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Hochfrequenztechnik I

Vorlesungsskript
2012

Fachgebiet Hochfrequenztechnik

Prof. Dr.-Ing. Klaus Petermann


berarbeitet unter Mitarbeit von

Dr.-Ing. Christian-Alexander Bunge

Die Vorlesung beinhaltet die folgenden Abschnitte:

EIN
LEI
WEL
SMI
STR
IMP
EB
LA
GR
AP

Einfhrung
Leitungsgleichungen
Wellenausbreitung auf Leitungen
Impedanztransformation, Smith-Diagramm
Streumatrix
Impulse auf Leitungen
Ebene Wellen, Polarisation
Lineare Antennen
Antennen in der Nhe von Grenzflchen
Aperturantennen

HO
HS
ONT
S
L
P
HLD
BPT
FET
RAU

Hohlleiter
Hohlleitersysteme
Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik
Signaldarstellung im Zeit- und Frequenzbereich
Lineare, zeitinvariante, elektronische Netzwerke
Passive Komponenten
Halbleiterdioden
Bipolarer Transistor
Feldeffektransistoren
Rauschen

Literaturhinweise
Der gesamte Bereich der Hochfrequenztechnik wird recht umfassend dargestellt in:
Zinke, O., Brunswig, H., (Hrsg. Von A. Vlcek u. H.L. Hartnagel):
Lehrbuch der Hochfrequenztechnik, Band 1 und Band 2,
Springer-Verlag Berlin, 6. Auflage bzw. 5. Auflage, 2000 bzw. 1999

Umfassendes Handbuch ber die gesamte Hochfrequenztechnik:


Meinke, Gundlach:
Taschenbuch der Hochfrequenztechnik,
Springer-Verlag Berlin, 5. Auflage 1992

Fr das Selbststudium eignen sich:


Abschnitte EIN bis IMP,
Unger, H.G.:
Elektromagnetische Wellen auf Leitungen,
Hthig Verlag, Heidelberg, 4. Auflage 1996,
geeignet zur selbstndigen Erarbeitung feldtheoretischer Grundlagen (Abschnitte EB
bis HS),
Unger, H.G.:
Elektromagnetische Theorie fr die Hochfrequenztechnik, Teil 1 und Teil 2,
Hthig Verlag, Heidelberg, 2. Auflage 1988/1989,
sonstige Abschnitte,
Voges, E.:
Hochfrequenztechnik
Hthig Verlag, Heidelberg, 3. Auflage 2004

Sonstige empfehlenswerte Literatur:


Balanis, C.A.:
Antenna Theory, Analysis and Design,
John Wiley, 3rd edition 2005
Detlefsen, J., Siart, U.:
Grundlagen der Hochfrequenztechnik,
Oldenbourg Verlag, berarb. Auflage 2012
Hoffmann, M.:
Hochfrequenztechnik, ein systemtheoretischer Zugang,
Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 1997
Landstorfer, F., Graf, H.:
Rauschprobleme der Nachrichtentechnik,
Oldenbourg Verlag, Mnchen 1977
Nibler, F.:
Hochfrequenzschaltungstechnik,
Expert Verlag, 3. Auflage 1998
Unger, H.G.:
Hochfrequenztechnik in Funk und Radar,
Teubner Verlagsgesellschaft Stuttgart, 4. Auflage 1994
Zimmer, G.:
Hochfrequenztechnik, Lineare Modelle (mit Windows Software),
Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 2000

Hochfrequenztechnik I

Einfhrung

EIN/1

Die Hochfrequenztechnik behandelt die Probleme hoher Frequenzen oberhalb der Frequenzen des technischen Wechselstroms. Damit umfasst die Hochfrequenztechnik einen sehr groen Frequenzbereich,
der von Frequenzen im 10 kHz-Bereich (VLF-Very Low Frequency) fr die weltweite Funknavigation
ber den Millimeterwellenbereich (EHF-Extremely High Frequency) bis zu Frequenzen des optischen
Spektralbereichs reicht. Diese Frequenzbereiche sind in Abb. 1 dargestellt. Der weiteren Illustrati-

Abb. 1: Frequenzbereiche der Hochfrequenztechnik


on dient Abb. 2, in der den einzelnen Frequenzbereichen konkrete Anwendungen zugeordnet sind.
Im Alltag sind wir stndig mit hochfrequenztechnischen Anwendungen in Berhrung, wie in Abb. 3

Abb. 2: Frequenzbereiche der Hochfrequenztechnik mit beispielhaften Anwendungen


dargestellt ist. Man erkennt dort beispielsweise einen Satelliten, ber den Nachrichtenverbindungen
TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Einfhrung

EIN/2

zwischen Erdfunkstellen abgewickelt werden. Andererseits gibt es Rundfunktechnik sowohl im Bereich


des Hr- als auch im Bereich des Fernsehrundfunks sowohl ber Direktsendesatelliten als auch ber
stationre Rundfunksender. Die Hochfrequenztechnik hat auch eine Bedeutung fr die Funkortung
(z.B. GPS). Ein weiteres Arbeitsfeld ernet sich fr die Hochfrequenztechnik im Bereich der mobilen
Kommunikation.

Abb. 3: Anwendungen der Hochfrequenztechnik


Die Nachrichtenbertragung umfasst dabei nicht nur drahtlose Verbindungen, sondern auch leitungsgebundene Verbindungen z.B. ber Kupfer- oder Glasfaserkabel. Eine wichtige Anwendung der Hochfrequenztechnik stellen auch Radaranlagen dar, die neben der Ortung z.B. bekannt sind als Verkehrsradar
oder auch als Bewegungsmelder zum Schutz vor Einbruch. Ein weites Anwendungsfeld ndet die Hochfrequenztechnik in der Medizintechnik, z.B. der Kernspintomographie (auch NMR, nuclear magnetic
resonance) oder der Hyperthermie. Bei der Hyperthermie handelt es sich um eine Wrmebehandlung,
wobei die Wrmewirkung der Hochfrequenzbestrahlung auch ausgenutzt wird z.B. im Rahmen der
Werkstobearbeitung (z.B. Aushrten von Werkstoen) oder auch im Konsumbereich in Gestalt des
Mikrowellenherdes.

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Hochfrequenztechnik I

Leitungsgleichungen

LEI/1

1 Vorbetrachtung
Eine Gleichspannungsquelle U0 soll ber einen Schalter S an einen reellen Lastwiderstand
R angeschlossen werden. Dieser ist mit einer Leitung der Lnge L mit der Spannungsquelle
verbunden.

Problem:

Abb. 1: Einschaltvorgang bei einer Leitung der Lnge L und einem reellen Abschlusswiderstand R.
Der Schalter S wird zur Zeit t = 0 geschlossen. Wie gro ist der Strom I (t = 0) an der Stelle z = 0
unmittelbar nach Schlieen des Schalters S ?
Da der Strom zu diesem Zeitpunkt vom Widerstand R noch nichts merkt, hngt die Gre dieses
Stromes oenbar nur von der Leitung ab und wird nicht durch den Widerstand am Ende der Leitung
beeinusst. Man muss daher den Einuss der Leitung beschreiben.

Abb. 2: Konstruktive Auslegung gngiger Leitungen.

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Hochfrequenztechnik I

"r

LEI/2

Leitungsgleichungen

Tabelle 1: Isoliermaterialien
Luft Polyethylen Teon Polyvinylchlorid (PVC) Nylon
1
2,28
2,1
4-5
3,5

1.1 Leitungsstrukturen

In Abb. 2 sind unterschiedliche Leitungsstrukturen dargestellt. Leitungen ndet man damit in Nachrichtenkabeln, aber z.B. auch bei Leiterplatten oder auf Computerchips.

2 Herleitung der Leitungsgleichungen


Zunchst betrachten wir in Abb. 3 ein Leitungsstck der innitesimalen Lnge dz : Die an der Leitung
liegende Spannung u (z ) fhrt im Abschnitt dz zu einer gespeicherten Ladung dQ (Kapazitt). Der
ieende Strom i (z ) fhrt im Abschnitt dz zu einem magnetischen Fluss d (Induktivitt).
Mit diesen Betrachtungen lsst sich fr den Leitungsabschnitt dz ein Ersatzschaltbild nach Abb. 3
herleiten. Hierbei gelten folgende Bezeichnungen:

Abb. 3: Leitungsersatzschaltbild fr einen innitesimal kleinen Leitungsabschnitt dz .

L'

C'

R'

Induktivittsbelag mit der Dimension Induktivitt pro Lnge : L0 dz


Kapazittsbelag mit der Dimension Kapazitt pro Lnge : C 0 dz

= id
(z ) .

= ud(Qz ) .

Widerstandsbelag mit der Dimension Widerstand pro Lnge. Er bercksichtigt die Ohm'schen
Verluste der Leitung.

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Hochfrequenztechnik I
G'

LEI/3

Leitungsgleichungen

Leitwertsbelag mit der Dimension Leitwert pro Lnge. Er bercksichtigt die dielektrischen Verluste
der Leitung.

Aus Abb. 3 lassen sich die folgenden Beziehungen fr Spannung und Strom ableiten:

@i
@u
u (z + dz ) = u (z ) + @z dz = u (z ) L0 dz @t R0 dz  i (z )
@i
@u
i (z + dz ) = i (z ) + @z dz = i (z ) C 0 dz @t G 0 dz  u (z )

(1)
(2)

Aus Gl. (1) und (2) folgen die Leitungsgleichungen:

@u
@z =
@i
@z =

@i
R0  i (z ) L0 @t
@u
G 0  u (z ) C 0 @t

(3)
(4)

2.1 Herleitung der Wellengleichung

Die Gleichungen (1) bis (4) gelten fr allgemeine zeit- und ortsabhngige Signale. Fr die weitere
Betrachtung ist es jedoch zunchst einfacher, eine harmonische Zeitabhngigkeit anzunehmen. So
ergibt sich
u (z; t ) = U^(z ) cos(!t + (z )) = <fU (z )  exp(j!t )g
(5)
mit einem ortsabhngigen Zeiger U (z ) = U^(z )  exp(j(z )), wobei U^(z ) die ortsabhngige Spannungsamplitude und (z ) die Phase darstellen.
Die Ableitung nach der Zeit berechnet sich dann folgendermaen:

@u
^
@t = !U (z )  sin(!t + (t )) = <fj!U (z )  exp(j!t )g

(6)

beziehungsweise in Zeigerdarstellung:

u (z; t )
@u
@t

U (z ); i (z; t )
@i
j!  U (z ); @t

I (z )
j!  I (z )

Aus den Leitungsgleichungen Gl. (3), (4) folgt dann:

dU =
dz
dI =
dz

I (z )  (R0 + j!L0 )

(7)

U (z )  (G 0 + j!C 0 )

(8)

Gl. (7) wird nach z dierenziert, und der Ausdruck ddzI wird dann mit Gl. (8) ersetzt:
d2 U = (R0 + j!L0 ) dI = (R0 + j!L0 )(G 0 + j!C 0 ) U
dz 2
dz
beziehungsweise

d2 U = 2  U mit = q(R0 + j!L0 )(G 0 + j!C 0 )


dz 2

mit der Ausbreitungskonstanten .

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(9)
(10)

Hochfrequenztechnik I

LEI/4

Leitungsgleichungen

2.2 Wellenausbreitung auf Leitungen

Die obige Gl. (10) stellt die Wellengleichung dar mit den zwei folgenden Lsungen:

U h = U 1 exp(  z );

U r = U 2 exp(  z )

(11)

Wie wir spter noch sehen werden, beschreiben die beiden Lsungen in (11) jeweils die hin- bzw.
rcklaufende Welle. U 1 und U 2 stellen die Spannungszeiger der hin- und der rcklaufenden Welle auf
der Leitung an der Stelle z = 0 dar. Die allgemeine Lsung ist die berlagerung beider Wellen:

U (z ) = U h (z ) + U r (z )

(12)

Daraus lsst sich mit Gl. (7) der Stromverlauf I (z ) bestimmen:


I (z ) = R0 + j!L0 (U 1 exp( z ) U 2 exp(+ z ))
|

oder in Kurzschreibweise:

{z
1

ZL

(13)

U (z )
I (z ) = I h (z ) + I r (z ) = Zh
L

Hier steht Z L fr den Leitungswellenwiderstand mit

U r (z )
ZL :

R0 + j!L0
Ur
R0 + j!L0 U h
ZL =
=
=
=
0
0

G + j!C I h
Ir :
s

(14)

(15)

Die Ausbreitungskonstante lsst sich in Realteil und Imaginrteil aufteilen

= + j ;
wobei der Realteil die Dmpfungskonstante und der Imaginrteil die Phasenkonstante darstellen.
Fr die hinlaufende Welle ergibt sich dann z.B.:

U h = U 1 exp( z ) = U 1 exp( z ) exp( j z );

(16)

wobei exp( z ) die Dmpfung, und exp( j z ) die Phasendrehung beschreiben.


Das Argument der ersten Exponentialfunktion ergibt sich folgendermaen:

jU (z )j
 z = ln jU (0)j

(17)

Die Dimension der Dmpfungskonstante ist gegeben als Np


m (Neper pro Meter).
h i
Hug wird das Dmpfungsma 0 in dB
m angegeben. Es wird folgendermaen deniert:
h

0  z

) 0 dB
"

=
=

z )j
20  lg jjUU ((0)
j dB
! "
#
"
#
20 Np = 8; 69  Np
ln(10)
m
m
!

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(18)

Hochfrequenztechnik I

LEI/5

Leitungsgleichungen

3 Verlustarme Kabel
Verlustarme Kabel weisen sehr geringe ohm'sche Verluste auf, so dass R0  !L0 und G 0  !C 0 gelten.
Damit kann man fr den Wellenwiderstand Z L aus Gleichung (15) folgende Vereinfachung einfhren:
s
s
j!L0
L0
ZL  j!C 0 = C 0
(19)
Man beachte, dass der Wellenwiderstand unter diesen Bedingungen reell wird. Die Ausbreitungskonstante ergibt sich dann mit Gl. (10) nherungsweise:

= j!

v
u
u
0
0
LCt

R0
1 + j!L
0

p 0 0
G0
R0
G0
1 + j!C

j!
L
C
1
+
+
0
2j!L0 2j!C 0
!

Mit = + j heit das fr die Dmpfungs- und Phasenkonstante:

R0
G0  Z
R0 C 0 G 0 L0
= 2 L0 + 2 C 0 = 2  Z + 2 L
L
p 0 0
= ! LC
s

(20)
(21)

4 Anwendung auf eine Koaxialleitung


Als Beispiel fr eine Leitung wird ein Koaxialkabel betrachtet. Der schematische Aufbau einer solchen

Abb. 4: Schematischer Aufbau (links) und Feldverteilungen (rechts) in einer Koaxialleitung.


Koaxialleitung ist in Abb. 4 dargestellt. Hierbei hat der Innenleiter den Durchmesser d , der Auenleiter
den Durchmesser D.
Auf Grund des Skin-Eekts iet der Strom nur an der Oberche des Innen- bzw. Auenleiters. Daher
bilden sich das elektrische und magnetische Feld im Wesentlichen nur im Dielektrikum mit  = 0
und " = "0 "r aus.
Das magnetische Feld hat nur eine -Komponente H :

I
H = 2r

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(22)

Hochfrequenztechnik I

LEI/6

Leitungsgleichungen

Das elektrische Feld besitzt nur eine radiale Komponente Er :

U

Er =

r  ln

D
d

wegen

D
Z2
d

Er dr = U

(23)

Da E~ und H~ nur in der transversalen Ebene (senkrecht zur Ausbreitungsrichtung) liegen, bezeichnet
man die Welle als TEM-Welle (transversal elektromagnetisch).
Der Induktivittsbelag L0 dz

= dI errechnet sich folgendermaen:


D
Z2

d = dz

D I
0 ( H ) dr = dz  0 ln d 2

(24)

) L0 = 20 ln Dd

(25)

Der Kapazittsbelag C 0 dz

= dUQ errechnet sich folgendermaen:


= dz  2"0 "r UD 
ln d
) C 0 = 2" D0"r
ln d

dQ = dz  2 2  "0 "r Er r = 2

(26)

Der Widerstandsbelag R0 setzt sich aus den Widerstnden am Innen- und Auenleiter zusammen.
Diese Widerstnde berechnen sich mit der spezischen Leitfhigkeit  und der Skin-Eindringtiefe z0 :
s

z0 = !  :
0
Als Zahlenwertgleichung ergibt sich beispielsweise fr Kupfer (Cu): z0;Cu  2; 1 pfm
.
=
GHz

1 + 1  Voraussetzung : z  d
(27)
0
z0 D d
Der Ausdruck (  z0 ) 1 wird gelegentlich auch als Wandwiderstand RW = (  z0 ) 1 bezeichnet. Fr
p
Kupfer ergibt sich RW  8; 3  10 3
f =GHz.

) R0 =

Der Leitwertsbelag G 0 ergibt sich auf Grund der dielektrischen Verluste im Isolator:

G 0 = !C 0  tan 

(28)

Mit Kenntnis dieser Werte lsst sich der Leitungswellenwiderstand ZL berechnen:

L0
ZL = C 0 =
s

60
 ln
0 1
D
ln
=
p
p"
"
2

"
d
0
r
r
| {z }
r

120

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D
d

 

Hochfrequenztechnik I

Leitungsgleichungen

LEI/7

Fr Polyethylen ("r = 2; 28) und einem Verhltnis zwischen Auen- zu Innenleiter von Dd = 3; 6 erhlt
man einen Leitungswellenwiderstand von ZL  50
.
p
p p
Die Phasenkonstante = ! L0 C 0 = ! "r 0 "0 lsst sich wegen c0 = p10 "0 durch die Lichtgeschwindigkeit im Vakuum c0 ausdrcken:

!p"r
= c
0

(29)

Dieser Zusammenhang gilt allgemein bei TEM-Wellen.


Anmerkung: Mit Gl. (29) folgt allgemein aus den Gleichungen (19) und (20):

ZL p"r
= c  250 nH
m
p"0
pF
C 0 = Z  rc  100 m :
L 0
Die Zahlenwerte gelten fr "r = 2; 28 und ZL = 50
.
L0

(30)
(31)

Die Dmpfungskonstante ergibt sich unter den obigen Annahmen verlustarmer Kabel entsprechend
Gl. (20) zu:


1

1
1
= 2   z  Z D + d +
 tan 
(32)
0 L {z
|2 {z }
}
|
/!
ohm sche Verluste: / p!
0

dielektrische Verluste:

Ohm'sche Verluste sind umso kleiner, je grer die Durchmesser von Innen- und Auenleiter sind. Die
minimale Dmpfung bei gegebenem Auendurchmesser D = const wird errreicht fr Dd = 3; 6. Im
Gegensatz zu den ohm'schen Verlusten hngen die dielektrischen Verluste nicht von der Wellenleitergeometrie ab.
Abb. 5 zeigt konkrete Beispiele fr die Dmpfung von Koaxialkabeln.

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Hochfrequenztechnik I

Leitungsgleichungen

LEI/8

Abb. 5: Dmpfung von Koaxialkabeln mit ZL = 50


mit Polyethylen-Isolation (entnommen aus dem
Katalog der Firma Huber und Suhner).

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Hochfrequenztechnik I

WEL/1

Wellenausbreitung auf Leitungen

1 Vorbetrachtung
Die hinlaufende Welle auf einer Leitung kann man gem Kapitel LEI folgendermaen darstellen:

U h = U exp( z ) exp( j z )
U = U^ exp(j )

(1)
(2)

Abb. 1: Die Spannung u (z; t ) fr feste Zeitpunkte t = t0 und t = t0 + t entlang der Leitung fr
eine hinlaufende Welle.
Daraus ergibt sich die Spannungsverteilung im Zeitbereich:

uh (z; t ) = <fU h exp(j!t )g


= U^ exp( z ) cos(!t  z +
1

(3)
1

Die sich so ergebende Spannungsverteilung entlang der Leitung ist in Abb. 1 fr zwei Zeitpunkte t = t0
und t = t0 + t dargestellt. Sie reprsentiert eine gedmpfte Schwingung. In Ausbreitungsrichtung
hat die Welle ein periodisches Verhalten, wobei die Periode  der Wellenlnge entspricht mit:

  = 2

bzw:  = 2 

(4)

1.1 Ausbreitungsgeschwindigkeit

Fr die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Welle muss man zwei Geschwindigkeiten unterscheiden:


1.

Phasengeschwindigkeit:

Die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Phase = !t z + 1 kann man ohne Beschrnkung der


Allgemeinheit annehmen als die Geschwindigkeit der Phase = =2. Diese Annahme entspricht
der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Nulldurchgnge des Signals in Abb. 1 entsprechend vph =
z=t . Zunchst gilt:
 !
= = !t z + 1
(5)

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Hochfrequenztechnik I

WEL/2

Wellenausbreitung auf Leitungen

Aus der Ableitung von Gl. 5 nach der Zeit ergibt sich die Phasengeschwindigkeit vph =

dz
! dt = 0 = !  vph ;

woraus:

!
vph =

(6)
(7)

folgt. Fr verlustlarme Wellenleiter gilt mit Gl. (LEI 29) vph =


2.

dz :
dt

pc0

"r

Gruppengeschwindigkeit:

Die Ausbreitung von Pulsen auf einer Leitung wird durch die Gruppengeschwindigkeit beschrieben. Pulse sind keine harmonischen Signale mehr, sondern bestehen aus mehreren Frequenzkomponenten. Sie lassen sich allerdings aus einer berlagerung von harmonischen Signalen zusammensetzen.
Betrachtet man im einfachsten Fall die berlagerung zweier harmonischer Signale mit den Frequenzen !1 und !2 mit gleicher Amplitude U^1 und der Annahme verschwindender Verluste
( = 0), gilt:

u (z; t ) = U^ fcos(!" t z ) + cos(! t # z )"g


= 2U^ cos ! 2 ! t 2 z cos ! +2 ! t
1

+
2 z
1

{z

(8)

Einh
ullende

Fr einen festen Zeitpunktt ist u (z; t )jt =konst in Abb. 2 dargestellt.


Die Gruppengeschwindigkeit entspricht der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Einhllenden:

!
vgr =

1
1

(9)

!  ! ; ! wird daraus:

Fr den bergang zu sehr kleinen Frequenzabstnden !1

d!
vgr = d

(10)

Die Gruppengeschwindigkeit vgr gibt auch die Ausbreitungsgeschwindigkeit der transportierten


Leistung an und ist somit i.A. kleiner als die Lichtgeschwindigkeit. Wenn sich die Gruppen- und
Phasengeschwindigkeit unterscheiden, sprechen wir von dispersiver Wellenausbreitung, d.h.:
Dispersion =
^ vph 6= vgr

(11)

1.2 Beispiele

1.

Verlustarme Leitung mit

nach Gl. (LEI 28):

1
vgr =

 p 
! "r
c0

d!

p
p
= c"r + c! dd!"r
| {z }
| {z }
0

vph

Dispersionsanteil

Der Dispersionsanteil ist bei einer verlustarmen Leitung i.A. sehr klein.
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(12)

Hochfrequenztechnik I

WEL/3

Wellenausbreitung auf Leitungen

t=konst.

4
1 2

u(z , t)

vgr

vph

Abb. 2: Phasen- und Gruppengeschwindigkeit bei der Ausbreitung einer Schwingung.

2.

Leitung bei kleinen Frequenzen

R0  !L0 und G 0 = 0:

Es ergibt sich dann mit Gl. (LEI 10) fr

= R0 j!C 0
p

und damit

= =

) vph
) vgr

np

j!C 0 R0 =
o

!R0 C 0
2

= ! = R20!C 0
s
d!
= d = R80!C 0 = 2  vph
s

Die Gruppengeschwindigkeit ist dann doppelt so gro wie die Phasengeschwindigkeit.


Wegen vgr 6= vph erhalten wir eine hohe Dispersion.

2 Reexion am Leitungsende
Wir betrachten eine Leitung mit einem Abschlusswiderstand Z e . Anschaulich kann man sich vorstellen,
dass die hinlaufende Welle am Abschlusswiderstand reektiert wird und z.T. wieder zum Anfang der
Leitung zurckluft, wie Abb. 3 fr einen festen Zeitpunkt zeigt.
Der Spannungs- und Stromverlauf auf der Leitung ist darstellbar durch die Gl. (LEI 12) und (LEI 13):

U (z ) = U h (z ) + U r (z )
U (z )
I (z ) = I h (z ) + I r (z ) = Zh
L

U r (z )
ZL

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(13)
(14)

Hochfrequenztechnik I

Wellenausbreitung auf Leitungen

WEL/4

Abb. 3: Ausbreitung einer Wechselspannung auf einer Leitung mit beliebigem Abschlusswiderstand:
Die hin- und rcklaufende Welle bestimmen Strom- und Spannungsverlauf entlang der Leitung.
Das Verhltnis von Spannung zu Strom am Ende der Leitung (z = L) ist durch den Abschlusswiderstand festgelegt. Es gilt:
U (L)
= Z e = Z L U h (L) + U r (L)
(15)

I (L)

U h (L) U r (L)

Man kann nun einen Reexionsfaktor einfhren, der diese reektierte Wellenamplitude am Leitungsende
zu der hinlaufenden Wellenamplitude in Beziehung setzt:

U (L)
r (L) = U r (L)

(16)

1 + r (L)
Z e = Z L 1 r (L) ;

(17)

Gl. 16 lsst sich nun in Gl. 15 einsetzen:

woraus man den Reexionsfaktor erhlt:

) r = r (L) = ZZ e + ZZ L
e

(18)

Der Reexionsfaktor kann sowohl durch das Verhltnis der Spannungen von hin- und rcklaufender
Welle als auch durch deren Strme beschrieben werden:

U r (L)
U h (L) = r ;

I r (L)
I h (L) = r

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(19)

Hochfrequenztechnik I

WEL/5

Wellenausbreitung auf Leitungen

2.1 Beispiele

1.

Anpassung:

Ze = ZL

Es ergibt sich

r =0

(20)

Die hinlaufende Welle luft somit in den Abschlusswiderstand hinein, ohne dass eine reektierte
Welle entsteht.
2.

Kurzschluss:

Ze = 0

Es ergibt sich mit Gl. 18:

Z
r = Z L = 1:
L

(21)

r = +1

(22)

Die Spannung am Ende der Leitung wird zu Null erzwungen. Die hinlaufende Welle wird damit
vollstndig am Leitungsende reektiert, d.h. die gesamte Energie der Welle luft wieder zurck.
3.

Leerlauf:

Ze ! 1

Es ergibt sich mit Gl. 18:

Der Strom wird am Ende der Leitung wird zu Null erzwungen. Die Welle wird auch vollstndig
reektiert, so dass die gesamte Energie der Welle wieder zurckluft.
4.

reaktiver Abschluss:

Z e = jX , z.B. jX = j!L oder jX = j!C


1

Mit Gl. 18 ergibt sich:

jX Z
r = jX + Z L

(23)

Fr reellen Leitungswellenwiderstand ZL gilt dann: r = exp(j ) mit = 2  arctan ZXL .


D.h. die Welle wird auch dann vollstndig reektiert: jr j = 1, aber mit einer Phasendrehung .


3 Reexionsfaktor an beliebiger Stelle z auf der Leitung


Die hinlaufende Wellenamplitude lsst sich auch auf das Leitungsende beziehen:

U h (z ) = U exp( z ) = U h (L) exp[ (L z )]


1

(24)

In derselben Art kann man die rcklaufende Welle beschreiben:

U r (z ) = U exp( z ) = U r (L) exp[ (L z )]


2

(25)

Damit ergibt sich der eektive Reexionsfaktor an der Stelle z (nicht mehr am Leitungsende):

U (z ) U (L)
r (z ) = U r (z ) = U r (L) exp[ 2 (L z )] = r (L)  exp[ 2 (L z )]
h

(26)

Der Reexionsfaktor an einer beliebigen Stelle z hngt damit in einfacher Weise mit dem Reexionsfaktor am Ende der Leitung zusammen.

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Hochfrequenztechnik I

Wellenausbreitung auf Leitungen

WEL/6

Wenn man in der Ausbreitungskonstanten = + j die Dmpfungs- und die Phasenkonstante jeweils
getrennt bercksichtigt, erhlt man fr den Spannungsverlauf:

U (z ) = U h (L) exp[ (L z )] exp[j (L z )] + U r (L) exp[ (L z )] exp[ j (L z )]

(27)

In gleicher Art und Weise beschreibt man den Stromverlauf:

Z L  I (z ) = U h (L) exp[ (L z )] exp[j (L z )] U r (L) exp[ (L z )] exp[ j (L z )]

(28)

In Abb. 4 ist der Verlauf der Strom- und Spannungsamplituden jI j und jU j einer verlustbehafteten
Leitung im Falle eines Kurzschlusses am Ende der Leitung dargestellt.

Abb. 4: Die Betrge des Spannungs- und Stromzeigers schwanken entlang der Leitung zwischen zwei
Hllkurven.
j
nennt man Stehwellenverhltnis s (engl. standing
Das Verhltis aus den beiden Einhllenden s = jjUUmax
min j
wave ratio, SWR ) oder Welligkeit.
U max ergibt sich bei bereinstimmung der Phase von hin- und rcklaufender Welle U h und U r :

jU max j = jU h j + jU r j = jU h j(1 + jr (z )j)

(29)

U min ergibt sich bei entgegengesetzter Phase:

jU min j = jU h j jU r j = jU h j(1 jr (z )j)

(30)

Somit kann man fr das Stehwellenverhltnis allgemein schreiben:

1 + jr (z )j
s = 1 j r (z )j

(31)

D.h. bei reexionsfreiem Abschluss r = 0 erhlt man eine Welligkeit von s = 1, ist die Reexion jedoch
maximal, also z.B. r = 1, ergibt sich eine Welligkeit von s ! 1.

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Hochfrequenztechnik I

Wellenausbreitung auf Leitungen

WEL/7

Der Betrag des Reexionsfaktors hngt nur vom Betrag des Reexionsfaktors am Ende der Leitung
r (L) und der Dmpfungskonstanten der Leitung ab (siehe auch Gl. 26):

jr (z )j = jr (L)j exp[ 2 (L z )]

(32)

Daraus ergibt sich, dass bei verlustbehafteten Leitungen zum Generator hin (z ! 0) der Betrag des
Reexionsfaktors jr (z )j kleiner wird, und die Welligkeit dem Wert s ! 1 entgegenstrebt.
Bei verlustfreien Leitungen ( = 0) wird jr (z )j und damit die Welligkeit unabhngig vom Ort z .
3.1 Beispiele

1.

Annahme

r (L) =

1
2

, verlustbehaftete Leitung mit

6= 0:

Die Gl. (27) und (28) lassen sich grasch veranschaulichen, siehe dazu Abb. 5. Hier ist der
Spannungszeiger entlang einer Leitung mit L =  dargestellt.

Abb. 5: Wellenausbreitung entlang einer verlustbehafteten Leitung mit L =  und r (L) =


2.

1
2

r (L) = +1, keine Verluste, = 0, und damit Z L = ZL reell:


Es ergibt sich unter o.g. Annahmen gem Gl. 27 folgender Spannungsverlauf U (z ):

Leerlauf am Ende der Leitung,

U (z ) = U h (z = L)[exp[j (L z )] + exp[ j (L z )]]


U (z ) = 2U h (z = L) cos[ (L z )]
Fr (L z ) 2 f0; ; 2; 3:::g, ergeben sich Spannungsmaxima bzw. -buche.
Spannungsknoten (U (z ) = 0) ergeben sich fr (L z ) 2 f 2 ; 32 ; 52 ; 72 :::g.
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(33)
(34)

Hochfrequenztechnik I

Wellenausbreitung auf Leitungen

WEL/8

Dieser Spannungsverlauf ist in Abb. 6 dargestellt. Den Stromverlauf kann man analog beschreiben:

Z h (z = L) 
exp[
j
(
L
z
)]
exp[
j
(
L
z
)]
ZL
2jU h (z = L) sin[ (L z )]
I (z ) =
Z

I (z ) =

Strom und Spannung sind um

(35)
(36)

90 gegeneinander zeitlich verschoben (siehe Abb. 6).

An der Stelle der Spannungsbuche entstehen Stromknoten, und bei den Spannungsknoten
entstehen Strombuche.

|U|

|U|

Abb. 6: Bei einem Leerlauf am Ende der verlustlosen Leitung bilden sich stehende Wellen. Strom und
Spannung sind gegeneinander um 90 oder z = 2 = 4 phasenverschoben.

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Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/1

1 Spannungs- und Stromtransformation

Wir wollen die Leitung in Abb. 1 als Vierpol betrachten. Dann knnen wir Beziehungen zwischen den
Spannungen und Strmen am Anfang U a , I a und am Ende U e und I e herstellen:

U a = U h (0) + U r (0) = U 1 + U 2
U (0) U r (0) U 1 U 2
I a = Zh
ZL = ZL ZL
L
U e = U h (L) + U r (L) = U 1 exp( L) + U 2 exp(+ L)
U (L) U r (L) 1
I e = Zh
Z L = Z L (U 1 exp( L) U 2 exp(+ L))
L

(1)
(2)
(3)
(4)

Abb. 1: Betrachtung der Leitung als Vierpol.


Nun kann man Gl. (3) und (4) nach

U 1 und U 2 ausen:
Ue + ZL  Ie

U1 =

Ue ZL  Ie

U2 =

exp(+ L)

(5)

exp( L)

(6)

Gl. (5) und (6) lassen sich nun in Gl. (1) und (2) einsetzen, so dass man einen Ausdruck fr U a erhlt:

U a = U e 2 fexp( L) + exp( L)g +Z L  I e 2 fexp( L) exp( L)g


|
{z
}
|
{z
}
cosh( L)

sinh( L)

) U a = U e cosh( L) + Z L  I e sinh( L)

(7)

Wenn entsprechend Gl. (5) und (6) in Gl. (2) eingesetzt werden, ergibt sich fr den Strom am Anfang
der Leitung:

U
I a = Z e sinh( L) + I e cosh( L)

(8)

Zusammengefasst kann man obige Gleichungen als Kettenmatrix schreiben:

U
a

Ia

= cosh( L) Z L  sinh( L)
sinh( L)=Z L cosh( L)

U
e

Ie

(9)

Mit solch einer Kettenmatrix lassen sich auch Hintereinanderschaltungen von Leitungen beschreiben.
Dann mssen die Matrizen, die die einzelnen Leitungen beschreiben, miteinander multipliziert werden.

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Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/2

2 Widerstandstransformation

Der Abschlusswiderstand Z e
Ua
Ia

= UI

sei bekannt. Gesucht ist dann der transformierte Widerstand Z a

am Anfang der Leitung. Zur Bestimmung des transformierten Widerstands muss man nur das
Verhltnis von Spannung zu Strom am Anfang der Leitung bilden. Aus Gl. (7) und (8) folgt dann mit
Ue = Ze  Ie :

Z e cosh( L) + Z L sinh( L)
Ua
=
Z
a = ZL
Ia
Z e sinh( L) + Z L cosh( L)

(10)

L)
) Z a = Z L ZZ e ++ ZZL tanh(
tanh( L)

(11)

und damit

2.1 Spezialflle

1. Anpassung: Z e = Z L
Der Abschlusswiderstand transformiert sich unverndert an den Anfang der Leitung:
2. Sehr lange, verlustbehaftete Leitung mit

Za = ZL.

 z  1:

) sinh( L)  21 exp( L)  cosh( L) ) tanh( L)  1


) Za = ZL
D.h. die Welle sieht den Abschlusswiderstand am Ende der Leitung nicht mehr und wird nur
durch die Leitung selbst beeinusst.
3. Verlustfreie Leitung mit = 0:
Der Leitungswellenwiderstand einer solchen Leitung ist rein reell: Z L
tungskonstante gilt = j , so dass sich ergibt:

= ZL , und fr die Ausbrei-

sinh( L) = sinh(j L) = j sin( L) tanh(j L) = j  tan( L);


cosh( L) = cosh(j L) = cos ( L)

(12)

woraus dann aus Gl. (11) folgt:

tan( L)
) Z a = ZL ZZ e ++ jj ZZL tan(
L)
L
e

(13)

2.2 Spezialflle einer verlustfreien Leitung

1.

 -Leitung:
4

Damit gilt

Eine

 -Leitung
4

ist durch eine Leitungslnge

L=


4

bzw.

tan(  L) ! 1;

L =


2

charakterisiert.
(14)

und aus Gl. (13) folgt fr die Impedanz am Anfang der Leitung:

) Z a = ZZL
2

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(15)

Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/3

Entsprechend Gl. (15) fhrt damit eine 4 -Leitung zu einer Impedanzinversion. Eine 4 -Leitung
lsst sich auch zur Impedanzanpassung verwenden. Wenn z.B. Z e = Re und Z a = Ra vorgegeben
sind, lsst sich die Forderung erfllen, wenn ZL als geometrischer Mittelwert beider Widerstnde
gewhlt wird:
p
ZL = Ra Re
(16)
2.

 -Leitung:

Eine 2 -Leitung wird durch


aus Gl. (13) folgt einfach:
2

 L =  charakterisiert. Daher ist tan(  L) = 0, und


Za = Ze

(17)

3. Kurzschluss: Bei einem Kurzschluss am Leitungsende wird Z a rein reaktiv und aus Gl. (13) folgt:

Z a = j ZL tan(  L)

(18)

Der Verlauf der Impedanz Z a ist in Abb. 2a als Funktion von  L dargestellt. Da (zumindest fr
TEM-Wellen) gem Gl. (LEI 25) proportional zur Frequenz ! ist, lsst sich die  L-Achse
in Abb. 2 auch als Frequenzachse interpretieren.
Fr kleine Frequenzen (  L < 2 ) ist danach das Verhalten der kurzgeschlossenen Leitung
induktiv whrend fr L  2 das Impedanzverhalten dem eines Parallelschwingkreises entspricht
(eine genauere Betrachtung erfolgt in Abschnitt 2.3). Fr grere Frequenzen wird das Verhalten
dann kapazitiv, und fr L   ergibt sich dann das Verhalten eines Serienschwingkreises. Dieses
Verhalten setzt sich dann zu hheren Frequenzen hin periodisch fort.
4. Leerlauf: Fr

Z e ! 1 folgt aus Gl. (13)


Z a = j ZL cot(  L);

(19)

wobei dieser Verlauf in Abb. 2b dargestellt ist. Hier ergibt sich fr kleine Frequenzen zunchst
ein kapazitives Verhalten, whrend sich bei  L  2 ; 32 ; 52 : : : ein Serienschwingkreis und fr
 L  ; 2; 3 : : : ein Parallelschwingkreis ergibt.
a)

b)

Abb. 2: Eingangsimpedanz einer verlustlosen Leitung bei a) Kurzschluss- bzw. b) Leerlauf am Ende
der Leitung.

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Hochfrequenztechnik I
2.3 Vergleich zwischen

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

4

SMI/4

-Leitung und Schwingkreis

Als Beispiel fr einen Schwingkreis wird eine kurzgeschlossene 4 -Leitung betrachtet. In der Umgebung
von  L = 2 entspricht dann das Impedanzverhalten dem eines Parallelschwingkreises entsprechend
Abb. 3:

Abb. 3: Vergleich zwischen kurzgeschlossener Leitung und einem Parallelschwingkreis.


Im Folgenden haben wir das Ziel, die Ersatzelemente L1 ; C1 ; R des Parallelschwingkreises so zu bestimmen, dass Z a fr  L  2 korrekt beschrieben wird.
2.3.1 Betrachtung der kurzgeschlossenen Leitung

Die Verluste der Leitung sollen jetzt mit bercksichtigt werden, so dass aus Gl. (11) fr Z e

Z a = ZL tanh( L)
Fr die Extraktion der Ersatzelemente

mit
bzw.
ergibt zu:

(20)

L1 ; C1 ; R ist es zweckmiger, die Admittanz zu betrachten:

Y a = Z = Z coth( L)
L
a
Wir wollen uns auf kleine Verluste L  1 beschrnken, so dass mit
sich

= 0 folgt:

(21)

L = L + j L

(22)

L) + exp( L)
coth( L) = exp(
exp( L) exp( L)

(23)

exp( L)  exp(j L)(1 + L)


exp( L)  exp( j L)(1 L)
j L) + exp( j L) + L[exp(j L) exp( j L)]
coth( L) = exp(
exp(j L) exp( j L) + L[exp(j L) + exp( j L)]
L) + j L sin( L)
= jcos(
sin( L) + L cos( L)
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(24)

Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

Da wir den Schwingkreis in der Nhe von  L  2 betrachten, wird


Admittanz Y a folgt aus Gl. (21) mit (24) fr L  1 und L  2 :

1
Ya = Z

cos( L) sehr klein, und fr die

cos( L)
j sin( L) + L

(25)

= !=Vph und der Resonanzfrequenz !0 fr  L = 2

Mit = ! "r =c0 bzw.


aus Gl. (25):

= Z1 [ j cot( L) + L] = Z1

Ya

= Z1

was sich fr

"

SMI/5

(d.h.

!0 L
vph

= 2 ) folgt

!L
j cot v + L
ph

(! !0 )L +  + L ;
j cot
v
2

ph

(26)

(! !0 ) vL  1 nherungsweise schreiben lsst als:


ph

1 (! ! )L
Y a  Z j v 0 + L

ph

(27)

2.3.2 Vergleich mit diskretem Schwingkreis

Der Gesamtleitwert des Parallelschwingkreises in Abb. 3 kann folgendermaen dargestellt werden:

Y a = j !C1


1
+
!L1
R


Wenn man nun die Resonanzfrequenz !0 = pL1 C einfhrt und Frequenzen in ihrer Nhe (j!
1 1
!0 ) betrachtet, erhlt man folgenden Ausdruck:

Y a  j (! !0 )  2C1 + R

(28)

!0 j 
(29)

Durch Koezientenvergleich mit Gl. (27) erkennt man, dass sich der Leitungsresonator in der Nhe
der Resonanzfrequenz !0 durch einen quivalenten Schwingkreis ersetzen lsst, dessen quivalente
diskrete Bauelemente folgende Gren haben:

L
C
C1 = 2 Z v = 2  L;
L ph
0

wobei von

ZL = L =C
p

und

vph = 1= L C
0

Gebrauch gemacht wurde. Weiterhin ergibt sich

Z
L 1
R = LL = C  L
8L
L1 = 2  L:
s

Die Gte

(30)

(31)
(32)

Q des Schwingkreises ergibt sich zu:


!
Q = !0 C1  R = 2 0v

ph

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(33)

Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/6

2.3.3 Beispiel

Fr f0 = 2!0 = 1000 MHz und vph = 2  108 ms , sowie = 0; 1 dB


m ergibt sich eine Gte von Q = 1370.
Die Lnge L des Leitungsschwingkreises wird dann zu L = 5 cm. Es lassen sich umso hhere Gten
erreichen, je geringer die Dmpfung und je hher die Resonanzfrequenz wird.
3 Smith-Diagramm

Eine Impedanztransformation ist auch mit Hilfe des sog. Smith-Diagramms mglich. Dazu wird die
Gl. (WEL 18) zunchst auf den Leitungswellenwiderstand normiert:

Z =Z 1 z 1
r = Z e =Z L + 1 = z + 1
e

(34)

Hierbei ist z die normierte Impedanz am Ende der Leitung  nicht zu verwechseln mit der Ortskoordinate z !
Gl. (34) beschreibt eine konforme Abbildung von der z -Ebene (z = u + jv ) in die r -Ebene. Physikalisch realisierbar als passive Abschlsse sind nur Impedanzen mit <(z ) > 0 (nur positive ohm'sche
Widerstnde). Die rechte z -Halbebene mit <(z ) > 0 wird in das Innere des Einheitskreises abgebildet.

Abb. 4: Das Smith-Diagramm ist die Abbildung der rechten z -Halbebene in den Einheitskreis in der
r -Ebene.

