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ACREDITACIN SATCA1
Pg.
Datos de la asignatura
Contenido completo de la materia... .
Titulares de la Materia
Listado de Catedrticos que imparten la materia..
Temario
Unidad 1: Amplificadores multietapa.
1.1.
1.2.
1.3.
JFET..
Anlisis de la polarizacin del
JFET
1.2.3.
Ejemplos de Polarizacin del JFET..
1.2.4.
Modelo de seal del JFET.
1.2.5
Amplificador en fuente comn..
Anlisis de circuitos mixtos (BJT y JFET)
1.3.1.
Tipos de acoplamiento..
1.3.2.
Acoplamiento directo
1.3.3.
Acoplamiento capacitivo...
17
21
21
21
23
24
25
27
29
30
32
38
41
42
44
44
45
46
49
Darlington.
2.1.1.
Caractersticas...
2.1.2.
Desventajas
2.1.3.
Darlington Complementario..
2.1.4.
Configuracin Darlington en Colector Comn.
Pgina 1
49
49
49
50
50
2.2.
2.3.
2.4.
2.5
2.6
51
52
52
53
54
55
56
56
56
57
58
59
59
60
61
61
62
63
63
64
65
65
67
Respuesta
en
baja
alta
frecuencia
del
amplificador
BJT. 67
.
3.1.1.
Respuesta en Frecuencia de un Amplificador. 67
3.1.2.
Respuesta de un amplificador de alterna. 67
3.1.2.1. Frecuencias
de
corte. 68
3.1.2.2.
..
Banda
3.1.2.3
Fuera
de
las
frecuencias
medias. 69
3.1.3.
Respuesta
..
de
un
amplificador
3.1.4.
Ganancia
de
tensin
Pgina 2
media. 69
de
en
continua. 71
decibelios. 72
3.1.5.
Diagrama
de
Bode. 74
.
3.1.5.1 Octavas.
75
3.1.5.2.
Dcadas.
75
3.1.5.3.
...
Circuito
RC
de 76
3.1.5.4.
desacoplo.
Condensador
de
acoplo
a
la 77
3.1.5.5.
Entrada.
Condensador
de
acoplo
3.1.5.6.
..
Condensador
de
la
salida. 77
desacoplo
de 78
emisor...
3.1.6.
Teorema
de 80
Miller..
3.1.6.1. Condensador
de
realimentacin. 80
3.2.
Respuesta
3.1.6.2.
..
Conversin del condensador
3.1.6.3.
..
Circuito
de
3.1.6.4.
Circuito
de
desacoplo
en
.
baja y alta frecuencia del
desacoplo
de
de
realimentacin. 80
colector.
de
la
amplificador
... 81
base. 82
JFET. 83
3.2.1.
Formulas.
84
Pgina 3
85
85
85
86
87
87
4.2.3
Topologa Serie-Serie
4.2.4
Topologa Paralelo-Paralelo.
4.3. Efectos de la retroalimentacin.
4.4
Tipos de retroalimentacin
4.4.1
Retroalimentacin Negativa.
4.4.2
Retroalimentacin Positiva
4.5. Respuesta en frecuencia. ...
4.6. Ejemplo de Amplificador Retroalimentado...
Unidad 5: Amplificadores de potencia. .
5.1
Conceptos bsicos y aplicacin.
5.1.1.
Clasificacin de los amplificadores de potencia...
5.1.2.
Relaciones bsicas en los amplificadores de potencia..
5.1.3.
El amplificador clase A. ..
5.2. Anlisis
de
expresiones
de
potencia
y
eficiencia.
5.2.1.
Anlisis
del
5.2.2.
5.3
5.4
5.5
amplificador
Clase
A. 104
Anlisis
del
amplificador
Clase
B. 105
.
Anlisis de efecto trmico y distorsin.
5.3.1.
Anlisis trmico. ..
5.3.2.
Distorsin.
5.3.3.
5.3.4.
5.3.5.
5.3.6.
88
88
89
89
89
89
90
91
95
95
95
96
98
100
109
109
111
..
Distorsiones medibles 113
Distorsiones temporales. TIM (SID). .
115
Distorsiones trmicas. . 116
117
Mecanismos
de
audicin.
..
5.3.7.
Efectos de la distorsin: tipos de componente.. 117
Anlisis
y
diseo
de
amplificadores
de
potencia. 118
Pgina 4
Practicas
1
2
3
4
Amplificador multietapa
Amplificadores en cascada.
Amplificador sintonizado...
Amplificador
Diferencial
espejo
de
corriente
.
Respuesta
a
la
BJT.
Respuesta
a
la
frecuencia
en
..
Respuesta
a
la
frecuencia
en
alta 156
BJT..
Respuesta
a
la
frecuencia
en
alta
JFET 162
Amplificadores
retroalimentados 168
10
.
Amplificadores
de
potencia
11
12
.
Amplificador con preamplificador 178
Proyecto Final 182
frecuencia
121
126
134
141
en
baja 147
baja
JFET 152
puch-pull 173
186
Primer Examen...
Segundo Examen...
Pgina 5
187
192
Pgina 6
2.- PRESENTACIN
Caracterizacin de la asignatura.
Esta asignatura corresponde al bloque de diseo de ingeniera, es una materia fundamental
para la formacin integral de los estudiantes dado que propicia el uso de: equipo de
mediciones elctricas, manuales de fabricantes de dispositivos electrnicos, y software de
diseo, comprende la solucin problemas complejos, desarrolla habilidades de:
pensamiento lgico, creativo, y actitud para trabajar en equipo; aplica las tecnologas de la
informacin y de la comunicacin para la adquisicin y procesamiento de informacin de
manera natural, permanente y eficiente.
Aporta al perfil del ingeniero en electrnica los conocimientos, las habilidades y las
actitudes para disear, simular, construir y analizar la respuesta en el dominio de la
frecuencia de circuitos electrnicos analgicos basados en amplificadores con transistores
bipolares y unipolares; en baja, media y alta frecuencia, en lazo abierto, lazo cerrado, y
amplificadores de potencia, utilizando herramientas computacionales y equipo de
laboratorio de mediciones elctricas.
La materia de diseo con transistores, desarrolla la habilidad para identificar problemas y
realizar proyectos para su posible solucin.
Contribuye a desarrollar la habilidad para comunicarse con efectividad en forma oral y
escrita as como participar en equipos de trabajo interdisciplinario.
Diseo con Transistores
Pgina 7
Est estructurada de tal manera que se aplican las teoras de anlisis de circuitos elctricos,
las caractersticas elctricas de las diferentes configuraciones de los transistores BJT y
JFET, y de los diferentes circuitos de polarizacin, el modelo del cuadripolo equivalente
para baja, media y alta frecuencia, los conocimientos y la comprensin del
comportamiento a frecuencia media de circuitos amplificadores de pequea seal. El
anlisis de circuitos electrnicos utilizando software de simulacin. El criterio de
estabilidad de Bode para analizar la respuesta de un sistema en el dominio de la frecuencia.
El manejo de equipo de mediciones elctricas como osciloscopio, multmetro, generador
de seales.
En la primera unidad se disean y analizan circuitos amplificadores de varias etapas, para
conocer y comprender su comportamiento a pequea seal y frecuencia media.
En la segunda unidad se analiza la operacin y se determina la ganancia de amplificadores
en arreglos especiales as mismo se identifica su aplicacin.
En la tercera unidad se analiza la respuesta en frecuencia de los amplificadores
transistorizados.
En la cuarta unidad se estudian los efectos del fenmeno de retroalimentacin en los
circuitos amplificadores, en baja y alta frecuencia.
Finalmente, en la quinta unidad se analizan y disean amplificadores de potencia basados
en dispositivos discretos.
Intencin didctica.
El estudiante a travs del conocimiento y comprensin de los conceptos ms relevantes del
comportamiento de los diferentes tipos de amplificadores basados en transistores de unin
y de efecto de campo analiza circuitos electrnicos para la resolucin de problemas de
manera grupal e individual, el desarrollo de proyectos, y su exposicin en plenaria ante el
grupo, la simulacin de los circuitos utilizando herramientas computacionales, y trabajo en
equipo para la realizacin de prcticas en el laboratorio de electrnica para su
comprobacin a travs de equipo de medicin.
Diseo con Transistores
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Competencias genricas:
Competencias instrumentales
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Competencias interpersonales
Competencias sistmicas
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Irapuato, La Laguna, Lzaro Crdenas, Lerdo, Lerma, Los Mochis, Matamoros, Mrida,
Mexicali, Minatitln, Nuevo Laredo, Orizaba, Piedras Negras, Reynosa, Salina Cruz,
Saltillo, Sur De Guanajuato, Tantoyuca, Tijuana, Toluca, Tuxtepec, Veracruz y Xalapa
Evento
Reunin Nacional de Diseo e Innovacin Curricular para el Desarrollo y Formacin de
Competencias Profesionales de la Carrera de Ingeniera en Electrnica.
Lugar y fecha de elaboracin o revisin
Desarrollo de Programas en Competencias Profesionales por los Institutos Tecnolgicos
del 1 de septiembre al 15 de diciembre.
