nach Bild 2.16(a) oder einen parallelen Leitwert GP
nach Bild 2.16(b) beschreiben. Whrend RD ein wirklicher Widerstand ist, sind die brigen
drei Komponenten gedachte Widerstnde, die mit Hilfe der verbrauchten Wirkleistung definiert
werden.
Fliet durch die Spule ein Strom mit dem Scheitelwert I und verbraucht die Spule insgesamt
die Wirkleistung PW , so ist RS definiert durch
1
PW = I 2 RS
2

RS =

2PW
I2

(2.22)

Entsprechendes gilt fr GP :
1
PW = U 2 GP
2

GP =

2PW
U2

(2.23)

2.3. Induktivitten, Spulen

29

Die Spule stellt nach Bild 2.16(a) einen komplexen Widerstand Z = RS + jL dar, der die
j
mit der
Phase ( 2 L ) hat, oder nach Bild 2.16(b) einen komplexen Leitwert Y = GP L

Phase ( 2 + L ) ; L ist der Verlustwinkel der Spule.


Weiterhin ist der Verlustfaktor einer Spule tan L durch Gleichung (2.24) definiert, der Gtefaktor QL einer Spule durch den Reziprokwert des Verlustfaktors:
tan L =

QL =

RS
= GP L
L

1
L
1
=
=
tan L
RS
GP L

(2.24)

(2.25)

Es wird
RS = L tan L =

L
QL

GP =

1
1
tan L =
L
L
QL

(2.26)

Der Verlustfaktor ist auch der Quotient der Wirkleistung PW und der Blindleistung
2
U2
in der Spule. Die Erwrmung der Spule erfolgt durch die Wirkleistung
PS = I 2L = 2L
1
1
1 U2
PW = I 2 RS = I 2 L tan L =
tan L = PS tan L
2
2
2 L

(2.27)

wenn I der Scheitelwert des Stromes durch die Spule und U der Scheitelwert der Spannung an
der Spule ist.
Sofern die Verluste der Spule reine Eisenverluste sind, ist der Verlustfaktor der Spule
tan L =

Rs
= tan
XL

(2.28)

gleich dem Verlustfaktor des magnetischen Materials, das gesamte Spulenfeld liegt im Eisen
und keine anderen Verlustarten sind wirksam. Die hier erzeugte Wirkleistung PW erwrmt den
magnetischen Kern.
Der Gtefaktor QL einer Spule steigt im allgemeinen mit wachsender Frequenz, weil in L/RS
die Frequenz im Zhler steht, whrend der Nenner RS , soweit es den Anteil RD betrifft, mit
wachsender Frequenz wesentlich langsamer wchst. Bei sehr niedrigen Frequenzen ist der Gtefaktor stets sehr klein, weil L mit abnehmendem sehr klein wird, whrend RS nicht unter
seinen Gleichstromwert sinken kann. Bei magnetischen Kernen wchst bei niedrigen Frequenzen wegen des zunchst wenig frequenzabhngigen tan des Materials der Anteil RK proportional zur Frequenz. Dagegen wchst oberhalb einer bestimmten Frequenz der Verlustfaktor

2. Passive, lineare Bauelemente bei hheren Frequenzen

30

RS

CP

Bild 2.17.: Ersatzschaltbild einer Spule


tan sehr schnell, so dass solche Spulen bei hherer Frequenzen einen mit wachsender Frequenz abnehmenden Gtefaktor besitzen. Die erreichbaren Gtefaktoren wachsen mit der Frequenz, weil mit wachsender Frequenz kleinere L erforderlich werden, die mit immer krzeren
und immer dickeren Leitern und abnehmender Eisenmenge erzeugt werden knnen.
Man erreicht in den verschiedenen Frequenzbereichen ohne allzu groen Aufwand etwa die in
Tabelle 2.2 gegebenen Werte.
Tabelle 2.2.: Erreichbare Gtefaktoren mit wachsender Frequenz
f
QL

10 kHz
100

100 kHz
200

1 MHz
500

10 MHz
1000

100 MHz
2000

1 GHz
5000

2.3.4. Vollstndiges Ersatzschaltbild einer Spule


Bercksichtigt man bei einer Spule sowohl die parasitre Kapazitt CP als auch die Verluste RS
gem Bild 2.16 ergibt sich das vollstndige Ersatzschaltbild nach Bild 2.17. Fr die Gesamtimpedanz folgt daraus:
ZL =

RS + jL
1 + jRS CP 2 LCP

(2.29)

3. Passive, lineare Schaltungen


3.1. Transformationsschaltungen
Schaltungen sind passiv, wenn sie keine Strom- oder Spannungsquellen enthalten. Sie sind linear, wenn sie in ihrem Verhalten aussteuerungsunabhngig sind, d.h. nicht von den absoluten
Signalpegeln abhngen (Sttigungseffekte). Im Folgenden werden Schaltungen betrachtet, welche aus
Widerstnden,
Spulen (Induktivitten) und
Kondensatoren (Kapazitten)
bestehen.
Die Grundaufgabe der Elektrotechnik besteht in der
Erzeugung,
bertragung und
Nutzbarmachung
der Energie in einem Verbraucher. Je hher die Frequenz, um so teurer und schwieriger werden
diese drei Hauptaufgaben. Insbesondere sind Signalquellen fr hohe und hchste Frequenzen
sehr aufwndig. Somit besteht eine der vornehmlichsten Aufgaben der Hochfrequenztechnik
darin, einen mglichst hohen Systemwirkungsgrad zu erzielen. Dies bedeutet, dass den Quellen
maximale Energie entnommen werden muss, die bertragungsverluste zu minimieren sind und
die bertragene Energie voll dem Verbraucher zugefhrt wird. Bild 3.1 zeigt eine schematische
Darstellung. Die HF-Quelle liefert nur dann maximale Wirkleistung, wenn der Eingangswiderstand Z des bertragungssystems an den Innenwiderstand der Quelle angepasst ist. Weiter ist
HF
Quelle

bertragungs
system
Z

ZL

Verbraucher

ZV

Bild 3.1.: Prinzipschaltung einer HF-bertragung

31

3. Passive, lineare Schaltungen

32

der Widerstand des Verbrauchers an den Wellenwiderstand ZL der bertragungsleitung anzupassen. Dies zeigt, dass zahlreiche Aufgaben zur Anpassung und Transformation bestehen, die
im Folgenden in ihren Grundzgen behandelt werden. Die Schaltungen, die diese Aufgaben
erfllen, sind je nach den Anforderungen sehr verschieden. Die einfachsten Schaltungen erhlt
man fr Transformationen bei nur einer Frequenz.
In der Regel wird man bemht sein, die Transformation
mit mglichst wenigen Elementen,
mit mglichst kleinen Strmen und Spannungen in bzw. an den Elementen,
verlustarm und
stabil gegen Wertnderungen der Frequenz, der Blindelemente und der Wirkelemente
auszufhren.
Die Lsung dieser Aufgaben kann sowohl rechnerisch als auch zeichnerisch erfolgen. Zeichnerisch bedient man sich eines der folgenden Diagramme:
Leitwertdiagramm,
Widerstandsdiagramm.
In ihnen ist orthogonal jeweils
Blindleitwert B zu Wirkleitwert G,
Blindwiderstand X zu Wirkwiderstand R
aufgetragen. Die Bilder 3.2(a) und 3.2(b) zeigen die Diagramme mit Geraden bzw. Kreisen fr
konstantes R, X, G oder B.

3.1.1. Wirkleistungsabgabe einer Quelle an den Verbraucher


Die Wirkleistung, die eine Quelle mit Innenwiderstand Zi an einen Verbraucher abgibt, hngt
wesentlich von dessen Impedanz Z ab. Die Aufgabe besteht meistens darin, die abgegebene
Wirkleistung zu maximieren, das bedeutet den Verbraucher an die Quelle anzupassen.
Dargestellt in Bild 3.3 ist ein Verbraucher Z = R + jX, der an eine Quelle mit dem Innenwiderstand Zi = Ri + jXi angeschlossen ist. Die Wirkleistung, die die Quelle an den Verbraucher
abgibt, ist

2

| I |2 R
1
| U0 |2 R
U0
R= 1
Pw =
=
.
2
2 (R + Ri ) + j(X + Xi )
2 (R + Ri )2 + (X + Xi )2

(3.1)

Um maximale Wirkleistung an den Verbraucher zu bertragen, mssen folglich zwei Bedingungen erfllt werden. Einerseits sollten sich die Blindanteile von Quelle und Verbraucher gegen-

3.1. Transformationsschaltungen

33

B = const.
R = const.

X = const.

Z = R + jX
R

G = const.

(a) Widerstandsdiagramm (Impedanzebene)


B

G = const.

R = const.

Y = G + jB
G
X = const.
B = const.

(b) Leitwertdiagramm (Admittanzebene)

Bild 3.2.: Transformation variabler Bauelemente in Widerstands- und Leitwertdiagramm

3. Passive, lineare Schaltungen

34

Bild 3.3.: Quelle mit Innenwiderstand und Verbraucher


seitig aufheben:
X + Xi = 0

(3.2)

Andererseits muss ein optimaler Wert fr R in Abhngigkeit von Ri gefunden werden. Um


den Wert R zu finden, fr den P w maximal wird, setzen wir die Bedingung (3.2) in (3.1) ein,
differenzieren diese Gleichung anschlieend, und erhalten die Bedingung
P w
| U0 |2 (R + Ri )2 2R(R + Ri ) !
=
= 0,
R
2
(R + Ri )4

(3.3)

R = Ri .

(3.4)

die erfllt ist, fr

(3.2) und (3.4) lassen sich zusammenfassen, zu der schon erwhnten Bedingung
Z = Zi .

(3.5)

Eine Quelle gibt also dann die maximale Wirkleistung ab, falls der Verbraucher konjugiert
komplex zum Innenwiderstand der Quelle ist. Die maximal verfgbare Wirkleistung fr den
Verbraucher betrgt
Pw,max

| U0 |2
.
=
8Ri

(3.6)

3.1. Transformationsschaltungen

35

Bild 3.4.: Serienschaltung eines Blindwiderstandes im Widerstandsdiagramm

3.1.2. Serienschaltung eines Blindwiderstandes


Gegeben ist der komplexe Widerstand Z = R + jX dem der Blindwiderstand jXS in Serie
geschaltet wird, woraus sich ergibt
Z1 = Z + jXS = R + j(X + XS )

(3.7)

Die Wirkkomponente bleibt erhalten, die Blindwiderstnde werden addiert. Im Widerstandsdiagramm verschiebt eine Induktivitt LS die Impedanz Z nach Z1L um XS = LS nach oben.
Eine Kapazitt CS verschiebt Z nach Z1C um XS = 1/CS nach unten. Die Transformation
zeigt Bild 3.4.

3.1.3. Parallelschaltung eines Blindwiderstandes


Rechnerisch ermittelt man Parallelschaltungen aus den Leitwerten
Y = G + jB =

1
R
X
1
=
= 2
j 2
2
Z
R + jX
R +X
R + X2

(3.8)

Schaltet man den Blindwiderstand jXP parallel, so folgt mit dem Leitwert jBP = j/XP
Y1 = Y + jBP = G + j(B + BP ) .

(3.9)

3. Passive, lineare Schaltungen

36

(a) im Leitwertdiagramm

(b) im Widerstandsdiagramm (parallele Induktivitt)

Bild 3.5.: Parallelschaltung eines Blindelements


Im Leitwertdiagramm verschieben Kapazitten die Admittanz um CP nach oben, Induktivitten um 1/LP nach unten wie Bild 3.5(a) zeigt. Bleibt man im Widerstandsdiagramm, dann
wandert Z1 = 1/Y1 auf einem Kreis G = konst. Die Gleichung dieses Kreises folgt aus
G=

R2

R
+ X2

(3.10)

zu


1
2G

2

2

1
= R
+ X2
2G

(3.11)

Der Radius des Kreises ist 1/2G, der Mittelpunkt liegt auf der Achse bei R = 1/2G. Bei
RP = 1/G, dem reziproken Wirkleitwert, schneidet der Kreis die Widerstandsachse.
Um die Impedanz Z1 nach der Parallelschaltung eines Blindleitwertes Bp in der Z-Ebene zeichnerisch zu ermitteln, verwendet man eine Hilfskonstruktion nach Bild 3.5(b). Die Impedanz
Z1 (im Bild mit Z1L bezeichnet) ergibt sich dabei als Schnittpunkt des durch Z verlaufenden
G = konst.-Kreises mit einer Hilfsgeraden durch den Ursprung und den Hilfspunkt Z 0 . Dieser
Hilfspunkt ergibt sich, wenn man vom Punkt Z senkrecht eine bestimmte Strecke X (im Bild
XL ) nach oben bzw. unten abtrgt. Die Bestimmung von X erfolgt durch den Schnittpunkt
der Hilfsgeraden mit der zur imaginren Achse parallelen Geraden durch Z. Es gilt:
1
G
B
1
=
= 2
j 2
2
Y
G + jB
G +B
G + B2
G
1
B + Bp
1
= 2
=
j 2
=
2
Y1
G + j(B + Bp )
G + (B + Bp )
G + (B + Bp )2

Z =
Z1

(3.12)
(3.13)

3.1. Transformationsschaltungen

37

Fr die Geradengleichung der Hilfsgeraden gilt:


Z 0 (s) = Z1 s

mit

s>0

(3.14)

Der Hilfspunkt Z 0 ergibt sich aus der Bestimmungsgleichung


!

Re Z 0 (s) = Re Z =

G
2
G + B2

s=

G2 + (B + Bp )2
G2 + B 2

(3.15)

zu
Z0 =

B + Bp
Bp
G

j
=
Z

j
G2 + B 2
G2 + B 2
G2 + B 2
(3.16)

Bp
= Z j 2 = Z jBp |Z|2 = Z + jX
|Y |
mit
X = |Z|2 Bp =

|Z|2
Xp

(3.17)

Bei positivem XP , also beim Parallelschalten einer Induktivitt L, wandert man von Z senkrecht
nach oben um die Strecke
XL =

|Z|2
|Z|2
R2 + X 2
=
=
XP
XP
L

(3.18)

Beim Parallelschalten einer Kapazitt C geht man von Z aus um XC nach unten:
XC = |Z|2 BP = |Z|2 C

(3.19)

3.1.4. Transformation mit zwei Blindwiderstnden


Mit den Transformationen der Abschnitte 3.1.2 und 3.1.3 lassen sich durch ein Blindelement
nur Anpassungen auf vorgegebenen Wegen erreichen, wie in Bild 3.6 zusammenfassend gezeigt
wird.
Fr eine Transformation von Z in beliebige komplexe Werte bentigt man mindestens zwei
Blindelemente, von denen eines parallel und das andere in Serie zu schalten ist. Bild 3.7 zeigt
fr eine hufig vorkommende Schaltung mit zwei Blindelementen ein Beispiel. Die Transformation wird in der Widerstandsebene ausgefhrt. Die Parallelkapazitt CP verschiebt Z auf einem

3. Passive, lineare Schaltungen

38

LP

LS

CP
CS

(a) Widerstandsdiagramm

CS
B

CP

Y
LS
LP

(b) Leitwertdiagramm

Bild 3.6.: Transformation mit einem Blindelement

3.1. Transformationsschaltungen

39

Bild 3.7.: Transformationsbereiche fr CP und LS


Kreis konstanten Wirkleitwertes im Uhrzeigersinn nach Z1 . Die Serieninduktivitt verschiebt
Z1 um LS senkrecht nach oben zu Z2 .
Das Beispiel zeigt, dass eine gegebene Anordnung aus zwei Blindelementen Z in beliebige
Werte transformiert. Der in Bild 3.7 doppelt schraffierte Bereich kann dabei durch zwei verschiedene Wertepaare CP und LS mehrfach erreicht werden.
Untersucht man die zu Bild 3.7 duale Schaltung, wie sie in Bild 3.8 dargestellt ist, so zeigt
sich, dass mit ihr der nicht schraffierte und der doppelt schraffierte Bereich aus Bild 3.7 erreicht
werden kann.
Fasst man die Ergebnisse aus Bild 3.7 und 3.8 zusammen, so zeigt sich, dass sich die beiden

CP

Z1

Z2
LS

LS
Z
CP

Z2

Z1

Bild 3.8.: Transformationsbereiche fr CP und LS

3. Passive, lineare Schaltungen

40

Z2

LS

LS1

LS2
CP

(a) T-Glied

Z2

CP2

CP1

(b) -Glied

Bild 3.9.: Transformationsschaltungen


Schaltungen ergnzen und mit einem T -Glied, wie in Bild 3.9(a) gezeigt, jede beliebige Impedanz erreichbar ist, solange Z eine Wirkkomponente enthlt. Ohne Wirkkomponente in Z
ergeben sich wieder nur Blindwiderstnde. Fr T -Glieder, oder auch fr -Glieder sind darber
hinaus im Allgemeinen viele Wertekombinationen mglich.
Die Auswahl ist dann nach den am Beginn des Kapitels 3.1 dargelegten Gesichtpunkten zu
treffen. In der Regel ist die Schaltung mit den krzesten Transformationswegen die gnstigste.

3.1.5. Frequenzabhngigkeit der Transformation


Die Transformationen in den vorangegangenen Abschnitten wurden fr nur jeweils eine Frequenz ausgefhrt. Alle Transformationsschaltungen mit wenigen Ausnahmen erweisen sich als
frequenzabhngig.
Am Beispiel des Bildes 3.10 ist dies fr eine Transformation von 100 in verschiedene reelle
Widerstnde von 200 bis 500 anhand zweier Blindwiderstnde gezeigt.
Fr Frequenzen unter der Sollfrequenz f0 werden die Blindwerte XS und BP kleiner, die Impedanz Z wird nicht mehr reell, sondern induktiv. Umgekehrt verhlt es sich fr Frequenzen ber
f0 , bei denen die Impedanz kapazitiv wird. Es gilt mit wenigen Ausnahmen die Regel:
Die Frequenzabhngigkeit steigt mit der Lnge des Transformationsweges.

3.2. Resonanzkompensation

41

Bild 3.10.: Frequenzabhngigkeit der Transformationsschaltung

3.2. Resonanzkompensation
Ein in der Hochfrequenztechnik sehr hufiges Problem stellen reelle Verbraucher dar, denen ein
parasitres Blindelement in Serie oder parallel geschaltet ist. Aufgabe in diesen Fllen ist es,
die Blindelemente zu kompensieren. Der theoretisch einfachste Fall der Kompensation besteht
darin, einen Serienblindwiderstand jXS durch einen negativen, gleich groen Blindwiderstand
jXS zu kompensieren wie Bild 3.11(a) zeigt.
Bild 3.11(b) zeigt den Fall fr eine parallelgeschaltete Blindstrung. Diese Art der Resonanzkompensation hat sich jedoch nicht bewhrt, da Frequenznderungen und Bauteiltoleranzen zu
groen Fehlern fhren. Abseits der Resonanzfrequenz verschlechtert sich die Kompensation
sehr schnell, da XL und XC bzw. BL und BC dort nicht proportional verlaufen.

3. Passive, lineare Schaltungen

42

(a)

(b)

Bild 3.11.: Resonanzkompensation von Serien- und Parallelblindstrungen

3.3. Breitbandkompensation
Im Gegensatz zu den vorher besprochenen Transformationen haben Breitbandschaltungen die
Aufgabe, Anpassung nicht nur fr eine Frequenz, sondern fr ein gegebenes Frequenzband zu
erzeugen. Um Breitbandkompensationen konzipieren zu knnen, ist es erforderlich, das Frequenzverhalten der Impedanzen zu kennen.
Bei einer Breitbandkompensation soll fr einen gegebenen Frequenzbereich die resultierende
Impedanz innerhalb eines bestimmten, vorgegebenen Bereichs bleiben (Fehlerkreis). Fehlerkreise werden in der Regel als die Grenzen fr minimale Leistungsanpassung angegeben.
Kompensationen laufen in der Praxis darauf hinaus, dass man versucht, eine Schleife in den
Fehlerkreis zu bringen. Bild 3.12 zeigt bezogen auf das Bild 3.11(a) die Wirkung einer Serienresonanzkreiskompensation.
Gegeben ist ein frequenzabhngiger Widerstand Z, von dessen Verlauf ein Teil einer Schleife
in der Widerstandsebene gezeichnet ist. In Serie zu ihm wird ein Serienresonanzkreis mit dem
Blindwiderstand jXS geschaltet. Bei der Resonanzfrequenz ist XS = 0 und Z bleibt unverndert. Fr Frequenzen oberhalb der Resonanz ist XS induktiv (positiv) und Z wird senkrecht
nach oben verschoben und zwar umso mehr, je weiter man sich von der Resonanzfrequenz
entfernt. Liegt die betrachtete Frequenz dagegen unterhalb der Resonanzfrequenz, so wird XS
kapazitiv (negativ) und transformiert Z nach unten. Bei richtiger Wahl von L und C bildet sich
eine Schleife.
Die Schaltungen werden desto breitbandiger, je mehr benachbarte Schleifen in den Fehlerkreis
gelegt werden knnen. Jedoch bentigt man hierzu einen vergrerten Schaltungsaufwand und

3.3. Breitbandkompensation

43
L

C
Z

Z1

R
Z1
Fehlerkreis

Bild 3.12.: Erzeugung einer kleinen Schleife durch Resonanzkompensation


die Dimensionierung wird kritischer, so dass man nur in Ausnahmefllen diese Verbesserung
anwenden und erfolgreich durchfhren wird.
In Bild 3.13 sind drei Beispiele fr Breitbandkompensation dargestellt:
Tiefpasskompensation,
Bandpasskompensation,
Hochpasskompensation.
Nur bei reinen Wirkwiderstnden Z0 = R0 gibt es die Mglichkeit des Tiefpasses, bei dem der
Widerstand Z von der Frequenz Null bis zu einer oberen Grenzfrequenz in einem mglichst
groen Frequenzbereich in seinem Anfangswert R0 annhernd festgehalten wird. Die ersten
Schleifen der Kurve in Bild 3.13 sind dann sehr klein und liegen bis zur Frequenz fC innerhalb
des zulssigen Fehlerkreises um den Punkt R0 herum. Ebenso gibt es nur bei reinen Wirkwiderstnden Z0 = R die Form des Hochpasses, bei dem der Widerstand in einem mglichst
groen Frequenzbereich oberhalb einer unteren Grenzfrequenz bis zu beliebig hohen Frequenzen in seinem Endwert R annhernd festgehalten wird. Die letzten Schleifen der Kurve in
Bild 3.13 sind dann sehr klein und liegen oberhalb einer Frequenz fC innerhalb des zulssigen
Fehlerkreises um den Punkt R herum. Prinzipiell ist es auch nicht ausgeschlossen, einen insgesamt frequenzunabhngigen Wirkwiderstand zu schaffen, wenn R0 = R realisiert werden
kann. In diesem Fall knnen smtliche Schleifen innerhalb des zulssigen Fehlerkreises um den
Punkt R0 = R herum liegen.
Bei der Kompensation versucht man, den Wirkanteil R der Impedanz Z = R + jX zu erzeugen
und den Blindanteil zu beseitigen. Die einfachsten Schaltungen zur Kompensation bestehen aus

3. Passive, lineare Schaltungen

44

Bild 3.13.: Mehrfache Breitbandschleifen


nur einem Blindelement.
Hier gilt die wichtige Regel der Breitbandkompensation:
Breitbandig knnen Serienblindwiderstnde nur durch Parallelblindleitwerte kompensiert werden und umgekehrt.
Daraus folgt:
jXS

kompensiert

jBP

kompensiert

jBP

jXS

(3.20)

Bild 3.14 zeigt als Beispiel die Frequenzabhngigkeit des Widerstandes Z1 durch den Strparallelblindleitwert BP und die Kompensation dieser Strung.
Schaltet man den Blindwiderstand jXS in Serie zu Z1 , so gilt:
Z2 =

1
1
+ jBP
R

+ jXS



R2 BP
R
+ j XS
=
1 + (BP R)2
1 + (BP R)2
= R2 + jX2

(3.21)

3.3. Breitbandkompensation

45
XS

X
BP

Z1
Z2

Z2

R
R
BP

XS
Z1

Bild 3.14.: Kompensation eines Blindelementes


Fr eine sinnvolle Kompensation muss R2 R gelten, d. h. (RBP )2 muss klein gegen 1 sein.
Dann gilt
Z2 R + j(XS R2 BP )

(3.22)

und man erhlt als Bedingung fr die Kompensation


XS = R2 BP

(3.23)

Damit die Kompensation in einem greren Frequenzbereich gltig ist, muss die Frequenzabhngigkeit von XS (f ) und von BP (f ) gleich sein. Dies lsst sich durch folgenden Ansatz
erfllen
XS (f ) = R F (f )
F (f ) =

XS BP

;
;

F (f )
BP (f ) =
R
r
XS
R=
.
BP

(3.24)

Wie aus Bild 3.14 zu erkennen ist, wird der Verbraucher R nicht exakt wieder nach R transformiert. Der wirkliche Eingangswiderstand Z2 lautet
Z2 = R

F3
1
+
j
1 + F2
1 + F2

(3.25)

Der Frequenzbereich der Kompensation ist also beschrnkt. Er wird definiert als derjenige Bereich, in dem der Fehler der kompensierten Schaltung kleiner ist als der der unkompensierten

3. Passive, lineare Schaltungen

46

Bild 3.15.: Duale Schaltung zu Bild 3.14


Schaltung. Dieser Bereich ist gegeben durch
|Z2 R| < |Z1 R|

(3.26)

mit
Z1 = R

F
1
+j
2
1+F
1 + F2

(3.27)

und somit durch |F | < 1, bzw.


|XS BP | < 1

oder

|RBP | < 1 .

(3.28)

Die Frequenzen, bei denen F = 1 ist, nennt man Grenzfrequenz fc , bzw. c oder die kritische
Frequenz der Kompensation.
Fr die duale Schaltung nach Bild 3.15 lassen sich die entsprechenden Gleichungen herleiten:
Y2 =

1
+jBP
R + jXS
| {z }

(3.29)

Y1 = Z1

1
Y2 =
R

F3
1
+
j
1 + F2
1 + F2

; Z2 =

1
Y2

(3.30)

Auch hier lautet die Bedingung fr die Grenzfrequenz |F | < 1, bzw.


|XS BP | < 1

oder

XS
|<1 .
R

(3.31)

3.3. Breitbandkompensation

47
L

Z1

Z1

Z2

(a)

Z2

(b)

Bild 3.16.: Tiefpasskompensation


C

Z1

Z2

Z1

(a)

Z2

(b)

Bild 3.17.: Hochpasskompensation

3.3.1. Tiefpass- und Hochpasskompensation


Aus den allgemeinen Betrachtungen des letzten Abschnitts lassen sich durch entsprechende
Wahl der Gren BP und XS die in Bild 3.16 und 3.17 gezeigten Schaltungen ableiten.
Man unterscheidet zwei verschiedene Kompensationsarten, deren besondere Eigenschaften sich
mit den Ergebnissen des vorigen Abschnitts direkt angeben lassen.
Tiefpasskompensation
Beim Vergleich von Bild 3.14 und 3.16(a) ergibt sich
BP = C

und

XS = L .

(3.32)

Nun erhlt man als Kompensationsbedingung nach (3.23)


L = R2 C

bzw.

C=

L
R2

(3.33)

3. Passive, lineare Schaltungen

48
und als Grenzfrequenz nach (3.26) mit Einsetzen von (3.23)
fc =

1
1

=
2RC
2 LC

wobei

0 < f < fc

(3.34)

Der Impedanzverlauf dieser Schaltung wird in Bild 3.18(a) gezeigt. Bei sehr tiefen Frequenzen
wird Z2 = R. Mit steigender Frequenz nhert sich die Impedanz asymptotisch der positiven
imaginren Achse. Der Schnittpunkt mit dem Kreis der Impedanz Z1 liegt bei der Grenzfrequenz fc .
Zustzlich dargestellt in Bild 3.18(a) ist die Leistung einer Quelle mit der Innenimpedanz R, die
an die Verbraucher Z1 und Z2 abgegeben wird, ber der Frequenz aufgetragen. Es zeigt sich,
dass diese nur fr f = 0 mit der in (3.6) berechneten Maximalleistung Pw,max bereinstimmt.
Es wird auerdem deutlich, dass im Bereich 0 f fc mehr Leistung an die kompensierte
Last abgegeben werden kann.
Aufgrund des Dualittsprinzips gelten diese Formeln auch fr die duale Tiefpasskompensationsschaltung (Bild 3.16(b)).
Hochpasskompensation
Es ergeben sich nun beim Vergleich von Bild 3.14 und 3.17(a)
BP =

1
L

und

XS =

1
C

(3.35)

Die Kompensationsbedingung nach (3.23) lautet hier


L = R2 C

bzw.

C=

L
R2

(3.36)

und die Grenzfrequenz nach (3.26) durch Einsetzen von (3.23) ist gegeben durch
fc =

R
1

=
2L
2 LC

wobei hier

fc < f < .

(3.37)

Der Impedanzverlauf dieser Schaltung ist in Bild 3.18(b) gezeigt. Bei sehr hohen Frequenzen
wird Z2 zu R, mit sinkender Frequenz nhert sich die Impedanz asymptotisch der negativen
imaginren Achse an. Der Schnittpunkt mit dem Kreis der Impedanz Z1 liegt bei der Grenzfrequenz.
Zustzlich dargestellt in Bild 3.18(b) ist die Leistung einer Quelle mit der Innenimpedanz R,
die an die Verbraucher Z1 und Z2 abgegeben wird, ber der Frequenz aufgetragen. Es zeigt sich,
dass diese nur fr f mit der in (3.6) berechneten Maximalleistung Pw,max bereinstimmt.

3.3. Breitbandkompensation

49

(a) Tiefpasskompensation

(b) Hochpasskompensation

Bild 3.18.: Impedanzverlauf und Leistungsbetrachtung einer Tief- und Hochpasskompensation

3. Passive, lineare Schaltungen

50

Bild 3.19.: Impedanzverlauf der dualen Tief- und Hochpasskompensationsschaltungen


Es wird auerdem deutlich, dass im Bereich fc f mehr Leistung an die kompensierte
Last abgegeben werden kann.
Dank des Dualittsprinzips gelten diese Formeln auch wieder fr die duale Hochpasskompensationsschaltung nach Bild 3.17(b).
Allgemein gilt: Der Breitbandigkeit bei der Kompensation sind durch die gegebene Impedanz
Z1 Grenzen gesetzt, da durch R und BP bzw. R und XS die Grenzfrequenz fr die Kompensation bereits festliegt. Keine noch so komplizierte Schaltung kann sie verbessern.

3.3.2. Bandpasskompensation
Bandpasskompensationen sind mglich, wenn das strende Blindelement einen Resonanzkreis
darstellt.
Kompensiert wird mit dem dualen Resonanzkreis wie ihn Bild 3.20 zeigt. Die beiden Resonanzkreise haben die gleiche Resonanzfrequenz fR . Bei fR ist Z1 = R. Auch hier knnen die
allgemeinen Betrachtungen zur Breitbandkompensation herangezogen und auf die Schaltung
in Bild 3.20(a) angewendet werden; entsprechend dem Dualittsprinzip gelten die Ergebnisse
auch fr die Schaltung in Bild 3.20(b).
LP CP = LS CS =

1
R2

(3.38)

Fr die Dimensionierung gelten danach die nachfolgenden Gleichungen, wobei die Frequenz-

3.3. Breitbandkompensation

51
Ls

Lp

Ls

Cs

Cs

Cp

Lp

Z1

Z1

Z2

(a)

Cp

Z2

(b)

Bild 3.20.: Bandpasskompensation


abhngigkeit gegeben ist durch
r



LS
fR
f

,
CS
fR
f
r


CP
fR
1
f
.
=

BP (f ) = CP
LP
LP
fR
f
1
XS (f ) = LS
=
CS

(3.39)

XS und BP haben also die gleiche Frequenzabhngigkeit. Da auch hier (3.23) gilt, folgt

R=

r
4

LS LP
=
CS CP

LS LP
CS CP

 14

(3.40)

Im Widerstandsdiagramm durchluft die Impedanz Z2 bei Resonanzkompensation die Summe


der Kurven fr Hoch- und Tiefpasskompensation. Der Impedanzverlauf von Z2 fr die Schaltung aus Bild 3.20(a) ist in Bild 3.21(a) dargestellt, der der Schaltung aus Bild 3.20(b) in Bild
3.21(b).
Die Grenzfrequenzen sind wiederum bereits durch Z1 mit R und XS bzw. BP gegeben und
liegen dort, wo sich die Impedanzkurven von Z2 und Z1 schneiden.
Z2 (fC ) = Z1 (fC )

(3.41)

Auch hier kann man zur Berechnung der Grenzfrequenz auf (3.26) zurckgreifen und erhlt
diese nach Einsetzen der Terme (3.39).
Die Impedanzschleifen der Eingangswiderstnde der kompensierten Schaltungen (Bild 3.21)
sind zur Spitze entartet. Durch geringfgiges ndern der Kompensationselemente erhlt man
ausgeprgte Schleifen.

3. Passive, lineare Schaltungen

52

Z1

X
f

Z2
R

(a)

(b)

Bild 3.21.: Impedanzverlauf der Bandpasskompensation


Allgemein gilt: Je komplizierter eine Kompensationsschaltung ist, desto prziser mssen die
Elemente gewhlt werden, da schon kleine Fehler zum Abwandern der Impedanz fhren.

4. Leitungstheorie
Die Energiebertragung zwischen Generator und Verbraucher findet bei hheren Frequenzen in
der Regel ber Leitungen statt. Eine Leitung im engeren Sinn besteht aus zwei voneinander isolierten Leitern und evtl. einer Abschirmung. Die Abschirmung ist hufig mit einem der beiden
Leiter identisch, z.B. bei der koaxialen Leitung.
Die Leitung wird als homogen bezeichnet, wenn sie eine ber die Leitungslnge vllig gleichmige Querschnittsstruktur sowohl der Leiter als auch des Dielektrikums besitzt; sie gilt als
quasi homogen, wenn gewisse Querschnittsabweichungen, z.B. Sttzisolatoren, sich in kurzen
Abstnden periodisch wiederholen. Wann diese Abstnde als kurz zu bezeichnen sind, kann erst
nach Entwicklung der Theorie definiert werden.
Der Anwendungsbereich von Leitungen umfasst allgemein
Energie- und Signalbertragung,
Mess- oder Abtastleitungen,
Erzeugung von Blindelementen in der HF-Schaltungstechnik.
In der Praxis existiert eine groe Vielfalt von Leitungen, die auf die jeweilige Anwendung
optimiert sind. Beispiele sind in Bild 4.1 dargestellt.

53

54

4. Leitungstheorie

Bild 4.1.: Querschnitte durch verschiedene TEM-Leitungstypen

4.1. Ersatzschaltbild einer TEM-Leitung

55

4.1. Ersatzschaltbild einer TEM-Leitung


Die Leiter der Leitungen sind bei Stromfluss von magnetischen Feldern umgeben. Die entstehende magnetische Feldenergie fhrt zu induktiven Wirkungen. Zwischen den beiden Leitern
bestehen Spannungen und elektrische Felder. Die elektrische Feldenergie fhrt zu kapazitiven
Wirkungen. Induktive und kapazitive Wirkungen sind lngs der Leitung stetig verteilt, so dass
ein Ersatzschaltbild aus unendlich vielen, unendlich kleinen Spulen und Kondensatoren besteht,
die wie in Bild 4.2 hintereinander geschaltet sind.
Man kann die Wirkung einer solchen verlustlos angenommenen Leitung auch schon durch
Unterteilung des Ersatzschaltbildes in endlich viele L und C nherungsweise beschreiben, solange die L und C dabei hinreichend klein bleiben, d.h. wenn fr das Produkt
L C < 0,01 gilt (Tiefpass weit unter der Grenzfrequenz). Je hher die Frequenz ist,
desto feiner muss man die Leitung in L und C aufteilen, um ausreichend genaue Rechnungen durchfhren zu knnen.
Wenn die beiden Leiter der Leitung wechselnden Querschnitt haben und beliebig verlegt werden, werden auch die L und C des Ersatzbildes lngs der Leitung berall verschieden sein.
Man nennt dies auch eine inhomogene Leitung. Da lngere Leitungen sehr erhebliche Wirkungen haben, mssen die Eigenschaften der verwendeten Leitungen exakt bekannt und berechenbar sein. Die mathematische Behandlung inhomogener Leitungen ist jedoch sehr schwierig.
Ein einfaches und genau berechenbares Verhalten zeigen dagegen die homogenen Leitungen,
bei denen die L und C lngs der Leitung konstant sind. Daher verwendet man fr lngere
Leitungen nur homogene Leitungen, zumal die Herstellung dieser im Allgemeinen auch wesentlich einfacher ist als die Herstellung von nicht homogenen Leitungen, wenn man definierte
Eigenschaften der Leitungen vorschreiben muss.
Bei einer realen Leitung entstehen durch den Stromfluss in Verbindung mit dem ohmschen
Widerstand in den Leitern Verluste, fr die im Ersatzschaltbild ein Lngswiderstand R in
Serie zu L eingesetzt wird. Ebenso wird das Auftreten dielektrischer Verluste durch einen
zum Kondensator C parallelen Leitwert G bercksichtigt. Man erhlt damit das vollstndige
Ersatzschaltbild eines Leitungsabschnittes gem Bild 4.3. Die Leitung selbst kann dann durch
Kettenschaltung vieler solcher Leitungsabschnitte dargestellt werden.

Bild 4.2.: Leitungs-Ersatzschaltung einer verlustlosen Leitung

4. Leitungstheorie

56

Bild 4.3.: Vollstndiges Ersatzschaltbild eines kurzen Leitungsabschnittes einer verlustbehafteten Leitung
Die vier Gren R, L, C und G sind der Lnge des Leitungsstcks proportional. Daher werden die vier Leitungskenngren definiert durch die sogenannten Leitungsbelge, d.h.
durch die auf die auf die Lnge des Leitungsabschnittes z bezogenen Kapazitts- bzw. Induktivittswerte. Diese ergeben sich zu:
L
L =
z
0

R0 =

R
z

C0 =

G0 =

C
z
G
z

Induktivittsbelag

Widerstandsbelag

Kapazittsbelag

Leitwertbelag

4.2. Telegraphengleichungen

Lngsbelge

(4.1)

Querbelge

Zur Berechnung des betragungsverhaltens einer Leitung dient das vollstndige Ersatzschaltbild eines Leitungsabschnittes gem Bild 4.3 als Grundlage. Die Ortskoordinate z entlang der
Leitung wird dabei von rechts nach links positiv gezhlt, da dies fr die sptere Darstellung
zweckmig ist. Fr eine infinitesimal kleine Leitungslnge z knnen Strom und Spannung
als stationr angenommen werden und somit die Kirchhoffschen Regeln angewandt werden.
P
Damit folgt aus der Maschenregel ( U = 0):
U (z + z) U (z) = (jL0 + R0 )z I(z + z)

U (z + z) U (z)
= (jL0 + R0 ) I(z + z)
z

(4.2)

4.2. Telegraphengleichungen

57

P
Aus der Knotenregel ( I = 0) erhlt man:

I(z + z) I(z) = (jC 0 + G0 )z U (z)

I(z + z) I(z)
= (jC 0 + G0 ) U (z)
z

(4.3)

Bei dem Grenzbergang z 0, fr eine infinitesimal kurze Lnge des Leitungsabschnittes,


gehen die Gleichungen (4.2) und (4.3) in ein System von gekoppelten Differentialgleichungen
ber, die als die Leitungsgleichungen oder Telegraphengleichungen bezeichnet werden:
U (z)
= (jL0 + R0 ) I(z)
z

(4.4)

I(z)
= (jC 0 + G0 ) U (z)
z

(4.5)

Diese beschreiben den Verlauf von Spannung und Strom auf der Leitung ber der Ortskoordinate z. Zur Lsung dieses Differentialgleichungssystems ist es gnstig die Gleichung (4.4) zu
differenzieren und (4.5) darin einzusetzen:
I(z)
2 U (z)
= (jL0 + R0 )
2
z
z

(4.6)

2 U (z)
= (jL0 + R0 )(jC 0 + G0 ) U (z)
z 2
Dies ist eine lineare, homogene Differentialgleichung 2. Ordnung mit konstanten Koeffizienten,
die sich auf die Form

mit

2 U (z)
= 2 U (z)
z 2
p
:= (jL0 + R0 ) (jC 0 + G0 )

(4.7)
(4.8)

bringen lt. Eine analoge Beziehung lt sich auch fr den Strom ableiten.
Die allgemeine Lsung dieser Gleichung ergibt sich mit Hilfe des Exponentialansatzes nach
dAlembert zu
U (z) = C1 ez + C2 ez

(4.9)

wobei C1 und C2 beliebige komplexe Konstanten sind, die spter aus den gegebenen Randbedingungen bestimmt werden knnen. Um den Strom I(z) zu bestimmen, wird (4.9) in (4.4)

4. Leitungstheorie

58
eingesetzt, woraus sich
I(z) =

(C1 ez C2 ez )
0
+R

(4.10)

jL0

ergibt.