3.1 Abbildung ausgezeichneter Punkte

Die imaginre Achse in der z -Ebene wird auf den Einheitskreis in der r -Ebene abgebildet:

jv 1
z = j  v ) r = jv + 1 = exp(j) mit  =  2 arctan(v )

Die reelle Achse in der z -Ebene wird wiederum auf die reelle Achse der r -Ebene abgebildet:

u 1
z =u )r = u+1 )

rein reeller Bruch,

wobei sich fr den Bereich u > 0 reelle Werte r zwischen


(Leerlauf, u ! 1) innerhalb des Einheitskreises ergeben.

r = 1 (Kurzschluss, u = 0) und r = +1

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Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/7

Abb. 5: Smithdiagramm als konforme Abbildung der rechten z -Halbebene in den Einheitskreis jr j  1
in der r -Ebene gem r = (z 1)=(z + 1): a) Abbildung der imaginren Achse und der reellen
Achse (u > 0) in die r -Ebene, b) Abbildung von Geraden mit u = <(z ) = const , c) Abbildung von
Geraden mit v = =(z ) = konst .
Weitere ausgezeichnete Punkte:
Anpassung:

z =1

Kurzschluss:

z =0

Leerlauf:

z !1

)
)
)

r =0
r= 1
r = +1

Impedanzwerte mit konstantem Realteil werden in Kreise abgebildet, deren Mittelpunkte auf der
reellen Achse der r -Ebene liegen und durch r = 1 gehen.
Impedanzwerte mit konstantem Imaginrteil werden ebenfalls in Kreise abgebildet, die durch
r = 1 gehen, deren Mittelpunkte aber auf der mit A bezeichneten Achse liegen.

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Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/8

=(r ) > 0 , =(z ) > 0.


Die untere Halbebene der r -Ebene zeigt kapazitives Verhalten: =(r ) < 0 , =(z ) < 0.

Die obere Halbebene der r -Ebene zeigt induktives Verhalten:

Das Innere des Einheitskreises in der r -Ebene wird auch als Smith-Diagramm bezeichnet und ist
nochmals in Abb. 6 dargestellt. Die Parameter im Smith-Diagramm bezeichnen jeweils u und v aus
der z -Ebene.

Abb. 6: Smith-Diagramm.

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Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/9

4 Impedanztransformation mit dem Smith-Diagramm

Mit dem Smith-Diagramm lsst sich in sehr einfacher Form die Impedanztransformation entlang einer
Leitung beschreiben. Die Transformation des Reexionsfaktors vom Leitungsende an den Leitungsanfang erfolgt gem Gl. (WEL 26):

r (0) = r (L) exp( 2 L)


= r (L) |exp( {z2 L})

exp(
2j  L})
|
{z

(35)
(36)

Dmpfung Phasendrehung zum Generator

Z =Z 1 z (L) 1
r (L) = Z e =Z L + 1 = z (L) + 1
e
L
Z a =Z L 1 z (0) 1
r (0) = Z =Z + 1 = z (0) + 1
a

(37)
(38)

Somit ist die Vorgehensweise folgendermaen:


Z e sei vorgegeben, dann ergibt sich die normierte Impedanz am Leitungsende zu:

Z
z (L) = Z e

(39)

z (L) wird nun im Smith-Diagramm eingetragen, so dass r (L) vorliegt. Im Smith-Diagramm wird dann
r (L) gem Gl. (36) in r (0) umgewandelt. Aus r (0) folgt dann die normierte Impedanz z (0), woraus
dann schlielich nach Entnormierung die gesuchte Impedanz am Anfang der Leitung entsteht.
4.1 Beispiel:

Z e = 25
(1 j ); ZL = 50
; L = =8.

Z e = 25
(1 j ) ) z (L) = 2 (1 j )

Aus z (L) ergibt sich r (L) in Abb. 7. Mit der Annahme, dass die Verluste exp( 2 L) = 12 betragen,
folgt aus Gl. (36) ein jr (0)j = 21 jr (L)j.
Die Leitungslnge L = 8 fhrt zu einer Phasendrehung 2   L = 2 , so dass sich dann r (0) in Abb. 7
ergibt. Aus dem Smith-Diagramm lsst sich dann z (0) = 0; 65+ j 0; 15 ablesen, woraus sich schlielich
ein Z a = 32; 5
+ j 7; 5
ergibt.
4.2 weitere Beispiele

1. verlustlose, am Ende kurzgeschlossene Leitung mit


2. verlustlose, am Ende oene Leitung mit

L


L


= 0; 199 ) Z a = 3j ZL

= 0; 1 ) Z a = 1; 4j ZL

4.3 Vorgehensweise bei komplexeren Fragestellungen

Wenn man z.B. eine Impedanztransformation an den Anfang einer verketteten Leitung mit unterschiedlichen Leitungswellenwiderstnden vornehmen mchte (siehe Abb. 8), muss man folgendermaen
vorgehen:

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Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

r(0)

L/0=0,125

r(L)

Abb. 7: Smith-Diagramm zum Beispiel 4.1.

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SMI/10

Hochfrequenztechnik I

1.

Ze

bezglich

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

Z L2 normieren

2. Mit Smith-Diagramm die Impedanz


3. Die Impedanz
4.

SMI/11

Z a2 am Anfang von Leitung 2 ermitteln

Z e 1 am Ende von Leitung 1 ist gegeben durch Z e 1 = Z a2 + Z 0

Z e 1 bezglich des Leitungswellenwiderstands der Leitung 1, Z L1 normieren

5. Mit Smith-Diagramm die Impedanz

Z a bestimmen

Abb. 8: Leitungsanordnung mit zwei seriell verschalteten Elementen

Z 0 und Z e .

5 Transformation von Admittanzen mit dem Smith-Diagramm

In den letzten Abschnitten wurde der Reexionsfaktor r immer bezglich der normierten Impedanz z
betrachtet. Nun soll beschrieben werden, wie das Smith-Diagramm bezglich der normierten Admittanz
y verwendet werden kann. Dazu soll noch einmal die Abbildungsvorschrift fr z und analog dazu von
y angegeben werden:

z 1
Z Z
r = Ze + ZL = z + 1
e
L
ZL Ze y 1
r = Z +Z = y +1
L
e

mit
mit

Z
z = Ze
L
ZL 1
y=Z =z
e

Daraus ist ersichtlich, dass sich r zu z verhlt, wie r zu y .


Graphisch lsst sich dieser Zusammenhang durch eine Punktspiegelung am Koordinatenursprung darstellen.

) Im Smith-Diagramm ist y bei bekannter Impedanz z durch Spiegelung am Ursprung bestimmbar.


5.1 Beispiel

Die normierte Impedanz am Ende der Leitung sei

z = 0; 15 + j  0; 55:

z = 0; 15 + j  0; 55
) y = 0; 5 j  1; 7
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Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/12

Abb. 9: Smith-Diagramm  Spiegelung am Ursprung zur Transformation von Impedanzen zu Admittanzen und umgekehrt.

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Hochfrequenztechnik I

Impedanztransformation, Smith-Diagramm

SMI/13

Der Vorgang der Spiegelung ist in Abb. 9 dargestellt.


5.2 Vorgehensweise bei komplexeren Fragestellungen

Die Transformation von y mit dem Smith-Diagramm erfolgt vllig analog zur Transformation von z .
Die Betrachtung der Admittanzen ist zweckmig bei Leitungsanordnungen, die parallelgeschaltete
Elemente beinhalten, weil sich dann ihre Admittanzen addieren.
5.2.1 Beispiel fr Analyse mit Admittanzen

Abb. 10: Leitungsanordnung mit parallelgeschalteten Elementen.


Ein Beispiel fr eine Anordnung mit parallel verschalteten Elementen ist in Abb. 10 dargestellt. Wir
wollen folgende Annahmen machen. Sie sollten dieses Beispiel selbst bearbeiten.

L1 = 0; 176 ; L2 = 0; 125 ; verlustfreie Leitungen


Z L1 = Z L2 = Z L ; Y e = 0 (Leerlauf); Z 0 = ZL
) y a = Y a  ZL = ZZL = 1 j
a

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Hochfrequenztechnik I

Streumatrix

STR/1

In den letzten Abschnitten wurden die Hochfrequenzsignale mit Strom- und Spannungsamplituden
beschrieben. Da diese Signale elektromagnetische Wellen darstellen, die sich auf Leitungen ausbreiten,
kann man sie auch allgemeiner mit Wellenamplituden beschreiben. In dieser Darstellung ist es dann
sinnvoller, die Wellenamplituden nicht auf Strom oder Spannung, sondern auf die von der Welle gefhrte Leistung zu beziehen. Bauelemente lassen sich dann in Form von Streumatrizen charakterisieren,
die durch die hinein- und herauslaufenden Wellenamplituden deniert werden, die relativ einfach zu
messen sind.

1 Normierte Wellenamplituden
Zuerst wollen wir, ausgehend von Strom- und Spannungsamplituden, das Konzept der normierten
Wellenamplituden einfhren. Diese normierten Wellenamplituden sollen auf die transportierte Leistung
bezogen werden. Um die transportierte Leistung auf einer Leitung berechnen zu knnen, gehen wir
von Strom und Spannung auf der Leitung aus:

U (z )
I (z )

=
=

U (z ) + U (z )
U (z ) U (z )
;
Z
h

(1)
(2)

mit U h (z ) = U 1 exp( z ) und U r (z ) = U 2 exp( z ) fr die hin- bzw. rcklaufende Welle. Im


Folgenden wollen wir eine verlustfreie Leitung annehmen, so dass der Leitungswellenwiderstand ZL
reell wird:

=0

Abb. 1: Beschreibung einer Leitung mit Strom- und Spannungszeigern


Aus den Gl. (1) und (2) lsst sich die transportierte Leitung
berechnen:

P (z )

=
=

) P (z )

1
2
2

in

z -Richtung

an der Stelle

<fU (z )I (z )g
2
2


Z <fjU (z )j jU (z )j + U| U {z U U }g

jU (z )j2
h

Z
{z

|
}
hinlaufende Leistung

jU (z )j2
r

Z
{z

2j =fU r U h g

|
}
rcklaufende Leistung

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(3)

Hochfrequenztechnik I

Streumatrix

STR/2

Solange der Leitungswellenwiderstand reell ist, besteht die auf der Leitung gefhrte Leistung also
aus einem hinlaufenden Teil, der proportional zu jU h j2 ist, und einem rcklaufenden Teil proportional
zu jU r j2 . Daher ist es sinnvoll, normierte, leistungsbezogene Wellenamplituden einzufhren, die die
hinlaufende und rcklaufende Welle reprsentieren:

U (z )
a(z ) = p ;
Z

U (z )
b(z ) = p :
Z

Die Beschreibung der Leistung vereinfacht sich dann folgendermaen:

P (z ) = 2 fja(z )j2 jb(z )j2 g:


1

(4)

Spannung und Strom ergeben sich dann aus den berlagerungen der hin- und rcklaufenden Wellen:

U (z )
I (z )

=
=

Z fa(z ) + b(z )g
pZ fa(z ) b(z )g

(5)

(6)

Die Gren ja(z )j und jb(z )j lassen sich einfach aus Leistungsmessungen bestimmen.
Der Reexionsfaktor ergibt sich wie gehabt als Verhltnis der rck- zur hinlaufenden Welle:

U (z ) b (z )
r (z ) = U (z ) = a(z )

(7)

2 Beschreibung eines Zweitores mit der Streumatrix


Wir wollen nun basierend auf den normierten Wellenamplituden ein lineares Netzwerk in Form eines
Zweitors mit der sog. Streumatrix beschreiben.

Abb. 2: Beschreibung eines Zweitors.


Die in Abb. 2 dargestellten Gren sind wie folgt deniert:

a1 ; a2
b1 ; b2

Wellenamplituden, die in das Netzwerk hineinlaufen


Wellenamplituden, die aus dem Netzwerk herauslaufen

Die herauslaufenden Wellenamplituden b1 und b2 lassen sich durch die Streumatrix S mit den hineinlaufenden Wellenamplituden a1 und a2 verknpfen:

b1
b2

=
|

S 11 S 12
S 21 S 22

a1
a2

{z
}
Streumatrix S

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(8)

Hochfrequenztechnik I

Streumatrix

STR/3

Hierbei entsprechen die beiden Komponenten S 11 und S 22 den Reexionsfaktoren bei ausgangs- bzw.
eingangsseitiger Anpassung. Die beiden anderen Komponenten S 21 und S 12 beschreiben die Transmission in Hin- bzw. in Rckrichtung.
2.1 Beispiele

Zwei Beispiele sollen die Eigenschaften von Streumatrizen verdeutlichen.


1.

Leitung mit Wellenwiderstand

und Lnge

L:

Wenn wir die hin- und rcklaufenden Wellen betrachten, ergibt sich eine Phasendrehung (und
Dmpfung) gem der Lnge der Leitung:

b2 = a1 exp( L)
b1 = a2 exp( L)

(9)
(10)

Damit ergibt sich die Streumatrix zu:

)S=
2.

0
exp(

L)

exp(

L)

(11)

Serienwiderstand in einer Leitung:

Abb. 3: Serienwiderstand in einer Leitung.

Zuerst betrachten wir den Streuparameter S 11 : Bei reexionsfreiem Abschluss am Tor 2 ergibt
sich dort ein Ausgangswiderstand ZL , womit sich in Abb. 3 ein Eingangswiderstand Z 0 + ZL
ergibt. Gem Gl. (8) lsst sich schreiben:

S 11 =

b1
a1

=
a2

=0

Z
Z

( 0+
( 0+

Z
Z

L
L

Z
)+Z
)

L
L

Z0

Z0

Die Schaltung weist eine Symmetrie auf: Sie ist spiegelsymmetrisch, so dass das Verhalten
der Schaltung unabhngig davon ist, ob sich die Welle von links nach rechts oder umgekehrt
ausbreitet. Der Reexionsfaktor muss also an beiden Toren gleich sein:

S 11 = S 22 :

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Hochfrequenztechnik I

Streumatrix

Nun betrachten wir die Transmission:

S 21 =

STR/4

b2
a1

a2

=0

Dei reexionsfreiem Abschluss am Tor 2 (ausgedrckt durch


Spannungsteiler:

U2
U1

a2 = 0) ergibt sich in Abb. 3 ein

(12)

Z0 + Z
mit a1 und

beinhaltet dabei die hinlaufende Welle


die rcklaufende Welle mit b1 , so dass
sich U 1 = U h;1 (1 + S 11 ) schreiben lsst (U h1  Spannung der hinlaufenden Welle am Tor 1). Es
ergibt sich damit

U1

S 21 =

b2
a1

a2

=0

U2
U1
h

U2 U1
U1 U 1
h

Z0 + Z

(1 +

S 11 ) = Z

Z

0+2

Z

(13)

Auerdem gilt Reziprozitt: Die Richtung der Ausbreitung hat keine Auswirkung auf die Ausbreitungseigenschaften. Eine Welle, die sich von Tor 1 nach 2 ausbreitet, erfhrt die gleiche
bertragung, wie eine Welle, die sich in entgegengesetzter Richtung ausbreitet. Fr die Streumatrix ergibt sich somit:

S 21 = S 12 :

Die Beziehung

S 21 = S 12 gilt bei allen reziproken, auch unsymmetrischen Netzwerken!

3 Signalussdiagramm
Eine einfache Beschreibung der Wellen ist mit dem Signalussdiagramm mglich. Darin stellt jeder
Knoten die Summe der in ihn hineinlaufenden Wellenamplituden dar. Jeder Pfad fordert die Multiplikation mit dem Wert, der dem Pfad zugeordnet ist. Solch ein Signalussdiagramm ist in Abb. 4 dargestellt.
Wir stellen einen Vierpol mit bekannten Streuparametern im Signalussdiagramm dar:

Abb. 4: Signalussdiagramm eines Zweitors.


Fr die beiden herauslaufenden Wellenamplituden des Zweitors bzw. Vierpols ergeben sich demnach
folgende Beziehungen:

b2 = S 21 a1 + S 22 a2 ;

b1 = S 11 a1 + S 12 a2

Das Signalussdiagramm fr zwei hintereinandergeschaltete Vierpole ist in Abb. 5 dargestellt.

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Hochfrequenztechnik I

Streumatrix

3.1 Beispiel: Beschreibung der Transmission

S 0021

STR/5
durch zwei Vierpole


b
Wir betrachten beispielhaft die Transmission S 0021 = a2
in Abb. 5. Als Hilfsgre fhren wir hier
1 a2 =0

die Wellenamplitude

b
Es ergibt sich dann fr

woraus dann fr

S 0021 =

ein:

a  S 21 + b S 011  S 22

= 1

b2 :
b2
a1

b2 = S 021  b
a2

=0

= 1

= 1

S 21
S 011 S 22

S 21 S 021
;
1 S 011 S 22

folgt:

S S0
S 0021 = 1 21S 0 21S
11 22

Abb. 5: Signalussdiagramm zwei hinter einander geschalteter Zweitore.

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Hochfrequenztechnik I

IMP/1

Impulse auf Leitungen

1 Vorberlegung

Bisher wurde nur die bertragung harmonischer Signale einer bestimmten Frequenz betrachtet. Allerdings werden auch pulsfrmige Vorgnge mit Leitungen bertragen. Um diese Vorgnge beschreiben
zu knnen, hat man grundstzlich die Mglichkeit, die Pulse mittels der Fourier-Transformation in
seine Spektralanteile zu zerlegen und dann die bertragung dieser Anteile getrennt von einander zu
betrachten. Schlielich mssen die bertragenen Spektralanteile wieder berlagert werden, indem man
eine Fourier-Rcktransformation vornimmt. Diese allgemeine Vorgehensweise ist immer mglich, jedoch ist sie sehr aufwndig und wird insbesondere bei verlustbehafteten oder dispersiven Leitungen
angewandt.
2 Pulsausbreitung auf verlustfreien, nicht dispersiven Leitungen

Wir wollen im Folgenden die Pulsausbreitung in verlustfreien und nicht dispersiven (vph = vgr = v )
Leitungen betrachten. Der Ausgangspunkt sind die bereits bekannten Leitungsgleichungen (LEI 3 und
LEI 4), wobei die Komponenten, die die Verluste beschreiben, vernachlssigt werden (R = G = 0)
und die Induktivitts- und Kapazittsbelege L und C frequenzunabhngig werden:
0

@i
@t
@u
C0 :
@t

@u
=
@z
@i
=
@z

(1)

L0

(2)

Wenn man nun die Gl. (1) partiell nach z und Gl. (2) partiell nach t ableitet, erhlt man eine Wellengleichung:

@2i
@2i
@2u
@2u
0
0
=
L
;
=
C
@z 2
@t@z
@t@z
@t 2
2
2
1 @ u
1
@ u
= 2
mit v = p 0 0
2
2
@z
v @t
LC

(3)

Gl. (3) beschreibt eine allgemeine Wellengleichung, die durch folgenden Ansatz gelst wird:


u (z ; t ) = fh t

z
v

+ fr

t+

z
v

(4)

bei der die beliebigen Funktionen fh () und fr () jeweils eine hin- und rcklaufende Welle beschreiben.
Sie sind durch die Anfangsbedingungen festgelegt. Die Stromverteilung ergibt sich analog:
ZL  i (z ; t ) = fh t


z
v

fr t +

z
v

(5)

2.1 Beispiel: Blitzeinschlag in eine Leitung

Durch atmosphrische Felder wird eine Ladungsverteilung Q (z ) mit der Gesamtladung Q = Q (z ) dz


auf der Leitung inuenziert, die nach dem Blitzeinschlag zur Zeit t = 0 auf der Leitung pltzlich
abiet. Es ergeben sich fr Strom und Spannung zum Zeitpunkt t = 0:
R

Q0 (z ) dz
Q0 (z )
=
f
(
z
)
=
= fh
C 0 dz
C0


 
z
z
ZL  i (z ; 0) = 0 = fh
fr
:
v
v
u (z ; 0) =

z
v

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+ fr

z
v

 

(6)
(7)

Hochfrequenztechnik I

IMP/2

Impulse auf Leitungen

Aus Gl. (7) ergibt sich sofort:


fr

Damit folgt dann mit Gl. (6)

f (z )
2

z
v

 

z
v

 

= fr

z
v

= fh

= fh

(8)
z
v

(9)

Wenn man nun Zeiten t > 0 betrachtet, geht die Ortskoordinate z fr die hinlaufende Welle in
z ! z v t und fr die rcklaufende Welle in z ! z + v t ber. Man kann somit schreiben:
u (z ; t ) =
i (z ; t ) =

ur =

1
2

f (z

2ZL

f (z

v t)

f (z + v t )

1
f(z + v t)
2

uh =

ir =

(10)

v t ) + f (z + v t )

1
r
f(z + v t)
2ZL

ih =

(11)

1
f(z v t)
2

1
f(z v t)
2ZL

Abb. 1: Wanderwellen bei pltzlicher Entladung nach Blitzeinschlag.

2.2 Beispiel: Einschalten einer Leitung

Wir wollen den Fall betrachten, dass zum Zeitpunkt t = 0 eine eine Spannung U0 auf eine Leitung
geschaltet wird (siehe Abb. 2). Im ersten Moment nach dem Schlieen des Schalters kann auf der
Leitung nur eine hinlaufende Welle existieren. Wir knnen also folgenden Ansatz machen:
z
v

u = uh = fh t
i = ih =

ZL

fh t

z
v

(12)


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(13)

Hochfrequenztechnik I

IMP/3

Impulse auf Leitungen

Abb. 2: Einschalten einer Leitung.

Betrachten wir nun den den Ort z

= 0,

dann erhalten wir:

fh (z = 0; t ) =

U0 ZL
R+ZL

fr t < 0
fr t

(14)

0

Fr beliebige Orte z auf der Leitung lsst sich allgemeiner schreiben (siehe Abb. 3):


u (z ; t ) = fh t

z
v

fr t

U0 ZL

fr t

R+ZL

z
v <0
z
v 0

(15)

Abb. 3: Strom- und Spannungsverteilung beim Einschalten einer Leitung.

3 Einschalten einer beidseitig fehlangepassten Leitung

Wir wollen im Folgenden den Einschaltvorgang bei einer Leitung betrachten, deren beide Enden nicht
reexionsfrei angepasst sind. Dazu wird als Beispiel ein Generator mit einem Generatorinnenwiderstand
von Ri = ZL =2 und am Leitungsende ein Lastwiderstand Re = ZL =2 angenommen.
Zuerst wird der Reexionsfaktor an beiden Abschlssen berechnet:
ZL Z
L
r1 = r2 = Z2
=
L +Z
L
2

1
3

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(16)

Hochfrequenztechnik I

Impulse auf Leitungen

IMP/4

An beiden Enden ergeben sich somit Reexionsfaktoren von 13 . Die eingeschaltete Welle wird am
Leitungsende reektiert und berlagert sich mit der hinlaufenden Welle. Diese zurcklaufende Welle
wird dann am Leitungsanfang auch mit einem Reexionsfaktor von r1 = 31 reektiert. Dieser Vorgang
wiederholt sich immer wieder und ist in Abb. 4 dargestellt.

Abb. 4: Strom- und Spannungsverteilung beim Einschalten einer beidseitig fehlangepassten Leitung
mit Ri = Re = Z2L .

3.1 Systematische Untersuchung des Einschaltverhaltens: Bergeron-Diagramm

Der oben beschriebene Vorgang lsst sich in systematischer Art und Weise mit dem BergeronDiagramm beschreiben. Dazu betrachtet man den Leitungsanfang und das Leitungsende separat. Aus
Grnden der Einfachheit wollen wir uns nur auf ohm'sche Widerstnde Ri und Re beschrnken. Am
Leitungsanfang in Abb. 5a) ergibt sich zunchst die Generatorkennlinie :
ua = ui

Ri i a :

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(17)

Hochfrequenztechnik I

Impulse auf Leitungen

IMP/5

Die Spannung am Leitungsende beschreibt die Lastkennlinie :


ue = Re  ie :

(18)

Die Leitung sei weiterhin charakterisiert durch die Laufzeit der Welle entlang der Leitung  = Lv .
Die sich ergebenden Spannungen ua , ue bzw. Strme ia , ie am Anfang bzw. Ende der Leitung sollen nun
zu verschiedenen Zeiten betrachtet werden. Der Schalter in Abb. 5a) wird zur Zeit t = 0 geschlossen.

Abb. 5: Beschreibung des Einschaltens einer Leitung durch das Bergeron-Diagramm.

3.2 Zeitraum 1:

0<t<

Fr diese Zeitraum bildet sich nur eine hinlaufende Welle aus (vgl. auch Abb. 4). Die Spannung ua
und der Strom ia am Anfang werden fr diesen Zeitraum 1 mit ua1 , ia1 bezeichnet, und es gilt einmal
der Zusammenhang fr die hinlaufende Welle
ua1 = ZL  ia1

(19)

sowie auch die Generatorkennlinie (17):


ua1 = ui

Ri  i a 1 :

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(20)

Hochfrequenztechnik I

Impulse auf Leitungen

IMP/6

Eine graphische Lsung von Gl. (19) ist einfach im Bergeron-Diagramm gem Abb. 5b) mglich, wo
sich ua1 , ia1 als Schnittpunkt der Geraden nach Gl. (19) und (20) ergibt.
3.3 Zeitraum 2:

 < t < 2

Fr diesen Zeitraum hat die hinlaufende Welle das Leitungsende erreicht und wird reektiert. Die
Spannung am Ende der Leitung in diesem Zeitraum ue = ue 2 ergibt sich damit
(21)

ue 2 = ua1 + ur 2

als berlagerung der hinlaufenden Welle von Zeitraum 1 und einer neu entstehenden reektierten
Welle mit ur 2 . Entsprechend gilt fr die Strme
(22)

ie 2 = ia 1 + ir 2

Fr die reektierte Welle muss gelten:


ur 2 =

ZL  ir 2

ua1 ) =

ZL (ie 2

(23)

und damit aus Gl. (21), (22)


(ue 2

i a 1 ):

(24)

Gl. (24) beschreibt fr ue 2 , ie 2 eine Gerade mit der Steigung ZL durch den Punkt (ua1 ; ia1 ), wie sie
auch in Abb. 5b) eingezeichnet ist. Der Schnittpunkt dieser Geraden mit der Lastkennlinie
ue 2 = Re  ie 2

(25)

fhrt dann auf das gesuchte Wertepaar ue 2 , ie 2 .


3.4 Zeitraum 3:

2 < t < 3

Fr t = 2 hat die reektierte Welle wieder den Leitungsanfang erreicht, so dass sich fr den Zeitraum
3 am Anfang der Leitung wieder eine neue hinlaufende Welle ergibt. Die Spannung ua = ua3 und der
Strom ia = ia3 fr diesen Zeitraum 3 ergeben sich als berlagerung von ue 2 , ie 2 mit dieser neuen
hinlaufenden Welle (vgl. auch Abb. 4):

mit

ua3 = ue 2 + uh3

(26)

ia 3 = ie 2 + ih 3

(27)

uh3 = ZL  ih3 ;

(28)

so dass sich mit Gl. (28) und (26), (27) ergibt:


(ua3

ue 2 ) = ZL (ia3

ie 2 ):

(29)

Gl. (29) beschreibt fr ua3 , ia3 eine Gerade mit der Steigung ZL durch (ue 2 ; ie 2 ), die auch in Abb. 5b)
mit eingetragen ist. ua3 und ia3 ergeben sich dann als Schnittpunkt dieser Geraden mit der Generatorkennlinie
ua3 = ui Ri  ia3 :
(30)

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Hochfrequenztechnik I

Impulse auf Leitungen

IMP/7

Dieses Verhalten setzt sich entsprechend fort, bis fr t ! 1 der Schnittpunkt zwischen Generatorund Lastkennlinie erreicht wird.
Das sich schlielich ergebende Zeitverhalten ist in Abb. 5c) sowohl fr die Spannung am Anfang der
Leitung ua als auch am Ende der Leitung ue dargestellt.
Fr ein kurzes Einschwingverhalten sollte Ri und/oder Ra nicht zu stark vom Wellenwiderstand ZL
abweichen.
3.5 Anwendung auf nichtlineare Generator- und Lastkennlinien

Das Bergeron-Diagramm ist im obigen Beispiel fr sehr einfache Last- und Generatorkennlinien angewandt worden. Es lsst sich auch auf nichtlineare Generator- und Lastkennlinien bertragen, bei
denen man grasch in gleicher Weise vorgeht wie oben beschrieben. Beispiele dafr sind Eingangsund Ausgangskennlinien von digitalen Schaltkreisen.
4 Schlussbemerkung

In diesem Kapitel wurde die Ausbreitung von Impulsen auf Leitungen betrachtet und das BergeronDiagramm als einfaches Hilfsmittel zur Beschreibung der Impulsausbreitung mit Reexionen an den
Leitungsenden eingefhrt. Die an den Enden der Leitungen auftretenden Reexionen knnen insbesondere bei sehr kurzen Pulsen, deren Breite im Bereich der Laufzeit der Leitung liegt, zu starken
Strungen und fehlerhafter bertragung fhren, da in diesem Falle die Pulse nicht nur verzerren, sondern auch noch Signalanteile sich mit benachbarten Pulsen berlagern knnen. Um diese Strungen
zu vermeiden, sollte die Signalquelle und/oder die Last mglichst reexionsfrei abgeschlossen werden.

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Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 1

1 Vorbetrachtung

Bevor wir die Wellenausbreitung im freien Raum betrachten, wollen wir noch einmal die Koaxialleitung
analysieren:
Die gefhrte Leistung einer Koaxialleitung (siehe Abschnitt STR) lsst sich folgendermaen beschreiben:

1
(1)
Ph = < U  I 

Anstelle einer Beschreibung mit Strom- und Spannungsamplituden lsst sich die Leistungsdichte auch
mit Feldkomponenten in Form des Poynting-Vektors ausdrcken:

~=
S

1 E~  H~ 
2

(2)

Die gesamte gefhrte Leistung erhlt man dann mittels einer Integration ber den Leitungsquerschnitt
A senkrecht zur Ausbreitungsrichtung z :

Ph =

ZZ

<

S~ d~A =

 

ZZ

<

Sz

dA

(3)

Nun wollen wir die Feldkomponenten aus Gl. (LEI 21) und (LEI 22) in einer Koaxialleitung in Gleichung
(3) einsetzen, um einen Ausdruck fr die gefhrte Leistung in Abhngigkeit von der Geometrie der
Leitung zu erhalten:

Sz

= 12 E r  H'

!
U
I
1
1 U  I  

 
= 2
=
2r
2 2r 2  ln Dd
r  ln Dd

) Ph = 12 <

D=
Z 2

1

  2r dr
UI

2r 2 ln Dd

d=
2

|
{z
}

(4)

=1

Gl. (4) ist damit auch in bereinstimmung mit Gl. (1). Mit dieser Abschtzung lsst sich erkennen,
dass sich die Leistungsbertragung entlang der Leitung sowohl mit Strom und Spannung als auch mit
elektromagnetischen Feldern beschreiben lsst. Da die Integration ber den Querschnitt der Leitung
oensichtlich die gesamte Leistung bercksichtigt, kann man Folgendes feststellen:
Die gefhrte Leistung bendet sich ausschlielich im Dielektrikum zwischen Innen- und Auenleiter  dies gilt zumindest fr eine Skin-Eindringtiefe z0  d; D
Innen- und Auenleiter bernehmen nur die Fhrung der elektromagnetischen Welle. Sie tragen
nicht zum Energietransport bei!
Ohne diese Wellenfhrung lsst sich die Energie oenbar auch im freien Raum bertragen.

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Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 2

2 Maxwell'sche Gleichungen

Da wir gesehen haben, dass die Leistungsbertragung in einer Leitung mit Hilfe elektromagnetischer
Wellen beschreibbar ist, wollen wir im Folgenden die Eigenschaften solcher Wellen ausgehend von den
Maxwell'schen Gleichungen analysieren.

Durchutungsgesetz: Die Wirbel des magnetischen Feldes H~ werden bestimmt durch die elektrische
~
Stromdichte J~ einschlielich des Verschiebungsstroms @@tD . Dieser Zusammenhang wird durch
das Durchutungsgesetz beschrieben:
I

H~ d~s =

ZZ 

J~ + @@tD~

~
dA;

(5)

~ die dielektrische Verschiebung darstellt. Wenn in Gl. (5) die Flche A innitesimal klein
wobei D
wird, lsst sich dieser integrale Zusammenhang auch als Dierentialgleichung ausdrcken (siehe
Abb. 1):
~
rot H
Hierbei bezeichnet

= r  H~ = J~ + @@tD

(6)

r den Nabla-Operator:

@
@x
@
r=
@y
:

@
@z

(7)

Abb. 1: Durchutungsgesetz.

Induktionsgesetz: Die Wirbel des elektrischen Feldes E~ werden bestimmt durch die nderung der ma~ . Dieser Zusammenhang wird durch das Induktionsgesetz beschrieben
gnetischen Flussdichte B
(siehe Abb. 2):

E~ d~s =

ZZ 

@ B~
@t

dA~

(8)

hnlich wie oben, lsst sich auch dieser integrale Zusammenhang als Dierentialgleichung ausdrcken:

~
rot E

~
= r  E~ = @@tB

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(9)

Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 3

Abb. 2: Induktionsgesetz.

Feldprobleme der Hochfrequenztechnik lassen sich bereits mit den beiden Maxwell'schen Gleichungen (5) und (9) (Durchutungs- und Induktionsgesetz) vollstndig beschreiben.
Insgesamt gibt es aber vier Maxwell'sche Gleichungen, so dass noch hinzukommen:

Magnetische Flusslinien sind grundstzlich geschlossen (siehe Abb. 3):


I

~ dF~
B

= 0;

(10)

wobei F die Oberche eines geschlossenen Volumens beschreibt. Als Dierentialgleichung stellt
sich der Zusammenhang folgendermaen dar:

~
div B

= r  B~ = 0

(11)

Abb. 3: Magnetische Feldlinien sind immer geschlossen.

Die Linien der dielektrischen Verschiebung beginnen und enden auf Ladungen (siehe Abb. 4):
I

~ dF~
D

=Q

(12)

wobei Q die elektrische Ladung innerhalb des durch F eingeschlossenen Volumens beschreibt.
Als Dierentialgleichung lsst sich der Zusammenhang folgendermaen ausdrcken:

~ =rD
~ = ;
div D
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(13)

Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 4

mit der Raumladungsdichte .

Abb. 4: Linien der dielektrischen Verschiebung.

~ (t ) bzw. B
~ (t )) folgen Gl. (11) und (13) autoBei hochfrequenten Problemen (zeitvernderlichen D
matisch aus Gl. (5) und (9).
Die Maxwell'schen Gleichungen lassen sich deutlich vereinfachen, wenn man die Feldgren im Frequenzbereich als Zeigergren darstellt. Nimmt man z.B. fr die magnetische Feldstrke ein harmonisches Signal der Kreisfrequenz ! an, kann man das Signal folgendermaen in Zeigerdarstellung
schreiben:


~ exp(j!t )
H~ (t ) = < H

Wie man leicht sieht, ist die Ableitung nach der Zeit in Zeigerdarstellung durch eine einfache Multiplikation mit j! beschreibbar, wodurch sich die Maxwell'schen Gleichungen vereinfachen:

~ + ~J
= r  H~ = j!D
~ = r  E~ = j!B
~
rot E

~
rot H

(14)
(15)

Fr ! 6= 0 folgt aus Gl. (14) und (15) unmittelbar auch Gl. (11) und (13), so dass die Maxwell'schen
Gleichungen Gl. (14) und (15) die Basis fr die folgende Betrachtung darstellen.
2.1 Materialgleichungen

Im letzten Abschnitt wurden die Feldgren behandelt, als ob sie voneinander unabhngig wren. In
~ und B
~ sowie E~ und D
~ meist miteinander in folgender Weise verknpft:
realen Materialien sind jedoch H

~ = "0 "r E
~
D
~ = 0 r H
~
B

(16)
(17)

Hierbei beschreiben "0 und 0 die Dielektrizittskonstante und die Permeabilittskonstante im freien
Raum, die jeweils Naturkonstanten darstellen. "r und r sind dagegen die relative Dielektrizittskonstante bzw. die relative Permeabililittskonstante, die somit Materialeigenschaften beschreiben. Fr
Vakuum gilt z.B. "r = r = 1, whrend das hug fr Dielektrika verwendete Polethylen ein "r = 2; 28
und r  1 aufweist.

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Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 5

2.2 Stromdichte

Die Stromdichte J~ kann man in die drei Komponenten Leitungsstromdichte J~L , Konvektionsstromdichte J~K und eingeprgte Stromdichte J~E aufteilen:

J~ = J~L + J~K + J~E

(18)

Die drei Gren haben die folgende Bedeutung:


J~L

=   E~ ist die Leitungsstromdichte mit der spezischen Leitfhigkeit des Materials .

J~K =   ~v bercksichtigt die Bewegung freier Ladungstrger durch uere Krfte (z.B. im
Plasma), wobei ~v die Geschwindigkeit beschreibt, mit der sich die Raumladungsdichte  bewegt.
J~E beschreibt die von auen erzwungene Stromdichte, wie sie z.B. bei Antennen vorkommt.
Setzen wir nun Gleichung (18) in die Maxwell'sche Gleichung Gl. (15) ein, so folgt:

r  H~ = j!"0"r E~ + E~ + J~K + J~E

(19)

Die ersten beiden Terme lassen sich zusammenfassen zu:

r  H~ = j!"  E~ + J~K + J~E


mit der komplexen Dielektrizittskonstanten " = "0 "r

(20)

j ! .

In hnlicher Weise kann man auch die andere Maxwell'sche Gleichung mit einer komplexen Materialkonstante beschreiben:
r  E~ = j!H~
(21)
mit der komplexen Permeabilittskonstanten  = 0 r , wobei der Imaginrteil von  die magnetischen
Verluste bercksichtigt.
3 Ebene Wellen

Die Gleichungen (20) und (21) beschreiben elektromagenetische Wellen in allgemeiner Weise. Im Folgenden wollen wir uns jedoch auf die meist zutreende Annahme beschrnken, dass keine eingeprgten
Strme und keine Konvektionsstrme vorliegen: ~J E = ~J K = 0.
In diesem Fall vereinfachen sich Gl. (20) und (21) zu:

r  H~ = j!" E~
r  E~ = j!H~

(22)
(23)

Die einfachsten Lsungen fr die Gl. (22) und (23) erhlt man fr homogenes, also ortsunabhngiges
", . Setzt man beide Gleichungen ineinander ein, ergibt sich:

r  r  E~ + !2" E~ = 0
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(24)

Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 6

Mit der folgenden Identitt aus der Vektoranalysis

r  r  E~ = r r  E~


{z

E~

rE~ =0

=0 wegen

ergibt sich die Wellengleichung fr die elektrische Feldstrke:

E~ + !2 "E~ = 0

(25)

Hierbei beschreibt  den Laplace-Operator, der deniert ist als ^


= @x@ 2 + @y@ 2 + @z@ 2 fr jede kartesische
~.
Komponente von E
Analog kann man die Wellengleichung auch fr die magnetische Feldstrke herleiten
2

H~ + !2 "H~ = 0

(26)

Ein einfaches Beispiel fr eine Lsung von Gl. (25) ist die ebene Welle:

~ =E
~ 0  exp
E

j ~k  ~r

= E~ 0  exp j (kx x + ky y + kz z )

Hierbei beschreibt ~r den Ortsvektor

(27)

~r =
und ~k den Wellenvektor

x

y

(28)

kx

~k =
ky ;

kz

(29)

in dessen Richtung sich die ebene Welle in Gleichung (27) ausbreitet.


Gl. (27) lst Gl. (25) mit:
 2

~k

= kx2 + ky2 + kz2 = !2 "

(30)

Obige Gl. (27) beschreibt eine ebene Welle, da Flchen mit konstanter Phase ' = ~k  ~r Ebenen
darstellen. Diese Phasenchen stehen senkrecht auf ~k und damit senkrecht zur Ausbreitungsrichtung.
Weiterhin fhrt Gl. (27) in Gl. (23) eingesetzt auf:

~ ~
~ = k E
H
!

= H~ 0  exp

~0 =
j ~k  ~r mit H


~k  E
~0
!

Analog folgt aus Gl. (22):

(31)

~k  H
~
(32)
!"
~ und ~k bei ebenen Wellen jeweils senkrecht
~, H
Aus den Gleichungen (31) und (32) folgt, dass E
~=
E

aufeinander stehen.

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Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 7

4 Polarisation

Wir wollen im Folgenden eine sich in z -Richtung ausbreitende ebene Welle betrachten und deren Eigenschaften genauer analysieren. Bei Ausbreitung in z -Richtung besitzt der Wellenvektor ~k ausschlielich
eine z -Komponente, so dass man schreiben kann:

j ~k

= ~ez

mit ~ez Einheitsvektor in z -Richtung

Mit dieser Schreibweise ergibt sich fr die in z -Richtung ausbreitende ebene Welle:

~ 0  exp( z ) mit =
E~ = E

!2 "

Man erkennt, dass dann, wenn das Argument der Exponentialfunktion rein imaginr wird, sich eine
ungedmpfte Wellenausbreitung ergibt. Das Argument der Exponentialfunktion wird rein imaginr,
wenn  und " positiv und reell sind.
~ und H
~ in der xy -Ebene und stehen dort senkrecht
Da der Wellenvektor ~k in z -Richtung zeigt, liegen E
aufeinander. Dieser Sachverhalt lsst sich folgendermaen beschreiben:

a
E~ = x E0 exp( z )
ay

H~ =

(33)

ay
E
H0 exp( z ) mit H0 = 0
ZF
ax

(34)

Hierbei steht Z F = =" fr den Feldwellenwiderstand, der das Verhltnis zwischen elektrischer und
magnetischer Feldstrke beschreibt. Im freien Raum ist der Feldwellenwiderstand rein reell:
q



Z F

= ZF 0 = " 0 = 120

Freiraum

(35)

Anmerkung: Streng genommen gilt der Zahlenwert in Gl. (35) nur, wenn fr die Lichtgeschwindigkeit
Vs
c0 = 3  108 ms zugrunde gelegt wird. Exakt gilt ZF 0 = p00"0 = 0  c0 mit 0 = 4  10 7 Am
und der
m
Lichtgeschwindigkeit
im Vakuum c0 = 299792458 s .

a
Der Jones-Vektor x ist ein Einheitsvektor der Lnge
ay

1 ) j ax j2 + j ay j2 = 1.

Er beschreibt den Polarisationszustand der Welle.


4.1 Polarisationszustnde im Zeitbereich

Im Folgenden wollen wir einige spezielle Polarisationszustnde und ihren zeitlichen Verlauf betrachten.
Dabei wollen wir aus Vereinfachungsgrnden von der Annahme ausgehen, dass eine ungedmpfte
Wellenausbreitung mit = j mit rein reell vorliegt. Dann ergibt sich folgender zeitlicher Verlauf:

< a exp(
E~ (z; t ) = E0  x
< ay exp(

j z ) exp(j!t )
j z ) exp(j!t )


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(36)

Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 8

Wenn wir in Gl. (36) ax und ay nach Betrag und Phase schreiben:

= jax j exp(j'x )
ay = jay j exp(j'y );
ax

ergibt sich:

ja j cos[!t
E~ (z; t ) = E0 x
jay j cos[!t

(37)
(38)

z + 'x ]
:
z + 'y ]

(39)

Der elektrische Feldvektor in Gl. (36) bzw. Gl. (39) bewegt sich in Abhngigkeit von (!t z ) auf
einer Ellipse, weshalb man im Allgemeinen auch von einem elliptischen Polarisationszustand spricht.
Spezialflle stellen die lineare bzw. die zirkulare Polarisation dar, die in Folgenden detaillierter betrachtet
werden sollen.
4.2 Lineare Polarisation

~ (z; t ) in Gl. (39) auf einer Linie, so dass man dann von
Fr 'x = 'y bewegt sich der Feldvektor E
linearer Polarisation spricht. Ohne Einschrnkung der Allgemeinheit lsst sich dann 'x = 'y = 0 und
jax j = cos ' sowie jay j = sin ' setzen, so dass dann aus Gl. (39) folgt:

cos '
E~ (z; t ) = E0
cos(!t z )
sin '

(40)

Der elektrische Feldvektor liegt in der xy -Ebene auf einer Geraden (siehe Abb. 5) im Winkel ' zur
x -Achse.

Abb. 5: Elektrischer Feldvektor bei linearer Polarisation.

4.3 Zirkulare Polarisation

Bei zirkularer Polarisation beschreibt der Vektor der elektrischen Feldstrke einen Kreis. Dabei weisen
p
die x - und y -Komponenten des Jones-Vektors jeweils die gleiche Lnge von jax j = jay j = 1= 2 auf
und sind um =2 zueinander phasenverschoben, d. h. beispielsweise:

ax

= p1
2

und ay

j
=p
2

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(41)

Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 9

Mit Gl. (36) und (39) kann man dann den zeitlichen Verlauf folgendermaen beschreiben:

1 cos(!t z )
E~ (z; t ) = E0 p
2  sin(!t z )

Das Vorzeichen der y -Komponente bzw. die Phasenverschiebung von


es sich um rechtszirkulare oder linkszirkulare Polarisation handelt:

(42)

=2 oder +=2 bestimmt, ob

rechtszirkular:

~ bei konstantem Ort z in Uhrzeigerrichtung. Dieser


In Ausbreitungsrichtung gesehen dreht sich E
Polarisationszustand entspricht Gl. (42) mit positivem Vorzeichen (+) bzw. negativem Vorzeichen in Gl. (41).

linkszirkular:

~ bei konstantem Ort z entgegengesetzt zum UhrIn Ausbreitungsrichtung gesehen dreht sich E
zeiger. Dieser Polarisationszustand entspricht Gl. (42) mit negativem Vorzeichen ( ) bzw. positivem Vorzeichen in Gl. (41).

