INSTITUTO TECNOLGICO DE

OAXACA

INGENIERA ELECTRNICA

PRCTICA 1

CONFIGURACIN POR DIVISION DE VOLTAJE

AUTOR:

PORRAS MATIAS CHEYENE

SELENA
ZURITA GARCA ERIC
OSWALDO

ING. CSAR HERNNDEZ

FECHA: 18/SEPTIMBRE/2016

INDICE
INTRODUCCIN................................................................................................... 3
OBJETIVOS........................................................................................................... 4
Objetivo general.............................................................................................. 4
Objetivos especficos....................................................................................... 4
MARCO TERICO................................................................................................. 6
DIVISOR DE VOLTAJE........................................................................................ 6
Practica de simulacin..................................................................................... 11
CIRCUITO FISICO............................................................................................... 14

INTRODUCCIN
Por medio de la realizacin de esta prctica se espera apreciar y
analizar el comportamiento de un transistor con la configuracin por
divisin de voltaje y el circuito equivalente RE como se ha visto
anteriormente en la clase.
Se realizar una simulacin en el programa multisim y posteriormente el
circuito fsico. El problema a realizar se retomara del ya mostrado en el
libro, por tanto nuestra finalidad es obtener resultados similares, puede
variar de acuerdo a los valores de los materiales.

OBJETIVOS
Objetivo general
Obtener los resultados que presenta el libro
propuesto en el anlisis de divisor de voltaje.

de acuerdo al comportamiento

Objetivos especficos
1. Mediante el software de simulacin, llevar a cabo el circuito propuesto y
simular sta misma obteniendo los valores presentados.
2. Obtener las curvas (grficas) de los valores importantes mencionados en el
ejercicio del libro.
3. Observar la respuesta y comportamiento tanto del circuito completo como
cada arreglo que lo conforma.

MARCO TERICO

La polarizacin del bjt se realiza mediante tensin continua y consiste en

preparar el transistor para que trabaje en la regin activa dentro de un
circuito en el cual se le quiere utilizar, se busca que a travs del
colector circule una cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una
tensin entre el colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente
IC, a esto se le llama obtener el punto de operacin o punto Q del
transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la base IB que
exista en la malla de entrada, esto porque IC=*IB, la VCE depender de
la malla de salida del circuito, para ver esto ser de utilidad uso de las
curvas caractersticas y la ecuacin de recta de carga.

DIVISOR DE VOLTAJE
Este tipo de polarizacin es la ms estable en comparacin con las
otras configuraciones, Con este tipo de polarizacin la estabilidad del
punto Q es mucho mejor esto es porque cuando el circuito est bien
diseado este casi no se ve afectado por el cambio en el valor de , pero
para que eso ocurra se tiene que cumplir la siguiente condicin:

*RE 10*R2

Es decir a medida que el transistor este trabajando, los valores de ICQ,

VCEQ se mantendrn casi inalterables. Es por esta razn que este tipo
de polarizacin es la ms utilizada cuando se trata de disear un
amplificador.

Las condiciones de polarizacin las fijaremos de la siguiente manera:

Al hacer esto, estamos ubicando el punto Q en la mitad de la recta de

carga, lo cual nos permite obtener mxima excursin simtrica en la
salida (esto es adecuado en amplificadores de clase A).

Clculo de Resistencias.
Para calcular los valores de las resistencias de polarizacin haremos uso
de algunos criterios de diseo, tales como:

Hallando RE y RC.

Para hallar el valor de RE, hacemos uso del primer criterio de diseo.

Para hallar RC, hallamos la ecuacin de la recta de carga en la malla de

salida y luego reemplazamos el valor de RE, consideramos adems las
condiciones iniciales (punto Q).

Hallando R1 y R2.
Para hallar el valor de R2, haremos uso de la ley de OHM y las leyes de
Kirchhoff, aplicados a la base del transistor.

Para hallar R1, haremos uso del segundo criterio de diseo, junto con la
ley de ohm y las leyes de Kirchhoff.

Practica de simulacin
En el programa multisim fue hecha la simulacin presentada en el ejercicio del
libro quedado de la siguiente manera.

Algunos valores de los dispositivos pueden varias con el presentador por el

libro. Se ha cambiado igualmente la frecuencia del generador de seales y el
voltaje por motivos de anlisis.
LA FUENTE DE VOLTAJE ALTERNO TIENE LAS SIGUIENTES CONFIGURACIONES:

FRECUENCIA = 10 KHZ
Vrms=0.001 Volts
ANGULO DE FASE = 0

En seguida con un osciloscopio se la mide la seal de entrada de

la onda

Despus se presenta la seal de salida en la cual se pueden apreciar

la amplificacin obtenida

.
Como se aprecia a continuacin en la figura, la entrada es de
12mV
y la ganancia que obtuvimos fue de
2.137V
. Con lo
cual se deduce que el circuito ha sido simulado de manera
correcta por lo que es momento de pasarlo al circuito fsico.
Tambin con multmetros se midi la entrada y la salida para
comparar la ganancia con la que presenta el libro y nuestros
datos obtenidos fueron los siguientes:

CIRCUITO FISICO

Presentacin del circuito en la protoboard con la seal

conectada y la fuente de 22 V.

Ocupamos una fuente de corriente

conectamos al circuito 22 volts.

directa

regulable

Estos datos mostrados en la figura son los que utilizamos para

realizar nuestro anlisis con el osciloscopio. La frecuencia fue
aumentada al igual que el voltaje debido a que se percibe una
onda muy pequea en el osciloscopio.

Una vez motado el circuito en la protoboard comenzamos a

medir la ganancia, el cmportamiento de las seales.

En la figura de arriba se muestran los datos obtenidos del

circuito, el canal 1 es la entrada (seal presentada en color
amarillo) y la ganancia en el canal 2 (presentada con el color
azul).

Conclusion
Con la practica hecha en circuito fisico y simulada en el
software nos pudimos dar cuenta o comprobar que con este
tipo de polarizacin la estabilidad del punto Q es mucho
mejor, es decir a medida que el transistor este trabajando,
los valores de ICQ, VCEQ se mantendran casi inalterables.
Es por esta razn que este tipo de polarizacin es la mas
utilizada cuando se trata de disear un amplificador.