Participantes
Academias de Ingeniera Electrnica de los Institutos Tecnolgicos de:
Chihuahua, Minatitln, Tantoyuca, Hermosillo, Mexicali, Xalapa, Orizaba
Evento
Elaboracin del programa de Estudio propuesto en la Reunin Nacional de Diseo
Curricular de la Carrera de Ingeniera Electrnica.
Lugar y fecha de elaboracin o revisin
Reunin Nacional de Consolidacin del Diseo e Innovacin Curricular para la Formacin
y Desarrollo de Competencias Profesionales del 25 al 29 de enero del 2010 en el Instituto
Tecnolgico de Mexicali.
Participantes
Representantes de los Institutos Tecnolgicos de:
Aguascalientes, Apizaco, Cajeme, Celaya, Chapala, Chihuahua, Ciudad Guzmn, Ciudad
Jurez, Cosamaloapan, Cuautla, Durango, Ecatepec, Ensenada, Hermosillo, Irapuato, La
Laguna, Lzaro Crdenas, Lerdo, Lerma, Los Mochis, Matamoros, Mrida, Mexicali,
Minatitln, Nuevo Laredo, Orizaba, Piedras Negras, Reynosa, Salina Cruz, Saltillo, Sur De
Guanajuato, Tantoyuca, Toluca, Tuxtepec, Veracruz y Xalapa.
Diseo con Transistores
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Evento
Reunin Nacional de Consolidacin de los Programas en Competencias Profesionales de la
Carrera de Ingeniera Electrnica.
7.- TEMARIO
1. Amplificadores multietapa.
Diseo con Transistores
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Pgina 13
fuentes.
Propiciar el uso de las tecnologas de informacin y comunicacin en el desarrollo
estudiantes.
Propiciar, en el estudiante, el desarrollo de actividades intelectuales de induccindeduccin y anlisis-sntesis, las cuales lo encaminan hacia la investigacin, la
como con las prcticas de una ingeniera bajo las premisas de la sustentabilidad.
Observar y analizar fenmenos y problemticas propias del campo ocupacional.
Relacionar los contenidos de esta asignatura con las dems del plan de estudios
para desarrollar una visin interdisciplinaria en el estudiante.
Participacin en clases.
Cumplimiento de tareas y ejercicios.
Exposicin de temas.
Asistencia.
Participacin en grupos de discusin.
Participacin en congresos o concursos.
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Solucin de problemas.
equipo, comparar los resultados de stos con un amplificador de una sola etapa.
Analizar un amplificador multietapa con acoplamiento directo.
Utilizar herramientas computacionales para simular el comportamiento de circuitos.
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en arreglos especiales.
Analizar la informacin en grupos pequeos y presentar los resultados del anlisis
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banda de un amplificador
Analizar y descomponer el problema en partes e Identificar los conocimientos y
herramientas computacionales.
Construir amplificadores, utilizando transistores bipolares y unipolares para
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retroalimentacin.
Hacer una comparacin de los parmetros del amplificador con y sin
retroalimentacin.
Analizar problemas resueltos en la bibliografa recomendada.
Verificar en el laboratorio que el comportamiento del circuito sea de acuerdo al
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amplificadores de potencia.
Calcular la eficiencia de un circuito y describir los efectos de la temperatura en su
comportamiento.
Identificar y seleccionar la clase del amplificador para su aplicacin especfica.
Verificar en el laboratorio que el comportamiento del circuito sea de acuerdo al
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Amplificador multietapa
Amplificadores en cascada
Amplificador sintonizado
Amplificador Diferencial espejo de corriente
Respuesta a la frecuencia en baja BJT
Respuesta a la frecuencia en baja JFET
Respuesta a la frecuencia en alta BJT
Respuesta a la frecuencia en alta JFET
Amplificadores retroalimentados
Amplificadores de potencia puch-pull
Puch-pull con preamplificador
TITULAR DE LA
MATERIA
Pgina 20
ING. ALEJANDRO
VILLEGAS GONZLEZ
Pgina 21
Pgina 22
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Pgina 24
Si por el contrario, al circuito de la figura 1.1 le aplicamos las condiciones para obtener el
circuito equivalente de alterna, es decir, suponemos que los condensadores se comportan
como cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos las fuentes de tensin de continua, el
circuito que obtendramos es el mostrado en la figura 1.4.
1.1.3. Nomenclatura.
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Pgina 26
Nos queda:
si suponemos que
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Como ya se ha mencionado anteriormente, esta recta representa todos los posibles puntos
de funcionamiento que podr tener el transistor con esa malla de salida. El punto de
funcionamiento Q se fijar mediante el circuito de polarizacin de entrada fijando la I B
correspondiente.
f ( V CE ,i C ) =0
alterna
Diseo con Transistores
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Tenemos la ecuacin de una recta que pasa por el punto de funcionamiento (punto Q) y
cuya pendiente es el inverso del paralelo de RC y RL.
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La Recta de Carga Dinmica siempre tiene ms pendiente que la Recta de Carga Esttica.
nicamente en el caso de un circuito en el que
R E=0
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La cual representa una recta cuya pendiente es el negativo del reciproco del Resistor de
fuente RS . La interseccin de esta recta con la curva de transconductancia que representa
la ecuacin de Shockley
Determina el punto de operacin esttico en que trabaja el JFET como lo muestra la Figura
1.13.
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representa la curva de transconductancia del JFET abre hacia los dos lados del vrtice
VGSOFF siendo la primer rama la que resuelve el funcionamiento del dispositivo.
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margen de error es menor para la polarizacin por divisor de tensin que para la auto
polarizacin.
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Figura Margen de error de estabilidad de IDQ para la polarizacin por divisor de voltaje y la
auto polarizacin.
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Solucin:
Al igualar la ecuacin del circuito compuerta fuente con la ecuacin de Shockley resulta
Ejemplo 2.- (Diseo) Calcule para una auto polarizacin fija, el valor de RS y RD de
manera que IDQ = 2mA y VDSQ = 5V si se sabe que IDSS = 3.5mA , VDSS = 2.5V y VDD = 9V
Diseo con Transistores
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Ejemplo 1.- (Anlisis) Determine el punto de operacin para una auto polarizacin por
divisor de tensin en la que se presentan las siguientes condiciones:
Al igualar la ecuacin del circuito compuerta fuente con la ecuacin de Shockley resulta
Diseo con Transistores
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Por lo cual
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As
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Entonces
De esta forma se determinan VCEQ1 y VCEQ2. Note que al hacer anlisis en cc, los
efectos de la polarizacin de una etapa afectan a la otra.
Por otro lado, realizando el anlisis en ca se tiene
El efecto de los elementos de la primera y segunda etapa est presentes en la ganancia del
sistema.
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Considere amplificador emisor comn (sin CE), de dos etapas de la Fig. 1.25. Donde
R1 = 3 [K], R2 = 1 [K ], RE = 820 , RC = 2 [K ] ; VCC = 10 [V ] : Por otro lado,
hfe = 100, hie pequeo.
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En ca alterna analizando cada etapa por separado se tiene, para la etapa 1 se determina la
ganancia de voltaje. Planteando las ecuaciones en el circuito de la Fig. 1.25.
Conclusiones:
Los circuitos multietapa son sistemas construidos a partir de varios transistores, estos
pueden estar acoplados entre s, ya sea en forma directa o a travs de un capacitor.
Cuando las etapas son acopladas por capacitor se habla de circuitos de ca, si son acopladas
en forma directa se habla de circuitos en cc y ca. Las configuraciones multietapa
clsicas, el par Darlington, el amplificador diferencial y el casco de, presentan
caractersticas propias, alta impedancia de entrada e incremento de la corriente, alto
RRMC y alta impedancia de salida respectivamente, las cuales pueden ser mejoradas
combinando dichos circuitos con otros elementos, ya sea para su polarizacin (fuentes de
corriente activas) o como carga. La tecnologa BiCMOS aprovecha lo mejor de ambas
familias de transistores, de tal forma de incrementar las prestaciones, en Rin, Av y Rout.
Diseo con Transistores
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Pgina 51
2.1.1 Caractersticas:
1. Alta ganancia de corriente (t).
2. Alta impedancia de entrada (Zin).
3. Al estar integrados en el mismo encapsulado requieren menos espacio que los otros
diseos en la misma configuracin.
2.1.2 Desventajas:
1. La tensin de base-emisor ahora es el doble de un solo transistor, es decir, para un
transistor de silicio, su voltaje de base emisor es de 0.7v, para el Darlington es el
doble de ese voltaje, en otras palabras, VBE= 2*0.7v= 1.4v.
Pgina 52
complementario a menudo es usado en una etapa especial conocida como etapa de salida
cuasi-complementaria.
En la figura 2.2 se puede observar el diagrama de la conexin de Darlington
complementario.
Pgina 53
(2.1)
(2.6)
(2.2)
(2.7)
(2.3)
(2.8)
(2.4)
(2.5)
Pgina 54
Pgina 55
(2.11)
.. (2.12)
Pgina 56
Diferencial
En el caso de la figura 2.5, se puede observar que contiene una resistencia de base RB, solo
se tiene que incluir en el anlisis de CD de la siguiente manera:
(2.13)
Pero:
Y:
entonces:
.. (2.14)
Lo ideal es que el voltaje entre colectores de los transistores debera ser cero (0), pero
debido a que los componentes introducen un margen de error ya que es muy difcil hacer
coincidir las caractersticas de ambos transistores, es de esperar que el voltaje entre
colectores para CD pueda variar entre 0V y 1.1V; arriba de este valor ya se considera una
mal configuracin.