Abb. 6 zeigt beispielhaft den Verlauf des elektrischen Feldvektors bei linkszirkularer Polarisation.

Abb. 6: Elektrischer Feldvektor bei linkszirkularer Polarisation.

4.4 Poincar-Kugel

Alle mglichen Polarisationszustnde lassen sich sehr elegant auf der sog. Poincar-Kugel (Poincar
 franzsischer Mathematiker) darstellen, wie Abb. 7 zeigt. Die Pole reprsentieren dabei die linksbzw. rechtszirkulare Polarisation, whrend sich die linearen Polarisationszustnde auf dem quator
benden. Ansonsten handelt es sich um elliptische Polarisationszustnde.
Alternativ zum Jones-Vektor in Gl. (33) wird der Polarisationszustand hug auch durch die StokesParameter beschrieben. Wenn man wie in Abb. 8 die Poincar-Kugel mit einem kartesischen Koordinatensystem versieht, ergeben sich die Stokes-Parameter S1 , S2 , S3 als die jeweiligen Achsenabschnitte

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Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 10

eines Polarisationszustands P auf der Poincar-Kugel Zustzlich zu S1 , S2 , S3 gibt es noch einen vierten Stokes-Parameter S0 , der die Intensitt der Welle beschreibt. Wenn man S0 = 1 setzt (Normierung), ergibt sich folgender Zusammenhang zwischen den Stokes-Parametern und dem Jones-Vektor:

S1 = jax j2

j a y j2
S2 = 2jax jjay j cos('y
S3 = 2jax jjay j sin('y

(43)

'x )

(44)

'x )

(45)

Linkszirkular
Breitengrad
beschreibt
Achsenverhltnis

Obere Hemisphre
links-elliptisch

quator:
lin.Pol.
45 Lineare
Polarisation
Lngengrad
beschreibt den
Verkippungswinkel
Rechtszirkular

Abb. 7: Beispiele fr Polarisationszustnde auf der Poincar-Kugel.

4.5 Lineare Doppelbrechung

Eine zirkulare Polarisation lsst sich beispielsweise aus linearer Polarisation gewinnen, indem man zwischen der x - und y -Feldkomponente eine Phasenverschiebung von 2 einfhrt. Das erreicht man nach
Durchgang durch ein doppelbrechendes Medium. Wir betrachten ein Material mit linearer Doppelbrechung und x; y als Hauptachsen  d.h. die x - und y -Polarisation haben unterschiedliche Phasenkonstanten x und y mit
y = x +  :
(46)
Aus Gl. (33) folgt dann sinngem:

~ (z ) = E0 ax (z
E
ay (z

= 0)  exp( j x z )
a (z = 0)
exp( j x z )
= E0 x
= 0)  exp( j y z )
ay (z = 0)  exp( j  z )

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(47)

Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 11

S3
L
P
V

-45

+45
S2

H
S1
R

Abb. 8: Stokes-Parameter auf der Poincar-Kugel.


Gehen wir nun bei z = 0 von einer linearen Doppelbrechung mit ' = 45 aus, erhalten wir fr den
Jones-Vektor vor dem doppelbrechenden Material (z = 0, vgl. Gl. (40)):

a x (z

= 0) = ay (z = 0) = p1 :
2

Nach der Ausbreitung durch das doppelbrechende Material erhalten wir an der Stelle z :

a x (z ) =

p1 ;
2

ay (z ) =

p1 exp( j  z )
2

1. Bei einer Phasenverschiebung um =2 erhalten wir rechtszirkulare Polarisation:

  z = 2

(entspricht

-Platte in der Optik)

) ay = pj 2

2. Bei einer Phasenverschiebung um  spiegelt sich der Polarisationszustand an der x -Achse, da


die y -Komponente nun das umgekehrte Vorzeichen aufweist:

  z = 

(entspricht

p1
2 -Platte in der Optik) ) ay = 2

3. Bei einer Phasenverschiebung um 3=2 (entspricht


on:

  z = 32

=2) erhalten wir linkszirkulare Polarisati-

) ay = pj 2

4. Bei einer Phasenverschiebung um 2 erhalten wir wieder den ursprnglichen Polarisationszustand:

  z = 2 ) ay = p1
2

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Hochfrequenztechnik I

Ebene Wellen  Polarisation

EB/ 12

Diese Transformation des Polarisationszustands lsst sich mit Hilfe der Poicar-Kugel einfach veranschaulichen, indem man zunchst die beiden Eigenzustnde des doppelbrechenden Mediums auf der
Poincar-Kugel markiert (fr das obige Beispiel wre das die x - bzw. y -Polarisation oder in Abb. 8
die Punkte H und V ). Diese beiden Eigen-Polarisationszustnde denieren eine Drehachse, um die der
Eingangspolarisationszustand (im obigen Beispiel lineare Polarisation mit ' = 45 ) um den Winkel
  z auf der Poincar-Kugel gedreht wird.

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Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/1

1 Vorbetrachtung
Lineare Antennen basieren auf der Tatsache, dass aufgrund von Leiterstrmen elektromagnetische
Energie abgestrahlt wird. Man kann diese Leiterstrme als eingeprgte Strme ansehen, jedoch iet
kein Konvektionsstrom. Aus Gl. (EB 20) folgt dann:

r  H~ = j!"E~ + J~E
mit der eingeprgten Stromverteilung
magnetische Stromdichte

J~m

(1)

J~E . Zustzlich zur Betrachtung in Abschnitt EB wird noch eine

eingefhrt, so dass sich aus Gl. (EB 21) ergibt:

r  E~ = j!H~ + J~m

(2)

Die physikalische Bedeutung dieses magnetischen Stromes wird spter erlutert.

"

Wenn man nun Materialien mit homogenem

und

annimmt, kann man die beiden Gleichungen

(1) und (2) folgendermaen auswerten, wobei wir zunchst den Fall ohne magnetische Stromdichte

J~

( m

= 0) betrachten:

1.1 Annahme: keine magnetischen Strme (J~m = 0)


Mit dieser Annahme ergibt sich mit der Identitt
Magnetfeld:

Somit ist

H~

r  (r  E~ ) = 0

r  H~ = 0:
aus einem Vektorpotential

Aus Gl. (2) folgt dann:

(3)

A~ ableitbar, das folgendermaen deniert wird.

auch als Gradienten eines Skalars

E~

r  (E~ + j!A~) = 0:

(5)

' schreiben:

(E~ + j!A~) ergibt, kann man diesen Vektor

r'

!2 "A~ = j!"r' + J~E :

r  (r  A~) = r(r  A~) A~

k , entsprechend

(7)

ergibt sich:

A~ + k 2  A~ = r(j!"' + r  A~) J~E


mit der Wellenzahl

(6)

aus Gl. (6) kann man nun in Gl. (1) einsetzen und erhlt:

r  (r  A~)
Mit der Identitt

(4)

E~ + j!A~ =
aus Gl. (4) und

H~ = r  A~

Da sich aus obiger Gl. (5) die Wirbelfreiheit des Ausdrucks

H~

aus Gl. (2) ein quellenfreies

k 2 = !2 ":

(8)

(9)

~ eingefhrt. Hug wird das Vektorpotential auch auf


Das Vektorpotential A~ wird hier bezglich des Magnetfeldes H
~
die magnetische Flussdichte B bezogen, aber in der Hochfrequenztechnik ist die hier gewhlte Form blicher

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Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/2

Physikalische Bedeutung haben nur die Wirbel des Vektorpotentials


die Quellen von

A~ aus Gl. (4). Man kann also ber

A~ (d.h. ber r  A~) beliebig verfgen, so dass wir nun die Lorentz-Konvention

r  A~ =

j!"'

(10)

anwenden, woraus sich fr Gl. (8) folgender Ausdruck als Bestimmungsgleichung fr das Vektorpotential

A~ ergibt:

A~ + k 2 A~ = J~E :

Mit Kenntnis des Vektorpotentials

(11)

A~ lassen sich die Felder mittels


H~ = r  A~
E~ =

j!"

(12)

r  r  A~

J~E


(13)

berechnen.

1.2 Annahme: keine eingeprgten elektrischen Strme (J~E = 0)


Mit dieser Annahme ergibt sich analog zu Abschnitt 1.1 mit der Identitt
quellenfreies elektrisches Feld:

Somit ist

E~

r  (r  H~ ) = 0

r  E~ = 0:

aus einem Vektorpotential

F~

ein

(14)

ableitbar, das folgendermaen deniert wird:

r  F~ :

E~ =

(15)

In analoger Weise zur Betrachtung in Abschnitt 1.1 folgt hier:

F~ + k 2 F~ = J~m :
Die Felder lassen sich dann aus dem Vektorpotential

F~

(16)

folgendermaen berechnen:

r  F~



1
~
H=
r

r

F~
j!
E~ =

(17)

J~m


(18)

1.3 Allgemeiner Fall mit magnetischen und elektrischen Strmen


Sind sowohl eingeprgte elektrische als auch magnetische Strme vorhanden, lassen sich die entstehenden Felder als berlagerung der beiden oben beschriebenen Flle der Abschnitte 1.1 und 1.2 darstellen.
Die Felder berechnen sich dann aus den Vektorpotentialen

E~ =

A~ und F~

1 r  r  A~
r  F~ + j!"

H~ = r  A~ +

j!

r  r  F~

gem den Gl. (11) und (16) zu:

J~E
J~m


(19)

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(20)

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/3

2 Anwendung auf Hertzschen Dipol am Koordinatenursprung

= y = z = 0 und Stromuss in z -Richtung


angenommen. Die Abstrahlung soll in den freien Raum mit " = "0 und  = 0 erfolgen.
Es wird ein Hertzscher Dipol am Koordinatenursprung

Wir haben damit keine eingeprgten magnetischen Strme wie in Abschnitt 1.1:

J~m = 0:
Die eingeprgte elektrische Stromdichte

(21)

J~E ist nur im Koordinatenursprung ungleich Null, im sonstigen

Raum verschwindet sie auch, so dass man schreiben kann:

= ~ez  (I  l )  (x )  (y )  (z )

J~E
mit der Dirac-Funktion

 (x )

fr

fr

 (x ) =
wobei

Zb

 (x ) dx

=1

fr

(22)

=0
;
x 6= 0
x

a; b > 0:

a
Der Strom iet also nur in

z -Richtung, weshalb das Vektorpotential A~ gem Gl. (11) auch nur eine

z -Komponente aufweist. Wir knnen somit Gl. (11) folgendermaen schreiben:

wobei

Az + k02 Az = (I  l )  (x )  (y )  (z );

k0 = ! 0 "0 = !=c0

(23)

die Wellenzahl im freien Raum darstellt.

Da in Gl. (23) alle Koordinatenrichtungen gleichberechtigt sind, wird sich ein punktsymmetrisches
Verhalten ergeben, das nur vom Radius

= x 2 + y 2 + z 2 abhngt. Wir knnen somit den Laplacep

Operator in Gl. (23) in Kugelkoordinaten und mit ausschlielicher Radiusabhngigkeit aufstellen:

Az = r12 ddr r 2 ddArz

Mit diesem Ansatz ergibt sich aus Gl. (23) fr

d r 2 dAz

2
r
dr
dr
A z (r ) =
Der noch freie Parameter

A0

(24)

r > 0 die homogene Gleichung:

welche folgende Lsung besitzt:

+ k 2 Az
0

= 0;

A0
exp( jk0 r ):
r

muss nun so bestimmt werden, dass Gl. (23) fr

ergibt sich damit

A0 =

(I  l ) :
4

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(25)

(26)

!0

erfllt wird. Es

(27)

Hochfrequenztechnik I
Anmerkung:

Lineare Antennen

LA/4

Die Lsung zu Gl. (27) kann man sich analog zum Coulomb-Potential der

Elektrotstatik vorstellen. Fr die Elektrostatik folgt aus Gl. (EB 13)

r  E~ = " ;
wobei die Raumladungsdichte

(28)

 bei einer Punktladung Q in Koordinatenursprung durch


 = Q   (x )   (y )   (z )

gegeben ist. Das elektrostatische Potential

r'

' gem E~ =


"

r(r') = ' =

(29)

= Q" (x )(y )(z );

wobei diese Gleichung formal identisch ist zu Gl. (23) fr

k0

I  l=
^ Q=". Entsprechend dem bekannten Coulomb-Potential
'=
folgt dann

A0

fhrt dann auf

(30)

= 0 und der Entsprechung

Q
4"  r

(31)

gem Gl. (27).

2.1 Verallgemeinerung auf beliebige Stromverteilungen


Eine beliebige Stromverteilung kann man als berlagerung einzelner Hertzscher Dipole ansehen. So
lassen sich die Ergebnisse aus Abschnitt 2 auch auf beliebige Stromverteilungen ausweiten.
Dazu betrachtet man die Stromdichte

J~E

im Volumenelement

dV

an der Stelle

r~0 .

! r)
A(!
(!r

!r

r!!)

r!!

Abb. 1: Stromdichte

Das Dipolmoment

J~E

im Volumenelement

dV .

(I  l ) kann man mit der Stromdichte in diesem Volumenelement dV


(I  l ) )

J~E  dA

 dl = J~E  dV

| {z }

gesamter Strom
durch das
Volumenelement

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darstellen:

(32)

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/5

Damit lsst sich der Anteil des Vektorpotentials aus dem Volumenelement

dV

am Ort

r~0




~
dA~(~r) = J E dV 0 exp jk0 ~r r~0 ;
4 ~r r~

bestimmen:

(33)

bzw. das gesamte Vektorpotential ergibt sich durch Integration ber alle Stromelemente:

A~(~r) =

1 ZZZ J~E exp  jk ~r r~0  dV:



0

4
r r~0
~

Analog gilt bei eingeprgten magnetischen Strmen fr das Vektorpotential

F~ (~r) =

(34)

F~ :

1 ZZZ J~m exp  jk ~r r~0  dV:



0

4
r r~0
~

(35)

3 Anwendung auf Dipolantennen


Die elektromagnetischen Felder sind nur berechenbar, wenn die Stromverteilung auf der Antenne bekannt ist. Dann lsst sich die oben beschriebene Methodik anwenden. Wie Abb. 2 am Beispiel einer

=4-Leitung zeigt, lassen sich lineare Antennen wie aufgeklappte Leitungen auassen. Die Stromverteilung entlang der Antenne kann somit in guter Nherung als sinusfrmig wie auf Leitungen angenommen werden.

Die durch das Aufklappen der Leitung entstehenden Feldverteilungen sind schematisch

Abb. 2: Spreizung einer oenen Zweidrahtleitung mit sinusfrmiger Stromverteilung zu einer Dipolantenne (aus Unger,

Elektromagnetische Theorie fr die Hochfrequenztechnik,

Teil I).

in Abb. 3 dargestellt.

3.1 Feldberechnung
Im Folgenden wird angenommen, dass die Antenne in
dass man von einem Strom mit ausschlielich

z -Richtung

z -Komponenten

orientiert und beliebig dnn ist, so

ausgehen kann, der sich nur auf der

z -Achse ausbreitet. Abb. 4 zeigt die Anordnung der im Folgenden betrachteten Antenne.

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Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/6

Abb. 3: Das elektrische Feld der oenen Zweidrahtleitung wird bei der Spreizung zu ungefhr kreisbogenfrmigen Linien aus einander gezogen. Bei der Dipolstrahlung lsen sich die halbkreisfrmigen
Feldlinien und schlieen sich zu nierenfrmigen Schleifen (aus Unger,

fr die Hochfrequenztechnik,

Elektromagnetische Theorie

Teil I).

Abb. 4: Anordnung der betrachteten Antenne.

Wir betrachten nun eine in

z -Richtung orientierte und beliebig dnne Antenne. Den Strom I (z 0 ) entlang

der Antenne kann man nun durch Integration der Stromdichte ber den Querschnitt der Antenne
erhalten:

I (z 0 ) =

ZZ

J E;z dx dy

Somit ergibt sich fr das gesamte Vektorpotential nur eine

1
Az (~r) =
4

Zl=2
l=2

(36)

z -Komponente mit:



0)
I
(
z


exp
jk
r
~
0


r r~0
~

r~0

dz 0

(37)

Schematisch ist eine derartige lineare Antenne in Abb. 4 dargestellt, wobei das Vektorpotential im
Punkt

mit den Kugelkoordinaten

(r; ; ') bestimmt wird. Da bei dieser Anordnung keine magneti-

schen Strme ieen, ergibt sich auch kein Vektorpotential


Den vektoriellen Ausdruck



r
~


r~0

F~ .

kann man entsprechend Abb. 4 mit dem

dermaen vereinfachen:



r
~

r~0 =

r 2 + z 02

2rz 0 cos ;

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Kosinus-Lehrsatz

folgen-

(38)

Hochfrequenztechnik I
wobei

0
und z

Lineare Antennen

= j~rj sich auf den Aufpunkt P

LA/7

bezieht, an dem man das Vektorpotential auswerten mchte,

die Lage des betrachteten Stromelements auf der Antenne darstellt. Der Winkel

z -Achse bezogen und in Abb.4 dargestellt.

ist auf die

Im Folgenden soll insbesondere das Fernfeld der Antenne betrachtet werden. Dann gilt:

 jz 0j

In Gl. (37) lsst sich der Vorfaktor

r~0  r



r
~

und damit

1=j~r r~0 j  1=r

z 0  cos :

(39)

noch strker vereinfachen als das Argument

der Exponentialfunktion, das die Phasenlage (nur im Bereich

[  : : : ]) der zu berlagernden Anteile

beeinusst und somit empndlicher auf Approximationsfehler reagiert. Somit folgt aus Gl. (37) im
Fernfeld:

Zl=2

exp( jk0 r )
Az (~r) =
4r

I (z 0 ) exp(+jk0 z 0 cos ) dz 0

l=2

Mit dieser Gleichung lassen sich nun die Feldkomponenten im Fernfeld (


berechnen. Wenn man in Gl. (40)

!1

(40)

) in Kugelkoordinaten

k0  cos  als Orts-Frequenz auasst, enstpricht Gl. (40) genau einer

Fouriertransformation. Das Vektorpotential im Fernfeld ergibt sich damit aus der Fouriertransformierten der Stromverteilung. Das magnetische Feld ergibt sich durch die Rotation des Vektorpotentials

A~:

~
H~ = r  A;

wodurch sich lediglich eine

(41)

'-Komponente ergibt:
@Az
@y

H ' = H x sin ' + H y cos ' =

z
sin ' @A
cos ':
@x

(42)

Die beiden partiellen Ableitungen beschreiben im Fernfeld sehr einfache Ausdrcke:

@ Az
@y

1 cos ' @ Az
= sin  sin ' @@rAz + 1r cos  sin ' @@Az + r sin
 {z @'}
|
{z
} |
=0

@ Az
@x

= sin  cos ' @@rAz

fr

!1

+ 1 cos  cos ' @ Az


|r

@

=0

{z

fr

!1

(43)

=0

1 sin ' @ Az
@'
|r sin  {z
}

(44)

=0

Die beiden Gl. (43) und (44) eingesetzt in Gl. (42) ergeben:

H' =

z
sin  @A
 jk0 sin Az :
@r

(45)

Die anderen beiden Komponenten des magnetischen Feldes verschwinden im Fernfeld:

Hr

= H = 0.

Das elektrische Feld weist im Fernfeld im Wesentlichen auch nur noch eine Feldkomponente

E  = H '  ZF 0 ;
ZF 0

wobei

jE r j  jE  j;

ist dabei wieder der Feldwiderstand im freien Raum

ZF 0 =

E

E' = 0

0 ="0

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gem Gl. (EB 35).

auf:

(46)

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/8

3.2 Abstrahlung einer linearen Antenne


~
Poynting-Vektor S

Die abgestrahlte Leistungsdichte wird durch den

beschrieben. Im Fernfeld der

linearen Antenne ergibt sich eine radiale Komponente des Poynting-Vektors, die eine Abstrahlung von
der Antenne in den freien Raum beschreibt:

Sr

= 21 E   H' :

(47)

Nach Einsetzen der berechneten Feldgren aus Gl. (45) und (46) erhlt man:

Sr

= 21


2
l=2



Z
2


0
0
0
2 k0 ZF 0
sin  (4r )2 I (z ) exp(+jk0 z cos ) dz


l=2

(48)

Die Stromverteilung auf einer linearen Antenne entspricht nherungsweise dem Stromverlauf auf einer
Leitung:

I (z 0 ) = I0 sin k0

"

0
2 jz j

#
(49)

Diese Stromverteilung ist in Abb. 5 fr unterschiedliche Antennenlngen dargestellt. Mit Gl. (49)

Strom I

l
l
l
l
l

= 0 /4
= 0 /2
= 0
= 30 /2
= 20

Abb. 5: Stromverteilung auf der linearen Antenne fr verschiedene Lngen

2 [ 4 ; 2 ; 0; 32 ; 20


0

].

ergibt sich fr den Integralausdruck in Gl. (48):

Zl=2
l=2

I (z 0 ) exp(+jk0 z 0 cos ) dz 0 = 2

Zl=2

I0 sin(k0 [l=2

jz 0j]) cos(k0z 0 cos ) dz 0

= 2I0 cos([k0 l=2] cos )2 cos(k0 l=2) :


k0 sin 

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(50)

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/9

Fr den Poynting-Vektor ergibt sich dann durch Einsetzen in Gl. (48):

Sr
wobei

F ( )

0  I0 2
= 2 Z(4Fr
)2 F ();
2

(51)

die Winkelverteilung der Abstrahlung, also die Abstrahlcharakteristik der Antenne, be-

schreibt:

F () =

cos([k0 l=2] cos ) cos(k0 l=2)


sin 

(52)

3.2.1 Abstrahlung einer kurzen lineare Antenne


Eine kurze lineare Antenne ist charakterisiert durch die Bedingung

0

= 2=k0 .

Bei kurzen

linearen Antennen kann man die sinusfrmige Stromverteilung in Gl. (49) durch einen dreiecksfrmigen
Stromverlauf annhern (s. Abb. 6). Der Speisestrom ergibt sich dann aus G. (49) zu:

I (z 0 = 0) = I0 k0

(53)

Die Abstrahlcharakteristik einer kurzen linearen Antenne entspricht genau der Abstrahlcharakteristik
eines Hertzschen Dipols mit dem Dipolmoment:

Il

= I (z 0 = 0)  (l=2) = I0 k40 l :
I(z ! = 0) = I0

k0 l
2

l
2

(54)

z!

Abb. 6: Stromverteilung einer kurzen linearen Antenne: Auslufer der sinusfrmigen Verteilung mit

sin x  x

fr

1

Die Abstrahlcharakteristik Gl. (52) ergibt fr

k0 l

F 2 ( ) =

1

(kurze lineare Antenne):

1 (k l=2)4 sin2 :
4 0

(55)

Die gesamte Abstrahlung errechnet sich dann mit Gl. (51) zu:

2

I0 k0 l 2 =4 k02 2
1
1 Z jI  l j2 k02 sin2 
Sr = ZF 0
sin

=
2
(4r )2
2 F 0 (4r
)2
|
{z
}


Formel f. Hertzschen Dipol

Schematisch ist diese Abstrahlcharakteristik in Abb. 7 dargestellt.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(56)

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/10

Abstrahlcharakteristik
F 2 () sin2

kurze lineare
Antenne

Abb. 7: Dreidimensionale Verteilung der Abstrahlung einer kurzen linearen Antenne.

4 Richtdiagramm
Die Funktion

F ( )

nach Gl. (52) beschreibt die Winkelabhngigkeit der Abstrahlung einer Anten-

ne. Diese Winkelabhngigkeit der Abstrahlung wird grasch durch das

Richtdiagramm

beschrieben.

Beispiele fr Richtdiagramme unterschiedlich langer Antennen sind in Abb. 8 dargestellt.


Alle in Abb. 8 dargestellten Abstrahlcharakteristiken beziehen sich auf Antennen, deren Lnge kleiner
oder gleich der Wellenlnge ist (

l < 0 ).

Fr lngere Antennen ergeben sich weitere Nullstellen der

Stromverteilung auf der Antenne und damit eine Aufzipfelung des Richtdiagramms. Abb. 9 zeigt
beispielsweise das Richtdiagramm einer Antenne mit der Lnge

= 50 =4. Die Richtcharakteristik fr

50 =4 ist bereits sehr ausgeprgt im Vergleich zu den Richtdiagrammen in Abb. 8. Fr noch lngere
Antennen nimmt der Leistungsanteil in den Nebenzipfeln zu, wobei beispielsweise fr l = 20 die

abgestrahlte Leistung in der ursprnglichen Hauptstrahlrichtung senkrecht zur Antenne ( = 90 )
verschwindet. Dieses Verhalten lsst isich auch mit den Stromverteilungen in Abb. 5 erklren; fr

l > 0

erkennt man die zustzlichen Nulldurchgnge, und z. B. fr


und negativen Stromanteile in Gl. (48) fr  = 90

= 20 heben sich die positiven

gerade auf.

5 Richtfaktor und Gewinn einer linearen Antenne


Das oben beschriebene Richtdiagramm zeigt die Winkelabhngigkeit der Abstrahlung einer Antenne.
Hug mchte man Antennen bauen, die besonders gerichtet in eine spezielle Winkelrichtung abstrahlen. Die Richtwirkung solch einer Antenne wird mit dem

Richtfaktor D

(englisch

directivity )

beschrieben. Der Richtfaktor ergibt sich aus dem Verhltnis der maximalen Strahlungsdichte der An-

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/11

0
30

30

60

60

30 dB

90

20 dB

10 dB
90

120

l
l
l
l
l

" 0
= 0 /4
= 0 /2
= 30 /4
= 0

120

150

150
180

relative Leistung [dB]


in Bezug auf die abgestrahlte
Leistung in Hauptstrahlrichtung

Abb. 8: Richtdiagramme fr dnne lineare Antennen mit sinusfrmiger Stromverteilung und verschiedenen Lngen

2 [0=4; 0=2; 30=4; 0]

(C. A. Balanis, Antenna Theory).

0
30

30

60

60

30 dB

90

20 dB

10 dB

120

90

120

150

150
180

relative Leistung [dB]


in Bezug auf die abgestrahlte
Leistung in Hauptstrahlrichtung

Abb. 9: Aufzipfelung im Richtdiagramm fr Antennenlnge

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

= 54 0 .

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/12

tenne in der Hauptstrahlrichtung bezogen auf eine Referenzantenne, die die gleiche Gesamtleistung
gleichmig in alle Richtungen abstrahlt (isotroper Kugelstrahler).

D=

Leistungsdichte der Antenne in Hauptstrahlrichtung


Leistungsdichte eines isotropen Kugelstrahlers

(57)

gleiche abgestr. Gesamtleistung

Die Leistungsdichte eines isotropen Kugelstrahlers ist in allen Richtungen

P
= 4r
2;

Sr

(58)

wobei die gesamte abgestrahlte Leistung der zu beschreibenden Antenne allgemein durch Integration
ber alle Raumrichtungen berechnet werden kann:

Z2Z

Sr (; ')r 2 sin  d d'

(59)

0 0
Fr eine lineare Antenne ist die abgestrahlte Leistungsdichte unabhngig vom Winkel
dann Gl. (59) reduziert zu:

', so dass sich

Z

= Sr ()  2r 2 sin  d

(60)

0
Somit ergibt sich fr den Richtfaktor einer linearen Antenne:

2  F 2 () max
D = R 2
0 F ( ) sin  d

Die von der Antenne abgestrahlte Leistung

(61)

unterscheidet sich von der Eingangsleistung

Pe

in die

Antenne auf Grund eventueller Antennenverluste (z. B. durch die endliche Leitfhigkeit des Antennenstabes), was sich durch den Antennenwirkungsgrad

P
Pe

A =
beschreiben lsst. Man kann nun auch einen sog.

(62)

Antennengewinn Giso

einfhren, der die maxima-

le abgestrahlte Leistungsdichte der realen (verlustbehafteten) Antenne auf die Leistungsdichte des
verlustfreien isotropen Kugelstrahlers bezieht.

Giso

Giso


hngt mit dem Richtfaktor

gem

= A  D

zusammen, so dass fr verlustfreie Antennen ( A

= 1) Giso

(63)

und

bereinstimmen.

5.1 Abhngigkeit des Richtfaktors von der Antennenlnge


Kurze lineare Antennen weisen die Abstrahlcharakteristik eines Hertzschen Dipols auf. Der Richtfaktor
einer solchen Antenne ergibt sich mit Gl. (55) und (61) zu:

D=

3
2

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(64)

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

Lngere Antennen mit einer Lnge

=k0

LA/13

= 0 =2 haben eine etwas hhere Richtwirkung. Fr l = 0 =2 =

eingesetzt in Gl. (52) ergibt sich:

F 2 ( ) =
wodurch sich ein Richtfaktor von

cos2

D = 1; 64 ergibt.

2 cos 
;
sin2 

(65)

Noch lngere Antennen weisen eine noch hhere Richtwirkung auf. Ein maximaler Richtfaktor der
Dipolantenne ist fr Lngen von ca.

 45 0

mglich, bei der sich ein Richtfaktor von etwa

D  3; 3

ergibt. Fr noch lngere Antennen ergibt sich keine signikante Erhhung des Richtfaktors, da sich
das Fernfeld zu sehr aufzipfelt (siehe Abb. 10).

3.5

3.0

2.5
D

2.0

1.5

1.0
0.0

0.5

1.0

1.5
l /0

2.0

2.5

3.0

Abb. 10: Lngenabhngigkeit des Richtfaktors einer linearen Antenne. Die Lngen sind bezogen auf
die Wellenlnge

0 .

6 Ersatzschaltbild einer linearen Antenne

6.1 Strahlungswiderstand
Der in die Antenne ieende Strom fhrt zu einer abgestrahlten Leistung. Man kann die durch Abstrahlung verlorene Leistung in einem Ersatzschaltbild durch einen Strahlungswiderstand

z0

tennenfupunkt (

= 0) beschreiben. Eine Denition des Strahlungswiderstandes RS

RS

am An-

ist durch den

am Fupunkt in die Antenne ieenden Strom und die abgestrahlte Leistung mglich:

= 12 I (z 0 = 0)  RS

RS

= 02P 2 ;
I (z = 0)

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(66)

Hochfrequenztechnik I
wobei

Lineare Antennen

die abgestrahlte Leistung gem Gl. (60) und

LA/14

I (z 0 = 0) den Strom am Fupunkt der Antenne

gem Gl. (49) darstellen. Setzt man diese Gleichungen in Gl. (66) ein, erhlt man:

RS

ZF 0
2 sin2 (k0 l=2)

Z

F 2 () sin  d

(67)

solange die Stromverteilung auf der Antenne der einer verlustfreien Leitung entspricht.
Da reale Antennen Leistung abstrahlen, ist die Leitungsnherung nicht mehr im strengen Sinne gltig.

Gl. (67) gilt,

Dennoch stellt Gl. (67) eine gute Nherung fr krzere Antennen mit

 0=2

dar.

6.1.1 Beispiele von Strahlungswiderstnden


1. Kurze lineare Antenne (l

 0=2):

Mit der Abstrahlcharakteristik

F 2 ( )

kurzer linearer Anten-

nen gem Gl. (55) und der Denition des Strahlungswiderstands nach Gl. (67) ergibt sich ein
Strahlungswiderstand von:

RS

l
ZF 0
k0
6
2

Fr sehr kleine Antennenlngen

!2

 0

= 20
 k0 2

!2

= 20


l
0

!2
(68)

RS

ergeben sich wegen der Abhngigkeit (

= 100 MHz, l = 30 cm) ergibt


sich ein noch sehr kleiner RS  2
, der sich nur schwer an z. B. eine 50
-Leitung anpassen
u. U. sehr kleine Strahlungswiderstnde. Fr

l=0 = 0; 1 (z. B. f

/ (l=0)2

lsst. Allein aus diesem Grund sind etwas lngere Antennen wnschenswert, auch wenn sich der
Richtfaktor gem Abb. 10 noch kaum ndert.

2. 
2 -Dipol:

Der

=2-Dipol stellt die wichtigste Dipolantenne dar. Mit l

= 0 =2 = =k0 folgt aus Gl.

(52) bzw. (65) eingesetzt in Gl. (67):

RS

 0; 194  ZF 0  73; 2

(69)

Die Gre dieses Strahlungswiderstandes liegt sehr nah an den Wellenwiderstnden typischer
Leitungen, so dass eine Anpassung in der Regel einfach mglich ist.

6.2 Fupunktimpedanz
Das komplette Ersatzschaltbild einer linearen Antenne ist in Abb. 11 dargestellt. Dabei gilt die Annahme, dass die gesamte von der Antenne aufgenommene Leistung im Strahlungswiderstand

RS absorbiert

und somit abgestrahlt wird. Das entspricht dem Bild einer verlustfreien Antenne. Evtl. auftretende Verluste mssten mit einem weiteren Widerstand bercksichtigt werden.
Nach Bild 11 ist die gesamte Fupunktimpedanz der verlustfreien Antenne

Z a = RS + jX

(70)

und lsst sich auassen als die Eingangsimpedanz einer verlustbehafteten, am Ende leerlaufenden
Leitung. Die Verluste haben ihren Ursprung dabei in der Leistungsabstrahlung der Antenne.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

I(z ! = 0)

LA/15

RS

jX

I(z ! = 0)

Abb. 11: Ersatzschaltbild einer verlustlosen linearen Antenne.

Bei einer solchen verlustbehafteten Leitung verschwindet

=2; ; 3=2

fr Leitungslngen entsprechend

hnlich zu Abb. 2 im Abschnitt SMI. Die Lnge des Dipols

Leitungslnge, so dass

jX = 0

fr

l=d (d

Impedanz bei variierendem


Fr sehr kleine

entspricht der doppelten

 20 ; 0; 32 0 : : :

sein sollte. Abb. 12 zeigt Ortskurven fr die Antennenimpedanz


Schlankheitsgrade

l

(71)

Z a = RS + jX

fr zwei verschiedene

ist der Durchmesser des Antennenstabes). Die Ortskurven zeigen nun die

bzw. variierender Frequenz.

ergibt sich gem Gl. 67 ein sehr kleiner

RS

und kapazitives Verhalten (wie bei einer

= 0 =2 gem Gl. (69) ein RS  73


und gem
Gl. (71) ein X  0 (Resonanzverhalten wie bei einem Serienschwingkreis) erhalten. Fr l > 0 =2
wird X > 0 (induktives Verhalten), bis die nchste Resonanz X  0 fr l  0 (Resonanzverhalten
kurzen leerlaufenden Leitung), whrend wir fr

eines Parallelschwingkreises) bei maximalem

RS

fr

 0

RS erreicht wird.

In Abb. 12 wird weiterhin deutlich, dass

sehr stark von der Antennendicke abhngt und damit Gl. (67) nicht mehr anwendbar

RS ! 1 gehen fr l = 0 , da in der einfachen Leitungsnherung


0
dann I (z = 0) = 0 wird (vgl. auch Abb. 5). Tatschlich ist aber wegen der Leistungsabstrahlung die
wre. In Gl. (66) und (67) wrde

Stromverteilung nicht mehr wie in einer verlustfreien Leitung beschreibbar, wodurch die Unterschiede
erklrt werden knnen.
Die Antennendicke beeinusst in erheblicher Weise den Imaginrteil

der Antennenimpedanz, was

man einfach mit der geringeren gespeicherten elektrischen und magnetischen Energie bei einer dickeren
Antenne erklren kann, was dann auch zu einem kleineren

jX j

fhrt. Alternativ kann man sich auch

klarmachen, dass ein dickerer Leiter zu einem kleineren Induktivittsbelag (und zu einem hheren
Kapazittsbelag) fhrt, womit sich ebenfalls ein kleines
Beim

=2-Dipol

jX j

erklren lsst.

ergibt sich der wichtige Spezialfall, dass die Fupunktimpedanz nahezu unabhngig

von der Dicke des Antennenstabes fast ausschlielich durch den Strahlungswiderstand

RS

nach Gl.

(67) gegeben ist.

2
3

Tatschlich ergibt sich diese Resonanz nicht genau bei l = 0 =2, sondern bei etwas krzeren Antennenlngen.
Bei genauerer Betrachtung tritt auch diese Resonanz bei etwas krzeren Dipollngen auf.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/16

0
2
l 0
RS

Abb. 12: Eingangswiderstand von linearen Antennen verschiedenen Schlankheitsgrades.

7 Betrieb als Empfangsantenne


Bisher wurde die Antenne als Sendeantenne betrachtet. Antennen werden jedoch auch zum Empfang
elektromagnetischer Wellen eingesetzt. Solche Empfangsantennen lassen sich gem Abb. 13 durch
eine Leerlaufspannung

mit der Antennenimpedanz

Za

nach Gl. (70) darstellen.

Abb. 13: Darstellung einer Empfangsantenne durch Leerlaufspannung

Za.

und Antennenimpedanz

7.1 Eektive Hhe


Die Antenne sei optimal auf das zu empfangende Feld ausgerichtet. Dann ergibt sich aus dem empfangenen Feld folgende Leerlaufspannung:

U = he  E;
wobei

(72)

jE j = 2jS~ jZF 0
q

die elektrische Feldstrke des zu empfangenden Feldes ist (mit

eektive Hhe der Antenne darstellt.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

) und

he

die

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

Ohne Beweis gilt, dass fr kurze lineare Antennen mit


tennenlnge

he

LA/17

 0

die eektive Hhe durch die halbe An-

= l=2 gegeben ist, was unter Bercksichtigung der dreiecksfrmigen Stromverteilung

in Abb. 6 auch plausibel erscheint.

7.2 Maximal abgebbare Leistung


Die maximal an der Impedanz

Z E abgebbare Leistung PE erhlt man fr Leistungsanpassung Z E

= Z a .

Wenn man weiterhin eine verlustfreie Antenne voraussetzt, ergibt sich dann:

PE

= 8<jU(Zj ) = 8jURj
S
a
2

(73)

Mit Gl. (68) und (72) folgt:

PE
mit der Leistungsdichte

2
jE j2
= jhe  E j = 1

8RS

und

Aw ,

2 2ZF 0

 2
l
2

wobei

Aw

l
0

die sog.

2

2
2
= 12 jZE j 380
| {zF 0} |{z}
Aw

Wirkche

(74)

der Antenne beschreibt. Das ist

die Flche, in der der ankommenden Welle Leistung entzogen wird. Fr kurze lineare Antennen ist

Aw

unabhngig von der Dipollnge und nur von der Wellenlnge der ankommenden Welle beeinusst,

zumindest solange de Antenne verlustfrei ist.


Fr zu kurze Lngen ist jedoch der Strahlungswiderstand

RS

auerordentlich klein, so dass einerseits

Ohmsche Verluste zu bercksichtigen sind und andererseits die Anpassung schwierig wird.
Das Verhltnis zwischen Wirkche und Gewinn  also zwischen Empfangs- und Sendeeigenschaften
der Antenne  lsst sich fr verlustfreie kurze lineare Antennen mit

Aw
Giso

Giso

= D = 32

schreiben:

= 40 :

(75)

Auch wenn Gl. (75) fr verlustfreie Antennen abgeleitet wurde, gilt sie auch fr verlustbehaftete
Antennen, da der Antennenwirkungsgrad

A

mit

Giso

= A  D

auch auf die Antennenwirkche

anwendbar ist.

8 System aus Sende- und Empfangsantenne


Bisher wurden die Antennen jeweils nur als Sende- oder als Empfangsantenne betrachtet. Nun soll
das Gesamtsystem wie in Abb. 14 betrachtet werden. Die beiden Antennen 1 und 2 seien an den
Generator bzw. an die Last angepasst. Die von Antenne 1 abgestrahlte Leistung sei
Antenne 2 empfangene Leistung

PE :

PE

= Aw 2  S2

mit

G
S2 = PS  iso12 :
4r

PS ,

die von

(76)

Die bertragungsezienz als Verhltnis zwischen empfangener und gesendeter Leistung ist somit
gegeben als:

PE
PS

= Giso1  4Arw 22 :

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(77)

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/18

Abb. 14: bertragungssystem bestehend aus Sende- und Empfangsantenne.

Wird hingegen Antenne 2 als Sender und Antenne 1 als Empfnger genutzt, ergibt sich analog folgender
Ausdruck:

PE
PS
Reziprozitt

Auf Grund der

= Giso2  4Arw 12 :

der Anordnung muss

(mit Streuparametern wrde man

S 12 = S 21

PE
PS unabhngig von der bertragungsrichtung sein

schreiben), so dass gilt:

Giso2  Aw 1 = Giso1  Aw 2
oder auch

Aw 1
Giso1

(78)

(79)

= GAw 2 = 40  GAw


iso2
iso

(80)

Das Verhltnis zwischen Wirkche und Gewinn einer Antenne nach Gl. (75) gilt also nicht nur fr
kurze lineare Antennen, sondern ist universell fr alle Antennen gltig. Damit lsst sich beispielsweise
in Gl. (79)

Aw1

gem Gl. (80) durch

Giso1

PE
PS
oder beschrieben als

10 log
Beispiel:

bertragungsma

PE
PS

Zwei identische

0
4r

!2

Giso1  Giso2

(81)

in Dezibel (dB):

dB = 20 log

2 -Dipole

ersetzen:

0
4r

!
dB

+ 10 log Giso1 dB + 10 log Giso2 dB

mit der Wellenlnge

0

(82)

= 3 m (entspricht einer Betriebsfrequenz

100 MHz) und einem Abstand von r = 30 km von einander mit jeweils einem Gewinn von
Giso1 =2 = 2; 15 dB (=
^ Giso = 1; 64) weisen folgendes bertragungsma auf:
von

10 log

PE
PS

= 97; 7 dB:

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(83)

Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/19

Abb. 15: 1. Fresnelzone.

8.1 Fresnelzone
Die oben genannten Gleichungen gelten nur fr eine ideale bertragung im freien Raum. Diese Bedingung entspricht nherungsweise der Annahme, dass sich innerhalb der sog.

1. Fresnelzone

keine

Hindernisse benden drfen.


Die 1. Fresnelzone ist in Abb. 15 skizziert und entspricht einem Rotationsellipsoiden, in dessen Brenn-

p r

punkten sich jeweils Sender und Empfnger benden. Dieses Ellipsoid hat an der breitesten Stelle einen
Durchmesser von

, was fr das obige Beispiel (

0

= 3 m, r = 30 km) einem Durchmesser von

300 m entspricht.

9 Alternative Antennenformen
Lineare Antennen gibt es auch in modizierten Ausfhrungsformen. Im Folgenden sollen einige Beispiele
vorgestellt werden.

9.1 Faltdipol
Den prinzipiellen Aufbau eines Faltdipols zeigt Abb. 16. Durch die gefaltete Form und die zwei dadurch
entstehenden parallelen Leitungselemente iet gegenber einem normalen Dipol in jedem der beiden
Leiter nur der halbe Strom. Somit ergibt sich als Strahlungswiderstand

= 12


I (z 0 =



2


0) 2

RF

 RF = 21 jI (z 0 = 0)j2  RS

) RF = 4RS = 293

des Faltdipols:

(84)

(85)

0
l=
2
I(z ! = 0)/2

I(z ! = 0)/2

Abb. 16:

2 -Faltdipol.

Eine solche Antenne lsst sich vorteilhaft mit einer symmetrischen Leitung mit einem Leitungswellenwiderstand

ZL  300
speisen, wobei derartige Wellenwiderstnde bei symmetrischen Leitungen gut

zu realisieren sind.

