2.59. Describa el enlace de hidrgeno.

Entre qu elementos est

restringido este enlace?
El enlace de hidrgeno es un enlace de dipolo permanente restringido a un
tomo de hidrgeno y tomos altamente electronegativos tales como
oxgeno, nitrgeno, flor y cloro. ste enlace secundario es relativamente
fuerte debido al tamao pequeo del tomo de hidrgeno.
Enlace de Dipolo Permanente:
Corresponden a enlaces intermoleculares relativamente dbiles que se
forman entre molculas que tienen dipolos permanentes. El dipolo en una
molcula existe debido a la asimetra en la distribucin de su densidad
electrnica.
PROBLEMA EN LA SELECCIN DE MATERIALES Y DISEO
4.- El silicio es ampliamente empleado en la manufactura de dispositivos
para circuitos integrados para transistores y diodos emisores de luz. A
menudo es preciso aplicar una delgada capa de xido (SiO 2) en las obleas
de silicio.
a) Qu diferencias existen entre las propiedades del sustrato de silicio y de
la capa de xido?
El silicio Si ultra-puro es de caracterstica cristalina, el nivel de impurezas es
de fracciones de partes por milln, casi no conduce en modo cristalino, se
usa como sustrato y para modificar su conductividad se "contamina" con
elementos que tiene deficiencia electrones como el boro o exceso de
electrones como el fsforo, creando los materiales tipo "p" o tipo "n", que
dan diferente caracterstica conductiva al silicio. Para aislar estos materiales
dentro de la misma oblea de silicio se utiliza el dixido de silicio al aplicar
oxgeno al calentar el silicio, el dixido de silicio es un aislante elctrico (de
10e14 a 10e16 ohms-cm @25 C)
b) Disee un proceso que sintetice la capa de xido sobre la oblea de silicio.
En el silicio se hace crecer una capa de xido (SiO2). Los elementos se
contactan con dos terminales metlicas llamadas sustrato y compuerta. La
estructura se compara con un condensador de placas paralelas, en donde se
reemplaza una de las placas por el silicio semiconductor del sustrato, y la
otra por un metal, aunque en la prctica se usa polisilicio, es decir, un
policristal de silicio.
c) Disee un proceso que forme la capa de xido solamente en ciertas reas
deseadas.

Un caso especial de capa depositada la constituye el crecimiento epitaxial.

Consiste en depositar una capa de silicio sobre un sustrato de silicio, si la
temperatura es superior a 1100C, los tomos que se depositan sobre el
silicio continan la estructura cristalina del sustrato. Si durante el
crecimiento epitaxial tambin se depositan tomos dopantes, la capa
crecida de silicio tendr un dopado controlado.

3.49. Un plano cbico tiene las siguientes

intersecciones axiales:
Cules son los ndices de Miller de este plano?
Dado el intercepto axial de (1/3,-2/3,1/2), los interceptos recprocos son:

Multiplicando por 2 para despejar la fraccin, los ndices

son

de

Miller