4.3. Wellenausbreitung auf Leitungen


Zur Interpretation von (4.9) ist es zweckmig, die beiden Summanden C1 ez und C2 ez getrennt zu betrachten. Dazu wird zunchst die komplexe Konstante gem (4.8) in ihren Realteil und den Imaginrteil zerlegt:
=: + j

mit

0 und > 0

(4.11)

Fr den komplexen zeitabhngigen Momentanwert der Spannung u1 (z,t) des ersten Summanden in (4.9) ergibt sich somit fr eine Schwingung mit der Kreisfrequenz = 2f
u(z,t) = C1 ez ejt = C1 ez ej(z+t) = C1 ez ej (z+ t)

(4.12)

Der letzte Exponentialterm beschreibt eine Welle, die sich fr > 0 in z-Richtung mit der
Geschwindigkeit
vP =

(4.13)

ausbreitet, die auch Phasengeschwindigkeit genannt wird. Aufgrund des Exponentialterms ez


ist diese Welle fr > 0 in z-Richtung gedmpft. Daher wird auch als Dmpfungskonstante
bezeichnet. Whrend einer Periodendauer T = 1/f der harmonischen Schwingung hat sich die
Welle um die Strecke einer Wellenlnge
= vP T =

2f 1
2

T =
=

(4.14)

fortbewegt. Damit ergibt sich sich fr die Wellenzahl


=

(4.15)

die auch als Phasenbelag oder Phasenkonstante bezeichnet wird, da sich wegen des Terms z
in (4.12) die Phase der Spannung entlang der Leitung proportional zu verndert. selbst wird
als Fortpflanzungsbelag oder Ausbreitungskonstante bezeichnet.

4.3. Wellenausbreitung auf Leitungen

59

Insgesamt beschreibt der Term C1 ez somit eine einzelne in z-Richtung fortschreitende (fr
> 0 gedmpfte) Welle mit der komplexen Amplitude C1 . Die Welle, welche sich in zRichtung, also von links nach rechts in Bild 4.3 ausbreitet, wird in der vorliegenden Konvention
als hinlaufende Welle bezeichnet, da sie in Richtung des am rechten Ende der Leitung angeschlossenen Verbrauchers hinluft.
Analog stellt der Term C2 ez in (4.9) eine sich in +z-Richtung ausbreitende (gedmpfte) Welle
dar. Sie luft also von rechts nach links, zurck in den auf der linken Seite angenommenen
Generator und wird daher als rcklaufende Welle bezeichnet. Ganz entsprechend stellen die
beiden Summanden in (4.10) jeweils eine hin- bzw. rcklaufende Welle des Stromes dar.
Die Konstanen C1 und C2 bestimmen sich aus der Spannung an der Stelle z = 0 (am Verbraucher) zu
C1 = UH (0)

und

C2 = UR (0) .

(4.16)

Damit lassen sich die beiden Gleichungen (4.9) und (4.10) schreiben als
U (z) = UH (z) + UR (z) = UH (0)ez + UR (0)ez
I(z) = IH (z) IR (z) = IH (0)ez IR (0)ez

und

(4.17)

(4.18)

Das bedeutet, die am Ort z der Leitung messbare Spannung ergibt sich im allgemeinen Fall
immer aus der berlagerung der Spannung einer hinlaufenden Welle UH (z) und der Spannung
einer rcklaufenden Welle UR (z). Ebenso ergibt sich der gesamte tatschlich flieende Strom
aus der berlagerung von IH (z) und IR (z). Das negative Vorzeichen vor IR (z) invertiert die
Zhlrichtung fr den Strom der rcklaufenden Welle und bercksichtigt damit, dass die transportierte Wirkleistung der rcklaufenden Welle in entgegengesetzter Richtung zur hinlaufenden
Welle, also vom Verbraucher zur Quelle, erfolgt.
Aus (4.9) und (4.10) folgt mit (4.17) und (4.18)
UH (0)
UR (z)
UR (0)
jL0 + R0
UH (z)
=
=
=
=
=
IH (z)
IH (0)
IR (z)
IR (0)

jL0 + R0
=: ZL
jC 0 + G0

(4.19)

Diese Gleichung besagt, dass das Verhltnis von Spannung zu Strom der beiden hin- und rcklaufenden Teilwellen entlang der Leitung konstant, d.h. ortsunabhngig ist. Darber hinaus ist
dieses Verhltnis fr diese beiden Teilwellen das gleiche. Dieses Verhltnis wird Leitungswellenwiderstand ZL genannt und ist neben die zweite wichtige Gre zur Beschreibung der
Wellenausbreitung auf einer Leitung. ZL ist im Allgemeinen komplex und ergibt sich wie aus
den vier Leitungsbelgen L0 , C 0 , R0 sowie G0 und ist damit charakteristisch fr die Leitung,

4. Leitungstheorie

60

d.h. nur abhngig von der Geometrie des Leitungsquerschnittes und den Eigenschaften des Dielektrikums (Substrat, Isolierung). Zu beachten ist, dass ZL im Allgemeinen nicht das Verhltnis der Gesamtspannung U (z) zum Gesamtstrom I(z) auf der Leitung angibt. ZL bezieht sich
nur auf das Verhltnis von Spannung zu Strom der beiden einzelnen (hin- und rcklaufenden)
Teilwellen. Ebenso hngt ZL nicht von der Beschaltung der Leitung oder der Impedanz des
Verbrauchers ab.
Aus (4.17) und (4.18) kann mit Hilfe von (4.19) die ortsabhngige Verteilung von Spannung
U (z) und Strom I(z) berechnet werden, wenn U (0) und I(0) am Leitungsende z = 0 (Ort des
Verbrauchers) bekannt sind:
U (z) =

1
1
(U (0) + I(0)ZL ) e+z + (U (0) I(0)ZL ) ez
2
2

(4.20)

= U (0) cosh(z) + I(0)ZL sinh(z)


1
I(z) =
2

U (0)
I(0) +
ZL

= I(0) cosh(z) +

+z

1
+
2

U (0)
I(0)
ZL

ez

(4.21)

U (0)
sinh(z)
ZL

4.4. Leitung mit beliebigem Abschluss


Es sei eine Leitung mit dem Leitungswellenwiderstand ZL gegeben, die an ihrem rechten Ende
bei z = 0 mit einer beliebigen komplexen Impedanz eines Verbrauchers ZV abgeschlossen
ist, wie in Bild 4.4 dargestellt. Entlang der Leitung breiten sich eine hinlaufende Welle (in
z-Richtung zum Verbraucher) und eine rcklaufende Welle (in +z-Richtung zum Generator)
aus. Die Gesamtspannung und der Gesamtstrom ergebend sich gem (4.17) und (4.18) durch
berlagerung dieser Wellen. Lst man diese beiden Gleichungen unter Bercksichtigung von

Bild 4.4.: Leitung mit beliebiger komplexer Abschlussimpedanz ZV

4.4. Leitung mit beliebigem Abschluss

61

(4.19) nach den einzelnen Teilwellen fr Spannung und Strom auf, ergibt sich
UH (z) =

1
(U (z) + ZL I(z))
2

(4.22)

UR (z) =

1
(U (z) ZL I(z))
2

(4.23)

1
IH (z) =
2

U (z)
+ I(z)
ZL

(4.24)

1
IR (z) =
2

U (z)
I(z)
ZL

und



(4.25)

Damit lassen sich die Spannungen und Strme der einzelnen Teilwellen an jedem Ort berechnen, wenn die Gesamtspannung U (z) und der Gesamtstrom I(z) bekannt sind. Fr eine gegebene Leitung, und damit ein gegebenes ZL , lt sich der Zustand auf der Leitung am Ort
z damit stets durch genau zwei komplexe Gren definieren: Entweder U (z) und I(z) oder
UH (z) und UR (z) oder IH (z) und IR (z). Die einzelnen Gren sind dabei stets ber die Beziehungen (4.17), (4.18) und (4.22) bis (4.25) miteinander verknpft und lassen sich ineinander
umrechnen.
Bildet man das Verhltnis von rcklaufenden Wellen zu hinlaufenden Wellen erhlt man als
weitere wichtige Beschreibungsgre den Reflexionsfaktor r. Dividiert man (4.23) durch (4.22)
bzw. (4.25) durch (4.24) und bezeichnet die am Ort z wirksame Impedanz mit
Z(z) :=

U (z)
I(z)

(4.26)

so ergibt sich
UR (z)
IR (z)
r(z) :=
=
=
UH (z)
IH (z)

U (z)
I(z)
U (z)
I(z)

ZL
+ ZL

Z(z) ZL
Z(z) + ZL

(4.27)

Gleichung (4.27) liefert somit einen eineindeutigen Zusammenhang zwischen der Impedanz
Z(z), also dem Verhltnis von gesamter Spannung zum gesamten Strom und dem Reflexionsfaktor, also dem Verhltnis der Amplitude der hinlaufenden Welle zur Amplitude der rcklaufenden Welle. Die zugehrige Umkehrabbildung zur Berechnung der Impedanz Z aus dem
Reflexionsfaktor r ergibt sich direkt aus (4.27) zu
Z(z) = ZL

1 + r(z)
1 r(z)

(4.28)

4. Leitungstheorie

62
Direkt am Ort des Verbrauchers bei z = 0 ist
Z(z) = Z(0) =

U (0)
= ZV
I(0)

(4.29)

und damit ergibt sich fr den zugehrigen Reflexionsfaktor


rV = r(0) =

ZV ZL
Z(0) ZL
=
Z(0) + ZL
ZV + ZL

(4.30)

Um den Reflexionsfaktor an einem beliebigen Ort zu berechnen, lt sich direkt aus (4.27) und
(4.17) eine einfache Vorschrift ableiten:
r(z) =

UR (z)
UR (0) ez
UR (0) 2z
=
=
e
= r(0)e2z = rV e2z
z
UH (z)
UH (0) e
UH (0)

(4.31)

Der Reflexionsfaktor an einem beliebigen Ort der Leitung ergibt sich damit einfach durch Multiplikation des Reflexionsfaktors r(0) am Leitungsende mit dem Term e2z , was in der komplexen Zahlenebene (r-Ebene) einer Drehstreckung entspricht. Fr eine dmpfungsfreie Leitung,
also = 0 geht (4.31) in
z

r(z) = r(0)e2jz = rV e2jz = rV ej4

(4.32)

ber, was einer reinen Drehung des Reflexionsfaktors in der r-Ebene um den Winkel 4 z entspricht. Aufgrund dieses einfachen Zusammenhangs spielt der Reflexionsfaktor eine entscheidende Rolle bei der Betrachtung von Leitungen. Da sich der Reflexionsfaktor r(z) entlang der
Leitung ndert, ndert sich im Allgemeinen auch die Impedanz Z(z) gem (4.28) entlang der
Leitung. Dies kann dazu benutzt werden, Impedanzen zu transformieren. Aus den Gleichungen
(4.20) und (4.21) folgt fr die ortsabhngige Impedanz
Z(z) =

U (0) cosh(z) + I(0)ZL sinh(z)


U (z)
=
I(z)
sinh(z)
I(0) cosh(z) + UZ(0)
L
= ZL

ZV cosh(z) + ZL sinh(z)
ZL cosh(z) + ZV sinh(z)

(4.33)
.

Diese Beziehung ist deutlich komplizierter als (4.31) bzw. (4.32), d.h. die Transformation von
Leitungen lt sich durch Einfhrung des Reflexionsfaktors einfacher beschreiben als nur durch
die Impedanz. Ein wichtiger Sonderfall ergibt sich, wenn die Abschlussimpedanz ZV gleich
dem Wellenwiderstand ZL der Leitung gewhlt wird. Dann folgt aus (4.33)
Z(z) = ZV = ZL

(4.34)

4.5. Die verlustfreie Leitung bei Anpassung

63

d.h. die Impedanz auf der Leitung ist ortsunabhngig durch ZL gegeben. Das heit in diesem
Fall findet keine Transformation der Impedanz durch die Leitung statt. Aufgrund von (4.30)
ist dann r(z) = 0, d.h. es findet keine Reflexion am Verbraucher ZV statt und es gibt keine
rcklaufende Welle UR (z). In diesem Fall spricht man davon, dass ZV an den Wellenwiderstand
ZL der Leitung angepasst ist.
Mit den bisher behandelten Gleichungen lt sich die Wellenausbreitung auf TEM-Leitungen
bereits vollstndig beschreiben. In der Praxis treten dabei sehr hufig Spezialflle auf, die bestimmte Vereinfachungen erlauben. In den folgenden Abschnitten werden diese detailiert behandelt.

4.5. Die verlustfreie Leitung bei Anpassung


Der Regelfall bzw. das Ziel des Einsatzes von Leitungen ist es, Energie verlustlos und angepasst
dem Verbraucher zuzufhren. Daraus folgen die Randbedingungen:
R0 = 0

G0 = 0
Welle nur zum Verbraucher (in z-Richtung) UR = 0 und IR = 0

Das Ersatzschaltbild aus Bild 4.3 vereinfacht sich zur Schaltung in Bild 4.5.
Die relevanten Gleichungen vereinfachen sich damit zu:
= j

= L0 C 0

=0

ZL =

L0
C0

Bild 4.5.: Verlustfreie Leitung

(4.35)

(4.36)

4. Leitungstheorie

64
U (z) = U (0) ejz

(4.37)

I(z) = I(0) ejz

(4.38)

Die Phasengeschwindigkeit vP ergibt sich daraus zu


vP =

=
= c0 = Lichtgeschwindigkeit fr r = r = 1

L0 C 0

(4.39)

Bei Anwesenheit eines Materials mit einer Dielektrizittszahl r > 1 bzw. einer Permeabilittszahl r > 1 gilt
c0

r r

(4.40)

2
c0
vP
0
=
=
=
=
f
f

f r r
r r

(4.41)

vP =
Hiermit berechnet sich die Wellenlnge zu
=

Der Wert ist also die Wellenzahl, die sich aus = 2/ herleitet.
Da in diesem Abschnitt Verlust- und Reflexionsfreiheit vorausgesetzt wurde, berechnet man die
transportierte Leistung, welche rein reell und konstant ist, lngs der Leitung zu
1
1 U02
1
P (z) = P (0) = U0 I0 = I02 ZL =
2
2
2 ZL

(4.42)

wobei U0 und I0 die rellen Amplituden (Scheitelwerte) der Spannung bzw. des Stromes bedeuten. Die orts- und zeitabhngigen Gren fr Spannung und Strom ergeben sich zu
u(z, t) = U (0)ejz ejt

i(z, t) = I(0)ejz ejt

(4.43)

mit den reellen Momentanwerten


i
h 

Re{u(z,t)} = U0 cos(t + z) = U0 cos t + L0 C 0 z


h 
i

Re{i(z,t)} = I0 cos(t + z) = I0 cos t + L0 C 0 z

(4.44)
(4.45)

4.6. Strom- und Spannungsverteilung

65

Bild 4.6.: Leitung mit Fehlanpassung

4.6. Strom- und Spannungsverteilung auf einer Leitung


in Abhngigkeit vom Abschlusswiderstand
Zur Berechnung des Verlaufs von Strom und Spannung werden zunchst verlustfreie Leitungen
betrachtet. Die Zhlrichtungen zur Festlegung der Phasenbeziehungen sind in Bild 4.6 dargestellt.
Ein wesentliches Merkmal einer Leitung ist, dass sie Energie nur in Form von so genannten
Wellen transportieren kann und dass diese Wellen stets in einem vorgeschriebenen Verhltnis
von Strom und Spannung auftreten, wobei gilt:
UR
UH
=
= ZL =
IH
IR

L0
C0

(4.46)

Diese Bedingung ist identisch mit der allgemein fr fortschreitende Wellen geltenden Bedingung, dass in der Welle im zeitlichen Mittel gleichviel Energie im elektrischen Feld und im
magnetischen Feld bertragen wird.
dWe =

1
1 2
U C = U 2 C 0 dz
2
2

(4.47)

dWm =

1 2
1
I L = I 2 L0 dz
2
2

(4.48)

Setzt man (4.46) in eine dieser Gleichungen ein, so zeigt sich, dass folgendes gilt:
dWe = dWm

(4.49)

Die von einer Welle transportierte Energie kann am Ende der Leitung nur ein solcher Verbraucher aufnehmen, der das gleiche Verhltnis U/I = ZL hat.

4. Leitungstheorie

66

Der Verbraucher muss also ein reeller Widerstand R = ZL sein. Wenn der Verbraucher nicht
gleich dem Wellenwiderstand der Leitung ist, kann er die von der Welle angebotene Energie
nicht voll aufnehmen. Hat der Verbraucher z.B. einen greren Widerstand, so kann er bei der
von der Welle angebotenen Spannung U nur den Teil des angebotenen Stromes aufnehmen,
der seinem Quotienten U/I = R entspricht. Die vom Verbraucher nicht aufgenommene Energie luft auf der Leitung als reflektierte Welle zur speisenden Quelle zurck. Man hat somit
auf einer Leitung mit Fehlanpassung, d.h. einem Abschlusswiderstand Z(0) 6= ZL , zwei sich
berlagernde Wellen. Die komplexe Amplitude der reflektierten Spannung UR (z) an einer beliebigen Stelle z, setzt sich zusammen aus:
UR (z) = UR (0) ejz

= |UR (0)|ejR ejz

(4.50)

wobei R die Phase der reflektierten Spannung ist.


Der Lsungsansatz (4.9) fr die Wellengleichung stellt den allgemeinsten Wellenzustand auf
einer Leitung dar. Da die Wellengleichung sowohl fr Strme als auch fr Spannungen gelst
werden kann, erhlt man folgendes Gleichungspaar (siehe Bild 4.6):
U (z) = UH (z) + UR (z) = UH (0) ejz + UR (0) ejz
I(z) = IH (z) IR (z) = IH (0) ejz IR (0) ejz

(4.51)
(4.52)

Die Maschengleichung (4.2) kann fr den Strom fr jede Teilwelle getrennt gelst werden,
woraus mit (4.4) und (4.19) folgt
IR (z) =

1
UR (z)
1 dUR (z)
= j
UR (z) = +
0
0
jL dz
jL
ZL

(4.53)

IH (z) =

1 dUH (z)
1
UH (z)
= j
UH (z) = +
,
0
0
jL dz
jL
ZL

(4.54)

Gleichung (4.53) und (4.54) in (4.52) eingesetzt und diese wiederum in (4.51) ergibt:
1
(U (z) + ZL I(z))
2
1
UR (z) =
(U (z) ZL I(z))
2

UH (z) =

(4.55)
(4.56)

Das Verhltnis von rcklaufender Spannung UR zu hinlaufender Spannung UH ergibt den Re-

4.6. Strom- und Spannungsverteilung

67

Bild 4.7.: Amplitudenverlauf der Spannung lngs einer Leitung mit reflektierter Welle
flexionsfaktor r. Da ZL = UH /IH bzw. ZL = UR /IR , gilt entsprechendes auch fr die Strme.
r(z) =

UR (z)
IR (z)
=
UH (z)
IH (z)

r(z) = |r(z)| ej

(4.57)
(4.58)

Der Betrag |U (z)| der Spannung nach (4.51) lngs der Leitung zeigt den charakteristischen
Verlauf nach Bild 4.7. Dem UH berlagert sich der Einfluss des UR . Es gibt Punkte z, in denen
UR und UH gleichphasig sind und sich zum Maximalwert Umax = |UH | + |UR | addieren. Im
Abstand einer Viertelwellenlnge von diesem Ort hat sich die Phase der einen Welle um /2,
die Phase der anderen Welle nach (4.50) um /2 verschoben. Dort sind also die Spannungen
der beiden Wellen gegenphasig und subtrahieren sich zum Minimalwert Umin = | |UH | |UR | |.
Fr den Strom gelten die gleichen Gesetze, also auch die gleichen Kurven wie in Bild 4.7,
jedoch sind die Kurven des Stromes um /4 gegen die Kurven der Spannung verschoben, weil
zwar nach (4.53) und (4.54) der reflektierte Strom IR in Phase mit der Spannung UR liegt, sich
aber die Strme IH und IR subtrahieren, whrend sich die Spannungen UH und UR addieren.
Die Strommaxima liegen also am Ort der Spannungsminima und umgekehrt.
Das Verhltnis der maximalen Amplituden zu den minimalen Amplituden von Spannung bzw.
Strom ist der Welligkeitsfaktor s, auch Stehwellenverhltnis VSWR (Voltage Standing Wave

4. Leitungstheorie

68
Ratio) genannt:
s = VSWR =

1 + |r|
Imax
|UH | + |UR |
Umax
=
=
=
Umin
Imin
||UH | |UR ||
1 |r|

(4.59)

Damit wird die Schwankung der Spannung und des Stromes lngs der Leitung beschrieben.
Der Kehrwert 1/s wird Anpassungsfaktor m genannt:
m=

Umin
Imin
1 |r|
1
=
=
=
s
Umax
Imax
1 + |r|

(4.60)

Das VSWR kann Werte zwischen 1 und annehmen, whrend m nur zwischen 0 und 1 liegen
kann. Betrachtet man als Sonderfall einen reellen Abschlusswiderstand ZV = RV , so ergibt sich
fr den Anpassfaktor nach (4.60) mit (4.30)

ZL

RV
RV + ZL |RV ZL |
m=
=
RV + ZL + |RV ZL |
RV

ZL

d.h. es gilt RV =

1
m

fr

RV > ZV
,

fr

(4.61)

RV < ZV

ZL fr RV > ZV und RV = m ZL falls RV < ZV ist.

Da sich Strme und Spannungen lngs der Leitung bei Fehlanpassung periodisch ndern, durchluft auch die Impedanz, die zu dem jeweiligen Spannungs-/Stromverhltnis U (z)/I(z) gehrt,
einen definierten Wertebereich. In Bild 4.8 ist der Verlauf von Spannung und Strom qualitativ
dargestellt, wobei an der Stelle z = 0 ein reeller Abschluss RV = mZL = 0,5 ZL gewhlt
wurde. Die Gre und der Phasenwinkel einer am Leitungsende reflektierten Welle hngen
wesentlich davon ab, wie der Verbraucher vom Wellenwiderstand abweicht, d.h. ob sein Widerstand grer oder kleiner ist, und ob er eine induktive oder eine kapazitive Phase besitzt.
Um die Art der Reflexion aus dem komplexen Widerstand Z2 des Verbrauchers berechnen zu
knnen, und dadurch den Zustand auf der Leitung kennen zu lernen, ist es zweckmig, (4.51)
und (4.52) fr Strom und Spannung unter Verwendung der Eulerschen Formel
ejz = cos(z) j sin(z)

(4.62)

4.6. Strom- und Spannungsverteilung

69

Bild 4.8.: Spannung und Strom lngs der Leitung fr m = 0,5, wobei die Leitung mit dem
reellen Widerstand R2 = mZL = 0,5ZL abgeschlossen ist.
umzuformen in (vergleiche auch mit dem allgemeinen Fall in (4.20) und (4.21))
U (z) = U2 cos(z) + jI2 ZL sin(z)

(4.63)

U2
sin(z)
ZL

(4.64)

UH (0) UR (0)
ZL

(4.65)

I(z) = I2 cos(z) + j
mit dem Strom am Leitungsende
I2 = IH (0) IR (0) =
und der Spannung am Leitungsende

U2 = UH (0) + UR (0) = [IH (0) + IR (0)]ZL

(4.66)

Die Gleichungen (4.63) und (4.64) sind die so genannten Vierpolgleichungen der verlustfreien
Leitung, in denen der Zusammenhang zwischen den Betriebsgren am Ende der Leitung und
den Betriebsgren an einem beliebigen Ort z der Leitung dargestellt ist.

4. Leitungstheorie

70

Mit dem Verbraucher Z2 = U2 /I2 erhlt man daraus die so genannten Transformationsgleichungen der Leitung
U (z) = U2

I(z) = I2

(4.67)


Z2
cos(z) + j
sin(z)
ZL

(4.68)

ZL
sin(z)
cos(z) + j
Z2

Die Spannung und der Strom werden lngs der Leitung durch die komplexen Klammerfaktoren,
die vom Verhltnis Z2 /ZL abhngig sind, transformiert. Daraus ergibt sich durch Division von
(4.67) durch (4.68) der Eingangswiderstand Z1 einer Leitung der Lnge l am Ort z = l als
Quotient von U (l) und I(l):
1 + j ZZL2 tan(l)
U (l)
Z1 =
= Z2
I(l)
1 + j ZZL2 tan(l)

(4.69)

Man erkennt den komplexen Faktor, mit dem der Widerstand Z2 durch die Leitung transformiert
wird. Im Grenzfall fr l = /4 + n /2 greift man auf (4.67) und (4.68) zurck und erhlt mit
cos(z) = 0 und sin(z) = 1
Z1 =

U (l)
Z2
= L
I(l)
Z2

(4.70)

Dieser Fall der Leitungslnge von /4 wird in der Praxis hufig angewandt. Seine Eigenschaften
zur Kompensation von Blindwiderstnden werden deshalb in Abschnitt 5.3 ausfhrlich behandelt.

4.7. Nherungslsung fr Leitungen mit kleinen


Verlusten
Verluste in schwach gedmpften Leitungen entstehen zum einen durch induktive Stromverdrngung im Leiter (Skineffekt) und durch dielektrische Verluste der Querkapazitten. Diese
Verluste werden charakterisiert durch ihre Verlustwinkel:
tan L =

R0
L0

tan C =

G0
C 0

(4.71)

4.7. Nherungslsung fr Leitungen mit kleinen Verlusten

71

Bercksichtigt man (4.71) bei der Berechnung der Ausbreitungskonstanten nach (4.8), so
erhlt man
= + j =

jL0

p
(jL0 + R0 ) (jC 0 + G0 )

jC 0

R0
1j 0
L

 

G0
1j
C 0

(4.72)

= j L0 C 0 1 j tan L j tan C tan L tan C .


Fr schwach gedmpfte Leitungen gilt R0  L0 und G0  C 0 und damit fr die Verlustwinkel
tan L  1

tan C  1.

(4.73)

fr kleine

(4.74)

und

Benutzt man dies und nimmt weiterhin die Nherung

1+1+

zu Hilfe, erhlt man


= j

L0 C 0



j
1 (tan L + tan C )
2

1
= j L0 C 0 + L0 C 0
2

G0
R0
+
L0 C 0

(4.75)

Fr den Leitungswellenwiderstand nach (4.19) werden der Widerstandsbelag R0 und der Leitwertbelag G0 vernachlssigt, so dass sich ein reeller Leitungswellenwiderstand
ZL =

L0
C0

(4.76)

wie im Fall der verlustlosen Leitung ergibt. Damit ergeben sich die Phasenkonstante und der
Dmpfungsbelag zu:

= L0 C 0

R0
ZL
|{z}

Lngsdmpfung

(4.77)

G0 ZL
| {z }

Querdmpfung

(4.78)

4. Leitungstheorie

72

Fr die hinlaufende Welle ergeben sich die rellen Scheitelwerte von Strom und Spannung lngs
der Leitung zu
I0 (z) = I0 (0)ez

(4.79)

U0 (z) = U0 (0)e

(4.80)

Die komplexen orts- und zeitabhngigen Werte von Strom und Spannung sind
u(z, t) = U0 (0)ejz ez ejt

(4.81)

i(z, t) = I0 (0)ejz ez ejt

(4.82)

Die Dmpfung D fr ein Leitungsstck der Lnge z ergibt sich aus dem Verhltnis der Leistungen auf der Leitung
P (z)
D
= 10 lg
dB
P (0)

(4.83)

1 P (z)
D
=
ln
Np
2 P (0)

(4.84)

und wird meist in dB angegeben. Frher war die Angabe in Neper (Np) gebruchlich. Auch den
Dmpfungsbelag gibt man blicherweise in der Einheit dB/m an. Die Umrechnung von der
Einheit Np/m (Neper, bezglich Basis e) auf dB/m ist gegeben durch

= 8,69
dB/m
Np/m

(4.85)

Die Lngs- und Querdmpfung in (4.78) besitzen unterschiedliche Frequenzabhngigkeiten, die


im Folgenden untersucht werden.
Bei hohen Frequenzen ist der Skineffekt so stark ausgeprgt, dass die Eindringtiefe klein ist gegen sonstige Dimensionen, z.B. den Leiterdurchmesser. Der bei zylindrischen Leitern fr niedrige Frequenzen notwendige Ansatz mit Besselfunktionen kann daher durch die Angabe einer
effektiven Leitschichtdicke s ersetzt werden, die von der Frequenz und den Materialeigenschaften abhngt. Der Lngswiderstand R0 ist der effektiven Leitschichtdicke s und der spezifischen
Leitfhigkeit umgekehrt proportional.
Er steigt mit der Wurzel aus der Frequenz:
1
R0
=
s

mit

s=

(4.86)

4.7. Nherungslsung fr Leitungen mit kleinen Verlusten

73

Beispiele fr die Eindringtiefe in Kupfer ( = 5,8 107 S/m):


f
s

1 MHz
66 m

10 MHz
21 m

100 MHz 1 GHz


6,6 m 2,1 m

10 GHz
0,66 m

Fr die Lngsdmpfung ergibt sich hieraus eine Frequenzabhngigkeit


R0

1 R0

=
2 ZL
ZL

(4.87)

Fr die Querdmpfung G0 gilt zunchst


G0

1
1
= G0 ZL = C 0 tan c
2
2

L0
1
1
= tan c =
tan c
0
C
2
2 c

(4.88)

Dabei ist tan c , ebenso wie die Ausbreitungsgeschwindigkeit c, eine Materialeigenschaft des
Dielektrikums [8, 10] und hngt nur vom Material, nicht aber von der Geometrie der Leitung ab.
Die dielektrische Dmpfung hngt daher nur vom Material des Dielektrikums und von ab. Sie
kann nicht durch die Wahl des Wellenwiderstandes und damit der Querschnittsform beeinflusst
werden. Insbesondere hat eine dnne Leitung keine hheren dielektrischen Verluste als eine
dicke mit demselben Dielektrikum.
Bei guten Isolierstoffen sind die ohmschen Verluste deutlich kleiner als die dielektrischen Verluste durch den Verschiebungsstrom. Unter dieser Voraussetzung ist tan c nherungsweise frequenzunabhngig. Man erhlt dann einen der Frequenz direkt proportionalen Querleitbelag G0 :
G0

(4.89)

Dies ist physikalisch auch dadurch zu erklren, dass die dielektrischen Verluste proportional
der Hufigkeit (und damit der Frequenz) der Umpolarisierungsvorgnge innerhalb des Isoliermaterials sind.
Fr niedrige Frequenzen wird daher der Lngswiderstand, fr hinreichend hohe Frequenzen
der Querleitwert den wesentlichen Beitrag zur Leitungsdmpfung liefern. Im doppeltlogarithmischen Diagramm (Bild 4.9) erhalten wir dann fr beide Anteile Geraden mit der Steigung 1/2
bzw. 1 und fr die Gesamtdmpfung nherungsweise eine geknickte Gerade.
Die Frequenz, bei der Lngs- und Querdmpfung bereinstimmen, nennt man bernahmefrequenz f , d.h. Bei der bernahmefrequenz gilt
R0 (f ) = G0 (f ) .

(4.90)

74

4. Leitungstheorie

Bild 4.9.: Leitungsdmpfung in Abhngigkeit von der Frequenz (Beispiel)

5. Anwendung von Leitungen bei


hheren Frequenzen
5.1. Impedanztransformation mit Leitungen
5.1.1. Strom- und Spannungsverlauf
Ist die Leitung bei z = 0 mit einer beliebigen Impedanz ZV = Z2 des Verbrauchers, also dem
Reflexionsfaktor r2 = |r2 |ej2 , abgeschlossen erhlt man aus (4.51) und (4.52) fr die Betrge
von Spannung und Strom lngs der Leitung
|U (z)| = |UH (0) ejz + r2 UH (0) ejz |

(5.1)

|I(z)| = |IH (0) ejz r2 IH (0) ejz |

(5.2)

= |UH (0)| |ejz | |1 + r2 ej2z | = |UH (0)| |1 + r2 ej2z |




= |UH (0)| 1 + |r2 | ej(2 2z)

= |IH (0)| |ejz | |1 r2 ej2z | =


=


|UH (0)|
1 |r2 | ej(2 2z)
ZL

|UH (0)|
|1 r2 ej2z |
ZL

Damit lassen sich die Orte an denen Spannung und Strom Maximal-, bzw. Minimalwerte annehmen leicht berechenen. Die Spannung wird minimal, wenn sich die hinlaufende und die
rcklaufende Welle destruktiv berlagern, d.h. wenn fr den letzten Term in (5.1) gilt:
Spannungsminima:

2 2z = + n 2

mit

nZ

(5.3)

Entsprechend wird die Spannung maximal falls sich die hin- und rcklaufende Welle der Spannung konstruktiv berlagern, d.h. wenn gilt:
Spannungsmaxima:

2 2z = n 2

mit

nZ

(5.4)

75

76

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

Fr die Minima und und Maxima des Stromes gelten wegen des negativen Vorzeichens in (5.3)
genau die umgekehrten Beziehungen, d.h. der Strom ist gerade dort minimal wo die Spannung
maximal ist und umgekehrt, also:
Stromminima:

2 2z = n 2

mit

nZ

(5.5)

2 2z = + n 2

mit

nZ

(5.6)

und
Strommaxima:

Ist die Abschlussimpedanz Z2 = R2 reell, so gilt, falls Z2 < ZL ist, fr die Phase des Reflexionsfaktors 2 = . Fr den Fall Z2 > ZL ist die Phase 2 = 0.
Zur Veranschaulichung soll deshalb zunchst der Fall des reellen Abschlusswiderstandes Z2 =
R2 < ZL diskutiert werden. Der allgemeine Fall einer Leitung mit beliebig komplexem Abschluss wird in Abschnitt 5.3 behandelt. Der reelle Abschlusswiderstand am Ende der Leitung
mit einem Wert R2 < ZL bewirkt gem (4.30) einen reellen Reflexionsfaktor r2 am Leitungsende mit r2 < 0, also 2 = . Fr die Orte der Spannungsminima ergeben sich daher gem
(5.3)
2zmin = n 2

zmin = n
2

nZ

(5.7)

d.h. ein Spannungsminimum befindet sich fr n = 0 direkt am Leitungsende z = 0 des Verbrauchers. Die weiteren Minima wiederholen sich auf der Leitung dann periodisch in Abstnden von
/2.
Die Spannungsmaxima ergeben sich auf die gleiche Weise aus (5.4) zu
2zmax = + n 2

zmax = + n
4
2

nZ

(5.8)

Der Minimalwert der Spannung Umin ergibt sich aus (4.67) fr z = zmin und damit
cos(zmin ) = 1 und

sin(zmin ) = 0

zu
Umin = |U2 | .

(5.9)

5.1. Impedanztransformation mit Leitungen

77

Der Maximalwert Umax folgt fr z = zmax und damit


cos(zmax ) = 0 und

sin(zmax ) = 1

aus (4.67), wenn man noch (4.61) bercksichtigt zu


Umax = |U2 |

ZL
1
ZL
= Umin
= Umin
R2
R2
m

(5.10)

Die Amplitude der Spannung lngs der Leitung ist damit nach (4.67)
|U (z)| = Umax

q
sin2 (z) + (m cos(z))2

(5.11)

Der Maxima des Stromes sind nach (4.68) gegenber der Spannung um /4 verschoben
|I(z)| = Imax

p
cos2 (z) + (m sin(z))2

(5.12)

Imax ergibt sich fr z = 0 zu


Imax = |I2 |

(5.13)

Imin ergibt sich fr z = /4, also z = /2 aus (4.68) zu:


Imin = |I2 |

R2
R2
= Imax
= Imax m
ZL
ZL

(5.14)

Da zudem |U2 |/|I2 | = R2 gilt, folgt aus (5.10) und (5.14) die wichtige Beziehung
Umax
Umin
=
= ZL
Imax
Imin

(5.15)

Schreibt man der Spannung U2 und dem Strom I2 die Phase 0 zu, so ergibt sich aus der Klammer
in Gleichung (4.67) die Phase der Spannung an einem beliebigen Ort z fr Z2 = R2 zu
tan =

ZL
1
Im U (z)
=
tan(z)
tan(z) =
Re U (z)
R2
m

(5.16)

und die Phase des Stromes aus der Klammer in (4.68) zu


tan =

R2
Im I(z)
=
tan(z) = m tan(z)
Re I(z)
ZL

(5.17)

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

78

In Bild 5.1 zeigt die Kurve I den linearen Verlauf der Phasen von Strom und Spannung im
angepassten Zustand Z2 = ZL , die Kurve II die Phase der Spannung nach (5.16) und die
Kurve III die Phase des Stromes nach (5.17), jeweils fr m = 0,5. Die Kurven IV und V
gelten fr Spannung und Strom bei Kurzschluss bzw. Leerlauf (m = 0).
Die Phasen schwanken periodisch um die mittlere Gerade I und zwar um so mehr, je kleiner m
ist. Diese Kurven geben das Anwachsen der Phasenwinkel bei konstanter Frequenz mit wachsendem Abstand z vom Leitungsende an, aber auch das Anwachsen der Phasenwinkel an einem
konstanten Ort z (z.B. Leitungseingang) mit wachsender Frequenz, weil stets proportional
zur Frequenz ist.