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Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/20

9.2 Rahmen- und Ferritantenne


Als Empfangsantennen werden hug auch Rahmen- oder Ferritantennen eingesetzt. Eine Rahmenantenne ist im Wesentlichen eine Spule mit typischerweise rundem oder rechteckigem Querschnitt, wie
in Abb. 17a) skizziert ist.
Wenn man sich zunchst eine solche Rahmenantenne als Sendeantenne vorstellt, fhrt ein Strom
in dieser Antenne zu einer eingeprgten magnetischen Flussdichte bzw. bei einem Wechselstrom zu
einer eingeprgten zeitlichen nderung der magnetischen Flussdichte und damit zu einem eingeprgten
magnetischen Strom

J~m

in Gl. (2). Wenn die Abmessungen der Rahmenantenne klein gegenber der

Wellenlnge sind, ist auch die Ausdehnung des Stromelements

J~m entsprechend klein, und wir erhalten

eine Abstrahlcharakteristik genau wie beim Hertzschen Dipol, jedoch mit dualem Verhalten: Statt der
beiden Feldkomponenten

E

und

H'

im Fernfeld erhalten wir hier

a)

H

und

E'.

b)

Abb. 17: Runde Rahmenantenne mit

= 2 Windungen der Flche F = a2

(a) und Konzentration

des magnetischen Flusses in einer Ferritantenne (b).

Der Strahlungswiderstand einer solchen Antenne ist sehr klein, so dass unter Bercksichtigung der
Leiterverluste eine Rahmenantenne nur einen geringen Antennenwirkungsgrad aufweist (hnlich wie
auch eine kurze lineare Antenne). Deshalb werden Rahmenantennen in der Regel nur als Empfangsantennen verwendet. Zur Erhhung der Empndlichkeit kann die Spule der Rahmenantenne auch mit
einem Ferrit versehen werden, so dass man dann die Ferritantenne gem Abb. 17b) erhlt.
Die Leerlaufspannung der Antenne ergibt sich durch:

jU j = !re 0n  F jHj = !c re n  F  jE j;


0

wobei hier

die Windungszahl,

die Spulenche und

re

(86)

die eektive relative Permeabilitt der

Ferritantenne darstellen.
Vorteilhafterweise wird man nach der Antenne eine Empfangsschaltung mit kapazitivem Eingang whlen, so dass diese Kapazitt zusammen mit der Induktivitt der Rahmen- bzw. Ferritantenne einen
Schwingkreis bildet und man so eine resonante berhhung der Antennenspannung erhlt.
Rahmen- und Ferritantennen werden bevorzugt verwendet in tragbaren Rundfunkempfngern und auch
als Peilantennen.

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Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/21

10 Gruppenstrahler, Mehrfachantennen
Die Richtwirkung einer linearen Antenne ist begrenzt, wie beispielsweise Abb. 10 zeigt. Um hhere
Richtfaktoren zu erhalten, knnen mehrere lineare Antennen zu Antennengruppen zusammengefasst
werden.

10.1 Querstrahler
Wie wollen zuerst mit Abb. 18 annehmen, dass

lineare Antennen jeweils im Abstand

zu einer

Gruppenantenne zusammengefasst sind. Alle Einzelantennen sollen gleichphasig angeregt werden, so


dass sich dann als Hauptstrahlrichtung die
sog.

x -Richtung in Abb. 18 ergibt; man spricht dann von einem

Querstrahler.

Abb. 18: Querstrahler mit

Strahlelementen.

Das gesamte abgestrahlte Feld dieses Querstrahlers im Fernfeld lsst sich darstellen als Produkt des
Feldes des Einzelstrahlers multipliziert mit einem sog.
sich beispielsweise fr

H'

Gruppenfaktor

AF

(engl.

array factor ), so dass

im Fernfeld ergibt:

H ' = AF




H '

(87)
Einzelstrahler

wobei der Gruppenfaktor fr gleiche Anregung aller Antennenelemente (gleiche Amplitude und Phase)
durch (ohne Beweis, siehe z. B. C. A. Balanis,

Antenna Theory,

rd

ed. 2005, S. 290 ):

sin d0 n sin


sin n k0 d sin
 =


(88)
AF =  21
sin 2 k0 d sin
sin d0  sin
gegeben ist, woraus man den maximalen AF und damit die Hauptstrahlrichtung mit AF = n fr
=0


erhlt.

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Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/22

Es interessiert nun der durch die Gruppenantenne erreichbare Richtfaktor. Wir nehmen dazu als Einzelelemente zunchst isotrope Kugelstrahler an, so dass dann die Fernfeldverteilung genau dem Gruppenfaktor

AF

in Gl (88) entspricht. hnlich zu Gl. (61) ergibt sich dann

D=




2
2 (AF )

R =2

=2

fr unseren Querstrahler:

2n2
:
2
d
=2 AF ( ) cos

= R =2

max

AF 2 ( ) cos d

(89)

= 5; 10; 20 Elementen als Funktion von


d=0 . Den maximalen Richtfaktor erhlt man fr d=0  0; 9 mit D  1; 8n, wobei man dann aber
bereits erhebliche Nebenzipfel erhlt. Zweckmig sind Elementabstnde von d=0  0; 5, wobei sich
fr d=0 = 0; 5 gerade ein Richtfaktor von D  n ergibt.
Abb. 19 zeigt

als Beispiel fr einen Querstrahler mit

35

30

25

20
n = 20

15

10

n = 10

n=5

0
0.0

0.5

1.0

1.5
d /0

Abb. 19: Richtfaktor fr Mehrfachantennen mit


keit vom Abstand der Einzelelemente

d=0

2.0

2.5

3.0

= 5; 10; 20 isotropen Kugelstrahlern in Abhngig-

untereinander (Querstrahler, gleiche Anregung aller

Einzelelemente).

Im Grenzfall

 0

und

nd

 0

folgt aus Gl. (89) nherungsweise:

D  2n

d
0

(90)

Gl. (89) und (90) sowie Abb. 19 gelten fr ein array aus isotropen Kugelstrahlern, so dass
den Faktor zur Erhhung des Richtfaktors angibt (Richtfaktor

auch

D = 1 fr ein isotropes Kugelstrahler-

Element). Einen solchen Faktor, der die Erhhung des Richtfaktors (oder Gewinns) gegenber dem
Richtfaktor (Gewinn) des Einzelstrahlers angibt, lsst sich auch fr Einzelstrahler mit hherem Richt-

=2-Dipol) angeben. Je nach Richtwirkung des Einzelstrahlers ist dieser Faktor dann bis
zu =2 grer als D in Gl. (89) und (90).
faktor (z. B.

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Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/23

10.2 Lngsstrahler
Im Gegensatz zum Querstrahler ist auch ein Lngsstrahler gem Abb. 20 mglich, dessen Hauptstrahl-

x -Richtung zeigt, wenn die Speisung benachbarter Antennenelemente jeweils phasenverzgert


mit ' = k0 d erfolgt, so dass bei der Abstrahlung eine phasenrichtige Addition in x -Richtung erfolgt.
keule in

Abb. 20: Lngsstrahler mit

Strahlelementen.

Wenn man fr die Einzelstrahler wieder isotrope Kugelstrahler zugrunde legt, erhlt man hnlich zu
Gl (90) im Grenzfall

 0

und

nd

 0

D  A  2n
mit

d
0

(91)

= 2. Bei noch geschickterer Speisung der Einzelelemente lsst sich A noch bis auf A  3; 6

erhhen (Hansen-Woodyard-Design). Man erhlt damit fr einen Lngsstrahler noch einen deutlich
hheren Richtfaktor als beim Querstrahler, was im Wesentlichen daran liegt, dass der Querstrahler in
Abb. 18 nicht nur in positive

x -Richtung, sondern auch in negative x -Richtung abstrahlt.

Eine spezielle Bauform eines Lngsstrahlers stellt die


dabei nur ein

=2-Dipol

Yagi-Uda-Antenne

gem Abb.21 dar. Es wird

erregt (in Abb. 21 ein Faltdipol), wobei in Abstrahlrichtung leitende Stbe

angeordnet sind (die sog.

Direktoren),

wobei durch das primre Feld des Faltdipols in den Direktoren

Strme erregt werden., die wieder selbst zur Abstrahlung fhren. Da die Strme in den Direktoren
entsprechend der Laufzeit des Feldes phasenrichtig angeregt werden, ergibt sich schlielich eine konstruktive berlagerung der Felder wie beim Lngsstrahler. Die Lnge der Direktoren ist dabei etwas
krzer als

0 =2.

Abb. 21: Yagi-Uda-Antenne mit Faltdipol als Erreger, Reektorwand und sechs Direktoren. Der Abstand der Direktoren betrgt typisch einige

Fr beispielsweise 10 Direktoren und


dem

0 =10.

d=0 = 0; 2 erhlt man eine Erhhung des Richtfaktors gegenber

=2-Speisedipol von ca. 16 : : : 17 (s. C. A. Balanis, Antenna Theory), was sogar etwas hher ist

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Hochfrequenztechnik I

Lineare Antennen

LA/24

als Gl. (91) erwarten lsst, da die Strme auf den Direktoren sich sehr hnlich zum Hansen-WoodyardDesign ergeben.

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Hochfrequenztechnik I

Antennen an Grenzchen

GR/1

In den letzten Kapiteln wurde die Wellenausbreitung im freien Raum und die lineare Antenne betrachtet.
Hier soll nun genauer untersucht werden, wie sich Wellen an Grenzchen zwischen zwei Medien
verhalten und welche Auswirkungen das auf Antennen hat, die sich in der Nhe solcher Grenzchen
benden.

1 Stetigkeitsbedingungen an Grenzchen
In Abb. 1 ist eine Grenzche zwischen zwei Medien 1 und 2 skizziert, und wir wollen nun Aussagen
machen ber die Stetigkeit der tangetialen und normalen Feldkomponenten.

a)

b)

~t und H~ t sowie b) normale Feldkomponenten B~ n und D


~ n.
Abb. 1: a) Tangentiale Feldkomponenten E
Wir wollen zunchst annehmen, dass in der Grenzche keine magnetischen Flchenstrme ieen,
also in der Grenzche J~f m = 0 gilt:
1.1 Keine magnetischen Flchenstrme

J~f m = 0

Unter dieser Annahme mssen beim bergang zwischen zwei Medien 1 und 2 mit unterschiedlichem
, " die Tangentialkomponenten der elektrischen Feldstrke stetig bergehen:



~
Et 1

=
Grenzche

Wegen




~
Et 2

(1)
Grenzche

r  E~ = j!B~

(2)

folgt aus Gl. (1) unmittelbar auch die Stetigkeit der Normalkomponente der magnetischen Flussdichte
B~ :



B~ n1

Grenzche


= B~ n2

(3)

Grenzche

Im nchsten Schritt wollen wir annehmen, dass in der Grenzche keine elektrischen Flchenstrme
ieen, also in der Grenzche J~f = 0 gilt.

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Hochfrequenztechnik I

Antennen an Grenzchen

1.2 Keine elektrischen Flchenstrme

GR/2

J~f = 0

In diesem Fall mssen die Tangentialkomponenten der magnetischen Feldstrke stetig sein



~
Ht 1

Grenzche

Wegen




~
Ht 2

(4)
Grenzche

r  H~ = j!D~

(5)

~:
folgt aus Gl (3) dann auch die Stetigkeit der Normalkomponente von D


~ n1
D

=
Grenzche



~ n2
D

(6)
Grenzche

Bei Grenzchen, bei denen sowohl J~f = 0 und J~f m = 0 gelten (z. B. bergnge zwischen zwei
Dielektrika), mssen sowohl Gl. (1) und Gl. (4) und damit auch Gl. (3) und (6) erfllt sein.
1.3 Randbedingungen an ideal elektrisch leitender Wand

Wenn man nun annimmt, dass das Medium 2 ein ideal elektrisch leitendes Metall sei, ergibt sich fr
den Bereich 2 eine unendlich gute Leitfhigkeit  und damit eine unendlich hohe komplexe Dielektrizittskonstante ":
!1 ) "!1
(7)
An der Oberche eines solchen idealen elektrischen Leiters knnen Strme ieen, so dass dann
J~f 6= 0 wird. Es ieen aber keine magnetischen Flchenstrme, es gilt also J~f m = 0.
Damit gelten die Randbedingungen (1) und (3), aber nicht (4) und (6).
In einem idealen elektrischen Leiter muss das elektrische Feld verschwinden (ansonsten wrde sich
wegen  ! 1 ein unendlich hoher Strom ergeben), so dass aus Gl (1)



~
Et 1

und damit aus Gl. (3)

und damit auch

=0

(8)

=0

(9)

=0

(10)

Grenzche




~
Bn1

Grenzche




~
Hn1

Grenzche

folgt.
D. h. bei einer ideal elektrisch leitenden Wand verschwinden die Tangentialkomponenten der elektrischen und die Normalkomponenten der magnetischen Feldstrke.

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Antennen an Grenzchen

GR/3

2 Spiegelung von Strmen an ideal leitenden Wnden


Da an ideal elektrisch leitenden Wnden die Tangentialkomponenten der elektrischen Feldstrke verschwinden, kann man Ersatzanordnungen mit Spiegelstrmen angeben, die im Bereich 1 (also in dem
Bereich, der nicht unendlich gut leitet) die gleiche Feldverteilung aufweisen wie die ursprnglichen
Anordnungen.
2.1 Ideal elektrisch leitende Wand

Zuerst sollen ideal elektrische leitende Wnde untersucht werden, wie sie schon oben beschrieben
wurden. Es mssen also Ersatzanordnungen gefunden werden, bei denen an der Grenzche die tangentialen Komponenten des elektrischen und die normalen Komponenten des magnetischen Feldes
verschwinden.

2.1.1 Stromuss parallel zur Grenzche

Abb. 2: Spiegelung eines parallel zur Grenzche ieenden elektrischen Stromes an einer ideal elektrisch leitenden Wand.
Abb. 2 zeigt den Fall eines elektrischen Stromes, der parallel zur ideal elektrisch leitenden Wand
iet. Eine solche Anordnung kann durch Spiegelung des Stromes an der Grenzche nachgebildet
werden, wodurch sich die Tangentialkomponenten des magnetischen Feldes direkt an der Grenzche vorzeichenrichtig addieren und somit verdoppeln, whrend die Normalkomponenten verschwinden.
Gleichzeitig verschwinden die elektrischen Tangentialkomponenten.
Analog dazu kann man die Ersatzanordnung fr magnetische Strme gem Abb. 3 angeben. Whrend
elektrische Strme mit umgekehrtem Vorzeichen gespiegelt werden mssen, zeigen die magnetischen
Spiegelstrme in dieselbe Richtung. Dadurch lschen sich die Tangentialkomponenten des elektrischen

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Hochfrequenztechnik I

Antennen an Grenzchen

GR/4

Abb. 3: Spiegelung eines parallel zur Grenzche ieenden magnetischen Stromes an einer ideal elektrisch leitenden Wand.

Feldes, das sich in geschlossenen Feldlinien um die magnetischen Strme bildet, an der Grenzche
aus, da diese an der Grenzche gleich gro, aber entgegengesetzt orientiert sind.

2.1.2 Stromuss senkrecht zur Grenzche


Ist der Stromuss nicht parallel, sondern senkrecht zur ideal elektrisch leitenden Wand, ergeben sich
Spiegelstrme gem Abb. 4 und 5.

Abb. 4: Spiegelung eines senkrecht zur Grenzche ieenden elektrischen Stromes an einer ideal
elektrisch leitenden Wand.
Elektrisch leitende Wnde mit senkrecht dazu ieenden elektrischen Strmen knnen mit Spiegelstrmen nachgebildet werden, die in dieselbe Richtung ieen wie die ursprnglichen Strme (s. Abb.
4). Dadurch ergeben sich auf beiden Seiten der Grenzche gleiche tangentiale magnetische Feldstrken, whrend sich die tangentialen Komponenten des elektrischen Feldes an der Grenzche gerade
auslschen.

Abb. 5: Spiegelung eines senkrecht zur Grenzche ieenden magnetischen Stromes an einer ideal
elektrisch leitenden Wand.
Bei magnetischen Strmen wird die ideal elektrisch leitende Wand durch entgegengesetzte magnetische Spiegelstrme nachgebildet, wie Abb. 5 zeigt. Das ist ntig, damit die sich ringfrmig um den

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Antennen an Grenzchen

GR/5

magnetischen Strom ausbildenden elektrischen Feldstrken tangential zur Grenzche sich gegenseitig
auslschen.
2.2 Ideal magnetisch leitende Wand

Bei ideal magnetisch leitenden Wnden mit ber alle Maen wachsendem  ! 1 im Bereich 2 gilt
zwar J~f = 0, aber es knnen sich an der Grenzche magnetische Oberchenstrme ausbilden, d. h.
dass dann J~f m 6= 0 wird.
Es gelten damit die Randbedingungen Gl. (4) und (6). Wegen  ! 1 verschwinden im Bereich 2 die
magnetischen Felder, so dass aus Gl. (1) folgt:



~
H t 1

=0

(11)




~
Dn1

=0

(12)

=0

(13)

Grenzche

und damit gilt in Gl. (6)

und damit auch




~
E n1

Grenzche

Grenzche

Daher knnen analog zu ideal elektrisch leitenden Wnden auch ideal magnetisch leitende Wnde
durch Spiegelstrme nachgebildet werden. Abb. 6 und 7 zeigen die Ersatzanordnungen fr elektrische
und magnetische Strme.

2.2.1 Elektrische Strme

Abb. 6: Spiegelung von elektrischen Strmen an einer ideal magnetisch leitenden Wand.
Abb. 7 zeigt die Spiegelstrme fr parallel und senkrecht zur Wand ieende elektrische Strme.
Elektrische Strme parallel zur ideal magnetisch leitenden Wand fhren zu Spiegelstrmen des gleichen Vorzeichens, whrend senkrecht zur Wand orientierte elektrische Strme zu entgegengesetzt
orientierten Spiegelstrmen fhren.

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GR/6

Antennen an Grenzchen

Abb. 7: Spiegelung von magnetischen Strmen an einer ideal magnetisch leitenden Wand.

2.2.2 Magnetische Strme


Magnetische Strme an ideal magnetisch leitenden Wnden sind in Abb. 7 dargestellt. Bei magnetischen Strmen parallel zur ideal magnetisch leitenden Wand ergeben sich Spiegelstrme, die entgegengesetzt zu den Strmen im Bereich 1 sind, wodurch Normalkomponenten des elektrischen Feldes an
der Grenzche vermieden werden. Bei senkrecht zur Wand ieenden magnetischen Strmen ergeben
sich Spiegelstrme mit derselben Ausrichtung.
Damit verhalten sich elektrische (magnetische) Strme an ideal magnetisch leitenden Wnden genau
so wie magnetische (elektrische) Strme an ideal elektrische leitenden Wnden.
2.3 Beispiel

=4-Monopol ber ideal elektrisch leitender Erde

Mit den gewonnen Erkenntnissen knnen wir nun z. B. die Ersatzanordnung fr einen =4-Monopol an
einer ideal elektrisch leitenden Wand bestimmen. Da es sich hier um einen elektrischen Strom handelt,
der rechtwinklig zur Wand iet, kann diese Anordnung durch einen Spiegelstrom nachgebildet werden,
der in dieselbe Richtung iet (s. Abb. 4). Das kann durch einen Dipol erreicht werden, dessen obere
Hlfte genauso mit der Spannung U angesteuert wird wie der zu ersetzende Monopol, dessen untere
Hlfte jedoch mit der negativen Spannung U , damit hier der Strom auch nach oben iet. Es ergibt
sich als Ersatzschaltung ein =2-Dipol, der mit 2U angesteuert wird (s. Abb. 8).
/4 Monopol

/2 Dipol

Abb. 8: Ersatzanordnung eines =4-Monopols ber ideal elektrisch leitender Erde.

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GR/7

Antennen an Grenzchen

Die Fupunktimpedanz des =4-Monopols ergibt sich zu

1 2U = 37

Za = = 
2 |{z}
I
U
I




Z a

2

mit




Z a

2

= 73; 2

(14)

Dipol

Dipol

Die Fupunktimpedanz eines =4-Monopols an einer ideal elektrisch leitenden Wand (wie z. B. in erster
Nherung die Erde) weist nur die Hlfte der Fupunktimpedanz eines =2-Dipols auf, der bezglich
des oberen Halbraumes die gleiche Abstrahlcharakteristik hat.

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Aperturantennen

AP/1

1 Grundprinzip

Im Kapitel ber lineare Antennen (LA) wurde gezeigt, dass man durch eingeprgte Strme auf einer
Antenne Leistungsabstrahlung erreichen kann. Diese linearen Antennen haben idealer Weise keine Ausdehnung auer in der Hhe und weisen eine rotationssymmetrische Abstrahlung auf. Aperturantennen
hingegen haben eine zweidimensionale Ausdehnung und gestatten eine gezieltere Abstrahlung in eine
bestimmte Raumrichtung. Die Beschreibung derartiger Aperturantennen erfolgt mit dem Huygensschen Prinzip.
2 Huygens'sches Prinzip

Das Huygens'sche Prinzip besagt, dass jeder Punkt einer Wellenfront wieder als Quelle neuer Elementarwellen angesehen werden kann (siehe Abb. 1). Daher gengt es, die elektrische und magnetische
Feldstrke auf einer vorgegebenen Flche F zu kennen, um die Wellenausbreitung beschreiben zu
knnen.

Abb. 1: Huygens'sches Prinzip: Bildung einer Kugelwelle aus einzelnen Elementarwellen.


Wir betrachten dazu in Abb. 2 ein geschlossenes Volumen der Oberche F , wobei die Felder E~ und
~ entlang dieser Oberche bekannt seien (z. B. durch Messungen). Die Felder E
~ und H
~ entstehen
H
beispielsweise durch Antennen oder sonstige Primrstrahler innerhalb des Volumens, wobei aber die
Quellen nicht unbedingt bekannt sind.
Entsprechend des Huygensschen Prinzips besteht nun die Aufgabe darin, entlang der Oberche F
quivalente Ersatzquellen (elektrische und magnetische Strombelge) derart anzugeben, dass die Felder
~, H
~ entlang der Oberche korrekt wiedergegeben werden, aber das Innere des Volumens feldfrei
E
bleibt.
Die Bestimmung der elektrischen und magnetischen Strombelge J~f und J~fm erfolgt in Anlehnung an
Abb. 3.
Abb. 3 illustriert die Stetigkeitsbedingungen in Form eines Umlauntegrals entlang der Oberche. Im
Falle des magnetischen Feldes ergibt sich:


jH~ j jH~ i j  l = jJ~f j  l




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(1)

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Aperturantennen

AP/2

Oberflche F

Abb. 2: Ersatzanordnung fr die Berechnung der elektrischen und magnetischen Strombelge J~f bzw.
J~fm bei vorgegebenen elektrischen und magnetischen Feldstrken auf der Oberche F mit Normalenvektor ~n senkrecht zur Oberche.

Abb. 3: Umlauntegral ber elektrische und magnetische Feldstrke an der Oberche des Gebiets.

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Aperturantennen

Auf Grund der Feldfreiheit im Inneren ist H~ i




= 0.

AP/3

Analog dazu ergibt sich fr die elektrische Feldstrke:

jE~ j jE~ i j  l = jJ~fm j  l




(2)

Daher kann man bei gegebener Feldverteilung E~ und H~ entlang der Oberche F einen elektrischen
J~f und einen magnetischen Strombelag J~fm einfhren mit:
J~f = ~
n
J~fm =

 H~ mit der Dimension A/m


~ mit der Dimension V/m;
~
nE

(3)
(4)

wobei ~n der Einheitsnormalenvektor der Oberche F ist.


Die Strombelge J~f und J~fm lassen sich nun als die neuen Quellen fr die Wellenausbreitung auassen. Da das Innere des Gebiets mit der Oberche F ansatzgem feldfrei ist, kann innerhalb dieses
Volumens ein Medium mit beliebigem ";  angenommen werden.
3 Abstrahlung einer rechteckigen Apertur

Wir nehmen in Abb. 4 als einfaches Beispiel eine rechteckige Apertur mit der Breite a und der Hhe
b an. Diese Apertur fassen wir als Teil der Oberche F in Abb. 2 auf, so dass wir die Felder in dieser
Apertur durch quivalente Quellen J~f und J~fm auf dieser Apertur beschreiben wollen.

Abb. 4: Ebene Welle in rechteckiger Apertur der Breite a und der Hhe b.
Die Felder auf der Apertur seien durch
~ =~
ez E z (y 0 ; z 0 )
E


~ =~
H
ey  H y (y 0 ; z 0 )

(5)
(6)

gegeben.
Der Normalenvektor ~n in Abb. 2 zeigt in Abb. 4 in x -Richtung:
~
n=~
ex ;

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(7)

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AP/4

Aperturantennen

so dass sich dann die quivalenten Strombelge J~f , J~fm in Gl. (3) und (4) ergeben zu:
J~f = ~
n
J~fm =

 H~ = (~ex  ~ey )Hy (y 0; z 0) = ~ez  Hy (y 0; z 0)


~ = (~
~
nE
ex  ~
ez )E z (y 0 ; z 0 ) = ~
ey  E z (y 0 ; z 0 )

(8)
(9)

In Analogie zu den Gl. (LA 30) und (LA 31) lassen sich dann daraus die Vektorpotentiale A~ und F~ mit
~=
A
~=
F

1
4

Z Z

4

z0 y0

J~f

j k0 ~
r

r~0

dy dz

(10)


J~f m
exp
j k0 ~
r
~
r r~0

r~0

dy dz

(11)

Z Z

j~r
j

r~0

exp

j
j

und damit mit Gl. (LA 19) und (LA 20) auch E~ und H~ im gesamten Raum vor der Apertur in Abb. 4
fr x > 0 bestimmen.
Die Lsung gem Gl. (10) und (11) setzt ein homogenes Medium mit " = "0 und  = 0 voraus.
Da das Innere des Volumens in Abb. 2 bzw. der Bereich hinter der Apertur in Abb. 4 denitionsgem
feldfrei ist, kann dort ein beliebiges Medium angenommen werden, also z. B. der freie Raum mit " = "0 ,
 = 0 , so dass die Lsungen (10), (11) gerechtfertigt sind.
3.1 Einfhrung einer magnetisch leitenden Wand

Auf Grund der Feldfreiheit hinter der Apertur kann dort auch ein beliebiges anderes Material angenommen werden, z. B. eine ideal magnetisch leitende Wand an der Stelle x = 0. Dadurch wird der
magnetische Strombelag J~fm kurzgeschlossen, und man muss nur noch den elektrischen Strombelag
J~f fr das Feldproblem betrachten.
Als weitere Annahme gehen wir davon aus, dass die magnetisch leitende Wand bei x = 0 in y 0 - und z 0 Richtung unendlich ausgedehnt ist. Diese Annahme ist zulssig, wenn in der Ebene x = 0 fr jy 0 j > a=2
und jz 0 j > b=2 die Feldkomponenten vernachlssigbar werden. Fr diese Annahme beschrnken wir
uns deshalb auf groe Aperturen mit a; b  0 , wenn die Abstrahlung im Wesentlichen in x -Richtung
erfolgt und in der Apertur H y = E z =ZF 0 gilt.
Nach der Spiegelung an der magnetisch leitenden Wand entspricht das Feldproblem einem Strombelag
von:
(12)
J~f ;gesamt = 2J~f im freien Raum
Das Vektorpotential A~ ist fr x
~=
A

>0

hnlich zu Gl. (10) anzugeben:


Z Z ~

J f ;gesamt


exp
j
k
r
0 ~


0
4
~
r r
~
1



r~0 dy 0 dz 0

(13)

nur das jetzt F~ nach Gl. (11) entfllt und der Strombelag J~f ;gesamt doppelt so gro geworden ist.
Wegen Gl. (3) weist das Vektorpotential A~ ausschlielich eine z -Komponente auf:

Z Z


H y (y 0 ; z 0 )
1


0
~


Az =
j k0 ~
r r dy 0 dz 0
(14)

exp
0
2
~
r r
~
z0 y0

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AP/5

Aperturantennen

hnlich wie in Kapitel LA lsst sich fr das Fernfeld r  a; b eine Vereinfachung einfhren:




r r~0 = r y 0  sin '  sin  z 0  cos ;
~

(15)

so dass aus Gl. (14) folgt:


Az =

exp( j k0 r )
2r

Z
z0

0
0
0 0
0
0
H y (y ; z ) exp(j k0 y sin ' sin  ) dy exp(+j k0 z cos  ) dz

(16)

y0

Fr die beiden nicht verschwindenden Feldkomponenten gilt wie bei den linearen Antennen:

 j k0Az sin 
E   H '  ZF 0

(17)
(18)

H'

Fr Aperturen mit a; b  0 erfolgt die Abstrahlung im Wesentlichen in x -Richtung, so dass das


Fernfeld hauptschlich fr Winkel j'j  1 und   =2, bzw. j j  1 mit = =2 , existiert.
Damit kann man weiter vereinfachen:
sin 

 1;

sin '

 ';

cos 

Es ergibt sich somit aus Gl. (16) und (17) im Fernfeld fr das magnetische Feld:
Z Z
j k0 exp( j k0 r )
H ('; ) 
H (y 0 ; z 0 ) exp(j k0 'y 0 + j k0 z 0 ) dy 0 dz 0
'

2r

(19)

z0 y0

Gl. (19) entspricht einer zweidimensionalen Fouriertransformation, d. h. das magnetische Fernfeld H '
lsst sich bis auf einen von ' und
unabhngigen Faktor als Fouriertransformierte des Nahfeldes
auassen.
3.2 Beispiel: Aperturantenne mit rechteckiger Apertur (a; b
Belegung

  ) und konstanter
0

Wir wollen eine rechteckige Apertur wie in Abb. 4 betrachten mit konstanter Belegung, also konstanter Feldverteilung auf der gesamten Apertur. Die Abmessungen sollen gro sein verglichen mit der
Wellenlnge (a; b  0 ). Die Verteilung des magnetischen Feldes auf der Apertur ist dann:

0 a
0 b
H
0 fr jy j  2 und jz j  2
0
0
H y (y ; z ) =
(20)

0 sonst
Nach Gl.19 ergibt sich fr das Fernfeld:
H ' ('; ) =

mit
F' (') =

j k0 H 0 exp( j k0 r )
F' (') F ( )
2r

Za=2

cos(k0 'y ) dy = a

(21)

sin(k0 'a=2)

(22)

k 'a=2
}
| 0 {z
a=2
Spaltfunktion
z
}|
{
Zb=2
sin(
k
b=
2)
0
0 0
F ( ) =
cos(k0 z ) dz = b
k0 b=2
b=2

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(23)

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AP/6

Aperturantennen

Der Richtfaktor einer solchen Antenne berechnet sich analog zu Kapitel LA:

4 F' (' = 0) F ( = 0)
D=
R =2 2
R
2
 F' d'
=2 F d

 

4 a b
20

(24)

Die Wirkche ergibt sich dann bei Vernachlssigung der Verluste (D = Giso ) zu
Aw =

Giso 2
0 = a b = A;
4

(25)

d. h. fr den Spezialfall einer konstanten Antennenbelegung ist die Antennenwirkche gleich der
geometrischen Flche. Bei nicht konstanter Belegung wird die Antennenwirkche jedoch kleiner als
die geometrische Flche. Typische Gren sind Aw = [0; 5 : : : 0; 8]  A.
Fr eine Antennenwirkche Aw = 0; 5 m2 und eine Wellenlnge 0 = 3 cm oder f
weist die Aperturantenne einen Gewinn von Giso  7000 (=38
^ ; 5 dBi ) auf.
Beispiel:

= 10 GHz

4 Ausfhrungsformen

Aperturantennen werden i. A. mit Parabolspiegeln wie in Abb. 5 realisiert. Fr Parabeln gilt, dass die
Entfernungen 0A, 0B, 0C, 0D vom Brennpunkt auf die Gerade EE0 gleich gro sind. Es bildet sich so
eine Phasenfront entlang EE0 aus. Die Felder entlang EE 0 fhren dann, wie oben beschrieben, zu den
quivalenten Strombelgen J~f und J~fm .

Abb. 5: Aperturantenne als Parabolspiegel.


Aperturantennen sind mit nahezu konstanter Belegung realisierbar. Allerdings werden hug die Randbereiche der Apertur etwas weniger angeregt, um die Aufzipfelung des Fernfeldes (als Fouriertransformierte des Nahfeldes) zu verhindern.
Abb. 6 zeigt verschiedene technische Ausfhrungen von Aperturantennen.

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Aperturantennen

AP/7

ebene Phasenfront
Parabol

Abb. 6: Ausfhrungsformen von Aperturantennen: a) Parabolantenne, b) Cassegrain-Antenne mit hyperbolischem Subreektor, c) Hornparabol, d) Muschelantenne, e) Oset-Parabolantenne.

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Hohlleiter

HO/1

1 Einleitung
Bisher haben wir als Wellenleiter nur die Zweidrahtleitung (z.B. Koaxialleitung) kennengelernt. Elektromagnetische Wellen knnen sich aber auch in anderen Leitungsstrukturen ausbreiten. So kann man
sich beispielsweise die Frage stellen, inwieweit sich elektromagnetische Wellen auch innerhalb einer
Koaxialleitung ausbreiten knnen, wenn der Innenleiter entfernt worden ist (man gelangt dann zum
sogenannten Rundhohlleiter). Wir wollen uns hier zunchst auf den sogenannten Rechteckhohlleiter
beschrnken, wie er in Abb. 1 skizziert ist. Der Rechteckhohlleiter hat eine Breite a und eine Hhe

Abb. 1: Prinzip eines Rechteckhohlleiters

b und ist mit einer metallischen Berandung versehen. Wenn man sich am Beginn des Hohlleiters eine
anregende Feldverteilung (oder eine Antenne) vorstellt, so knnte man die Wellenausbreitung im Hohlleiter hnlich beschreiben wie im freien Raum, nur msste zustzlich die Reexion an den metallischen
Grenzchen bercksichtigt werden. Dies wre zwar prinzipiell mglich, ist aber doch recht aufwndig,
so dass eine alternative Darstellung des Feldproblems gesucht werden soll.

2 Prinzipielle Darstellung des Feldproblems mit Eigenwellen


Falls sich der Querschnitt des Hohlleiters in z-Richtung nicht ndert, ist eine relativ elegante Lsung des Feldproblems mit Eigenwellen mglich. Wenn zunchst eine harmonische Zeitabhngigkeit
vorausgesetzt wird, so dass das orts- und zeitabhngige Feld

E~ (~r; t ) geschrieben wird als

E~ (~r; t ) = < E~ (x; y; z ) exp(j!t )


n

mit dem komplexen Vektor-Zeiger

(1)

E~ (x; y; z ), so suchen wir bei einem Eigenwellen- (oder allgemeiner

Eigenwert-) Problem nach Feldverteilungen im Hohlleiter, deren Form sich in z-Richtung nicht ndert.
Diese Eigenwellen lassen sich im allgemeinen abzhlen (z.B. Zhlindex

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

 ),

so dass sich dann die

Hochfrequenztechnik I
Feldverteilung fr die

Hohlleiter

HO/2

 -te Eigenwelle schreiben lsst




~E (x; y; z )





H~ (x; y; z )

= a E~  (x; y ) exp(j  z )
te Eigenwelle

= a H~  (x; y ) exp(j  z )

(2)

te Eigenwelle

E~  (x; y ); H~  (x; y )

 fr die  -te
Eigenwelle. Fr einen verlustfreien Hohlleiter (verlustfreie metallische Berandung) ist  entweder reell
oder rein imaginr (=
^ aperiodische Dmpfung). Das negative Vorzeichen vor  in Gl. (2) steht dabei
mit der transversalen Feldverteilung

und der Phasenkonstanten

fr eine Ausbreitung in positiver z-Richtung, whrend das positive Vorzeichen fr Wellenausbreitung


in negativer z-Richtung steht.
Eine wichtige Eigenschaft von Eigenwellen stellt deren
elektrischen Feldes der Eigenwelle

 und des magnetischen Feldes der Eigenwelle  gilt (ohne Beweis):

ZZ 

Orthogonalitt dar. Bei Verknpfung des

E~   H~  dA~ = 0


fr

 6= 

(3)

Die doppelte Integration in Gl. (3) erstreckt sich ber die Querschnittsche A des Wellenleiters. Gl.
(3) gilt fr verlustfreie Wellenleiter. Fr verlustbehaftete Wellenleiter lsst sich auch eine Orthogonalittsbeziehung aufstellen, bei der aber

konjugiert komplex bei

H~  in Gl. (3) entfllt.

2.1 Spezielle Eigenwellen


Als eine Eigenwelle haben wir die Grundwelle der Koaxialleitung im Abschnitt LEI kennengelernt. Das
magnetische Feld hat dort nur eine

'-Komponente und das elektrische Feld hat nur eine r-Komponente.

Sowohl das elektrische als auch das magnetische Feld steht damit senkrecht zur Ausbreitungsrichtung

= k0 p".

(z-Richtung) und man spricht von einer TEM-(transversal elektro-magnetischen) Welle. Fr die Phasenkonstante der TEM-Welle gilt:

Wie wir spter sehen werden, gibt es im Hohlleiter keine TEM-Wellen, sondern statt dessen H-Wellen
(auch bezeichnet als TE-Wellen, TE = transversal elektrisch) oder E-Wellen (auch bezeichnet als TMWellen, TM = transversal magnetisch). Bei einer H-Welle gibt es in z-Richtung nur eine Komponente
des magnetischen Feldes (Hz ), whrend es bei einer E-Welle in z-Richtung nur eine Komponente des
elektrischen Feldes (Ez ) gibt.

2.2 Prinzipielle Lsung des Feldproblems mit Eigenwellen


Mit Eigenwellen ist tatschlich eine besonders elegante Lsung des Feldproblems in Wellenleitern
mglich. Nehmen wir an, an der Stelle z=0 am Anfang des Wellenleiters sei eine Feldverteilung

E~ (x; y; z = 0) vorgegeben. Diese Feldverteilung wird im allgemeinen mit keiner der Feldverteilungen E~ 
~ (x; y; z = 0)
der einzelnen Eigenwellen des Wellenleiters bereinstimmen, so dass die Feldverteilung E
~  verschiedener Eigenwellen darstellen lsst:
sich nur als berlagerung der Felder E
E~ (x; y; z = 0) =

a E~  (x; y )

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(4)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/3

a lassen sich in eleganter Weise unter Verwendung


~  das Kreuzprodukt bildet
der Orthogonalittsbeziehung (3) bestimmen. Wenn man in Gl. (4) mit H

Die zunchst unbekannten Anregungskoezienten

und ber die Querschnittsche integriert, ergibt sich (Annahme: verlustfreier Wellenleiter)

ZZ 

E~ (x; y; z = 0)  H~  dA~ =


a

ZZ 

E~   H~  dA~ = a


ZZ 

E~   H~  dA~


(5)

und damit fr den Anregungskoezient:

a =

RR 

E~ (x; y; z = 0)  H~  dA~

RR 
E~   H~  dA~


(6)

Bei Kenntnis des anregenden Feldes, der Eigenwellen sowie der Anregungskoezienten ist dann das
Feldproblem allgemein gelst gem:

E~ (x; y; z ) =

a E~  (x; y ) exp( j  z )

(7)

Die Darstellung ist noch insofern vereinfacht, dass in Gl. (7) nur das elektrische Feld und nur Eigenwellen mit Ausbreitung in positiver z-Richtung einbezogen wurden. Streng genommen muss auch
das magnetische Feld mit einbezogen werden, wobei sich dann auch Eigenwellen mit Ausbreitung in
negativer z-Richtung ergeben. Die grundstzliche Vorgehensweise bleibt aber wie oben beschrieben.

3 Grundgleichungen zur Beschreibung der elektromagnetischen Felder


im Hohlleiter
Da sich innerhalb des Hohlleiters keine Quellen benden sollen, gelten die Maxwell'schen Gleichungen
fr den quellenfreien Fall (

J~m = 0; J~E = 0, vergl. Abschnnitt LA, Gl. (1), (2)).

r  H~ = j!" E~
r  E~ = j!H~

(8)
(9)

";  betrachtet werden, so


~ F~ abgeleitet werden kann:
dass das elektrische bzw. magnetische Feld von den Vektorpotentialen A;
Weiterhin sollen nur Hohlleiter mit homogenem (d. h. ortsunabhngigen)

H~ = r  A~

(10)

bzw.

E~ = r  F~
(11)
~ als auch F~ vorhanden ist, ergibt sich mit Gl. (8), (9) (vgl.
oder, wenn sowohl das Vektorpotential A
Abschnitt LA, Gl. (19), (20)):

E~ =

1 r  (r  A~)
r  F~ + j!"

1
H~ = r  A~ + j! r  (r  F~ )

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(12)

(13)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

wobei fr die Vektorpotentiale

~ F~
A;

HO/4

die Wellengleichungen

A~ + k 2 A~ = 0
F~ + k 2 F~ = 0
mit

(14)
(15)

k 2 = !2 " gelten (vgl. Abschnitt LA, Gl. (8), (10)).

Es ist zunchst nicht oensichtlich, warum die Behandlung des Feldproblems durch die Einfhrung

~ F~ jeweils 3 Komponenten, also


~ F~ vereinfacht wird. Im allgemeinen htten A;
A;
Ax ; Ay ; Az bzw. F x ; F y ; F z , d.h. insgesamt gibt es fr die Vektorpotentiale 6 Komponenten. Die Verder Vektorpotentiale

einfachung durch die Einfhrung der Vektorpotentiale besteht nun darin, dass ein allgemeines quellenfreies Feldproblem mit homogenem Dielektrikum mit nur 2 dieser 6 Komponenten beschrieben werden

A~ und F~ knnen dann zu Null gesetzt werden. Damit kann das vollstndige Feldproblem fr die 6 Feldkomponenten E x ; E y ; E z ; H x ; H y ; H z

kann (ohne Beweis). Die verbleibenden 4 Komponenten von

mit nur 2 Komponenten der Vektorpotentiale beschrieben werden. Es knnen 2 beliebige kartesische
Komponenten von

~ F~ gewhlt werden, wobei die Wahl von der spezischen Problemstellung abhnA;

gig gemacht werden kann. Fr einen in z-Richtung ausgerichteten Hohlleiter wie z.B. in Abb. 1 ist es
blich, die z-Komponenten der Vektorpotentiale

~ F~
A;

fr die Feldberechnung heranzuziehen.

3.1 Feldbeschreibung mit der Komponente Az


Wir wollen zunchst untersuchen, welche Feldverteilungen sich nur mit der Komponente

Az

des Vek-

torpotentials beschreiben lassen. Dazu wird angesetzt

F~ = 0
A~ = ~ez
mit dem Einheitsvektor in z-Richtung

(16)

~ez . Fr das verbleibende skalare Potential

gleichung

+ k2

gilt die Wellen-

=0

Die elektrischen und magnetischen Felder ergeben sich aus

H~ = r  A~ = ~ez  r
und damit

(17)

(18)

wie folgt:

(19)

@
@
Hx = @yE ; Hy = @xE ; Hz = 0

(20)

Das elektrische Feld ergibt sich dann mit Gl. (8) zu

1
1
E~ = j!" r  H~ = j!" (r  H~ )
E
E~ t = x
Ey

Ex
Ey

Das transversale elektrische Feld

E~ t =

(21)

lsst sich dann in eleganter Weise schreiben

1 @ r
= j!"
@z t

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(22)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

bzw.

HO/5

1 @2
1 @2
E x = j!" @x@zE ; E y = j!" @y@zE

und fr

@2
1 @2
E z = j!" @y 2E + @x 2E

(23)

!
(24)

was sich mit Gl. (18) auch schreiben lsst als

1 @2
E z = j!" @z 2 + k 2
Damit lassen sich mit dem skalaren Potential
z-Komponente des magnetischen Feldes
beschreibbar, bei denen ja

Hz =0 ist.

!
(25)

nur Feldverteilungen beschreiben, bei denen fr die

Hz = 0 gilt. Damit sind mit

bereits E- (bzw. TM-) Wellen

3.2 Feldbeschreibung mit der Komponente Fz


Wenn man den zu Gl. (16), (17) dualen Ansatz macht

A~ = 0
F~ = ~ez
gilt in Analogie zu Gl. (18) auch

+ k2

(26)

(27)

=0

(28)

und als Feldkomponenten ergeben sich

E~ = r  F~ = ~ez  r
bzw.

(29)

@ H
@ H
=
;
E
y
@y
@x ; E z = 0

Ex =

(30)

Das magnetische Feld ergibt sich in dualer Weise zu Gl. (21) als


1
1 
H~ = j! r  E~ = j! r  E~

(31)

und damit fr das transversale magnetische Feld

H~ t =
bzw.

