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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM35GP120

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties


Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rckw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage

VRRM

1600

Durchlastrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip

I FRMSM

40

Id

35

I FSM

315

Dauergleichstrom
DC forward current

TC = 80C

Stostrom Grenzwert

tP = 10 ms, Tvj =

surge forward current

tP = 10 ms, Tvj = 150C

Grenzlastintegral

tP = 10 ms, Tvj =

I t - value

25C

260

500

As

340

As

VCES

1200

I C,nom.

35

IC

45

I CRM

70

Ptot

230

VGES

+/- 20V

IF

35

I FRM

70

I 2t

310

A2s

VCES

1200

TC = 80 C

I C,nom.

17,5

TC = 25 C

IC

35

25C

I t

tP = 10 ms, Tvj = 150C

2
2

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter


Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current

Tc = 80 C
TC = 25 C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom


repetitive peak collector current

tP = 1 ms,

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

TC = 25C

TC = 80 C

Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current

Tc = 80 C

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current

tP = 1 ms

Grenzlastintegral
I 2t - value

VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125C

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper


Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current

tP = 1 ms, TC = 80C

I CRM

35

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

TC = 25C

Ptot

180

VGES

+/- 20V

IF

10

I FRM

20

Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current

Tc = 80 C

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current

tP = 1 ms

prepared by: Andreas Schulz

date of publication:29.03.2001

approved by: Robert Severin

revision: 5

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Technische Information / Technical Information


IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM35GP120

Modul Isolation/ Module Isolation


Isolations-Prfspannung
insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.


NTC connected to Baseplate

VISOL

2,5

kV

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties


Charakteristische Werte / Characteristic values
min.

typ.

max.

VF

1,15

1,2

Tvj = 150C

V(TO)

0,8

Ersatzwiderstand
slope resistance

Tvj = 150C

rT

10,5

Sperrstrom
reverse current

Tvj = 150C,

IR

mA

Modul Leitungswiderstand, Anschlsse-Chip


lead resistance, terminals-chip

TC = 25C

RAA'+CC'

min.

typ.

max.

2,4

2,85

2,9

VGE(TO)

4,5

5,5

6,5

Cies

1,5

nF

Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier


Durchlaspannung
forward voltage

Tvj = 150C,

Schleusenspannung
threshold voltage

IF = 35 A

VR = 1600 V

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter


VGE = 15V, Tvj = 25C,
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
VGE = 15V, Tvj = 125C,

IC =

35 A

IC =

35 A

IC =

1 mA

Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage

VCE = VGE,

Eingangskapazitt
input capacitance

f = 1MHz, Tvj = 25C


VCE = 25 V, VGE = 0 V

Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current

VGE = 0V,

Tvj = 25C, VCE =

1200 V

VGE = 0V,

Tvj =125C, VCE =

1200 V

Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse

Tvj = 25C,

VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25C


I C = INenn,

VCC =

22 Ohm

VGE = 15V, Tvj = 125C, RG =

22 Ohm

I C = INenn,

600 V

VGE = 15V, Tvj = 25C, RG =

22 Ohm

VGE = 15V, Tvj = 125C, RG =

22 Ohm

I C = INenn,

600 V

VCC =

VGE = 15V, Tvj = 25C, RG =

22 Ohm

VGE = 15V, Tvj = 125C, RG =

22 Ohm

I C = INenn,

600 V

VCC =

VGE = 15V, Tvj = 25C, RG =

22 Ohm

VGE = 15V, Tvj = 125C, RG =

22 Ohm

I C = INenn,

600 V

VCC =

VGE = 15V, Tvj = 125C, RG =


I C = INenn,

75 nH

VCC =

600 V

LS =
Kurzschluverhalten
SC Data

22 Ohm

LS =
VGE = 15V, Tvj = 125C, RG =

I CES

1,5

500

2,0

mA

I GES

300

nA

td,on

50

ns

50

ns

55

ns

55

ns

600 V

VGE = 15V, Tvj = 25C, RG =


VCC =

VCE sat

22 Ohm

tr

td,off

290

ns

320

ns

50

ns

70

ns

Eon

4,5

mWs

Eoff

4,3

mWs

I SC

160

tf

75 nH

tP 10s, VGE 15V,

RG =

Tvj125C,

VCC =

720 V

dI/dt =

2800 A/s

22 Ohm

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Technische Information / Technical Information


IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM35GP120

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties


Charakteristische Werte / Characteristic values
Modulinduktivitt
stray inductance module
Modul Leitungswiderstand, Anschlsse-Chip
lead resistance, terminals-chip

TC = 25C

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter


Durchlaspannung
forward voltage

VGE = 0V, Tvj = 25C,

IF =

35 A

VGE = 0V, Tvj = 125C,

IF =

35 A

Rckstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

I F=INenn,

- diF/dt =

600 V

VGE = -10V, Tvj = 125C, VR =

600 V

I F=INenn,

1400A/s

VGE = -10V, Tvj = 25C, VR =

600 V

VGE = -10V, Tvj = 125C, VR =

600 V

I F=INenn,

1400A/s

- diF/dt =

VGE = -10V, Tvj = 25C, VR =

600 V

VGE = -10V, Tvj = 125C, VR =

600 V

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper


VGE = 15V, Tvj = 25C,
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
VGE = 15V, Tvj = 125C,

IC =

17,5 A

IC =

17,5 A

IC =

0,6mA

Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage

VCE = VGE,

Eingangskapazitt
input capacitance

f = 1MHz, Tvj = 25C


VCE = 25 V, VGE = 0 V

Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current

VGE = 0V, Tvj = 25C, VCE =

1200 V

VGE = 0V, Tvj = 125C, VCE =

1200 V

Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current

Tvj = 25C,

VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25C

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper


Tvj = 25C,
Durchlaspannung
forward voltage
Tvj = 125C,

17,5 A

IF =

17,5 A

TC = 25C

Abweichung von R100


deviation of R100

TC = 100C, R100 = 493

Verlustleistung
power dissipation

TC = 25C

B-Wert
B-value

R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)]

max.

LCE

100

nH

RCC'+EE'

min.

typ.

max.

1,95

2,45

1,8

40

45

3,5

As

7,5

As

1,3

mWs

2,5

mWs

min.

typ.

max.

2,3

2,75

2,7

VGE(TO)

4,5

5,5

6,5

Cies

1,0

nF

VF

I RM

Qr

ERQ

VCE sat

I CES

1,0

500

1,2

mA

300

nA

min.

typ.

max.

2,7

3,05

2,6

min.

typ.

max.

R25

R/R

-5

20

mW

I GES

IF =

NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor
Nennwiderstand
rated resistance

typ.

1400A/s

VGE = -10V, Tvj = 25C, VR =


- diF/dt =

min.

VF

P25
B25/50

3375

3(11)
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IGBT-Module
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BSM35GP120

Thermische Eigenschaften / Thermal properties


Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case

RthJC

Gleichr. Diode/ Rectif. Diode

min.

typ.

max.

K/W

Trans. Wechsr./ Trans. Inverter

0,55

K/W

Diode Wechsr./ Diode Inverter

0,8

K/W

Trans. Bremse/ Trans. Brake

0,7

K/W

Diode Bremse/ Diode Brake

2,3

K/W

0,08

K/W

0,04

K/W

0,08

K/W

bergangs-Wrmewiderstand

Gleichr. Diode/ Rectif. Diode

Paste=1W/m*K

thermal resistance, case to heatsink

Trans. Wechsr./ Trans. Inverter

grease=1W/m*K

RthCK

Diode Wechsr./ Diode Inverter


Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Tvj

150

Betriebstemperatur
operation temperature

Top

-40

125

Lagertemperatur
storage temperature

Tstg

-40

125

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties


Innere Isolation
internal insulation

Al2O3

CTI
comperative tracking index

225
M

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung


mounting torque

Nm

10%

Gewicht
weight

180

4(11)
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IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM35GP120

