MAGNETORRESISTENCIAS

EFECTO MAGNETO RESISTIVO

Es la propiedad que posee un material para cambiar
su resistencia elctrica cuando se le aplica un campo
magntico externo

MAGNETORRESISTENCIAS
Son conocidas tambin por su acrnimo MRS (Magneto
Resistive Sensors).
Estn constituidas por una pelcula delgada de una
aleacin metlica ferromagntica, depositada sobre una
oblea de silicio y modelada como una banda de
resistencia.
Una de las aleaciones ms utilizadas es la de Niquel
Hierro denominada Permalloy la cual constituye de un
20 % de Fe y un 80 % de Ni.
su resistencia vara entre un 2 % y un 5 % al aplicarle un
campo magntico.

TIPOS DE MAGNETORRESISTENCIAS

MAGNETORRESISTENCIA ANISTROPA (AMR)

Se debe a la interaccin Spin Orbita, siendo esta la
responsable de que la corriente elctrica dependa de
la orientacin relativa entre el campo magntico y la
corriente elctrica
La razn de dicha anisotropa se debe a que los
orbitales electrnicos alrededor de cada ncleo se
deforman ligeramente dependiendo de la direccin
del campo magntico, deformacin que da lugar a un
cambio en la probabilidad de dispersin de los
electrones de conduccin cuando circulan por el
material

MAGNETORRESISTENCIA ANISTROPA

 Una corriente de circulacin paralela al campo

implica una mayor resistencia (la resistencia
incrementa con el campo magntico). ya que la
probabilidad de colisin es mayor.
Una corriente de circulacin perpendicular al campo
conlleva una menor resistencia (la resistencia
disminuye con el campo magntico) ya que la
probabilidad de colisin es menor.

La diferencia de resistencia entre ambos estados se

conoce como: MAGNETORRESISTENCIA
ANISTROPA.

MAGNETORRESISTORES GIGANTES (GMR)

(GIANT MAGNETO RESISTANCE)
Fue descubierto en multicapas metlicas Fe/Cr
compuestas por capas alternas de metal
ferromagntico (Fe)/metal no magntico (Cr).
Ambos observaron una disminucin brusca de la
resistencia elctrica del material cuando la
configuracin de la magnetizacin (M)entre capas
magnticas adyacentes cambio de anti
ferromagntica (AF) a ferromagntica (F) tras la
aplicacin de una campo magntico.

 Un sistema simple en el que se puede observar el

efecto GMR puede ser el siguiente: cuando una
lmina de una material no magntico se introduce
entre dos lminas de material magntico formando
una estructura.

MECANISMO DE LA GMR
La resistividad de metales ferromagnticos se puede
describir en trminos de dos canales de conduccin
independientes y correspondientes a los electrones
con spn up y spn down.
La velocidad de dispersin de los electrones con spn
up () y con spn down () son bastante diferentes ,
ya que las resistividades () tambin lo son:
<
siendo los principales responsables de la conduccin
los electrones

con spn up.

Los electrones con spn anti paralelo a la direccin de
magnetizacin del elemento magntico sern
dispersados, mientras los que presentan una
alineacin paralela no experimentaran dispersin.
Se crean dos estados: una de alta resistencia y otra
de baja resistencias

CABEZAS LECTORAS AMR Y GMR

CABEZAS LECTORAS AMR : El material
ferromagntico responde cambiando su resistencia
ante la magnetizacin del material de escritura
(disco duro).
CABEZAS LECTORAS GMR : Incorporan materiales
multicapa en la cabeza . La respuesta ante la
magnetizacin incorpora menor error y por tanto se
pueden almacenar mayor densidad de datos.

APLICACIONES
Las aplicaciones se pueden dividir en dos grupos:
Medidas directas de campos magnticos:
* Registro magntico de audio
* Lectoras de tarjetas magnticas
* Resonancia magntica

 Medidas de otras magnitudes a travs de las

variaciones del campo magntico:
* Medida de desplazamiento y velocidad
* Detectores de proximidad
* Medida de posiciones y la medida de
niveles con
Flotador.
Los sensores magnetorresistivos se caracterizan
por:
Alta sensibilidad en la deteccin de los campos
magnticos.
Amplio rango de temperatura.
Gran estabilidad y margen de variacin o desviacin
(offset) reducido.
Baja sensibilidad a la tensin mecnica.

Para materiales distintos a los ferromagnticos

estudiados, la variacin de la resistencia puede ser
mucho mayor. En algunos semiconductores la
expresin para la magnetorresistencia se reduce a:
Donde :
magntico

= resistencia sin presencia del campo

= movilidad electrnica en el medio

El Indio-Antimonio posee una
.