Hz

Hx
Hy

1 @ r
= j!
@z t

(32)

@2 H
@2 H
1
1
Hx = j! @x@z ; Hy = j! @y@z

(33)

ergibt sich analog zu Gl. (25):

1 @2
Hz = j! @z 2 + k 2
Mit dem skalaren Potential

!
(34)

lassen sich somit Feldverteilungen mit

E z = 0 und damit zum Beispiel

auch H- (bzw. TE-) Wellen darstellen.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/6

4 Eigenwellen des Rechteckhohlleiters


Es sollen nun Eigenwellen des Rechteckhohlleiters gesucht werden, d.h. wir suchen nur Feldlsungen
entsprechend Gl. (2). Wir nehmen dabei ein verlustfreies Dielektrikum mit reellen

" ! " und  ! 

und ideal elektrisch leitenden Wnden an.

4.1 H-Wellen
Zunchst suchen wir nach H-Wellen, d.h. nach Eigenwellen, bei denen
der skalaren Potentialfunktion

E z = 0 ist und die deshalb mit

(vgl. Gl. (27)) beschrieben werden knnen:

H (x; y; z ) = a H; (x; y ) exp(j  z )


wobei

die

 -te

Eigenwelle kennzeichnet. Der einfachste Ansatz fr

(35)

H; (x; y )

besteht in einem

Produktansatz:

H; (x; y ) = X (x )Y (y )
Wenn man die Wellengleichung fr

(36)

aus Gl. (28) etwas anders schreibt

H
H

+ k2 = 0

(37)

und Gl. (35), (36) einsetzt, ergibt sich

1 d2 X + 1 d2 Y
X dx 2 Y dy 2

2 + k 2 = 0

Da die Funktionen X(x) und Y(y) nur von x bzw. nur von y abhngen, mssen die Terme
1 d2 Y
Y dy 2 jeweils konstant sein. D.h.

1 d2 X = k 2
x
X dx 2

(38)

1 d2 X
X dx 2

und

(39)

und

1 d2 Y = k 2
(40)
y
Y dy 2
wobei die Konstanten (zunchst willkrlich) als
kx2 und ky2 bezeichnet werden. Zur Lsung von Gl.
(38) mssen noch die Randbedingungen bercksichtigt werden, nmlich dass das tangentiale elektrische Feld an der Hohlleiterberandung (ideal elektrisch leitend) verschwinden muss. Dazu muss gelten:

Ey = 0 bzw: ddXx = 0
Ex = 0 bzw: ddYy

mit
mit

x = 0; a
y = 0; b

(41)
(42)

Allgemeiner lassen sich diese beiden Randbedingungen ausdrcken durch

@ H
@n = 0
TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(43)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/7

wobei n die Normalenrichtung charakterisiert. Gl. (43) wird auch als

Neumann-Randbedingung

be-

zeichnet. Gl. (39) mit der Randbedingung (41) wird gelst durch

X (x ) = cos(kx x )

mit


kx = m a ; m = 0; 1; 2;   

(44)


ky = n b ; n = 0; 1; 2;   

(45)

und aus Gl. (40), (42) ergibt sich

Y (y ) = cos(ky y )

mit

Weiterhin folgt aus Gl. (38)-(40) die sogenannte Separationsbedingung

k 2 = kx2 + ky2 + 2
kx ; ky

und

(46)

 knnen dabei interpretiert werden als die Komponenten des Wellenvektors in x-, y- bzw.

z-Richtung (hnlich wie bei ebenen Wellen, s. EB/6) Durch Kombination von Gl. (35), (36), (44),
(45) sind damit H-Wellen im Rechteckhohlleiter charakterisiert durch die Potentialfunktion

wobei die Eigenwelle



x
y
=
a
cos
m

cos
n

H
a
b  exp(j  z )

(47)

durch die Ordnungszahlen m, n mit m = 0, 1, 2, 3 ... und n = 0, 1, 2, 3 ...

charakterisiert wird. Dabei ist allerdings die Kombination m=n=0 ausgeschlossen, da dann gem Gl.
(29)-(39) alle Feldkomponenten verschwinden wrden. Die Eigenwellen werden im folgenden durch
die beiden Ordnungszahlen m, n charakterisiert, so dass wir die hier diskutierten H-Wellen als
(bzw.

T Emn -) Wellen bezeichnen und die Phasenkonstante  =^ mn sich ergibt gem


m;n = k 2 kc2
q

mit der sogenannten Grenzwellenzahl

kc

Hmn -

(48)

mit


 2   2
kc2 = kx2 + ky2 = m a + n b
(49)
p
Da die Wellenzahl k gegeben ist als k = ! " = !=v (v-Phasengeschwidnigkeit einer ebenen Welle
im Dielektrikum mit "; ), lsst sich k auch als eine normierte Frequenz auassen, so dass sich die
Phasenkonstante mn auch schreiben lsst gem

1q
mn = v !2 !c2

(50)

1
!c = p" kc = vkc

(51)

mit der Grenzfrequenz

Fr Frequenzen oberhalb dieser Grenzfrequenz


tungsfhig, whrend fr

!c

ist

mn reell, die Eigenwelle ist also normal ausbrei-

! < !c mn imaginr wird, was einer in z-Richtung aperiodisch gedmpften

Welle entspricht. Man kann nun die einzelnen Eigenwellen mit ihren Ordnungszahlen m, n bezglich
ihrer Grenzfrequenzen sortieren. Wir setzen dazu wie in Abb. 1 a

> b voraus. Explizit ergibt sich fr

die Grenzfrequenz von Gl. (51) mit Gl. (49):

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

!c = v
bzw.

s


fc = !c =2

HO/8

 2   2
ma + nb

(52)

m 2  n 2
2a + 2b
Alternativ lsst sich auch die Grenzwellenlnge c = v=fc angeben:
fc = v

c = 1=

s


(53)

m 2  n 2
2a + 2b

(54)

Da die Ordnungszahlkombination m=n=0 ausgeschlossen ist, ergibt sich die kleinste Grenzfrequenz
fr die

H10 -Welle (m=1, n=0) gem Gl. (53) zu





fc

10

= 2va

(55)

Die Wellen mit den nchst hheren Grenzfrequenzen sind die

H20 -Welle bzw. die H01 -Welle mit den

Grenzfrequenzen




fc

20

= va = 2 




fc

(56)

10

und




fc

01

= 2vb

(57)

Fr den praktischen Einsatz eines Hohlleiters ist es wichtig, dass er fr einen mglichst groen Frequenzbereich einwellig ist, d.h. dass fr einen mglichst groen Frequenzbereich nur eine Eigenwelle
mit einer reellen Phasenkonstanten existiert. Da alle anderen Eigenwellen dann exponentiell gedmpft
werden, wird bei einem lngeren Hohlleiter nur diese eine Eigenwelle

berleben

mit ihrer eindeutig

denierten Feldverteilung.
Die

H20 -Welle hat gem Gl. (56) immer die doppelte Grenzfrequenz der H10 -Welle, so dass bestenfalls

ein Rechteckhohlleiter mit einem Einwelligkeitsbereich ber eine Oktave realisierbar ist. Um diesen
Einwelligkeitsbereich auch wirklich zu realisieren, muss die Grenzfrequenz der
gleich) sein als die Grenzfrequenz der

H20 -Welle, also:





fc

01

= 2vb 




fc

20

= va

H01 -Welle grer (oder

(58)

bzw.

a  2b
d.h. der Hohlleiter muss mindestens doppelt so breit wie hoch sein.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(59)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

Beispiel: Fr das X-Band (Frequenzbereich 8.2 GHz

HO/9

< f < 12.4 GHz) wird der sogenannte

R100-Hohlleiter (R100 = 10 GHz Mittenfrequenz) verwendet mit den Dimensionen




a = 22,860

mm

b = 10,160

mm

v = c = 3  108 m=s ) die Grenzfrequenzen:

Dieser Hohlleiter besitzt bei Luftfllung (




fc

= 6; 56 GHz;




fc

= 13; 12 GHz;

20

10




fc

= 14; 76 GHz;
01

so dass fr Frequenzen

6; 56 GHz < f < 13; 12 GHz


nur die

H10 -Welle ausbreitungsfhig ist.

4.2 Dispersionsdiagramm
In einem Dispersionsdiagramm wird der Zusammenhang zwischen der Phasenkonstanten

und der

! (bzw. Wellenzahl k) dargestellt, woraus sich dann auch die Phasengeschwindigkeit vph =
!= bzw. die Gruppengeschwindigkeit vgr = d!= d und damit die Dispersion ermitteln lsst.
Der Zusammenhang zwischen und k ist gem Gl. (48) gegeben und in Abb. 2 fr den Fall a = 2; 25b
Frequenz

dargestellt.

Abb. 2: Dispersionsdiagramm fr die

Hmn -Wellen im Rechteckhohlleiter

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/10

! = !0 betreibt, so lassen sich aus


Abb. 2 anschaulich sowohl die Gruppen- als auch die Phasengeschwindigkeit der H10 -Welle erkennen.
Formal ergeben sich Gruppen- und Phasengeschwindigkeit der Hmn -Welle aus Gl. (50) (Annahme
v = 1=p" frequenzunabhngig):
Wenn man beispielsweise den Hohlleiter in Abb. 2 bei der Frequenz

!
v
vph = = p
1 (!c =!)2
mn
q
d!
vgr = d = v 1 (!c =!)2

(60)

(61)

mn

Das Produkt von Phasen- und Gruppengeschwindigkeit ist konstant:

vph  vgr = v 2
Nahe der Grenzfrequenz (

! ! !c )

wird die Phasengeschwindigkeit unendlich , whrend die Grup-

pengeschwindigkeit gegen 0 geht. Fr

Phasengeschwindigkeit dem Wert

(62)

!!1

hingegen nhern sich sowohl die Gruppen- als auch

an. Unterschiedliche Eigenwellen besitzen damit unterschiedliche

Gruppengeschwindigkeiten und damit unterschiedliche Signallaufzeiten durch den Hohlleiter. Auch um


diese unterschiedlichen Signallaufzeiten zu vermeiden, ist der Betrieb des Hohlleiters im einwelligen
Bereich erforderlich.

4.3 E-Wellen
Bisher haben wir nur die H-Wellen des Rechteckhohlleiters diskutiert. Mit den H-Wellen allein ist aber
noch keine vollstndige Beschreibung des Feldproblems im Hohlleiter mglich. Dazu werden noch die
E-Wellen bentigt, bei denen in z-Richtung nur die

Ez -Komponente exisitiert und Hz = 0 ist. Diese

E-Wellen lassen sich ableiten aus der skalaren Potentialfunktion


zu Gl. (35) fr die

 -te Eigenwelle schreiben lsst:

(vgl. Gl. (17)), wobei sich hnlich

E (x; y; z ) = a E; (x; y ) exp(j  z )

(63)

E; (x; y ) = X (x )Y (y )

(64)

wieder mit einem Produktansatz

wobei fr X(x), Y(y) auch die Gl. (38)-(40) gelten. Auch bei E-Wellen muss das tangentiale elektrische
Feld an der Hohlleiterberandung verschwinden:

Ey = 0 fr x = 0; a
Ex = 0 fr y = 0; b
Ez = 0 fr x = 0; a und y = 0; b

Diese Randbedingungen fhren auf

=0

Dirichlet-Problem).

entlang der Hohlleiterberandung (

Konkret bedeutet dies

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(65)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

X (x ) = 0
Y (y ) = 0

mit
mit

HO/11

x = 0; a
y = 0; b

(66)
(67)

und damit fr die Lsung von Gl. (39), (40):

X (x ) = sin(kx x )


kx = m a ; m = 1; 2; 3; :::

ky = n b ; n = 1; 2; 3; :::

fr

Y (y ) = sin(ky y )

fr

(68)
(69)

wobei auch die Separationsbedingung Gl. (46) gelten muss. Die E-Wellen werden hnlich wie die H-

Emn - (bzw. T Mmn -) Wellen bezeichnet mit den Ordnungszahlen m, n. Der Unterschied zu
den Hmn -Wellen besteht darin, dass die Ordnungszahlen m, n > 1 sein mssen, da fr m=0 oder n=0
E und damit auch die Felder berall verschwinden wrden. E fr die Emn -Welle lautet dann mit Gl.
(63), (64), (68), (69) und  ! mn
Wellen als

x  y
(70)
E = amn sin m a  sin n b  exp (j mn z )
mit dem Anregungskoezient amn . Die Phasenkonstante mn der Emn -Welle ist identisch zur Phasenkonstante der Hmn -Welle in Gl. (48). Damit sind auch die Grenzfrequenzen der Emn -Wellen mit
den Grenzfrequenzen der Hmn -Wellen identisch, wobei allerdings E0n -Wellen bzw. Em0 -Wellen nicht
existieren. Die kleinste Grenzfrequenz hat deshalb die E11 -Welle mit





fc

=v

11

1 2 +  1 2
2a
2b

(71)

In einem Dispersionsdiagramm wie in Abb. 2 lassen sich auch die E-Wellen mit eintragen, wobei das
Dispersionsdiagramm der
entsprechende

E11 -Welle

genau der

H11 -Welle

entspricht. Da aber zur

H10 -Welle

keine

E10 -Welle existiert, bleibt der oben diskutierte Einwelligkeitsbereich durch die E-Wellen

unbeeinusst.
Die

Emn -Wellen besitzen die gleiche Phasenkonstante wie die Hmn -Wellen. Derartige Wellen mit glei-

cher Phasenkonstante bezeichnet man auch als

entartete Eigenwellen,

wobei eine beliebige berlage-

rung entarteter Eigenwellen auch wieder einer Eigenwelle entspricht.


Die E- und H-Wellen des Rechteckleiters bilden ein vollstndiges System, so dass durch berlagerung
der Eigenwellen wie z.B. in Gl. (4) sich jede beliebige Feldverteilung darstellen lsst. Damit ist mit den
oben diskutierten Eigenwellen eine allgemeine Lsung des Feldproblems mglich.

4.4 Feldverteilungen im Rechteckhohlleiter


Mit den Potentialfunktionen

bzw.

lassen sich gem Gl. (20)-(25) bzw. Gl. (30)-(34) alle

Feldkomponenten angeben, so dass damit das Feldproblem vollstndig gelst ist.


In Abb. 3 sind fr einige Eigenwellen Feldbilder angegeben. Am wichtigsten ist die
in einem einwelligen Hohlleiter nur die

H10 -Welle,

da

H10 -Welle ausbreitungsfhig ist. Interessant ist aber auch die

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/12

Abb. 3: Feldbilder von Eigenwellen niedriger Ordnung in Rechteckhohlleiter

E11 -Welle, deren Feldbild an das Feldbild der Koaxialleitung erinnert, nur dass der Innenleiter fehlt. Tatschlich gibt es aber bei der E11 -Welle im Zentrum des Hohlleiters eine relativ starke Ez -Komponente,
so dass der Leitungsstrom des Innenleiters der Koaxialleitung bei der E11 -Welle durch den Verschiebungsstrom ersetzt wird.
Am wichtigsten ist aber die

H10 -Welle. Die Potentialfunktion

ergibt sich dann mit Gl. (47) mit

m=1, n=0, wobei wir eine sich in + z-Richtung ausbreitende Welle betrachten wollen:


a
x
(72)
H =  E o cos  a exp( j z )
wobei die Konstante a in (47) willkrlich zu
(a=)E 0 gewhlt und die Indizierung bei der Phasenkonstante weggelassen wurde. Mit Gl. (30)-(34) ergeben sich dann

E x = E z = 0;

Hy = 0

x 
@
H
E y = @x = E 0 sin a exp( j z )
1

r"
@2 H
Hx = j! @x @z = ! E y = k  E y
1
x
kc2
kc r "
Hz = j! (k 2 2 ) H = j!
=
j
E
0 cos( ) exp( j z )
H
k 
a

mit

(73)
(74)

(75)

(76)

k = !p" und kc = =a fr die H10 -Welle. hnlich wie bei ebenen Wellen lassen sich auch bei

den Eigenwellen des Hohlleiters Wellenwiderstnde angeben, indem die transversalen Feldkomponenten
miteinander verknpft werden, so dass sich fr die

wobei

ZF =

H10 -Welle ergibt

r
E
k
ZF
Z (FH) = Hy = " = p
1 (!c =!)2
x
p

="

(77)

den Feldwellenwiderstand einer ebenen Welle darstellt und von Gl. (48)-(51)

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/13

Abb. 4: Felder der H10 -Welle im Rechteckhohlleiter

Gebrauch gemacht wurde. Gl. (77) gilt dabei nicht nur fr die
H-Wellen. Die Feldbilder fr die

H10 -Welle, sondern ganz allgemein fr

H10 -Welle in verschiedenen Schnittebenen sind in Abb. 4 dargestellt.

5 Dmpfung der H10 -Welle im Rechteckhohlleiter


Bisher wurde der Hohlleiter als verlustfrei angenommen. Wie auch schon beispielsweise bei der Koaxialleitung sind die Eigenwellen auch im Hohlleiter gedmpft, wobei grundstzlich sowohl dielektrische
Verluste als auch ohm'sche Verluste auftreten. Die dielektrischen Verluste knnen im Hohlleiter sehr
klein gehalten werden, aber die ohm'schen Verluste aufgrund der endlichen Leitfhigkeit der Hohlleiterberandung mssen bercksichtigt werden. Dazu werden die in der Hohlleiterberandung ieenden
Wandstrme bentigt.

!t
H

!
n

Abb. 5: Wandstrme an metallischer Grenzche

Wenn wie in Abb. 5 ein tangentiales Magnetfeld an einer metallischen Grenzche anliegt, iet in
der metallischen Wand ein Strom I (

=^ Wirbelstrom), der gegeben ist als


I =j H~ t j l

bzw. ein Strombelag (oder Flchenstrom)

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(78)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/14

j J~f j= Il =j H~ t j

(79)

J~f = ~n  H~ t

(80)

oder in vektorieller Darstellung

mit dem Normalvektor

~n aus Abb. 5.

z0

Abb. 6: Skizze eines Hohlleitersegments der Lnge

dz

Zur Berechnung der Verlustleistung aufgrund der Wandstrme sei wie in Abb. 6 ein Hohlleitersegment
der Lnge

dz

betrachtet, von dem wiederum ein Umfangssegment der Lnge ds betrachtet wird. Die

@ P in dem so denierten schraerten Bereich (Lnge dz , Breite ds und Hhe z0 =^ Skin


Eindringtiefe, z0  a; b ) in Abb. 6 ergibt sich zu:
Verlustleistung

1 1 dz
1
1
@P = 2 R j I j2 = 2 z ds j H~ t j2 (ds )2 = 2 Rw dz j Ht j2 ds
0

(81)

wobei ein Wandwiderstand

1
Rw = z
0

eingefhrt wurde (

(82)

 =^ spezische Leitfhigkeit).

Anmerkung: Der Wandwiderstand lsst sich auch interpretieren als der Realteil des Feld-

wellenwiderstandes im Metall

ZF =


" = j !;

0
"

mit

und

Rw = <(Z F ) =

woraus sich ergibt

j0 !
ZF =

s

0 !
2

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Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/15

in bereinstimmung mit Gl. (82).


Als Zahlenwert gilt fr die Skin-Eindringtiefe bei Kupfer:

z0 = 2; 1 p

m
f =GHz

(83)

und damit fr den Wandwiderstand

Rw = 8; 3  10 3
 f =GHz
q

(84)

@P

in Gl. (81), integriert ber den

I
1
dP = @P = 2 Rw dz j H~ t j2 ds

(85)

Die gesamte Verlustleistung dP im Wegelement dz ergibt sich aus


Umfang des Hohlleiters

Diese Verlustleistung ist zu beziehen auf die gefhrte Leistung P im Hohlleiter:

ZZ


1
P = 2 < E~  H~  dA~

(86)

Die Dmpfungskonstante

ergibt sich als Realteil der Ausbreitungskonstante entsprechend

E~  exp( j z z )
~ j2 folgt:
woraus fr die transportierte Leistung P(z)j E

(87)

P (z ) = P0 exp( 2 z )

(88)

d P = 2 P
dz

(89)

dP
1
= 2 dPz

(90)

woraus sich ergibt

und damit:

Mit dP/dz aus Gl. (85) und P aus Gl. (86) folgt schlielich

H
1
j H~ j2 ds
= 2 Rw RR  t  
~ ~
A < E  H dA
Wenn man Gl. (91) fr die

(91)

H10 -Welle mit den Feldkomponenten gem Gl. (73)-(76) auswertet, ergibt

sich schlielich

j H~t j2 ds = 2

Za 
0

Zb

j Hx j2 + j Hz j2 dx + 2 j


= Z12 j E 0 j2
F




Hz 2

dy

x =0;a !
2b!c2
a+

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!2

(92)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/16

sowie

ZZ

<(E~  H~ )d A~ = ab 4jZE 0 j 1 (!c =!)2


2q

(93)

woraus schlielich folgt:

R 1=b + (2=a)(!c =!)2


= Zw p
1 (!c =!)2
F

(94)

hat die Dimension 1/m . Um die Dmpfung in dB/m zu erhalten, ist der Wert mit 8,69 (=20/ln(10))
zu multiplizieren.

Beispiel:

ZF = 0 ="0 = 120
) mit a=2b und ! = 1:5!c
p

Fr einen luftgefllten Hohlleiter (

(Betrieb in der

Mitte des Einwelligkeitsbereichs) folgt aus (93):

R
R
= 3; 88 aZw =^ 33; 7dB aZw
F

(95)

woraus beispielsweise fr einen luftgefllten R58-Hohlleiter (a=40.386 mm) mit Cu-Berandung und
damit

Rw

von Gl. (84) folgt

(f = 1; 5  fc = 5; 57 GHz) = 0; 044 m

dB

(96)

Im Vergleich zu normalen Koaxialleitungen ist dieser Wert relativ gering, wobei allerdings die Koaxialleitung normalerweise einen sehr viel geringeren Querschnitt aufweist. Die Ohm'schen Verluste einer
Koaxialleitung gem S. LEI/8 knnen in hnlicher Form wie in Gl. (94) geschrieben werden


1
2
   1
1
1
= 2z 
D + d
0 ZF ln D
d
wobei die Verluste minimal werden fr

(97)

D=d = 3; 6 mit

R
= 3; 6 D  wZ

(98)

mit dem Auendurchmesser D der Koaxialleitung. Bei gleicher Dimension sind damit die Verluste
von Koaxialleitung und Hohlleiter hnlich. Tatschlich kann aber bei gegebener Arbeitsfrequenz der
Hohlleiter erheblich grer sein als die Koaxialleitung (siehe auch die folgende Diskussion der Grenzfrequenzen der Koaxialleitung) und weiterhin entfallen die dielektrischen Verluste, so dass praktisch
die Hohlleiterdmpfung deutlich niedriger als die Dmpfung von Koaxialkabeln bei jeweils der gleichen
Arbeitsfrequenz ist.

Anmerkung:

Die obige Methodik zur Berechnung der Leitungsverluste ist nur gltig, solange nicht
verschiedene Eigenwellen mit der gleichen Phasenkonstante existieren (Entartungsfall).
Die obige Methodik kann daher angewandt werden fr

Hm0 - oder H0n -Wellen, nicht aber

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Hochfrequenztechnik I

fr sonstige

Hohlleiter

HO/17

Hmn -Wellen, da dort eine Entartung zu den Emn -Wellen vorliegt. Es wrden

sich dann aufgrund der Wandstromverluste neue Eigenwellen ergeben, die sich fr die

Hmn - und Emn -Welle darstellen. Im brigen


handelt es sich oben um eine Strungsrechnung, in der  vorausgesetzt ist.
Ordnung (mn) als berlagerung der jeweiligen

6 Rundhohlleiter
Neben dem Rechteckhohlleiter sind auch andere Querschnitte denkbar, wobei der Rundhohlleiter von
besonderer Bedeutung ist, da er auch drehbare Durchfhrungen erlaubt.
Auch beim Rundhohlleiter gibt es E- und H-Wellen, die als

Elp - bzw. Hlp -Wellen bezeichnet werden (l

- Umfangsordnung, p - radiale Ordnung), die auch aus den Potentialfunktionen

bzw.

abgeleitet

werden knnen. Der Ansatz ist hnlich wie in Gl. (35), (36) bzw. (63), (64), nur dass der Produktansatz
eine Funktion in radialer sowie in Umfangsrichtung beinhaltet, wozu Zylinderkoordinaten verwendet
werden. Fr einen Rundhohlleiter mit dem Radius a (bzw. Durchmesser 2a) ergeben sich folgende
Feldbilder fr einige Eigenwellen niedriger Ordnung:

Abb. 7: Feldbilder von Eigenwellen niedriger Ordnung im Rundhohlleiter

Die Phasenkonstante

fr die einzelnen Eigenwellen lsst sich schreiben wie beim Rechteckhohlleiter:


2 = k 2 kc2

mit der Grenzwellenzahl


Grenzwellenzahl

kc

kc

(bzw. Grenzfrequenz

!c = vkc

(99)
oder Grenzwellenlnge

c = 2=kc ). Die

fr die in Abb. 7 dargestellten Eigenwellen lsst sich Tabelle 1 entnehmen.

Die Grundwelle im Rundhohlleiter ist die

H11 -Welle, deren Feldbild der H10 -Welle im Rechteckhohllei-

ter sehr hnlich ist.


Ein gewisses historisches Interesse verdient noch die
gentiale magnetische Feldkomponente

H~ t

H01 -Welle

im Rundhohlleiter, da dort als tan-

an der metallischen Berandung nur die z-Komponente

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Hz

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HO/18

H11

E01

H21

E11

H01

E21

1,841

2,405

3,054

3,832

3,832

5,136

Eigenwelle

kc  a

Hohlleiter

Tabelle 1: Grenzwellenzahl einiger Eigenwellen im Rundhohlleiter

verbleibt. Bei hohen Frequenzen gilt nherungsweise


fr die Dmpfung

 Rw  j H z j  !
2

3=2

Hz  1=!

(vergl. Gl. (76)), so dass sich dann

ergibt. Damit besitzt die

H01 -Welle das ungewhnliche

Verhalten einer abnehmenden Dmpfung mit zunehmender Frequenz.


Bis Anfang der 70er Jahre wurde ernsthaft die Einfhrung breitbandiger Nachrichtenbertragungsstrecken auf der Basis der

H01 -Welle

im Rundhohlleiter erwogen. Statt dessen wurden dann aber

faseroptische bertragungssysteme eingefhrt.

6.1 Hohlleiterwellen der Koaxialleitung


Auch bei Koaxialleitungen knnen sich bei gengend hohen Frequenzen neben der TEM-Grundwelle
auch Hohlleiterwellen ausbreiten. Die Ausbreitung der Hohlleiterwellen in der Koaxialleitung ist jedoch
unerwnscht, so dass die Koaxialleitung nur bei Frequenzen unterhalb der ersten Grenzfrequenz einer
Hohlleiter-Eigenwelle betrieben werden sollte.
Wie beim Rundhohlleiter hat auch die

H11 -Welle bei der Koaxialleitung die niedrigste Grenzfrequenz

aller Hohlleiterwellen (Die Grenzfrequenz der TEM-Welle ist natrlich = 0). Die Feldverteilung der

H11 -Welle der Koaxialleitung ist in Abb. 8 skizziert. Sie ist sehr hnlich zur

Abb. 8: Feldbild der

H11 -Welle der Koaxialleitung

Feldverteilung im Rundhohlleiter in Abb. 7. Die Grenzwellenlngen

c

dieser Hohlleiterwellen sind in

Abb. 9 als Funktion des Verhltnisses von Innen- und Auendurchmesser d/D dargestellt.
Die Werte fr d=0 entsprechen dabei dem normalen Rundhohlleiter in Tabelle 1. Fr die

H11 -Welle

(niedrigste Grenzfrequenz der Hohlleiterwellen) gilt nherungsweise fr die Grenzwellenlnge


c  2 ( d + D )
bzw. fr die Grenzwellenzahl

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(100)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleiter

HO/19

Abb. 9: Grenzwellenlngen der Koaxialleitung

2
4
kc =   d + D
c

(101)

Damit ergibt sich fr die Koaxialleitung minimaler Dmpfung mit D/d=3.6:

kc  D  3:13

und damit fr die Grenzfrequenz

v
fc jH11 = !c =2 = v  kc =2  2  D

(102)

Eine Koaxialleitung sollte deshalb immer unterhalb der durch Gl. (102) gegebenen Grenzfrequenz
betrieben werden

Beispiel:

D = 9; 5 mm und v = 2  108 m/s (^= "r = 2; 25) fhrt auf eine Grenzfrequenz
fc jH11  10; 5 GHz. Um eine Koaxialleitung beispielsweise noch bei 40 GHz zu betreiben, sollte D  2; 5
Eine Koaxialleitung mit

mm sein.

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Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

HS/1

1 Normierte Wellenamplituden in Hohlleitern


Auch bei Hohlleitern ist es zweckmig, normierte leistungsbezogene Wellenamplituden
wie bei den Zweidrahtleitungen einzufhren. Es wird der Rechteckhohlleiter mit der
den transversalen Feldkomponenten

+z -Richtung) gefhrte Leistung P +

Ey

Hx

und

a, b

hnlich

H10 -Welle und

betrachtet. Die von der Welle (mit Ausbreitung in

ergibt sich aus der Integration des Poynting-Vektors ber die

Querschnittsche des Hohlleiters als

Ey

Wenn man nun die Feldkomponenten

Z Z
1
=2
y =0 x =0
und

Hx

will, so sind die Feldkomponenten proportional zu


magnetische Feld der

E y  H x dx dy

(1)

als Funktion der gefhrten Leistung

P+

darstellen

+ , so dass sich das transversale elektrische und

H10 -Welle darstellen lsst mit normierten Feldern ey


p
E y = 2P + ey exp( j z )
p
H x = 2P + hx exp( j z )

und

hx

als:

(2)
(3)

mit



(H )
= 2ZabF sin x
a
s

ey
hx
wobei

v
u
u
t

abZF(H)

sin

(4)

x
;
a


(5)

ZF(H) den Feldwellenwiderstand der H10 -Welle mit ZF(H) = E y =H x

bezeichnet. Die Vorfaktoren

in Gl. (4) und (5) sind so gewhlt worden, dass einerseits Gl. (1) erfllt ist und andererseits auch

ZF(H) = ey=hx . Die Normierung der Feldkomponenten ey


Zb Za

ey hx dx dy

und

hx

drckt sich darin aus, dass

=1

(6)

y =0 x =0
gilt. Die hinlaufende Welle lsst sich auch durch die leistungsbezogene Wellenamplitude

a (z ) =

p +
2P exp(

j z )

(7)

beschreiben, dass sich statt Gl. (2) und (3) ergibt:

= a(z )ey
H x = a(z )hx
Ey

Entsprechend lsst sich die rcklaufende Welle (Ausbreitungsrichtung in


ten Leistung

durch die Wellenamplitude

b(z )

b (z ) =

p
2P exp(+j z )

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(8)
(9)

z -Richtung) mit der gefhr-

(10)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

HS/2

beschreiben, gem

= b(z )ey
H x = b(z )hx ;
Ey

wobei das negative Vorzeichen fr


Welle auch in negativer

Hx

(11)
(12)

eingefhrt werden muss, damit die Leistung der rcklaufenden

z -Richtung transportiert wird. Ist gleichzeitig eine hin-und rcklaufende Welle

vorhanden, so ergibt sich als berlagerung

= a(z ) + b(z ) ey


H x = a(z ) b(z ) hx
Ey

(13)
(14)

Die netto transportierte Wirkleistung unter der Annahme verlustfreier Wellenleiter ergibt sich zu:

= 21 <

ZZ

E y H x dx dy

= 21 ja(z )j2 jb(z )j2 = P +

(15)

Diese Beziehungen entsprechen genau den Beziehungen der Zweidrahtleitung (Kapitel STR), so dass es
naheliegt, auch den Hohlleiter wie die Zweidrahtleitung mit Strmen und Spannungen zu beschreiben.

Abb. 1: Querschnitt eines Hohlleiters mit

H10 -Welle und Stromverteilung.

Den Gl. (13) und (14) entsprechen bei der Zweidrahtleitung:

U (z ) =

ZL a(z ) + b(z )

I (z ) =
Es liegt deshalb nahe, dem elektrischen Feld

p1Z

Ey

(16)

b (z )

(17)

eine Spannung

U (z ) und dem magnetischen Feld H x

a (z )




I (z ) zuzuordnen. Die geeignete Wahl des dem Hohlleiter zuzuordnenden Leitungswellen(H )


widerstandes ZL ! ZL
ist zunchst noch oen. Aus Gl. (13) folgt:
einen Strom

ZL(H) E y

ZL(H) a(z ) + b(z ) ey




= U (z )ey ;

(18)

U (z ) mit dem elektrischen Feld E y gegeben ist.


Fr die Zuordnung zwischen Strom I (z ) und dem magnetischen Feld H x gilt entsprechend:

womit eine Beziehung der zuzuordnenden Spannung

ZL(H)

Hx

= I (z )hx

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(19)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

Auf diese Weise lassen sich die transversalen Felder der

HS/3

H10 -Welle durch Strme und Spannungen

ersetzen, wobei durch die hier gewhlte Systematik sichergestellt ist, dass die transportierte Leistung

P gem Gl. (15) durch P = 1=2  <(UI  ) beschrieben wird. Der eektive Leitungswellenwiderstand
ZL(H) wird nun so festgelegt, dass I (z ) gerade dem in den Hohlleiterbreitseiten ieenden Strom in
axialer Richtung entspricht, d. h.

I (z ) =

Za

H x dx

= I (z )

(H )

ZL

Za

hx dx:

(20)

Mit Gl. (5) ergibt sich dann:

(H )

ZL

2 b (H) 2 b
ZF
p
ZF =
8a
8a 1 (fc =f )2

mit

ZF


:
"

(21)

H10-Welle in einem Rechteckwellenleiter mit a = 2b,  = 0 und " = "0 wird betrieben
= 1; 5fc . Es ergibt sich dann ein Leitungswellenwiderstand von ZL(H) = 312
.

Beispiel: Die

bei

Da wir nun einen Hohlleiter genauso beschreiben knnen wie eine Zweidrahtleitung, lsst sich auch fr
den Hohlleiter ein Leitungsersatzschaltbild (Kapitel LEI) angeben. Ein innitesimal langes Leitungsstck der Lnge

!L0

dz

lsst sich prinzipiell beschreiben gem Abb. 2 mit dem Lngsreaktanzbelag

bei der Zweidrahtleitung) und dem Queradmittanzbelag

Y 0 (!C 0

X0

bei der Zweidrahtleitung).

Abb. 2: Allgemeines Ersatzschaltbild eines innitesimal kurzen Leitungsstcks.

Es gelten

ZL(H) =
so dass sich mit

ZL(H)

nach Gl. (21) und

X0
Y0

= " !2
q

X 0 = ZL(H)  = !
Y0 =

= 8"a
2b
(H )


ZL

Damit lsst sich das Leitungsersatzschaltbild fr die


Abb. 3
Die Resonanzfrequenz des Schwingkreises

H10 -Welle.

= X 0Y 0;

und

!c2

2 b
8a
!

(22)

ergibt:

(23)

!c2
!

!
(24)

H10 -Welle des Rechteckhohlleiters angeben gem

Lp , C 0 dz

entspricht dabei gerade der Grenzfrequenz

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fc

der

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Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

Abb. 3: Ersatzschaltbild der

HS/4

H10 -Welle eines innitesimal kurzen Hohlleiterstcks.

Wenn man ohne Kenntnis des Hohlleiters einen Wellenleiter entwerfen sollte, dessen Leitungsersatzschaltbild Abb. 3 entspricht, so knnte man folgendermaen vorgehen:

Abb. 4: bergang von einer Zweidrahtleitung bestehend aus den zwei Platten 1 und 2 zu einem Hohlleiter.

Die Platten 1,2 in Abb. 4 reprsentieren eine normale Zweidrahtleitung mit

L0 , C 0 . Um die Induktivitt

nachzubilden, mssen die Platten leitend miteinander verbunder werden, was zweckmig durch

Schlieen der Zweiplattenleitung zu einem Hohlleiter geschieht.

Abb. 5: bergang zwischen einer Koaxialleitung und einem Hohlleiter.

Der bergang zwischen einer Koaxialleitung und einem Hohlleiter kann prinzipiell wie in Abb. 5 geschehen. Allerdings hat die Koaxialleitung im Allgemeinen einen sehr viel kleineren Leitungswellenwiderstand
als der Hohlleiter. Fr eine breitbandige Anpassung ist es deshalb zweckmig, durch Reduzierung von

oder durch Stege den Leitungswellenwiderstand des Hohlleiters zu reduzieren (siehe Gl. (21)).

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Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

HS/5

2 Wellenleiterverzweigungen

Abb. 6: Mehrtor mit

Es werden Mehrtore mit

Toren.

Toren betrachtet. Die Tore knnen beispielsweise mit Zweidrahtleitungen

oder mit Hohlleitern realisiert sein. Bei Hohlleitern mit mehreren ausbreitungsfhigen Eigenwellen wird
dann jeder Eigenwelle ein eigenes Tor zugeordnet. Die Tore werden durch die jeweils hineinlaufende
Wellenamplitude

ai

bi

und die hinauslaufende Wellenamplitude

durch eine Streumatrix

charakterisiert. Ein Mehrtor kann dann

S beschrieben werden (siehe auch Kapitel STR):

.
= S
..

b
1
.
.
.

bn

a
1

(25)

an

Netzwerke knnen hug als weitgehend verlustfrei angesehen werden. Fr ein verlustfreies Netzwerk
stellt

S eine unitre Matrix

dar.

Beweis: Fr ein verlustfreies Netzwerk ist die hineinlaufende Leistung (

herauslaufenden Leistung(

jbi j

jai j2

) gleich der

), d.h.

n
X
i =1

jai j2 =

n
X
i =1

jbi j2

(26)

Mit der Einfhrung der Vektoren

a
1

.
a~ =
..

an

und

beziehungsweise der transponierten Vektoren

a~T

b
1

.
~b =
..

bn

(27)

= (a1 ; : : : ; an ) und ~bT = (b1 ; : : : ; bn )

lsst sich obige Beziehung (26) formulieren als:

T
a~T a~ = ~b ~b;
wobei

(28)

`komplex konjugiert' darstellt. Mit Gl. (25) folgt daraus:


a~T a~ = S a~ T S  a~ = a~T ST S  a~

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(29)

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HS/6

Die rechte und die linke Seite sind nur dann fr beliebige hineinlaufende Wellenamplituden
identisch, wenn

wobei

SST = E;

E die Einheitsmatrix

(30)

1 0   

0 1   
E=

.
.
.

.
.
.

..

(31)

darstellt, so dass Gl. (30) auch wie folgt geschrieben werden kann:

= ST

Gleichung (32) beschreibt eine unitre Matrix.

(32)

q.e.d.

Ein verlustfreies Netzwerk wird damit durch eine unitre Matrix charakterisiert, d. h. die invertierte
Streumatrix muss gleich sein der konjugiert komplexen transponierten Streumatrix. Gl. (32) stellt ein
wichtiges Hilfsmittel zur Herleitung von Streuparametern dar.
Weiterhin gilt (ohne Beweis), dass passive Netzwerke reziprok sind. Voraussetzung dafr ist, dass
Dielektrikum und Permeabilitt durch Skalare oder zumindest durch symmetrische Tensoren

(") und

() charakterisiert werden. Eine Ausnahme davon ist z. B. der Ferrit im Gleichmagnetfeld. Reziproke
Netzwerke werden durch symmetrische Streumatrizen beschrieben, fr die gilt:

S ij

= Sji

(33)

2.1 Magisches T

Magic T

oder E-H-

Im Folgenden soll das Magische T als verlustfrei und reziprok angenommen werden. Da die

H10-Welle

Beispiel fr eine Hohlleiterverzweigung mit vier Toren ist das Magische T (Auch
Verzweigung) gem Abb. 7.

Abb. 7: Magisches T.

an Tor 1 im Tor 2 auf Grund der anderen Feldverteilung keine

H10 -Welle anregen kann, gilt zunchst

S 12 = S 21 = 0

(34)

weiterhin kann durch geeignete Anpasselemente in den Wellenleitern 1 und 2 (die Bausymmetrie
bezglich der Tore 3 und 4 darf dabei nicht gestrt werden) Eigenreexionsfreiheit mit

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S 11 = S 22 = 0

Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

erreicht werden. Mit der Reziprozitt gilt


und

S ij

HS/7

= Sji und wegen der Bausymmetrie ergibt sich S13 = S14

S 24 = S 23 , so dass man fr die Streumatrix zunchst schreiben kann:

S=

0
0

S
13

S 13

0
0

S 23
S 23

S 13
S 23
S 33
S 34

S 13

S 23

S 34

S 44

In verlustfreien Netzwerken ist die Streumatrix unitr, so dass aus

1. Zeile

2. Zeile

2. Zeile

1. Zeile






1. Spalte ergibt

2jS13 j2 = 1

2. Spalte ergibt

2jS23 j2 = 1

3. Spalte ergibt
3. Spalte ergibt

S 23 (S 33

(35)

SST = E folgt:

S 34 ) = 0 und damit auch S 33 = 0 sowie S 34 = 0

S 13 (S 34 + S 44 ) = 0 und damit auch S 44 = 0

Durch geeignete Wahl der Bezugsebenen an den Toren 1 und 2 werden

S 13 = S 23 =

S 13

und

p1 ;
2

S 23

reel mit

(36)

so dass sich fr die gesamte Streumatrix des Magischen T's schlielich ergibt:

0 0 1 1

1 0 0 1 1

S= p

2
1
1
0
0

1 1 0 0

(37)

Mit Hilfe eines Magischen T' s ist eine berlagerung einfallender Wellen der Tore 1 und 2 an den Toren
3 und 4 mglich, und zwar am Tor 3 in Phase und am Tor 4 in Gegenphase. Derartige Verzweigungen
sind beispielsweise fr Gegentaktanordnungen zweckmig. Eine derartige berlagerung ist auch mit
Richtkopplern mglich, die im Folgenden behandelt werden.

2.2 Richtkoppler

Abb. 8: Richtkoppler als Viertor.

Das Grundprinzip eines Richtkopplers ist folgendes: Eine am Tor 1 eingespeiste Welle wird an die Tore
3 und 4 gekoppelt, nicht aber an Tor 2 (isoliertes Tor). Entsprechend erfolgt eine Kopplung vom Tor

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Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

HS/8

3 zu den Toren 1 und 2, jedoch nicht zum Tor 4 usw. Wir wollen einen eigenreexionsfreien und
bausymmetrischen Aufbau voraussetzen, d.h.:

S 11 = S 22 = S 33 = S 44 = 0

(38)

S 21 = 0 (und damit
S 12 = 0 wegen Reziprozitt). Wegen der Bausymmetrle gilt dann auch S 34 = 0 = S 43 und S 13 = S 24
sowie S 14 = S 23 , so dass sich die Streumatrix (Reziprozitt vorausgesetzt) mit nur noch 2 unbekannten
Bei Einkopplung am Tor 1 soll an Tor 2 keine Leistung gekoppelt werden, d.h.

Streuparametern ergibt zu:

S=

0
0

S
13

S 14

0
0

S 13 S 14

S 14 S 13

0
0

S 14
S 13

0
0

(39)

Fr einen verlustfreien Richtkoppler muss die Streumatrix unitr sein, was bedeutet:

1. Zeile

1. Zeile




1. Spalte ergibt
2. Spalte ergibt

jS13j2 + jS14j2 = 1
S 13 S 14 + S 14 S 13 = 0

Diese Bedingung lsst sich so interpretieren, dass

bzw.

S 13

und

<


S 13 S 14 = 0

S 14

in der komplexen Ebene aufeinander

senkrecht stehen mssen. Fr eine geeignete Wahl der Bezugsebenen an den Toren 1-4 wird

S 13 reell,

so dass sich schreiben lsst

S 13 =

S 14 = j;

2

(40)
(41)

 den Koppelfaktor angibt. Der Ausdruck 20 log  wird als Koppeldmpfung (in dB) bezeichp
net. Einen Koppler mit beispielsweise  = 1= 2 bezeichnet man deshalb als 3-dB-Koppler.
wobei

2.3 Beispiel: Richtkoppler mit TEM-Wellen


Eine einfache Kopplung  beabsichtigt oder auch unbeabsichtigt  ist mglich zwischen zwei parallel
verlaufenden TEM-Leitungen (Zweidrahtleitungen). Damit lsst sich ein Richtkoppler gem Abb. 9
entwerfen.

Abb. 9: Realisierung eines Richtkopplers mit Streifenleitungen.

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Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

HS/9

Bei Anpassung der Tore (Eigenreexionsfreiheit) erfolgt nur ein Nahnebensprechen zwischen den
Toren 1 und 4 bzw. Tor 2 und Tor 3, aber kein Fernnebensprechen zwischen den Toren 1 und 2 bzw.
Tor 3 und Tor 4.
Zur Erluterung werde ein symmetrischer Richtkoppler, bestehend aus 2 parallelen Leitungen der Lnge

 =4

betrachtet (s. Abb. 10).

l!