2.2.3 Causas por las que el Voltaje de salida entre colectores no sea cero (0)
Pgina 57
1.
(2.15)
2. Corriente de Offset de entrada: Se define como la diferencia de las corrientes
continas de base.
(2.16)
Igualmente estas corrientes generan un voltaje de error:
. (2.17)
.. (2.18)
Pgina 58
... (2.19)
Pgina 59
. (2.20)
(2.21)
.. (2.22)
Pgina 60
.. (2.23)
Pgina 61
Pgina 62
2.4.1 Ventajas: La idea de colocar un transistor como fuente de corriente es obtener una
alta impedancia de entrada (Zin), y a su vez evitar el ruido.
Pgina 63
2.5 Carga Activa: Al igual que las configuraciones vistas en el punto 2.3 y 2.4, la carga
activa es una modificacin mas para los amplificadores deferenciales, con el nico fin de
mejorar su funcionamiento. La carga activa se refiere a una carga manejada por el
transistor. En la figura 2.11 se observa el diagrama de un amplificador diferencial con
carga activa.
Q6
Pgina 64
Pgina 65
2.6.1 Circuito Equivalente para C.D: En la figura 2.13 se puede observar el circuito
equivalente para corriente directa. Obsrvese que en CD el capacitor se comporta como un
circuito abierto, mientras que la bobina se comporta como un cortocircuito de resistencia
(RS) baja.
.. (2.24)
Pero debido a que la RS es muy pequea la ecuacin quedara solo VCC=VCE
Diseo con Transistores
Pgina 66
.. (2.25)
Como la resistencia es muy baja, se genera un corriente que tiende a infinito. En la grafica
2.1 se puede observar como quedara la recta de carga para C.D:
Pgina 67
. (2.26)
El VCE=VCC. Por lo tanto la recta de carga para C.A quedara de la forma en la que muestra
la grafica 2.2:
.. (2.27)
Diseo con Transistores
Pgina 68
<180
Grafica 2.4 Seal de Entrada en la Base del Amplificador Sintonizado
Pgina 69
contrario, el circuito tanque presenta una impedancia (Z) baja, para los armnicos de orden
superior produciendo una ganancia de tensin muy pequea.
. (2.28)
.............. (2.29)
2.6.5 Ancho de Banda (Bw): Es la longitud, medida en hertz (Hz), del rango de
frecuencias en el que se concentra la mayor parte de la potencia de la seal.
(2.30)
.. (2.31)
Pgina 70
.. (2.32)
Para calcular el factor de calidad para una bobina (QL):
.................. (2.33)
La reactancia inductiva (XL), se calcula de la siguiente manera:
................... (2.34)
Los amplificadores clase C, tienen un factor de calidad Q<10, esto significa que el ancho
de banda es menor que el 10% de la frecuencia de resonancia. En consecuencia, los
amplificadores clase C son amplificadores de banda estrecha.
La salida de un amplificador clase C, es una tensin senoidal grande a la frecuencia de
resonancia, con un decrecimiento rpido en las frecuencias por encima y por debajo de
dicha frecuencia de resonancia.
Pgina 71
Figura 3.1
3.1.2. Respuesta de un amplificador de alterna
Pgina 72
Pgina 73
2.-
Las
capacidades
parasitas
de
las
Frecuencias de corte
Las frecuencias a las que la ganancia de tensin es igual a 0,707 de su valor mximo se
denominan frecuencias de corte.
En la Figura, es la f1 frecuencia de corte
inferior y f2, es la frecuencia de corte superior.
Pgina 74
3.1.2.2.
Banda media
Aunque un amplificador funciona normalmente en las frecuencias medias, hay veces en las
que se desea saber la ganancia de tensin fuera de esta banda. Esta es una aproximacin
para calcular la ganancia de tensin de un amplificador:
(3.1)
Dados Amed, f1, y f2, se desea calcular la ganancia de tensin a cualquier frecuencia f. Esta
ecuacin supone que un condensador dominante est produciendo la frecuencia de corte
inferior y otro produce la frecuencia de corte superior. Un condensador dominante es aquel
que es ms importante que los otros para determinar la frecuencia de corte. Slo hay que
analizar tres zonas de frecuencia: las frecuencias medias, las frecuencias inferiores y las
frecuencias superiores.
En las frecuencias medias, f1/f 0 y f/f2 0. Por tanto, ambos radicales en la Ecuacin
anterior son aproximadamente igual a 1, y la Ecuacin se simplifica a:
Banda media: A = Amed
Diseo con Transistores
Pgina 75
Por debajo de las frecuencias medias f/f2 0. Como resultado, el segundo radical es igual a
1 y queda de la siguiente forma:
Por debajo de las frecuencias medias:
(3.2)
Por encima de las frecuencias medias f1/f 0. Por consiguiente, el primer radical es igual a
1 y se simplifica como sigue:
Por encima de las frecuencias medias:
(3.3)
3.1.3.
Pgina 76
Un diseador puede usar acoplamiento directo entre las etapas de un amplificador. Esto
permite al circuito amplificar todas las frecuencias hacia la frecuencia de cero hercios (0
Hz). Este tipo de amplificadores se denomina amplificador de continua.
La
Figura
representa
la
respuesta
en
caractersticas
importantes
de
un
Ejemplo:
(3.4)
Pgina 77
(3.5)
La ganancia de tensin en decibelios se define como:
(3.6)
Si un amplificador tiene una ganancia de tensin de 100.000, obtiene, una ganancia de
tensin en decibelios de:
Etapas en Cascada
En la figura se muestra dos etapas de
ganancia de tensin, la ganancia de tensin
total del amplificador de dos etapas es
idealmente el producto de las ganancias
individuales de tensin:
A= A 1 A2
(3.7)
(3.8)
Pgina 78
Ejemplos:
Cul es la ganancia total de tensin de la figura en decibelios?
A db=20 log20000=86db
Pgina 79
caracterizar
en frecuencia de
Normalmente
grficas
la
respuesta
un
sistema.
consta
separadas,
de
dos
una
que
funcin
otra
que
Pgina 80
en radianes. Permite evaluar el desplazamiento en fase de una seal a la salida del sistema
respecto a la entrada para una frecuencia determinada.
La respuesta en amplitud y en fase de los diagramas de Bode no pueden por lo general
cambiarse de forma independiente: cambiar la ganancia implica cambiar tambin desfase y
viceversa. En sistemas de fase mnima (aquellos que tanto su sistema inverso como ellos
mismos son causales y estables) se puede obtener uno a partir del otro mediante
la transformada de Hilbert.
Si la funcin de transferencia es una funcin racional, entonces el diagrama de Bode se
puede aproximar con segmentos rectilneos. Estas representaciones asintticas son tiles
porque se pueden dibujar a mano siguiendo una serie de sencillas reglas (y en algunos
casos se pueden predecir incluso sin dibujar la grfica).
3.1.5.1.
Octavas
f 1/ f
f 1/ f
f 2 /f
. Por ejemplo, si
f1
= 100 Hz y
f = 50 Hz, el
es:
f 1 100 Hz
=
=2
f
50 Hz
Se puede describir esta relacin diciendo que esta una octava por debajo de
Otro ejemplo, suponga que
= 400 kHz y
f2
Pgina 81
f1
f 2 400 KHz
=
=2
f 200 KHz
Lo que indica que f
3.1.5.2.
f2
Dcadas
f1
f 1 / f y f 2 /f
= 500 Hz y f
, excepto que se
= 50 Hz
f 1 500 Hz
=
=10
f
50 Hz
f2
= 2 MHz y
f 2 2 M Hz
=
=10
f 200 KHz
3.1.5.3.
Circuito RC de desacoplo
Pgina 82
f1.
XC
R +X
2
2
C
V (3.9)
XC
R +X
2
2
C
(3.10)
Como el circuito tiene solo dispositivos pasivos, la ganancia de tensin es siempre menor o
igual a 1.
La frecuencia de corte de una red de retardo de fase se produce donde la ganancia de
tensin es 0,707. La ecuacin para la frecuencia de corte es:
f 2=
1
(3.11)
2 RC
Pgina 83
3.1.5.4.
f 1=
1
2 RC
dnde:
R=R G + R (3.12)
3.1.5.5.
Pgina 84
R=R C + R L (3.13)
3.1.5.6.
f=
Z out = r ' e+
1
(3.14)
2 Z out C
R1 R 2 RG
(3.15)
Ejemplo:
Calcular la frecuencia de corte inferior correspondiente a cada condensador de acoplo y
desacoplo.
Pgina 85
Valores:
= 150
VCC=10V
Ic= 1.1 mA
RG= 600
R1= 2.2K
R2= 10K
RC= 3.6K
RE= 1K
RL= 10K
CIN= .47f
CE= 10f
COUT= 2.2 f
Solucin:
Para el CIN.