5.1.2. Eingangswiderstand und m-Kreis


Fr den Eingangswiderstand Z1 der Leitung ergibt sich aus (4.69) fr den Sonderfall eines
reellen Abschlusswiderstandes R2 = mZL < ZL am Ort z = l mit = 2/

m + j tan 2l

Z1 = R1 + jX1 = ZL
1 + j m tan 2l

(5.18)

mit dem zugehrigen Real- bzw. Imaginrteil


R1

m 1 + tan2
= ZL
1 + m2 tan2

X1

(1 m2 ) tan
= ZL
1 + m2 tan2



2l

2l

2l

2l

(5.19)

(5.20)

Diese sehr komplizierte Formel wird in der Praxis fast ausschlielich mit Hilfe von Diagrammen oder Rechnern ausgewertet. Die Formel enthlt die Parameter m und l/. Betrachtet man
m als Konstante und variiert l/, so erhlt man die Eingangswiderstnde der Leitung bei gleichbleibendem Verbraucher R2 und verndertem l/, d.h. entweder vernderter Leitungslnge bei
konstanter Frequenz oder vernderter Frequenz bei konstanter Leitungslnge. Alle diese Werte Z1 mit gleichem m liegen in der komplexen Widerstandsebene auf einem Kreis, genannt
m-Kreis. Einen solchen Kreis findet man in Bild 5.2. Er hat die Gleichung


ZL
2

1
m
m

2

ZL
R1
2

1
+m
m

2

+ X12

(5.21)



Sein Mittelpunkt liegt auf der reellen Achse bei Z2L m1 + m und sein Radius ist Z2L m1 m .
Die Kreisgleichung (5.21) beweist man am einfachsten dadurch, dass man R1 und X1 aus (5.19)
und (5.20) einsetzt und dann die Identitt 0 = 0 erhlt.

5.1. Impedanztransformation mit Leitungen

Bild 5.1.: Phasen von Spannung (I, II, IV) und Strom (I, III, V) lngs der Leitung
I:
II,III:
IV, V:

m = 1, Anpassung
m = 1/2
m = 0, Kurzschluss bzw. Leerlauf

79

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

80

Der Kreis schneidet die reelle Achse in den Punkten mZL und ZL /m. Wenn man zu gegebenem
Verbraucher R2 den Eingangswiderstand Z1 gewinnen will, berechne man zunchst m und konstruiere den Kreis. Dann liegt das gesuchte Z1 auf diesem Kreis. Man bentigt weiterhin noch
eine Konstruktion, um bei gegebener Leitungslnge l den Ort des Z1 auf diesem Kreis zu finden.
Hierzu betrachtet man l/ in (5.24) als Konstante und m als Vernderliche. Dann erhlt man
die Eingangswiderstnde der Leitung bei gleichbleibender Leitungslnge und gleichbleibender
Frequenz, wenn der reelle Verbraucher R2 alle Werte zwischen 0 und ZL annimmt. Alle diese
Punkte Z1 liegen in der komplexen Widerstandsebene auf einem Kreis, genannt l/-Kreis; ein
Beispiel findet man in Bild 5.2. Der Kreis hat die Gleichung:
ZL

sin 4l

!2

R12

+ X1 + ZL cot

4l

2

(5.22)

Alle l/-Kreise gehen durch den Punkt ZL der rellen Achse. Zu gegebener Leitungslnge l und
gegebener Wellenlnge berechnet man l/ und zeichnet den l/-Kreis. Der gesuchte Eingangswiderstand Z1 ist in Bild 5.2 der Schnitt des zu R2 gehrigen m-Kreises und des zur Leitungslnge gehrenden l/-Kreises. Es gibt zwei Schnittpunkte dieser Kreise. Es ist derjenige
Schnittpunkt richtig, bei dem zwischen Verbraucher R2 = mZL und dem Eingangswiderstand
Z1 nach der im Bild 5.2 gegebenen Konstruktion der Winkel 4 l/ liegt. Ein gegebener Verbraucher R2 wird durch die vorgeschaltete Leitung auf seinem m-Kreis im Uhrzeigersinn bis zu
dem betreffenden l/-Kreis so verschoben, dass sich im Punkt ZL der Drehwinkel 4 l/ zwischen den l/-Kreisen bildet (Transformationsweg in Bild 5.2). Jedes Leitungsstck der Lnge
/2 ergibt einen vollen Umlauf auf dem m-Kreis. Transformierend wirkt bei einer solchen Leitung also stets nur die berschssige Lnge l n/2.
Da das Konstruieren der Kreise des Bildes 5.2 im Allgemeinen zu umstndlich ist, ist es blich,
mit normierten Kreisdiagrammen zu arbeiten. Ein solches Kreisdiagramm verwendet relative Widerstnde Z1 /ZL . Der Wellenwiderstand ZL ergibt den relativen Punkt 1 auf der reellen
Achse. Die Kreise (5.21) und (5.22) haben im relativen Diagramm die Gleichungen
2
2  2


 
R1 1 1
X1
1 1
m

+m
=
+
2 m
ZL 2 m
ZL
1
sin

4l

!2

R1
ZL

2

X1
+ cot
ZL

4l

2

(5.23)

(5.24)

Diese Kreise sind fr m-Werte blicherweise in Abstnden von 0,1 und fr l/-Werte in Abstnden von 0,01 gezeichnet. Ein solches Diagramm wird als Leitungsdiagramm 1.Art oder als

5.1. Impedanztransformation mit Leitungen

81

Bild 5.2.: m-Kreis und Transformation reeller Widerstnde R2 = mZL


Buschbeck-Diagramm bezeichnet. In der Praxis finden diese Diagramme aber keine Verwendung mehr, sondern man bedient sich der sogenannten Smith-Diagramme, die in Abschnitt 5.2
vorgestellt werden.

5.1.3. Eingangsleitwert einer Schaltung


Der Eingangsleitwert Y1 ergibt sich als Quotient des Stromes I aus (4.68) und der Spannung U
aus (4.67) fr z = l, sofern man Zhler und Nenner zuvor durch cos(z) geteilt hat, als

Y1 =

1 + j Y21ZL tan(l)
I(l)
= Y2
U (l)
1 + jY2 ZL tan(l)

(5.25)

Y2 = UI22 = Z12 ist der Leitwert des Verbrauchers bei z = 0. Es besteht eine formale hnlichkeit mit der Widerstandsformel (4.69), die noch deutlicher wird, wenn man (5.25) fr normierte
Leitwerte schreibt. YL = Z1L ist der reziproke Wellenwiderstand, welcher Wellenleitwert genannt wird. YYL ist der normierte Leitwert. Aus (5.25) folgt:
Y
Y1
Y2 1 + j YL2 tan(l)
I(l)
=
=
YL
U (l)
YL 1 + j YY2 tan(l)
L

(5.26)

82

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

Bild 5.3.: bergang von normierten Widerstnden zu normierten Leitwerten


Gleichung (4.69) und (5.25) sind fr normierte Werte formal vllig identisch. Man kann daher
ein Buschbeck-Diagramm unverndert fr normierte Leitwerte verwenden.
Ein weiterer wichtiger Zusammenhang zwischen dem normierten Leitwert Y /YL an einer beliebigen Stelle der Leitung und der zugehrigen normierten Impedanz Z/ZL soll anhand von Bild
5.3 veranschaulicht werden.
Ein m-Kreis und ein l/-Kreis haben stets zwei Schnittpunkte, deren komplexe Impedanzen
Z1 /ZL und Z2 /ZL auf der Leitung durch ein Leitungsstck der Lnge /4 getrennt sind. Fr
ein solches Leitungsstck gilt nach (4.70) die Beziehung
ZL
Z1
=
ZL
Z2

(5.27)

d.h. die normierten Impedanzen sind reziprok zueinander. Diese Reziprozitt fhrt dazu, dass
der zweite Schnittpunkt eines l/-Kreises mit einem m-Kreis den normierten Leitwert
Y
1
ZL
= Y ZL =
=
YL
Z/ZL
Z

(5.28)

darstellt, der zu der normierten Impedanz Z/ZL des ersten Schnittpunktes gehrt. Wenn man
also im Leitungsdiagramm von Widerstnden zu Leitwerten bergehen will, so bewegt man sich

5.2. Das Smith-Diagramm

83

von dem jeweils erreichten Z/ZL zu dem 2. Schnittpunkt der zugehrigen Diagrammkreise.
In der Praxis ist die Angabe des Wellenleitwertes einer Leitung eher unblich. Fr den bezogenen komplexen Leitwert Y /YL schreibt man daher bevorzugt Y ZL .

5.2. Das Smith-Diagramm


5.2.1. Konforme Abbildung in die r-Ebene
Das Widerstandsdiagramm nach Bild 5.2 wird fr Impedanzen Z mit groem Real- oder Imaginrteil schwer handhabbar, da das Diagramm in seiner Ausdehnung nicht begrenzt ist. Es ist
daher nur zur Transformation von Widerstnden oder Leitwerten geeignet, die in der Umgebung
des Anpasspunktes liegen.
Gesucht ist daher eine konforme Abbildung mit einer gebrochen linearen Funktion der Form
w(z) =

az + b
cz + d

(5.29)

mit der es gelingt, den gesamten Bereich der komplexen Widerstandshalbebene in einen Kreis
abzubilden. Da alle Kurven des Widerstandsdiagramms stetig sind, ist eine eindeutige Abbildung mglich.
Eine solche Funktion erhlt man ber die Definition des komplexen Reflexionsfaktors nach
(4.57). Setzt man hier (4.55) und (4.56) ein und dividiert durch den Strom I(z), so erhlt man
die Abbildungsvorschrift (vergleiche auch (4.27))
1
(U (z) ZL I(z))
Z(z) ZL
UR (z)
2
r(z) =
=
= 1
Z(z) + ZL
UH (z)
(U (z) + ZL I(z))
{z
}
|2

(5.30)

(4.55),(4.56)

bzw.

1 + r(z)
Z(z)
=
ZL
1 r(z)

(5.31)

Sie definiert den bergang von der Widerstandsebene in die Reflexionsfaktorebene (r-Ebene)
und zurck. Entsprechend gilt auch fr die Leitwertebene
r(z) =

1 Y (z) ZL
1 + Y (z) ZL

(5.32)

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

84
bzw.

Y (z) ZL =

1 r(z)
1 + r(z)

(5.33)

Die Tranformation ist dabei nur fr reelle Leitungswellenwiderstnde ZL gltig.


Fr die konforme Abbildung nach (5.30) bzw. (5.32) gelten nach der Funktionentheorie folgende Regeln:
Winkeltreue im Kleinen (Schnittwinkel der Kurven bleiben erhalten)
Kreistreue (Kreise werden auf Kreise abgebildet)
Geraden sind als Kreise durch das Unendliche anzusehen
Orientierungstreue (Umlaufsinn bleibt erhalten)
Diese Regeln sind sehr hilfreich, wenn Kurven oder Gebiete aus dem Widerstands- oder Leitwertdiagramm in das Kreisdiagramm, oder umgekehrt, abgebildet werden sollen. Zur Veranschaulichung ist in Bild 5.4 der bergang verschiedener Kurvenscharen von der Widerstandsebene bzw. der Leitwertebene in das Kreisdiagramm dargestellt.
Wir betrachten nun einige dieser bergnge am Beispiel der Widerstandsebene. Alle Linien,
) gehen, laufen in der r-Ebene durch
welche in der Widerstandsebene nach Unendlich ( |Z|
ZL
den Punkt r = 1. Alle Linien, die durch den Nullpunkt des Widerstandsdiagramms fhren,
laufen in der r-Ebene durch den Punkt r = 1.
Charakteristisch fr die r-Ebene ist, dass sowohl die Abbildung der Geraden R = konst. und
X = konst., wie auch die der Kreise mit G = konst. und B = konst. des Widerstandsdiagramms immer auf Kreise oder Teilkreise fhrt (vgl. Bild 5.4; in horizontaler Richtung sind
immer gleiche Linien entsprechend in den unterschiedlichen Diagrammen dargestellt).
Bemerkenswert und fr die Praxis relevant ist, dass die Abbildung des Koordinatennetzes der
Widerstands- und Leitwertebene im r-Diagramm zu punktsymmetrischen Darstellungen fhrt
(vgl. Bild 5.4 links, 5.4 - 5.4 Mitte, 5.4 rechts sowie 5.4 links, 5.4 - 5.4 Mitte, 5.4 rechts).
Aufgrund der Abbildungsvorschrift nach (5.30) liegen komplexe Widerstnde mit induktivem
bzw. kapazitiven Blindanteil im oberen bzw. unteren Halbkreis des r-Diagramms.
Zur Arbeitsvereinfachung sind fertige Diagrammvorlagen in den zwei Ausfhrungen erhltlich,
welche Smith-Diagramm (SD) genannt werden (siehe Anhang C). Es ist jene das SD in Widerstandsform, in dem R = konst.- und X = konst.-Kreise fr verschiedene Werte von R/ZL
und X/ZL eingetragen sind, die andere das SD in Leitwertform, welches G = konst.- und
B = konst.- Kreise fr verschiedene Werte von GZL und BZL enthlt. Um eine universelle
Anwendbarkeit zu gewhrleisten, sind in den Smith-Diagrammen alle Werte normiert auf einen
Bezugswiderstand eingetragen. Man beachte jedoch, dass es sich bei den beiden Diagrammen
um ein und dieselbe Reflexionsfaktorebene handelt, in welche nur verschiedene Kurven einge-

5.2. Das Smith-Diagramm

Bild 5.4.: Konforme Abbildung


Kreisdiagramm

85

des

Widerstands-

und

Leitwertdiagramms

in

das

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

86

Bild 5.5.: Smith-Diagramm in Widerstandsform


zeichnet sind.
In folgender bersicht sind die wichtigsten Punkte und Linien des r-Diagramms, die sich aus
(5.30) ergeben, zusammengestellt.
Z/ZL
Z/ZL
Z/ZL
Z/ZL
Z/ZL

=0
=
=1
=j
= j

Kurzschluss
Leerlauf
Anpassung

r
r
r
r
r

= 1
= +1
=0
=j
= j

=
=0
=
= /2
= 3/2

l/
l/
l/
l/
l/

=0
= 0,25
=
= 0,125
= 0,375

ist der Phasenwinkel des komplexen Reflexionsfaktors nach der Definition


r = |r|ej

(5.34)

Die Bedeutung der Gre l/ wird in Abschnitt 5.2.2 erlutert.


In Anlehnung an (4.60) werden die Kreise |r| = konst. vielfach auch als m-Kreise bezeichnet,

5.2. Das Smith-Diagramm

87

Bild 5.6.: Smith-Diagramm in Leitwertform


da jeder Kreis |r| < 1 aufgrund der Abbildungsvorschrift
|r| =

1m
1+m

(5.35)

eindeutig durch einen m-Wert beschrieben ist. Das heit, alle Werte Z1 , die eine Impedanz
Z durch Vorschalten einer verlustfreien Leitung annehmen kann, liegen auf einem Kreis
|r| = konst. (vgl. Abschnitt 5.3). Da der m-Wert die Anpassverhltnisse speziell auf Leitungen
beschreiben soll und lngs verlustfreier Leitungen konstant bleibt, kann mittels
m=

Rmin
= Gmax ZL
ZL

(5.36)

der zu einem |r| = konst. Kreis gehrende m-Wert direkt aus dem Schnittpunkt des Kreises
mit der reellen Achse bei Rmin /ZL bzw. Gmax ZL abgelesen werden (Bilder 5.5 und 5.6).
Entsprechende berlegungen knnen auch fr das SD in Leitwertform nach (5.32) durchgefhrt
werden. Nachfolgend sind wiederum die wichtigsten Punkte und Linien zusammengefasst.

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

88
Y ZL
Y ZL
Y ZL
Y ZL
Y ZL

=
=0
=1
= j
=j

Kurzschluss
Leerlauf
Anpassung

r
r
r
r
r

= 1
= +1
=0
=j
= j

=
=0
=
= /2
= 3/2

l/
l/
l/
l/
l/

=0
= 0,25
=
= 0,125
= 0,375

Die positive reelle Halbachse der Widerstands- bzw. Leitwertebene [0,] wird auf das Intervall
[1, + 1] der r-Ebene abgebildet.

5.2.2. Anwendung des Smithdiagramms zur


Leitungstransformation
Im Smithdiagramm knnen alle bisher gezeigten Transformationen wie
Serienschaltungen von Blindelementen
Parallelschaltungen von Blindelementen
Serien- / Parallelschaltungen von Wirkelementen
Transformationen mit Leitungen
einfacher ausgefhrt werden. Speziell die in der Mikrowellentechnik zumeist eingesetzte Leitungstransformation wird durch diese Darstellung stark vereinfacht. Grund dafr ist, dass im
Gegensatz zu dem Diagramm in Bild 5.2 die m = konst. Kreise im r-Diagramm konzentrisch
sind, und die Linien l/ durch Geraden ausgehend vom Mittelpunkt r = 0 (auch Anpasspunkt
genannt) dargestellt werden. So ergibt es sich, dass gleiche Lngennderungen l/ immer zu
gleichen Winkelnderungen zwischen den l/ = konst. Geraden fhren.
Fr die Arbeit mit dem Smith-Diagramm bedeutet dies, dass eine Lngennderung l/ einer
verlustlosen Leitung einer Drehung des Reflexionsfaktors r (dabei |r| = konst.) um den Punkt
r = 0 entspricht. Dabei ist zu beachten, dass l/ im Smith-Diagramm immer kleiner als 0,5 ist,
da ein voller Umlauf von 360 einer Leitungslnge von l/ = 0,5 entspricht. Daraus folgt, dass
alle ganzzahligen Vielfachen von 0,5 unbercksichtigt bleiben.
Gem Abschnitt 5.1.1 ist der komplexe Reflexionsfaktor definiert als das Verhltnis zwischen
hin- und rcklaufender Spannungsamplitude
r(z) =

UR (z)
UH (z)

(5.37)

Die rcklaufende Spannung UR (l) am Ort z = l ergibt sich aus Bild 4.6 und (4.50) aus der
rcklaufenden Spannung am Ort z = 0 durch
UR (l) = UR (0) ejl

(5.38)

5.2. Das Smith-Diagramm

89

Bild 5.7.: Transformation des Reflexionsfaktors


Analog ergibt sich die hinlaufende Spannung am Ort l zu
UH (l) = UH (0) ejl

(5.39)

und damit der Reflexionsfaktor an der Stelle z = l zu


r(l) =

UR (0) 2jl
e
UH (0)

(5.40)

bzw. zu
r1 = r0 e2jl

(5.41)

Hierbei ist r0 der Reflexionsfaktor an der Stelle z = 0, der durch eine Impedanz Z(0) als
Abschluss einer Leitung nach Bild 5.7 erzeugt wird, und r1 der Reflexionsfaktor am Eingang
der Leitung bei z = l.

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

90

Man erkennt aus dem r-Diagramm, dass sich der Betrag des Reflexionsfaktors |r| eines beliebigen komplexen Widerstandes also durch Vorschalten einer ungedmpften Leitung nicht ndert.
Die Phase dreht innerhalb einer Wellenlnge zweimal vollstndig ber 360 durch. Die Leitung
wird dabei zweimal durchlaufen, einmal von der hin- und einmal von der rcklaufenden Welle.
Aufgrund des negativen Vorzeichens der Phase in (5.41) dreht der Reflexionsfaktor ausgehend
von r0 fr ansteigende Leitungslngen in mathematisch negativer Richtung weg (zum Generator
im Uhrzeigersinn).
Mit Gleichung (5.34) gilt auerdem
r1 = |r1 | ej1 = |r0 | ej(0 +)

(5.42)

Somit lsst sich eine Beziehung zwischen dem Drehwinkel um den Ursprung des rDiagramms und der daraus abzuleitenden Lngennderung einer Leitung l formulieren durch
=

4l

(5.43)

( ist negativ fr Drehung im Uhrzeigersinn.)


Da der Winkel der durch die Leitung verursachten Phasendrehung proportional l/ ist, wird
vielfach am Auenkreis des Smithdiagramms eine normierte Skala in l/ angebracht (siehe
Anhang C).
Anzumerken ist schlielich, dass smtliche vorausgegangenen berlegungen nicht nur fr eine
Leitungstransformation bei gegebener Frequenz gelten, sondern ebenso fr eine nderung der
Frequenz bei fester Leitungslnge.
Da die l/-Kreise der Leitungsdiagramme bzw. Schmidt-Buschbeck Diagramme (vgl. Abschnitt 5.1.2) im Smith-Diagramm Geraden durch den Anpasspunkt darstellen, ergibt sich dort
der normierte Leitwert aus dem normierten Widerstand einfach durch Spiegelung am Anpasspunkt Z/ZL = 1 (Bild 5.8). Dies entspricht gerade einer Drehung um /4, also um 180 .
Der Zusammenhang wird auch aus (4.69) ersichtlich. Setzt man fr das Leitungsstck l = /4
ein, erhlt man ebenfalls Bild 5.8.

5.2.3. Die Transformation durch Serien- oder Parallelschaltung


Die allgemeine Transformation einer Impedanz von einem komplexen Wert auf einen beliebigen anderen erfordert zustzlich zu der Transformation durch ein in Kette geschaltetes Leitungsstck die Serien- oder Parallelschaltung einer Impedanz. Dabei arbeitet man bei der Serienschaltung zweckmigerweise mit der Widerstandsform des Smith-Diagramms, bei der Par-

5.2. Das Smith-Diagramm

91

Bild 5.8.: Normierter Widerstand und normierter Leitwert im Smithdiagramm

Bild 5.9.: Serienschaltung konzentrierter Elemente im SD (Widerstandsform)


allelschaltung mit der Leitwertform. Schaltet man zu der normierten Impedanz Z/ZL bzw. Admittanz Y ZL ein Element Z/ZL bzw. Y ZL in Serie bzw. parallel, so ergeben sich folgende
Transformationswege im Smith-Diagramm:
Serienschaltung
Serienschaltung eines Wirkwiderstandes (einer Resistanz):
Die Impedanznderung erfolgt auf einer Ortskurve X/ZL = konst. des SmithDiagramms in Widerstandsform.
Serienschaltung eines Blindwiderstandes (einer Reaktanz):
Die Impedanznderung erfolgt auf einer Ortskurve R/ZL = konst. des SmithDiagramms in Widerstandsform.

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

92

Lp
Cp
Gp

Bild 5.10.: Parallelschaltung konzentrierter Elemente im SD (Leitwertform)


Parallelschaltung
Parallelschaltung eines Wirkleitwerts (einer Konduktanz):
Die Admittanznderung erfolgt auf einer Ortskurve BZL = konst. des Smith-Diagramms
in Leitwertform.
Parallelschaltung eines Blindleitwerts (einer Suszeptanz):
Die Admittanznderung erfolgt auf einer Ortskurve GZL = konst. des Smith-Diagramms
in Leitwertform.
Praktische Bedeutung fr Transformationsaufgaben besitzt vor allem die Parallelschaltung von
Blindleitwerten, da diese durch Leitungsstcke dargestellt werden knnen, die der Hauptleitung
parallelgeschaltet werden.
Durch Kombination der beiden geschilderten Transformationsarten, d.h. der Leitungstransformation mit einer in Kette geschalteten Leitung und der Serien- oder Parallelschaltung von Blindwiderstnden bzw. Leitwerten ist von einem beliebigen Punkt ausgehend jeder andere Punkt der
komplexen Ebene erreichbar.
Diese Zusammenhnge benutzt man unter anderem zur Leistungsanpassung einer Impedanz Z
an den reellen Wellenwiderstand ZL einer Leitung, d.h. um die komplexe Impedanz Z in den
Punkt Z/ZL zu berfhren.

5.3. Leitungstransformation
5.3.1. Leitung mit beliebig komplexem Abschluss
Nach Bild 5.11(a) kann man sich jeden komplexen Verbraucher Z2 als Kombination eines reellen Widerstands mZL mit einer ihm vorgeschalteten Leitung des Wellenwiderstands ZL und

5.3. Leitungstransformation

93

der Lnge l2 denken. Dabei ist m der Parameter des durch Z2 gehenden m-Kreises. l2 kann aus
dem Parameter l2 / des durch Z2 gehenden l/-Kreises berechnet werden.
Die Transformation eines beliebig komplexen Verbrauchers Z2 ber eine Leitung der Lnge l1
ist also nach Bild 5.11 identisch mit der Transformation eines reellen Verbrauchers mZL ber
eine Leitung der Lnge l2 + l1 . Jeder Verbraucher wird nach Bild 5.11(a) durch eine Leitung
auf seinem m-Kreis im Uhrzeigersinn verschoben. Der Parameter l2 / ist der Parameter des
l/-Kreises, auf dem in Bild 5.11(a) das gegebene Z2 liegt bzw. auf dem im normierten SmithDiagramm des Bildes 5.11(b) das normierte Z2 /ZL liegt. Der gesuchte Eingangswiderstand
Z1 liegt in Bild 5.11(a) bzw. Z1 /ZL in Bild 5.11(b) auf dem l/-Kreis mit dem Parameter
l2 / + l1 /.
Bild 5.12 gibt einen berblick ber die Gre des l2 . Wenn Z2 eine induktive Phase hat, also
oberhalb der reellen Achse liegt, ist l2 / < 0,25 bzw. l2 < /4. Wenn Z2 zwar reell, aber
grer als ZL ist, liegt Z2 rechts von ZL auf der reellen Achse, und es ist l2 / = 0,25, also
l2 = /4. Wenn Z2 eine kapazitive Phase hat, also unterhalb der reellen Achse liegt, ist 0,25 <
l2 / < 0,5 und /4 < l2 < /2. Strom und Spannung auf einer mit beliebig komplexem Z2
abgeschlossenen Leitung verlaufen nach den gleichen Kurven wie auf einer um l2 lngeren mit
R2 < ZL abgeschlossenen Leitung nach Bild 5.12 oben. Es ist lediglich der Anfangspunkt der
Kurven um l2 verschoben, wie dies in Bild 5.12 angedeutet ist.
Selbstverstndlich kann obige Transformation nicht nur im Widerstandsdiagramm nach Bild
5.11(a), sondern auch im Smith-Diagramm, wie in Bild 5.11(b) dargestellt, durchgefhrt werden.

5.3.2. Spezielle Flle der Transformation mit Leitungen


/4-Transformation reeller Widerstnde
Ein reeller Verbraucher R2 wird durch eine vorgeschaltete /4-Leitung in den reellen Eingangswiderstand R1 transformiert wie in Bild 5.13 dargestellt. Der Wellenwiderstand der Leitung
folgt aus (4.70) zu
ZL =
wobei der m-Kreis durch

p
R1 R2

R2
ZL
=m=
ZL
R1
definiert ist.

(5.44)

(5.45)

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

94

(a) Buschbeckdiagramm

(b) Smithdiagramm

(c) Leitung

Bild 5.11.: Transformation komplexer Widerstnde

5.3. Leitungstransformation

Bild 5.12.: Spannung und Strom lngs einer Leitung fr m = 0,5


a)
b)
c)
d)

bei reellem Abschluss R2 = mZL < ZL


bei komplexem Abschluss mit induktiver Phase
bei reellem Abschluss R2 = ZL /m > ZL
bei komplexem Abschluss mit kapazitiver Phase

95

96

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

Bild 5.13.: /4-Transformation reeller Widerstnde


Ein solcher sog. /4-Transformator wird hufig benutzt, um zwei Leitungen mit verschiedenen
Wellenwiderstnden ZL1 6= ZL2 aneinander anzupassen. Der Nachteil dieser Schaltung ist ihre
Schmalbandigkeit, da die /4-Bedingung nur fr eine Frequenz erfllt ist.
Anpassung durch einen Parallelblindwiderstand
Man kann Leitungen auch mit Blindwiderstnden kombinieren und auf diese Weise zahlreiche
weitere Schaltungen erhalten. Eine bekannte Anwendung ist die Anpassungsschaltung aus Bild
5.14.
Ein beliebig komplexer Verbraucher Z2 soll in den reellen Widerstand ZL transformiert werden,
der gleich dem Wellenwiderstand der vorgeschalteten Leitung ist. Diese Aufgabe soll im Widerstandsdiagramm fr normierte Widerstnde Z/ZL durchgefhrt werden. Die Leitung transformiert das gegebene Z2 /ZL auf seinem m-Kreis im Uhrzeigersinn und zwar bei noch frei
verfgbarer Leitungslnge in jeden Punkt dieses Kreises.
In Bild 5.14 unten ist ferner der durch 1 laufende Kreis konstanten Wirkleitwerts (G = konst.)
dargestellt. Z1 /ZL und Z1 /ZL sind die Schnittpunkte der beiden Kreise. Man transformiert das
gegebene Z2 /ZL ber eine Leitung der Lnge l nach Z1 /ZL . Die hierfr erforderliche Lnge
l gewinnt man aus dem Parameter l/ = l1 / l2 / des l/-Kreises durch Z1 /ZL und aus
dem Parameter l2 / des l/ Kreises durch Z2 /ZL . Das Z1 /ZL kann man auf dem Kreis G =
konst. durch eine Parallelinduktivitt L in den gewnschten Punkt 1 transformieren. Den hierfr

5.3. Leitungstransformation

Bild 5.14.: Anpassung durch einen Querblindwiderstand

97

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

98

erforderlichen Blindwiderstand Xp = L kann man aus (3.18) berechnen.


XL = X1

L =

R2 + X12
|Z1 |2
= 1
X1
X1

(5.46)

Man kann aber auch das gegebene Z2 /ZL nach Bild 5.14 durch Vorschalten einer Leitung der
Lnge l in den Wert Z1 /ZL transformieren und dann durch Parallelschalten einer Kapazitt C
auf dem Kreis G = konst. den Punkt 1 erreichen. Da Z1 spiegelbildlich zu Z liegt, ist der erforderliche Blindwiderstand 1/C der Kapazitt C ebenso gro wie der in (5.46). Man kann also
jeden beliebigen komplexen Verbraucher (mit Ausnahme von verlustfreien Blindwiderstnden)
unter Verwendung eines lngs der Leitung verschiebbaren und in seiner Gre einstellbaren
Blindwiderstandes parallel zur Leitung an den Wellenwiderstand der Leitung anpassen. Zur
Einstellung der richtigen Transformation mssen Ort und Gre des Blindwiderstandes jeweils
in bestimmter Weise gewhlt werden.
/4-Kompensation von kleinen Strblindwiderstnden
Es ist nicht einfach, vllig homogene Leitungen zu bauen. Aus konstruktiven Grnden entstehen
rtliche Strungen der Homogenitt. Beispiele sind Stecker, Knicke usw. Eine bekannte Abhilfe
gegen unerwnschte Folgen solcher Strungen ist die so genannte /4-Kompensation.
In Bild 5.15 ist eine Leitung mit einem angepassten Verbraucher ZL abgeschlossen und die Anpassung auf der Leitung durch eine unvermeidliche Blindstrung, z.B. eine Parallelkapazitt C,
aufgehoben. Der normierte Verbraucher Z/ZL = 1 wird durch diesen Parallelblindwiderstand
auf einen Kreis G = konst in einen komplexen Wert Z1 /ZL transformiert.
Die vor der Strung liegende Leitung transformiert dieses Z1 /ZL weiter auf dem m-Kreis. Man
kann diese Fehlanpassung durch ein gleichgroes C (bzw. allgemein durch eine Wiederholung
einer gleichartigen Strung), das in bestimmtem Abstand l von der ursprnglichen Strung
angebracht ist, wieder beseitigen. Hierzu whlt man die Lnge l so, dass der Punkt Z1 /ZL auf
einem m-Kreis in seinen spiegelbildlichen Wert Z1 /ZL verschoben wird. Z1 /ZL kann dann
durch das gleichgroe, kompensierende C nach 1 transformiert, die Anpassung somit wieder
hergestellt werden. Fr kleine Strungen ist l /4.
Breitbandtransformationen
Die bisher erwhnten Transformationsbeispiele waren jeweils nur fr eine einzige Frequenz
brauchbar. Man kann mit Hilfe von Leitungen auch Breitbandschaltungen wie in Abschnitt 3.3
bauen. Ein bekanntes Beispiel ist die kompensierte /4-Transformation.
Die in Bild 5.13 dargestellte Transformation ist frequenzabhngig. Whlt man bei gleichem

5.3. Leitungstransformation

99

Bild 5.15.: /4-Kompensation von kleinen Strblindwiderstnden (l/ 1/4)


l eine niedrigere Betriebsfrequenz, so wird grer, also l/ kleiner, die Drehung auf dem
m-Kreis kleiner und man erreicht in Bild 5.13 nicht den Punkt R1 . Whlt man eine hhere
Betriebsfrequenz, so wird kleiner, also l/ grer, die Drehung auf dem m-Kreis grer und
man berschreitet R1 . Je mehr sich die Betriebsfrequenz von dem Wert entfernt, fr den die
Leitungslnge gleich /4 ist, desto mehr entfernt man sich von dem Sollwert R1 .
Legt man an den Eingang der Leitung, wie in Bild 5.16 gezeigt, einen in Serie geschalteten
Serienresonanzkreis, so erzeugt man einen Breitbandeffekt. Die Resonanzfrequenz dieses Serienkreises legt man auf diejenige Frequenz, bei der die Leitungslnge l = /4 ist. Bei dieser
Frequenz besitzt der Serienkreis keinen Blindwiderstand und ndert daher den Eingangswert R1
nicht. Bei niedrigeren Frequenzen hat der Serienkreis einen kapazitiven Blindwiderstand und
beseitigt bei richtiger Wahl von L und C die induktive Komponente. Bei hheren Frequenzen
hat der Serienkreis einen induktiven Blindwiderstand und kompensiert, bei richtig dimensio-

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

100

Bild 5.16.: Kompensierte /4-Transformation


niertem XR , die kapazitive Komponente.

5.3.3. Die fehlangepasste Leitung mit Verlusten


Im Folgenden soll kurz die Wirkung der Leitungsverluste auf die transformierenden Eigenschaften einer Leitung betrachtet werden. Die Leitungsgleichungen sind nach (4.51) und (4.52)
unter Bercksichtigung der Verluste
U (z) = UH (0)ez + UR (0)ez

(5.47)

I(z) = IH (0)ez IR (0)ez

(5.48)

mit

= + j

(5.49)

Setzt man UR (0) = UH (0) r2 und berechnet die Amplituden der Spannung lngs der Leitung,
so folgt:
Umax = |UH (z)| + |UR (z)| = |UH (0)| (e+z + |r2 |ez )

(5.50)

fr die Orte lngs der Leitung, an denen sich hin- und rcklaufende Welle phasenrichtig addieren.
Die Minima der Spannung Umin liegen im Abstand /4 davon an den Stellen, wo sich UH und
UR subtrahieren:
Umin = |UH (z)| |UR (z)| = |UH (0)| (e+z |r2 |ez )

(5.51)

In Bild 5.17 sind die Amplituden der Spannungen


(I)
(II)
(III)

|UH (z)|
|UR (z)|
|U (z)|

=
=

|UH (0)|e+z

|UR (0)|ez

und

(5.52)

5.3. Leitungstransformation

101

Bild 5.17.: Spannung auf einer Leitung mit Verlusten, dabei ist
I)
II)
III)

der Betrag der hinlaufenden Welle,


der Betrag der reflektierten Welle und
die schlielich durch die berlagerung entstehende Welle

dargestellt.
Vom Leitungsende zum Leitungseingang hin hat die Amplitude der Gesamtspannung steigende
Tendenz, weil |UH | steigt. Auerdem nehmen die Schwankungen zum Leitungseingang hin ab,
weil |UR | kleiner wird. Der Anpassungsfaktor m ist lngs der Leitung nicht konstant, sondern
wchst in Richtung zum Leitungseingang hin und nhert sich dabei dem Wert 1. Wenn man
(5.50) durch (5.51) teilt und dann Zhler und Nenner jeweils um ez krzt, wird
m=

1 |r2 |e2z
Umin
=
Umax
1 + |r2 |e2z

(5.53)

Hinreichend lange Leitungen haben am Eingang m = 1 und ihr Eingangswiderstand ist daher,
unabhngig vom Verbraucher, gleich ZL . Bei der Widerstandstransformation durch verlustbehaftete Leitungen bedeutet das wachsende m, dass die Widerstnde mit wachsender Leitungslnge auf Spiralen nach Bild 5.18 transformiert werden, die sich um den Punkt ZL wickeln.

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

102

Bild 5.18.: Widerstandstransformation lngs einer Leitung mit Verlusten


Bei greren Verlusten kann der Wellenwiderstand der verlustbehafteten Leitung auch ein komplexer Widerstand sein und sich die Widerstandsspirale um den komplexen Wert fr ZL wickeln.
Die zur Spannung korrespondierende Betrachtung kann auch fr den Strom angestellt werden.
Der Betrag des Reflexionsfaktors am Eingang der Leitung |r(z)| als Funktion des Reflexionsfaktors des Abschlusses r2 kann wegen
|r| =

1m
1+m

bzw.

m=

1 |r|
1 + |r|

(5.54)

direkt aus (5.53) entnommen werden:


|r(z)| = |r2 | e2z

(5.55)

Den komplexen Reflexionsfaktor erhlt man mit Bercksichtigung der Phase zu


r(z) = r2 e2z

(5.56)

5.4. Leitungen mit stehenden Wellen


(Reaktanzleitungen, Blindleitungen)
Eine am Ende kurzgeschlossene oder leerlaufende verlustfreie Leitung nimmt vom Generator
keine Wirkleistung auf. Es entsteht eine so genannte stehende Welle, da die rcklaufende und
die hinlaufende Welle gleich gro sind. Der Betrag des Reflexionsfaktors ist |r| = 1, die Phase

5.4. Leitungen mit stehenden Wellen (Reaktanzleitungen, Blindleitungen)

103

ist eine Funktion der Leitungslnge. Damit ist m = 0 und s = . Bild 5.19 zeigt Spannung
und Strom lngs der Leitung.
Allgemein gilt:
U (z) = UH (0) e+z + UR (0) ez
r(z) = r2 e2z

(5.57)
(5.58)

Fr den verlustlosen Fall und r2 = 1 (Kurzschluss) folgt, da UH = UR


U (z) = UH (0)(e+jz ejz )

(5.59)

= 2jUH (0) sin(z)

Oben in Bild 5.19 sieht man, dass Umax = UH +UR = 2UH und Umin = UH UR = 0 ist. Fr die
Phase der Spannung folgt aus (5.16) tan = also = /2. bzw. = /2 n. Die Phase
des Stroms aus (5.17) ist tan = 0, also = 0 bzw. = n. Die Phasenwinkel ndern sich also
nicht stetig lngs der Leitung, sondern sind zwischen zwei aufeinanderfolgenden Nullstellen
der Spannung oder des Stromes jeweils konstant und ndern sich beim Durchgang durch die
Nullstelle sprunghaft um . Die stetige nderung der Phasenwinkel als typisches Kennzeichen
des Wanderns der Wellen lngs der Leitung fllt hier fort und man spricht daher im Fall m = 0
wegen der abschnittsweise konstanten Phase von stehenden Wellen.