I1 =

U1
ZL

Abb. 10: Richtkoppler.

Die Leitungen seien schwach gekoppelt und jeweils mit ihrem Wellenwiderstand

U 1 und Strom I 1 ),
U4
und S 41 =
U1 .

das Tor 1 laufe eine Welle hinein (Spannung


2 und 4 werde betrachtet, wobei

S 21 =

U2
U1

ZL

abgeschlossen. In

und die berkopplung zu den Toren

Fr die Kopplung muss sowohl die kapazitive als auch die induktive Kopplung betrachtet werden. Fr

 =4

lsst sich die Kopplung in Form diskreter Elemente angeben wie in Abb. 11 dargestellt.

Abb. 11: Beschreibung der Kopplung innerhalb eines Richtkopplers in Form diskreter Elemente.

Die Koppelkapazitt zwischen den Leitern drckt sich aus durch


durch

L12

C12 , whrend die induktive Kopplung

bercksichtigt wird.

Die folgende Rechnung beschrnkt sich auf schwache Kopplung (

!L12

Einspeisung einer Welle am Tor 1.

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 ZL;

!C12

 1=ZL

) und

Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

I 1 = U 1 =ZL

Auf Grund des Stromes

HS/10

wird in der Leitung II eine Spannung

U L = j!L12 I 1 = j!L12

U1
ZL

(42)

induziert. Auf Grund der kapazitiven (schwachen) Kopplung ergeben sich die Strme

I a = j!

C12

I b = j!

C12

U1

(43)

U3

(44)

Damit ergeben sich schlielich die Spannungen an den Toren 2 und 4:

U 2 = (I a + I b )

ZL

UL

U1

U 4 = (I a + I b )

ZL

UL

U1

2 = 2

2 + 2 = 2

wobei wegen der kurzen Leitung noch von

U1  U3

L12
ZL

L
j! C12 ZL + 12
ZL

"

j! C12 ZL
"

(45)

(46)

Gebrauch gemacht wurde.

Die kapazitive und die induktive Kopplung sind voneinander abhngig. Insbesondere gilt bei TEMLeitungen mit homogenem Dielektrikum um die Leiter in Abb. 10(ohne Beweis):

L12
C12
und damit

U 2 =U 1

=0

= ZL2

(47)

(kein Fernnebensprechen), was auch bei lngeren Leitungen und strkerer

Kopplung gilt. Fr das Nahnebensprechen gilt damit

U4
U1

= S41 = j!C12  ZL

(48)

Gl. (48) gilt nur bei schwacher Kopplung zwischen kurzen Leitungen. Der allgemeinere Fall lsst sich
behandeln mit der Theorie der

S 41 =

Mehrfachleitungen.

jL sin( l )
2
L cos( l ) + j sin( l )

mit

C0
L = 0 12 0 ;
C1 + C12

(49)

0 den Belag der Koppelkapazitt und C 0 den normalen Kapazittsbelag der Leitung I bezeichC12
1
net. Die maximale berkopplung ergibt sich zu S 41 = L fr  l = =2 (entspricht einer Koppellnge
0
von l = =4). Fr kleine Koppellngen und geringe Kopplung reduziert sich Gl. (49) mit C12 = C12  l
wobei

zu Gl. (48).

Andere Leitungsrealisierungsmglichkeiten speziell fr 3-dB-Koppler (auch bezeichnet als 90 -Hybride)


sind beispielsweise der

Branchline-Koppler

(s. Abb. 12a)) und der

Lange-Koppler

(s. Abb. 12b)).

Mit Leitungen knnen auch Strukturen aufgebaut werden, deren Streumatrix einem Magischen T

entspricht (180 -Hybrid, s. Abb. 13).

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Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

a)

HS/11

b)

Abb. 12: Ausfhrungsformen von 3 dB-Richtkopplern. a) Branchline-Koppler, b) Lange-Koppler.

Abb. 13: Realisierung eines 180 -Hybrids (Magisches T) als Ring-Koppler.

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Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

HS/12

3 Einwegleitungen und Zirkulatoren


Fr gewisse Anwendungen sind auch nichtreziproke Netzwerke von Interesse, bei denen also
ist. Wie auf S. HS/6 ausgefhrt, sind passive Netzwerke immer reziprok, es sei denn, der

()-Tensor ist unsymmetrisch.

S ij 6= S ji
(")- bzw.

Fr die Realisierung von passiven nichtreziproken Netzwerken mssen deshalb Materialien mit unsymmetrischen

(")- bzw. ()-Tensor eingesetzt werden. Ein Beispiel fr ein derartiges Material stellt ein

vormagnetisierter Ferrit dar. Wird ein Ferrit mit einem Gleichmagnetfeld in

z -Richtung gesttigt, erhlt

man mit dem Zusammenhang des Zeigers der (hochfrequenten) Flussdichte und dem Magnetfeld

~ = ()H~
B
einen Tensor (ohne Beweis):

() =
Dabei sind

11 , 22

und

33

11

21

12
22

(50)

0
0

33

im Wesentlichen reell, whrend

12

(51)

21

imaginr wird.

Der

()-

Tensor in Gl. (51) ist damit unsymmetrisch und ermglicht nichtreziproke Bauelemente.
Ein einfach zu verstehender nichtreziproker Eekt in einem vormagnetisierten Ferrit stellt der
Eekt dar. Wenn man in einem in

Faraday -

z -Richtung vormagnetisierten Ferriten eine linear polarisierte ebene

z -Richtung einstrahlt, wird  abhngig von der Gre des Gleichmagnetfelds  der
Polarisationszustand um einen Winkel F gedreht (F ist die Faraday-Drehung).

Welle ebenfalls in

Die Drehrichtung hngt dabei nur von der Richtung des Gleichmagnetfeldes und nicht von der Ausbreitungsrichtung der ebenen Welle ab. Wie wir gleich sehen werden, lsst sich dieser Eekt zu Realisierung
eines nichtreziproken Bauelements ausnutzen.

3.1 Einwegleitungen
Das einfachste nichtreziproke Bauelement ist eine Einwegleitung mit der Streumatrix:

0 0
S=
1 0

Abb. 14: Prinzip einer Einwegleitung.

Man spricht auch von einem

gyrotropen

Medium.

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(52)

Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

HS/13

D. h. eine am Tor 1 einfallende Welle wird verlustfrei zum Tor 2 bertragen. Hingegen wird eine am
Tor 2 einfallende Welle vollstndig absorbiert. Abb. 14 zeigt schematisch das Grundprinzip einer solchen Einwegleitung. Viele verschiedene Realisierungsmglichkeiten fr Einwegleitungen sind mglich.
Anschaulich ist die Wirkungsweise gem Abb. 15, die auf dem Faraday-Eekt beruht.

Abb. 15: Einwegleitung beruhend auf dem Faraday-Eekt.

Eine am Tor 1 einfallende Welle wird in ihrer Polarisation entsprechend dem Faraday-Prinzip um 45

 wird mit Hilfe des axialen Gleichmagnetfeldes eingestellt, so dass

gedreht. Der Faraday-Winkel von 45

die Welle verlustfrei das entsprechend verdrehte Tor 2 passieren kann. Eine am Tor 2 eingekoppelte
Welle jedoch wird um weitere 45

gedreht, so dass sie Tor 1 nicht passieren kann und statt dessen in

der Dmpfungsfolie absorbiert wird.

3.2 Zirkulator

Abb. 16: Prinzip eines Zirkulators.

Das Prinzip eines Zirkulators besteht darin, dass die in Tor 1 einfallende Leistung nach Tor 2 und von
Tor 2 nach 3 und von Tor 3 nach 1 bertragen wird, nicht aber in der entgegengesetzten Richtung

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Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

HS/14

(s. Abb. 16). Die Streumatrix lautet damit

0 0 1
S = 1 0 0

0 1 0

(53)

Schematisch ist die Arbeitsweise eines Zirkulators in Abb. 17 am Beispiel eines Hohlleiterzirkulators
dargestellt.

Abb. 17: Hohlleiterzirkulator ohne angelegtes Magnetfeld (links) und mit Magnetgleichfeld (rechts).

Im Zentrum einer Hohlleiterverzweigung bendet sich ein Ferrit. Ohne angelegtes Gleichmagnetfeld
ergibt sich in Abb. 17 eine symmetrische Aufteilung der im Tor 1 eingespeisten Leistung ohne Richtwirkung. Mit Gleichmagnetfeld (senkrecht zur Zeichenebene) ergibt sich eine Drehung der Felder, so
dass sich resultierend eine Richtwirkung vom Tor 1 zum Tor 2 ergibt. Eine Bauform fr Zirkulatoren
mit Streifenleitungen zeigt Abb. 18.

Abb. 18: Streifenzirkulator.

Zirkulatoren werden beispielsweise in Sende-/Empfangs-(Duplex)-Systemen verwendet, die einen schematischen Aufbau gem Abb. 19 haben
Aus Zirkulatoren lassen sich auch Einwegleitungen gewinnen, wenn ein Tor des Zirkulators reexionsfrei
abgeschlossen wird.

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Hochfrequenztechnik I

Hohlleitersysteme und Wellenleiterverzeigungen

Abb. 19: Schematischer Aufbau eines Sende-/Empfangs-(Duplex)-Systems.

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HS/15

Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/1

Bisher haben wir nur Wellenleiter behandelt, die metallische Leiter beinhalten. Wie wir gesehen haben,
steigen bei derartigen Wellenleitern i. A. die Verluste mit der Frequenz an, so dass es vorteilhaft ist,
bei sehr hohen Frequenzen (z.B.
Man gelangt so zu den

> 100 GHz) Wellenleiter ohne metallische Leiter zu verwenden.

dielektrischen Wellenleitern, die insbesondere im optischen Spektralbereich eine

sehr groe Bedeutung erlangt haben (Lichtwellenleiter, Glasfasern). Diese Lichtwellenleiter stellen das
Rckgrat der Optischen Nachrichtentechnik dar.

1 Dielektrische Wellenleiter
Dielektrische Wellenleiter zeichnen sich dadurch aus, dass die Wellenfhrung durch eine radiale Variation der relativen Dielektrizittskonstanten

"r

erreicht wird. In der einfachsten Form ist damit ein

dielektrischer Wellenleiter wie folgt gegeben:

r2
r1

r1 > r2

Abb. 1: Prinzip eines dielektrischen Wellenleiters.

Bei dielektrischen Materialien gilt berall

 = 0 .

Dielektrische Wellenleiter werden bevorzugt im

optischen Spektralbereich verwendet (oder im nahen Infrarot), wobei sich beispielsweise sichtbares
Licht durch den Wellenlngenbereich

bzw. den Frequenzbereich

o = 0; 4 : : : 0; 8 m

(1)

c
fo = 0 = 750 : : : 375 THz

(2)

auszeichnet (Anmerkung:

1 THz = 1012 Hz = 1000 GHz).

SiO2 ), und Abb. 2 zeigt den

Lichtwellenleiter oder Glasfasern bestehen berwiegend aus Quarzglas (


typischen Dmpfungsverlauf einer derartigen Quarzglasfaser.
Wichtig ist dabei insbesondere die Rayleigh-Streuung
Glaspartikeln entsteht und mit

1=

4
0

S , die durch Streuung des Lichts an kleinen

mit zunehmender Wellenlnge abnimmt. Mit zunehmender Wel-

lenlnge nimmt die Dmpfung schlielich durch die Infrarot-Absorption

IR

wieder zu, die durch die

Anregung molekularer Schwingungen im Glas entsteht. Die minimale Dmpfung ergibt sich fr Wellenlngen im Bereich
ca.

0; 2 dB/km.

o  1; 5 : : : 1; 6 m (oder f  200 THz), also im nahen Infrarot, zu Werten von

Diese Dmpfung ist um ca. 3 Grenordnungen niedriger als wir es von Koaxialkabeln oder Hohlleitern
im GHz-Bereich gewohnt sind. Damit stellt die Quarzglasfaser einen hervorragenden Wellenleiter dar,
der eine extrem niedrige Dmpfung (bei

0; 2 dB/km ist noch nach 15 km Faserlnge die Hlfte des

eingekoppelten Lichts vorhanden) mit einer hohen Bandbreite verbindet (allein der Wellenlngenbereich

o = 1; 5 m bis o = 1; 55 m entspricht schon einer Bandbreite von 6 THz = 6000 GHz).


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Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/2

0
Abb. 2: Typischer Dmpfungsverlauf einer Quarzglasfaser (
Absorption,

UV

 Ultraviolett-Absorption,

OH

 Rayleigh-Streuung,

IR

 Infrarot-

 Absorption durch OH-Verunreinigungen) (aus:

Voges/Petermann, Handbuch Optische Kommunikationstechnik, Springer 2002).

1.1 Totalreexion
Am einfachsten kann man sich die Wellenausbreitung in einem dielektrischen Wellenleiter vorstellen,
wenn man die Reexion einer ebenen Welle an der Grenzche zwischen 2 Dielektrika betrachtet (Abb.
3):

r1=n12

r2=n22

reflektierte Welle

transmittierte Welle

r1 > r2

einfallende Welle

bzw. n2 < n1

Abb. 3: Reexion und Transmission an dielektrischen Grenzchen.

Zwischen den Einfallswinkeln der einfallenden Welle und der transmittierten Welle gilt das Snellius'sche
Brechungsgesetz:

cos 2 = sin '2 = n1


cos 1 sin '1 n2
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(3)

Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/3

n1 , n2 stellen dabei die Brechzahlen, n1 = p"r 1 , n2 = p"r 2 dar. Bei gegebenem 1 und n1 < n2 ergibt
sich aus Gl. (3) nur dann eine Lsung fr 2 , wenn 1 > 1g mit
cos 1g = nn2
(4)
1
ist. 1g stellt den Grenzwinkel der Totalreexion dar, fr 1 < 1g wird die einfallende Welle total
reektiert.

2 Stufenfasern
Die einfachste Form eines Lichtwellenleiters besteht aus einem lichtfhrenden Faserkern mit der Brechzahl

n1

und einem Fasermantel mit der Brechzahl

n2 < n1 ,

wobei der Unterschied im Prozentbe-

reich oder sogar darunter liegt. Der Faserkerndurchmesser liegt typischerweise in der Grenordnung

2a  10 100 m

und der Durchmesser vom Mantel bei

D  125 m.

n 0= 1

Abb. 4: Schematische Darstellung einer Stufenfaser.

Die Stufenfaser weist folgendes Brechzahlprol auf

n1

fr

n2

fr

n (r ) =

r a

D
a<r  2

(5)

1 sei nun der Winkel der eingekoppelten Welle zur Faserachse und 1 der Winkel, unter dem die Welle
aus dem freien Raum (n0 = 1) in die Faser eingekoppelt wird. Die Welle wird dann im Kern gefhrt,
wenn 1 < 1g ist. Es gilt
q
q
sin(1g ) = 1 cos2 (1g ) = n1 n12 n22
(6)
1
Mit dem Brechungsgesetz von Snellius folgt

sin( 1g ) = n1 sin(1g ) = n12 n22 = AN


q

AN

(7)

1 an, fr den die Welle


nur im Kern gefhrt wird. Wenn man eine Quarzglasfaser mit n1 = 1; 46 und n2 = 1; 45 annimmt,

ergibt sich AN = 0; 17, was auf einen maximalen Einfallswinkel 1g = 9; 8 fhrt.
wird als

numerische Apertur

bezeichnet und gibt den maximalen Winkel

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Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/4

2.1 Eigenwellen in schwach fhrenden Stufenfasern


Die Strahlenbetrachtung in Abb. 4 gilt eigentlich nur im Grenzfall

o ! 0. Zur genaueren Analyse

der Wellenausbreitung in dielektrischen Wellenleitern ist es hnlich wie beim Hohlleiter erforderlich, die
ausbreitungsfhigen Eigenwellen zu bestimmen.
Die Brechzahlunterschiede zwischen Faserkern und -mantel sind in Glasfasern in der Regel sehr gering,
so dass

n1 n2
n1  1

gilt. Man spricht dann von einer

schwach fhrenden

(8)

Faser. Bei Gltigkeit von Gl. (8) lassen sich dann

die Eigenwellen nherungsweise als so genannte LP-Wellen (linear polarisierte Wellen) beschreiben.
So lsst sich dann beispielsweise eine in transversaler Richtung linear polarisierte Welle annehmen mit
einer elektrischen Feldverteilung:

E x = (r; ') exp( j z )

(9)

(Annahme: verlustfreier Wellenleiter) und E y  0.


Zunchst soll die Grenordnung von abgeschtzt werden. Aus der Strahlenbetrachtung in Abb. 4

mit der Phasenkonstanten

folgt

= k0 n1 cos(1 )

Fr die gefhrte Welle ist

(10)

0 < 1 < 1g , daher ist


k0 n2 < < k0 n1

Fr die Feldkomponente

Ex

gilt die Wellengleichung (vgl. Gl. EB (25)) sowohl im Kern als auch im

Mantel.

mit

(11)

4E x + k02ni2E x = 0

(12)

@2Ex
2
@z 2 = E x

(13)

i = 1; 2 . Es folgt aus Gl. (9)

und damit erhlt man aus Gl. (12) die Wellengleichung

4t E x + k02ni2 2 E x = 0


(14)

mit dem transversalen Laplace-Operator

2
2
@2
4t = @x@ 2 + @y@ 2 = 1r @r@ r @r@ + r12 @'
(15)
2
Wenn man die skalare Feldfunktion
(r; ') aus Gl. (9) im Faserkern und -mantel jeweils schreibt als

1 (r; ') fr r  a
(r; ') =
(16)
2 (r; ') fr r > a ;

ergibt sich dann fr die Wellengleichung (14):

4t 1 + k02n12 2


4t 2 2 k02n22


= 0;
2 = 0;
1

r a
r >a

(17)

Die Lsung von Gl. (17) fhrt zu den Eigenwellen der Stufenfaser, wobei noch die Randbedingungen
bercksichtigt werden mssen.

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Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/5

2.2 Randbedingungen
An der Grenzche zwischen Faserkern und Fasermantel mssen die tangentialen Feldkomponenten
stetig bergehen, d.h.

E ' , E z , H' und Hz

mssen bei

r = a stetig sein.

Ex
formulieren. Fr eine schwach fhrende Faser (Gl. (8)) fhrt die geforderte Stetigkeit von E ' und H '
nherungsweise auf eine Stetigkeit auch von E x , wie mit Abb. 5 erlutert wird.

Aufgrund des Ansatzes entsprechend Gl. (9) mssen wir nun die Randbedingungen bezglich

y
F a se rm a n te l

+ a

E j, H
j

E z, H

F a se rk e rn

r
j
z

-a

+ a x

-a
Abb. 5: Skizze zur Erluterung der Randbedingungen.

' = 90 ist in Abb. 5 oensichtlich, dass die geforderte Stetigkeit von E ' dort auch der Stetigkeit
von E x entspricht. Fr ander eWinkel ' ist die nicht so oensichtlich. So ist beispielsweise fr ' = 0 die
2
Normalkomponente der dielektrischen Verschiebung stetig (d.h. n E x muss dort stetig sein), wenn sich
aber n1 und n2 nur geringfgung von einander unterscheiden, ist auch bei ' = 0 E x nherungsweise
stetig, d.h. die erste Randbedingung fr E x lautet nherungsweise:

Fr




E x (Faserkern)

=
r =a




E x (Fasermantel)

fr alle

'

r =a

Es fehlt noch die Bercksichtigung der Forderung nach stetigem Verlauf von
Maxwell'sche Gleichung

woraus fr

Hz

folgt (mit

(18)

Hz

bzw.

E z . Es gilt die

~
r  E~ = j!0H;

(19)

1 @E
Hz = j! @yx :
0

(20)

E y  0):

@=@y beinhaltet in Zylinderkooordinaten sowohl die Ableitung @=@' als auch @=@r . Da
Gl. (18) fr alle ' gilt, folgt aus Gl. (18) trivialerweise auch die Stetigkeit von @E x =@'. Zustzlich
muss allerdings noch die Stetigkeit von @E x =@r sichergestellt werden. D.h., es muss gelten:
Die Ableitung


@E x (Faserkern)

@r

=
r =a


@E x (Fasermantel)

@r

r =a

fr alle

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'

(21)

Hochfrequenztechnik I

Damit sind

Hz

(und

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

E z , wie auch leicht gezeigt werden kann) an der Grenzche zwischen Faserkern

und -mantel stetig.


Damit stellen Gl. (18) und (21) die bezglich
Feldfunktion

ONT/6

Ex

zu erfllenden Randbedingungen dar. Fr die skalare

(r; ') aus Gl. (9) und (16) heit das:






1


@ 1
@r

=
r =a

=
r =a

(22)

r =a

@ 2
@r
r =a

(23)

2.3 Berechnung der Eigenwellen


Zunchst werden folgende Normierungen eingefhrt:

V = k0 a n12 n22 = k0  a  AN
 


2


n22
n2  k 0 + n2
n2
k02
k0
B = 2 2 = (n n )  (n + n )  nk0 n
n1 n2
1
2
1
2
1
2
q
p
u = V 1 B = a k02 n12 2
q

Faserparameter:

Normierte Ausbreitungskonstante:

Kernparameter:

v = V B = a 2 k02 n22
V 2 = u2 + v 2

Mantelparameter:

(24)

(25)

(26)

(27)
(28)

Setzt man diese Normierungen in Gl. (17) ein, so erhlt man

a2 4t
a2 4t

+ u2
v2
2
1

r a
fr r  a

=0
2=0

fr

(29)
(30)

Die Lsungen von Gl. (29) fhren zu einem oszillierenden Verhalten im Faserkern, whrend die Lsungen von Gl. (30) zu exponentiell abklingenden Feldern im Fasermantel fhren. Konkret ergibt sich:

u  cos(l  ')
r
(
r;
'
)
=
A
J
1
1 l
a sin(l  ')


)
(31)

v  cos(l  ')
2 (r; ') = A2 Kl r
a sin(l  ')


Dabei ist

Jl

eine Besselfunktion und

Kl

)
(32)

eine modizierte Hankelfunktion ganzzahliger Ordnung.

Aus den Randbedingungen Gl. (22) und (23) folgt:

A1 Jl (u ) = A2 Kl (v )

(33)

u
v
A1 a Jl0 (u ) = A2 a Kl0 (v );

(34)

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Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/7

Jn
J0

J1

J2

J3

Abb. 6: Besselfunktionen ganzzahliger Ordnung.

Kn

K2
K1

K0

Abb. 7: Modizierte Hankelfunktionen 0. bis 2. Ordnung.

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Hochfrequenztechnik I

wobei

Jl0 = dJl (x )= dx

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

und

Kl0 = dKl (x )= dx

ONT/8

bezeichnen.

Dividiert man nun beide Gleichungen durcheinander, so erhlt man die charakteristische Gleichung zur
Bestimmung der Phasenkonstanten

Fr vorgegebenes

(u und v

und vorgegebene

enthalten nur

als Unbekannte).

u  Jl0 (u ) v  Kl0 (v )
Jl (u ) = Kl (v )
Umfangsordnung l kann

(35)

die Ausbreitungskonstante aus Gl.

(35) numerisch bestimmt werden. Die Gleichung hat im allgemeinen mehrere Lsungen, die mit

p=

1; 2; 3::: nummeriert werden. p bezeichnet dabei die Anzahl der Feldextrema in radialer Richtung. Daher
wird die Bezeichnung LPlp -Welle mit der Umfangsordnung l und der radialen Ordnung p gewhlt.
(Feldverteilungen einiger LPl p -Wellen sind in Abb. 8 dargestellt.)
Mit vorgegebener Dimensionierung (a; 0 ; n1 ; n2 ) der Faser folgt V , damit kann aus Gl. (35) u und v
bestimmt werden. Daraus ergibt sich mit Gl. (26) und Gl. (27) und mit Gl. (31) und Gl. (32) auch
die Feldverteilung
(r; '). Die Lsung von Gl. (35) ist in Abb. 9 dargestellt. Sie zeigt die normierte
Phasenkonstante B ( vergl. Gl. (25)) als Funktion von V .
Wie man aus Abb. 9 erkennt, ist fr gengend kleine V < 2; 405 nur noch die LP01 -Welle ausbreitungsfhig.
Das bedeutet, dass fr einen Faserparameter

V < 2; 405

(36)

eine einmodige Faser vorliegt (allerdings ist die dann verbleibende LP01 -Welle noch in 2 Polarisationen
(

Ex

und

Ey )

ausbreitungsfhig). Normalerweise wird ein Faserparameter

V > 1; 5

gewhlt, da die

Welle sonst zu schwach auf den Faserkern konzentriert ist.


Als Beispiel sei eine Faser folgendermaen dimensioniert:

Faserdurchmesser:
Relative Brechzahldierenz:
Numerische Apertur:
Faserparameter:

2a = 8 m
 = n1 n n2 = 3  10
1
AN = 0; 116
m
V = 2; 9 

Mit dieser Faser wre ein einwelliger Betrieb also fr Wellenlngen

1; 2 m <  < 1; 9 m

(r ) des LP01 -Grundmodes wird hug durch eine Gauverteilung angenhert:


(r ) = A0 exp

r2
w2 :

mglich.

(37)

2;879
w entspricht hierbei dem Fleckradius. Bei einer Stufenfaser mit V > 1; 2 ist wa  0; 65+ 1V;619
3=2 + V 6 .
Mit steigendem V nimmt also der Fleckradius ab. Dies entspricht einer zunehmenden Konzentration
des Feldes auf den Faserkern.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Abb. 8: Feldverteilungen

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

einiger

LP-Moden.

Von

oben:

LP01 ,

LP11 ,

LP25

ONT/9

und

ges/Petermann, Handbuch Optische Kommunikationstechnik, Springer 2002).

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

LP73

(aus:

Vo-

Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

Abb. 9: Normierte Phasenkonstante

ONT/10

B von LPlp -Wellen in schwach fhrenden Stufenfasern (aus: Vo-

ges/Petermann, Handbuch Optische Kommunikationstechnik, Springer 2002).

2.4 Chromatische Dispersion


Auch bei einer einwelligen Faser ist zu bercksichtigen, dass die Gruppenlaufzeit der LP01 -Welle wellenlngenabhngig ist (chromatische Dispersion), was die bertragungseigenschaften beeinusst. Die
Gruppenlaufzeit der Grundwelle pro Lnge ist:

d
 = d!
Die Phasenkonstante

(38)

kann mit Gl. (25) ausgedrckt werden als


= k0 [B(n1 n2 ) + n2 ]
)  = dfk0[B(n1 d!n2) + n2]g

Zur Vereinfachung wird die Annahme getroen, dass die Abhngigkeit der Brechzahlen

! gleich ist:

dn1 = dn2
d! d!
d(
) n1d! n2) = 0

q
2
2
d n1 n2
) ddA!N =
0
d!

(39)
(40)

n1 und n2 von
(41)

(42)

(43)

Dadurch vereinfacht sich die Gleichung der Laufzeit Gl. (40) zu:

d(k B) d(k n ) n n d(V  B) 1 d(!  n )


 = (n1 n2 ) d!0 + d0! 2 = 1 c 2  dV + c d! 2
TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(44)

Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/11

Die chromatische Dispersion ist die Ableitung der Laufzeit nach der Wellenlnge:

d  = n1 n2  V d2 (V  B)
 d2 n2
d | c   {z dV 2 } | c {zd2}
^
^
DW =Wellenleiterdispersion DM =Materialdispersion

(45)

Die chromatische Dispersion besteht damit im wesentlichen aus zwei Anteilen (Abb. 11)
1. der Wellenleiterdispersion
2. der Materialdispersion

DW

und

DM .

Abb. 10: Dispersionsgren der LP01 -Grundwelle bei schwach fhrenden Stufenfasern (aus: Voges/Petermann, Handbuch Optische Kommunikationstechnik, Springer 2002).

Whrend die Materialdispersion durch das verwendete Quarzglas vorgegeben ist, ergibt sich die Wellen-

B(V )-Charakteristik. Zur Veranschaulichung


B, der Term ddVVB , sowie der Term V  d2dVV 2B als

leiterdispersion im wesentlichen aus der Krmmung der


sind in Abb. 10 die normierte Phasenkonstante

fr die LP01 -Welle einer Stufenfasern dargestellt.


d2 V B
Fr einwellige Fasern mit einem Faserparameter
ist
dV 2 positiv und damit die Wellenlei-

Funktion von

terdispersion negativ. Bei Wellenlngen von

V < 2; 4 V  
 > 1; 3 m wird die Materialdispersion DM bei Quarzglas

SiO2 ) positiv, wie in Abb. 11 dargestellt. Dies kann dafr genutzt werden, die Faser so zu dimensionieren, dass die Nullstelle der Gesamtdispersion zu Wellenlngen  > 1; 3 m verschoben wird.
Insbesondere kann die Nullstelle der gesamten chromatischen Dispersion zu   1; 55 m verschoben
(

werden, wo die minimale Dmpfung erzielt wird.


Beispiele:
1. Standard-Einmodenfaser
Eine Standard-Einmodenfaser hat beispielsweise die folgenden Dimensionierungen:

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

a = 4 m ,

Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

Abb. 11: Wellenleiterdispersion

DW

und Materialdispersion

DM

ONT/12

einer Standard-Einmodenfaser (aus:

Voges/Petermann, Handbuch Optische Kommunikationstechnik, Springer 2002).

 = n1n1n2 = 3  10 3 , bzw. n1 n2 = 4; 5  10 3 . Damit ergibt sich bei einer Wellenlnge


 = 1; 55 m ein V = 1; 88 und damit gem Abb. 9 ein V  d2 (V  B)= dV 2 = 0; 58 , woraus sich
aus Gl. (45) eine Wellenleiterdispersion DW =
5; 6 kmpsnm ergibt, was nur zu einer teilweisen
Kompensation der Materialdispersion fhrt. Zur Illustration zeigt Abb. 11 fr eine solche Faser
die einzelnen Anteile der chromatischen Dispersion.
2. Dispersionsverschobene Einmodenfaser
Durch Variation der Faserparameter lassen sich auch hhere Wellenleiterdispersionswerte erzielen, um z.B. die Materialdispersion

DM = 20 kmpsnm

bei

 = 1; 55 m

vollstndig zu kompensie-

ren oder sogar zu berkompensieren (z.B. fr eine sogenannte dispersionskompensierende Faser).


Gem Gl. (45) lassen sich hhere Werte der Wellenleiterdispersion fr grere Brechzahlunter-

V -Werte erreichen. So erhlt man beispielsweise fr eine Faserdimension1 n2 = 5  10 3 , bzw. n


3 bei  = 1; 55 m ein
nierung mit a = 2; 4 m ,  =
1 n2 = 7; 5  10
n1
V = 1; 46 und V  d2 (V  B)= dV 2 = 1; 13 , so dass sich dann eine betragsmig deutlich grere
Wellenleiterdispersion von DW =
18; 2 kmpsnm ergibt, mit der sich die Materialdispersion bei
 = 1; 55 m im wesentlichen kompensieren lsst.
schiede sowie kleinere

Anmerkung: Wie oben erwhnt, stellen die oben diskutierten

LPlp -Wellen nur Nherungslsungen fr

schwach fhrende Fasern dar. Bei der genauen Berechnung von dielektrischen Wellenleitern ergeben
sich hnlich wie beim Hohlleiter E- und H-Wellen und darber hinaus noch hybride HE- und EH-Wellen

Hz - als auch eine Ez -Komponente). Abb. 12 zeigt, wie sich


beispielsweise eine LP11 -Welle als berlagerung von HE21 -, E01 - und H01 -Wellen darstellen lsst.
Am wichtigsten ist die LP01 -Grundwelle, die genau der HE11 -Welle der exakten Lsung entspricht.
(diese hybriden Wellen haben sowohl eine

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Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/13

Abb. 12: Transversales elektrisches Feld von LP11 -Wellen und ihre berlagerung aus den eigentlichen
Wellen HE21 , E01 und H01 [D. Gloge, Appl. Opt., Vol. 10, S. 2252 (1971)].

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Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/14

3 Gradientenfaser
Eine Einmodenfaser stellt ein nahezu ideales bertragungsmedium dar, wegen der Forderung nach
kleinem

entsprechend Gl. (36) entspricht dies aber der Forderung nach kleinem Kerndurchmesser

a und/oder einer kleinen numerischen Apertur AN . Dies erschwert die Licht-Einkopplung in derartige

Fasern sowie die Realisierung von Fasersteckern bzw. -spleien.


Insbesondere fr Kurzstreckensysteme oder die Gebudeverkabelung ist es deshalb wnschenswert,
Vielmodenfasern mit grerem Kerndurchmesser und/oder hherer numerischer Apertur zu verwenden.
Abb. 3 zeigt noch einmal den Strahlenverlauf in einer Stufenfaser. Es ist oensichtlich, dass die Laufzeit

1 zunimmt. Wenn man die Laufzeitdierenz zwischen


dem schnellsten (1 = 0) und dem langsamsten (1 = g ) Strahl einer Faser der Lnge L berechnet,

der Wellen (bzw. Strahlen) mit zunehmendem

ergibt sich nherungsweise

(46)
t = 2cLn A2N :
0 1
Fr eine typische Faser mit AN = 0; 2 und n1 = 1; 46 ergibt sich ein t=L = 45 ns/km, was bei
einer bertragungslnge von L = 1 km und binrer bertragung nur noch eine bertragung von ca.
20 Mb/s zulsst.

Gradientenprol

Ein Trick besteht darin, statt eines Stufenprols ein sog.

fr den Brechzahlverlauf

wie in Abb. 3 zu verwenden:

n
2

n (r)

n (r)
n
1

n
2

S tu fe n fa s e r

G r a d ie n te n fa s e r

Abb. 13: Strahlverlauf in a) einer Stufenfaser und b) einer Gradientenfaser.

In der Gradientenfaser gelangen die Strahlen mit hherem

1

in Bereiche mit kleinerer Brechzahl

und werden damit schneller. Durch geeignete Wahl eines Brechzahlprols

n(r ) knnen sich grere

Weglnge und die erreichte hhere Geschwindigkeit entlang des Strahlweges gerade aufheben. Der
Brechzahlverlauf einer Gradientenfaser wird hug beschrieben durch das sog.
law prole)

n12

 g !
r

1 2 a

n12 (1 2) = n22


mit dem Prolexponenten g . Beispielsweise wird mit g = 2
g ! 1 das Stufenprol beschrieben.
n2 (r ) =

fr

fr

r a

Potenzprol

(power-

(47)

r >a

das parabolische Brechzahlprol und mit

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Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

Der optimale Prolexponent

ONT/15

g = gopt hngt davon ab, mit welcher Materialvariation die Brechzahl der

Gradientenfaser variiert wird. Hug wird die Brechzahlvariation dadurch erreicht, dass beim Quarzglas

GeO2 ersetzt wird; bei einer derartigen Gradientenfaser zeigt. Abb. 3 den
optimalen Prolexponenten gopt als Funktion der Wellenlnge. Abb. 3 zeigt schlielich die erreichbare

ein Teil des

SiO2

durch

Abb. 14: Optimaler Prolexponent

gopt

in Abhngigkeit von der Wellenlnge

0

fr mit Germanium

dotiertes Quarzglas.

Bandbreite einer Gradientenfaser in Abhngigkeit davon, wie stark der realisierte Prolexponent

gopt

abweicht. Man sieht, dass fr hohe Bandbreiten

praktische Bandbreiten bis ca.


Kerndurchmesser von

3 GHz  km

gopt

g von

sehr genau getroen werden muss, wobei

erreicht werden. Derartige Fasern haben typischerweise

2a = 50 m und eine numerische Apertur AN  0; 2.

Fr Kurzstreckensysteme lassen sich derartige Gradientenfasern vorteilhaft einsetzen. Fr 10-Gigabit-

300 m mglich, whrend sich fr 100-Gigabit-Ethernet


immer noch eine bertragungslnge von ca. 100 m ergibt (Wellenlngen-Multiplex mit 4 Wellenlngen
25 Gb/s).
Ethernet damit ist eine bertragung ber

4 Signalbertragung in Einmodenfasern
Im Vergleich zu Gradientenfasern weisen Einmodenfasern ein sehr viel besseres Signalbertragungsverhalten auf. Aufgrund der chromatischen Dispersion gibt es aber auch in Einmodenfasern u.U. eine
Signaldegradation, die hier genauer analysiert werden soll.

E lsst sich schreiben als


E (z; t ) = A(z; t ) exp( j 0 z + j!0 t )

Das orts- und zeitabhngige elektrische Feld

(48)

A(z; t ) bezeichnet dabei eine im Vergleich zur optischen Frequenz langsam variierende komplexe Amplitude fr ein monochromatisches optisches Feld mit der optischen Frequenz !0 und der dazugehrigen
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Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/16

Abb. 15: 6-dB-Bandbreite des bertragenen elektrischen Signals einer vielwelligen Gradientenfaser mit
numerischer Apertur

Phasenkonstanten

AN = 0; 24.

0 . Das reale elektrische Feld in der Faser (z.B. Ex fr die LP01 - Welle) entspricht

dabei dem Realteil von (48).


Die Signalausbreitung entlang der Faser lsst sich sehr einfach im Frequenzbereich mit der FourierTransformierten von

E (z; t ) beschreiben (zur Vereinfachung wird fr die Dmpfung = 0 angenom-

men):

E (z; t ) 

gem

(49)

E (z; j!) = E (z = 0; j!) exp( j (!)z )

Die Phasenkonstante

mit

 E (z; j!)

(50)

(!) wird um ! = !0 in eine Taylor-Reihe entwickelt:


1
(!) = 0 +  (! !0 ) + 2 2 (! !0 )2 + :::

0 = (!0 ) wie bereits in (48), der Gruppenlaufzeit pro Lnge


d
 = d! ;

(51)

(52)

und der chromatischen Dispersion

d2 d
d 2
2 = d!2 = d! = d 2c0
0
0

!
(53)

Gl. (50) fhrt mit (51) auf:

E (z; j!) = E (z = 0; j!)  exp( j 0 z ) exp[ jz (! !0 )] exp

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann


1
j 2 2 z (! !0 )2

(54)

Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

ONT/17

Mit Gl. (54) ist die Signalausbreitung prinzipiell vollstndig beschrieben. Uns interessiert jedoch die
Signalausbreitung bezglich der Amplitudenfunktion
Zeitachse

 z

(t 0 = t

  z)

A(z; t ), wobei es zweckmig ist, eine retardierte

einzufhren, da die Gruppenlaufzeit des Signals im wesentlichen durch

gegeben ist. Fr die Amplitudenfunktion wird nun eine Fouriertransformierte mit

eingefhrt:

A(z; t 0 +   z ) 

wobei die Frequenz

 A(z; j
)

t = t0 +   z

(55)

der Dierenz zwischen ! des Feldes in Gl. (49)-(51) und !0 , d.h.


= ! !0 ,

entspricht.
hnlich zu Gl. (54) ergibt sich:

A(z; j
) = A(z = 0; j
) exp


1
2
j 2 2 z

(56)

Gl. (56) lsst sich als Dierentialgleichung schreiben,



@A(z; j
)
1
2
(57)
@z = A(z; j
) j 2 2

Mit der retardierten Zeitachse t  t


z und @=@t = j
lsst sich (57) in den Zeitbereich transformieren:

@A(z; t ) 2 @ 2 A(z; t )
@z = j 2 @t 2

Die Kenntnis der Signalform

z + z ).

(58)

A(z; t ) an der Stelle z ermglicht damit die Berechnung der Signalform

an der Stelle (

Im Prinzip ist bereits mit der Gl. (56) die Signalbertragung entlang der Faser mit chromatischer

z = 0) das Signal bekannt ist, ist auch


dessen Fourier-Transformation A(z = 0; j
) bekannt, woraus sich dann A(z; j
) bei beliebigem z
ergibt. Daraus ergibt sich dann durch Fourier-Rcktransformation A(z; t ).
Dispersion vollstndig beschrieben. Wenn am Faseranfang (

4.1 bertragung eines Gau'schen Pulses


Die Gaufunktion hat die Eigenschaft, dass auch deren Fourier-Transformierte wieder eine Gaufunktion darstellt (vgl. Abschnitt S). Bei einem Gaufrmigen Spektrum

A(z = 0; j
) ergibt sich wegen

z wieder ein Gaufrmiges Spektrum, so dass es naheliegend ist, die Ausbreitung eines
Gaufrmigen Pulses entlang einer dispersiven Faser zu analysieren. Die komplexe Amplitude A(z; t )
sei so normiert, dass fr die optische Leistung P in der Faser
Gl. (57) fr alle

P (z; t ) = jA(z; t )j2


gilt. Fr

z = 0 sei

P (z = 0; t ) = P0 exp

(59)

[t=t0 ]2

(60)

und damit fr die komplexe Amplitude

A(z = 0; t ) = P0 exp
p

1  t 2 exp j'(t )
2 t0
!

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(61)

Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

mit einer eventuellen zustzlichen Phasenmodulation

ONT/18

'(t ). Beispielsweise fhrt die Modulation eines

Halbleiterlasers (aber auch von sonstigen externen Modulatoren) nicht nur zu einer Leistungsmodulation, sondern auch zu einer Modulation der optischen Frequenz (chirp). Dies liegt daran, dass sich
bei einer Modulation der optischen Verstrkung auch die Brechzahl innerhalb des Halbleiterlasers und
damit die optische Emissionsfrequenz ndert. Dies lsst sich durch einen Parameter

n0
ch = n00

(62)

beschreiben, der die Kopplung zwischen einer Variation des Imaginrteils und des Realteils der Brechzahl beschreibt. Fr eine Lasermodulation gilt (siehe z.B. K. Petermann, Laser diode modulation and
noise, Kluwer Academic 1991):

d' = 2( (t )  ) = ch 1 dP
0
dt
2 P dt

!
(63)

woraus fr den Gaufrmigen Puls von Gl.(60) folgt:

d' =
dt
bzw.

ch =t02 t

(64)

ch
2
2 (t=t0 )

(65)

'(t ) =

so dass sich die komplexe Amplitude gem Gl.(61) ergibt zu

A(z = 0; t ) = P0 exp
p

1 (t=t )2 (1 + j )
ch
2 0

(66)

A(z; t ) ergibt sich dann gem Gl.(57),(58).


Wie oben diskutiert bleibt die Gau'sche Pulsform bei Ausbreitung entlang der Faser erhalten:

P (z; t )  exp

[t=t1 (z )]2 ;


(67)

wobei die Fourier-Transformation von Gl (66) mit Gl. (56) schlielich auf

t1 (z ) = t0

v
u
u
t

1 ch t22z
0

fhrt. Abb. 16 zeigt den Verlauf der Pulsbreite fr

!2

+ t22z
0

2 < 0

!2

(wie bei einer Standardfaser mit

1; 55 m, dort ist 2  20 ps =km). LD bezeichnet dabei die sog. Dispersionslnge :


2

LD = t02 =j 2 j:
Ohne Chirp

(68)

=
(69)

( ch = 0) ergibt sich eine monotone Pulsverbreiterung, whrend sich fr ch  2 > 0

auch eine Pulsverschmlerung ergeben kann. Aufgrund der Pulsverbreiterung eines Gau-Pulses lsst
sich die maximal mgliche bertragungsrate abschtzen.

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Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

4.0

b2<0

3.5
3.0

ach=2

2.5
t 1/t 0

ONT/19

ach=-2

2.0
1.5

ach=0

1.0
0.5
0.0
0.0

0.5

1.0
z/LD

1.5

2.0

Abb. 16: Pulsbreite als Funktion der Faserlnge.

4.2 Maximale bertragungsrate ohne Chirp ( ch = 0)


Ohne chirp (

ch = 0) ergibt sich die minimale Impulsbreite am Ausgang (z = L) fr t02 = j 2 Lj zu


t12 = 2j 2 Lj;

was bei binrer Modulation ungefhr eine maximale Bitrate

B L < 1= 8j 2 j =
q

was beispielsweise fr eine Standard-Einmodenfaser mit


auf eine maximales Bitraten-

(70)

B < 1=(2t1 ) ermglicht und damit

(2=8)  c0 ;
j d= dj20

(71)

d= d = 17 ps=(nm  km) und 0 = 1; 55 m

Lngen-Produkt von

p
Gb p
B L = 75 s km
fhrt.
Damit lsst sich ein binres

10 Gb/s-Signal immerhin ber eine Strecke von ca. 50 km bertragen, was

damit die berlegenheit einer Einmodenfaser gegenber einer Gradientenfaser unterstreicht.