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)

IC = f (VCE)

Output characteristic Inverter (typical)

VGE = 15 V

70

60
Tj = 25C
50

Tj = 125C

IC [A]

40

30

20

10

0
0

0,5

1,5

2,5

3,5

4,5

4,5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)

IC = f (VCE)

Output characteristic Inverter (typical)

Tvj = 125C

70
VGE = 17V

60

VGE = 15V
VGE = 13V

50

VGE = 11V
VGE = 9V

IC [A]

40

30

20

10

0
0

0,5

1,5

2,5

3,5

VCE [V]

5(11)
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IGBT-Module
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BSM35GP120

bertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)

IC = f (VGE)

Transfer characteristic Inverter (typical)

VCE = 20 V

70

60

50

Tj = 25C
Tj = 125C

IC [A]

40

30

20

10

0
0

10

12

14

VGE [V]

Durchlakennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch)


Forward characteristic of FWD Inverter (typical)

IF = f (VF)

70

60

50

Tj = 25C
Tj = 125C

IF [A]

40

30

20

10

0
0

0,5

1,5

2,5

VF [V]

6(11)
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IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM35GP120

Schaltverluste Wechselr. (typisch)

Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC)

Switching losses Inverter (typical)

Tj = 125C,

VGE = 15 V,

VCC =

RGon = RGoff =

600 V
22 Ohm

14

12

Eon
Eoff
Erec

E [mWs]

10

0
0

10

20

30

40

50

60

70

80

IC [A]

Schaltverluste Wechselr. (typisch)


Switching losses Inverter (typical)

Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)


Tj = 125C, VGE = +-15 V ,

Ic = Inenn ,

VCC =

600 V

7
Eon
6

Eoff
Erec

E [mWs]

0
0

10

15

20

25

30

35

40

45

50

RG [ ]

7(11)
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Technische Information / Technical Information


IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM35GP120

Transienter Wrmewiderstand Wechselr.


Transient thermal impedance Inverter

ZthJC = f (t)

Zth-IGBT

ZthJC [K/W]

Zth-FWD

0,1

0,01
0,001

0,01

0,1

10

t [s]

Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)

IC = f (VCE)

Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)

Tvj = 125C, VGE = 15V, RG =

22 Ohm

80
70
60
IC,Modul

50

IC [A]

IC,Chip
40
30
20
10
0
0

200

400

600

800

1000

1200

1400

VCE [V]

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IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM35GP120

Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch)


Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)

IC = f (VCE)
VGE = 15 V

35

30
Tj = 25C
Tj = 125C

25

IC [A]

20

15

10

0
0

0,5

1,5

2,5

3,5

4,5

VCE [V]

Durchlakennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF)


Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
35

30

25
Tj = 25C
Tj = 125C

IF [A]

20

15

10

0
0

0,5

1,5

2,5

3,5

VF [V]

9(11)
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Technische Information / Technical Information


IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM35GP120

Durchlakennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)


Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)

IF = f (VF)

70

60

50
Tj = 25C
Tj = 150C

IF [A]

40

30

20

10

0
0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,2

1,4

1,6

120

140

160

VF [V]

NTC- Temperaturkennlinie (typisch)


R = f (T)
NTC- temperature characteristic (typical)
100000

Rtyp

R[ ]

10000

1000

100
0

20

40

60

80

100

TC [C]

10(11)
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Technische Information / Technical Information


IGBT-Module
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BSM35GP120

Schaltplan/ Circuit diagram


21

22
20

23

19

7
14

18

13

24

4
12

16
17

15

NTC

11
10

Gehuseabmessungen/ Package outlines

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine


Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is


valid in combination with the belonging technical notes.

11(11)
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Nutzungsbedingungen
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefhrdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen ei nzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir we isen darauf hin, dass wir fr diese Flle
- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;
- den Abschluss von speziellen Q ualittssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung v on der Umsetzung solcher Manahmen abhngig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
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