Z i=R 2 R1 r ' e
r ' e=
25 mv 25 mv
=
=22.7
Ic
1.1 mA
f 1=
1
1
=
=190 Hz
2 RC 2 ( 1.78 k ) (.47 f )
Para el COUT.
Diseo con Transistores
Pgina 86
1
1
=
=5.32 Hz
2 RC 2 ( 13.6 K ) (2.2 f )
Para el CE.
Z out = [r ' e+
R1 R 2 RG
]
R=1 K 22.7 +
f 3=
10 K 2.2 K 600
=25.1
150
1
1
=
=635 Hz
2 Z out C 2 ( 25.1 ) (10 f )
Condensador de realimentacin.
Pgina 87
Este
condensador
algunas
veces
se
3.1.6.2.
Los valores de
C y C out .
C y C out .
C =C ( A+ 1 ) (3.16)
C out =C
(3.17)
( A+1
A )
Las Ecuaciones (3.16) y (3.17) son vlidas para cualquier amplificador inversor, como el
amplificador en EC, el amplificador en EC con resistencia de emisor sin desacoplar, o un
amplificador operacional inversor. En estas ecuaciones, A es la ganancia de tensin en las
Diseo con Transistores
Pgina 88
C out
es
sorprendente del
C
Es como si
la capacidad de realimentacin hubiese sido amplificada para obtener una nueva capacidad
que es A+ 1 veces mayor. Este fenmeno, conocido como el efecto Miller, tiene
aplicaciones tiles porque crea condensadores artificiales o virtuales que son mucho
mayores que el condensador de realimentacin.
3.1.6.3.
C 'C
C parasita
C 'C
C parasita
Pgina 89
f 1=
1
(3.18)
2 RC
Donde:
R=R C R L
3.1.6.4.
El
transistor
tiene
capacidades internas
C 'e
dos
C 'C
como se representa en
la figura Como
C 'C
es un
C 'e
La frecuencia de corte de
este circuito de desacoplo de base viene dada por la Ecuacin (3.18), donde R es la
Pgina 90
C 'e
y la
Pgina 91
En el capacitor de entrada
f 1=
1
(3.20)
2 RC
R=R G +Z i
Z i=R 1 R2
out
En el capacitor de salida C
f 2=
1
(3.21)
2 RC
R=R c + R L
E
C
En el capacitor de Emisor
f 3=
1
(3.22)
2 RsC
Crss es la retroalimentacin.
Diseo con Transistores
Pgina 92
Crss=cgd (3.25)
Cgd=CissCrss(3.26)
Cds=CossCrss (3.27)
(3.29)
( Av+1
Av )
Pgina 93
4.1.1 Ganancia de Lazo Cerrado: Del anlisis de la figura 4.1 se obtiene las
siguientes relaciones:
1.)
(4.1)
2.)
.. (4.2)
3.)
(4.3)
4.)
.. (4.4)
.. (4.5)
Sustituyendo (4.5) en (4.1):
.. (4.6)
Diseo con Transistores
Pgina 94
.. (4.7)
Finalmente, sustituyendo (4.7) en (4.4):
(4.8)
De la frmula (4.8) se obtiene:
A: Ganancia de la Etapa A
. (4.9)
Pgina 95
Serie-Paralelo
Paralelo-Serie
Serie-Serie
Paralelo-Paralelo
Pgina 96
Pgina 97
4.2.4
Topologa
Paralelo-Paralelo
[Amplificador
de
Transresistencia
Pgina 98
4.4
Tipos
de
Retroalimentacin:
Existen
bsicamente
dos
tipos
de
Pgina 99
Pgina 100
re=100
y una
rf=1K,
circuito seria:
Sin importar cul sea la ganancia de la etapa A (Amplificador multietapa, que se espera
que sea muy alta), la ganancia del amplificador retroalimentado es de 11 con una
estabilidad grande.
La red se calculara de la siguiente manera:
Pgina 101
Descripcin
Frmula
Frmul
a
4.11
4.12
Ganancia de Etapa 2
4.13
Resistencia de Carga
4.14
Resistencia Dinmica
4.15
Ganancia de Etapa 1
Impedancia de Entrada de la
4.16
Etapa 2
4.17
Resistencia de Base
4.18
4.19
Pgina 102
NOTA: Hay que recordar que para que los amplificadores funcionen de manera eficiente
deben presentar 2 caractersticas en especial; alta impedancia de entrada para evitar la
demanda de corriente de la fuente de alterna, y una baja impedancia de salida para evitar
las cadas de tensin internas y as de esta forma aprovechar casi el 100% de la seal de
entrada a la salida.
por la etapa A (
), se logra mantener en
4.8.1 Criterios del Oscilador: Para crear un oscilador exitosamente deber cumplir con
el siguiente criterio:
1.
2. El desfasamiento sea
Si no se logra cumplir con este criterio podra suceder lo siguiente:
1.
Pgina 103
Figura 4.7
2.-
<1
Figura 4.8
>1
Pgina 104
Introduccin:
Un amplificador de potencia convierte la potencia de una fuente de corriente continua
(Polarizacin VCC de un circuito con transistores), usando el control de una seal de
entrada, a potencia de salida en forma de seal. Si sobre la carga se desarrolla una gran
cantidad de potencia, el dispositivo deber manejar una gran excursin en voltaje y
corriente. Los puntos de operacin deben estar en un rea permitida de voltaje y corriente
Diseo con Transistores
Pgina 105
que asegure la mxima disipacin, (SOA, Safe Operating Area). Se deben considerar los
voltajes de ruptura y efectos trmicos permitidos en los dispositivos de estado slido,
considerar la caracterstica no lineales en el funcionamiento y usar los parmetros para
gran seal del dispositivo.
..(5.1)
Pgina 106
(5.6)
Donde, Pdc es la contribucin de la componente continua y Pac es la contribucin de la
componente alterna a la potencia media. Si las componentes de ca son tipo sinusoidal, se
tiene:
.(5.7)
...(5.8)
Reemplazando en la ecuacin (5.6), se tiene:
Diseo con Transistores
Pgina 107
.(5.9)
Como 2 = 22, entonces:
..(5.10)
Cuando la seal de corriente tiene componente continua el valor rms de la forma de onda
est dado por:
..(5.11)
Donde IDC , es la componente continua de la seal, I1rms es el primer armnico de la seal,
Inrms es el n simo armnico de la seal.
Pgina 108
En la Fig. 5.2, se muestra las rectas de carga para dos puntos Q del amplificador, las cuales
se intersectan con la curva PCE. Se observa que IC2 ser la mxima corriente permitida para
iC y VCE1 ser el mximo voltaje permitido para vCE , para el transistor en cuestin. El
ptimo elegido ser el punto de reposo Q1, debido a que IC1 < IC2, lo cual implica una
disminucin en la corriente de colector, lo que trae consigo una disminucin en la
distorsin y una menor corriente de base requerida para obtener IC1.
Para que la realizacin sea factible, VCE1 debe ser menor que VCEO, as se tomar que
VCE1
= VCC . Lo cual puede no ser necesariamente efectivo para otras configuraciones en clase
A.
Para valores ICMax y VCEMax, se tiene que el punto Q estar dado por la tangente a la curva
PCEMax, dado por las coordenadas ICQ =
ICMax
y VCEQ =
VCEMax
/ 2 como se indica en la
Fig. . Se asume que la seal de entrada puede manejar el transistor entre el corte y la
Diseo con Transistores
Pgina 109
saturacin, de esta forma para una variacin en la corriente de base, se tiene la variacin en
la corriente de colector, y una variacin en la potencia.
Pgina 110
..(5.12)
(5.12)
I CQ =
I CMax V CEMax V CC
=
=
2
2 RL 2 RL
(5.14)
Pgina 111
, luego
....(5.15)
Finalmente, la eficiencia estar dada por:
.(5.16)
La eficiencia de este amplificador es baja, 25%, esto debido principalmente a que se
mantiene una corriente de reposo en la carga, la cual no es usada (desperdiciada). Como la
potencia en el transistor corresponde a la potencia de la fuente menos la potencia en la
carga (total, es decir la ca y la dc), se tiene que
.(5.17)
El cual tiene dos componentes, el primero ser cc y le segundo ac. Se define
adicionalmente un Factor de Merito (FM)
B. Configuracin emisor comn con transformador de acoplo Sea el circuito de la Fig. 5a.
Una forma de mejorar la eficiencia del amplificador clase A es usar el acoplo de la carga
mediante un transformador. ? Cmo es eso?
Pgina 112
Al considerar este acoplamiento, hace que la recta de carga en cc pase por V CEQ = VCC ,
pues RCC = 0, luego la recta de carga de alterna corta el eje del voltaje en un valor 2V CC .
Como consecuencia de esto, cuando no hay seal, no existir corriente por el colector. La
carga vista por el colector ser
..(5.18)
Para este caso la potencia en la carga ser:
.(5.19)
Como slo la carga recibe componente alterna, la corriente efectiva ser la amplitud sobre
2, luego:
.(5.20)
(5.21)
Debido a que VCEQ = VCC, se tiene que VCEMax = 2VCC , por lo tanto, de la curva se
determina que
I CMax =
V CC
R1 L , as
Pgina 113
..(5.22)
Dado que la potencia media de la fuente es PCC = VCC ICQ, entonces:
(5.23)
...(5.24)
Finalmente, la eficiencia de la conversin ser:
Y el Factor de Merito
Pgina 114
Como PL(AC) = V2 CC/ R1L = 2W, esto implica que R0L = 202 /2W = 100 [] , adems, PL
=
(I / 2 )2 R1
CQ
, entonces
Pgina 115
Se requieren dos transistores para producir la onda completa. Cada transistor se polariza en
al punto de corte en lugar del punto medio del intervalo de operacin. La corriente de
colector es cero cuando la seal de entrada es cero, por lo tanto el transistor no disipa
potencia en reposo.