Auch deutlich lngere bertragungsstrecken sind mglich, wenn die chromatische Dispersion der bertragungsfaser durch dispersionskompensierende Fasern (DCF 

dispersion-compensating bre )

kom-

pensiert wird.

4.3 Nichtlineare Schrdingergleichung


Aufgrund des kleineren Faserquerschnitts sind die Leistungsdichten sehr hoch, so dass u.U. auch
nichtlineare Eekte bercksichtigt werden mssen. Gl. (58) wird dazu erweitert einmal um einen Term,

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I
der die Dmpfung

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

in der Faser beschreibt sowie eine nichtlineare Phasenverschiebung (Kerr-Eekt).

Es ergibt sich dann die sog.

wobei die

nichtlineare Schrdingergleichung :

@A(z; t ) 2 @ 2 A(z; t )
A(z; t ) j j A j2 A(z; t );
@z = j 2 @t 2
nichtlineare Phasenverschiebung durch den Parameter beschrieben

Quarzglasfaser den Wert

annimmt.

Aef f

ONT/20

1:31 80 m2
= W  km A
e

bezeichnet die eektive wirksame Flche der

dardfaser typischerweise den Wert


fr

Ae = 80

m2

(72)

wird, der bei einer

(73)

LP01 -Grundwelle,

die bei einer Stan-

aufweist. Die nichtlineare Phasenverschiebung kann

P (z ) dz  1

(74)

vernachlssigt werden, wobei das Integral in Gl. (74) ber die gesamte Faserstrecke (einschlielich der
optischen Verstrker) zu erstrecken ist. So spielt die nichtlineare Phasenverschiebung fr
und eine Streckenlnge

P (z )  1 mW

L = 100 km beispielsweise noch keine Rolle, fr L = 1000 km jedoch muss

sie mit bercksichtigt werden. Die nichtlineare Phasenverschiebung in Gl. (72) fhrt insbesondere zu
folgenden Eekten:
1. Selbstphasenmodulation
Aufgrund der intensittsabhngigen Phasenverschiebung des Kerr-Eekts wird die Phase des
Signals selbst moduliert, was unter Umstnden zu einer erheblichen spektralen Verbreiterung
fhren kann.
2. Kreuzphasenmodulation
Bei einem Wellenlngenmultiplexsystem wird die Phase eines Kanals auch durch die Intensittsschwankungen der Nachbarkanle moduliert. Dies fhrt zu einem bersprechen zwischen den
verschiedenen Kanlen.
3. Vierwellenmischung

3 vorhandenen Signalen der optischen Frequenzen !i , !j , !k ergibt sich z.B. ein viertes Signal
bei der Frequenz !i  (!j
!k ). Auch dies fhrt zu einem bersprechen zwischen verschiedenen

Bei

Kanlen.
Eine Analyse der Signalausbreitung mit den obigen Eekten ist im Allgemeinen nur durch numerische
Auswertung von Gl. (72) mglich. Wichtig ist dabei auch die Gre der chromatischen Dispersion. Im
allgemeinen ist es vorteilhaft, wenn die lokale Dispersion

j 2(z )j

mglichst gro ist.

5 Ausblick
Moderne optische bertragungssysteme bertragen die Datensignale in der Regel nicht nur bei einer,
sondern bei vielen Wellenlngen parallel ber eine Glasfaser. Ein derartiges

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

1 : : : N -bertragungssystem

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

YOSHIKANE AND MORITA: 1.14 b/s/Hz SPECTRALLY EFFICIENT 50

Data
In

XMTR

In

XMTR

In

XMTR

l1
l2
lN

O
M
U
X

OA

ONT/21

85.4-Gb/s TRANSMISSION OVER 300 km

D
M
U
X

OA

OA

l A ~90-150km

Er-Doped Fiber

l 1,l 2... lN

113

l1
l2
lN

RCVR

Data
Out

RCVR

Out

RCVR

Out

Fig. 10.
-factor and OSNR after 300-km transmission. (Open circles:
In-phase component; filled dots: Quadrature component).

Small-Signal

...l N
l 1in,la2single
tically
polarization and leads to 4-Tb/s capacity trans35 nm
mission with only the 27.6-nm bandwidth.

S P ~ N mW
0

S Pi ~ N m W
Pump laser (0.98 m m)

Gain

Hochfrequenztechnik I

Saturated

ACKNOWLEDGMENT

The authors would like to thank T. Asami, M. Suzuki, Y.


Nagao, and N. Edagawa of KDDI R&D Laboratories for their
l
continued encouragement.

1550nm

REFERENCES
Abb. 17: WDM-bertragungssystem mit Faserverstrkern.
[1] T. Ito, T. Ono, Y. Yano, K. Fukuchi, H. Yamazaki, M. Yamaguchi, and
K. Emura, Feasibility study on over 1 bit/s/Hz high spectral efficiency
WDM with optical duobinary coding and polarization interleave multiplexing, in Proc. 1997 Optical Fiber Conf. (OFC97), Dallas, TX, 1997,
Paper TuJ1, pp. 4345.
[2]17
H. Sotobayashi,
W.Die
Chujo,einzelnen
and K. Kitayama,
1.6 bit/s/Hz, 6.4 Tbit/s
(WDM 
) ist in Abb.
skizziert.
Wellenlngenkanle
OCDM/WDM (4 OCDM 40 WDM 40 Gbit/s) transmission experiment,
in Proc. ECOC 2001, Amsterdam,
The Netherlands,
Sep. 2001,
zusammengefhrt.
Im sog.
optischen
Ver1
N werden zunchst in einem Multiplexer (MUX)
PD.M.1.3, pp. 67.
[3] S. Bigo, Y. Frignac,
G. Charlet,
W. Idler, S. Borne,
H. Gross, R. Dischler,
strker (OA 
) knnen diese Wellenlngenkanle
dann
gemeinsam
verstrkt
werden,
W. Poehlmann, P. Tran, C. Simonneau, D. Bayart, G. Veith, A. Jourdan,
andBei
J. P. Hamaide,
10.2 Tbit/s
(256 42.7 Gbit/s PDM/WDM)werden
transum dann in der bertragungsfaser bertragen zu werden.
sehr groen
bertragungslngen
mission over 100 km TeraLight fiber with 1.28 bit/s/Hz spectral efficiency, presented at the 2001 Optical Fiber Conf. (OFC01), Anaheim,
entlang der Strecke weitere optische Verstrker eingefgt. Auf diese Weise knnen Strecken bis zu
CA, Mar. 2001, PD25-1.
[4] C. Davidson, L. Liu, A. Lucero, B. Bakhshi, P. Corbett, H. Zhang, Y.
mehreren
km berbrckt werden (z.B. Trans-Antlantik, Trans-Pazik).
Cai, M. Nissov, A. Pilipetskii, and N. Bergano, Polarization tracking
receiver demonstration over transoceanic distance, in Proc. 2003 OpDie optischen Verstrker bestehen z.B. aus Er-dotierten
die optisch
gepumpt
werden
und
ticalFasern,
Fiber Conf. (OFC03),
Atlanta, GA,
Mar. 2003, TuF3,
pp. 179180.
YOSHIKANE
ANDSignal
MORITA:
1.14 b/s/Hz
EFFICIENT
50 85.4-Gb/s
TRANSMISSION
OVER 300H.kmTaga, Y. Kurosawa, and K. Goto, Transmission exper113
Fig. 8.
waveforms
of SPECTRALLY
ch26 after 300-km
transmission.
(a) Before
[5] Y. Yamada,
eine
Verstrkung
z.B.
zwischen
nm und
nmspectral
ermglichen.
MZDI,
(b) constructive port,
(c) destructive
port, and0(d) after double-balanced
0 iment of 106%
efficiency over 2276 km utilizing polarization
receiver.
and sideband interleaved VSB (PSI-VSB), in Proc. ECOC 2003, Rimini, Italy, Sep. 2003, Th2.3.2, pp. 964965.
[6] C. Wree, N. Hecker-Denschlag, E. Gottwald, P. Krummrich, J. Leibrich, E. Schmidt, B. Lankl, and W. Rosenkranz, High spectral efficiency
1.6-b/s/Hz transmission (8 40-Gb/s with a 25-GHz Grid) over 200-km
SSMF using RZ-DQPSK and polarization multiplexing, IEEE Photon.
Technol. Lett., vol. 15, pp. 13031305, Sep. 2003.
[7] P. S. Cho, G. Harston, C. J. Kerr, A. S. Greenblatt, A. Kaplan, Y. Achiam,
G. Levy-Yurista, M. Margalit, Y. Gross, and J. B. Khurgin, Investigation
of 2-b/s/Hz 40-Gb/s DWDM transmission over 4 100-km SMF-28
fiber using RZ-DQPSK and polarization multiplexing, IEEE Photon.
Technol. Lett., vol. 16, pp. 656658, Feb. 2004.
[8] Y. Zhu, K. Cordina, N. Jolley, R. Feced, H. Kee, R. Rickard, and A. Hadjifotiou, 1.6 bit/s/Hz orthogonally polarized CSRZ-DQPSK transmission of 8 40 Gbit/s over 320 km NDSF, presented at the OFC 2004,
Los Angeles, CA, Feb. 2004, TuF1.
[9] T. Ito, K. Fukuchi, K. Sekiya, D. Ogasawara, R. Ohhira, and T. Ono, 6.4
Tb/s (160 40 Gb/s) WDM transmission experiment with 0.8 bit/s/Hz
spectral efficiency, presented at the ECOC 2000, Munich, Germany,
Fig. 9. Optical spectrum after 300-km transmission (CW light).
Fig. 10. Sep.-factor
OSNR after 300-km transmission. (Open circles:
2000, and
PD1.1.
[10] component;
A. H. Gnauck,
G. dots:
Raybon,
S. Chandrasekhar,
J. Leuthold, C. Doerr, L.
Abb. 18: Optisches Spektrum (links) und bertragungsqualitt
der
einzelnen
Wellenlngenkanle
In-phase
filled
Quadrature
component).
Stulz, and E. Burrows, 25 40-Gb/s copolarized DPSK transmission
EDFA repeaters. In this experiment, the optically prefiltered
12 100-km NZDF
50-GHz channel
(rechts) eines
Gb/s-WDM-Systems [aus: N.over
Yoshikane
and with
I. Morita,
 spacing, IEEE Photon.
RZ-DQPSK signal can improve the spectral efficiency drasTechnol. Lett., vol. 15, pp. 467469, Mar. 2003.

 :::

wavelength-division multiplexing
optical amplier

1000

 = 1530

 = 1565

50  85; 4
1:14 b/s/Hz Spectrally Ecient 50  85:4-Gb/s Transmission Over 300 km Using Copolarized RZ-DQPSK Signals,
tically in a single polarization and leads to 4-Tb/s capacity transJ. of Lightwave Technol., Vol. 23, No. 1, pp. 108114 (2005)].

mission with only the 27.6-nm bandwidth.

In diesem Wellenlngenbereich lassen sich bereits sehr viele Wellenlngenkanle unterbringen. Als Bei-

ACKNOWLEDGMENT

The authors would like to thank T. Asami, M. Suzuki, Y.


Nagao, and N. Edagawa of KDDI R&D Laboratories for their
TU Berlin  Prof. Dr.-Ing.
Petermann
continued K.
encouragement.
REFERENCES

Hochfrequenztechnik I

Grundlagen der optischen Nachrichtentechnik

85; 4 Gb/s. Damit ist die


Machbarkeit der bertragung von hohen Datenraten > 1 Tb/s (1 Tb=s = 1000 Gb=s) ber Einmospiel zeigt Abb. 18 die bertragung von

50

ONT/22

Wellenlngenkanlen mit je

denfasern gezeigt.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Signaldarstellung im Zeit- und Frequenzbereich

S/1

1 Harmonische Signale
Zeitabhngige Gren, wie z. B. Spannung, Strom oder Feld, sind hug harmonische Gren. Solche
sinus- oder kosinusfrmigen Signale lassen sich auch durch komplexe Zeiger darstellen. Ein harmonisches Spannungssignal lsst sich beispielsweise folgendermaen schreiben:

u (t ) = U0 cos(!t + ') = <(U exp(j!t ))

(1)

U = U0 exp(j')

(2)

mit dem komplexen Zeiger

Sind die zu untersuchenden Signale nicht harmonisch, so lassen sich diese durch eine berlagerung
mehrerer harmonischer Signale gem der Fourieranalyse darstellen.

2 Periodische, nicht harmonische Signale


Periodische Signale wiederholen sich nach einer bestimmten Zeit, der Periode

u (t ) = u (t   )

(3)

Ein Beispiel fr ein derartiges Signal zeigt Abb. 1. Solche Signale lassen sich in Form einer Fourierreihe
darstellen:

u (t ) =
Hierbei sind die Koezienten
von Gl. (4) mit

exp(

=2
Z

U

+
X

=

U   exp(j    !0 t )

!0 =

mit

2

(4)

die zunchst unbekannten Fourierkoezienten. Nach Multiplikation

j!0 t ) und anschlieender Integration von t = =2 bis t = =2 ergibt sich:

u (t ) exp( j!0 t ) dt =

=2

+
X

=

U

=2
Z

)!0 t ) dt = U   

exp(j (

=2
|

{z

 6= 
=  fr  = 
=0

(5)

fr

aus Gl. (5) folgt

U =
Fr reelle Signale

=2
Z

u (t ) exp( j!0 t ) dt

(6)

=2

u (t ) folgt aus Gl. (6), dass U  = U v , so dass man auch schreiben kann:

1
X

u (t ) = <

 =1

2U  exp(j!0 t )

Fr ein harmonisches Signal wie in Gl. (1) verbleibt nur

U

+ U0

(7)

mit

 = 1, so dass dann U = 2U 1

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

gilt.

Hochfrequenztechnik I

Signaldarstellung im Zeit- und Frequenzbereich

S/2

u(t)

Abb. 1: Beispiel eines periodischen, nicht harmonischen Signals.

3 Nichtperiodische Signale
Ist das Signal nichtperiodisch, wie z. B. ein einzelner Puls mit der Zeitabhngigkeit

u (t ),

kann man

hnlich vorgehen wie in Abschnitt 2, allerdings mit der Annahme, dass die Periode des Signals
unendlich geht:

! 1; !0 ! d! )  = d2!

Wenn man diese Beziehungen nun in Gl. (4) einsetzt mit


und

! =   d! erhlt man:

u (t ) =
wobei

Z1

2

U (j!) = U   

bzw.

U

U (j!) exp(j!t ) d!;

gegen

U (j!)  d!=2
(8)

U (j!) die Fouriertransformierte von u (t ), U (j!) = F [u (t )], darstellt und sich analog zu Gl. (6)

berechnet:

U (j!) = F [u (t )] =

Z1

u (t ) exp( j!t ) dt

(9)

Formal kann man schreiben:

u (t )
wobei

U (j!);

U (j!) auch als Fourierspektrum oder Spektraldichte

von

(10)

u (t ) bezeichnet wird.

4 Eigenschaften der Fouriertransformierten


Die Fouriertransformierte existiert fr

+
Z

ju (t )j dt < 1

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(11)

Hochfrequenztechnik I

Signaldarstellung im Zeit- und Frequenzbereich

S/3

Diese Bedingung ist hinreichend, jedoch nicht notwendig. Eine weitere Bedingung ist

+
Z

1
was eine endliche Energie des Signals

ju (t )j2 dt < 1;

(12)

u (t ) impliziert.

Die Fouriertransformation ist der Laplace-Transformation hnlich:

Z1

L[u (t )] = u (t ) exp( s  t ) dt

mit

s =  + j!

(13)

0
Im Gegensatz zur Fouriertransformation bercksichtigt die Laplace-Transformation das Signal nur fr
positive Zeitpunkte

t  0, konvergiert aber wegen  > 0 unter weniger einschrnkenden Bedingungen.

Beide Transformationen werden in der Hochfrequenztechnik verwendet:

Laplace-Transformation ist zweckmig fr die Berechnung von Einschaltvorgngen.


Fouriertransformation ist zweckmig fr Signale, die fr negative Zeitpunkte

t < 0 nicht verschwin-

den.
Wir wollen im Folgenden nur die Fouriertransformation betrachten. Wenn das Signal die Bedingungen

u (t ) oder im Frequenzbereich als U (j!)

Gl. (11) und (12) erfllt, ist es wahlweise im Zeitbereich als


darstellbar. Dann gelten u. a. folgende Beziehungen:

Linearitt

u (t )
v (t )

U (j!)
V (j!)

Mastabsnderung

) a  u (t ) + b  v (t )

u (a  t )

!
U j
jaj a
1


mit

a  U (j!) + b  V (j!)
a 2 R; a 6= 0

(14)

(15)

zeitliche Verschiebung

u (t

t0 )

U (j!) exp( j!t0 )

(16)

U [j (! !0 )]

(17)

Frequenzverschiebung

u (t ) exp(j!0 t )

Amplitudenmodulation

u (t ) cos(!0 t )
Ableitung

d u (t )
dt

n-fache Ableitung


t 1 U [j (!

dn u (t )
dt n

!0 )] + U [j (! + !0 )]

j!  U (j!)

t (j! )n

 U (j!)

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(18)

(19)

(20)

Hochfrequenztechnik I

Signaldarstellung im Zeit- und Frequenzbereich

S/4

Unter Verwendung von Gl. (20) lsst sich eine Dierentialgleichung im Zeitbereich in eine algebraische
Gleichung im Frequenzbereich transformieren:

Ableitung im Frequenzbereich

t  u (t )

Faltung

u (t )  v (t ) =
Hierbei beschreibt

Z1

u ( )v (t

d U (j! )

 ) d

(21)

d!

U (j!)V (j!)

(22)

das Symbol fr die Faltung. Gl. (22) lsst sich durch direkte Anwendung

der Denition der Fouriertransformation beweisen:

F [u (t )  v (t )] =

Z1

Z1

u ( )v (t

 ) d  exp( j!t ) dt

Nach Vertauschung der Reihenfolge der Integration erhlt man:

F [u (t )  v (t )] =

Z1

Z1

v (t

 )  exp( j!t ) dt u ( ) d

 bzw. dt 0 = dt :

Z1 Z1
F [u (t )  v (t )] = v (t 0)  exp( j!t 0)  exp( j! ) dt 0 u ( ) d
1 1

Z1
Z1

=
v (t 0 )  exp( j!t 0 ) dt 0  u ( )  exp( j! ) d
1
1

Nun substituiert man

t0 = t

|
=

} |

{z

V (j!)

{z

U (j!)

V (j!)  U (j!)

5 Autokorrelationsfunktion (AKF)
Die Autokorrelationsfunktion beschreibt die Korrelation zwischen dem Signal zum Zeitpunkt

0
und zum Zeitpunkt t = 

t0

t , ausgedrckt durch das Produkt u ( )  u ( t ).


Bei starker Korrelation ist u ( )  u (
t )  u 2 ( )  u 2 ( t ), bei geringer Korrelation verschwindet
u ( )  u ( t ) im Mittel. Die Korrelation ist abhngig von t .
Die Autokorrelationsfunktion ist folgendermaen deniert:

Z1

u ( )  u (
1
= u (t )  u ( t )

Ru ( t ) =

t ) d
d

(23)

U (j!)U ( j!) = |jU ({z


j!)j2}

fr reelles u (t )

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(24)

Hochfrequenztechnik I

Signaldarstellung im Zeit- und Frequenzbereich

S/5

Die Fouriertransformierte der AKF entspricht somit der spektralen Energiedichte des Signals

t = 0:
Z1
u 2 ( ) d
1

u (t ). Aus

Gl. (8) und (24) folgt fr

Ru (t = 0) =
Gl. (25) entspricht dem
Die Gesamtenergie

2

Z1

jU (j!)j d! =
2

Z1

jU (j!)j2 df

mit

!
2

(25)

Parsevalschen Theorem.

u (t ) dt
2

eines Signals lsst sich somit sowohl im Zeitbereich als auch im Fre-

quenzbereich darstellen. Daher bezeichnet man

jU (j!)j2

auch als 

spektrale Energiedichte .

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Hochfrequenztechnik I

Lineare, zeitinvariante elektronische Netzwerke

L/1

1 Vorbetrachtung: Linearitt und Zeitinvarianz

Hochfrequente Signale sollen mit Hilfe von elektronischen Schaltungen verstrkt werden. Fr die kompakte Beschreibung der Signale in solchen Schaltungen eignen sich lineare, zeitinvariante Netzwerke.
Wir wollen zunchst die Eigenschaften der Linearitt und der Zeitinvarianz betrachten und die sich
daraus ergebenen Konsequenzen beleuchten.

b(t)

a(t)

Abb. 1: Allgemeine Darstellung eines Zweitors.


Allgemein lsst sich eine Schaltung als ein Zweitor annehmen, in das die Eingangsgre a(t ) hineingeht
und aus dem die Ausgangsgre b(t ) herauskommt:
a(t ) =) b(t )

Ein Netzwerk ist

linear,

(1)

wenn fr beliebige a1 (t ) und b1 (t ) aus


a1 (t ) =) b1 (t )
a2 (t ) =) b2 (t )

folgt, dass

c1  a1 (t )  c2  a2 (t )

=)

c1  b1 (t )  c2  b2 (t )

(2)

mit beliebigen Konstanten c1 und c2 .


Ein lineares System kann dann angenommen werden, wenn a1 (t ) und b1 (t ) gengend klein sind und
die bertragungskennlinie des Systems um den Arbeitspunkt herum linearisiert werden kann (Kleinsignalverstrkung).
Es werden zunchst nur zeitinvariante Netzwerke betrachte, d. h. aus
a(t ) =) b(t )

folgt dann

a(t

 ) =) b(t

)

(3)

Mit Gl. (2) und (3) gilt ebenfalls, dass aus


a(t ) =) b(t )

auch


folgt.

d a(t ) =)  d b(t )
dt
dt

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(4)

Hochfrequenztechnik I

Lineare, zeitinvariante elektronische Netzwerke

L/2

Gl. (4) ist sofort ersichtlich aus folgendem Zusammenhang:

d a(t ) = a(t + dt )
dt
dt

a(t )

=) b(t + ddtt)

Wenn wir als Eingangsgre ein harmonisches Signal mit a(t )


daraus:
a(t ) =

1 d2 a(t ) =) b(t ) =
! 2 dt 2

b(t )

=<

= d bd(tt )

(5)

A exp(j!t ) annehmen, folgt

1 d2 b(t )
! 2 dt 2

(6)

Die Dierentialgleichung fr b(t ) fhrt damit wieder auf ein harmonisches Signal
b(t ) = < B exp(j!t ) ;


(7)

weshalb sich eine bertragungsfunktion G (j! ) im Frequenzbereich denieren lsst


G (j! ) =

B
A

(8)

und die bertragungseigenschaften eines linearen, zeitinvarianten Netzwerkes im Frequenzbereich mit


Hilfe der Fourieranalyse betrachtet werden knnen:
a(t )

b(t )

d
d

t A(j! )

t B (j! )

Fr die bertragungsfunktion ergibt sich somit


G (j! ) =

B (j! )
A(j! )

(9)

2 Zweitor- und Vierpoldarstellung

Bisher wurden allgemeine Eingangs- und Ausgangsgren betrachtet. Nun wollen wir an Ein- und
Ausgang Spannungen und Strme annehmen.
Strme I und Spannungen U setzen sich im Allgemeinen zusammen aus einem Gleich- und einem
Wechselanteil:
I (t ) = I0 + i (t )

U (t ) = U0 + u (t )

(10)
(11)

Solange i (t ) und u (t ) gengend klein sind, kann man einen linearen Zusammenhang zwischen beiden
Gren annehmen (Linearisierung der Kennlinie um den Arbeitspunkt U0 , I0 ).
Da wir im Folgenden nur die Wechselanteile betrachten wollen, beschreiben wir diese Gren mit den
komplexen Zeigern I und U wie in Abb. 2.
Harmonische Signale lassen sich direkt mit komplexen Zeigern beschreiben. Bei allgemeiner Zeitabhngigkeit entsprechen die Zeiger den Fouriertransformierten von Strom und Spannung. Fr die
Beschreibung eines Zweitors mit Zeigern gibt es verschiedene Darstellungsformen, von denen einige
im Folgenden vergestellt werden sollen.

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Hochfrequenztechnik I

Lineare, zeitinvariante elektronische Netzwerke


I1

L/3

I2
U2

U1

Abb. 2: Beschreibung der Ein- und Ausgangsspannungen/-strmen mit komplexen Zeigern.

2.1 y-Parameter

Eine gngige Darstellungsform von Zweitoren sind die y-Parameter, bei denen die Strme ber eine
Leitwertmatrix mit den Spannungen verknpft werden:

= y 11 U 1 + y 12 U 2
I 2 = y 21 U 1 + y 22 U 2
I1

(12)

Da bei einem Verstrker Ein- und Ausgang nicht vertauschbar sind, gilt y 12
also nicht reziprok.
Fr einen guten Verstrker ist Folgendes erwnscht:

6= y 21. Der Verstrker ist

geringe Rckkopplung, also y 12 klein


hohe Verstrkung, also y 21 gro: jy 21 j  jy 12 j
I1

U1

I2
1
y 11

y 12 U 2

y 21 U 1

1
y 22

U2

Abb. 3: Ersatzschaltbild fr y-Parameter-Darstellung.


Die Leitwertmatrix in Gl. (12) lsst sich durch ein Ersatzschaltbild gem Abb. 3 darstellen, wobei
sich die vier y-Parameter durch zwei einfache Messungen bestimmen lassen:
Es ergibt sich U 2 = 0, wodurch der Leitwert y 22 kurzgeschlossen wird
und die Rckwirkung y 12 unterdrckt wird. Das erlaubt die Bestimmung von y 11 und y 21 .

Kurzschluss am Ausgang:

Es ergibt sich U 1 = 0, wodurch der Leitwert y 11 kurzgeschlossen wird und


unterdrckt wird. Das erlaubt die Bestimmung von y 12 und y 22 .

Kurzschluss am Eingang:

die Verstrkung y 21

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Hochfrequenztechnik I

Lineare, zeitinvariante elektronische Netzwerke


ZG

UG

I1

L/4

I2
U2

U1

ZL

Abb. 4: Beschaltung des Verstrkers mit Lastwiderstand Z L .

2.1.1 Gre der Verstrkung

Gegeben sei ein Aufbau gem Abb. 4. Wir wollen die Gre der Verstrkung des Zweitors beschreiben.
Dazu betrachten wir zunchst gem Abb. 5 die Wirkleistung, die von einem Generator an einen
Lastwiderstand Z abgegeben wird.

ZG

UG

Abb. 5: Lastwiderstand Z an einem Generator mit Innenwiderstand Z G .


Die aufgenommene Wirkleistung in Z PE ergibt sich dann ber die anteilig am Lastwiderstand Z abfallende Spannung und den Strom, der durch Generator- und Lastimpedanz Z G bzw. Z hindurchiet:
Z
1
 I  mit I = Z +U GZ
PE = < U G
2
Z + ZG
G
!
2
jU G j <(Z )
1
Z
PE = < jU G j2
=
2
2
jZ + Z G j
2  j Z + Z G j2
!

(13)

Die aufgenommene Wirkleistung PE wird maximal fr Z = Z  . Man spricht dann von Leistungsanpassung. Im Falle der Leistungsanpassung kann man die maximal verfgbare Wirkleistung des
Generators PGm denieren:
jU G j2
PGm =
(14)
8<(Z G )
Wir wollen nun die Leistung am Ausgang des Verstrkers betrachten. Wir fhren dazu PA und PAm
mit den folgenden Denitionen ein:
PA  die an die Lastimpedanz Z L abgegebene Wirkleistung (nach Verstrkung)
PAm  die maximal abgegebene Wirkleistung (bei Leistungsanpassung am Ausgang des Verstrkers)

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Lineare, zeitinvariante elektronische Netzwerke

L/5

Mit diesen Denitionen lassen sich folgende Verstrkungen beschreiben:


G

= PPA

Gm

0
Gm

Gm
PAm
PGm
PA
fr PE
PE

(bertragungsleistungsverstrkung) (15)
(verfgbare Leistungsverstrkung bei Anpassung am Ausgang) (16)

= PGm

(max. Leistungsverst. bei Anpassung an Ein- und Ausgang) (17)

wobei gilt:

0
Gm
> Gm > G

Fr einen rckwirkungsfreien Vierpol

(y 12

(18)

= 0) gilt bei Leistungsanpassung an Ein- und Ausgang:

jy j2

= Gm0 = 4<(y 21)<(y )


11
22

(19)

2.2 h-Parameter

Eine andere Darstellungsform fr Vierpole sind die Hybrid-Parameter (h-Parameter), bei denen die
Eingangsspannung U 1 und der Ausgangsstrom I 2 ber Hybridparameter (in Form von Leitwerten und
Impedanzen) mit dem Eingangsstrom I 1 und der Ausgangsspannung U 2 verknpft werden:

= h11 I 1 + h12 U 2
I 2 = h21 I 1 + h22 U 2

U1

(20)

Das dazu gehrende Ersatzschaltbild ist in Abb. 6 dargestellt.


I1

U1

I2

h11

h12 U 2

h21 I 1

1
h22

U2

Abb. 6: Ersatzschaltbild fr h-Parameter-Darstellung.


Die Hybrid-Parameter-Darstellung wird bevorzugt bei niedrigeren Frequenzen verwendet, da bei hheren Frequenzen die beiden Parameter h12 und h22 schlecht messbar sind. Der Leerlauf am Eingang
(I 1 = 0) fr die messtechnische Bestimmung der Parameter ist schlecht realisierbar.
2.3 S-Parameter

Abb 7 zeigt die Darstellung eines Zweitors mit Streu-Parametern (S-Parameter). Die Eingangs- und
Ausgangsgren werden hier nicht  wie bei y- und h-Parametern  mittels Spannung und Strom
beschrieben, sondern in Form von normierten hinein- und herauslaufenden Wellenamplituden a bzw.
b. Diese normierten Wellenamplituden knnen unter Annahme einer Leitung mit Wellenwiderstand ZL

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Lineare, zeitinvariante elektronische Netzwerke

L/6

Abb. 7: Vierpolbeschreibung mit S-Parametern.

mit Spannungen und Strme verknpft werden:

1
a=
2
1
b=
2

1 U
ZL  I + p
Z

(21)

1 U
ZL  I + p
Z

(22)

Die herauslaufenden Wellenamplituden an Ein- und Ausgang werden ber eine Streumatrix mit den
hineinlaufenden Wellenamplituden verknpft:

= S 11 a1 + S 12 a2
b2 = S 21 a1 + S 22 a2
b1

(23)

Die Bestimmung der einzelnen Streuparameter ist mglich mittels Messung der Wellenamplituden ber
einen Richtkoppler, wie Abb. 8 zeigt.

Abb. 8: Messung der Wellenamplituden mit Richtkopplern.


S-Parameter werden im Allgemeinen bei sehr hohen Frequenzen verwendet (typischerweise f

 1 GHz).

2.4 Maximale Leistungsverstrkung


0 , wie in Gl. (17) deniert, lsst sich auch durch S-Parameter
Die maximale Leistungsverstrkung Gm
ausdrcken. Unter der Annahme einer rckwirkungsfreien Vierpols (S 12 = 0) ergibt sich:
0
Gm

= 1 jS jjS2 211j jS j2 
11
22
2

(24)

Diese Verstrkung lsst sich durch verlustfreie Anpassungsnetzwerke an Ein- und Ausgang erreichen,
so dass die Reexionen ein- und ausgangsseitig verschwinden.

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Hochfrequenztechnik I

Lineare, zeitinvariante elektronische Netzwerke

L/7

Tabelle 1: Zusammenhang zwischen y-, h- und S-Parametern  folgende Abkrzungen werden verwendet: d = d 11 d 22 d 12 d 21 , sowie S 0 = 1+ ZL (y 11 + y 22 +y  ZL ) und Z 0 = ZL (1+ S 11 + S 22 S )
y

1=h11

y 11
y 12

h21 =h11

y 22
h11

S 21
S 22

(1 + S 11

y 12 =y 11

y 21 =y 11

h11

S 12

S =h11

1=y 11

h11

S 11

S 11 + S 22

h12 =h11

y 21

h11

(1

(1

y =y 11

y 11  ZL + y 22  ZL

(1 + y 11  ZL

2y 12  ZL =S 0
2y 21  ZL =S 0
y 22  ZL

y  ZL2 )=S 0
y  ZL2 )=S 0

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

2S 12 =Z 0
2S 21 =Z 0
S 22

S )=Z 0
S )=Z 0

Hochfrequenztechnik I

Passive Komponenten der Hochfrequenztechnik


Passive Komponenten
der Hochfrequenztechnik

P/1

Wirkwiderstnde
1 Wirkwiderstnde

Die Realisierung eines Wirkwiderstandes wird immer durch


sitre Kapazitten und Induktivitten beeinflut. Um eine
Die Realisierung eines Wirkwiderstandes wird immer durch parasitre Kapazitten und Induktivitten
stellung ber die Gre der parasitren Elemente zu erhalte
beeinusst. Um eine Vorstellung ber die Gre der parasitren Elemente zu erhalten, wie man sie im
man sie im Idealfall erhlt, wird ein Widerstand (z.B. Met
Idealfall
erhlt,
wird ein Widerstand (z.B.
Metalllm
oderleitenden
Kohleschicht) ber
einer leitenden
Ebene
oder
Kohleschicht)
ber
einer
Ebene
betrachtet.
betrachtet.

[ ~

Bild 1

////7/7////////

Abb. 1: Wirkwiderstand
Aufgrund des Stromflusses
durch den Widerstand entstehe
gnetische Felder (fhrt zu einer parasitren Induktivit
Felder
(fhrt entstehen
zu einer
parasitren
Aufelektrische
Gund des Stromusses
durch den Widerstand
magnetische
Felder (fhrt zu Kapazitt),
einer pasichInduktivitt)
der Wirkwiderstand
auszu einer
Bild
1 nherungsweise
fol
rasitren
und elektrische Felder (fhrt
parasitren
Kapazitt), so dass sich durch
der
Ersatzschaltbild
beschreiben
lt:
Wirkwiderstand aus Bild 1 nherungsweise durch das Ersatzschaltbild in Abb. 2 beschreiben lsst.

bzw.

~---

Bild 2

2: Hochfrequenz-Ersatzschaltbild eines Widerstands.


Wenn man Abb.
Frequenzen
w
1/JLC betrachtet, zeigt der Wid
kapazitives Verhalten
fr R > JL/C und induktives Verhalten
p
Wenn
man
Frequenzen
!die

1
= unteren
LC betrachtet,
zeigt der Widerstand
fr R >
<
JL/C.
Um
Grenzen
fr L kapazitives
und CVerhalten
abzuschtzen,
w
p
p
Widerstand
in Bild
als
kurze
mit der Lnge
L=C
und induktives Verhalten
fr R <1 L=C
. Umeine
die unteren
GrenzenLeitung
fr L und C abzuschtzen,
dem
Leitungswellenwiderstand
Zo
aufgefat.
wird der Widerstand in Bild 1 als eine kurze Leitung mit der Lnge l und dem Leitungswellenwiderstand

ZL

aufgefasst.

Der Induktivittsbelag L' bzw. der Kapazittsbelag C' ergib


bzw. der Kapazittsbelag C ergibt sich als (Kapitel LEI):
als (HF I, LAbschnitt
LEI): p

Der Induktivittsbelag

"
=
ZL r
L' = Zo J!r/ c
p"c0
r
C =
ZL  c0
C' = J!r/(Zo . c)
L

"r

(1)

(2)

bezeichnet dabei die relative Dielektrizittskonstante zwischen dem Widerstand und der leitenden

!r bezeichnet dabei die relative Dielektrizittskonstante zw


ZL hngt vomund
Abstand des Widerstandes von der leitenden Flche ab. Mit der
dem Widerstand
der leitenden Flche in Bild 1. Zo hn
beispielhaften Annahme "r = 1, ZL = 300
ergibt sich
Abstand des Widerstandes von der leitenden Flche ab. Mit de
spielhaften Annahme !rnH = 1, Zo = pF300 n ergibt sich
Flche in Bild 1.

= 1 mm ; C = 0; 011 mm
C' = 0,011 pF/mm
nH/mm
L

L'

so da sich bei
einer
Bauteillnge
I = 1 cm eine par
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K. Petermann
Induktivitt L = L' . I = 10 nH ergeben wrde. Diese par
Induktivitt hat bei einer Frequenz von 1 GHz einen
widerstand von immerhin ungefhr 60 n. Aus Bild 2 wrde sic

Hochfrequenztechnik I

Passive Komponenten der Hochfrequenztechnik

P/2

= 1 cm eine parasitre Induktivitt L = L  l = 10 nH ergeben


wrde. Diese parasitre Induktivitt hat bei einer Frequenz von 1 GHz einen Blindwiderstand von
immerhin ungefhr 60
. Aus Bild 2 wrde sich eine parasitre Kapazitt C = C  l=4 ergeben, was
allerdings unrealistisch kleine Werte ergibt. Erreichbar sind parasitre Kapazitten C  0; 1 : : : 0; 5 pF.
p
so dass sich bei einer Bauteillnge

Je mehr sich der gewnschte Widerstand

von

L=C

unterscheidet, desto schwieriger ist seine

Realisierung bei hohen Frequenzen. Widerstnde in der Grenordnung von

L=C

(typischerweise

R  50
) lassen sich ohne grere Probleme bis ca. 1 GHz realisieren, darber hinaus geschieht die
Realisierung mit geeigneten verlustbehafteten Leitungselementen. Da allein ein Zuleitungsdraht eine
Induktivitt von ca. 1 nH pro mm Zuleitungslnge bewirkt, sind Montagetechniken ohne Zuleitungsdrhte vorteilhaft (z.B. SMD  Surface Mounting Device).

2 Kondensatoren
Auch Kondensatoren sind nicht ideal realisierbar. Auch hier ist (unter anderem) die unvermeidliche
Zuleitungsinduktivitt zu bercksichtigen, so dass man statt des Kondensators eigentlich einen Serienschwingkreis erhlt.

p
= 1=(2 LC ) = 50 MHz. Der Kon-

Beispiel: Ein Kondensator mit einer Kapazitt von 1 nF und einer Zuleitungsinduktivitt von 10 nH

(z.B. 10 mm Zuleitungsdraht) besitzt eine Resonanzfrequenz

fr

densator wirkt also nur unterhalb dieser Frequenz als Kapazitt.

3 Induktivitten
Wird eine Induktivitt in Form einer Spule realisiert, so ist neben der Induktivitt auch die Kapazitt
zu bercksichtigen, die sich zwischen den einzelnen Windungen ergibt. Damit stellt eine Spule eigentlich einen Parallelschwingkreis dar. Die sich ergebende, unerwnschte Kapazitt hngt stark von der
gewhlten Wickeltechnik ab. Es ist besonders schdlich, wenn Leiter nach mehreren Windungen (oder
auch als Zuleitungen) eng benachbart verlaufen.

4 Piezoelektrische Resonatoren, insbesondere Schwingquarze


Bendet sich zwischen zwei Elektroden ein piezoelektrisches Material, knnen durch Anlegen einer
Wechselspannung an die Elektroden mechanische Schwingungen angeregt werden. Das bekannteste

Si02 ), deshalb auch die Bezeichnung

piezoelektrische Material fr derartige Anwendungen ist Quarz (

Schwingquarz.

Im Allgemeinen knnen verschiedene mechanische Schwingungen mit ihrer jeweiligen Resonanzfrequenz angeregt werden. Verschiedene Schwingungsformen sind dabei denkbar, z.B. Biegeschwingungen, Lngsschwingungen, Flchenscherschwingungen, Dickenscherschwingungen.
Fr Schwingquarze mit hheren Schwingfrequenzen werden die Dickenscherschwingungen ausgenutzt.
Fr die Grundwelle entspricht dann

in Bild 3 ungefhr der halben akustischen Wellenlnge, so dass

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Hochfrequenztechnik I

Passive Komponenten der Hochfrequenztechnik

P/3

Abb. 3: Schwingquarz.

die Schwingfrequenz gegeben ist gem:

fr

a
 nv
2d

mit der akustischen Ausbreitungsgeschwindigkeit

va

fr den betrachteten Schwingungszustand (

(3)

va 

3000 : : : 5000 m/s) und n = 1 fr die Grundwelle. Eine Dicke von nur d = 100 m fhrt damit zu
(n = 1):
fr  15    25 MHz
Ein Quarz, der auf der Frequenz fr mit n = 1 schwingt, wird auch als Grundwellenquarz bezeichnet.
Fr hhere Frequenzen nutzt man die Schwingungen hherer Ordnung n , z. B. n = 3 oder n = 5, aus

(Oberwellenquarz).
Im Allgemeinen treten bei einem Quarz mehrere Resonanzfrequenzen auf. In der Nhe einer Resonanzfrequenz lsst sich ein Ersatzschaltbild gem Abb. 4 angeben.

Abb. 4: Ersatzschaltbild eines Schwingquarzes.

C0 stellt dabei die statische Kapazitt dar, die allein auf Grund des Dielektrikums zwischen den Elektroden entsteht. Die mechanische Resonanz wird ausgedrckt durch den Serienschwingkreis, bestehend
aus

L 1 , C1

und

R1 . Die konkreten Gren der Elemente erhlt man durch eine Impedanzmessung in

der Nhe der Resonanzfrequenz und nachfolgendem Vergleich mit dem Ersatzschaltbild derart, dass
die gemessene Impedanz durch das Ersatzschaltbild (Bild 4) mglichst gut wiedergegeben wird.
Typische Ersatzgren

R1 , C1

sind der folgenden Tabelle zu entnehmen (Zinke-Brunswig, Band 2):

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Hochfrequenztechnik I

Passive Komponenten der Hochfrequenztechnik

Frequenzbereich

Schwingertyp

P/4

R1

C1

fF

in kHz
0,8 . . . 4

Duplexbiegeschwinger

750 . . . 250

250 . . . 50

4 . . . 15

X-Y-Biegeschwinger

200 . . . 80

50 . . . 15

15 . . . 50

H-Biegeschwinger

20 . . . 8

35 . . . 20

50 . . . 200

X-Lngsscherschwinger

60 . . . 30

200 . . . 800

Flchenscherschwinger

1 ...5

30 . . . 7

800 . . . 30.000

AT-Dickenscherschwinger

0,1 . . . 0,5

8 . . . 20

(Grundton)
Die Ersatzinduktivitt
100

L1

ergibt sich dann mit

p
= 1=(2 L1 C1 ) zu sehr groen Werten zwischen

H und 10000 H. Mit Schwingquarzen lassen sich sehr hohe Gten


Q=

erzielen. Weiterhin ist die Resonanzfrequenz

L1 =C1
R1
fr

 104 : : : 106

(4)

sehr temperaturstabil, so dass sich mit Schwingquarzen

hochgenaue Oszillatoren realisieren lassen. Die statische Kapazitt

C0 liegt typischerweise im Bereich

C0  10 : : : 100 pF, so dass sich ein Verhltnis C0 =C1  100 : : : 1000 ergibt.

Wenn man die Admittanz des Schwingquarzes gem Bild 4 fr den vereinfachten Fall mit
darstellt, ergibt sich fr die Admittanz

Y:

R1

=0

= jB = j!C0 + j!L + 11=(j!C ) = j!C0 !p2 !2


(5)
1
1
r
2
mit der Serienresonanzfrequenz !r mit !r = 1=(L1  C1 ) und der Parallelresonanzfrequenz !p (auch
2
2
Antiresonanzfrequenz) mit !p = !r (1 + C1 =C0 ). Schematisch lsst sich dann der Blindleitwert B wie
Y

!2

!2

in Abb. 5 darstellen.

Abb. 5: Frequenzverhalten des Blindwiderstands eines Schwingquarzes.

Der Schwingquarz ist damit induktiv nur in dem kleinen Frequenzintervall zwischen
sten ist er kapazitiv.

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!r

und

!p , anson-

Hochfrequenztechnik I

Passive Komponenten der Hochfrequenztechnik

P/5

5 Transformatoren
Wenn Impedanzen bei Frequenzen

1

GHz breitbandig transformiert werden sollen, werden auch in

der Hochfrequenztechnik Wicklungstransformatoren eingesetzt (s. Abb. 6).

Abb. 6: Wicklungstransformator.

