Diodos PIN

El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra
regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es
casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir,
frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo
tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja
cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn
comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o
como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los
propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como
un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar
corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja
resistividad representada, est formada por difusin de tomos de boro en un
bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes
cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta
resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los
electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la regin P para recombinarse con los
huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los
electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrnseco, la
cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera
igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P
de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del
material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa
simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la
longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y
aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de
los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es
aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica
de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la
polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud
de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante
y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR,
que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo
que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores
normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente
asequibles.

Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se
difunden en la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es
debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son
aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la
cada de tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN,
cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el
diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una
primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente
proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo
PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una
capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es
aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es
aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se
produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos
de conexin desde el diodo hasta la cpsula.
Diodos Varactores (Varicap)
Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje
variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje,
capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe
en la unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones
de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de
los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su
ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se
determina mediante:
CT = E (A/Wd)
Donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la
unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de
la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El
pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo
normal de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de
la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma
aproximada mediante:
CT = K / (VT + VR)n
Donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de
construccin.

VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin

VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin
El diodo tnel
En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores
obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho ms elevado
que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La
corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada
hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este
punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a
disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle,
desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio
lento, pero luego se hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no
se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy
contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos
ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo
tnel, la parte ms interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la
cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada
corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un
incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se
dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental
negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una
resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito
resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se
compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico
conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito
oscilante se transforma en un oscilador.
Diodo de contacto puntual
El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que
descansa la punta de un alambre delgado.
La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de
unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual
conduce algo ms de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la
corriente inversa tiende a aumentar ms bien que permanecer aproximadamente
constante. La marca inflexin en la curva del diodo de unin en -V no ocurre en los
diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a
voltajes mucho ms bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la
direccin negativa.