De la curva dada en la Fig. 5.9, se obtiene:
Luego, la potencia en la carga ser nuevamente la indicada en (5.12). En este caso, cada
transistor opera durante un semi-ciclo, por lo tanto, el valor efectivo de la onda ser
Pgina 116
Para determinar la potencia promedio PCC , entregada por VCC , se debe determinar la
corriente media consumida, la cual se llamar ICC, (que corresponde a la media de la
corriente iCC ). De acuerdo a la Fig. 5.10 la onda de corriente producida sera la
superposicin de los dos semiciclos.
As se tiene que
Pgina 117
Pgina 118
Simetra complementaria con acoplamiento capacitivo Para este caso se tiene que la
alimentacin de cada transistor es VCC / 2 y la carga ser RL.
Pgina 119
Pgina 120
dinmica, que ahora pasa a ser ( RC + R10 ) para el transistor T3 y (RC + R11 ) para el
transistor T4 por lo que si consideramos el circuito equivalente de carga dinmica de T3
por ejemplo, en l puede verificarse que siendo la potencia de seal de salida la que
establece la ecuacin (I.35.), es decir:
Pgina 121
Ps=
Ahora
I cmax =
(V cemax )
RC + R10 ..(5.27)
En tanto que si llamamos Vomax a la tensin que se desarrolla sobre la carga R C la misma
resulta ser una fraccin de Vcemax establecida por el divisor:
Vomax =Vocemax
Rc
Rc +R c ..(5.28)
I cmax Vo max
V cemax
RC
=
V cemax
2
2( RC + R10)
RC + R10
2
V cemax R C
P
=
u
En consecuencia:
2( R C + R 10)
o bien
V cemax =
RC + R10
2 Pu RC
RC
Por igual motivo la potencia disipada mxima determinada por la ecuacin (XI.8.) sufre
una leve modificacin al considerarse la nueva resistencia de carga dinmica. Asimismo y
a los efectos de considerar apartamientos de las condiciones nominales que frecuentemente
ocurren en los circuitos reales, consideraremos un +10 % de variacin en la tensin de la
fuente de alimentacin y un 20 % de variacin en la resistencia de carga R C de modo
entonces, que la potencia disipada ms exigente sera la que seguidamente se indica:
Pd MAX =
( 1,1 V CC )2
10 ( R10 +0,8 R C ) (5.29)
5.3.2- Distorsin.
Existen varios tipos de distorsin. La ms conocida y usada como spec es la distorsin
armnica total, normalmente unida al nivel de ruido. En este caso, la distorsin producida
Diseo con Transistores
Pgina 122
al recortarse una onda, o al producirse una onda triangular por un slew-rate bajo puede
medirse perfectamente con este parmetro.
El nivel de ruido se puede considerar como una distorsin, aunque completamente
diferente de la distorsin armnica. El mayor problema es que siempre hay un cierto nivel
de ruido en la lnea y se amplifica, llegando a ser audible. La amplificacin diferencial es
una buena solucin para ese problema. Hay otro tipo de distorsin, poco conocida y difcil
de medir, que parece ser exclusiva del campo del audio, por sus grandes ganancias y su
necesidad de baja distorsin armnica, llamada transient intermodulation.
Ganancias moderadas.
En los mosfet: las altas capacidades CGD y CGS hacen que se reduzca el ancho de
banda notablemente (aunque esto no sea propiamente una distorsin)
Pgina 123
Intensidad en el transistor:
Variacin de Vbe
Grandes ganancias:
Aparicin del efecto Miller. En el caso de los mosfet de potencia, cuya capacidad
de entrada es alta (200pF), el problema es an mayor.
Pgina 124
Con pequeas ganancias, el efecto de las anteriores causas de distorsin es mnimo, pero
en grandes ganancias, sus consecuencias son muy notables.
Pgina 125
Pgina 126
N
1
2
3
4
5
Frecuencia
1.000E+04
2.000E+04
3.000E+04
4.000E+04
5.000E+04
Amplitud
9.539E+00
2.672E-01
3.581E-01
1.153E-01
2.122E-01
Amplitud normalizada
1.000E+00
2.801E-02
3.754E-02
1.209E-02
2.225E-02
Pgina 127
En estos grficos podemos ver los caminos de carga y descarga del condensador de Miller.
Existe una relacin directa entre el valor de ste condensador, la ganancia total, y la
corriente de polarizacin. El caso es que para variaciones muy bruscas de la tensin, el
condensador se carga a travs de una fuente de corriente, lo que limita la tasa de variacin
de su voltaje.
ste es el motivo de construir amplificadores con un gran ancho de banda, no para que
nuestro can oiga msica supersnica, como muchas veces se ha sugerido por
desconocedores de un fenmeno cientfico probado y relacionado con la audicin, sino
para que no tenga lugar sta limitacin. Esta velocidad supone cmo de rpido se va a
corregir sus propios errores la etapa.
Personalmente no veo necesario aumentar el ancho de banda por encima de 50kHz para
que podamos orlo, porque no podemos, pero s veo necesario aumentarlo por encima de
100, incluso de 500kHz para poder atender a las bruscas variaciones de tensin que
produce la msica. En las vlvulas, el transformador de salida limita el ancho de banda a
40kHz en los mejores casos, pero no produce una limitacin en la tasa de variacin, de ah
que sus agudos se mantengan cristalinos y que la msica tenga dinamismo.
Pgina 128
una etapa requiere compensacin trmica (las de salida), la tonalidad no alcanza el nivel
esperado hasta que no se ha producido la estabilidad trmica.
Este tipo de distorsin se agrava en los integrados, donde las modulaciones trmicas en el
punto de operacin de las etapas se ven afectadas por la proximidad fsica. Tambin es
obvio que una resistencia tiene un cierto coeficiente trmico y esto vara su valor, siendo
habitualmente causa de variaciones en la ganancia total y punto de operacin de las etapas
restantes. Adems, sta modulacin es amplificada.
Pgina 129
Pgina 130
Pgina 131
Pgina 132
frecuencia de! ruido peridico. Este tipo de medidas slo se realiza por parte de los
tcnicos de mantenimiento. En el apartado de "otros ruidos" habra que citar el "ruido
de granalla" que se produce en los semiconductores por la generacin y recombinacin
aleatoria de algunos pares electrn-hueco. El ruido de granalla presenta, al igual que el
trmico, un espectro plano dentro de la gama de frecuencias. Este tipo de ruido no
suele encontrarse en las especificaciones de los equipos actuales, ya que es de muy
poco valor en los semiconductores modernos. Debe citarse tambin el "ruido digital",
que se produce cuando la seal analgica es cuantificada despus del muestreo.
Conclusin:
Los amplificadores de potencia son fundamentales para diversas aplicaciones, tales como
audio radio frecuencia. Solo se han mostrado algunos conceptos bsicos, con el fin de
entender las magnitudes ms importantes, tales como la eficiencia, Potencia de seal y
potencia disipada por el transistor.
Prctica N 1
Amplificador Multietapa
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador multietapa, con una ganancia total de 25 y que por
separado cada una de 5 de ganancia y que multiplicado de la ganancia total.
Pgina 133
2 transistores BC547
Osciloscopio.
Generador de seales.
Fuente de CD sencilla
Multmetro digital.
3 Capacitores de 1uF.
2 capacitores de 47uF.
Pgina 134
Av =5
en la segunda etapa
Para la etapa 2:
(1)
Para una Rc=5.1K
5=
5.1 K / 10 K
+ r e
+r e=5.1 k / 10 k /5
+r e=3377.481 /5
= 675.49
Calcular re
r e=
Diseo con Transistores
25 mA
=25
1 mA 2 a
Pgina 135
VccVcEIc (Rc+ )
Ic
12 v 6 v5.75 v
=250
1.25 mA
Fl=300Hz
ZE=RE// [r e + R 1/ R 2/ ]
ZE=1300//160=142.68
R 1=
r 2=RB
RB
18000
=
=20769.23 =18 K
VBB
1.6 v
1
1
Vcc
12 v
[ ] [ ]
[ ]
Vcc
12 v
=18000
=135000=120 K
VBB
1.6 v
Pgina 136
CE1=
1
=3.4718 F
2 ( 300 Hz ) (142.68)
Pgina 137
Resultados Obtenidos
1.
Av 1=
4.8
Conclusiones
Se logr disear y construir un amplificador multietapa, con una ganancia de voltaje
estable de 5.2, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito, dando
Pgina 138
Recomendaciones
Tener en cuenta los valores de las resistencias se debe tener los valores ms aproximados a
ellas y conocer bien la polarizacin del transistor.