5.4.1. Die kurzgeschlossene Leitung


Das Verhalten einer Leitung mit stehenden Wellen wird zunchst an dem einfachen Beispiel
der am Ende kurzgeschlossenen Leitung erlutert. Der Fall mit beliebigem Blindabschluss wird
dann wie in Bild 5.19 durch Einfhren einer Verlngerung l2 auf diesen Kurzschlussfall zurckgefhrt. Mit dem Verbraucher R2 = 0 und der Abschlussspannung U2 = 0 wird aus (4.63) und
(4.64)
U (z) = jZL I2 sin(z)

(5.60)

I(z) = I2 cos(z)

(5.61)

Den Verlauf der Scheitelwerte von Spannung und Strom zeigt Bild 5.19 oben. Der Phasensprung
von Strom und Spannung in ihren Nullstellen entsteht durch Vorzeichenwechsel der Sinus- und

104

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

Bild 5.19.: Strom und Spannung bei stehenden Wellen. Zurckfhrung von Blindabschlssen
auf einen Kurzschluss

5.4. Leitungen mit stehenden Wellen (Reaktanzleitungen, Blindleitungen)

105

der Cosinusfunktion. Es ist |I2 | = Imax und |I2 |ZL = Umax . Daher gilt
Umax
= ZL
Imax

(5.62)

Der Eingangswiderstand Z1 der Leitung am Ort z = l ist stets ein Blindwiderstand, weil die
Anordnung keine Wirkleistung verbraucht:
Z1 = jX1K =

U (l)
= jZL tan(l)
I(l)

(5.63)

Den Verlauf dieses Blindwiderstandes als Funktion von l/ zeigt Bild 5.20. Fr Leitungen
l < /4 ist der Blindwiderstand X1k induktiv. Fr Leitungslngen, die wesentlich kleiner als
X1k sind (l < 0,1), ist 2l/ sehr klein und nherungsweise tan(l) l. Aus (5.63) folgt
dann:
Z1 jZL l = jL0 l

(5.64)

Es wirkt dann nur die Induktivitt der Leitung. Wird die Leitung lnger, bewirkt die Leitungskapazitt eine Vergrerung des Blindwiderstandes hnlich wie bei einem Parallelresonanzkreis.
Fr l = /4 ist X1K = .
Fr /4 < l < /2 ist der Blindwiderstand nach (5.63) kapazitiv. Fr l = /2 ist X1K = 0,
weil eine Leitung der Lnge l = /2 nicht transformiert.
Die X1K -Kurven wiederholen sich periodisch mit l/ = 0,5. Die Kurven des Bildes 5.20 zeigen
die nderung des X1K mit wachsender Leitungslnge bei konstanter Frequenz, gleichzeitig aber
auch die nderung des X1K bei konstanter Leitungslnge mit wachsender Frequenz (l/ ist
proportional zur Frequenz). Der Eingangsblindleitwert lautet
Y1 =

1
1
= jB1K = j
cot(l)
Z1
ZL

(5.65)

5.4.2. Die offene Leitung


Die am Ende offene Leitung wird in der Praxis wenig verwendet, da sie zum einen Verluste
durch Abstrahlung am Ende aufweist, zum anderen die Stelle des Leerlaufs physikalisch schwer
zu definieren ist. Eine am Ende offene Leitung verhlt sich wie eine um /4 lngere, am Ende
kurzgeschlossene Leitung. Aus (4.63) und (4.64) folgt mit I2 = 0
U (z) = U2 cos(z)
U2
sin(z) .
I(z) = j
ZL

(5.66)
(5.67)

106

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

Bild 5.20.: Eingangsblindwiderstand X1K einer am Ende kurzgeschlossenen Leitung


Der Eingangsblindwiderstand der offenen Leitung wird
Z1 = jX1L =

U (l)
= jZL cot(l)
I(l)

(5.68)

Der Verlauf des Blindwiderstandes ist in Bild 5.21 gezeigt.


Fr Leitungslngen l < /4 ist X1L ein kapazitiver Blindwiderstand. Fr Leitungslngen, die
wesentlich kleiner als /4 sind (l < 0,1), ist l sehr klein und nach der Reihenentwicklung
nherungsweise cot(l) 1/l und damit:
Z1 j

1
ZL
= j
l
C 0 l

(5.69)

Es wirkt dann nur die Kapazitt C 0 l der Leitung. Fr hhere Frequenzen wirkt auch die Induktivitt der Leitung, wodurch Z1 hnlich wie bei einem Serienresonanzkreis im Wert sinkt. Fr

5.4. Leitungen mit stehenden Wellen (Reaktanzleitungen, Blindleitungen)

107

Bild 5.21.: Eingangsblindwiderstand X1L einer am Ende offenen Leitung bzw. Eingangsblindleitwert B1k einer am Ende kurzgeschlossenen Leitung
l = /4 ist X1L = 0. Fr /4 < l < /2 ist X1L induktiv. Fr l = /2 ist X1L = wie am
Leitungsende, da eine Leitung der Lnge /2 nicht transformiert. Die X1L -Kurven wiederholen
sich in Bild (5.21) periodisch mit l/ = 0,5.
Man kann die am Ende kurzgeschlossene und die am Ende offene Leitung zur Messung der charakteristischen Leitungsgren verwenden. Aus dem Blindwiderstand X1K der kurzgeschlossenen Leitung nach (5.63) und dem X1L der offenen Leitung nach (5.68) folgt
ZL =

p
L0
X1K X1L
=
C0

tan(l) =

und

X1K
X1L

(5.70)

Daraus folgt dann

1
= L0 C 0 = arctan
l

X1K

X1L

(5.71)

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

108

Aus ZL und ergeben sich L0 und C 0 zu


L0 =

ZL

und

C0 =

ZL

(5.72)

5.4.3. Leitung mit beliebigem Blindwiderstand als Abschluss


Alle Leitungen mit einer rein induktiven oder kapazitiven Abschlussimpedanz jX2 knnen auf
einen Kurzschluss nach (5.63) zurckgefhrt werden:
X2 = ZL tan(l2 )

bzw.

l2 =
arctan
2

X2
ZL

(5.73)

Das Verhalten einer mit einem Blindwiderstand jX2 abgeschlossenen Leitung ist daher das
gleiche wie das einer um l2 lngeren, am Ende kurzgeschlossenen Leitung. Fr positive (induktive) X2 ist l2 < /4. Fr negative (kapazitive) X2 ist /4 < l2 < /2. In Bild (5.19) ist dies
anschaulich dargestellt.
Leitungen mit stehenden Wellen dienen bei hheren Frequenzen zur Darstellung von gut definierbaren Blindwiderstnden als Ersatz fr reine L und C, die bei hheren Frequenzen oft ein
undefiniertes Verhalten zeigen. Induktive Blindwiderstnde erzeugt man meist durch am Ende
kurzgeschlossene Leitungen mit l < /4, kapazitive Blindwiderstnde durch am Ende kurzgeschlossene Leitungen mit Lngen /4 < l < /2 oder durch am Ende offene Leitungen mit
Lngen l < /4.
Leitungslngen l > /2 verwendet man hierfr fast nie, da man alle Blindwerte bereits mit
l < /2 herstellen kann und lngere Leitungen grere Verluste ergeben. Auerdem fhren
lngere Leitungen zu geringeren Bandbreiten.

5.5. Spezielle Leitungstypen


5.5.1. Koaxialleitung
An Hochfrequenzleitungen wird hufig die Forderung gestellt, dass weder ihr elektromagnetisches Feld nach auen dringen kann, noch dass uere Felder Energie in die Leitung einkoppeln knnen. Man erreicht dies durch Abschirmung. Ein Beispiel einer unsymmetrischen,
abgeschirmten Leitung ist die koaxiale Leitung (Bild 5.22). Der Innenleiter einer solchen Leitung kann massiv, hohl oder verdrillt sein. Der Auenleiter kann als glattes oder gewelltes Rohr
oder als Drahtgeflecht ausgefhrt werden, u.U. mehrlagig, wenn geringe Abstrahlung an den
Auenraum gefordert wird.

5.5. Spezielle Leitungstypen

109

Bild 5.22.: Koaxiale Leitung


Die Leitungskenngren L0 , C 0 , R0 und G0 lassen sich bei Kenntnis der Materialeigenschaften
auch fr viele andere Leitungen prinzipiell aus dem geometrischen Aufbau berechnen. Besondere Schwierigkeiten bereitet dabei die Bestimmung von R0 , da die Oberflchenbeschaffenheit
der Leiter einen schwer kontrollierbaren Einfluss auf den Hochfrequenzwiderstand hat. Die Berechnung von L0 und C 0 soll an dem besonders einfachen Beispiel einer Leitung nach Bild 5.22
vorgefhrt werden. Dazu verwendet man die bekannten Formeln fr die magnetische Feldenergie einer Spule bzw. die elektrische Feldenergie eines Kondensators:
1
1
dWel = C 0 U 2 dz =
2
2

mit

dF = r d dr

ZZ

E 2 dF dz

(siehe Bild 5.23)

(5.74)

(5.75)

Aus den Gleichungen (5.74) und (5.75) folgt

C0 =

Rra R2

E 2 r d dr

ri 0

U2

(5.76)

Da sich das elektrische Feld in einer Koaxialleitung wie das in einem Zylinderkondensator

110

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

Bild 5.23.: Volumenelement dV


verhlt, folgt mit
1
E = Er
r

Zra

und

E dr = U

(5.77)

ri

aus Gleichung (5.76):


Zra Z2

1
r d dr
r2
2
r 0
C0 = i
=  

2
Zra
ln rrai
1

dr
r

(5.78)

ri

hnlich berechnet sich der Induktivittsbelag L0 aus der magnetischen Feldenergie


1
1
dWm = L0 I 2 dz =
2
2

ZZ

H2 dF dz

(5.79)

woraus folgt

L0 =

Zra Z2
ri

H2 r d dr

I2

(5.80)

5.5. Spezielle Leitungstypen

111

mit H = I/2r fr ri r ra . Setzt man dies in (5.80) ein und integriert, so ergeben sich
folgende Zusammenhnge:
 
ra

0
(5.81)
ln
L =
2
ri

ZL =

L0
=
C0

 
ra
 
r
ln
ri
ra

60
ln

2
r
ri

= L0 C 0 =
vP =

(5.82)

(5.83)

c0
= =

r r

(5.84)

2
0
2
= =


r r

(5.85)

wobei gilt:
= 0 r

0 = 4 107 Vs/Am

(5.86)

= 0 r

0 = 8,854 1012 As/Vm

(5.87)

1
c0 =
0 0

Z0 =

0
377
0

(5.88)

Die Gleichungen (5.83) bis (5.85) gelten allgemein fr alle Leitungen, auf denen sich eine
TEM-Welle (transversales elektrisches und magnetisches Feld) ausbreitet.
Fr Leitungen mit homogenem Dielektrikum gelten darber hinaus die aus (5.78), (5.81) und
(5.82) abzuleitenden Gleichungen
0

C =

ZL

L0 =

ZL

(5.89)

Die Grenzfrequenz ist diejenige Frequenz, ab der sich auf der Leitung keine reine TEM-Welle
mehr ausbreitet, sondern ab der hhere Moden (z.B. E- und H-Feld in Ausbreitungsrichtung)
auftreten. Sie wird dann erreicht, wenn der mittlere Umfang eine halbe Wellenlnge betrgt:
(ra + ri ) =

(5.90)

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

112

Bei der koaxialen Leitung ist wegen der Rotationssymmetrie die Stromdichte lngs des Umfangs der beiden Leiter konstant (d.h. nicht vom Koordinatenwinkel abhngig). Da folglich
die einzelnen Abschnitte der Umfangslinien gleichmig zum Lngswiderstand beitragen, ist
der leitende Querschnitt gleich dem Produkt aus Eindringtiefe und Umfang des betreffenden
Kreises.
Die Beitrge des Innen- und des Auenleiters zur Lngsdmpfung fasst man zusammen zu
1

R =
s
0

1
1
+
2ra 2ri

(5.91)

mit als Leitfhigkeit und s als Eindringtiefe.


Fr die Lngsdmpfung in (4.87) ergibt sich unter Anwendung von (5.82):
R0

R0
1
=
=
2ZL
2s

1
 
ln ra
ri

1
1
+
ra ri

(5.92)

Eine Vergrerung des Auenradius ra fhrt daher immer zu einer geringeren Dmpfung. Allerdings existiert bei fixem Auenradius ein ganz bestimmtes Verhltnis von Auen- zu Innenradius, fr das die Dmpfung ein Minimum annimmt. Es ist sinnvoll, das Minimum der Dmpfung
bei konstant gehaltenem Auenradius aufzusuchen, da die Kosten eines Koaxialkabels im wesentlichen vom Auendurchmesser, kaum aber vom Durchmesser des Innenleiters abhngen.
Zur Bestimmung des Minimums setzt man
ra
=x
ri

(5.93)

und erhlt aus (5.92)

1+x
=: y(x)
ln x

(5.94)

Von y(x) wird das Minimum bestimmt:


ln x (1 + x)/x
dy(x)
=
=0
dx
ln2 (x)

fr

ln(xopt ) = 1 +

1
xopt

(5.95)

Diese transzendente Gleichung kann graphisch oder numerisch gelst werden (Bild 5.24) und
liefert das bei festgelegtem Auendurchmesser optimale Radienverhltnis:
xopt =

ra
ri

opt

= 3,6

ln(xopt ) = 1,28

(5.96)

yAchse

5.5. Spezielle Leitungstypen

113

7
1+1/x
lnx
(1+x)/lnx

3,6

6
xAchse

Bild 5.24.: Bestimmung des optimalen Durchmesserverhltnisses von Koaxialkabeln


Luft-Kabel enthalten nur eine schmale hochkant stehende Wendel groer Steigung aus isolierendem Kunststoff zur Halterung des Innenleiters und werden vor allem fr fest verlegte
Leitungen angewandt. Fr bewegliche Leitungen, z.B. in Fahrzeugen und fr preiswerte Kabel wird ein homogenes Dielektrikum verwendet, meist Polythylen (r 2,25) oder lockerer
Schaumstoff (r 1,4).
Das optimale Durchmesserverhltnis von 3,6 : 1 entspricht fr r = 1 (Luftkabel) einem Wellenwiderstand ZL 77 , fr r = 2,25 (Vollkabel) einem Wellenwiderstand von 51 .
Es wre technisch vorteilhaft gewesen, einen mittleren Wellenwiderstand, z.B. 60 , als allgemeinen Systemwiderstand festzulegen und dann sowohl mit Luftkabeln als auch mit Vollkabeln
in der Nhe des Optimums zu liegen.
Die von einer koaxialen Leitung bertragbare Leistung hngt primr von der maximalen elektrischen Feldstrke Emax ab. Sie liegt im Bereich von 7 kV/cm, wenn man von einer Durchschlagfeldstrke in Luft von 30 kV/cm ausgeht. Emax ergibt sich aus der Feldstrke E
Z

E dr = U

E=
r ln

U
 
ra
ri

(5.97)

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

114
am Innenleiter ri zu

Emax =

U
 
ri ln rrai

(5.98)

Damit kann unter Zuhilfenahme von (5.82) mit r = 1 eine koaxiale Leitung bei Anpassung
folgende maximale Leistung Pmax bertragen
2
1 Umax
1
2
r Emax
=
=
ri2 ln
2 ZL
120

Pmax

ra
ri

(5.99)

Daraus kann das optimale Verhltnis ra /ri bestimmt werden:


ri2

ln

ra
ri

ra2

ri
ra

2

ln

ra
ri

= max

(5.100)

Substituiert man nun x = (ra /ri )2 , so erhlt man die einfacher zu handhabende Gleichung fr
festes ra
y(x) =

1 ln x !
= max
2 x

dy(x)
x/x ln x !
=
=0
dx
x2

1 ln x = 0

(5.101)

(5.102)

x = e = 2,718

und daraus das gesuchte Ergebnis:

ra
ri

opt. bzgl. Pmax

p
2,718 = 1,648

(5.103)

Vergleicht man (5.103) mit (5.96) so erkennt man, dass die Radienverhltnisse fr die maximale bertragbare Leistung und fr die minimalen ohmschen Verluste nicht bereinstimmen.
Bei der Dimensionierung einer Koaxialleitung muss also zwischen beiden Forderungen eine
Kompromisslsung gefunden werden.

5.5.2. Mikrostreifenleitung (Microstrip)


Auf gedruckten Schaltungen werden hufig Mikrostreifenleitungen (engl. Microstrip) verwendet. Diese bestehen aus einem metallisierten Substrat auf dessen Oberseite sich eine streifenfrmige Leitung befindet. Die Unterseite besteht aus einer durchgehenden (theoretisch unendlich

5.5. Spezielle Leitungstypen

115

Bild 5.25.: Mikrostreifenleitung auf Substrat

elektrisches
Feld:

magnetisches
Feld:

Bild 5.26.: Elektrisches und magnetisches Feld einer Mikrostreifenleitung


ausgedehnten) Masseflche wie in Bild 5.25 dargestellt. Die elektrischen Eigenschaften der Mikrostreifenleitung hngen im Wesentlichen von der Streifenbreite w und der Substrathhe h ab.
Einen geringeren Einfluss besitzt die Dicke der Metallisierung t.
Das Substrat besitzt die dielektrische Permittivitt r > 1. Der Verlauf der Feldlinien des elektrischen und magnetischen Feldes ist in Bild 5.26 gezeigt. Das Besondere an der Mikrostreifenleitung ist, dass die Feldlinien teilweise in Luft (oberhalb des Substrates) und teilweise innerhalb des Substrates verlaufen. Daduch weisen die elektrischen Feldlinien an der Grenzschicht
einen Knick auf. Da die Normalkomponente des elektrischen Feldvektors an der Grenzschicht
im Material mit der hheren Permittivitt stets kleiner, die tangentiale Komponente aber gleich
ist, wird die Feldlinie im Substrat von der Normalenrichtung weggebogen. Das Substrat besitzt gewhnlich keine magnetischen Eigenschaften (d.h. r = 1), weshalb die magnetischen
Feldlinien keinen Knick aufweisen.

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

116

Wellenausbreitung auf der Mikrostreifenleitung


Dadurch dass sich die Welle teilweise in Luft, teilweise im Substrat und damit in einem inhomogenen Medium ausbreitet, liegt keine reine TEM-Welle vor. Das heit, sowohl das elektrische
Feld, als auch das magnetische Feld besitzen eine Komponente in Ausbreitungsrichtung der
Welle. Diese Lngskomponente kann bei nicht zu hohen Frequenzen in den meisten Fllen jedoch vernachlssigt werden, so dass sich in guter Nherung mit einer TEM-Welle rechnen lt.
Man spricht daher auch von einer Quasi-TEM-Welle. Unter dieser Voraussetzung lt sich die
Wellenausbreitung mittels einer statischen Nherung durch Kapazitts- und Induktivittsbelge
wie im Fall der TEM-Leitung (vgl. Abschnitt 4.1) beschreiben.
Zur Vereinfachung der Berechnung geht man dabei zunchst von einer luftgefllten Leitung
aus, d.h. einem Substrat mit r = 1. Unter dieser Voraussetzung liegt tatschlich eine TEMWelle vor. Fr Substrate mit einem r > 1 wird ein Korrekturfaktor, die sogenannte effektive
Permittivitt r,eff fr den Kapazittsbelag C 0 eingefhrt:
C 0 = C00 r,eff

(5.104)

C0 ist dabei der theoretische Kapazittsbelag der luftgefllten Leitung (r = 1). Wre der
gesamte Raum mit einem Material der Permittivitt r gefllt, so wrde gelten r,eff = r .
Im realen Fall ergibt sich r,eff zwischen diesen beiden Extremfllen, d.h es gilt
1 < r,eff < r

(5.105)

r,eff liegt umso nher bei r , je strker das Feld im Substrat konzentriert ist, d.h. je grer die
Breite w der Streifenleitung im Verhltnis zur Substrathhe h ist und je hher die Permittivitt
r ist. Der genaue Wert muss enweder mittels numerischer Berechnung oder aus Diagrammen
ermittelt werden. Ein solches Diagramm ist in den Abbildungen 5.27 und 5.28 dargestellt.
Unter Annahme einer zu vernachlssigenden Leiterdicke t 0 hngt die effektive Permittivitt
r,eff nur vom Verhltnis der Leiterbreite w zur Substrathhe h und der Permittivitt des Substrates r ab. Gleiches gilt fr den Leitungswellenwiderstand ZL , der ebenfalls aus den Diagrammen
5.27 und 5.28 abgelesen werden kann.
Fr die Phasengeschwindigkeit auf der Mikrostreifenleitung gilt damit
vP =

c0
1
=
r,eff
L0 C 0

(5.106)

und fr die resultierende Wellenlnge auf der Leitung


=

c0
0
vP
=
=
r,eff
f
f r,eff

(5.107)

5.5. Spezielle Leitungstypen

117

effektive Permittivitt r,eff

Wellenwiderstand ZL

160
t=0

1,0
2,1
2,3
2,5

150

140

14

13

12

ZL
r,eff
Parameter: r

11

130
16,0

10

120
12,9
3,78

110

9
11,9

100
5,67

90

7
10,0
9,8
9,6

80

70

9,8
11,9
12,9
16,0

60

4
5,67

50
3,78

40

2
2,1 2,3 2,5

30
0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,2

1,4

1,6

1
1,8

normierte Leiterbreite w/h


Quelle: [14]

Bild 5.27.: Leitungswellenwiderstand ZL und effektive Permittivitt r,eff als Funktion des Verhltnises w/h = 0 . . . 1,8. Parameter ist r .

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

118

effektive Permittivitt r,eff

Wellenwiderstand ZL

14

140

t=0

130
h

ZL
r,eff
Parameter: r

13

16,0

120

12

110

11
12,9

100

10

1,0

11,9

90
2,1
2,3
2,5

80

10,0
9,8
9,6

70

60

3,78

50

5,67

40

5,67

9,8
11,9

3,78

30

20

12,9
16,0

2
2,1 2,3 2,5

10
1,5

1
2

2,5

3,5

4,5

normierte Leiterbreite w/h


Quelle: [14]

Bild 5.28.: Leitungswellenwiderstand ZL und effektive Permittivitt r,eff als Funktion des Verhltnises w/h = 1,5 . . . 5. Parameter ist r .

5.5. Spezielle Leitungstypen

a)

119

b)

Bild 5.29.: Hohlleiter mit rechteckfrmigem (a) bzw. kreisfrmigem Querschnitt (b)

5.5.3. Hohlleiter
Wenn es darum geht, elektromagnetische Wellen besonders verlustarm oder mit hoher Leistung
zu bertragen, werden sogenannte Hohlleiter verwendet. Dabei handelt es sich um ein rundum
geschlossenes metallisches Rohr hoher Leitfhigkeit, hufig mit rechteck- oder kreisfrmigem
Querschnitt, vgl. Bild 5.29. Die Wellenausbreitung erfolgt im Inneren dieses Rohres. Im Gegensatz zum Koaxialleiter gibt es keinen metallischen Innenleiter und somit existieren keine zwei
getrennten Elektroden zwischen denen eine Spannung definiert werden knnte.
Innerhalb eines Hohlleiters sind keine TEM-Wellen ausbreitungsfhig. Daher kann keine Beschreibung mittels Spannungen und Strmen erfolgen. Zur Beschreibung werden daher sogenannte Streuvariable verwendet, die in Abschnitt 6.2 vorgestellt werden.
Feldverteilung im Rechteckhohlleiter
Das elektrische und magnetische Feld fr den sogenannten Grundmode des Rechteckhohlleiters
ist in Bild 5.30 gezeigt. Im Gegensatz zu den bisher betrachteten TEM-Wellen besitzt das ma~ eine Komponente in Ausbreitungsrichtung (z-Richtung). Das elektrische
gnetische Feld H
Feld besitzt keine Komponente in Ausbreitungsrichtung. Daher wird eine solche Welle TEWelle (transversal elektrisch) oder H-Welle genannt, d.h. das elektrische Feld steht senkrecht
(transversal) zur Ausbreitungsrichtung.
Ein wesentlicher Unterschied zur TEM-Welle besteht darin, dass sich eine TE-Welle erst oberhalb einer gewissen Grenzfrequenz, der sogenannten Cutoff-Frequenz fc im Hohlleiter ausbreiten kann. Diese hngt von den geometrischen Abmessungen das Hohlleiters ab. Die Bedingung
fr eine ausbreitungsfhige Welle lautet, dass die Frequenz so hoch sein muss, dass mindestens
eine halbe Freiraumwellenlnge in die breitere Abmessung a des Hohlleiters hineinpasst (vgl.

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

120

~
Bild 5.30.: Elektrisches (E)
und
Rechteckhohlleiters

magnetisches

~
(H)

Feld

des

Grundmodes

eines

Bild 5.30), d.h. es muss gelten


0
c0
=
<a
2
2f

f>

c0
=: fc
2a

(5.108)

Fr die zugehrige Freiraumwellenzahl 0 gilt damit


0 =

2
2
=: c
>
0
2a

(5.109)

wobei mit c die Cutoff-Wellenzahl des Hohlleiters bezeichnet wird. Sie hngt nur von den
geometrischen Querschnittsabmessungen des Hohlleiters ab. Im Fall des im Grundmode betriebenen Rechteckhohlleiters gilt gem (5.109)
c =

(5.110)

wobei a die Breitenabmessung des Hohlleiters bedeutet. Damit ist diejenige Querabmessung
des Hohlleiters gemeint, entlang derer sich das elektrische und magnetische Feld ndern (hier
die x-Richtung). Entlang der y-Achse sind das elektrische und magnetische Feld konstant. Die
Hhe b hat damit keinen Einfluss auf die Cutoff-Wellenzahl. Vereinbarungsgem wird hufig a > b angenommen, da auf diese Weise die kleinstmgliche Cutoff-Frequenz im Hohlleiter
erreicht wird. In technischen Anwendungen gilt blicherweise a = 2b.
Die Feldkomponenten fr den Grundmode des rechteckigen Hohlleiters mit den Querschnitts-

5.5. Spezielle Leitungstypen

121

abmessungen a und b gem Bild 5.30 lauten damit wie folgt [6, 8]:
Hz = H0 cos
Hx = j
Ey

 
x ejz z
a

(5.111)

 
z
H
sin
x ejz z
0
c2 a
a

(5.112)

 
 
0
jz z
= j 2 H0 sin
x e
= E0 sin
x ejz z
c
a
a

(5.113)

Die brigen Feldkomponenten sind alle Null.


Die Wellenzahl in Ausbreitungsrichtung z ergibt sich aus der Wellenzahl im Freiraum 0 und
der Cutoff-Wellenzahl c zu
2
=
z =
z

02

c2

s

c0

2

 2
a

(5.114)

Die Wellenzahl der TE-Welle ist damit kleiner als die Wellenzahl im Freiraum. Fr die Phasengeschwindigkeit der Hohlleiterwelle gilt somit
vP =

c0

=s
  2 > c0
z
c
1
0

(5.115)

Die Phasengeschwindigkeit der Welle im Hohlleiter ist grer als die Phasengeschwindigkeit
c0 im Freiraum (=Lichtgeschwindigkeit). Daraus resultiert, dass die Wellenlnge innerhalb des
Hohlleiters grer ist als die Freiraumwellenlnge:
z =

c0
vP
>
= 0
f
f

(5.116)

Die Gruppengeschwindigkeit vG , welche gleich der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Energie


ist, darf dagegegen nicht grer als die Lichtgeschwindigkeit sein. Fr diese gilt
d
=
vG =
dz

dz
d

1

= c0

c
0

2

(5.117)

Der Wellenwiderstand des Hohlleiters definiert sich ber das Verhltnis des elektrischen Feldes
zum magnetischen Feld. Dabei werden nur die am Energietransport beteiligten Feldkomponen-

5. Anwendung von Leitungen bei hheren Frequenzen

122

ten, die senkrecht zur Aubreitungsrichtung stehen (Transversalkomponenten), bercksichtigt:


ZFH =

0
Ey
=
=s
Hx
z

ZF0
 2
c
1
0

(5.118)

Die durch den Hohlleiter transportierte Wirkleistung ergibt sich durch Integration des Poyntingvektors ber den Hohlleiterquerschnitt zu
PW

1
=
2
=

E02
4ZFH

Ey Hx

1
dy dx =
2

 
E02
2
x dy dx
sin
ZFH
a

(5.119)

ab ,

wobei E0 die Amplitude des elektrischen Feldes im Maximum (in der Mitte des Hohlleiters)
darstellt.
Technische Ausfhrung von Hohlleitern
Bei der Ausfhrung von Hohlleitern werden verschiedene Frequenzbnder unterschieden. Der
Grund dafr liegt darin, dass die Frequenz nach unten durch die Cutoff-Frequenz beschrnkt
ist. Obwohl nach oben theoretisch keine Grenze besteht, gibt es aber ab der doppelten CutoffFrequenz Probleme mit der Eindeutigkeit, d.h. es wren dann neben dem Grundmode noch
weitere Moden ausbreitungsfhig. Da dies blicherweise unerwnscht ist, wird der technische
Hauptbereich zu
1,25 fc < f < 1,9 fc

(5.120)

definiert. Tabelle 5.1 gibt einen berblick ber die normierten Abmessungen und Bezeichnungen standardisierter Hohlleiter fr die einzelnen Frequenzbnder.

5.5. Spezielle Leitungstypen

123

Tabelle 5.1.: Abmessungen und Kenndaten standardisierter Hohlleiter


Frequency
Range
(GHz)
for TE10
Mode

Cut-off
Freq.
(GHz)
for TE10
Mode

0.32-0.49
0.35-0.53

Band Designation

WG Designation

mm approx.

Theoretical
Peak
Power
Rating
(MW)

Theoretical
Attenuation
dB / 30m
/A, /B, /S *
0.051-0.031/A

Internal Dimensions

New

53-IEC
R

RCSC
WG

EIA
WR

0.256

00

2300

23.0 x 11.5

584.0 x 292.0

153.0-212.0

0.281

B, C

2100

21.0 x 10.5

533.0 x 267.0

120.0-173.0

0.054-0.034/A

0.41-0.62

0.328

B, C

1800

RG-201/U

18.0 x 9.0

457.0 x 229.0

93.4-131.9

0.056-0.038/A

0.49-0.75

0.393

0.64-0.98

0.513

0.76-1.15

UK

USA

US (JAN)

Inches

1500

RG-202/U

15.0 x 7.5

381.0 x 191.0

67.6-93.3

0.069-0.050/A

1150

RG-203/U

11.5 x 5.75

292.0 x 146.0

35.0-53.8

0.128-0.075/A

0.605

C, D

975

RG-204/U

9.75 x 4.875

248.0 x 124.0

27.0-38.5

0.137-0.095/A

0.96-1.46

0.766

12

770

RG-205/U

7.7 x 3.85

196.0 x 98.0

17.2-24.1

0.201-0.136/A

1.14-1.73

0.908

14

650

RG-69/U

6.5 x 3.25

165.1 x 82.55

11.9-17.2

0.317-0.212/B
0.269-0.178/A

1.45-2.20

1.157

1.72-2.61

1.372

LS, R

D, E

18

510

22

430

RG-104/U

5.1 x 2.55

129.54 x 64.77

7.5-10.7

4.3 x 2.15

109.22 x 54.61

5.2-7.5

0.588-0.385/B
0.501-0.330/A

2.17-3.30

1.736

E, F

26

9A

340

RG-112/U

3.4 x 1.7

86.36 x 43.18

3.1-4.5

0.877-0.572/B
0.751-0.492/A

2.60-3.95

2.078

E, F

32

10

284

RG-48/U

2.84 x 1.34

72.14 x 34.04

2.2-3.2

1.102-0.752/B
0.940-0.641/A

3.22-4.90

2.577

3.94-5.99

3.152

F, G

40

11A

229

F, G

48

12

187

RG-49/U

2.29 x 1.145

58.17 x 29.083

1.6-2.2

1.872 x 0.872

47.55 x 22.149

1.4-2.0

2.08-1.44/B
1.77-1.12/A

4.64-7.05

3.711

G, H

58

13

159

5.38-8.18

4.301

70

14

137

RG-50/U

1.159 x 0.795

40.39 x 20.193

0.79-1.0

1.372 x 0.622

34.85 x 15.799

0.56-0.71

2.87-2.30/B
2.45-1.94/A

6.58-10.0

5.259

84

15

112

RG-51/U

1.122 x 0.497

28.499 x 12.624

0.35-0.46

4.12-3.21/B
3.50-2.74/A

8.20-12.50

6.557

9.84-15.00

7.868

11.90-18.00

9.486

14.50-22.00
17.60-26.70

I, J

100

16

90

120

17

75

140

18

62

11.574

J, K

180

19

51

14.047

J, K

220

20

42

X
Ku

RG-52/U
RG-91/U

0.9 x 0.4

22.86 x 10.16

0.20-0.29

6.45-4.48/B

0.75 x 0.375

19.05 x 9.525

0.17-0.23

5.49-3.83/A

0.622 x 0.311

15.799 x 7.899

0.12-0.16

9.51-8.31/B-/A

0.510 x 0.255

13.0 x 6.48

0.080-0.107

0.420 x 0.170

10.668 x 4.318

0.043-0.058

6.14-5.36/S
RG-53/U

20.7-14.8/B
17.6-12.6/A

21.70-33.00

17.328

26.40-40.10

21.081

Ka

260

21

34

320

22

28

RG-96/U

0.340 x 0.170

8.636 x 4.318

0.034-0.048

0.280 x 0.140

7.112 x 3.556

0.022-0.031

13.3-9.5/S
-/B
-/A
21.9-15.0/S

33.00-50.10

26.342

K, L

400

23

22

RG-97/U

0.224 x 0.112

5.69 x 2.845

0.014-0.020

-/B
31.0-20.9/S

39.30-59.70

31.357

49.90-75.80

39.863

500

24

19

L, M

620

25

15

RG-98/U

0.188 x 0.094

4.775 x 2.388

0.011-0.015

0.148 x 0.074

3.759 x 1.880

0.0063-0.0090

-/B
52.9-39.1/S

60.50-92.00

48.350

740

26

12

RG-99/U

0.122 x 0.061

3.099 x 1.549

0.0042-0.0060

-/B
93.3-52.2/S

73.80-112.0

59.010

92.30-140.00

73.840

114.0-173.00

90.840

145.00-220.00

115.750

172.00-261.00

131.520

217.00-330.00

173.280

900

27

10

0.100 x 0.050

2.54 x 1.27

0.0030-0.0041

1200

28

RG-138/U

0.080 x 0.040

2.032 x 1.016

0.0018-0.0026

152-99/S

1400

29

RG-136/U 0.065 x 0.0325

1.651 x 0.826

0.0012-0.0017

163-137/S

1800

30

RG-135/U 0.051 x 0.0255

1.295 x 0.648

0.00071-0.00107

308-193/S

2200

31

RG-137/U 0.043 x 0.0215

1.1 x 0.55

0.00052-0.00075

384-254/S

2600

32

RG-139/U

0.87 x 0.44

0.00035-0.00047

512-348/S

*) A=Aluminium, B = Messing, S = Silber

0.034 x 0.017

Quelle: Produktkatalog der Firma Flann Microwave (www.flann.com)

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse
6.1. Impedanz- und Admittanz-Matrizen
Betrachtet sei eine Schaltung mit N Toren (Anschlssen), aus denen elektromagnetische Wellen
ein- und auslaufen. Charakterisiert wird dieses N -Tor durch die Klemmenspannungen Ui und
die Klemmenstrme Ii .1 In Bild 6.1 ist ein solches N -Tor schematisch dargestellt.
Besteht die Schaltung aussschlielich aus linearen Bauelementen, so spricht man von einem
linearen Netzwerk. Setzt man weiterhin voraus, dass innerhalb der Schaltung keine Quellen
existieren, so besteht ein linearer Zusammenhang zwischen den Klemmenspannungen und

Es handelt sich dabei um die Gesamtspannung bzw. den Gesamtstrom, resultierend aus der berlagerung von
hin- und rcklaufender Welle.

Bild 6.1.: Schematische Darstellung eines N -Tores mit Klemmenspannungen und -strmen.

125

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

126
-strmen an den einzelnen Toren:
Ui =
Ii =

N
X

k=1
N
X

Zik Ik

fr

i = 1, . . . ,N

(6.1)

Yik Uk

fr

i = 1, . . . ,N

(6.2)

k=1

Die Koeffizienten Zik und Yik werden dabei als Impedanz- bzw. Admittanzparameter, oder krzer als Z- bzw. Y -Parameter bezeichnet. Besteht die Schaltung aus konzentrierten Elementen,
so lassen sich die Z- bzw. Y -Parameter direkt aus der Schaltung mittels Maschen- und Knotenregel bestimmen.
Zur Bestimmung des Impedanzparameters Zik werden smtliche Strme mit Ausnahme von Ik
zu Null gesetzt, d.h. die entsprechenden Tore werden offen gelassen (Leerlauf). Unter dieser
Voraussetzung kann Zik berechnet werden zu

Ui
Zik =
Ik Ij =0 fr j6=k, Ik 6=0

(6.3)

Analog bestimmen sich die Admittanzparameter Yik , indem die Spannungen smtlicher Tore
mit Ausnahme des k-ten Tores zu Null gesetzt, d.h. kurzgeschlossen werden:

Ii
Yik =
Uk Uj =0 fr j6=k, Uk 6=0

(6.4)

Die Gleichungssysteme (6.1) und (6.2) lassen sich krzer und bersichtlicher in Matrixform
schreiben. Aus (6.1) wird dann

U1
U2
..
.
UN

Z11
Z21
..
.

Z12
Z22
..
.

...

Z1N
Z2N
..
.

ZN 1 ZN 2 ZN N

I1
I2
..
.
IN

(6.5)

oder
[U] = [Z] [I]

(6.6)

6.2. Streuvariable

127

Entsprechend schreibt sich (6.2) in Matrizenschreibweise

I1
I2
..
.
IN

Y11
Y21
..
.

Y12
Y22
..
.

...

Y1N
Y2N
..
.

YN 1 YN 2 Y N N

U1
U2
..
.
UN

(6.7)

oder
[I] = [Z] [U]

(6.8)

Nicht immer lt sich ein Netzwerk in beiden Darstellungen beschreiben. Ist jedoch die Matrix
[Z] oder [Y] invertierbar, d.h. sie besitzt eine nicht verschwindende Determinante, so ist auch
die jeweils andere Matrix ([Y] bzw. [Z]) invertierbar und es gilt
[Y] = [Z]1

und

[Z] = [Y]1

(6.9)

6.2. Streuvariable
In vielen Fllen ist eine Definition von Strom und Spannung nicht eindeutig mglich (z.B. bei
Hohlleitern), da die Integrale
I
Z
~ d~s
~ d~s und
H
(6.10)
E
nicht wegunabhngig sind wie bei TEM-Leitungen. Messbar hingegen ist die von der Quelle
zum Verbraucher transportierte bzw. die am Verbraucher reflektierte Wirkleistung, die durch eine definierte Querschnittsflche der Leitung fliet (Leistungswellen). Um den Zusammenhang
mit den bisher betrachteten Spannungs- und Stromgren herzustellen, werden im Folgenden
zunchst ausschlielich TEM-Leitungen betrachtet. Die fr Leistungswellen gelten Beziehungen sind jedoch auch bei anderen Leitungstypen anwendbar, lediglich die Umrechnung auf
Spannungs- bzw. Stromgren entfllt, wenn diese nicht definiert sind.

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

128

6.2.1. Leistungswellen
Fr die gesamte zum Verbraucher transportierte komplexe Scheinleistung auf einer TEMLeitung gilt
1
1
S(z) = U (z)I (z) = [UH (z) + UR (z)][IH (z) IR (z)]
2
2
1
= [UH (z)IH (z) UR (z)IR (z) + UR (z)IH (z) UH (z)IR (z)]
2

(6.11)
.

Mit (4.19) folgt daraus




1
UH (z)
UR (z)

S(z) =
UH (z)IH (z) UR (z)IR (z) + UR (z)
UH (z)
2
ZL
ZL
1
1
[UR (z)UH (z) (UR (z)UH (z)) ]
= [UH (z)IH (z) UR (z)IR (z)] +

2
2ZL
j
= SH (z) SR (z) + Im {UR (z)UH (z)} ,
ZL

(6.12)

wobei
1
SH (z) := UH (z)IH (z)
2

und

1
SR (z) := UR (z)IR (z)
2

(6.13)

die zum Verbraucher hinlaufende bzw. zur Quelle zurcklaufende komplexen Scheinleistungen
bedeuten. Fr eine verlustfreie (oder nherungsweise fr eine hchstens schwach verlustbehaftete Leitung) ist der Leitungswellenwiderstand ZL reell und damit gilt fr die transportierte
Wirkleistung
PW (z) = Re S(z) = Re SH (z) Re SR (z) = PW,H (z) PW,R (z) .

(6.14)

Die gesamte zum Verbraucher transportierte Wirkleistung ergibt sich somit als Differenz der
von der hinlaufenden Welle transportierten Wirkleistung PW,H abzglich der in die Quelle zurcklaufenden Wirkleistung PW,R . Diese beiden Teilleistungen sind den hin- und rcklaufenden
Teilwellen eindeutig zuzuordnen, wobei gem (6.12) bis (6.14) gilt:

und

PW,H =

1
|UH (z)|2
|IH (z)|2
Re {UH (z)IH (z)} =
ZL
=
2
2ZL
2

(6.15)

PW,R =

|UR (z)|2
|IR (z)|2
1
Re {UR (z)IR (z)} =
ZL
=
2
2ZL
2

(6.16)

6.2. Streuvariable

129

Die Wirkleistungen sind damit den Quadraten der Betrge (Amplituden) der hin- und rcklaufenden Spannungs- bzw. Stromwellen proportional. Definiert man nun gem DIN 4899 die
sogenannten Streuvariablen2
a(z) :=

und

b(z) :=

p
UH (z)

= IH (z) ZL
ZL
p
UR (z)

= IR (z) ZL
ZL

(6.17)

(6.18)

so gilt mit Blick auf (6.15) und (6.16)


PW,H (z) =

1
|a(z)|2
2

1
|b(z)|2
2

und

PW,R (z) =

(6.19)

und

q
|b(z)| = 2PW,R (z) .

(6.20)

und somit
q
|a(z)| = 2PW,H (z)

Die Betrge der Streuvariablen a(z) und b(z) sind dadurch direkt mit den transportierten Wirkleistungen der hin- und rcklaufenden Teilwellen verknpft. Die Beziehung (6.20) kann auch
als Definition fr die Streuvariablen angesehen werden, die es erlaubt a(z) und b(z) aus den
(stets eindeutig definierten) Wirkleistungen zu bestimmen, selbst wenn keine Spannungen und
Strme definiert werden knnen. Mit (6.20) ist aber nur der Betrag der Streuvariablen gegeben.
Fr die Phase gilt mit (6.17) bzw. (6.18)

bzw.

arg a(z) = arg UH (z) = arg IH (z)

(6.21)

arg b(z) = arg UR (z) = arg IR (z) .

(6.22)

Sind Spannung und Strom nicht definiert, so kann die Phase auch direkt aus dem elektrischen
oder magnetischen Feld gewonnen werden, da einer Phasenfront einer einzelnen elektromagnetischen Welle stets eine konstante Phase zugeordnet ist.
Fr die resultierende zum Verbraucher transportierte Wirkleistung gilt mit (6.14) und (6.19)
PW (z) =


1
|a(z)|2 |b(z)|2
2

(6.23)

Der Reflexionsfaktor auf der Leitung gem (4.27) ergibt sich mit (6.17) und (6.18) zu
r(z) =
2

UR (z)
IR (z)
b(z)
=
=
UH (z)
IH (z)
a(z)

auch Leistungswellen oder Wellengren genannt

(6.24)

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

130

Die Streuvariablen a(z) und b(z) besitzen wegen (6.17) und (6.18) die gleiche Ortsabhngigkeit
wie die Spannungs- bzw. Stromwellen (4.17) bzw. (4.18):
a(z) = a(0) e+z

b(z) = b(0) ez

und

(6.25)

Fr die resultierende Spannung und den resultierenden Strom, die sich auf der Leitung durch
die berlagerung von hin- und rcklaufender Welle ergeben, gilt mit (6.17) und (6.18)
U (z) = UH (z) + UR (z) =
I(z) = IH (z) IR (z)

p
ZL [a(z) + b(z)]

1
= [a(z) b(z)] .
ZL

(6.26)
(6.27)

Umgekehrt lassen sich die Streuvariablen a(z) und b(z) auch eindeutig aus Gesamtspannung
U (z) und Gesamtstrom I(z) berechnen:


p
1
1
U (z) + ZL I(z)
a(z) =
2
ZL



p
1
1
U (z) ZL I(z)
b(z) =
2
ZL

(6.28)

(6.29)

Durch die Zusammenhnge (6.26) bis (6.29) lassen sich alle Schaltungen, die sich mittels Spannung U und Strom I beschreiben lassen, alternativ auch durch die Streuvariablen a und b beschreiben. Umgekehrt braucht dies jedoch nicht der Fall zu sein, da Spannung und Strom nicht
definiert sein mssen.
Streuvariable am Beispiel des Rechteckhohlleiters
Fr den Rechteckhohlleiter gem Abschnitt 5.5.3 kann nicht auf die Spannungs- bzw. Stromdarstellung zurckgegriffen werden. In diesem Fall werden die Streuparameter ber die transportierte Wirkleistung einer Welle berechnet. Aus (6.19) folgt mit (5.119) fr die transportierte
Wirkleistung der hinlaufenden Hohlleiterwelle3
PW,H =

2
E0,H
1
ab = |a(z)|2
4ZFH
2

(6.30)

und somit
r

|a(z)| = |E0,H |
3

ab
2ZFH

Verwechslungen der Streuvariable a(z) mit der Hohlleiterabmessung a sollten nicht zu befrchten sein.

(6.31)

6.3. Streumatrix

131

Gem der Bemerkung nach (6.22) gilt


o
n
 


x ejz z = arg E0,H ejz z
arg a(z) = arg EH (z) = arg E0,H sin
a

(6.32)

und damit
a(z) = E0,H (0)

ab jz z
e
2ZFH

(6.33)

Entsprechend gilt fr die Streuvariable der rcklaufenden Welle


b(z) = E0,R (0)

ab jz z
e
2ZFH

(6.34)

Die Streuvariable sind damit direkt proportional zum elektrischen Feld, bzw. zu der Querkomponente des magnetischen Feldes. Der Ausbreitungsfaktor ejz z ist identisch mit dem der
TEM-Welle, wobei als Ausbreitungskonstante z gem (5.114) einzusetzen ist.

6.3. Streumatrix
Auf die gleiche Art und Weise, wie [Z]- und [Y]-Matrizen die komplexen Amplituden der
Strme und Spannungen eines Mehrtors verknpfen, werden durch die Streumatrix die komplexen Amplituden eines Mehrtores verknpft. Bezeichnet man, wie in Bild 6.2, die Tore mit
1 . . . k . . . n, dann luft am Tor k die Welle mit der Streuvariablen ak ein, die Welle mit der
Streuvariablen bk aus. Aus den Netzwerkgleichungen lsst sich fr die Streuvariablen, die gem Abschnitt 6.2 mit Strom und Spannung verknpft sind, ein Gleichungssystem aufstellen:
b1 = s11 a1 + s12 a2 + + s1N aN
b2 = s21 a1 + s22 a2 + + s2N aN
..
.
.
..
.
.
. = .. + .. + . . +

(6.35)

bN =sN 1 a1 +sN 2 a2 + +sN N aN


Die Streuvariable fr die rcklaufende Welle des i-ten Tores einer Zeile aus Gleichung 6.35 ist

bi =

N
X
k=1

sik ak

i = 1,2, . . . ,N

(6.36)

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

132

Bild 6.2.: Ein- und auslaufende Wellen an einem N -Tor (Zhlrichtung im Uhrzeigersinn)
Die Koeffizienten sik sind im Allgemeinen komplexe Gren. Man kann sie in blicher Weise zu
einer Matrix [S], die ak und bk zu Spaltenmatrizen oder Vektoren [a] und [b] zusammenfassen:

b1
b2
..
.
..
.
bN

s11 s12 . . . . . . . . . s1N


s21 s22 . . . . . . . . . s2N
..
..
..
...
.
.
.
..
..
..
...
.
.
.
sN 1 sN 2 . . . . . . . . . s N N

a1
a2
..
.
..
.
aN

(6.37)

Abkrzend schreibt man:


[b] = [S] [a]

(6.38)

Die Matrix [S] ist quadratisch und heit Streumatrix, ihre Elemente werden Streuparameter
genannt. Der Wellenwiderstand als Bezug fr die Tore kann verschieden sein und muss dann

6.3. Streumatrix

133

Bild 6.3.: Leitung mit Streuvariablen


angegeben werden. Ist kein Bezugswiderstand angegeben, so kann man von einem Wellenwiderstand an allen Toren von 50 ausgehen. Als Beispiel wird die Streumatrix einer Leitung der
Lnge l nach Bild 6.3 bestimmt. Fr dieses Beispiel lautet das Gleichungssystem gem (6.35)
b1 = s11 a1 + s12 a2

b2 = s21 a1 + s22 a2

(6.39)

Aus dem Gleichungssystem folgt unmittelbar


s11


b1
=
a1 a2 =0

(6.40)

Zur Bestimmung von s11 wird ein Generator an Tor 1 an-, das Tor 2 reflexionsfrei abgeschlossen. Im Fall der TEM-Leitung wird mit dem Wellenwiderstand ZL abgeschlossen. s11 ist nach
(6.40) identisch mit dem Reflexionsfaktor am Tor 1
s11 = r1

(6.41)

Ist die Leitung ideal, so tritt bei reflexionsfreiem Abschluss der Leitung keine rcklaufende
Welle auf, d.h. b1 = 0 und somit s11 = 0. Aus (6.39) folgt weiter:
s12


b1
=
a2 a1 =0

(6.42)

Zur Bestimmung von s12 schliet man den Generator an Tor 2 an und schliet Tor 1 reflexionsfrei mit einem Messgert ab. Bei idealer Leitung erfhrt die einlaufende Welle bis zum Ausgang
eine Phasendrehung um den Winkel = 2l/. Damit wird
s12 = ej

(6.43)

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

134

Auf die gleiche Weise folgen die Streuparameter s21 und s22 . Fr die ideale Leitung lautet die
Streumatrix
"
#
0 ej
[S] =
.
(6.44)
ej 0

6.4. Spezielle Eigenschaften von Netzwerken


Eigenreflexionsfreiheit
Tritt an einem Tor k mit angeschlossenem Generator keine rcklaufende Welle auf und sind alle
anderen Tore reflexionsfrei abgeschlossen, dann gilt fr das zugehrige Element der Hauptdiagonalen der Streumatrix
skk = 0 .

(6.45)

Das Tor k des Netzwerkes ist eigenreflexionsfrei. Eine andere gebruchliche Bezeichnung dafr
ist angepasst.
Umkehrbarkeit
Bei einem Mehrtor, das dem Umkehrsatz gengt, gilt
skl = slk

(6.46)

fr alle k und l, abgesehen von k 6= l. Das Mehrtor muss durch die Maxwellschen Gleichungen
beschreibbar sein. Ist die Bedingung zustzlich fr k = l erfllt, so ist das Mehrtor symmetrisch
umkehrbar, Wenn der Umkehrsatz fr die Matrix gilt, knnen die Tore beliebig vertauscht werden.
Passivitt
Die Wirkleistungsbilanz lsst sich berechnen zu
PW =

X
k

PW,k =


1X
|ak |2 |bk |2
2 k

(6.47)

Die |ak |2 erhlt man aus


|ak |2 = ak ak

(6.48)

6.4. Spezielle Eigenschaften von Netzwerken

135

und in Matrizenschreibweise durch

a1
N
X
+

..
[a] [a] = [a1 aN ] . =
|ak |2

(6.49)

k=1

aN

Dabei ist [a]+ die zu [a] adjungierte bzw. hermitesch konjugierte Matrix. Die zu einer beliebigen
Matrix [A] adjungierte Matrix [A]+ ist definiert durch
[A]+ = ([A] )T = ([A]T )

wobei [Aik ]T = [Aki ] die transponierte Matrix (Vertauschung von Zeilen und Spalten) und [A]
die zu [A] (elementweise) konjugiert komplexe Matrix ist.
Somit lsst sich die Wirkleistung auch schreiben als
PW =


1
[a]+ [a] [b]+ [b]
2

(6.50)

Da weiter nach den Matrizenregeln gilt


([A] [B])+ = [B]+ [A]+

(6.51)

folgt aus
[b] = [S] [a]

(6.52)

direkt
[b]+ = [a]+ [S]+

(6.53)

Setzt man (6.49), (6.52) und (6.53) in (6.50) ein, so erhlt man

1
[a]+ [a] [a]+ [S]+ [S][a]
2

1 +
=
[a] [E] [S]+ [S] [a] .
2

PW =

wobei E die Einheitsmatrix bedeutet.

(6.54)
(6.55)

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

136

Ein N -Tor ist passiv, wenn die Summe der einlaufenden Wirkleistungen grer oder gleich den
auslaufenden Wirkleistungen ist, das heit, wenn die Leistungsbilanz, von auen nach innen
gerechnet positiv oder maximal null ist. Dies muss fr jeden Betriebszustand erfllt sein.
PW 0

(6.56)

1
PW = [x]+ [R][x]
2

(6.57)

Eine quadratische Form der Art

ist dann fr alle [x] grer oder gleich Null, wenn alle Eigenwerte von [R] 0 sind. Eine Matrix
mit diesen Eigenschaften nennt man auch positiv semidefinit. Auf (6.55) angewandt bedeutet
dies, dass der Ausdruck

[R] = [E] [S]+ [S]

(6.58)

fr passive Streumatrizen positiv semidefinit sein muss.

Ein Mehrtor ist verlustlos, falls die Wirkleistung gleich Null ist:
PW = 0

(6.59)

Dies bedeutet nach (6.55)


[S] [S]+ = [E]
bzw.

[S]+ [S] = [E]

(6.60)
,

(6.61)

d.h. die Streumatrix ist unitr.

6.5. ABCD-Matrix und Transmissionsmatrix


Bei der Hintereinanderschaltung (Kettenschaltung) mehrerer Zweitore ist die Beschreibung der
Zweitore mittels Verkettungsmatrizen vorteilhaft. Diese setzen die Gren an Tor 1 mit denen
an Tor 2 in Verbindung, gem dem folgenden Schema:

6.5. ABCD-Matrix und Transmissionsmatrix

137

Bild 6.4.: Hintereinanderschaltung mehrerer Zweitore und zugehrige Multiplikation der


Verkettungsmatrizen

Bild 6.5.: Hintereinanderschaltung mehrerer Zweitore in der Spannungs-/Stromdarstellung


Man erhlt die Beschreibungsgren von Tor 1, indem die Gren an Tor 2 mit der Verkettungsmatrix multipliziert werden. Der Vorteil der Darstellung mittels Verkettungsmatrizen entsteht
erst bei der Hintereinanderschaltung mehrerer Zweitore. Die Verkettungsmatrix der gesamten
Schaltung erhlt man dann durch einfache Matrizenmultiplikation der einzelnen Verkettungsmatrizen. Die Reihenfolge der einzelnen Verkettungsmatrizen entspricht dabei der Reihenfolge
der Hintereinanderschaltung der Zweitore (vgl. Bild 6.4).
Man unterscheidet je nach Darstellung zwei Arten von Verkettungsmatrizen. Werden die Einund Ausgangstore mittels Spannungen und Strmen beschrieben, erfolgt die Charakterisierung
der Zweitore am zweckmigsten mittels der ABCD-Matrizen. Erfolgt die Beschreibung mittels
Streuvariablen, so wird die Transmissionsmatrix verwendet.
ABCD-Matrix
Bei einer Beschreibung mittels Spannungen und Strmen an den Ein- und Ausgngen der Zweitore, stellt sich eine Hintereinanderschaltung wie in Bild 6.5 gezeigt dar. Bei der Formulierung
ist die Verkettungsbedingung zu beachten. Damit ist gemeint, wie die Spannungen und Strme
an den Verbindungsstellen der Zweitore zusammenhngen. Mit Blick auf Bild 6.5 egibt sich die

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

138

Verkettungsbedingung zwischen dem n-ten und dem nachfolgenden (n + 1)-ten Zweitor


(n+1)

U1

(n)

= U2

(n+1)

I1

und

(n)

= I2

(6.62)

d.h. die Eingangsspannung (Tor 1) eines Zweitores ist gleich der Ausgangsspannung (Tor 2)
des vorangegangenen Zweitores. Beim Strom gilt das gleiche, jedoch ist aufgrund der unterschiedlichen Zhlrichtung (der Strom wird beim hineinflieen in das Zweitor positiv gezhlt)
ein Minuszeichen beim Strom in (6.62) erforderlich.
Unter diesen Voraussetzungen lautet die Transformationsgleichung des Zweitores mittels
ABCD-Matrix, welche auch mit [A] bezeichnet wird
!

U1
I1

!
A B
=
C D
{z
}
|

U2
I2

(6.63)

ABCD-Matrix [A]

was gleichbedeutend ist mit

U1 = A U2 B I2

I1 = C U2 D I2

(6.64)

Aus der Bezeichnung der Koeffizienten mit A bis D resultiert die Bezeichnung ABCD-Matrix.
Liegt eine Beschreibung des Zweitores in Form von Impedanzparametern [Z] vor, so lassen
sich durch Umstellen von (6.1) und Koeffizientenvergleich mit (6.64) die Elemente der ABCDMatrix bestimmen:
A =

Z11
Z21

B =

Z11 Z22
Z12
Z21
(6.65)

C =

1
Z21

D =

Z22
Z21

Umgekehrt ergeben sich die Elemente der Impedanzmatrix [Z] aus den Elementen der ABCDMatrix zu
Z11 =
Z21

A
C

1
=
C

Z12 =
Z22

AD
B
C

D
=
C

(6.66)
.

6.5. ABCD-Matrix und Transmissionsmatrix

139

Bild 6.6.: Hintereinanderschaltung mehrerer Zweitore in der Darstellung mittels Streuvariablen


Auf die gleiche Weise lt sich auch eine Umrechnung von Admittanzparametern [Y] in
ABCD-Darstellung durchfhren
A =

Y22
Y21

B =

1
Y21
(6.67)

Y11 Y22
C = Y12
Y21

Y11
D =
Y21

und umgekehrt aus den ABCD-Parametern die Admittanzparameter bestimmen


Y11 =
Y21

D
B

Y12 = C

1
=
B

Y22

AD
B

A
=
B

(6.68)
.

Werden nun N Zweitore gem Bild 6.5 hintereinander geschaltet, so ergibt sich die ABCDMatrix [Ages ] des gesamten Systems durch Matrizenmultiplikation zu
[Ages ] = [A1 ] [A2 ] [AN ] ,

(6.69)

wobei die [Ai ] die ABCD-Matrizen der einzelnen Zweitore darstellen.


Transmissions-Matrix
Liegt die Beschreibung der einzelnen Zweitore in der Form von Streuvariablen vor, so stellt sich
die Hintereinanderschaltung mehrerer Zweitore wie in Bild 6.6 gezeigt dar. Die Verkettungsbedingung an den Verbindungsstellen der Zweitore ergibt sich aus Bild 6.6 zu
(n+1)

b1

(n)

= a2

und

(n+1)

a1

(n)

= b2

(6.70)

d.h. die einlaufende Welle a1 am Eingang (Tor 1) eines Zweitores ist gleich der auslaufenden
Welle b2 am Ausgang (Tor 2) des vorangegangenen Zweitores. Entsprechend ergibt sich die

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

140

einlaufende Welle a2 am Ausgang (Tor 2) eines Zweitors als auslaufende bzw. reflektierte Welle
am Eingang (Tor 1) des nachfolgenden Zweitors.
Damit lautet die Transformationsgleichung des Zweitores mittels der Transmissions-Matrix [T]:
!

b1
a1

!
T11 T12
=
T21 T22
{z
}
|

a2
b2

(6.71)

Transmissions-Matrix [T]

Zur Berechnung der Parameter T11 , T12 , T21 und T22 aus den Streuparametern wird das Gleichungssystem (6.37) nach b1 und a1 umgestellt:
b1 =

S11 S22
S12
S21

a1 =

a2 +

S11
b2
S21
(6.72)

1
S22
a2 +
b2
S21
S21

Durch Koeffizientenvergleich mit (6.71) ergibt sich


T11 = S12

S11 S22
S21

T12 =

S11
S21
(6.73)

T21

S22
=
S21

T22

1
=
S21

Diese Umrechnung setzt voraus, dass S21 6= 0 ist, d.h. die Transmission des Zweitores in Vorwrtsrichtung nicht verschwindet. Ganz entsprechend lassen sich aus T11 , T12 , T21 und T22 die
zugehrigen Streuparameter berechnen:
T12
T22

S12 = T11

1
=
T22

T21
=
T22

S11 =

T12 T21
T22
(6.74)

S21

S22

Werden nun N Zweitore gem Bild 6.6 hintereinander geschaltet, so ergibt sich die Transmissionsmatrix [Tges ] des gesamten Systems durch Matrizenmultiplikation zu
[Tges ] = [T1 ] [T2 ] [TN ]

wobei die [Ti ] die Transmissionsmatrizen der einzelnen Zweitore darstellen.

(6.75)

6.6. Berechnungsmethoden fr die Streumatrix

141

Bild 6.7.: Schematische Darstellung eines n-Tores, es gilt [b] = [S][a].

6.6. Berechnungsmethoden fr die Streumatrix


6.6.1. Streuparameterbestimmung aus
Strom-Spannungsdefinition
Sofern Bauelemente der Hochfrequenztechnik nicht als konzentrierte Elemente vorliegen, lassen sie sich in vielen Fllen durch Ersatzschaltbilder beschreiben. Diese enthalten konzentrierte
Elemente (Widerstnde, Kondensatoren, Induktivitten) und zum Teil Strom- oder Spannungsquellen (bei aktiven Elementen Transistoren). Mit Hilfe der Knoten- und Maschenregel lassen
sich hieraus Leitwert-Parameter (Y -Parameter)
I1 = Y11 U1 + Y12 U2
I2 = Y21 U1 + Y22 U2

(6.76)

oder Widerstands-Parameter (Z-Parameter) ableiten.


U1 = Z11 I1 + Z12 I2
U2 = Z21 I1 + Z22 I2

(6.77)

Ersetzt man in (6.76) und (6.77) die Spannungen und Strme durch (6.26) und (6.27) und setzt
die dadurch gewonnenen Streuvariablen a1 , b1 , a2 und b2 in (6.39) ein, so kann man daraus

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

142

die S-Parameter als Funktion der Y - und Z-Parameter bestimmen. Da die S-Parameter relative
Gren, die Y - und Z-Parameter jedoch absolute Gren sind, fhrt man auch hier relative
Gren ein und bezieht alle Werte auf den reellen Bezugswellenwiderstand Z0 .
Fr Zweitore sind die Umrechnungsbeziehungen in Tabelle 6.1 angegeben. Diese beinhaltet
zustzliche Formeln fr die Hybrid-(H)- und die Ketten-(A)-Parameter. Mit Hilfe dieser Umrechnungsformeln lassen sich auch leicht Parallel- und Serienschaltungen von Zweitoren durch
entsprechende Umwandlungen berechnen:
[S]

[Y]

Parallelschaltung

[Y]

[S]

[S]

[Z]

Serienschaltung

[Z]

[S]

6.6.2. Konversion zwischen Matrizen


Aufgrund der linearen Zusammenhnge zwischen den Strom- Spannungsbeziehungen und den
Streuvariablen lassen sich Impedanzparameter in Leitwertparameter oder Streuparameter umrechnen. Fr den hufig vorkommenden Anwendungsfall von Zweitoren (welche in der analogen Schaltungstechnik auch als Vierpole bzeichnet werden) sind in Tabelle 6.1 die Umrechnungsbeziehungen zwischen den [S]-, [Z]-, [Y]-, [A] (ABCD)- und [T]-Matrizen angegeben.

6.6.3. Zusammenschaltung von Mehrtoren


Bei der Zusammenschaltung von Mehrtoren interessiert die resultierende Streumatrix. Diese
lsst sich bestimmen durch Aufstellen des Gleichungssystems nach (6.37) bzw. (6.39). Durch
Gleichsetzen der Leistungswellen an den Verbindungsstellen und anschlieende Elimination
dieser Streuvariablen lsst sich die gesuchte Streumatrix bestimmen.
Ein in vielen Fllen bequemerer Weg ist jedoch die direkte Bestimmung der einzelnen Streuparameter nach

bi
.
(6.78)
sij =
aj (ak =0),k=1...N,k6=j

Man denkt sich eine Welle an Tor j eingespeist, whrend die restlichen Tore mit ihrem Bezugswiderstand abgeschlossen sind und ermittelt den oder die Signalwege zum gewnschten
Ausgangstor. Auf diese Weise lsst sich die [S]-Matrix des entstandenen Mehrtors relativ einfach bestimmen.
In Ergnzung zu den in Abschnitt 6.4 dargelegten Eigenschaften von Streumatrizen lsst sich
folgendes angeben:

[S]
S11

S11

S12

S12

S21

S21

S22

S22

Z11
Z12
Z21
Z22
Y11
Y12
Y21
Y22
A
B
C
D
T11
T12
T21

[Y]

[A] (ABCD)

[T]

(Y0 Y11 )(Y0 + Y22 ) + Y12 Y21


(Y11 + Y0 )(Y22 + Y0 ) Y12 Y21
2Y12 Y0
(Y11 + Y0 )(Y22 + Y0 ) Y12 Y21
2Y21 Y0
(Y11 + Y0 )(Y22 + Y0 ) Y12 Y21
(Y0 + Y11 )(Y0 Y22 ) + Y12 Y21
(Y11 + Y0 )(Y22 + Y0 ) Y12 Y21

A + B/Z0 CZ0 D
A + B/Z0 + CZ0 + D
2(AD BC)
A + B/Z0 + CZ0 + D
2
A + B/Z0 + CZ0 + D
A + B/Z0 CZ0 + D
A + B/Z0 + CZ0 + D

T12
T22
T11 T22 T12 T21
T22
1
T22
T21
T22

Y22
Y11 Y22 Y12 Y21
Y12
Y11 Y22 Y12 Y21
Y21
Y11 Y22 Y12 Y21
Y11
Y11 Y22 Y12 Y21

A
C
AD BC
C
1
C
D
C

Z11
Z12
Z21
Z22

(1 S11 )(1 + S22 ) + S12 S21


(1 + S11 )(1 + S22 ) S12 S21
2S12
Y0
(1 + S11 )(1 + S22 ) S12 S21
2S21
Y0
(1 + S11 )(1 + S22 ) S12 S21
(1 + S11 )(1 S22 ) + S12 S21
Y0
(1 + S11 )(1 + S22 ) S12 S21

Z22
Z11 Z22 Z12 Z21
Z12
Z11 Z22 Z12 Z21
Z21
Z11 Z22 Z12 Z21
Z11
Z11 Z22 Z12 Z21

(1 + S11 )(1 S22 ) + S12 S21


2S21
(1 + S11 )(1 + S22 ) S12 S21
Z0
2S21
1 (1 S11 )(1 S22 ) S12 S21
Z0
2S21
(1 S11 )(1 + S22 ) + S12 S21
2S21

Z11
Z21
Z11 Z22 Z12 Z21
Z21
1
Z21
Z22
Z21

Y0

S12 S21 S11 S22


S21
S11
S21
S22
S21
1
S21

Y11
Y12
Y21
Y22
Y22
Y21
1
Y21
Y12 Y21 Y11 Y22
Y21
Y11
Y21

D
B
BC AD
B
1
B
A
B
A
B
C
D
T11
T12
T21
T22

143

T22

(1 + S11 )(1 S22 ) + S12 S21


(1 S11 )(1 S22 ) S12 S21
2S12
Z0
(1 S11 )(1 S22 ) S12 S21
2S21
Z0
(1 S11 )(1 S22 ) S12 S21
(1 S11 )(1 + S22 ) + S12 S21
Z0
(1 S11 )(1 S22 ) S12 S21
Z0

[Z]
(Z11 Z0 )(Z22 + Z0 ) Z12 Z21
(Z11 + Z0 )(Z22 + Z0 ) Z12 Z21
2Z12 Z0
(Z11 + Z0 )(Z22 + Z0 ) Z12 Z21
2Z21 Z0
(Z11 + Z0 )(Z22 + Z0 ) Z12 Z21
(Z11 + Z0 )(Z22 Z0 ) Z12 Z21
(Z11 + Z0 )(Z22 + Z0 ) Z12 Z21

6.6. Berechnungsmethoden fr die Streumatrix

Tabelle 6.1.: Umrechnung verschiedener Zweitorparameter

144

6. Mikrowellen Netzwerk-Analyse

Umkehrbarkeit
Bei der Zusammenschaltung von Mehrtoren, von denen jedes einzelne Mehrtor umkehrbar ist,
ist auch das daraus entstehende Mehrtor umkehrbar. Enthlt die Zusammenschaltung jedoch ein
nicht umkehrbares Mehrtor, so lsst sich ber das Verhalten des Gesamtmehrtores keine direkte
Aussage treffen.
Verlustfreiheit
Die Verlustfreiheit von zusammengeschalteten Mehrtoren ist nicht erfllt, falls die Zusammenschaltung mindestens einen Absorber (reflexionsfreier Abschluss) enthlt, der so beschaltet ist,
dass in ihn auch Leistung hineinflieen kann.

7. Mikrowellensysteme
Das vorliegende Kapitel soll einen berblick ber unterschiedliche Mikrowellensysteme sowie
die bentigten Komponenten geben. Heutige Anwendungen im Mikrowellenfrequenzbereich
lassen sich hauptschlich in folgende Gruppen unterteilen:
Radarsysteme,
Funkkommunikationssysteme,
Radiometer,
Elektronische Kampffhrung,
Mikrowellenheizung,
Medizinische Anwendungen (z.B. Magnetresonanztomographie).
Auf die wichtigsten Gruppen und ihre Komponenten wird im vorliegenden Kapitel nur kurz
eingegangen, da fr detailliertere Studien auf Spezialvorlesungen verwiesen [15, 13, 21, 23]
werden kann. Im Folgenden werden zuerst die wesentlichsten Komponenten von Mikrowellensystemen eingefhrt, gefolgt von einem berblick ber verschiedene Systeme.

7.1. Ebene Welle


Den Ausgangspunkt aller berlegungen zur Beschreibung elektrodynamischer Fragestellungen
bilden die Maxwell-Gleichungen. Fr quellenfreie, raumladungsfreie, isotrope und homogene
Materialien lassen sich daraus die Wellengleichungen ableiten. Die einfachste Lsung der Wellengleichungen ist die ebene Welle. Ausfhrliche Herleitungen dazu finden sich in [8, 10]. Eine
ebene Welle, deren Ausbreitungsrichtung durch den Einheitsvektor ~ek charakterisiert ist, lsst
sich in folgender Form schreiben:
~ x) = E
~ 0 ejk~ek ~x
E(~

(7.1)

~
~
~ x) = ~ek E(~x) = ~ek E0 ejk~ek ~x = H
~ 0 ejk~ek ~x
H(~
ZF
ZF

(7.2)

145

7. Mikrowellensysteme

146
Die komplexe Wellenzahl des Mediums

r
p
r

2
= k0 n
k = k jk = j = 0 0 r r j
r
0

00

(7.3)

ergibt sich aus den Materialparametern Permittivitt , Leitfhigkeit und Permeabilitt .

Die Gre k0 = /c0 mit der Lichtgeschwindigkeit c0 = 1/ 0 0 im Vakuum kennzeichnet die Wellenzahl im Vakuum und n den komplexen Brechungsindex des Mediums. Sowohl
die elektrische Feldstrke als auch die magnetische Feldstrke stehen senkrecht auf der Ausbreitungsrichtung und senkrecht aufeinander. Es handelt sich somit um eine sogenannte TEMWelle (TEM: Transversal ElektroMagnetisch). Die Vektoren bilden in der Reihenfolge (~ek ,
~ H)
~ oder auch (E,
~ H,
~ ~ek ) ein Rechtssystem (rechte Handregel). Fr den komplexen FeldE,
wellenwiderstand des Mediums, welcher das Verhltnis der komplexen Amplituden zueinander
beschreibt, gilt:
ZF =

E
=
H
k

(7.4)

Fr eine ebene Welle in Luft (r 1, 0, r 1) kann in guter Nherung der reelle


Feldwellenwiderstand
r
0
ZF0 =
= 120 377
(7.5)
0
des Vakuums verwendet werden. Fr ebene Wellen in Luft bzw. Vakuum stehen somit elektrische und magnetische Feldstrke nicht nur senkrecht aufeinander und senkrecht auf der Ausbreitungsrichtung, was aus (7.2) folgt, sondern sind auerdem in Phase.
Eine ebene Welle mit der oben beschriebenen mathematischen Form lsst sich in der Realitt
nicht erzeugen. Sofern der Beobachtungspunkt jedoch gengend weit von der Quelle entfernt
ist, kann die resultierende Kugelwelle (sphrische Welle) auf einem kleinen Ausschnitt der Kugel, d.h. in einem kleinen Raumwinkelbereich, als ebene Welle gedeutet werden (lokal ebene
Welle). Deren Amplitude ist allerdings im Gegensatz zur eigentlichen ebenen Welle nicht konstant, sondern nimmt umgekehrt proportional zur Entfernung von der Quelle ab.

7.1.1. Poynting-Vektor und Leistungsdichte


~ ist der Vektor der Energiestromdichte und somit das Vektorprodukt aus
Der Poynting-Vektor S
~ und H:
~
E
~ y, z, t) = E(x,
~
~
S(x,
y, z, t) H(x,
y, z, t)

(7.6)

7.1. Ebene Welle

147

x
Ex

z
y

Hy

Bild 7.1.: Momentaufnahme einer ebenen, linear polarisierten Welle


Bei harmonischen Zeitvorgngen fhrt man einen komplexen Poynting-Vektor ein


~ H
~
~=1 E
S
2

bzw.

n o
~ (t) ,
~ =S
Re S

(7.7)

wobei der Realteil des Poyntingvektors die Wirkleistungsdichte darstellt.


Da bei einer ebenen Welle im freien Raum E und H immer senkrecht aufeinander stehen und
in Phase sind, vereinfacht sich (7.7) zu
1 E2
1
1
= H 2 ZF0
S = E H =
2
2 ZF0
2

(7.8)

7.1.2. Polarisation
Die Polarisation einer Antenne wird allgemein nach der Ausrichtung des elektrischen Vektors
des Wellenfeldes in Hauptstrahlrichtung angegeben. Schwingt der Endpunkt des elektrischen
Vektors dabei in einer Ebene, so spricht man von linearer Polarisation (Bild 7.1).
Oft wird auch fr die Polarisation die Erde als Bezugsebene angegeben. Mit dieser Bezugsebene erzeugt ein horizontaler Dipol horizontal polarisierte Wellen, ein vertikaler Dipol vertikal
polarisierte Wellen.
Die lineare Polarisation stellt einen Spezialfall der elliptischen Polarisation dar, bei der sich der
Endpunkt des elektrischen Feldstrkevektors auf einer elliptischen Spirale in Ausbreitungsrichtung bewegt (Bild 7.2). Eine elliptisch polarisierte Welle lsst sich aus zwei senkrecht linear
polarisierten Wellen mit unterschiedlichen Amplituden und gegenseitiger Phasenverschiebung
zusammensetzen. Fr = 90 und gleiche Amplituden resultiert als weiterer Sonderfall die
zirkular polarisierte Welle.

7. Mikrowellensysteme

148

Bild 7.2.: Momentaufnahme einer zirkular polarisierten Welle


Die Drehrichtung einer elliptisch polarisierten Welle ist nach IEEE (Institute of Electrical and
Electronics Engineers) wie folgt definiert:
Fr einen Beobachter, der in Richtung der Ausbreitung schaut, dreht sich der Vektor des EFeldes in einer stationren Transversalebene (z = konst.) fr rechtshndige Polarisation im
Uhrzeigersinn.

7.2. Antennen
Antennen ermglichen den bergang zwischen der leitungsgebundenen Ausbreitung elektromagnetischer Wellen und der Wellenausbreitung im freien Raum. Dieser bergang kann in
beide Richtungen erfolgen.
Eine Antenne wirkt als Anpasstransformator zwischen dem Wellenwiderstand der Leitung ZL
und dem Wellenwiderstand des freien Raumes ZF0 . Man kann sich eine Antenne beispielsweise als eine sich langsam (ber viele Wellenlngen) aufspreizende Leitung vorstellen (Bild 7.3).
Eine Sendeantenne formt die Leitungswelle in eine sich im freien Raum ausbreitende Welle
um. Bei einer Empfangsantenne wird einer sich im Raum ausbreitenden elektromagnetischen
Welle Energie entzogen und in einer Leitungswelle weitergefhrt. Der Frequenzbereich, in dem
Antennen als bertragungsglieder der Funktechnik eingesetzt werden, reicht von ca. 10 kHz
(Lngstwellen mit 0 = 30 km) bis ca. 300 GHz (Millimeterwellen mit 0 = 1 mm). Prinzipiell ist jede Antenne sowohl als Sende- als auch als Empfangsantenne geeignet. Die Auswahl
des Antennentyps und verschiedene konstruktive Gesichtspunkte hngen jedoch vom speziellen Anwendungsfall ab. Auer den gewnschten Strahlungseigenschaften spielen Gewicht,
Volumen und mechanische Stabilitt eine Rolle. Mit abnehmender Wellenlnge nehmen auch
die erforderlichen Antennenabmessungen ab.