Practica N 2
Amplificador de cascada
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador en cascada usando tres transistores (2 BJT y 1FET) la
cual tiene que tener una ganancia de 25.
Pgina 139
Osciloscopio.
Generador de seales.
Fuente de CD sencilla
Multimetro digital.
3 Capacitores de 1uF.
2 capacitores de 47Uf
Pgina 140
Diagrama a montar
Clculos
Etapa 3: Se calcularan los voltajes correspondientes
Vcc=VCE 2+VEE 2
12=6 v+ VRE 2
VRE 2=12 v6 v
I 3=
VRE 2
6v
=
=27.28 mA
220
2
VBB2=0.7v+6v=6.7v
Por medio a sus especificaciones de su hoja de datos se harn los siguientes clculos
Pgina 141
Vc 1=VBB 2
Vc 1=VccVRc 1
VRC 1=VccVc 1=12 v 6.7 v=5.3 v
Pgina 142
Se calculara la Etapa 2
Vcc=VRC 1+VcE+VRE 1
12 v=+5.3 v +6 v +VRE 1
10 k (121.6 v )
=6.5 K 6.8 K
1.6 v
Calcularemos la Etapa 1
Zin 2=R 1/ R 2/ (r e 2+ )
Zin 2=10 k / 65 k / 200( 25+ 680)=8164
Pgina 143
VDS=6v RD=3.9K
VGS(off)=-1.8v VGS=-0.75v ID=1.25mA
Rd/ Zin 2
Av =gm
gm=
Av
5
=
=1891 S
RD / Zin 2 3.9 k / 8.2 K
Av2=5
Av 2=Rc / Zin 3 /r
R 3=
25 mv
=.9164 1
27.28 mA
r e 2+ / RL
Zin 3=
=200
Zin=200( 220/ 220)=200(110)=22000
r e 2=
25 mA
=25
1 mA
Pgina 144
VccVceIc (Rc+ )
Ic
12 v 6 v1 mA (5.1 K +680 )
1 mA
12 v 6 v5.75 v
=220
1 mA
VBB=
R1
VBB
R1
Vcc=
=[
]
R1+ R 2
VCC R 1+ R 2
VBBR 1+VBBR 2=R 1 Vcc
RS=
1.25 v
=900
1.25 mA
VSS=VGS +VS
Diseo con Transistores
Pgina 145
R1
VDD
R 1+R 2
R1=18k
R 2=18 k (12 v .375)/0.375
R 2=565 K 560 K
Pgina 146
Resultados Obtenidos:
4. Primera etapa = 5 de ganancia
5. Segunda etapa =4.8 de ganancia
6. Tercera etapa= 1 de ganancia
7.
Conclusiones
Se logro disear y construir un amplificador en cascada en tres etapas, con una ganancia de
25, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito el cual nos permiti
Pgina 147
trabajar con un FET y dos BJT, los cuales tienen diferentes caractersticas y hay que
encontrar un punto de equilibrio entre los dos.
Recomendaciones
Se recomienda tener en cuenta la funcin de los dos diferentes transistores, tener en
cuentas las betas como las diferentes configuraciones ya que por una mala polarizacin
puede resultar fatal.
Pgina 148
Prctica N 3
Amplificador Sintonizado
Objetivo de la Prctica:
Disear y construir un amplificador sintonizado con transistor BJT, cuya frecuencia de
resonancia sea de 1.5MHz.
Materiales y Equipos:
RB de 4.7k.
RL 10k.
Fuente de C.D.
Pgina 149
Osciloscopio.
Generador de seales.
Multimetro digital.
Protoboard.
Pgina 150
Sustituyendo valores:
Pgina 151
2. Ahora hay que sustituir el valor de XL en la formula (2.33), para de esta forma
obtener el valor del punto Q del inductor:
Pgina 152
Pgina 153
Pgina 154
Generador de Seales
Resultados Obtenidos:
1.- A una frecuencia de resonancia de 1.6MHz se logro la mxima ganancia permitida por
el amplificador sintonizado cuyos valores fueron:
2.- A una frecuencia de corte en alta de 1.71MHz se obtuvo el 70% de la ganancia total de
dicho amplificador. Los valores resultantes fueron:
Pgina 155
Conclusiones
En la realizacin de la prctica de laboratorio se logro disear y construir exitosamente un
amplificador sintonizado. Esto permiti observar como es su comportamiento en la
frecuencia de resonancia y en frecuencias cercanas a esta, confirmando de esta manera los
clculos obtenidos de forma terica, y conocer un poco del funcionamiento de equipos que
en la vida cotidiana estn compuestos por este tipo de amplificadores.
Recomendaciones
1.- Para que el amplificador funcione correctamente es recomendable el uso de bobinas
identificables por colores (como las resistencias), ya que poseen un recubrimiento contra el
ruido evitando que este se cuele entre la seal y no se logre observar el resultado esperado.
Diseo con Transistores
Pgina 156
2.- Tambin se recomienda realizar clculos con otro valor de inductor para de esta manera
tener una segunda opcin lista para probar.
Prctica N 4
Amplificador Diferencial
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador diferencial espejo de corriente que incluya una fuente
de corriente por transistor para obtener una ganancia de voltaje de 20
Pgina 157
3 transistores BC547
Osciloscopio
Generador de seales
Fuente doble
Multimetro digital
Protoboard
Caimanes
Pgina 158
Calculo de IR:
Para una R= 10K, y haciendo uso de la formula 2.23 (con una pequea modificacin):
Pgina 159
Pgina 160
Resultados
Pgina 161
Pgina 162
Recomendaciones
Al momento de construir esta prctica, se deben buscar los valores ms cercanos a las
resistencias calculadas, si se logran encontrar de preferencia resistencia de precisin, para
que la ganancia obtenida sea del valor esperado.
Tambin afecta un poco el hecho de que los transistores, a pesar de que son de la misma
matricula, poseen betas distintas lo que altera un poco el resultado final.
Conclusiones
En la prctica realizada se logro construir exitosamente un amplificador diferencial espejo
de corriente con fuente de corriente a una ganancia cercana a la calculada. Muchos de estos
amplificadores se encuentran dentro de un encapsulado conocido por todos que es el
amplificador operacional, por lo que es de mucha importancia su estudio para lograr una
mayor comprensin del mismo y un manejo bsico de los amplificadores operacionales.
Pgina 163
Prctica N 5
Respuesta a la baja Frecuencia BJT.
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador con transistor BJT, para obtener una ganancia de 20
adems de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300HZ
Materiales y Equipos
Protoboard.
1 Transistor BC547
1 resistencia de 10K.
1 resistencia de 3.9K
1 resistencia de 120
1 resistencia de 1.8K
1 resistencia de 68K
1 resistencia de 220K
Pgina 164
1 Fuente Variable.
Generador de Funciones.
Osciloscopio.
Puntas de osciloscopio.
Multmetro digital.
Desarrollo de la Prctica
Diagrama a montar:
Pgina 165
Clculos:
Suponiendo
siguientes
los
valores
Av =20
RL=10 K
IC=1 mA
Vcc=12 v
VCE=6 v
Rc=3.9 K
Av =
r =
RC RL
2.8 K
2.8 K
20=
+ r =
=140.287
20
+r
+r
25 mV 25 mV
=
=25 r =( +r )r =115
IC
1 mA
Vcc+VCE + Ic (RC+ + )
=
VccVCEIC ( RC+ )
12 v6 v1 mA (3.9 K+115 )
=
IC
1 mA
1.985 v
=1985 =1.8 K
1 mA
RE 250( 1985)
=
=52500
10
10
Pgina 166
fl=300 Hz
RB
52500
=
=67632.85 =68 K
VBB
2.685 v
1
1
VCC
12 v
R 1=
R 2=RB
VCC
12 v
=52500
=234636.87 =220 K
VBB
2.685 v
1
(3.11)
2 RC
25 mv 25 mv
=
=25
Ic
1 mA
1
1
1
=2 RCf l=1 Cin=
=
=0.949 F
2 RC
2 Rf l 2 (5585 )(30 Hz)
1
1
=
=190 nf
2 Rf ' ' l 2 ( 13.9 K ) (60 Hz)
Pgina 167
R 1 R2
]
R=1985 25 +
CE=
52500
=210.12
250
1
1
=
=2.624 F
2 RC 2 ( 210.12 ) (300 Hz)
Resultados Obtenidos
Con los clculos obtenidos se prosigui por hacer el montaje de la prctica y observa la
amplificacin.
En esta foto se muestra el montaje de la prctica con cada uno de los elementos adems de
ciertos arreglos en los capacitores para obtener el valor deseado.
Pgina 168
En esta figura observamos los valores medidos por el osciloscopio, con una frecuencia de
300Hz. Adems de las seales de entrada y salida, la seal de salida es la desea ya que esa
seal es la que corta a 300 Hz con una amplificacin de 20.
Conclusiones
Una de las formas de aprender el funcionamiento real de los componentes, es aprender a
usarlos en la prctica, ya que es donde pones a prueba los conocimientos obtenidos en las
clases, y donde aprendes a solucionar problemas presentados al momento. En la
realizacin de la prctica de laboratorio se logr disear y construir exitosamente un
amplificador de respuesta abaja frecuencia BJT. Esto permiti observar cmo es su
comportamiento en la frecuencia de 300Hz, confirmando de esta manera los clculos
obtenidos de forma terica.
Recomendaciones
1. Estar concentrados en lo que se est realizando para evitar que la prctica falle por
errores insignificantes.
2. Medir las betas de los transistores para evitar fallas en los clculos.
Diseo con Transistores
Pgina 169
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
4. Tener el material suficiente para poder cambiar si alguno se daa.
Prctica N 6
Respuesta a la baja Frecuencia JFET.
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador con transistor FET, para obtener una ganancia de 20
adems de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300HZ
Materiales y Equipos
Protoboard.
1 Transistor 2N5457
Pgina 170
1 resistencia de 3M.
1 resistencia de 680
1 resistencia de 7.5K
1 resistencia de 5.1K
1 resistencia de 10K
1 Fuente Variable.
Generador de Funciones.
Osciloscopio.
Puntas de osciloscopio.
Multmetro digital.
Pgina 171
Desarrollo de la Prctica
Diagrama a montar:
Clculos:
Suponiendo los siguientes valores
Av =20VDD=24 v VDS =12 v VGS ( off ) =1.8 v VGS=0.75 I =1 mA
R 2=3 M
( (
gm=gmo 1
))
[ [
VGS
0.75 v
gm=5000 S 1
1.8
VGS ( off )
]]
Av
20
=
=6857.14 =7.5 K
gm 2.91666 mS
IDRS=VDDVDSIDRD
Diseo con Transistores
Pgina 172
RS=
R1
VDD VgR 1+ VgR2=R 1 VDD
R 1+ R 2
(4.45 v )(3 M )
VgR 2
=
=682864.45 =680 K
VDDVg
24 V 4.45 V
'
Cin=
1
=9.57 nF
2 (30 Hz)(554347.82 )
''
De acuerdo a la frmula 3.21, para f l=60 Hz
1
=0.157 F
2 (60 Hz)(16800 )
'''
De acuerdo a la frmula 3.22, para f l=300 Hz
ZS=RS
Cout=
1
=0.102 F
2 (300 Hz)(5200 K )
Resultados Obtenidos
Con los clculos obtenidos se prosigui por hacer el montaje de la prctica y observar la
amplificacin.
Diseo con Transistores
Pgina 173
De acuerdo con los datos mostrados por el osciloscopio se comprobaron los clculos ya
que nos daba una amplificacin aproximada a 20, adems de tener una frecuencia de corte
de 300 Hz en el Cout.
Conclusiones
En la realizacin de la prctica de laboratorio se logr disear y construir exitosamente un
amplificador de respuesta abaja frecuencia FET. Esto permiti observar cmo es su
comportamiento en la frecuencia de 300Hz, confirmando de esta manera los clculos
obtenidos de forma terica.
Recomendaciones
1. Estar concentrados en lo que se est realizando para evitar que la prctica falle por
errores insignificantes, adems de no perder la paciencia ya que en muchas
ocasionas la prctica no funciona a la primera y hay que hacer modificaciones.
2. Verificar las curvas del transistor.
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
Diseo con Transistores
Pgina 174
Prctica N 7
Respuesta a la Alta Frecuencia BJT.
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador con transistor BJT, para obtener una ganancia de 20
adems de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte alta de 300KHZ
Materiales y Equipos
Protoboard.
Pgina 175
1 Transistor BC547
1 resistencia de 10K.
1 resistencia de 6K
1 resistencia de 150
1 resistencia de 1.2K
1 resistencia de 68K
1 resistencia de 12K
1 Fuente Variable.
Generador de Funciones.
Osciloscopio.
Puntas de osciloscopio.
Multmetro digital.
Pgina 176
Desarrollo de la Prctica
Diagrama a montar:
Clculos:
Suponiendo los siguientes valores
Av =20
RL=10 K
IC=1 mA
Vcc=12 v
Rc=6 K
Av =
r =
RC RL
2.8 K
2.8 K
20=
+ r =
=140.287
20
+r
+r
25 mV 25 mV
=
=25 r =( +r )r =154
IC
1 mA
Vcc+VCE + Ic (RC+ + )
Pgina 177
VCE=6 v
fl=300 KHz
VccVCEIC (RC+ )
1.14 v
=
=1140 =1.2 K
IC
1 mA
RB=
R 2=68 K
R 2VBB
=13.6 K =12 K
VCC VBB
R 1=
1
(3.11)
2 RC
Z i=R 2 R1 (r e+ )
r ' e=
25 mv 25 mv
=
=25
Ic
1 mA
Z i=9047.16
Zi=Rin
R=R G + R ( 3.12 )
Se desprecia la resistencia del generador por ser muy baja.
f l=
1
1
1
=2 RCf l=1 Cin=
=
=0.35 F
2 RC
2 Rf l 2 (9047.16 )(50 Hz)
Pgina 178
1
1
=
=0.135 f
2 Rf ' ' l 2 ( 16 K ) (80 Hz)
CE=
R 1 R2
]
1
1
=
=2.87 F
2 RC 2 ( 66.08 ) (300 Hz)
Resultados Obtenidos
Con los clculos obtenidos se prosigui por hacer el montaje de la prctica y observa la
amplificacin fuera exacta o aproximada si no de lo contario se tendra que recalcular.
Pgina 179
En esta foto se muestra el montaje de la prctica con cada uno de los elementos adems de
ciertos arreglos en los capacitores para obtener el valor deseado.
Pgina 180
En esta figura se muestra como se ajust el osciloscopio una frecuencia de 300KHz que
sera nuestra frecuencia de corte que desebamos.
Posteriormente con el montaje y con la frecuencia del osciloscopio ajustada se prosigui a
medir con el osciloscopio cada una de seales para saber la amplificacin y si a hacia el
corte a la frecuencia establecida.
Pgina 181
En esta figura observamos los valores medidos por el osciloscopio, con una frecuencia
aproximada de 300KHz. Adems de las seales de entrada de 12mV y salida de 220mV.
Haciendo el clculo correspondiente se demuestra que es una amplificacin aproximada a
20 de ganancia ya que nos da como resultado 18.33 de ganancia. A la frecuencia
establecida de 300KHz.
Conclusiones
En la realizacin de la prctica de laboratorio se logr disear y construir exitosamente un
amplificador de respuesta alta frecuencia BJT. Esto permiti observar cmo es su
comportamiento en la frecuencia de 300KHz, adems de obtener nuevos conocimientos
prcticos ya que en veces existen conflictos en el saber cmo corregir los errores y poder
confirmando de esta manera los clculos obtenidos de forma terica.
Recomendaciones
1. Evitar que existan conflictos en el equipo.
2. Medir las betas de los transistores para evitar fallas en los clculos.
Pgina 182
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
4. Admitir los errores que uno comete para poderlos corregir estos errores como
equipo.
Prctica N 8
Respuesta a la baja Frecuencia JFET.
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador con transistor JFET, para obtener una ganancia de
20 adems de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300KHZ
Materiales y Equipos
Protoboard.
1 Transistor 2N5457
1 resistencia de 10K.
1 resistencia de 5.6K
1 resistencia de 680
1 resistencia de 3.3M
1 resistencia de 100K
Pgina 183
1 Fuente Variable.
Generador de Funciones.
Osciloscopio.
Puntas de osciloscopio.
Multmetro digital.
Desarrollo de la Prctica
Diagrama a montar:
Pgina 184
Clculos:
Suponiendo los siguientes valores
Av =20VDD=24 v VDS =12 v VGS ( off ) =1.8 v VGS=0.5
I =1.1 mA
( (
gm=gmo 1
))
[ [
VGS
0.5 v
gm=5000 S 1
(
)
1.8
VGS off
]]
gm=3611.11S
Av =Rdgm Rd=
Av
20
=
=5538.46 =5.6 K
gm 3611.111 mS
IDRS=VDDVDSIDRD
RS=
Pgina 185
R1
VDD
R 1+ R 2
R 2=3.3 M
R 1 ( VDDVSS )=VSS R 2
R 1=
VSSR 2
0.722 v
=
=3.3 M
VDDVSS 24 V 0.722 v
R 1=102354.15 =100 K
Pgina 186
Av+1
12.96+1
=3.0 pF
=3.23 pF=3.0 pF
Av
12.96
'
Para f l=300 KHz
R=R 1 R 2=3589.74
Cin=
1
=147.786 pF
2 (300 KHz)(3589.74 )
C=Cds+Cout ( miller )
Cds=CCout ( miller )
Cds=( 147.786 pF3.23 pF )=144.55 pF
Resultados Obtenidos
Con los clculos obtenidos se prosigui por hacer el montaje de la prctica, adems de
hacer los arreglos correspondientes con laos capacitores.
Pgina 187
Pgina 188
De acuerdo con los datos mostrados por el osciloscopio se comprobaron los clculos ya
que nos daba una amplificacin aproximada a 20, adems de tener una frecuencia de corte
de 300 KHz.
Pgina 189
Conclusiones
La prctica de laboratorio se logr disear y construir exitosamente un amplificador de
respuesta alta frecuencia JFET. Esto permiti observar cmo es su comportamiento en la
frecuencia de 300kHz comprobando los clculos obtenidos de forma terica. Ay que se
hacia el corte a esta frecuencia.