7.2. Antennen

149

Bild 7.3.: Antenne als bergangsbereich zwischen Leitungswelle und Freiraumwelle


Die Grundidee aller Empfangsantennen ist es, aus einer ankommenden ebenen Welle auf der
Basis des Durchflutungs- und/oder des Induktionsgesetzes einen Teil der Leistung auf die Anschlussleitung zu bringen. Aus dieser Idee heraus lassen sich drei prinzipielle Antennenformen
unterscheiden:
Schleifenantennen, in denen durch das magnetische Wechselfeld ein Strom induziert wird
(Induktionsgesetz).
Stabantennen, in denen durch das ankommende elektrische Feld ein Strom angeregt wird.
Hohlleiterantennen, bei denen ein Teil aus dem ueren Feld im Hohlleiter weitergefhrt
wird.
Entscheidend fr alle Antennen ist, dass durch ihre Form und Lage die geeigneten Randbedingungen bezglich der ankommenden ebenen Welle (Fernfeld) geschaffen werden. Antennen
sind in den verschiedensten Formen bekannt und es ist hufig schwierig festzustellen, bzw. zu
definieren, nach welchem Grundprinzip die Antenne gebaut ist. Manchmal knnen durchaus
mehrere Grundideen gleichzeitig umgesetzt werden. Das meiste, das eine Antenne uerlich
ausmacht, dient der Bestimmung des Bereichs, aus dem man empfangen oder in den man sen-

150

7. Mikrowellensysteme

den will.
Im Folgenden sind einige Beispiele fr Antennenformen dargestellt, von denen einige spter im
Detail untersucht werden. Eine der hufigsten Antennenformen ist die Dipol-Antenne nach Bild
7.4(a). Sie besteht im einfachsten Fall aus einem geraden Leiter, der an einer Stelle unterbrochen ist und dort durch eine HF-Spannung angeregt wird. blicherweise wird der Leiter in der
Mitte unterbrochen und es gilt 2l = /2. Unter Ausnutzung des Stromspiegelungsprinzips kann
man in der Symmetrieebene zwischen beiden Dipolhlften eine leitende Ebene anbringen und
erhlt so die Linearantenne nach Bild 7.4(b). Dieser Antennentyp wird hufig im Mittel- und
Kurzwellenbereich verwendet; hierbei dient der Erdboden als leitende Ebene. Dual zur elektrischen Dipol-Antenne verhlt sich die Rahmenantenne nach Bild 7.4(c). Sie besteht aus einer
oder mehreren Leiterwindungen, welche durch einen HF-Strom angeregt werden. Bild 7.4(d)
zeigt den Hornstrahler als Beispiel fr eine Mikrowellenantenne. Ist die ffnung des Horns
gro im Vergleich zur Wellenlnge, so lsst sich mit dem Hornstrahler eine gute Richtwirkung
erzielen. Wanderwellenantennen nach Bild 7.4(e) und 7.4(f) bestehen aus einem Wellenleiter,
dessen Lnge ein Vielfaches der Wellenlnge ist. In diesem Wellenleiter wird eine elektromagnetische Welle angeregt, deren Phasengeschwindigkeit etwa der Ausbreitungsgeschwindigkeit
der elektromagnetischen Welle im freien Raum entspricht. Bild 7.4(e) zeigt eine im Kurzwellenbereich verwendete Langdrahtantenne. Der dielektrische Strahler (Bild 7.4(f)) wird im Mikrowellenbereich verwendet. Werden in einem Hohlleiter HF-Strme durch Schlitze unterbrochen,
so strahlen diese Schlitze ebenfalls Hochfrequenzenergie ab. Bild 7.4(i) zeigt eine derartige
Schlitzantenne. Die Richtwirkung von Antennen kann durch Zusammenfassung mehrerer Antennen zu Antennengruppen oder durch Anordnung von Reflektoren erhht werden. Bild 7.4(g)
zeigt die Anordnung eines Hornstrahlers im Brennpunkt eines parabolischen Reflektors. So genannte Patch-Antennen (Bild 7.4(h)) werden in planarer Technik als metallische Flchen auf
ein dielektrisches Substrat mit metallisierter Rckseite aufgebracht. Sowohl durch die Geometrie als auch durch die Anzahl der Flchenelemente lsst sich die Richtwirkung der Antenne
beeinflussen.
In dem folgenden Kapitel sollen die grundlegenden Begriffe aus dem Bereich der Antennentheorie eingefhrt und erlutert werden. Auch deren Anwendung auf den Hertzschen Dipol und
einige Antennentypen sollen beispielhaft dargestellt werden. Fr die ausfhrliche mathematische Behandlung der Antennentheorie und die Betrachtung von weiteren Antennenarten wie
Stabstrahler, Antennengruppen, Aperturantennen, YAGI-Antennen und Breitbandantennen sowie eine Einfhrung in die Antennenmesstechnik muss auf die Anschlussvorlesung Antennen
und Antennensysteme verwiesen werden.

7.2. Antennen

(a)

151

/4

(b)

(c)

/4

(e)

(d)

(g)
(f)

(i)
(h)

Bild 7.4.: Verschiedene Antennenformen:


(a) Dipol-Antenne, (b) Linearantenne, (c) Rahmenantenne, (d) Hornstrahler, (e) Langdrahtantenne, (f) dielektrischer Strahler, (g) Schlitzantenne, (h) parabolische Reflektorantenne, (i) Patch-Antenne.

7. Mikrowellensysteme

152

y
x

Bild 7.5.: Kugelkoordinaten

7.2.1. Abgestrahlte Leistung


In hinreichend groer Entfernung von einer Sendeantenne kann man mit einer ebenen Welle
rechnen, in Kugelkoordinaten existiert dann nur eine radiale Komponente des Poynting-Vektors
(siehe Bild 7.5)
Sr =


1
E H E H
2

(7.9)

Denkt man sich eine Kugelflche in gengend groem Abstand r mit der Sendeantenne im
Mittelpunkt der Kugel, dann muss die gesamte abgestrahlte Leistung durch die Kugeloberflche
F hindurchtreten.
Z
Z
~
~
Sr df, r
(7.10)
S df =
PS =
F

F ist die gesamte Kugeloberflche, df das Flchenelement auf der Kugel:


df = r sin d r d ,
Z2 Z
PS = r2
Sr (r,,) sin d d,
=0 =0

(7.11)
r

(7.12)

7.2. Antennen

153

7.2.2. Antennengewinn und Richtwirkung


Der Antennengewinn wird hier anhand einer Sendeantenne behandelt, die Ableitungen sind
quivalent fr Empfangsantennen. Praktisch ausgefhrte Antennen strahlen ihre Energie bevorzugt in bestimmte Raumrichtungen ab; sie besitzen eine Richtwirkung. Diese Eigenschaft
wird u.a. durch den Antennengewinn beschrieben. Zu seiner Definition bentigt man neben der
eigentlichen Antenne eine Bezugsantenne. Verglichen wird in der Regel mit einem fiktiven Kugelstrahler, auch isotroper Strahler genannt, der in alle Raumrichtungen gleichmig abstrahlt,
der aber theoretisch und praktisch nicht verwirklicht werden kann.
Die abgestrahlte Leistung PS verteilt sich im Abstand r auf einer Kugelflche 4r2 . Die Leistungsdichte Sri des isotropen Kugelstrahlers in diesem Abstand betrgt daher
Sri =

PS
,
4r2

(7.13)

Der Index i weist auf den isotropen Strahler als Bezugsantenne hin.
Anstelle des Kugelstrahlers wird jetzt die zu untersuchende Antenne an denselben Ort gebracht
und strahlt dort dieselbe Leistung PS ab.
Der Gewinn Gi ist definiert als das Verhltnis der maximalen Leistungsdichte Sr,max der Antenne zur Leistungsdichte der Bezugsantenne, in diesem Fall des Kugelstrahlers. Im Fernfeld
gilt
Gi =

Sr,max
Sr,max
= 4r2
Sri
PS

(7.14)

Der Gewinn wird i.a. logarithmisch angegeben:


Gi /dBi = 10 log Gi

(7.15)

Wegen der Gltigkeit des Umkehrsatzes hngt der Gewinn einer Antenne nicht davon ab, ob
sie als Sende- oder als Empfangsantenne betrieben wird. Der Gewinn in der vorangegangenen
Definition enthlt alle Verluste der Antenne, wenn er messtechnisch ermittelt wird. Man spricht
in diesem Fall auch von einem praktischen Antennengewinn. Bei rein rechnerischer Ermittlung
aus der im Abschnitt 7.2.3 behandelten Richtcharakteristik kann sowohl ein theoretischer Gewinn (Richtwirkung, ohne Verluste) Di , als auch ein praktischer Gewinn Gi bestimmt werden.
Das Verhltnis zwischen Gewinn und Richtwirkung wird als Effizienz der Antenne bezeichnet:
Gi = Di

(7.16)

7. Mikrowellensysteme

154

7.2.3. Richtcharakteristik
Der Gewinn liefert eine zwar wichtige, allerdings nur integrale Aussage bezglich der Antenne.
In der Regel will man das Abstrahl- oder Empfangsverhalten in Abhngigkeit von den Raumrichtungen und wissen. Dieses ist definiert durch die komplexe Richtcharakteristik C(,):
~
~
H(,)
E(,)
=
, r
C(,) =

~
~ max
E
Hmax

(7.17)

~ und H
~ sind die Feldstrken im Fernfeld auf einer Kugeloberflche, E
~ max und H
~ max die dabei
E
~ max entfllt die Abhngigkeit von r. Die
auftretenden Maxima. Durch die Normierung auf E
Richtcharakteristik ist nur eine Funktion der Richtung und somit von ,. Sie ist eine dimensionslose Gre, deren Betrag zwischen Null und Eins liegt.
Zur Darstellung der Richtcharakteristik mssten die normierten Feldstrkekomponenten als
Funktion der Winkel und in einem rumlichen Koordinatensystem aufgetragen werden. Als
Richtdiagramm bezeichnet man die zweidimensionale Darstellung, die sich durch einen ebenen
Schnitt durch die rumliche Richtcharakteristik ergibt. Wenn die Schnittebene in der Vertikalen
liegt, spricht man von einem Vertikaldiagramm, entsprechend von einem Horizontaldiagramm,
wenn die Schnittebene waagerecht liegt.

7.2.4. Halbwertsbreite und Halbwertswinkel


Als Halbwertsbreite (HB ) oder 3 dB-Breite bei einem Strahlungsmaximum (rumlich: Strahlungskeule) bezeichnet man den Winkelbereich, an dessen Grenzen die Strahlungsdichte halb
so gro ist wie im Maximum (d.h. 3 dB weniger). Als Halbwertswinkel (HW ) bei einem Strahlungsmaximum (bzw. einer Strahlungskeule) bezeichnet man den Winkel zwischen der Richtung des Strahlungsmaximums und der Richtung, in der die Strahlungsleistung halb so gro ist
wie im Maximum. Ist das Richtdiagramm in der Umgebung des Strahlungsmaximums spiegelsymmetrisch, so ist die Halbwertsbreite gleich dem doppelten Halbwertswinkel.

7.2.5. Zusammenhang zwischen Gewinn und Richtcharakteristik


Wie schon in Abschnitt 7.2.2 angedeutet, lsst sich der theoretischen Gewinn aus der Richtcharakteristik bestimmen. Dazu werden die gesamte Strahlungsleistung und die maximale Leistungsdichte bentigt. Aus (7.12)

PS = r

Z2 Z

=0 =0

Sr sin d d

(7.18)

7.2. Antennen

155

Sr( )
Srmax

1
=3dB
2

HW

HB

Bild 7.6.: Definition von Halbwertsbreite und Halbwertswinkel


wird in (7.8)

PS = r

Z2 Z

=0 =0

= r

2
2 Emax

2ZF0

E2
sin d d
2ZF0

Z2 Z

E2
sin d d
2
Emax

Z2 Z

|C (, )|2 sin d d

=0 =0

E2
= r2 max
2ZF0

(7.19)

(7.20)

(7.21)

=0 =0

Die maximale Leistungsdichte ergibt sich wieder mit (7.8) zu


Srmax =

2
Emax
2ZF0

(7.22)

Damit erhlt man fr den theoretischen Gewinn nach (7.14)


Di =

4
R2

=0 =0

.
2

|C(,)| sin d d

(7.23)

7. Mikrowellensysteme

156

einfallende
Welle

Bild 7.7.: Strmungslinien der Strahlungsdichte bei der linearen Empfangsantenne

7.2.6. Antennenwirkflche
Eine Empfangsantenne, welche sich in hinreichender Entfernung von einer Sendeantenne befindet, liegt im ebenen Wellenfeld. Die radiale Energiestromdichte Sr ist in der Umgebung der
Empfangsantenne konstant. Die Empfangsantenne entnimmt mit ihrer fiktiven Antennenwirkflche AW dem Wellenfeld (der Energiestromdichte Sr ) die Leistung Pe :
Pe = Sr AW

(7.24)

Die wirksame Antennenflche lsst sich anhand der Strmungslinien der Strahlungsdichte Sr
anschaulich erklren. Bild 7.7 zeigt die Strmungslinien von Sr in der Umgebung einer Empfangsantenne. Die innerhalb der gestrichelten Begrenzungen verlaufenden Strmungslinien
mnden in die Antennenzuleitung und sind mit der von der Antenne empfangenen Feldenergie
verknpft. Die in Bild 7.7 gestrichelt eingezeichneten Strmungslinien sind rumlich ergnzt
in Bild 7.8 dargestellt. Diese Strmungslinienschar bildet eine Begrenzungsflche A1 , wobei
die innerhalb der Begrenzungsflche verlaufenden Strmungslinien die von der Antenne empfangene Leistung reprsentieren. In einiger Entfernung von der Antenne wird das Empfangsfeld
durch die Antenne nicht mehr gestrt. Dort ist die Querschnittsflche (normal zur Ausbreitungsrichtung des Empfangsfeldes) durch den von A1 begrenzten Strmungslinienbereich gleich der
wirksamen Antennenflche AW .
Die Antennenwirkflche ist also genauso wie der Gewinn ein Ma fr die einem ebenem Wel-

7.3. Wellenausbreitung

157

A1

AW

Bild 7.8.: Wirksame Antennenflche AW der linearen Empfangsantenne


lenfeld entnehmbare Leistung. Die Proportionalitt ist gegeben durch
2
Gi ,
4
4
= AW 2 .

AW =
Gi

(7.25)
(7.26)

7.3. Wellenausbreitung
Die Ausbreitung elektromagnetischer Wellen im Freiraum wird durch eine Vielzahl von Einflussfaktoren und Phnomenen bestimmt. Die primr zu bercksichtigenden Ausbreitungsphnomene sind die Freiraumausbreitung, die Reflexion und Transmission an Grenzflchen, die
Beugung, die Streuung und atmosphrische Effekte. Der Funkkanal wird im allgemeinen jedoch nicht nur durch ein einzelnes dieser Ausbreitungsphnomene sondern durch eine komplexe Wechselwirkung aller beeinflusst, wobei z.B. bei der Funkbertragung zwischen Antennen in
der Regel mehrere Ausbreitungspfade eine Rolle spielen, wie in Bild 7.9 skizziert. Man spricht
hierbei von Mehrwegeausbreitung. Die daraus resultierende Interferenz ist neben der eigentlichen Empfangsleistung eines der wesentlichen Kriterien fr die bertragungsqualitt von modernen Funkkommunikationssystemen. Umfassende Informationen zum Thema Wellenausbreitung finden sich in [20, 15]. Hier werden nur die Grundlegenden Themen Freiraumausbreitung

7. Mikrowellensysteme

158

Bild 7.9.: Schematische Darstellung der Mehrwegeausbreitung elektromagnetischer Wellen


zwischen einer Sende- und einer Empfangsantenne
und atmosphrische Dmpfung behandelt.

7.3.1. Freiraumausbreitung
Am einfachsten zu modellieren ist ein einzelner Ausbreitungsweg zwischen Sende- und Empfangsantenne, wenn dieser durch keinerlei Hindernisse beeinflusst wird und falls angenommen
werden kann, dass sich die elektromagnetische Welle in homogener Materie ausbreitet. Letztendlich wurden die Grundlagen dieser Freiraumausbreitung schon in den vorangegangenen Abschnitten erarbeitet, da auer den Antennen lediglich der Abstand r eine Rolle spielt. Die radiale
Komponente des Poynting-Vektors ergibt sich zu
Sr =

Ps Gs
|Cs (,)|2
2
4r

(7.27)

7.3. Wellenausbreitung

159

wobei der Index s die Sendeparameter identifiziert. Die Empfangsleistung Pe einer Empfangsantenne mit der Antennenwirkflche Awe resultiert mit (7.25) und (7.24) zu
2
Ge |Ce (,)|2 Sr =
Pe = Awe Sr =
4

4r

2

Ps Gs Ge |Cs (,)Ce (,)|2

(7.28)

Der Index e identifiziert die Parameter der Empfangsantenne. Fr optimale Ausrichtung der
Antennen der Antennen aufeinander, d.h.
|Cs (,)| = |Ce (,)| = 1

(7.29)

gilt die sogenannte Friissche Leistungsbertragungsgleichung


Pe =

4r

2

Ps Gs Ge .

(7.30)

Hier ist zu bemerken, dass zustzlich zur optimalen Ausrichtung auch Polarisationsanpassung
gelten muss, was hier aber nicht nher betrachtet werden soll (siehe hierzu [20]).
Die Friissche Gleichung zeigt, dass die Empfangsleistung proportional zu den Antennengewinnen ist und mit 1/R2 abnimmt. Bild 7.10 illustriert den Unterschied der Ausbreitungsdmpfung im Freiraum gegenber Wellenleitern. Die drei Wellenleiter sind ein Koaxialkabel, ein
Hohlleiter (Ausbreitung im Grundmode) und eine Glasfaser je mit einer fr den Leitungstyp
typischen Dmpfung. Die Kurven sind bei 1km Abstand auf 0dB normiert um die Abhngigkeiten bezglich Frequenz und Antennengewinn zu eliminieren. Es ist deutlich erkennbar, dass
die Dmpfung auf Leitungen zu groen Abstnden hin sehr dramatisch wird, die Freiraumausbreitung sich dagegen deutlich besser verhlt. Auf der anderen Seite werden Signale natrlich
auf Leitungen nicht durch Ausbreitungseffekte, Wetterbedingungen oder andere externe Einflsse gestrt. Ein gutes Beispiel fr die Bedeutung des Zusammenhangs in Bild 7.10 ist, dass
bei weiten glasfaserbasierten Datenbertragungsstrecken in regelmigen Abstnden Verstrker eingesetzt werden mssen, wogegen funkbasierte Datenbertragung zu und von Satelliten
ber Entfernungen von z.B. 35880km bei geostationren Satelliten gut mglich ist.

7.3.2. Atmosphrische Effekte


Die relative Permittivitt der Atmosphre ist nahe eins, hngt aber von den Parametern Luftdruck, Temperatur und Luftfeuchte ab. Mit zunehmender Hhe nimmt die relative Permittivitt
der Atmosphre ab und nhert sich der des Vakuums an. Diese hhenabhngige Vernderung
der Permittivitt beugt Funkwellen zur Erde hin. Dieser Effekt wird in manchen Fllen genutzt, da sich damit die Reichweite eines Funksystems ber den Horizont hinaus verlngert.

160

7. Mikrowellensysteme

Bild 7.10.: Ausbreitungsdmpfung unterschiedlicher bertragungsschema


Unterschiedliche Wetterbedingungen beeinflussen auch die Permittivitt, wodurch die Wellenausbreitung beeinflusst wird.
Ein weiterer atmosphrischer Effekt ist die atmosphrische Dmpfung hauptschlich verursacht
durch Absorption von Mikrowellenenergie durch Wasserdampf oder Sauerstoffmolekle. Maxima dieser Absorption finden sich bei molekularen Resonanzfrequenzen von Wasser oder Sauerstoff. In Bild 7.11 ist der Dmpfungsverlauf der Atmosphre ber der Frequenz aufgetragen.
Unterhalb 10 GHz werden elektromagnetische Wellen kaum gedmpft wogegen zu hheren
Frequenzen hin einige Maxima und Minima auftreten.

7.4. Rauschen in Mikrowellensystemen

161

Bild 7.11.: Atmosphrische Dmpfung ber der Frequenz

7.4. Rauschen in Mikrowellensystemen


Ganz allgemein ist Rauschen eine Folge von thermischen Schwingungen bei einer Temperatur
oberhalb des absoluten Nullpunktes. Rauschen entsteht z.B. bei der Ausbreitung einer elektromagnetischen Welle durch die Ionosphre oder durch ionisiertes Gas aber auch als Folge von
Zufallsprozessen wie z.B. der Bewegung von Ladungstrgern in Halbleitern oder Elektronenrhren. Je nach Entstehung bzw. Charakteristik werden die folgenden Rauscharten unterschieden:
Thermisches Rauschen (engl. Thermal Noise) ist der wichtigste Rauschtyp und wird
durch thermische Vibration von abgegrenzten Ladungen verursacht,
Schrotrauschen (engl. Shot Noise) wird durch zufllige Fluktuationen von Ladungstrgern in Elektronenrhren oder Halbleitern verursacht,
Funkelrauschen (engl. Flicker Noise) tritt auch in Elektronenrhren oder Halbleitern
auf, ist aber durch einen Leistungsverlauf invers zur Frequenz gekennzeichnet. Es wird
darum auch oft als 1/f-Rauschen bezeichnet.
Plasmarauschen (engl. Plasma Noise) wird durch zufllige Bewegungen von Ladungen
in ionisierten Gasen verursacht,
Quantenrauschen (engl. Quantum Noise) entsteht auf Grund der quantisierten Eigenschaft von Ladungen und Photonen, ist aber meistens unerheblich im Vergleich zu den

7. Mikrowellensysteme

162

Bild 7.12.: Ersatzschaltbilder eines thermisch rauschenden Widerstandes


anderen Rauschquellen.

7.4.1. Elektrisches Rauschen


Wie bereits erwhnt entsteht thermisches Rauschen durch die statistischen Bewegungen von
Ladungstrgern. Es uert sich durch eine Rauschspannung an den Enden von elektrischen Leitern, wenn diese sich auf einer Temperatur oberhalb des absoluten Nullpunktes befinden. Auderdem kann ein elektrischer Leiter nur dann rauschen, wenn er selbst Wirkverluste aufweist.
Ein ideales, verlustloses Bauelement rauscht auch dann nicht thermisch, wenn es sich auf einer
endlichen Temperatur befindet. In der Netzwerktheorie sind daher Netzwerke aus idealen Reaktanzen als rauschfrei zu betrachten. Thermische Rauschspannungen treten grundstzlich nur
bei ohmschen Widerstnden auf, die bekanntlich Wirkverluste jeglicher Art reprsentieren knnen. Ein rauschender Widerstand R kann im Ersatzschaltbild als Serienschaltung einer Rauschspannungsquelle oder Parallelschaltung einer Rauschstromquelle mit einem nicht rauschenden
Widerstand beschrieben werden (siehe Bild 7.12). Die durch das Rauschen verursachten Spannungsfluktuationen un am Widerstand sind mittelwertfrei mit einer Standardabweichung un ,
die aus dem Planckschen Strahlungsgesetz abgeleitet werden kann:
un =

4hf BR
1

ehf /kT

(7.31)

wobei f die Frequenz, B die Bandbreite, R den Widerstandswert und T die absolute Temperatur beschreiben. Des Weiteren werden noch die Boltzmann-Konstante k = 1,38 1023 J/K
und die Plancksche Konstante h = 6,62 1034 Js bentigt. Diese Gleichung resultiert aus quantenmechanischen berlegungen und gilt fr alle Frequenzen. Im Mikrowellenfrequenzbereich
kann (7.32) vereinfacht werden, da hf  kT (z.B. bei f = 100GHz und T = 300K: hf =
6,5 1023  kT = 4,2 1021 ). Mit den ersten zwei Termen einer Taylor-Reihenentwicklung

7.4. Rauschen in Mikrowellensystemen

163

Bild 7.13.: Ersatzschaltbild fr die bertragung maximaler Leistung eines thermisch rauschenden Widerstandes in ein Mikrowellensystem reprsentiert durch ein ideales Bandpassfilter und einen Lastwiderstand
der Exponentialfunktion ergibt sich:
hf
kT

(7.32)

4kT BR

(7.33)

ehf /kT 1
wodurch sich (7.32) zu
un =

vereinfachen lsst. Diese Vereinfachung wird auch Rayleigh-Jeans Approximation genannt und
wird im Mikrowellenfrequenzbereich fast ausschlielich eingesetzt. Fr sehr hohe Frequenzen
oder sehr tiefe Temperaturen wird diese Nherung allerdings ungltig - es muss dann (7.32)
angewandt werden. Aus (7.33) ist ersichtlich, dass das Rauschen frequenzunabhngig ist, d.h.
solch eine Rauschquelle hat eine frequenzunabhngige spektrale Leistungsdichte. Dies wird
als weies Rauschen bezeichnet. Auderdem ist die Rauschleistung direkt zur Bandbreite proportional, die im allgemeinen durch die Filter des Mikrowellensystems gegeben ist. Da weie
Rauschquellen durch normalverteilte Zufallsvariablen reprsentiert werden knnen, kann man
die Rauschleistungen statistisch unabhngiger Rauschquellen addieren.
Die maximale Leistungsbertragung eines rauschenden Widerstandes in ein Mikrowellensystem kann an dem Ersatzschaltbild 7.13 verdeutlicht werden. Ein Eingangswiderstand des Systems von R fhrt zu maximaler Leistungsbertragung, und somit zu einer in das System innerhalb der Bandbreite B bertragenen Rauschleistung von
Pn =

 2
un

2R

R=

u2n
= kT B .
4R

(7.34)

7. Mikrowellensysteme

164

Bild 7.14.: quivalente Rauschtemperatur einer beliebigen Quelle weien Rauschens


Dadurch ist die maximale verfgbare Rauschleistung eines Widerstandes bei der Temperatur T
innerhalb der Bandbreite B gegeben. Dabei sind die folgenden wesentlichen Punkte zu beachten:
Pn ist unabhngig von R! (7.34) gilt allerdings nur bei Anpassung, wovon bei Mikrowellensystemen allerdings meistens ausgegangen werden kann.
Fr B 0 gilt Pn 0, d.h. die Systeme mit der geringsten Bandbreite nehmen auch die
geringste Rauschleistung auf.
Fr T 0 gilt Pn 0, d.h. khlere Komponenten und Schaltungen generieren weniger
Rauschen.
Aus B folgt Pn . Dies nennt man die ultraviolette Katastrophe, die in der
Realitt nicht vorkommt, da (7.33) und (7.34) fr B und damit auch f nicht
gltig sind. In diesem Fall msste (7.32) ohne Nherung angewandt werden.

7.4.2. quivalente Rauschtemperatur


Jede Rauschquelle, die frequenzunabhngiges bzw. weies Rauchen verursacht, kann als eine quivalente thermische Rauschquelle betrachtet, und durch die sogenannte quivalente
Rauschtemperatur beschrieben werden. Eine beliebige Quelle weien Rauschens mit Fupunktimpedanz R, die einer Lastimpedanz R die Rauschleistung No zufhrt, kann folglich durch
einen rauschenden Widerstand ersetzt werden (siehe Bild 7.14). Diesem rauschenden Widerstand wird die quivalente Rauschtemperatur Te zugewiesen, die so gewhlt ist, dass sie der
Lastimpedanz die selbe Rauschleistung zufhrt. Folglich gilt:
Te =

No
kB

(7.35)

Komponenten und Systeme knnen dann durch ihre quivalente Rauschtemperatur Te beschrieben werden. Die zugehrige Bandbreite B entspricht dabei in der Regel der Bandbreite der
jeweiligen Komponente oder des Systems.

7.4. Rauschen in Mikrowellensystemen

165

Bild 7.15.: quivalente Rauschtemperatur eines rauschbehafteten Verstrkers: (a) Rauschbehafteter Verstrker (b) Rauschfreier Verstrker
Als Beispiel betrachten wir einen rauschbehafteten Verstrker mit der Bandbreite B und der
Verstrkung G, der den rauschfreien Quell- und Lastwiderstnden angepasst ist, siehe Bild
7.15. Falls der Quellwiderstand bei der Temperatur TS = 0 K betrieben wird, betrgt die Eingangsrauschleistung des Verstrkers Ni = 0, und somit entsteht die Ausgangsrauschleistung
No ausschliesslich durch den Verstrker selbst. Die selbe Ausgangsrauschleistung wrde man
erhalten, wenn man einen idealen rauschfreien Verstrker am Eingang mit einem rauschenden
Widerstand der Temperatur
Te =

No
GkB

(7.36)

beschaltet, so dass sich in beiden Fllen eine Rauschleistung No = GkTe B ergibt.

7.4.3. Rauschtemperaturmessung durch die Y-Faktor-Methode


Prinzipiell knnte die Rauschtemperatur einer Komponente dadurch bestimmt werden, dass
man die Ausgangsleistung misst, wenn am Eingang der Komponente eine angepasste Last bei
einer Temperatur von 0 K angeschlossen ist. Da diese Temperatur jedoch nicht erreicht werden
kann, mssen andere Verfahren angewendet werden. Eine Mglichkeit ist die Verwendung einer
Rauschquelle mit bekannter Rauschleistung kT1 B am Eingang der Schaltung. Misst man nun

7. Mikrowellensysteme

166

Bild 7.16.: Y-Faktor Methode um die quivalente Rauschtemperatur eines Verstrkers zu


messen
die Rauschleistung am Ausgang
N1 = GkT1 B + GkTe B ,

(7.37)

kann man mit Kenntnis der Verstrkung G das Rauschen der unbekannten Komponente bestimmt werden:
Te =

N1
T1 .
GkB

(7.38)

Im Laborbereich, d.h. wenn alle Komponenten bei Zimmertemperatur (290K) betrieben werden, verwendet man blicherweise eine andere Methode, die ohne Kenntnis der Verstrkung
auskommt, der Y-Faktor-Methode. Bei dieser Technik, dargestellt in Bild 7.16, werden zwei
Rauschquellen mit deutlich unterschiedlichen Temperaturen bentigt. Diese werden nacheinander an den Eingang der Komponente (hier ein Verstrker) geschaltet, wobei jeweils die Ausgangsleistung gemessen wird. Diese besteht dann jeweils aus der Rauschleistung des Widerstands und der vom Verstrker generierten Rauschleistung. Fr die beiden Flle gilt folglich
N1 = GkT1 B + GkTe B

(7.39)

N2 = GkT2 B + GkTe B .

(7.40)

und

Diese Gleichungen lassen sich nach den beiden Unbekannten GB und Te auflsen. Definiert
man den Y-Faktor als
Y =

N1
T1 + Te
=
,
N2
T2 + Te

(7.41)

so folgt aus (7.39) und (7.40) fr die gesuchte quivalente Rauschtemperatur


Te =

T1 Y T2
.
Y 1

(7.42)

7.4. Rauschen in Mikrowellensystemen

167

blicherweise besteht die Rauschquelle aus einer Diode, die fr den Fall, dass eine Spannung
angelegt wird, weies Rauschen erzeugt. Im ausgeschalteten Zustand entspricht die Rauschleistung der eines angepassten Widerstands bei Zimmertemperatur. Beide Zustnde aus Bild 7.16
sind damit aus einer Komponente durch Anlegen einer Spannung generierbar. Die Rauschquelle
muss weiterhin fr beide Zustnde mglichst gut angepasst sein. Der Quotient aus Rauschleistung der Diode im eingeschalteten und ausgeschalteten Zustand wird als Excess Noise Ratio
(ENR) bezeichnet und wird vom Hersteller in einer frequenzabhngigen Kalibrationstabelle
mitgeliefert. Gleichung 7.42 vereinfacht sich zu
Te = 290K

EN R Y
,
Y 1

(7.43)

d.h. die quivalente Rauschtemperatur der Komponente kann ohne Kenntnis der Verstrkung
direkt bestimmt werden.

7.4.4. Rauschzahl
Eine weitere Charakterisierungsmglichkeit fr rauschende Mikrowellenkomponenten ist die
Rauschzahl F . Sie beschreibt, wie stark sich das Signal-zu-Rauschverhltnis (SNR) zwischen
dem Eingang und dem Ausgang einer Komponente verschlechtert. Wenn ein rauschbehaftetes Signal mit der Signalleistung Si und der Rauschleistung Ni einem rauschfreien Netzwerk
zugefhrt wird, so werden Signal- und Rauschleistung um den selben Faktor verstrkt oder
gedmpft und folglich bleibt das SNR unverndert. Ist das Netzwerk jedoch rauschbehaftet,
wird die Rauschleistung um einen hheren Faktor als die Signalleistung verstrkt und das
SNR wird folglich reduziert. Die Rauschzahl F beschreibt die Verschlechterung im Signalzu-Rauschverhltnis und ist gegeben durch
F =

Si N o
Si /Ni
=
1.
So /No
So N i

(7.44)

Die Eingangsrauschleistung Ni wird dabei in der Regel definiert als die Rauschleistung, die
sich von einem angepassten Widerstand bei Zimmertemperatur (T0 = 290 K) ergibt, also
Ni = kT0 B.
Betrachtet man das rauschende Zweitor in Bild 7.17, so lsst sich dieses durch die Bandbreite B, die Verstrkung G und eine quivalente Rauschtemperatur Te beschreiben. Die
Eingangsrauschleistung betrgt Ni = kT0 B und die Ausgangsrauschleistung ergibt sich als
Summe der verstrkten Eingangsrauschleistung und dem intern verursachten Rauschen als
No = kGB(T0 + Te ). Fr die Signalleistung am Ausgang gilt So = GSi und somit folgt aus

7. Mikrowellensysteme

168

Bild 7.17.: Rauschzahlbestimmung eines rauschbehafteten Zweitors


(7.44) fr die Rauschzahl
F =

T0 + Te
Te
Si kGB(T0 + Te )
=
=1+
1.
kT0 B
GSi
T0
T0

(7.45)

Fr ein rauschfreies Netzwerk wrde sich F = 1 ergeben. Es ist dabei sehr wichtig im Hinterkopf zu behalten, dass die Rauschzahl fr eine angepasste Eingangsschaltung und fr eine Rauschquelle, die aus einem Widerstand bei Zimmertemperatur besteht, definiert ist. Die
Rauschzahl und die quivalente Rauschtemperatur sind austauschbare Beschreibungsmglichkeiten der Rauscheigenschaften einer Komponente, wobei sich (7.45) umformen lsst zu
Te = (F 1)T0 .

(7.46)

Sonderfall einer passiven, verlustbehafteten Komponente


Ein wichtiger Sonderfall ist ein passives, verlustbehaftetes Element (z.B. Leitung, Dmpfungsglied) bei der Temperatur T . Dargestellt in Bild 7.18 ist ein solches Element, das von einem angepassten Quellwiderstand (ebenfalls bei der Temperatur T ) gespeist wird. Die Verstrkung G
eines verlustbehafteten Elements ist kleiner 1, die Dmpfung L wird definiert als L = 1/G. Da
sich das gesamte System in thermischem Gleichgewicht befindet, muss die Ausgangsrauschleistung No = kBT betragen. Man kann sich diese Ausgangsrauschleistung jedoch auch als
Summe der Rauschleistungen vom Quellwiederstand (durch die Leitung) und von der Leitung
selbst vorstellen. Dann ergibt sich
No = kBT = GkBT + GNL ,

(7.47)

wobei NL die zustzliche von der Leitung generierte Rauschleistung darstellt. Nach dieser Leistung aufgelst ergibt sich
NL =

1G
kT B = (L 1)kT B .
G

(7.48)

7.4. Rauschen in Mikrowellensystemen

169

Bild 7.18.: Rauschzahlbestimmung einer verlustbehafteten Leitung oder eines Dmpfungsglieds bei der Temperatur T
Nach (7.35) betrgt somit die quivalente Rauschtemperatur der Leitung
TL =

1G
T = (L 1)T ,
G

(7.49)

und somit nach (7.45) die Rauschzahl


FL = 1 + (L 1)

T
.
T0

(7.50)

Diese Gleichung vereinfacht sich, falls die Leitung bei der Zimmertemperatur T = T0 ist,
zu FL = L. Das bedeutet, das z.B. eine Leitung, die eine Dmpfung von 2 dB aufweist, bei
Zimmertemperatur eine Rauschzahl von 2 dB hat.

7.4.5. Rauschzahl eines kaskadierten Systems


In einem typischen Hochfrequenz-System wandert das Eingangssignal durch eine Reihenschaltung von mehreren verschiedenen Komponenten, von denen jede das Signal-zuRauschverhltnis beeinflusst. Falls die Rauschzahlen (bzw. die Rauschtemperaturen) der einzelnen Komponenten bekannt sind, kann die Rauschzahl (bzw. die Rauschtemperatur) des Gesamtsystems berechnet werden. Es wird sich zeigen, dass in der Regel die Rauscheigenschaften
der ersten Stufe den grten Einfluss haben. Diese Tatsache spielt in der Praxis eine entscheidende Rolle.
Betrachtet man, wie in Bild 7.19 dargestellt, zwei Komponenten mit den jeweiligen Verstrkungen G1 und G2 , den Rauschzahlen F1 und F2 , sowie den Rauschtemperaturen Te1 und Te2 , so
ist es von Interesse die Rauschzahl des kaskadierten Systems zu kennen. Die Verstrkung des
kaskadierten Systems betrgt G1 G2 . Die Rauschleistung am Ausgang der ersten Komponente
ergibt sich zu
N1 = G1 Ni + G1 kTe1 B = G1 kT0 B + G1 kTe1 B ,

(7.51)

7. Mikrowellensysteme

170

Bild 7.19.: Rauschzahl und quivalente Rauschtemperatur eines kaskadierten Systems:


(a) Zwei kaskadierte Zweitore (b) quivalentes Netzwerk
wobei die Eingangsrauschleistung Ni = kT0 B betrgt. Fr die Rauschtemperatur am Ausgang
der zweiten Komponente folgt
No = G2 N1 + G2 kTe2 B = G1 G2 kB(T0 + Te1 +

Te2
).
G1

(7.52)

Fr das Gesamtsystem gilt


No = G1 G2 kB(Te,cas + T0 )

(7.53)

und somit folgt aus dem Vergleich mit (7.52) fr die Rauschtemperatur des kaskadierten Systems
Te,cas = Te1 +

Te2
.
G1

(7.54)

Mit (7.45) folgt fr die Rauschzahl des kaskadierten Systems


Fcas = 1 +

Te,cas
Te1
Te2
F2 1
=1+
+
= F1 +
.
T0
T0
T0 G1
G1

(7.55)

Die Gleichungen (7.54) und (7.55) zeigen, dass die Rauscheigenschaften eines kaskadierten
Systems hauptschlich von der ersten Stufe bestimmt werden, da der Effekt der zweiten Stufe
durch den Gewinn der ersten Stufe abgeschwcht wird. Aus diesem Grund muss man, um fr ein
Gesamtsystem optimale Rauscheigenschaften zu erzielen, eine erste Stufe mit einer geringen
Rauschzahl und einer zumindest migen Verstrkung verwenden. Diese Stufen werden als

7.5. Komponenten von Mikrowellensystemen

171

rauscharme Verstrker (Low Noise Amplifier, LNA) bezeichnet und spielen eine entscheidende
Rolle bei jedem Funkempfnger.
Die Gleichungen (7.54) und (7.55) knnen auf eine beliebige Anzahl N kaskadierter Stufen
erweitert werden und ergeben sich dann als:
N

Te,cas

X Te,i
Te3
Te2
+
+ = Te1 +
,
= Te1 +
Qi1
G1
G1 G2
j=1 Gj
i=2

(7.56)

Fcas

X Fi 1
F2 1 F3 1
.
+
+ = F1 +
= F1 +
Qi1
G1
G1 G2
j=1 Gj
i=2

(7.57)

7.5. Komponenten von Mikrowellensystemen


Mikrowellensysteme bestehen in der Regel aus vielen einzelnen Komponenten wie z.B. Leitungen, Filter, Koppler, Zirkulatoren, Verstrker, Antennen, Mischer, Detektoren, Vervielfacher,
Teiler. In diesem Kapitel wird bewusst darauf verzichtet, den Aufbau dieser Komponenten an
Hand von Schaltbildern zu behandeln. Es soll nur ein Verstndnis fr die Funktionsweise der
Schaltungsblcke mit ihren wichtigsten charakteristischen Parametern gegeben werden. Details
ber den Aufbau einer Schaltung werden nur dann prsentiert, wenn sie fr das Verstndnis der
Eigenschaften unbedingt ntig sind. Im Folgenden werden deshalb zuerst einige grundlegenden
Eigenschaften verschiedener Mikrowellenschaltungen erlutert. Im Anschluss daran wird ein
berblick ber die wichtigsten Mikrowellenkomponenten zusammen mit Ihren Eigenschaften
und Parametern gegeben.

7.5.1. Nichtlineare Kennlinien


Auf Grund ihrer zentralen Bedeutung innerhalb der HF-Sender- und Empfngertechnik werden in diesem Abschnitt speziell die Komponenten behandelt, die auf nichtlinearen Kennlinien
beruhen. Die entstehenden Komponenten sind Mehrtore, bei denen die Ausgangsgre (z.B.
Spannung oder Strom) keine lineare Funktion der Eingangsgre (z.B. Spannung oder Strom)
ist. Aus der Vielzahl an nichtlinearen Bauelementen der Elektrotechnik sind
Halbleiterdioden,
Transistoren und
Rhren
in der Hochfrequenztechnik am hufigsten anzutreffen. Die wichtigsten Anwendungen ihrer
nichtlinearen Eigenschaften sind

7. Mikrowellensysteme

172

Bild 7.20.: Kennlinie einer Halbleiterdiode als Beispiel fr eine nichtlineare Kennlinie
Frequenzumsetzung (d.h. Mischer),
Frequenzvervielfachung,
Detektion und
Leistungsmessung.
Um allgemein die Funktionsweise der nichtlinearen Komponenten zu verstehen, betrachten wir
hier die nichtlineare, exponentielle Kennlinie einer Halbleiterdiode:

i(u) = IS eu/UT 1

(7.58)

Der Einfachheit halber werden die Betrachtungen hier auf nichtlineare Komponenten ohne Speichereffekt beschrnkt, d.h. dass der Zusammenhang zwischen Eingangs- und Ausgangsgre
eindeutig ist und nicht von der Vorgeschichte abhngt. Bei Raumtemperatur ist die Temperaturspannung UT 25mV und im Falle einer Silizium-Diode betrgt der Sperrstrom IS = 108 A.
Der Verlauf der Kennlinie ist in Bild 7.20 skizziert.
In der hochfrequenten Schaltungstechnik werden solche Kennlinien hufig mit kleinen Signalen
ausgesteuert (Kleinsignalaussteuerung). Das bedeutet, dass die Amplitude des Eingangssignals
klein gegenber dem gesamten Kennlinienbereich ist und nur ein relativ kleiner Bereich um
den Arbeitspunkt (AP) herum ausgesteuert wird. Der Arbeitspunkt wird mit einer berlagerten
Gleichspannung eingestellt. Gem Kennlinie fliet ein Gleichstrom I0 (Bias-Strom). Ein zustzliches zeitabhngiges Signal u(t) soll die Kennlinie nur in einer kleinen Umgebung um
den AP (U0 , I0 ) aussteuern. Die Diodenspannung u(t) und damit auch der Diodenstrom i(t)
setzen sich also gem
u(t) = U0 + u(t)

(7.59)

i(t) = I0 + i(t)

(7.60)

7.5. Komponenten von Mikrowellensystemen

173

aus einem Gleichanteil und einem zeitabhngigen Anteil zusammen. Bei eingeprgter Spannung u(t) kann der Strom i(t) im Punkt AP in eine Potenzreihe nach Taylor entwickelt werden:



di
1 d2 i
1 d3 i
2
i(t) = i(U0 ) +
u +
u +
u3 + . . .
du U0
2 du2 U0
6 du3 U0

(7.61)

Hierbei ist der Gleichanteil i(U0 ) = I0 und der Wechselanteil besitzt die Form
i = S u + k2 u2 + k3 u3 + . . . .

(7.62)

Den Proportionalittsfaktor vor dem linearen Glied S = (di/du)|U0 bezeichnet man als Steilheit
der Kennlinie im Arbeitspunkt. S hat die Dimension eines Leitwertes.
Je nach erforderlicher Genauigkeit kann die Reihenentwicklung (7.61) weiter entwickelt werden. In den meisten praktischen Fllen nehmen die Koeffizienten kv jedoch mit wachsendem v
so schnell ab, dass (7.61) nach der 2. oder 3. Potenz abgebrochen werden kann. In vielen Fllen
werden nichtlineare Kennlinien auch mit groer Ansteuerung oder ohne Bias (engl. Zero-Bias)
betrieben. In diesen Fllen stimmen zwar die Betrachtungen hier nicht mehr ganz, aber da die
prinzipielle Funktionsweise hnlich bleibt, wir hier auf weiter fhrende Betrachtungen verzichtet. Im Folgenden wird an Hand von (7.61) die Funktionsweise nichtlinearer Kennlinien beim
Anlegen unterschiedlicher Signale demonstriert.
Aussteuerung mit einer Frequenz
Der einfachste Fall ist sicherlich die Aussteuerung mit einem monofrequenten Signal
u(t) = U1 cos(1 t + 1 ) .

(7.63)

Eingesetzt in (7.62) und mit cos2 = (1 + cos 2)/2 und cos3 = (3 cos + cos 3)/4 ergibt
sich fr den Wechselanteil des Stroms:
i(t) = S U1 cos(1 t+1 )+k2 U12 cos2 (1 t+1 )+k3 U13 cos3 (1 t+1 )+. . . (7.64)
Durch Zusammenfassen der Komponenten gleicher Frequenzen ergibt sich:
i(t) =
+
+
+
+

S U1 +

1
k U2
2 2 1
3
k U3
4 3 1
1
k U2
2 2 1
1
k U3
4 3 1

...

Gleichspannung
cos(1 t + 1 )
1.Harmonische
cos(21 t + 21 ) 2.Harmonische
cos(31 t + 31 ) 3.Harmonische

(7.65)

7. Mikrowellensysteme

174

Aus den ersten drei Gliedern in (7.62) ergeben sich ein Gleichanteil (zustzlich zu I0 ), Anteile
bei der Eingangsfrequenz 1 sowie ihrer zweiten und dritten Harmonischen 21 und 31 . Eine
Bercksichtigung hherer Terme wrde weitere Harmonische erzeugen, wobei deren Beitrge
mit zunehmender Ordung deutlich geringer werden.
Die Amplitude des Gleichanteils von i in (7.65) ist proportional zur Leistung von u(t).
Gleichanteile die durch Terme hherer Ordnung verursacht werden, knnen gegenber dem in
(7.65) notierten Gleichanteil auf Grund der deutlich kleineren Koeffizienten vernachlssigt werden. Bei geschickter Tiefpassfilterung am Ausgang der Schaltung ergibt sich deshalb die Mglichkeit der Gleichrichtung bzw. Leistungsmessung. Beispiele dafr sind Leistungsmessschaltungen bei Sendemodulen oder Hllkurvendetektoren in Amplitudenmodulationsempfngern.
Durch eine Bandpassfilterung am Ausgang der Schaltung um eine der harmonischen Schwingungen herum, entsteht ein Frequenzvervielfacher.
Aussteuerung mit zwei Signalen unterschiedlicher Frequenz
Als allgemeiner Fall wird nun die Aussteuerung mit zwei Signalen unterschiedlicher Frequenz
behandelt, d.h.
u(t) = U1 cos(1 t + 1 ) + U2 cos(2 t + 2 ) .

(7.66)

Eingesetzt in (7.62) und mit cos2 = (1 + cos 2)/2 und cos3 = (3 cos + cos 3)/4 ergibt
sich fr den Wechselanteil des Stroms:
i(t) =
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

SU1 +
SU2 +

1
k U 2 + 12 k2 U22
2 2 1

3
k U 3 + 23 k3 U1 U22
4 3 1

3
3
3
2
k
U
+
k
U
U
3
3
2
2
1
4
2
1
k U2
2 2 1
1
k U2
2 2 2

k2 U1 U2
k2 U1 U2
1
k U3
4 3 1
1
k U3
4 3 2
3
k U 2U
4 3 1 2
3
k U 2U
4 3 1 2
3
k U U2
4 3 1 2
3
k U U2
4 3 1 2
...

Gleichspannung
cos(1 t + 1 )
cos(2 t + 2 )
cos(21 t + 21 )
cos(22 t + 22 )
cos [(1 2 )t + 1 2 ]
cos [(1 + 2 )t + 1 + 2 ]
cos(31 t + 31 )
cos(32 t + 32 )
cos [(21 2 )t + 21 2 ]
cos [(21 + 2 )t + 21 + 2 ]
cos [(22 1 )t + 22 1 ]
cos [(22 + 1 )t + 22 + 1 ]

1.Mischglied
2.Mischglied

Intermodulation
Intermodulation

(7.67)

7.5. Komponenten von Mikrowellensystemen

175

In (7.67) wird deutlich, dass auer den Vielfachen der beiden Frequenzen auch noch sogenannte Mischprodukte aus der Kombination beider Frequenzen entstehen. Die beiden Terme mit
Summe und Differenz der beiden Frequenzen sind hierbei die Wichtigsten, da damit die Funktionsweise eines Frequenzumsetzers bzw. Mischers erklrt wird. Alle anderen Signale in (7.67)
sind bei Anwendung als Mischer Strsignale und mssen heraus gefiltert werden. Besonders
strend sind dabei die Anteile bei 21 2 und 22 1 , die als Intermodulationsprodukte
dritter Ordung bezeichnet werden. Handelt es sich bei 1 und 2 um zwei Frequenzen innerhalb der Nutzbandbreite des Eingangssignals, dann liegen deren Intermodulationsprodukte mit
groer Wahrscheinlichkeit wieder im Nutzfrequenzbereich. Die Leistung dieser Intermodulationen bezogen auf das Nutzsignal selbst wird als Intermodulationsabstand bezeichnet.

7.5.2. Verstrkung hochfrequenter Signale


In der Hochfrequenztechnik werden Verstrker im Allgemeinen am Ein- und Ausgang angepasst, d.h. die wichtigste Kenngre eines HF-Verstrkers ist die Leistungsverstrkung. Ein
Verstrker wandelt basierend auf einem aktiven Bauelement Leistung aus einer Gleichspannungsversorgung in hochfrequente Leistung um. Es werden Bauelemente wie Transistoren und
Rhren verwendet, die nichtlineare Kennlinien besitzen (siehe Abschnitt 7.5.1). Im sogenannten Kleinsignalbetrieb ist die Eingangsleistung so klein, dass die Verstrkung unabhngig von
dieser ist. Zu immer hheren Eingangsleistungen hin beginnt die Verstrkung allerdings zu variieren. Dies kann auch erklrt werden, wenn man in (7.65) den Term der 1. Harmonischen
betrachtet. Da k3 < 0, ist der Gewinn eine ber der Eingangsamplitude abnehmende Funktion. Fr ausreichend groe Eingangssignale verschwindet der Gewinn komplett. Diesen Zustand
nennt man Sttigung und definiert dazu die maximal erreichbare Ausgangsleistung bzw. Sttigungsleistung Psat (siehe Bild 7.21). Zur Beschreibung des bergangs zwischen linearer Verstrkung und Sttigung wird der 1dB-Kompressionspunkt verwendet. Er beschreibt diejenige
Ausgangsleistung, bei der die Verstrkung um 1dB gegenber der Verstrkung bei sehr kleiner
Leistung abgesunken ist (siehe auch Bild 7.21). Der Verlauf dieser Kurve ist unterschiedlich je
nach Verstrkertyp bzw. Zusammensetzung der Koeffizienten ki .
Ein weiterer sehr wichtiger Effekt, der bei Verstrkern fr moderne Mikrowellensysteme beachtet werden muss, ist die Intermodulation (IM). Dazu sind in (7.67) insbesondere die Intermodulationsprodukte 3. Ordnung bei 21 2 und 22 1 relevant. Im Fall zweier Signale
mit kaum unterschiedlichen Frequenzen entstehen dadurch Strsignale bei nah benachbarten
Frequenzen (siehe Bild 7.22), die sich unter Umstnden sehr schwer durch Filter unterdrcken
lassen oder sogar direkt im Nutzfrequenzband liegen.
Dies lsst sich am Beispiel eines Mobilfunkempfngers fr den UMTS-Standard (UMTS: Universal Mobile Telecommunications System) gut veranschaulichen. Hierbei sind die Anforderungen an die Nachbarkanalunterdrckung im Sender und Empfnger fr den Downlink (von der

7. Mikrowellensysteme

176

Bild 7.21.: Grosignalaussteuerung eines Verstrkers und 1dB Kompressionspunkt

Bild 7.22.: Intermodulationsprodukte 3.Ordnung bei Zweisignalaussteuerung


Basisstation zur Mobilstation) sehr hoch. Dies bedeutet, dass im Extremfall in direkter Nachbarschaft des kleinen Nutzsignals deutlich strkere Nachbarkanle am Empfnger eintreffen (siehe
Bild 7.23).
Durch Intermodulation der Frequenzanteile des Nachbarkanals entstehen Strsignale im Nutzsignal, die im restlichen Empfnger nicht mehr beseitigt werden knnen. Bei der Charakterisierung der Intermodulation wird generell von zwei Signalen mit gleicher Amplitude U = U1 = U2
ausgegangen. Der Quotient aus Intermodulationsstrsignal und Nutzsignal beschreibt die IMStrung. Bei k1 U = 1V und 43 k3 U 3 z.B. spricht man von einer IM-Strung von 40dBc,
wobei der Buchstabe c den Bezug zum Nutzsignal angibt. Es ist unbedingt zu beachten, dass
der Quotient von der Amplitude der Signale abhngt. Als Kenngre fr das Intermodulations-

Bild 7.23.: Strsignale am Beispiel UMTS

7.5. Komponenten von Mikrowellensystemen

177

Bild 7.24.: Third Intercept Point


verhalten verwendet man deshalb den sogenannten Third Intercept Point (IP3). Dabei wird fr
zwei Signale mit gleicher Amplitude U = U1 = U2 der Schnittpunkt bestimmt, an dem sich
die beiden Kurven der ersten und dritten Harmonischen schneiden wrden. Dies ist in Bild 7.24
skizziert. In doppellogarithmischer Darstellung von Ausgangsleistung ber Eingangsleistung
verlaufen beide Kurven in der Form von Geraden. Damit gengen jeweils zwei Messpunkte zur
Bestimmung der gesammten Kurven und damit des Schnittpunktes.
Es ist hierbei zu beachten, dass der Schnittpunkt auerhalb des linearen Bereichs der Kurven
liegt, d.h. beide Kurven mssen bei deutlich geringeren Leistungen gemessen werden. Je nachdem, ob sich der Wert auf die Eingangs- oder Ausgangsleistung bezieht, finden die Bezeichnungen Third Input Intercept Point (IIP3) oder Third Output Intercept Point (OIP3) Anwendung.
Die Kenngren Sttigung (Psat ), 1dB-Kompressionspunkt (P1dB ), Intermodulation (IIP3 ,
OIP3 ) werden nicht nur fr Verstrker sondern auch fr alle anderen Mikrowellenkomponenten
verwendet (z.B. Mischer).

7.5.3. Schwingungserzeugung
Eine weitere wesentliche aktive Komponente der Mikrowellentechnik ist der Oszillator. Ein Oszillator generiert ein periodisches Ausgangssignal, d.h. er erzeugt eine Schwingung. Ein solcher
Schaltkreis muss dazu einen sich selbst erhaltenden Mechanismus besitzen, bei dem aus dem
Eigenrauschen ein periodisches Signal entsteht. Ein vereinfachtes Beispiel fr einen Oszillator
ist in Bild 7.25 gegeben. Das Ausgangssignal des Verstrkers wird ber ein Filter an den Eingang des Verstrkers zurck gefhrt. Aus dem Signalflussdiagramm des Oszillators in Bild 7.25

7. Mikrowellensysteme

178

Bild 7.25.: Blockschaltbild und Signalflussdiagramm eines einfachen rckgekoppelten


Oszillators
lsst sich die Ausgangsspannung u2 bestimmen:
u2 = u 1

G(j)
.
1 G(j)H(j)

(7.68)

Um bei u1 = 0 eine Ausgangsspannung u2 6= 0 zu erhalten, muss der Nenner in Gleichung


(7.68) Null werden, d.h. fr die Schwingfrequenz 0 muss
G(j)H(j) = 1

(7.69)

gelten. Diese Bedingung nennt man Barkhausen-Kriterium. Fr eine Schwingung mit konstanter Amplitude muss daher fr die Verstrkung der offenen Schleife G(j)H(j) gelten:
|G(j)H(j)| = 1

arg [G(j)H(j)] = n 360

(7.70)
(7.71)

Die Schwingfhigkeit selbst macht keine Aussage zur Stabilitt des Systems. Sie sagt nur aus,
dass Schwingfhigkeit besteht. Die Schwingung kann nach Anregung abklingend, konstant oder
anwachsend bis zur Begrenzung sein. Die Anregung erfolgt in der Praxis aus dem Rauschen
oder aus einer Strung, z.B. dem Einschaltstromstoss. Durch das Filter wird die Frequenzauswahl getroffen, d.h. die Gte des Filters geht direkt in die Oszillatorgte ein. In vielen Fllen
besteht das Filter aus Komponenten, deren Resonanzfrequenz durch eine Steuerspannung vernderbar ist, um die Frequenz des Oszillators steuern zu knnen. Es handelt sich dann um einen
Voltage Controlled Oscillator (VCO).
Eine der wichtigsten Kenngren fr Oszillatoren neben offensichtlichen Werten wie Frequenzabstimmbereich, Ausgangsleistung usw. ist das Phasenrauschen. Das Leistungsspektrum eines
Oszillators besteht nicht nur aus einer einzigen diskreten Frequenz sondern besitzt den in Bild
7.26 skizzierten typischen Verlauf.

7.5. Komponenten von Mikrowellensystemen

179

Bild 7.26.: Ideales und reales Spektrum eines Osillators


Das Phasenrauschen wird nun bezogen auf die Leistung des Hauptsignals (d.h. in dBc/Hz)
abhngig von der Frequenzdifferenz angegeben. Die Anforderungen an das Phasenrauschen
werden durch das Gesamtsystem bestimmt. In den meisten Fllen muss das Phasenrauschen
des eigentlichen Oszillators durch eine zustzliche Regelschaltung, der sogenannten Phased
Locked Loop (PLL) weiter reduziert werden. Dabei wird die Ausgangsfrequenz in einen deutlich
tieferen Frequenzbereich geteilt. Dort wird die Phase des Signals mit der Phase eines extrem
rauscharmen Signals (z.B. von einem Quartzoszillator) verglichen und ber eine Regelschleife
die Frequenz des HF-Oszillators korrigiert.

7.5.4. Zusammenfassung der wichtigsten HF-Komponenten von


Mikrowellensystemen
In Bild 7.27 sind die wichtigsten Mikrowellenkomponenten mit ihren Blockschaltbildern und
einigen wichtigen Parametern zusammengefasst. Da bei Mikrowellensystemen immer davon
ausgegangen werden kann, dass die einzelnen Schaltungsblcke angepasst sind und ber eine
Leitung verbunden werden knnen, werden die Masseverbindungen in Blockschaltbildern gewhnlich weggelassen. Je nach System und Anwendung mssen natrlich noch weitere Parameter beachtet werden, die nicht in Bild 7.27 aufgelistet sind, wie z.B. Temperaturabhngigkeit
oder Leistungsverbrauch.
Im Folgenden sollen die Komponenten, die bisher noch nicht genauer erklrt wurden, kurz
erlutert werden. Bei einem Mischer wird ein beliebiges Signal an einem nichtlinearen Element (Diode, Transistor) mit einem Sinussignal in einen anderen Frequenzbereich verschoben
(siehe Kapitel 7.5.1). Das Sinussignal wird dabei als Lokaloszillator (LO) bezeichnet. Die beiden anderen Signale werden mit RF (Radio Frequency) und ZF bzw. IF (Zwischenfrequenz
bzw. Intermediate Frequency) gekennzeichnet. Bei fundamentalen Mischern werden speziell
die Mischglieder 1. Ordnung ausgenutzt um so eine Abwrts- (fZF = fRF fLO ) oder eine
Aufwrtsmischung (fRF = fZF + fLO ) zu realisieren. Der Unterschied zwischen Ein- und Aus-

180

7. Mikrowellensysteme

Bild 7.27.: Zusammenfassung der wichtigsten HF-Komponenten und deren Parametern

7.5. Komponenten von Mikrowellensystemen

181

gangssignalpegel wird als Mischverlust definiert. Die Rauschzahl beschreibt das zustzlich vom
Mischer generierte Rauschen (siehe Kapitel 7.4.4). Die Linearitt und der Dynamikbereich beschreiben hnlich zu einem Verstrker den Pegelbereich, in dem der Ausgangspegel linear dem
Eingangspegel folgt. Ein weiteres wichtiges Merkmal ist die LO-RF Unterdrckung, die beschreibt wie stark das LO-Signal auf den RF-Ausgang berkoppelt. Speziell in Fllen, in denen
die LO-Frequenz innerhalb des RF-Frequenzbereichs liegt, ist dieser Parameter unter Umstnden sehr kritisch, da der Artefakt in diesem Fall nicht mehr herausgefiltert werden kann.
Ein Koppler ist in der Regel ein symmetrisches Viertor. Der Groteil der Leistung, die an Port 1
eingespeist wird, wird zu Port 3 transmittiert. Ein Teil der Leistung wird jedoch auch zu Port 4
gekoppelt. Port 2 dagegen ist von Port 1 isoliert. Die Streumatrix eines idealen, symmetrischen
Kopplers ist gegeben durch

SKoppler

0
0 S T SK
0
0 S K ST
ST SK 0
0
SK ST 0
0

(7.72)

Je nach Anwendung werden Koppler mit unterschiedlichen Kopplungskoeffizienten Sk verwendet. Ein 3 dB Koppler teilt die Leistung gleichmig auf Port 3 und 4 auf. Ein 10 dB Koppler
fhrt nur ein Zehntel der Leistung an Port 4 ab. Die Isolation beschreibt wie stark der Port 2
vom Eingangsport 1 isoliert ist.
Der Zirkulator gehrt zu den nichtreziproken Bauelementen. Auf die Funktionsweise soll an
dieser Stelle nicht eingegangen werden. Wichtig zu wissen ist, dass eine an Port 1 eingespeiste
Leistung an Port 2 ausgegeben wird und der Port 3 isoliert ist. Andererseits wird eine am Port 2
eingespeiste Leistung am Port 3 ausgegeben (usw.). Die Streumatrix eines idealen Zirkulators
ist gegeben durch

0 0 1
h
i

(7.73)
SZirkulator = 1 0 0 .
0 1 0
Ein Detektor wird in der Regel dazu verwendet aus einem modulierten Signal das ursprngliche Videosignal wieder herzustellen. Die Funktionsweise des Detektors kann am einfachsten
an Hand von Bild 7.28 erklrt werden. Der Detektor, bestehend aus einer Schottky-Diode, fhrt
im Prinzip eine Gleichrichtung des Signals durch, und stellt so aus dem amplitudenmodulierten
Signal wieder das ursprngliche Basisbandsignal her (abgesehen von der berlagerten Gleichspannung). Ein solches Bauelement wird als Hllkurvendetektor bzw. Hllkurvendemodulator
bezeichnet. Die Detektoren werden fr einen bestimmten Frequenzbereich (Bandbreite) spezi-

7. Mikrowellensysteme

182

Bild 7.28.: Funktionsprinzip eines Hllkurvendetektors


fiziert. Auch fr Detektoren wird der Dynamikbereich als der Pegelbereich spezifiziert, in dem
der Detektor das erwnschte Verhalten hat.
Ein Frequenzvervielfacher basiert auf der Eintonaussteuerung eines nichtlinearen Bauelements
nach (7.65), durch das Signalkomponenten bei Mehrfachen der Eingangsfrequenz fe erzeugt
werden. Durch Filter wird mglichst nur die erwnschte N-te Harmonische fa = N fe an den
Ausgang gegeben, die restlichen Harmonischen werden unterdrckt. Frequenzteiler knnen entweder digital durch Flip-Flops realisiert werden, jedoch auch analog durch Synchronisationsschaltungen, bei denen ein Oszillator die Ausgangsfrequenz fa = fe /N erzeugt, der durch die
hhere Frequenz fe synchronisiert wird. In allen Fllen sind vor allem die minimale Eingangsleistung und die maximal erzielbare Ausgangsleistung wichtige Beschreibungsgren.
Ein Leistungsteiler teilt im Prinzip die von Port 1 kommende Leistung gleichmig auf die Ports
2 und 3 auf, erzeugt jedoch auch Verluste, die durch die Dmpfung beschrieben werden. In der
Regel besteht eine feste Phasenbeziehung zwischen den beiden Ausgangsports, d.h. die an den
Ports 2 und 3 ankommenden Signale haben je nach Bauweise die selbe Phase oder z.B. eine um
180 abweichende Phase. Der Phasenfehler beschreibt wie sehr die Differenz der beiden Ausgangsphasen vom erwnschten Wert abweicht. quivalent dazu wird die Amplituden-Balance
als weiterer Parameter definiert.

7.6. Funkkommunikationssysteme
Die Funkkommunikation hat sich seit der Entdeckung der elektromagnetischen Wellen durch
Heinrich Hertz in Karlsruhe im Jahr 1886 rasant entwickelt. Wurde am Anfang des 20. Jahrhunderts im zivilen Bereich hauptschlich Rundfunk und spter auch Fernsehen ber elektromagnetische Wellen verbreitet, so ist die Funkkommunikation aus unserer heutigen Zeit nicht
mehr weg zu denken. Speziell die mobile Funkkommunikation hat das Ende des 20. Jahrhunderts geprgt. Daneben spielen aber auch weiterhin Rundfunk und Fernsehen (hufig auch ber

7.6. Funkkommunikationssysteme

183

Bild 7.29.: Block Diagramm eines Mikrowellenfunksystems basierend auf Amplitudenmodulation bestehend aus Sender (a) und Empfnger (b)
Satellit bertragen) sowie Richtfunk eine wichtige Rolle. Auf Grund der groen Zahl anderer
Vorlesungen zu den Themen Mobilfunk, Satellitenkommunikation usw. wird hier auf weitere
Ausfhrungen grtenteils verzichtet und nur auf ein paar grundlegende Dinge eingegangen.
Darber hinaus wird auf die jeweiligen Skripten bzw. die Literatur verwiesen.

7.6.1. Mikrowellensender und -empfnger


Dargestellt in Bild 7.29 ist ein einfaches Mikrowellenfunksystem basierend auf Amplitudenmodulation. Das Eingangssignal (im Basisband bei der Frequenz fm ) besteht z.B. aus einem
Sprach- oder Videosignal und wird durch einen Tiefpassfilter auf die gewnschten Frequenzanteile beschrnkt. Das Basisbandsignal wird dann mit einem Lokaloszillatorsignal gemischt um
das modulierte Trgersignal zu erzeugen. Der Mischer erzeugt im Wesentlichen ein Produktsignal, das Anteile in den beiden Seitenbndern fLO + fm und fLO fm besitzt. Diesen Vorgang
nennt man Aufwrtsmischung. Das Signal des Lokaloszillators befindet sich in der Regel auf
einer weit hheren Frequenz als das Basisbandsignal. Anschliessend wird das modulierte Trgersignal vom Leistungsverstrker verstrkt und von der Antenne abgestrahlt.
Im Empfnger wird das empfangene Signal zuerst mit einem rauscharmen Verstrker verstrkt.
Anschliessend wird das Signal durch eine Abwrtsmischung auf die Zwischenfrequenz fZF gemischt. Um das zu erreichen, muss das Signal des hier verwendeten Lokaloszillators vom im
Sender verwendeten LO um fZF abweichen. Nach dem Mischer wird das Signal von einem

7. Mikrowellensysteme

184

Bandpassfilter gefiltert, um unerwnschte harmonische Frequenzanteile, die im Mischvorgang


entstanden sind, zu entfernen. Das gefilterte Signal im Zwischenfrequenzband wird danach erneut verstrkt, in diesem Fall von einem Verstrker mit geringerer Bandbreite und hoher Verstrkung. Der Detektor stellt daraufhin das Basisbandsignal bei fm wieder her und ermglicht
die weitere Verarbeitung oder Verwendung des Signals.
Bild 7.30 zeigt das Blockschaltbild eines typischen modernen Funksystems (z.B. GSM oder
UMTS). Im oberen Zweig ist der Sendepfad zu sehen. Es handelt sich hierbei um ein heterodynes Konzept, da die Basisbandsignale erst auf eine Zwischenfrequenz gebracht werden bevor
sie dann auf die eigentliche Funkbertragungsfrequenz gemischt werden. Im Empfangspfad
darunter werden die Signale hier allerdings direkt ins Basisband konvertiert. Man spricht demnach von einem Direct Down Conversion Receiver. Je nach Anforderung kommen in modernen
Funksystemen unterschiedliche Konzepte zum Einsatz auf die hier nicht weiter eingegangen
werden soll.
In Bild (7.31) ist zum Abschluss noch das Blockschaltbild eines komerziellen UMTS ChipSatzes gezeigt.

7.6.2. Rauschcharakterisierung eines Mikrowellenempfngers


Mit den in Kapitel 7.4 hergeleiteten Formeln ist es nun mglich die Rauschcharakterisierung
eines kompletten Mikrowellenempfngers durchzufhren. Der Mikrowellenempfnger, dargestellt in Bild 7.32 besteht aus einer Empfangsantenne, einer Verbindungsleitung und einem
Empfangssystem. Die Rauschzahl des gesamten Systems setzt sich dabei zusammen aus Anteilen des Antennenrichtdiagramms, der Dmpfung in der Antenne und der Verbindungsleitung,
sowie den Verlusten des Empfangssystems. Diese Rauschzahl bestimmt letztendlich den Minimalpegel des Empfangssignals der noch vom statistischen Rauschen unterschieden werden
kann.
Das Empfngersystem in Bild 7.32 besteht aus einem RF Verstrker mit der Verstrkung GRF
und der Rauschtemperatur TRF , einem Mischer mit der Durchgangsdmpfung LM und der
Rauschtemperatur TM , sowie dem ZF Verstrker mit der Verstrkung GZF und der Rauschtemperatur TZF . Die Rauscheigenschaften der weiteren Stufen knnen vernachlssigt werden, da
die Gesamt-Rauschzahl von den ersten Stufen bestimmt wird.
Nach (7.54) kann die quivalente Rauschtemperatur des Empfngersystems als
TEmpf. = TRF +

TZF LM
TM
+
GRF
GRF

(7.74)

berechnet werden. Die Verbindungsleitung zwischen der Antenne und dem Empfngersystem
weist eine Dmpfung LL auf und hat die thermometrische Temperatur Ttherm . Nach (7.49) ergibt

7.6. Funkkommunikationssysteme

185

Bild 7.30.: Block Diagramm eines modernen Funkkommunikationssystems (z.B. GSM oder
UMTS) fr digitale Modulationsverfahren bestehend aus Sender (oberer Teil) und
Empfnger (unterer Teil)

186

Bild 7.31.: Block Diagramm eines UMTS Frontends der


http://www.maxim-ic.com/appnotes.cfm/an_ pk/2233)

7. Mikrowellensysteme

Firma

Maxim

(Quelle:

Bild 7.32.: Rauschcharakterisierung eines Mikrowellenempfngers inklusive Antenne und


Leitung

7.6. Funkkommunikationssysteme

187

sich somit ihre quivalente Rauschtemperatur als


TL = (LL 1)Ttherm .

(7.75)

Die Rauschtemperatur des Empfngersystems und der Verbindungsleitung ergibt sich dann als
TL+Empf. = TL + LL TEmpf. = (LL 1)Ttherm + LL TEmpf. .

(7.76)

Prinzipiell nimmt die Antenne aus allen Winkelrichtungen Rauschleistung auf, abhngig davon
welches Richtdiagramm sie hat. Wenn die Antenne sehr direktiv ist, ihre Hauptkeule in Richtung eines Hintergrunds mit der Hintergrundtemperatur TH zeigt, und sie sich selbst in einer
Umgebung mit der thermometrischen Temperatur Ttherm befindet, kann die Rauschtemperatur
der Antenne angenhert werden durch:
TA = TH + (1 )Ttherm ,

(7.77)

wobei der Antennenwirkungsgrad ist. Die empfangene Rauschleistung an den Antennenanschlssen ergibt sich somit als
Ni = kBTA = kB[TH + (1 )Ttherm ] ,

(7.78)

wobei B die Systembandbreite darstellt. Wenn Si die empfangene Signalleistung an der Antenne ist, kann man das Signal-zu-Rauschverhltnis an der Antenne als Si /Ni berechnen. Die
Ausgangssignalleistung So ergibt sich nach Verstrkung und Dmpfung der einzelnen Stufen
als
So = Si

GRF GZF
= Si Gges. ,
LL LM

(7.79)

wobei Gges. die Gesamtverstrkung des Systems darstellt. Die Ausgangsrauschleistung lsst
sich berechnen zu
No = (Ni + kBTL+Empf. )Gges.
= kB(TA + TL+Empf. )Gges.
= kB[TH + (1 )Ttherm + (LL 1)Ttherm + LL TEmpf. ]Gges.

= kBTges. Gges. ,

(7.80)

7. Mikrowellensysteme

188

wobei Tges. als quivalente Rauschtemperatur des Gesamtsystems definiert wurde. Folglich ergibt sich das Signal-zu-Rauschverhltnis am Ausgang zu
Si Gges.
Si
So
.
=
=
No
kBTges. Gges.
kB[TH + (1 )Ttherm + (LL 1)Ttherm + LL TEmpf. ]

(7.81)

Die dargestellte Rechnung knnte statt ber die Rauschtemperaturen auch ber die Rauschzahlen durchgefhrt werden, wobei man jedoch vorsichtig sein muss, da Rauschzahlen fr
Ni = kBT0 definiert sind, was in diesem Beispiel nicht der Fall ist. Der einfachere Weg fhrt
in der Regel direkt ber eine Betrachtung der Leistungspegel und der Rauschtemperaturen, wie
sie hier vorgenommen wurde.

7.7. Radarsysteme
Radar (steht fr RAdio Detection And Ranging) ist neben der Kommunikation die wichtigste
Anwendung der Mikrowellentechnologie. In grundlegender Ausfhrung sendet eine Antenne
ein Signal aus, das von einem entfernten Krper im Allgemeinen Ziel genannt teilweise reflektiert und dann von einem empfindlichen Empfnger detektiert wird. Die Entfernung
des Ziels wird durch die Laufzeit des Signals zum Ziel und zurck bestimmt. Die radiale Geschwindigkeit kann aus der Dopplerverschiebung ermittelt werden. Bei Verwendung einer stark
gerichteten Antenne ist auch die Richtung des Ziels bekannt. Im Folgenden sind einige der
typischen Anwendungen von Radarsystemen aufgelistet.
Zivile Anwendungen:
Luftraumberwachung
Navigation fr Flugzeuge und Schiffe
Fahrerassistenzsysteme (z.B. Abstandsradar)
Wetter-Radar
Geschwindigkeitsmessung (z.B. im Straenverkehr)
Bewegungsmelder (z.B. Alarmanlage)
Abstandsmessung in Fertigung, Fllstandsmessung
Fernerkundung, Kartographie
Militrische Anwendungen:
Luftraumberwachung
Navigation fr Flugzeuge und Schiffe
Detektion und Tracking von Flugzeugen, Raketen und Schiffen

7.7. Radarsysteme

189

Lenksysteme fr Raketen
Wissenschaftliche Anwendungen:
Astronomie
Kartographie
Fernerkundung
Die intensive Nutzung von Radarsystemen begann mit dem zweiten Weltkrieg, in dessen Verlauf
eine Vielzahl von Radarsystemen entwickelt wurden. Im Folgenden wird zuerst die Radargleichung hergeleitet und danach die am weitesten verbreiteten Radartypen vorgestellt.

7.7.1. Radargleichung und Radarstreuquerschnitt


Bei Radarsystemen unterscheidet man zwischen dem monostatischen System, bei dem Sendeund Empfangsantenne identisch oder zumindest am gleichen Ort angebracht sind und bistatischen Radaren mit rumlich getrenntem Sender und Empfnger. Die meisten Radarsysteme
sind monostatisch.
Zur Bestimmung der Radargleichung wird der monostatische Fall betrachtet, wobei der bistatische Fall sehr hnlich ist. Strahlt ein Sender eine Leistung Pt durch eine Antenne mit dem
Gewinn Gt ab, betrgt die Leistungsdichte St an einem Ziel in der Entfernung R
St =

Pt Gt
.
4R2

(7.82)

Dabei wird davon ausgegangen, dass sich das Ziel in der Hauptstrahlrichtung der Sendeantenne
befindet. Das Ziel streut die eingestrahlte Leistung in alle Raumrichtungen. Der Anteil der in
einer bestimmten Richtung abgestrahlten Leistung Ps zur eingestrahlten Leistungsdichte St ist
als Radarstreuquerschnitt
=

Ps
St

(7.83)

definiert. Der Radarstreuquerschnitt hat damit die Einheit einer Flche und ist eine Eigenschaft
des Zielkrpers. hngt von Einfalls- und Abstrahlrichtung sowie Polarisation und natrlich
der Frequenz ab. Da das Ziel auch wieder als Punktquelle angenommen werden kann, nimmt
die Leistungsdichte der gestreuten Welle auch wieder mit 1/4R2 vom Ziel weg ab. Daraus
ergibt sich die Leistungsdichte des zum Radarsystem zurckgestreuten Signals zu
Sr =

Pt Gt
.
(4R2 )2

(7.84)

7. Mikrowellensysteme

190
Mit (7.25) und (7.24) resultiert die Empfangsleistung zu
Pr =

Pt Gt Gr 2
,
(4)3 R4

(7.85)

wobei in den meisten Fllen Sende- und Empfangsantenne identisch sind (G = Gt = Gr ), was
zu der blichen Form der Radargleichung fhrt:
Pr =

Pt G2 2
.
(4)3 R4

(7.86)

Hierbei ist reine Freiraumausbreitung angenommen und alle mglichen Wellenausbreitungseffekte sind vernachlssigt worden. Der hufigste bei Radarsystemen zustzlich zu beachtende
Ausbreitungspfad ist die Reflektion am Boden (z.B. bei Schiffsradaren oder KFZ-Radaren).
Aus (7.86) erkennt man, dass die Empfangsleistung mit 1/R4 abnimmt, was darauf hin deutet,
dass entweder eine sehr groe Sendeleistung oder ein sehr empfindlicher Empfnger bentigt
wird. Das von der Antenne empfangene und das im Empfnger selbst erzeugte Rauschen fhren
zu einer minimal detektierbaren Empfangsleistung Pr,min , woraus sich mit (7.86) ein maximaler
Abstand fr Ziele mit dem Radarstreuquerschnitt berechnet werden kann:

Rmax =

"

2 2

Pt G
(4)3 Pr,min

#1/4

(7.87)

Zustzliche Signalprozessierung kann das minimal detektierbare Signal weiter reduzieren und
so die nutzbare Reichweite vergrern. Eine sehr gngige Methodik, wie sie im Zusammenhang
mit Pulsradaren blicherweise eingesetzt wird, ist die Integration mehrerer Pulse. Dabei wird
der Rauschpegel reduziert, der einen verschwindenden Mittelwert hat, d.h. bei Integration von
N Pulsen ergibt sich ein Verbesserungsfaktor von N .