Recomendaciones
1. Verificar los clculos antes de empezar a montar asi como las formulas dispuestas
para hacer los clculos.
2. Verificar las curvas del transistor.
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
4. Tener el material suficiente para poder cambiar si alguno se daa.
5. Mantener la paciencia y tener disponibilidad de tiempo para evitar cometer errores.
Pgina 190
Practica N 9
Amplificador de 2 Etapas Retroalimentado
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador retroalimentado de 2 etapas, con una ganancia sin
retroalimentacin de 400 y una ganancia de retroalimentacin de 5.
2 transistores BC547
Osciloscopio.
Generador de seales.
Fuente de CD sencilla
Multimetro digital.
3 Capacitores de 1uF.
Pgina 191
2 capacitores de 47uF.
Pgina 192
(1)
Despejando RC en 1y sustituyendo:
Para RE:
Pgina 193
Ahora hay que calcular la impedancia de entrada para esta etapa ya que servir de
resistencia de carga para la etapa 1:
Clculos de la etapa 1:
Para Av2=20
re=120
Pgina 194
Resultados Obtenidos:
8.
Diseo con Transistores
Pgina 195
9.
10.
Conclusiones
Se logr disear y construir un amplificador de 2 etapas retroalimentado, con una ganancia
de voltaje estable de 5.2, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito
con y sin retroalimentacin, dando como resultado un alto grado de estabilizacin de la
onda en la salida, sin importar la frecuencia en la que se opera, ya que como se sabe una
de las caractersticas principales de este tipo de amplificador es su gran ancho de banda.
Recomendaciones
Se recomienda realizar 2 diseos probables para este tipo de amplificador, uno como el que
se construy en esta prctica, y el 2 con una etapa de seguidor emisor o Colector comn, a
la salida, de esta forma la ganancia de voltaje no se ve afectada, y por lo tanto la resistencia
de carga puede ser muy baja.
Pgina 196
Practica N 10
Amplificador de potencia
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador potencia clase B/AB para amplificar el sonido.
2 disipadores
2 diodos
Osciloscopio.
Generador de seales.
Fuente de CD sencilla
Multmetro digital.
Pgina 197
1Capacitores de 470 uF
1capacitores de 10 uF.
Pgina 198
Clculos
Pout=1W
Vcc=18v
R2=8
R=3.9K
Calcular el Pout y Vpp
Pout=(Vpp)2 /8 ( RL)
Vpp= 8( RL)(1 W )
Vin=8 vpp
Calcular Ipol
Diseo con Transistores
Pgina 199
Ipol=Vcc2 VBE /2 R
Ipol=
18 v1.4 v 16.6 v
=
=2.12 mA
7.8 K
2(3.9 K )
ip=
VCEQ 9 v
=
=1.125 Amp
RL
8
1.125 Amp
=360.12 mA
Calcular
=
=
Pout
100
PCD
1W
100 =15
6.48 W
Pgina 200
Bocinas de 8 .
Resultados Obtenidos:
En este circuito se alcanzan las condiciones al cumplir que son 1 W de potencia a 8
V de alimentacin.
Pgina 201
Conclusiones
Se logr disear y construir un amplificador este amplificador nos ayuda adquirir la
potencia que queremos dependiendo de su polarizacin teniendo en cuenta todos los
parmetros a alcanzar.
Recomendaciones
Al trabajar con este circuito a hay que tener en cuenta que no cualquier diodo se puede
usar, tambin hay que considerar los disipadores ya que con ello nos ayuda a disipar el
calor y conocer la configuracin de estos transistores ya que son diferentes a los que
hemos estado utilizado anteriormente.
Pgina 202
Practica N 11
Amplificador con Preamplificador
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador potencia clase B/AB que contenga un preamplificador,
tomando la seal de un celular.
2 disipadores
2 diodos
Osciloscopio.
Generador de seales.
Fuente de CD sencilla
Multmetro digital.
1Capacitores de 470 uF
1capacitores de 10 uF.
Pgina 203
Bocina
Pgina 204
Clculos
Pout=1W
Vcc=18v
R2=8
R=3.9K
Calcular el Pout y Vpp
Pout=(Vpp)2 /8 ( RL)
Vpp= 8( RL)(1 W )
Vpp= 8(8 )(1 W )
V (out) pp=8 v
Vin=8 vpp
Calcular Ipol
Ipol=Vcc2 VBE /2 R
Ipol=
18 v1.4 v 16.6 v
=
=2.12 mA
7.8 K
2(3.9 K )
ip=
VCEQ 9 v
=
=1.125 Amp
RL
8
1.125 Amp
=360.12 mA
Calcular
Diseo con Transistores
Pgina 205
Pout
100
PCD
1W
100 =15
6.48 W
Av=10
Av =R 3 / Rl / R 4
Calcular lasR4 yRb
R 4=R 3/ RL/ Av=470 /30 (8)/10=10 47
Rb=
278 ( 47 )
=
=1306.6
10
10
VBB=0.70.0846=1.546
R 1=Rb
R 2=
[ ]
Vcc
=15 K
VBB
Rb
=1428 1.5 K
1[VBB /Vcc]
Pgina 206
Resultados Obtenidos:
En este circuito se alcanzan las condiciones al cumplir que son 1 W de potencia a 8
V de alimentacin.
Conclusiones
Con la prctica anterior ms un preamplificador se logr construir este amplificador este
nos permite aumentar nuestra amplificacin de esta manera al conectar una bocina se
puede escuchar ms fuerte y claro si est bien polarizado y si tiene los clculos correctos.
Recomendaciones
Al trabajar con este circuito a hay que tener en cuenta que no cualquier diodo se puede
usar, tambin hay que considerar los disipadores ya que con ello nos ayuda a disipar el
Pgina 207
calor y conocer la configuracin de estos transistores ya que son diferentes a los que
hemos estado utilizado anteriormente.
Proyecto Final
Oscilador De Cambio de Face
Objetivo: Construir un circuito oscilador a una frecuencia de 1kHz, que
genere la seal de entrada para un amplificador de potencia PUSH-PULL
Materiales y Equipos:
Osciloscopio.
Generador de seales.
Fuente de CD sencilla
Multmetro digital.
5 Capacitores.
Pgina 208
Requerimientos:
1.2.- El voltaje de salida del oscilador debe ser el voltaje de entrada de una etapa de potencia
con una potencia de 1W y una bocina de 8.
Criterio de Oscilacin:
Frecuencia de Oscilacin:
Pgina 209
Clculos:
Las R del diagrama deben ser iguales, al igual que los capacitores; por lo tanto:
Para un capacitor C=0.01uF
Ya se tiene la parte de oscilacin, ahora solo se tiene que calcular las resistencias de
polarizacin:
Teniendo la Rc= 4.7k, y se propone una corriente de 1mA y un voltaje colector emisor 6v:
de esta frmula se despeja la RE:
Pgina 210
Este circuito se acopla a una etapa de PUSH-PULL realizado en la practica 11, como se
muestra en el siguiente diagrama.
Nota: Los calculos para la etapa de potencia estan en la practica 11, solo
hay que cambiar el generador por la salida del oscilador.
Resultados:
Diseo con Transistores
Pgina 211
Pgina 212
Criterios de Evaluacin
Descripcin
Cantidad
Ponderacin
2 primeras (2%
Prcticas
11
/u )
Proyecto Final
20%
Reportes de Prcticas
11
5%
Exposicin de investigacin
5%
Evaluaciones
10% c/u
Pgina 213
Evaluaciones Realizadas
1.- Primer parcial:
1.1- Para el siguiente amplificador calcule la frecuencia inferior de corte (F l), y la
frecuencia superior de corte (Fh), si se tiene que ce=cc=5pF:
Vcc
R2
RC
Cout
RG
Cin
R1
RL
CE
RE
Datos:
Vin= 1mV
RG= 50
Cin= 1F
R1= 2.2K
R2= 10K
RC= 3.6K
RE=1K
CE= 47uF
Cout= 4.7uF
RL= 10K
Vcc=12v
=200
Pgina 214
Solucin: Primero se debe calcular la corriente de colector, para ello se hace lo siguiente:
Ahora para calcular la frecuencia inferior de corte se debe calcular para cada capacitor
externo presente en el circuito, y una vez realizado esto se toma el valor ms alto de todos.
El clculo se hace del siguiente modo:
Pgina 215
Pgina 216
Pgina 217
Datos:
Vcc=15v
VEE=-15v
Rc=180k
RE=270k
Vin=1mV
=200
Pgina 218
Pgina 219
Datos:
Rs=600 R 1=10 K R 2=2.2 K RC =3.6 K =2.2 K =100
RL=10 K
Pgina 220
Pgina 221
Datos:
R 1=200 R 2=100 Rc=100 =68 RL=100 Vcc=30V
Pgina 222
Para alterna:
Como voltaje pico se toma el valor ms bajo, entre el voltaje corte en cd y el resultado de
Ic*rc=6.85v; por lo tanto el valor a tomar en cuenta es 6.85v.
Pgina 223
Datos:
R 1=100 R 2=100 Vcc=30 V RL=50
Solucion:
Pgina 224
Pgina 225
Pgina 226