7.7.2. Pulsradar
Ein Pulsradar ermittelt den Abstand zu einem Ziel durch Messung der Laufzeit eines gepulsten Mikrowellensignals. In Bild 7.33 ist das Blockdiagramm eines typischen Pulsradarsystems
gegeben. Der Sendeteil besteht aus einem Einseitenbandmischer, in dem das Mikrowellensinussignal f0 mit einem Frequenzoffset von fZF zu einem Signal mit der Frequenz f0 + fZF
gemischt wird (fZF  f0 ). Nach zustzlicher Verstrkung werden Pulse dieses Signals ber eine Antenne gesendet. Der Sende-/Empfangsschalter wird von dem Pulsgenerator gesteuert um
Sendepulse der Breite mit einer Wiederholfrequenz (Pulse-Repetition-Frequency: PRF) von
fr = 1/Tr zu generieren. Damit werden kurze Sendepulse der Dauer bei einer Signalfrequenz

7.7. Radarsysteme

Bild 7.33.: Blockschaltbild eines typischen Pulsradarsystems

191

7. Mikrowellensysteme

192

von f0 + fZF gesendet. Der Sende-/Empfangsschalter erfllt zwei Funktionen: Erzeugen der
kurzen Sendepulse und umschalten der Antenne zwischen Sende- und Empfangsschaltung.
Im Empfangsfall wird das zurckgestreute Signal verstrkt und ber einen Mischer mit f0 in
das Zwischenfrequenzband herunter gemischt. Der Lokaloszillator fr f0 wird fr Sende- und
Empfangszweig gleichermaen genutzt. Dies vereinfacht zum Einen den Aufbau und vermeidet
zum Anderen Probleme durch mgliche Frequenzverschiebungen im Oszillator. Das Zwischenfrequenzsignal wird weiter verstrkt und ber einen Detektor in ein Videosignal umgewandelt.
Fr die Wahl von Pulsdauer und PRF fr gelten folgende Zusammenhnge und berlegungen:
Krzere Pulse resultieren in einer besseren Entfernungsauflsung aber in einem geringeren Signal-zu-Rausch-Verhltnis,
eine grere PRF fhrt zu mehr Pulsen pro Zeit was die Performanz verbessert, aber zu
Mehrdeutigkeiten in der Abstandsmessung fhrt.

7.7.3. Dopplerradar
Falls das Ziel eine Geschwindigkeitskomponente parallel zur Linie zwischen Radar und Ziel
hat, wird das zurckreflektierte Signal auf Grund des Dopplereffekts eine Frequenzverschiebung aufweisen. Fr eine Frequenz des gesendeten Radarsignals f0 und eine radiale Zielgeschwindigkeit v betrgt die Doppler-Frequenz:
fD =

2vf0
c0

(7.88)

wobei c die Lichtgeschwindigkeit im Medium darstellt. Die Frequenz des vom Radar empfangenen Signals wird dann f0 fD betragen, wobei das positive Vorzeichen zu Zielen gehrt, die
sich auf das Radar zu bewegen und das negative Vorzeichen zu sich vom Radar weg bewegenden Zielen.
Bild 7.34 zeigt das Prinzip eines Doppler-Radarsystems wie es z.B. zur Geschwindigkeitsmessung im Straenverkehr eingesetzt wird. Man erkennt sofort, dass dieses Radarsystem deutlich
einfacher zu realisieren ist als ein Pulsradar, da als Sendesignal ein einfaches hochfrequentes
Sinussignal bentigt wird und dieses auch direkt fr den Empfnger verwendet werden kann.
Aus diesem Grund wird das Dopplerradar auch hufig als CW-Radar (CW: Continuous Wave)
bezeichnet. Am Mischer werden gesendete und empfangene Frequenz subtrahiert, d.h. es bleibt
ein Signal mit der Frequenz fd , die der Geschwindigkeit des Zieles entspricht. Das Filter hinter
dem Mischer sollte einen Durchlassbereich passend zu den minimal und maximal zu erwartenden Dopplerfrequenzen bzw. Geschwindigkeiten haben. Wichtig ist hierbei eine sehr groe
Dmpfung fr Gleichspannungssignale, da damit alle Rckstreuungen von statischen Objekten
sowie Effekte durch Anteile des Sendesignals am Mischereingang auf Grund von Antennenfehl-

7.7. Radarsysteme

193

Bild 7.34.: Prinzip eines Doppler-Radars


anpassung oder begrenzter Isolation des Zirkulators unterdrckt werden. Das hier beschriebene
Radar kann allerdings nicht zwischen sich nhernden und sich entfernenden Zielen gleicher
Geschwindigkeit unterscheiden. Dies kann z.B. durch Verwendung eines speziellen Mischers
erreicht werden, der Frequenzen unterhalb f0 und oberhalb f0 getrennt verarbeitet.
Nachdem auch das Empfangssignal eines Pulsradars von einem bewegten Ziel eine Dopplerverschiebung erfhrt, ist es mglich, mit einem einzigen Radar Entfernung und Geschwindigkeit
gleichzeitig zu messen. Solche Radarsysteme werden als Puls-Doppler-Radar bezeichnet.

7.7.4. FMCW-Radar
Ein weiteres sehr verbreitetes Radarprinzip ist das soganannte FMCW-Radar (FMCW:
Frequency Modulated Continuous Wave). In Bild 7.35 ist das Prinzip dargestellt, dass sich
kaum vom CW-Radar (siehe Bild 7.34) unterscheidet. Im Gegensatz zum CW-Radar wird
die Oszillatorfrequenz hier ber der Zeit linear verndert. Man spricht dabei von einem
Frequenz-Chirp. Hierzu wird die Steuerspannung eines spannungsgesteuerten Oszillators VCO
(Voltage Controlled Oscillator) entsprechend der fr gewhnlich nicht linearen Spannungs/Frequenzkennlinie durchgestimmt.
Durch den Frequenzchirp haben die beiden am Mischer anliegenden Signale selbst bei statischen Zielen auf Grund der Signallaufzeit unterschiedliche Frequenzen. Diese Differenzfrequenz f ist whrend eines Frequenz-Chirps (siehe dazu Bild 7.36) konstant, d.h. die Frequenz
am Mischerausgang ist zu dem Zielabstand proportional. Die Darstellung in Bild 7.36 ist dabei
nicht mastblich gewhlt, da f sehr viel kleiner ist als die Mittenfrequenz 12 (fmin + fmax )
des Radars. Dadurch sind auch die gestrichelt gezeichneten Flanken des Ausgangssignals wesentlich steiler als dargestellt. blicherweise entspricht somit die Messzeit M der Sweep-Zeit

7. Mikrowellensysteme

194

Bild 7.35.: Prinzip eines FMCW-Radars

Up-Sweep

Down-Sweep

fmax

fmin

- f

al
al
ign
s
ign
s
e
nd f ngs
Se
pfa
Em

Em
p

fan

gs
sig
na
de
l
sig
na
l

Se
n

Ausgangssignal
M

Ausgangssignal

- f
: Messzeit
M

Bild 7.36.: Funktionsweise eines FMCW-Radars

7.8. Radiometrie

195

Tsweep . Fr einen Frequenzsweep von fmin bis fmax whrend der Zeit Tsweep ergibt sich die
Differenzfrequenz whrend der Messzeit M fr ein Ziel in einem Abstand R zu:
f =

fmax fmin

Tsweep

(7.89)

2R
.
c0

(7.90)

mit
=

Das Signal der Differenzfrequenz wird anschlieend digitalisiert und ber eine Fouriertransformation (FFT) erhlt man einen zu f und damit zur Entfernung proportionalen Wert. Statt der
Analog-/Digitalwandlung, kann f auch auf eine Filterbank gegeben werden, in welcher jedem
Entfernungsabschnitt ein Bandpassfilter zugeordnet wird.
Eine der Schwierigkeiten bei diesem Radarprinzip ist, dass sowohl Geschwindigkeit als auch
Abstand zur Frequenz des Ausgangssignals proportional sind, d.h. aus einer bestimmten Frequenz am Radarausgang nicht eindeutig Geschwindigkeit oder Abstand ablesbar sind. Zur Lsung dieses Problems existieren verschiedene Verfahren, die hier nicht weiter diskutiert werden
sollen. Auerdem wird das FMCW-Verfahren speziell bevorzugt unter Bedingungen eingesetzt,
bei denen keine relevanten Geschwindigkeiten zu erwarten sind, d.h. zur Abstandmessung in
quasi-statischer Umgebung (z.B. Fllstandsmessung in Tanks).

7.8. Radiometrie
Ein Radarsystem erhlt Informationen ber die Umgebung durch Empfang eines vorher gesendeten Mikrowellensignals. Radiometrie dagegen ist eine rein passive Technik, die ausschlielich
aus der Mikrowellenstrahlung, die aus der Umgebung auf das Radiometer einfllt, Informationen ermittelt. Das Messsignal ist somit die von den Objekten selbst emittierte und daran reflektierte, natrlich erzeugte elektromagnetische Strahlung. Dielektrische Unterschiede von Objekten fhren zu verschiedenem Emissions- und Reflexionsverhalten, so dass solche Unterschiede als lokale Intensittsvariation sichtbar gemacht werden knnen. Intensitten werden in der
Radiometrie auch in quivalenten (scheinbaren) Temperaturen ausgedrckt. Im Freien macht
man sich z.B. hierfr die kalte kosmische Hintergrundstrahlung zum Nutzen, deren Temperaturquivalent etwa 3 K betrgt. Diese Hintergrundstrahlung wird an den jeweiligen Objekten
reflektiert, und berlagert sich deren Eigenemission. In der Summe sind daher quivalente Temperaturwerte von etwa 3 K bis 300 K beobachtbar.
Gegenber den im optischen Bereich arbeitenden Erkundungsverfahren hat die Mikrowellenradiometrie (ebenso wie Radarverfahren) den frequenzbedingten Vorteil der weitgehenden Allwetterfhigkeit und der mglichen Eindringtiefe unter die sichtbare Oberflche. Vorteilhaft ist

7. Mikrowellensysteme

196

auerdem der grere Temperaturkontrast im Mikrowellenbereich. Von Nachteil ist hier wegen der groen Wellenlngen das grundstzlich schlechtere Winkelauflsungsvermgen von
Mikrowellensystemen, das vom Verhltnis aus Wellenlnge zu Aperturdurchmesser bestimmt
wird.
Zu den Anwendungen der Radiometrie zhlen unter anderem die Fernerkundung (z.B. Erdoberflche, Wetter) und die militrische Aufklrung. Im Moment wird auch weltweit an Systemen
zur Detektion von Waffen, zur Erhhung der Sicherheit z.B. auf Flughfen, gearbeitet.

7.8.1. Grundlagen der Radiometrie


Die thermische Strahlung eines Krpers wird durch das Planksche Strahlungsgesetz beschrieben:
B=

1
2hf 3
2
hf
/kT
c0 e
1

(7.91)

wobei B die Helligkeit in der Einheit Wm2 sr1 Hz1 angibt. Die Variablen f , c0 , T geben
die Frequenz, die Lichtgeschwindigkeit und die Temperatur an. Des Weiteren werden noch die
Boltzmann-Konstante k = 1,38 1023 J/K und die Plancksche Konstante h = 6,62 1034 Js
bentigt. In Bild 7.37 ist die thermische Strahlung gem Plankschem Strahlungsgesetz ber der
Frequenz fr unterschiedliche Temperaturen aufgetragen. Fr die Sonne mit einer Temperatur
von T = 5780 K ergibt sich die maximale Strahlung bei einer Wellenlnge von 502 nm (grnes
Licht). Die natrliche Mikrowellenstrahlung ist inkohrente Wrmestrahlung. Ihre Intensitt
liegt entsprechend dem Planckschen Strahlungsgesetz fr den schwarzen Krper mehrere Grenordnungen unter jener der natrlichen Infrarot-Strahlung.
In Kapitel 7.4 wurde bereits diskutiert, dass jeder Krper mit der Temperatur T nach dem
Planckschen Strahlungsgesetz eine Rauschleistung abstrahlt. Im Mikrowellenbereich kann das
Plancksche Strahlungsgesetz mit abnehmender Frequenz zunehmend besser durch das Gesetz
von Rayleigh-Jeans approximiert werden, woraus dann wiederum abgeleitet werden kann, dass
ein perfekter schwarzer Krper die Leistung P = kT B abstrahlt (vgl. Gleichung (7.34)).
B gibt hierbei die Systembandbreite des Radiometers an. Dies gilt genaugenommen nur fr
einen schwarzen Krper, der als idealer Krper definiert ist, der alle ankommende Strahlung
absorbiert und keine Strahlung reflektiert.
Die vom Mikrowellenradiometer empfangene Strahlung resultiert in der Regel aus der vom
Meobjekt emittierten Strahlung (proportional zu seiner Eigentemperatur), der am Objekt reflektierten bzw. gestreuten Strahlung des Hintergrunds und der Umgebung sowie der vom Ausbreitungsmedium zwischen Objekt und Radiometer emittierten Strahlung. Da die Strahlungsleistungen der Objekte proportional zur Temperatur sind, wird in der Radiometrie im Allgemeinen
mit Temperaturen (Helligkeitstemperaturen) gerechnet. Diese Helligkeitstemperatur ist dabei

7.8. Radiometrie

197

Bild 7.37.: Thermische Strahlung gem Plankschem Strahlungsgesetz


eine scheinbare Temperatur, die nur fr einen idealen Absorber (schwarzer Krper) identisch
mit der thermometrischen Temperatur ist.

7.8.2. Beispiel eines Radiometers


Im Folgenden wird der Aufbau und die Funktionweise eines Radiometers am Beispiel eines am
Deutschen Luft- und Raumfahrtzentrum (DLR) entwickelten Systems erlutert.
Abbildungssystem
Radiometrische Aufnahmen sind vergleichbar mit Fotografien. Die Strahlung wird aus verschiedenen Raumrichtungen empfangen, und positionsrichtig zu einem Bild zusammengefgt. Whrend in der Optik alle Bildpunkte simultan mit einer Linse auf den Film projiziert werden, so

7. Mikrowellensysteme

198

(a) Flugzeug-System

(b) Boden-System

Bild 7.38.: Ausfhrungsformen von Zeilenabtastern


mssen in der Mikrowellenradiometrie die Bildpunkte meist noch sequentiell ber eine mechanische Bewegung erfasst werden.
Die Qualitt einer Abbildung wird dominant vom rumlichen Auflsungsvermgen und der
Empfindlichkeit der Messapparatur bestimmt. Ersteres wird in der Mikrowellenradiometrie
durch die verwendbare Antennengre definiert. Um eine zweidimensionale Abbildung zu erhalten wird daher meist die Antenne mechanisch so bewegt (z.B. rotiert, gedreht, gefahren,
etc.), dass der durch die Antennengre definierte Empfangswinkelbereich der Antenne, die
Antennenkeule, ber das Szenario gefhrt wird. Die Empfindlichkeit wird durch die Gte des
Empfngers und die verfgbare Messzeit bestimmt.
Ein typischer Vertreter fr ein radiometrisches Abbildungssystem ist z.B. der mechanische Zeilenabtaster (engl. Linescanner), wie in Bild 7.38 dargestellt. Links ist ein auf einem Flugzeug
betriebenes System dargestellt. Durch die mechanische Hin- und Herbewegung quer zur Flugrichtung werden Bildzeilen erzeugt, die mit der Flugbewegung zusammen ein zweidimensionales Bild ergeben. Rechts ist ein vom Erboden aus betriebenes System gezeigt. Durch eine mechanische Rotation der Antenne werden Bildzeilen generiert, welche nun durch die zustzliche
azimutale Drehung der Gesamtanordnung die zweidimensionale Abbildung einer Hemisphre
erlauben. Radiometersysteme nach diesem Prinzip werden gegenwrtig neben bodengebundenen Einstzen insbesondere auch auf Flugzeugen und Satelliten betrieben.
Empfngertechnik
Ein Radiometer ist ein Messgert zur Detektion elektromagnetischer Strahlungsleistung in einem bestimmten Wellenlngenbereich. Die zu beobachtenden Gren der thermischen Mikrowellenstrahlung sind sehr leistungsschwache Signale. Folglich sind Mikrowellenradiometer

7.8. Radiometrie

199

Bild 7.39.: Prinzip-Blockschaltbild eines Total-Power-Radiometers


hoch verstrkende, frequenzselektive Leistungsmesser. Der einfachste Radiometertyp ist das sogenannte Total-Power-Radiometer, welches nachfolgend anhand Bild 7.39 kurz erlutert wird.
Ein Total-Power-Radiometer besteht prinzipiell aus einer Anordnung von Empfangsantenne,
einem rauscharmen Vorverstrker, gegebenenfalls einem Mischer mit dazugehrigem Lokaloszillator, mehreren weiteren Verstrkerstufen, einem Bandpassfilter, einem Leistungsdetektor und einem Tiefpassfilter mit nachgeschaltetem Anzeige- und/oder Aufzeichnungsgert. Die
Antenne als eine Empfangsflche betrachtet, dient dabei zur Aufnahme der thermischen Strahlungsleistung. Da jegliches Bauelement eigene Rauschbeitrge erzeugt, die etwa in der gleichen
Grenordnung wie das Eingangssignal liegen, sollte das erste Bauelement nach der Antenne
sehr rauscharm und mit hoher Verstrkung ausgefhrt werden.
Speziell bei hohen Frequenzen (HF) ist die weitere Signalverarbeitung in diesem Frequenzbereich unmglich bzw. technisch und finanziell zu aufwendig. Deshalb wird das Signal ber
einen Mischer in eine tiefere Frequenzlage umgesetzt. Vom Lokaloszillator wird dabei je nach
Anwendung hohe Frequenzstabilitt gefordert.
Im Zwischenfrequenzbereich (ZF) wird das Signal nun weiter verstrkt und bandpassgefiltert.
Dies ist notwendig, da die empfangene Strahlungsleistung nur in einer bestimmten Bandbreite
um die Mittenfrequenz interessiert und weil die anderen Komponenten meistens keine scharfe

7. Mikrowellensysteme

200

(a) Umgebungsaufnahme

(b) Person mit verstecktem Messer

Bild 7.40.: Radiometrische Aufnahmen bei 90 GHz Mittenfrequenz und entsprechende Photographien der gleichen Szenarien.
Bandbegrenzung vornehmen. Zur Leistungsdetektion wird die hochfrequente Rauschspannung
nun einem Bauelement mit quadratischer Kennlinie (Detektor) zugefhrt, das als Ausgangssignal eine zum Spannungsquadrat (also auch zur Leistung) proportionale Gleichspannung
abgibt. Aufgrund der endlichen Bandbreite und des Rauschcharakters der Eingangsspannung
treten am Ausgang zustzlich niederfrequente Rauschschwankungen auf, die ber das nachfolgende Tiefpassfilter in ihrer maximalen Frequenz begrenzt werden. Das so erhaltene Ausgangssignal kann jetzt mit einem Anzeigegert beobachtet oder ber einen A/D-Wandler zur
Weiterverarbeitung in einem Computer erfasst werden.
Abbildungen
Neben den Anwendungen in der Erderkundung knnen radiometrische Messverfahren auch in
der Sicherheitstechnik von groem Nutzen sein. Im Folgenden sind einige Beispiele zu radiometrischen Abbildungen in Bild 7.40 illustriert. Diese zeigen zum einen links eine Panoramaaufnahme von einer komplexen Szene mit 180 Azimut- und 60 Elevationsbereich. Diese Art
der radiometrischen Aufnahme kann z.B. zur berwachung und Beobachtung sicherheitsrelevanter Infrastrukturen verwendet werden. Das optische Erscheinen des radiometrischen Bildes
erlaubt dabei eine einfache Interpretation. Das radiometrische System hat dabei den deutlichen
Vorteil gegenber dem optischen System, dass die Aufnahme auch Nachts oder bei starkem
Nebel erzeugt werden kann. Durch das Eindringvermgen von Mikrowellen knnen auch verborgene Objekte detektiert werden, wie die Abbildung rechts zeigt, bei der eine Person ein
Messer in eine Zeitung eingewickelt hat. Dies erlaubt z.B. die Anwendung solcher Systeme zur
Personenkontrolle an Eingangsportalen.

7.9. Erwrmen mit Mikrowelle

201

Bild 7.41.: Mikrowellenofen

7.9. Erwrmen mit Mikrowelle


Hochfrequente elektromagnetische Felder mit hoher Leistung (im kW-Bereich oder sogar darber) werden in unterschiedlichen Bereichen zum Erwrmen von Matrie eingesetzt. Dazu gehren zum Beispiel
industrielle Prozesse zur Erwrmung oder Trocknung von Materialien,
Mikrowellenfen in Kchen im Leistungsbereich um 1 kW zur Erwrmung von Speisen
sowie
Mikrowllenquellen mit Leistungen oberhalb 1 MW zur Heizung des Plasmas bei der
Kernfusion.
Mikrowellenfen bestehen prinzipiell aus einem in der Regel rundherum geschlossenen metallischen Gehuse, welches den Austritt von Mikrowellenstrahlung verhindert. Innerhalb dieses
Gehuses befindet sich das zu erwrmende Material. Von einer Hochleistungsmikrowellenquelle werden die Mikrowellen in den Ofenraum eingekoppelt und dringen in das Material ein. Dort
regt das elektromagnetische Feld die Molekle zum Schwingen an, was sich als Wrme uert.
Besonders gut funktioniert dies, wenn die Molekle polarisiert sind (z.B. bei Wasser). Materialien aus unpolaren Moleklen (z.B. einfache Kohlenwasserstoffe) eignen sich dagegen weniger
zur Mikrowellenprozessierung. Da die Mikrowelle das zu prozessierende Material direkt, von
innen heraus, erwrmt, ist die Mikrowellenheizung blicherweise deutlich schneller als eine
konventionelle Erwrmung durch Strahlung oder Heiluft, welche das Material grundstzlich
von auen erwrmen und somit auf die meist langsamere Wrmeleitung angewiesen sind.
In Bild 7.41 ist ein typischer Haushalts-Mikrowellenofen zur Speisenerwrmung dargestellt.
Als Mikrowellenquelle wird ein sogenanntes Magnetron verwendet. Dabei handelt es sich um

7. Mikrowellensysteme

202

eine Elektronenrhre, welche ein hochfrequentes elektromagnetisches Feld erzeugt. Die Funktionsweise und weitere Mikrowellenrhren werden in [23] beschrieben. Die Frequenz betrgt
hierbei, wie auch bei den meisten anderen Mikrowellenanwendungen, 2,45 GHz. Dabei handelt es sich um eine sogenannte ISM-Frequenz (Industrial Scientific Medical) welche lizenzfrei
benutzt werden darf, solange die Abstrahlung gewisse Grenzen nicht berschreitet.
Eine wesentliche Anforderung an eine Mikrowellenprozessierungsanlage ist es, eine mglichst
gleichmige Erwrmung zu erreichen. Insbesondere gilt es zu vermeiden, dass einzelne Bereiche stark berhitzen (sogenannte Hot Spots), whrend andere Bereiche khl bleiben. Aufgrund
der relativ kurzen Wellenlnge ( 12,2 cm bei 2,45 GHz im Freiraum) gibt es im Material
Interferenzen verschiedener Feldanteile, so dass sich ein inhomogenes elektrisches Feld mit
verteilten Minima und Maxima ausbildet. Die daraus resultierende Erwrmung ist ebenfalls
inhomogen. Dieses Problem kann umgangen werden, wenn man das zu prozessierende Material durch das Feld bewegt, so dass alle Teile die Minima und Maxima des Feldes im gleichen
Ma durchlaufen. In Bild 7.41 ist dies durch einen Drehteller realisiert. Eine andere Mglichkeit besteht darin, das elektromagnetische Feld selbst zeitlich zu verndern, indem mechanisch
bewegte Reflektoren, sogenannte Modenrhrer (engl. Mode Stirrer) eingesetzt werden. Auch
dieses Prinzip ist in Bild 7.41 gezeigt.

7.9.1. Grundlagen der Mikrowellenheizung


Ausschlaggebend fr eine Erwrmung durch Mikrowellen sind die durch das elektrische Feld
hervorgerufenen Strme (ohmsche Verluste) und dielektrischen Umpolarisierungsverluste. Beide Mechanismen knnen zusammengefasst und durch einen effektiven Verlustfaktor [24] ausgedrckt werden
00r,eff = 00r +

(7.92)

00r charakterisiert dabei die dielektrischen Verluste und ist die Leitfhigkeit des Materials. Die
innerhalb eines Volumenelementes V in Wrme umgesetze Leistung ergibt sich damit zu
1
PW = 0 00r,eff |E|2 V
2

(7.93)

Diese ist damit proportional zum effektiven Verlustfaktor 00r,eff und der Frequenz. Damit bewirkt eine hhere Frequenz auch eine hhere Wrmewirkung. Dies folgt daraus, dass bei jedem
Umpolarisierungszyklus die gleiche Wrme umgesetzt wird. Je mehr Umpolarsierungen pro
Zeiteinheit stattfinden, desto hher ist die mittlere Wrmeleistung. Es ist dabei aber zu beachten, dass 00r und damit 00r,eff im Allgemeinen selbst sehr stark frequenzabhngig sind und fr
sehr hohe Frequenzen gegen Null gehen.

7.9. Erwrmen mit Mikrowelle

203

Eine weitere sehr wichtige Gre ist die Eindringtiefe. Wenn die Mikrowelle in ein Material
eindringt und dabei Energie in Form von Wrme abgibt, wird sie gedmpft. Der Wert, bei dem
die Leistungsdichte auf einen relativen Wert von e1 37 % bezogen auf die Materialoberflche abgeklungen ist bezeichnet man als Eindringtiefe Dp . Fr eine angenommene ebene Welle
gilt nherungsweise

c0 0r
.
(7.94)
Dp = 00
r,eff
Je hher die Frequenz ist, desto geringer ist die Eindringtiefe. Fr eine homogene Heizung sollte
die Materialdicke kleiner als die Eindringtiefe sein, da ansonsten die Heizung nur in der Nhe
der Oberflche erfolgt und damit keine Vorteile mehr gegenber der konventionellen Heizung
aufweist.

A. Schreibweise orts- und


zeitabhngiger Gren
A.1. Beliebige Orts- und Zeitabhngigkeit
U0
~
U

Amplitude, Scheitelwert, Gleichgre


allgemeine beliebige orts- und zeitabhngige Gre oder nur ortsabhngige Gre
~ =U
~ (~r,t)
U

oder

~ =U
~ (~r)
U

(A.1)

z.B. in kartesischen Koordinaten:

mit

~ = Ux (~r,t) ~ex + Uy (~r,t) ~ey + Uz (~r,t) ~ez


U

(A.2)

~r = x ~ex + y ~ey + z ~ez

(A.3)

205

A. Schreibweise orts- und zeitabhngiger Gren

206

~ (~r,t)
U
P

~r
z

Bild A.1.: Vektorielle Gre im kartesischen Koordinatensystem

A.2. Bei harmonischer Zeitabhngigkeit


~u(~r,t)

reelle Schreibweise der orts- und zeitabhngigen Gre


n
o
~ (~r) ej ejt = U
~ (~r) cos(t + )
~u(~r,t) = Re U

~u

komplexe Schreibweise der orts- und zeitabhngigen Gre


~ (~r) [cos(t + ) + j sin(t + )]
~u = U
~ (~r) ejt+ = U
~ (~r) ej ejt
= U

~
U

(A.4)

(A.5)

komplexe Amplitude
~ =U
~ (~r) ej
U

(A.6)

(U steht stellvertretend fr H, E, B, D, etc.)


Eine sehr gute Einfhrung in den Umgang mit komplexen Wechselgren befindet sich in [7].

B. Verzeichnis der verwendeten


Abkrzungen
Symbol

Bedeutung

Einheit

a
an
~
A

Breitenabmessung eines Rechteckhohlleiters


hinlaufende Leistungswelle in Tor n
Vektorpotential
Flche
Antennenwirkflche
ABCD-Matrix
magnetische Induktion
Hhenabmessung eines Rechteckhohlleiters
rcklaufende (reflektierte) Welle aus Tor n
einfache Bandbreite
Blindleitwert
parallel geschalteter Blindleitwert
Kapazitt
Kapazitt pro Lngeneinheit
Kapazitt pro Lngeneinheit einer luftgefllten Leitung
Lichtgeschwindigkeit im Medium
Lichtgeschwindigkeit im Vakuum (c0 = 2,9979 108 m/s)
elektrische Verschiebungsdichte
elektrische Feldstrke
Einheitsmatrix
Ausbreitungsrichtung der ebenen Welle
Frequenz
Cutoff-Frequenz
Dopplerfrequenz
Zwischenfrequenz
reeller Leitwert (ohmscher Leitwert)

A
AW
[A]
~
B
b
bn
B
B
Bp
C
C0
C00
c
c0
~
D
~
E
[E]
~ek
f
fc
fD
fZF
G

W
Vs/m
m2

Vs/m2
m

W
Hz
S
S
F
F/m
F/m
m/s
m/s
As/m2
V/m

Hz
Hz
Hz
Hz
S

207

B. Verzeichnis der verwendeten Abkrzungen

208
Symbol

Bedeutung

G
G0
~
H
h
h
I
J~
J~F
J~V
j
k
k
l
L
L0
m
n
NF
PW
Q
Q
R
R
R0
r
r
s
S
~
S
[S]
smn
T
T
t
t
[T]

Antennengewinn
auf die Lngeneinheit bezogener Leitwert
magnetische Feldstrke
Plancksche Konstante (h = 6,62 1034 Js)
Substrathhe bei Mikrostreifenleitung
elektrischer Strom
Stromdichte
Flchenstromdichte (Strombelag)
Verschiebungsstromdichte

imaginre Einheit j = 1
Boltzmannkonstante k = 1,381 1023 Ws/K
Wellenzahl (Freiraumwelle)
Leitungslnge
Induktivitt
auf die Lngeneinheit bezogene Induktivitt
Anpassungsfaktor
Brechungsindex
Rauschzahl (Noise Figure)
Wirkleistung
Blindleistung
elektrische Ladung
reeller Widerstand (ohmscher Widerstand)
Abstand (Radar)
auf die Lngeneinheit bezogener Widerstand
Reflexionsfaktor
Abstand
Welligkeitsfaktor (VSWR)
Scheinleistung
Poynting-Vektor
Streumatrix
Streuparameter
Periodendauer
Temperatur
Zeit
Metallisierungshhe bei Mikrostreifenleitung
Transmissions-Matrix

Einheit

S/m
A/m
Js
m
A
A/m2
A/m
A/m2
Ws/K
m1
m
H
H/m

W
var = 1 W
As

m
/m
m
VA = 1 W
VA/m2

s
K
s
m

209
Symbol

Bedeutung

Einheit

U
VSWR
vG
vP
W
w
w
X
Xs
Y
YL
Y0 , YB
[Y]
Z
ZL
Z0 , ZB
[Z]

c
z

tan

0
r
r,eff
0r
00r
00r,eff

0
z

Spannung
Stehwellenverhltnis (s)
Gruppengeschwindigkeit
Phasengeschwindigkeit
Energie
Energiedichte
Leiterbreite Mikrostreifenleitung
Blindwiderstand
seriell geschalteter Blindwiderstand
komplexer Leitwert (Admittanz)
Leitungswellenleitwert
Bezugsleitwert
Admittanz-Matrix
komplexer Widerstand (Impedanz)
Leitungswellenwiderstand
Bezugswiderstand
Impedanz-Matrix
Dmpfungskonstante einer Leitung
Phasenkonstante einer Leitung (Wellenzahl)
Cutoff-Wellenzahl
Wellenzahl im Hohlleiter (z-Richtung)
komplexe Leitungskonstante = + j
Verlustwinkel
Verlustfaktor
Dielektrizittskonstante = 0 r
Permittivitt des Vakuums 0 = 8,854 1012 As/Vm
relative Permittivitt (Dielektrizittszahl)
effektive relative Permittivitt
Realteil der komplexen Permittivitt
dielektrischer Verlustfaktor
effektiver Verlustfaktor
Winkel im Kugelkoordinatensystem (Elevation)
elektrische Leitfhigkeit
Wellenlnge
Freiraum-Wellenlnge
Wellenlnge im Hohlleiter (z-Richtung)

V
m/s
m/s
J = 1 Ws
Ws/m3
m

S
S

m1
m1
m1
m1
m1
rad
As/Vm
As/Vm

rad
S/m
m
m
m

B. Verzeichnis der verwendeten Abkrzungen

210
Symbol

Bedeutung

Einheit

0
r

Permeabilittskonstante = 0 r
Permeabilitt des Vakuums 0 = 4 107 Vs/Am
relative Permeabilitt
Raumladungsdichte
Radarstreuquerschnitt
Zeitkonstante
Phasenwinkel
Winkel im Kugelkoordinatensystem (Azimut)
Kreisfrequenz, Winkelgeschwindigkeit

Vs/Am
Vs/Am
As/m3
m2
s
rad
rad
s1

C. Leitungsdiagramme

211

0.37

0.38

0.40

0.39
2 60

2 70

0.4

1.0

0.9

0.8

2 50

0.41

0.36
2 80

0.35

1.5

0.7

0.6

2.0

0.5

0.4

0.4

3
0.4

2 40

0
23

0.2

22

5
0.4

2 10

0.8

0.6

2 00

1.0

0.6
0.27

1.0

- XZ

Bild C.1.: Smith Diagramm in Widerstandsform


0.2

0.4

0.8

50

20

10

5.0

4.0

3.0

2.0

1.5

0.9
1.0

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

+ ZX

1 70

0.02

0.03
1 60

1.0

4.0

5.0

0.26

0.46

0.2

0.01

1.0

0.28
3 40

2 90

0.1

0.4

1 50

0.04

0.8

0.3
0

1
0.3

0.34

0.2

1 80

3.0

3 50

0.29
3 30

0.3

0.49

0.6

20
0.25

1 90
0.0

ne

14
0

(i n

ar l /
c
r
6

0.0

n)

2.0

0.5

0.6

0.2

0.24

10

0.48

0.6
0.23

0.8

20

0.3
1.5

0.7

60

0.22

0.2

3 00

1.0

0.9

0.8

70

0.3

80

0.21
30

32

0.4
0.14

0.1

3.0

13

0.13

4.0

0
90

5.0

.07

1 20

10

20

.08

0.12

50

0.09
0.11
1 00

0.2

40

0.47

R
Z

0.1

0
(a

0.4

)
en
u
0.10
1 10

m in db

31

0.0

0.02
0.01

0.1
0.08
0.06
0.04

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0
1.0
0.9

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

0.9
1.0
1.0

0.8

0.7

0.6

0.5
6
4

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

10

15

20

40
30

m=Umin/Umax

0.3

212

C. Leitungsdiagramme

Reflexionsfaktor r

reflektierte Leistung

0.15
0.16
0.1
7

50

0.1

0.4

10

50

213

14
0

0.4

3.0
0.8

0.0

0.0

0.1

0.21
30

1 50

0.6

0.3

n)

0.2

0.0

0.2

40

ne

0.02
0.01

0.3

0.1
0.08
0.06
0.04

0.6

0.5
0.2

0.0

ar l /
c
r

0.1
50

0.1

5.0

0.22

1.0
0.8

0.23

0.02

20

0.2

(i n

1.0

0.03
1 60

0.1

0.4

0.6

0.2

1 70
1 80

50

20
10

5.0

1.0
4.0

0.6

22

3.0
4

0.4

0.4

0.3

31

0.5

2.0

3 00

0.34

2 90
0.35

0.36
2 80

0.9

2 50

1.0

0.8

0.3

23

0.2

0.6
0.7

2 40

1.5
2 70

0.37

0.38

0.39
2 60

0.41

0.40

Bild C.2.: Smith Diagramm in Leitwertform

0.3
0

0.4

32

0.4
2

0.4

5
0.4

2 10

0.8

0.46

0.29
3 30

0.3

0.28
3 40

0.2

1.0

2 00

0.8

0.3

1 90

0.01

0.4

0.27

0.48

0.26

3 50

0.1

0.6

0.25

+BZ

0.2

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9
1.0

1.5

2.0

3.0

4.0

5.0

10

20

50

GZ

0.4

0.47

0.24

-BZ

20

10

0.1

10

50

60

0.5

0.04

0.2

4.0

0.49

0.16

2.0

13

70

0.6

0.15

80

0.7

.07

1 20

0.14

90

0.8

0.13

0.12

0.11
1 00

0.9

.08

0.10
1 10

1.0

(a

0.09

reflektierte Leistung

1.5

)
en
u

0.3

0.5

0.4

0.7

0.8
0.6

0.7

0.8

0.9

0.9
1.0
1.0
0
1.0
0.9

0.8

0.7

0.6

0.5
6

0.4
8

0.3
10

20

15

0.2

0.1

0.0

40
30

m in db

0.4

Reflexionsfaktor r

m=Umin/Umax

Literaturverzeichnis
[1] Meinke, Gundlach: Taschenbuch der Hochfrequenztechnik; Springer Verlag
[2] Unger: Theorie der Leitungen; Vieweg & Sohn, Braunschweig
[3] Meinke: Einfhrung in die Elektrotechnik hherer Frequenzen, Band 1 (Bauelemente und
Stromkreise) und Band 2 (Elektromagnetische Felder und Wellen); Springer Verlag
[4] Zinke, Brunswig: Lehrbuch der Hochfrequenztechnik, Band 1 (Hochfrequenzfilter, Leitungen, Antennen); Springer Verlag
[5] Unger: Elektromagnetische Wellen, Band 1 und 2, Vieweg & Sohn, Braunschweig
[6] Zwick, Wiesbeck: Skriptum zur Vorlesung Hochfrequenztechnik; Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik, Uni Karlsruhe
[7] Dssel: Skriptum zur Vorlesung Lineare elektrische Netze; Institut fr Biomedizinische
Technik, Uni-Karlsruhe
[8] Trommer: Skriptum zur Vorlesung Felder und Wellen; Institut fr Theoretische Elektrotechnik und Systemomptimierung, Uni-Karlsruhe
[9] Michel: Zweitor-Analyse mit Leistungswellen; Teubner Studienbcher Elektrotechnik,
Stuttgart
[10] Balanis: Advanced Engineering Electromagnetics; John Wiley & Sons, New York
[11] Balanis: Antenna Theory: Analysis and Design; John Wiley & Sons, New York
[12] Zwick, Wiesbeck: Skriptum zur Vorlesung Antennen und Antennensysteme; Institut fr
Hchstfrequenztechnik und Elektronik, Uni Karlsruhe
[13] Wiesbeck: Skriptum zur Vorlesung Radar Systems Engineering; Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik, Uni Karlsruhe
[14] Thumm: Skriptum zur Vorlesung Hoch- und Hchstfrequenz-Halbleiterschaltungen Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik, Uni Karlsruhe
[15] Younis: Skriptum zur Vorlesung Advanced Radio Communications I Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik, Uni Karlsruhe
[16] Hoffmann: Integrierte Mikrowellenschaltungen; Springer Verlag, Berlin, Heidelberg
[17] Stirner: Antennen, Band 1 (Grundlagen) und Band 2 (Praxis); Hthig Verlag, Heidelberg

215

216

Literaturverzeichnis

[18] Collin: Antenna Theory, Band 1 und 2, McGraw Hill, New York
[19] Khn: Mikrowellenantennen, VEB Verlag Technik, Berlin
[20] Geng: Planungsmethoden fr die Mobilkommunikation; Springer Verlag, Berlin, Heidelberg
[21] S: Skriptum zur Vorlesung Mikrowellenradiometrie; Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik, Uni Karlsruhe
[22] Pozar: Microwave Engineering; Addison-Wesley Publishing Company, Massachusetts
[23] Thumm: Skriptum zur Vorlesung Ausgewhlte Kapitel der Hochfrequenztechnik; Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik, Uni Karlsruhe
[24] Metaxas: Industrial Microwave Heating; Peter Peregrinus Ltd., UK
[25] Detlefsen: Grundlagen der Hochfrequenztechnik; Oldenbourg Verlag, Mnchen
[26] Razavi: RF microelectronics; Prentice Hall, USA