L1

und

L2

sind dabei die jeweiligen Eigeninduktivitten und

M = k L1  L2

ist die Gegeninduktivitt

k  1. k bezeichnet die berlappung der magnetischen Flsse von Primr- und Sekundrwicklung,
wobei k = 1 einer vollstndigen berlappung der magnetischen Flsse entspricht.
mit

Der Transformator in Bild 6 kann durch die folgenden Zweitorgleichungen beschrieben werden:

U 1 = j!L1 I 1 + j!MI 2
U 2 = j!MI 1 + j!L2 I 2

(6)
(7)

In den Gl. (6) und (7) wird der Transformator als verlustfrei angenommen. Statt Bild 6 ist fr den
Transformator auch ein Ersatzschaltbild gem Abb. 7 mglich:

Abb. 7: Alternatives Ersatzschaltbild eines Transformators.

Bei diesem Ersatzschaltbild ist ein idealer bertrager eingefgt, bei dem Strom und Spannung in idealer
Weise nach Magabe des bersetzungsverhltnisses

u =

L2 =L1

transformiert werden. Bei einem

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Hochfrequenztechnik I

Passive Komponenten der Hochfrequenztechnik

idealen bertrager wrde sich der Widerstand


Auf Grund der Eigeninduktivitt

L2

P/6

RA am Ausgang zu RA =u2 am Eingang transformieren.

sowie den Streuinduktivitten ergeben sich jedoch untere und

obere Frequenzgrenzen.

RA und L2 gegeben als !u = RA =L2 ,


whrend die obere Frequenzgrenze durch die Serienschaltung von RA mit 2(1
k )L2 gegeben ist als
!0 = RA =[2(1 k )L2 ]. Eine Transformation von RA zu RA =t ndet damit nur fr Frequenzen w mit

Die untere Frequenzgrenze ist auf Grund der Parallelschaltung von

RA
L2

= !u  !  !o = 2(1 RAk )L

(8)

statt.
Fr eine geringe untere Grenzfrequenz

!u

sollte also

whrend fr eine hohe obere Grenzfrequenz

!0

L2

(und damit auch

L1 )

mglichst gro sein,

eine mglichst hohe Flussberlappung (entspricht

1). Fr Transformatoren
mit geschlossenem Eisen- oder Ferritkern lsst sich eine gute Flussberlappung mit (1
k ) < 0; 01

geringem Streufaktor) angestrebt werden sollte (d.h.

mglichst nahe an

erreichen.

Abb. 8: Impedanztransformation mit konzentrierten Bauelementen.

Eine schmalbandige Impedanztransformation ist auch mglich mit Leitungen oder mit konzentrierten
L- oder C-Elementen, siehe z. B. Bild 8. Hier ergibt sich fr ein gewnschtes Transformationsverhltnis

t = RE =RA < 1:

1
!C =
R

1 t ; !L = R qt (1 t )
A
t

(9)

6 Leitungsbertrager
Leitungsbertrager stellen eine spezielle Form von Wicklungstransformatoren dar. Sie werden beispielsweise als Symmetrierglieder eingesetzt. Um die Problematik der Symmetrierung zu verstehen, sei Bild
9 betrachtet.
Wir haben in Bild 9 einen Generator mit (bezglich Masse) unsymmetrischem Ausgang, der ber eine
Leitung mit einer (bezglich Masse) symmetrischen Last verbunden ist. Normalerweise erwartet man,
dass Hin- und Rckstrom

I1

bzw.

einer Unsymmetrie, da ein Strom

I2

auf der Leitung gleich gro sind, aber in Bild 9 kommt es zu

I 0 = I 1 I 2 ber die Masseleitung zurckiet. Dieser Strom I 0 ist

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Hochfrequenztechnik I

Passive Komponenten der Hochfrequenztechnik

P/7

Abb. 9: Leitungsbertrager.

im Allgemeinen unerwnscht, da er zu einem Ringstrom fhrt und so faktisch einer Rahmenantenne


entspricht. Damit wrde die Anordnung in Bild 9 zu einer unerwnschten elektromagnetischen Abstrahlung oder auch zu einem unerwnschten Empfang von Strstrahlung fhren. Um diese Probleme
der sogenannten Elektromagnetischen Vertrglichkeit (EMV) zu reduzieren, sollte der Strom

I0

so

klein wie mglich sein. Zu diesem Zweck werden Symmetrierglieder eingesetzt. Mit dem Prinzip eines
Wicklungstransformators sind breitbandige Symmetrierglieder mglich, z. B. lsst sich die Anordnung
von Abb. 9 wie in Abb. 10 dargestellt symmetrieren.

Abb. 10: Symmetrierter Leitungsbertrager.

Der Transformator wird durch

= L1 = L2 = M

charakterisiert (bersetzungsverhltnis

u

= 1,

= 1). Wenn man in Bild 10 die Umlaufspannung fr den oberen Leiter bildet,
erhlt man mit der Annahme l  0 =4:
Flussberlappung

= j!L(I 1 I 2 ) + I 1 Z2L

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(10)

Hochfrequenztechnik I

Passive Komponenten der Hochfrequenztechnik

P/8

Fr den Spannungsumlauf mit dem unteren Leiter ergibt sich:

0 = j!L(I 1 I 2 ) I 2 Z2L

(11)

Wenn man die Summe der Gl. (10) und (11) bildet und nach dem Dierenzstrom
ergibt sich

I0 = I1

I2 =

I 0 = I 1 I 2 aust,

2j!L + ZL =2

Die Symmetrierung ist damit um so besser, je grer die Eigeninduktivitt

(12)

ist. Um die Leitungs-

eigenschaften bei der bertragung von Tor 1 zum Tor 2 mglichst wenig zu beeintrchtigen, ist es
zweckmig, den Wicklungstransformator direkt mit der Leitung zu wickeln (Leitungsbertrager, siehe
Abb. 11).

Abb. 11: Wicklungstransformator.

In Bild 11a wird die Leitung einfach durch einen Ferritkern gefhrt, whrend in Bild 11b zur Erhhung
der Eigeninduktivitt die Leitung mehrfach um einen Ferritring gewickelt wird.

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Halbleiterdioden

HLD/1

Aus der Vorlesung Werkstoe und Bauelemente der Elektrotechnik sind pn- und pin-Dioden bekannt. Daneben sind fr die Hochfrequenztechnik auch Schottky-Dioden von Bedeutung, die aus
einem Metall-Halbleiter-bergang bestehen.

1 Schottky-Dioden
Schottky-Dioden sind ausfhrlich dargestellt z. B. in S. M. Sze, Physics of semiconductor devices, J.

rd

Wiley, New York, 3

edition 2006.

Die Eigenschaften eines Metall-Halbleiterkontaktes sind durch folgende Eekte gekennzeichnet:

Oberchenladungen an der Halbleiteroberche

unterschiedliche Elektronen-Austrittsenergien fr Metall und Halbleiter

Wenn man zunchst annimmt, dass Metall und Halbleiter einen kleinen Abstand
sen, ergibt sich im thermodynamischen Gleichgewicht (Ferminiveau

WF

d voneinander aufwei-

konstant) ein Bndermodell

(W-Energie) nach Abb. 1.

Abb. 1: Bndermodell des Metalls und des Halbleiters mit Abstand

voneinander.

bezeichnet dabei die Austrittsenergie (auch bezeichnet als Austrittsarbeit), die ein Elektron besitzen

muss, um aus dem Metall austreten zu knnen.

Abb. 2: Bndermodell der Schottky-Diode ohne angelegte Spannung.

Fr einen Metall-Halbleiterkontakt wird der Abstand

= 0, und es ergeben sich fr einen n- bzw.

p-Halbleiter im thermodynamischen Gleichgewicht die Bndermodelle nach Abb. 2.

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Hochfrequenztechnik I

Halbleiterdioden

HLD/2

Der Verlauf der Energiebnder im Halbleiter ist hnlich dem Energiebandverlauf in einem pn-bergang,
was dazu fhrt, dass Metall-Halbleiter-bergnge auch eine Diodenkennlinie aufweisen. Fr die meisten
Metall-Halbleiterbergnge (zumindest bei Si) ist die Schottky-Barriere fr Elektronen
als die fr Lcher

e  'Bp

e  'Bn

hher

(e-Elementarladung). Aus diesem Grund und auch wegen der hheren

Elektronenbeweglichkeit bestehen Schottky-Dioden berwiegend aus einem bergang zwischen Metall


und n-Halbleiter. Eine derartige Schottky-Diode wird im Folgenden nher betrachtet. Whrend Bild
2a den Energiebandverlauf im thermodynamischen Gleichgewicht (ohne angelegte Spannung) zeigt,
ergeben sich in Sperr-bzw. Durchlassrichtung Bnder wie in Abb. 3.

Abb. 3: Bndermodell der Schottky-Diode in Sperrrichtung.

Die im spannungslosen Zustand (Abb. 2a) vorhandene Bandaufwlbung im Halbleiter von

e  UD

wird

U < 0 (Bild 3) erhht. Fr einen Stromuss mssen die Elektronen


im Metall erst die Schottky-Barriere e  'Bn berwinden. Ist diese Schottky-Barriere gengend hoch,
bei Anlegen einer Sperrspannung

kann nur ein sehr kleiner Sperrstrom ieen.

Abb. 4: Bndermodell der Schottky-Diode in Flussrichtung.

In Flussrichtung (Abb. 4) wird die Barriere fr Elektronen vom Halbleiter aus abgebaut, und es kann
ein Elektronenstrom ieen. Die Strom-Spannungs-Kennlinie ergibt sich nherungsweise hnlich wie
bei einer pn-Diode:

I = I0 exp
mit dem Idealittsfaktor

U
nUT

n  1 und der Temperaturspannung


kT
UT = :
e
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(1)

(2)

Hochfrequenztechnik I
Hierbei stehen

Halbleiterdioden

fr Boltzmann-Ronstante,

HLD/3

fr die absolute Temperatur,

UT = 25 mV bei Raumtemperatur T = 290 K).


I0 ergibt sich hnlich wie bei einer Elektronenemission
mit der Energiebarriere e  'Bn zu

e fr die Elementarladung

vom Metall ins Vakuum (Richardson Gesetz)

I0 = C  AT 2 exp
mit der Diodenche

'Bn
UT

!
(3)

A und der modizierten Richardson-Konstante C   110 A=cm2 K2

fr n-Si.

Der Vorteil von Schottky-Dioden besteht darin, dass praktisch kein Minorittstrgerstrom iet (wenn
die Dotierung des n-Halbleiters nicht zu gering ist) und auch in Flussrichtung (Bild 4) im Gegensatz zur
pn-Diode keine Ladungstrgerspeicherung (und damit keine Diusionskapazitt) auftritt. Die gem
Bild 4 in das Metall injizierten Elektronen relaxieren mit einer Zeitkonstante von nur

0; 1 : : : 1 ps, so

dass eventuell damit verbundene Ladungsspeichereekte vernachlssigt werden knnen.

1.1 Ersatzschaltbild einer Schottky-Diode


Auf Grund der fehlenden Diusionskapazitt haben Schottky-Dioden auch in Flussrichtung ein fast
ideales resistives Verhalten und knnen als Varistoren (steuerbare Widerstnde) eingesetzt werden.
Bei einer Wechselstromaussteuerung um den Arbeitspunkt

U1 , I1

herum

U = U1 + d U
I = I1 + d I

(4)
(5)

rD = dU= dI mit Gl. (1):


I1 + I0
mit
n  1;
n  UT

ergibt sich fr den dierentiellen Diodenwiderstand

1 = dI =
rD dU

(6)

so dass sich durch Wahl einer geeigneten Vorspannung (bzw. Vorstrom) der dierentielle Widerstand
in weiten Grenzen (zum Beispiel

1
 rD  1 M
) einstellen lsst.

Abb. 5: Ersatzschaltbild einer Schottky-Diode.

Praktisch sind noch die Sperrschichtkapazitt

csp

und ein Serienwiderstand

RS

(wenige

durch Wi-

derstnde in Halbleiterschichten und Kontaktwiderstnde) zu bercksichtigen, so dass sich ein Kleinsignalersatzschaltbild einer Schottky-Diode nach Abb. 5 ergibt.

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Hochfrequenztechnik I

Halbleiterdioden

Die Gte einer Schottky-Diode wird durch die Zeitkonstante


mit kleinchigen Schottky-Dioden Werte von

HLD/4

= csp RS

charakterisiert, wobei sich

= 0; 1 : : : 1 ps erreichen lassen. Die Grenzfrequenz

derartiger Dioden liegt oberhalb einiger 100 GHz. Um die guten Hochfrequenzeigenschaften auch nach
dem Aufbau der Diode aufrechtzuerhalten, wird hug ein Aufbau als beam-lead-Diode gewhlt (s.
Abb. 6).

Abb. 6: Gehuselose Beam Lead-Schottky-Diode.

2 Ohm'sche Kontakte
Die meisten Halbleiter-Metall-Kontakte fhren  ideale Halbleitergrenzchen vorausgesetzt  zu einer
Schottky-Barriere. Um trotzdem zu ohm'schen Kontakten zu gelangen, wird der Halbleiter an der

 1020 cm

/ 1=p

Oberche hoch dotiert (

3 ). Die in Abb. 2 zu erkennende Sperrschicht (Sperrschichtweite

Dotierung) wird dann sehr dnn, so dass ein Durchtunneln der Sperrschicht mglich wird und

der Metall-Halbleiterkontakt sich wie ein ohm'scher Kontakt verhlt.

3 Varaktoren
Wird eine pn-Diode oder eine Schottky-Diode in Sperrrichtung betrieben, ergibt sich eine Sperrschichtkapazitt, die sich fr Kleinsignalaussteuerung hnlich wie beim Plattenkondensator ergibt zu

csp =

dQ = " A
dU w (U )

(7)

", der Diodenche A und der spannungsabhngigen Sperrschichtweite w (U ). Mit zunehmender Sperrspannung (U < 0) weitet sich die Sperrschicht aus, was zu einer
+
abnehmenden Sperrschichtkapazitt fhrt. Fr einen abrupten p n-bergang oder eine SchottkyOiode mit homogen dotiertem n-Halbleiter der Donatorkonzentration ND ergibt sich (vergleiche auch
mit der Dielektrizittskonstanten

Werkstoe der Elektrotechnik):

"  e  ND
(8)
2(UD U )
mit e Elementarladung, UD Diusionsspannung und U < 0. Durch geeignete Wahl des Dotierungsprocsp = A

ls lassen sich auch andere Kapazitts-Spannungsverlufe erzielen. Man hat damit eine spannungsgesteuerte Kapazitt, die auch bezeichnet wird als Varaktor oder Kapazittsdiode.
Die obere Frequenzgrenze fr den Einsatz derartiger Varaktoren wird bestimmt durch die Zeitkonstante, gebildet aus der Kapazitt zusammen mit dem immer vorhandenen unvermeidlichen Serienwiderstand

RS

(hnlich wie oben bei der Schottky-Diode).

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Hochfrequenztechnik I

Halbleiterdioden

HLD/5

4 pin-Dioden

Abb. 7: Aufbau einer pin-Diode in Mesa-Technik mit groer Weite

der i-Zone.

Der Aufbau einer pin-Diode ist in Bild 7 skizziert. Idealerweise besteht eine pin-Diode aus hoch-

p+ - bzw. n+ -Bereichen, zwischen denen sich eine undotierte (intrisisch = i) Zone der Weite
w bendet. Praktisch ist auch die i-Zone immer leicht n-oder p-dotiert ( 1013 cm 3 ), die dann als

dotierten

-

bzw.

-Zone

bezeichnet wird. Schematisch lsst sich der Aufbau einer pin-Diode wie in Abb. 8

darstellen.

Abb. 8: Schematische Abbildung einer pin-Diode.

hnlich wie eine pn- oder Schottky-Diode wird die Diode in Flussrichtung fr
tung fr

U < 0 betrieben.

U > 0 und in Sperrrich-

4.1 Sperrrichtung

U < 0) betrieben, bildet sich eine Sperrschicht aus, innerhalb


derer fr das elektrische Feld gilt: dE= dx / Dotierung, so dass sich in Sperrrichtung ein Feldverlauf
Wird die pin-Diode in Sperrrichtung (

wie in Abb. 9 ergibt.


Die Sperrschichtweite
durch die Weite

wsp ist damit in guter Nherung weitgehend unabhngig von der Sperrspannung

der i-Zone gegeben. Man erhlt dann eine im Wesentlichen sperrspannungsunab-

hngige Sperrschichtkapazitt

A
w
die insbesondere fr groe Weiten der i-Zone w (z. B. w
csp = "

(9)
einige

10 m) sehr klein wird.

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Hochfrequenztechnik I

Halbleiterdioden

HLD/6

Abb. 9: Feldverlauf bei Anlegen einer Sperrspannung an die pin-Diode.

4.2 Flussrichtung
Wird die pin-Diode in Flussrichtung betrieben (

U > 0), so werden vom p+ - bzw. n+ -Bereich Lcher

bzw. Elektronen in die i-Zone injiziert.


Die Lcherinjektion entspricht der Elektroneninjektion, so dass sich in der i-Zone

= p und damit

ein neutrales Plasma ergibt. Je mehr Ladungstrger in die i-Zone injiziert werden, desto hher wird
die Leitfhigkeit der i-Zone und damit der Leitwert der Diode. hnlich wie die Schottky-Diode lsst
sich damit die pin-Diode in Flussrichtung als ein steuerbarer Widerstand (Varistor) betreiben. Bei
Vernachlssigung des Serienwiderstandes

RS

ist der Diodenleitwert

 +
G = I  p 2 n;
w
wobei

p

einfach gegeben als:

(10)

 1 s
n  1500 cm2

die Ladungstrgerlebensdauer in der i-Zone (

n die Lcher- bzw. Elektronenbeweglichkeit bezeichnen (


2
450 cm /Vs fr Si). Wenn man diese Parameter in Gl. (10) einsetzt,

Si) und

p

den Strom in Flussrichtung,

bzw.

Zahlenwertgleichung:

G=

5; 1 V

fr

/Vs und

ergibt sich folgende


m 2
;
w

(11)

so dass sich hnlich wie bei der Schottky-Diode ein dem Injektionsstrom proportionaler Leitwert ergibt
mit allerdings unterschiedlichem Proportionalittsfaktor. Im Gegensatz zur Schottky-Diode treten jedoch in pn- und damit auch in pin-Dioden Diusionskapazitten auf. Tatschlich besteht die pin-Diode

p+ i-bergang, der i-Zone und dem in+ -bergang.


+
+
Sowohl der p i- als auch der in -bergang ist mit einer Diusionskapazitt behaftet. Diese Kapazitt
aus dem

ist jedoch so hoch, dass sie bei hohen Frequenzen einen Kurzschluss darstellt und dann nur der Leitwert
der i-Zone gem Gl. (10) verbleibt. Explizit ist der Leitwert einer pin-Diode resistiv gem Gl. (10),
wenn gilt (siehe Zinke-Brunswig, Band 2):

w
mit

(p + n )
 wkrit = UT p
D!

Diusionskonstante. Dieser Zusammenhang gilt zumindest solange, bis die zu

parallelgeschaltete Sperrschichtkapazitt gem Gl. (9) keine Rolle spielt.

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(12)

in Gl. (10)

Hochfrequenztechnik I

Halbleiterdioden

HLD/7

5 Vergleich zwischen einer pin- und einer Schottky-Diode fr


Varistoranwendungen
Wenn man nun Schottky-Dioden und pin-Dioden fr Varistoranwendungen vergleicht, ergibt sich:

Eine nderung des Diodenussstroms fhrt bei der Schottky-Diode zu einer praktisch sofortigen nderung des dierentiellen Leitwerts, whrend sich bei der pin-Diode eine nderung des
Leitwerts erst mit einer Zeitkonstante entsprechend der Ladungstrgerlebensdauer

bemerkbar

macht.

Wird eine Schottky-Diode mit hohem HF-Signalpegel angesteuert, macht sich sofort die nichtlineare

U -I -Kennlinie

bemerkbar, so dass sich dann ein nichtlinearer Leitwert ergibt. Bei der

pin-Diode hingegen fhren auch hohe HF-Pegel bei entsprechend hoher Frequenz nur zu einer
geringen nderung der Ladungstrgerdichte in der i-Zone, so dass damit der Diodenleitwert

nach Gl. (10) auch fr hohe HF-Pegel praktisch konstant bleibt.


Damit ist die Schottky-Diode gut geeignet fr Gleichrichter- oder Mischer-Anordnungen, whrend pinDioden als elektronisch einstellbare Abschwcher (bzw. Dmpfungsglieder) auch fr hohe HF-Pegel
eingesetzt werden.

6 pin-Dioden-Abschwcher

Abb. 10: Abschwcher.

Da PIN-Dioden in Flussrichtung als steuerbare lineare Widerstnde auch fr hohe HF-Pegel verwendet
werden knnen, lassen sich damit auch Abschwcher fr HF-Signale realisieren. Ein Abschwcher, der
in eine Leitung mit dem Wellenwiderstand
Abb. 10 aussehen, wobei

R1

und

R2

ZL

mit den Toren 1, 2 eingefgt wird, knnte z.B. wie in

variable, durch pin-Dioden realisierte Widerstnde (Varistoren)

darstellen.

R1 = 0, R2 ! 1 wrde das HF-Signal ungedmpft durch den Abschwcher hindurchgehen, whrend fr R1 ! 1, R2 = 0 eine unendlich hohe Dmpfung entsteht. Fr die Zwischenbereiche sind R1 ,
R2 so aufeinander abzustimmen, dass das durch die Tore 1, 2 gegebene Netzwerk mglichst eigenreexionsfrei bleibt (S11  0, S22  0). Eine konkrete Realisierung eines pin-Dioden-Abschwchers
Fr

gem Abb. 10 ist in Abb. 11 dargestellt.

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Hochfrequenztechnik I

Halbleiterdioden

HLD/8

Abb. 11: Konkrete Realisierung eines Abschwchers.

-Bereich sind dabei HF-mig als Leerlufe zu verstehen,

Die Induktivitt und die Widerstnde im k

whrend die Kapazitten HF-mig Kurzschlsse darstellen. Eine Erhhung des Steuerstroms
dabei zu einer Erhhung des Stroms durch
Stroms durch

D2

(Erhhung von

R2 ).

D1

(Verringerung von

Ist fhrt

R1 ) und zu einer Verringerung des

7 HF-Schalter mit pin-Dioden


pin-Dioden lassen sich vorteilhaft auch als HF-Schalter einsetzen, die zwischen Sperrrichtung (Leerlauf

csp ) und Flussrichtung (Kurzschluss, begrenzt durch den unverKontaktwiderstand RS ) geschaltet werden. Mit pin-Dioden lassen sich hohe

mit der kleinen Sperrschichtkapazitt


meidlichen Serien- und

HF-Leistungen schalten, da einerseits in Sperrrichtung die Sperrschichtkapazitt weitgehend spannungsunabhngig und der Leitwert in Flussrichtung auch von hohen HF-Strmen kaum beeinusst
wird.

Anwendungen: Schalter in der Funktechnik fr die Ansteuerung von Antennen und Sende-Empfangs-

Weichen. Digitale Phasenschieber fr phased-array-Antennen, indem beispielsweise die Phase einer


transmittierten oder reektierten Welle geschaltet wird.

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Hochfrequenztechnik I

Bipolare Transistoren

BPT/1

1 Grundprinzip eines Bipolartransistors

Ein bipolarer Transistor besteht aus einer pnp-Schichtenfolge (pnp-Transistor) bzw. einer npn-Schichtenfolge
(npn-Transistor). Bipolare Transistoren fr hochfrequenztechnische Anwendungen werden berwiegend
in Silizium realisiert. Die folgende Betrachtung bezieht sich auf npn-Transistoren (wegen der besseren
Hochfrequenzeigenschaften), sie lsst sich sinngem aber auch auf pnp-Transistoren anwenden.

Abb. 1: Schematische Darstellung und Schaltbild eines bipolaren npn-Transistors.


Ein npn-Transistor ist schematisch in Abb. 1 dargestellt. Beim Normalbetrieb eines bipolaren Transistors ist die Basis-Emitter-Diode in Flussrichtung (UBE > 0) und die Kollektor-Basis-Biode in Sperrrichtung (UCB > 0) gepolt.
Es werden dann vom Emitter Elektronen in die Basis injiziert, die durch die Basis hindurch diundieren
und so zum Kollektorstrom beitragen. Auf diese Weise kann der Emitterstrom IE den Kollektorstrom
IC steuern.
Ein geeignetes Modell (Ebers-Moll) zur Beschreibung des statischen Grosignal-Verhaltens eines bipolaren Transistors zeigt Abb. 2.

Abb. 2: Statisches Ersatzschaltbild eines npn-Transistors nach Ebers-Moll.


Im Normalbetrieb (UCB > 0, UBE > 0) ist IrC sehr klein, so dass die Stromsteuerung gem Af  If E
erfolgt und Ar  IrC vernachlssigt werden kann. In Bild 2 ist noch der Basisbahnwiderstand rb enthalten.

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Hochfrequenztechnik I

BPT/2

Bipolare Transistoren

2 Stromverstrkung eines Bipolartransistors

Die Hochfrequenzeigenschaften sollen nun fr den Normalbetrieb (UCB > 0, UBE > 0) betrachtet
werden. Wir beschrnken uns hier auf das Kleinsignalverhalten, beschreiben also z. B. den Emitterstrom

IE = IE 0 + < I e exp(j!t )


(1)

mit dem Zeiger I e , wobei I e nur so gro sein darf, dass der Transistor im linearen Kennlinienteil
ausgesteuert wird.
Fr eine erste Einschtzung des Hochfrequenzverhaltens machen wir eine recht pauschale Betrachtung
gem Abb. 3.

Abb. 3: Bipolarer Transistor mit Stromzeigern I e , I b und I c .


Die Steuerung des Kollektorstroms durch den Emitterstrom ist in Abb. 3 durch die Stromverstrkung
(j j < 1) ausgedrckt. Nherungsweise lsst sich wie ein Tiefpass erster Ordnung beschreiben

I
0
= I c = 1 + j!=!

e

(2)

mit der Gleichstromverstrkung 0 ( 0 nahe 1, aber 0 < 1) und der -Grenzfrequenz ! . Da


j j < 1, kann man aber von einer Stromverstrkung im eigentlichen Sinn nicht sprechen. Es ist
deshalb im allgemeinen zweckmiger, den kleineren Basisstrom I b als Steuerstrom zur Steuerung von
I c zu verwenden. Wenn man den Transistor in Abb. 3 als groen Knoten auasst, muss gelten:

Ie + Ib + Ic = 0
und damit wegen I e

= I c = :

so dass schlielich gilt:


mit
und

(3)

1
Ie = 1 Ic ;

(4)

Ic

0
I b = = 1 = 1 + j!=!

(5)


0 = 1 0
0

(6)

!
! = (1 0 )! 
0

(7)

Ib = Ic

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Hochfrequenztechnik I

Bipolare Transistoren

BPT/3

Normalerweise ist 0 nahe 1, z. B. 0  0; 99 und damit die Gleichstromverstrkung z. B. 0  100.


Andererseits ist aber die Grenzfrequenz ! und diesen Faktor 0 kleiner als ! , so dass sich ein
konstantes Verstrkungs-Bandbreite-Produkt ergibt:

0  ! = 0  ! :
(8)
Wichtig ist noch die Transitfrequenz !T = 2  fT , bei der die Stromverstrkung zu j j = 1 wird.
Fr !  ! wird aus Gl. (5)
!
!
= j 0!  j ! fr !  ! ;
(9)
so dass j j = 1 fr !  ! und damit die Transitfrequenz (die i. A. in Datenbltten angegeben ist)
!T  ! wird.
3 Kleinsignal-Ersatzschaltbild

Ausgehend von Abb. 2 mit der Basis-Emitter-Diode in Flussrichtung und der Basis-Kollektor-Diode in
Sperrrichtung ergibt sich ein Kleinsignal-Ersatzschaltbild gem Abb. 4.

Abb. 4: Physikalisches HF-Kleinsignal-Ersatzschaltbild eines bipolaren Transistors mit Basisbahnwiderstand rb , Kollektorsperrschichtkapazitt ccsp und Emittersperrschichtkapazitt cesp .
Hierbei bezeichnet re den dierentiellen Emitterwiderstand, der wie bei einer Diode (vgl. auch Gl.
(HLD 6)) gegeben ist als
U
re  T
(10)

IE 0

mit dem Emittergleichstrom IE 0 und der Temperaturspannung UT = kTe . Durch die Ladungstrgerinjektion in die Basis erhlt man eine Ladungsspeicherung, die durch die Diusionskapazitt ceD
ausgedrckt wird. Fr die Zeitkonstante eD = re ceD gilt nherungsweise

re ceD  b ;

(11)
wobei b die Ladungstrgerlaufzeit durch die Basis bezeichnet. Der in die Basis injizierte Strom I 0e
steuert auch den Kollektorstrom gem 0 I 0e , wobei 0 nherungsweise durch ein einfaches Tiefpassverhalten beschrieben werden kann:
0
0 =
(12)

1 + j!=!

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Hochfrequenztechnik I

Bipolare Transistoren

BPT/4

mit der Grenzfrequenz ! , die im Wesentlichen durch die Basislaufzeit b gem


0

!  
b
0

(13)

gegeben ist. Ohne Felduntersttzung ist b durch die Diusionszeit der Minorittsladungstrger durch
die Basis der Weite db (vgl. Abb. 1) gegeben entsprechend:

db = 2Db  b

(14)

d2
b = 2Db

(15)

und damit

mit der Diusionskonstanten Db der Minorittsladungstrger in der Basis.

Abb. 5: Transitfrequenz eines Bipolartransistors (BF 775, Inneon) als Funktion des Emittergleichstroms (UCE = 6 V, Messfrequenz 200 MHz).
Da die Diusionskonstante D = UT   proportional zur Ladungstrgerbeweglichkeit  ist, haben npnTransistoren gegenber pnp-Transistoren wegen der im Vergleich zur Lcherbeweglichkeit p hheren
Elektronenbeweglichkeit n krzere Basislaufzeiten und damit hhere Grenzfrequenzen.
Durch geeignete Basisdotierung ist es mglich, ein Driftfeld zu erzeugen (Drifttransistor ), das die
Basislaufzeit gegenber Gl. (15) noch erheblich reduziert.
Um die Stromverstrkung in Basisschaltung bezglich des ueren Emitterstromes I e zu formulieren, muss noch die Emitterladezeitkonstante zur Ladung von cesp bercksichtigt werden, so dass
die Grenzfrequenz ! in Gl. (2) tatschlich kleiner als !  1=b wird. Mit zunehmendem Emittergleichstrom IE und dem damit verbundenen kleinen re spielt cesp eine geringere Rolle, so dass mit
zunehmendem I E ! sich ! nhert. In Abb. 5 ist die Transitfrequenz fT  !2 eines bipolaren Transistors (BF 775) dargestellt. Bei sehr hohen Emittergleichstrmen (Stromdichte J  1000 cmA 2 ) fhren
die sich dann ergebenden hohen injizierten Ladungstrgerdichten jedoch wieder zu einer Reduzierung
0

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Hochfrequenztechnik I

BPT/5

Bipolare Transistoren

der Transitfrequenz. Fr die Grenzfrequenz ! ist im Allgemeinen auch noch die endliche Laufzeit
durch die Kollektor-Basis-Sperrschicht zu bercksichtigen.
3.1 Maximale Schwingfrequenz

Neben den bisher diskutierten Stromverstrkungen ist auch die Leistungsverstrkung von Interesse.
Dazu wird hier die maximale Leistungsverstrkung in Emitterschaltung betrachtet. Aus Abb. 4 ergibt
sich mit
1
1
(16)
y e = + j!(ceD + cesp ) und y c = + j!ccsp

re

rc

Abb. 6: Betrachtete Emitterschaltung.


In Abb. 6 ist die innere Basis mit B 0 bezeichnet, so dass sich die gesteuerte Stromquelle I e auch
ausdrcken lssen als

Ib
(17)
 Ie =  y e Ub e 
0

(vgl. dazu auch Gl. (5)). Die gesteuerte Stromquelle  I e in Bild 6 wird zweckmigerweise in zwei
Stromquellen zerlegt (Abb. 7).

Abb. 7: Aufteilung der gesteuerten Stromquelle  I e in zwei Stromquellen.


Eine Stromquelle, die durch die Spannung an ihren Klemmen gesteuert wird, kann durch eine Impedanz
ersetzt werden, so dass man aus Abb. 7 schlielich Abb. 8 erhlt.
Aus Abb. 8 soll die maximale Leistungsverstrkung Gm0 bei hohen Frequenzen mit den Annahmen

y c  j!ccsp ,
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Hochfrequenztechnik I

BPT/6

Bipolare Transistoren

Abb. 8: Endgltige Schaltung zur Bestimmung der maximalen Leistungsverstrkung Gm0 .


hoher Emittergleichstrom, so dass y e

! 1,

bestimmt werden. Es gilt dann

y 12 =
und Gm0 kann gem
bestimmt werden. Fr y e

! 1 gilt:
I
y 11 = U b
be

=0

(18)

jy j2
Gm0 = 4<(y 21)<(y )
11
22

(19)

y 22 =

(20)

= 1 UI b = r (1 )
b
be

(21)

csp
= y c +  y e UUb e = j!c
1
ce
=0

(22)

=0

ce
I c
U be
U =0
ce

I c
U ce

U be

U be =0

= r1

y 21 =


I b
U ce

Es ergibt sich so mit gem Gl. (2) und 0  1 fr die maximale Leistungsverstrkung

!
Gm0 = 4r c !2
b csp

(23)

Die maximale Leistungsverstrkung nimmt damit fr wachsende Frequenzen mit !2 ab (20 dB pro
Dekade bzw. 6 dB pro Oktave). Die Frequenz, bei der gerade noch eine Leistungsverstrkung von
Gm0 = 1 erreicht wird, wird als maximale Schwingfrequenz bezeichnet. Sie ergibt sich aus G. (23) als

1 !
!max = 2 r c
b csp
s

Fr einen Bipolartransistor mit einer Transitfrequenz fT


20
, ccsp = 0; 5 pF ergibt sich fmax = !2max
 = 4; 46 GHz.
Beispiel:

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(24)

!
2

= 5 GHz, rb =

Hochfrequenztechnik I

BPT/7

Bipolare Transistoren

4 Giacoletto-Ersatzschaltbild

Fr die Beschreibung eines Bipolartransistors in Emitterschaltung ist Abb. 8 bereits recht gut geeignet.
Dieses Ersatzschaltbild dient als Grundlage zur Herleitung des Giacoletto-Ersatzschaltbildes.
Mit der Annahme

1
1
!
1+j
(25)
y e = + j!(ceD + cesp ) 
ergibt sich
und

re

re


 ye  r 0
e

(26)

y e (1 ) = r + j!ce
e

mit

r
re = 1 e  re  0
0
0

und

ce = r ! = r !
e
e
0

(27)
(28)
(29)

Um den Early-Eekt zu bercksichtigen, muss zustzlich zu Abb. 8 zwischen Kollektor und Emitter
noch ein Widerstand rce (und zustzlich gegebenenfalls noch eine Kapazitt cce ) eingefgt werden,
so dass sich schlielich das Giacoletto-Ersatzschaltbild nach Abb. 9 ergibt.

Abb. 9: Giacoletto-Ersatzschaltbild eines Bipolartransistors.


Typischerweise liegt rce im k
-Bereich. Fr die Abschtzung der brigen Parameter werde ein Transistor mit fT = 5 GHz betrachtet, dessen Arbeitspunkt bei einem
Emittergleichstrom IE = 10 mA liegt. Darber hinaus habe der Transistor eine Gleichstromverstrkung 0 = 100.
Beispiel:

Es folgt dann:
mV
1
re = UIET = 25
10 mA = 2; 5
, so dass sich eine innere Steilheit re = 400 mS ergibt.
re = re  0 = 250

ce = re 1! = 12; 7 pF
Typische Werte fr rb liegen bei rb = 10 : : : 20
und fr ccsp  0; 5 pF.
0

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Hochfrequenztechnik I

BPT/8

Bipolare Transistoren

Bei kleinen Frequenzen ist der Eingangswiderstand durch rb + re gegeben, whrend bei hohen Frequenzen die Serienschaltung von rb und ce wirksam wird und bei sehr hohen Frequenzen als Eingangswiderstand nur rb verbleibt.
Als Ausgangswiderstand (= 1=<(y22 )) ergibt sich bei kleinen Frequenzen rce und bei hohen Frequenzen
1
! ccsp (vgl. Gl. (22)).
0

5 Realisierungsbeispiel eines bipolaren Transistors

Abb. 10 zeigt die Realisierung eines hochfrequenztauglichen Bipolartransistors. Zur Erzielung eines
hohen Emitterwirkungsgrades ist der Emitter sehr viel hher dotiert (n  1020 cm 3 ) als die Basis
(p  1017 : : : 1018 cm 3 ). Damit sich die Kollektor-Basis-Sperrschicht berwiegend in den Kollektor
und nicht in die Basis erstreckt, ist der Kollektor wiederum sehr viel schwcher dotiert (n  1015 cm 3 )
als die Basis.

Abb. 10: Planarer Bipolartransistor (fT

 6 GHz, d  2 m) mit Oxid (SiO2)-Isolation.

Damit bei geringer Basisweite db der Basisbahnwiderstand rb nicht zu gro wird, darf die Emitterstreifenbreite (in Abb. 10 betrgt die Streifenbreite 2; 5 m) nicht zu gro werden. Die erforderliche
Emitterche ist bei gegebenem Emitterstrom durch die maximale Stromdichte vorgegeben. So ergibt
sich beispielsweise fr IE = 25 mA und JE = 1000 cmA 2 eine Emitterche von 2500 m2 , was in Abb.
10 eine Lnge des Emitterngers von t = 1 mm erfordern wrde.
Zur Realisierung groer Emitterchen bei gleichzeitig geringer Strukturbreite werden auch Kamm-,
Maschen-und Gitterstrukturen verwendet.
6 Ausblick

Hhere Grenzfrequenzen sind mglich mit Heterobipolartransistoren, bei denen die Basis einen kleineren
Bandabstand als der Emitter aufweist (z.B. GaAs gegenber GaAIAs oder SiGe gegenber Si). In
solchen Transistoren kann die Basis hher dotiert werden, was geringere Basisweiten db und kleinere
Basisbahnwiderstnde rb ermglicht. So werden fr SiGe-Heterobipolartransistoren Transitfrequenzen
bis weit oberhalb von 100 GHz erreicht.

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Hochfrequenztechnik I

Feldeekttransistoren

FET/1

1 Grundprinzip
Bei Feldeekttransistoren wird der Stromuss durch ein elektrisches Feld, das von der Gate-Elektrode
ausgeht, gesteuert. Man unterscheidet zwischen Feldeekttransistoren mit isoliertem Gate (z. B.
MOSFET) und Sperrschicht-Feldeekttransistoren (auch JFET, J steht dabei fr 

junction).

Ei-

ne spezielle Ausfhrung eines Sperrschicht-Feldeekttransistors stellt der MESFET dar, bei dem die
Sperrschicht am Gate-Kontakt durch eine Schottky-Diode in Sperrrichtung realisiert ist. Die Kennlinien
der verschiedenen FET-Typen sind in Abb. 1 (aus Zinke-Brunswig, Band 2) dargestellt.

Abb. 1: Kennlinien verschiedener FET-Typen.

Man unterscheidet dabei sowohl zwischen dem Leitungstyp des Kanals (n oder p) sowie zwischen

enhancement type, ID

selbstsperrenden (
fr

= 0 fr UGS = 0) und selbstleitenden (depletion type, ID 6= 0

UGS = 0) FETs. JFETs und MESFETs sind daher im Allgemeinen selbstleitend.

Fr Anwendungen in der Hochfrequenztechnik werden FETs sowohl auf der Basis von Si als auch auf
der Basis von III/V-Halbleitern, insbesondere GaAs, eingesetzt. Fr FETs auf der Basis des III/VHalbleiters GaAs verwendet man MESFETs oder HEMTs (

high electron-mobility transistors ).

Das

Hochfrequenzverhalten von FETs soll hier am Beispiel von GaAs-MESFETs nher beschrieben werden,
wobei die grundstzlichen Betrachtungen sich auch auf Si-JFETs oder Si-MOSFETs bertragen lassen.

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Hochfrequenztechnik I

Feldeekttransistoren

FET/2

Hochfrequenztechnik I

FET/2

Si-JFETs
und GaAs-MESFETs
1.1 VergleichVergleich
zwischenzwischen
Si-JFETs
und GaAs-MESFETs
In Bild 2 ist der prinzipielle Aufbau eines MESFETs einem JFET
In Abb. 2 ist dergegenbergestellt.
prinzipielle Aufbau eines MESFETs einem JFET gegenbergestellt.

Metallelektroden
S / \ G \
0

Ka"nal
semi - isolierendes GaAs

Ka~nal

-=-

Bild 2: a) schematischer Aufbau eines n-Kanal GaAs MESFETs

Abb. 2: Schematischer
eines a) Aufbau
n-Kanal-GaAs-MESFETs
b) n-Kanal-Si-JFETs.
b) Aufbau
schematischer
eines n-Kanal si und
JFETs

Sowohl beim JFET als auch beim MESFET wird durch ein an der Gate-

Elektrode
G anliegendes
elektrisches
der
zwischenanliegendes
Sowohl beim JFET
als auch
beim MESFET
wird durch Feld
ein an
derKanalstrom
Gate-Elektrode

dem Drain-(D) und dem Source-(S) Kontakt gesteuert. Der Kanal kann
entweder
n-dem
oder
p-dotiert
wegen der
hheren gesteuert.
elektrisches Feldprinzipiell
der Kanalstrom
zwischen
Drain( ) undsein;
dem Source( ) Kontakt
Beweglichkeit und der hheren Sttigungsdriftgeschwindigkeit von
Der Kanal kann Elektronen
prinzipiell entweder
n-oder p-dotiert
sein; wegen
der hheren
und der
im Vergleich
zu Lchern
besitzen
n-Kanal Beweglichkeit
FETs die
besseren Hochfrequenzeigenschaften. Die folgenden Betrachtungen
hheren Sttigungsdriftgeschwindigkeit
Elektronen
Vergleich
beziehen sich deshalb von
vorwiegend
auf im
n-Kanal
FETs.zu Lchern besitzen n-Kanal-

FETs die besseren


Betrachtungen
beziehenein
sich deshalb
Im Hochfrequenzeigenschaften.
Vergleich zwischen Si-JFETDie
undfolgenden
GaAs-MESFET
besitzt wiederum

GaAs-MESFET die besseren HF-Eigenschaften wegen

vorwiegend auf n-Kanal FETs.

1) der hheren

Elek~ronenbeweglichkeit (bei

kleinen

Fel~strken

Im Vergleich zwischen Si-JFET


GaAs-MESFET
wiederum
ist ~n ~und
1500
cm /(Vs) bei besitzt
si gegenber
~nein
~ GaAs-MESFET
8000 cm /(Vs) die besseren

bei GaAs).

HF-Eigenschaften wegen

2) der hheren Sttigungsdriftgeschwindigkeiten V s der


Elektronen (v s ~ 100
~m/ns
beiFeldstrken
si und V s ist
~ 200
der hheren Elektronenbeweglichkeit
(bei
kleinen
n ~m/ns
GaAs)
2
cm
bei GaAs).
n

 8000

 1500bei

cm
Vs

bei Si, jedoch

Vs

3) der Mglichkeit, in GaAs ein semi-isolierendes (p~ 10 8 n cm)


Substrat (vergi. Bild 2a) zu realisieren. Deshalb ergeben
m bei Si und
der hheren Sttigungsdriftgeschwindigkeiten
Elektronen
( s
sich beim GaAs-MESFET sehr viel
parasitre
Kapazis der kleinere
ns
tten als beim Si-JfET.
m

200

ns

 100

vs

bei GaAs)

Trotz der gegenber si sehr viel komplizierteren GaAs-Technologie


werden deshalb bei sehr hohen Frequenzen GaAs-MESFETs
eingesetzt.
8

der Mglichkeit, in GaAs ein semi-isolierendes (

 10
cm

) Substrat (vergl. Abb. 2a) zu

realisieren. Deshalb ergeben sich beim GaAs-MESFET sehr viel kleinere parasitre Kapazitten
als beim Si-JFET.
Trotz der gegenber Si sehr viel komplizierteren GaAs-Technologie werden deshalb bei hohen Anforderungen GaAs-MESFETs eingesetzt.

2 Wirkungsweise eines GaAs-MESFETs


Ein GaAs-MESFET beinhaltet einen n-dotierten Kanal (n-Dotierung

 0; 1 : : : 0; 3 

ND

 10 cm
17

) der Dicke

m. Drain- und Source-Anschlsse sind ohmsche Kontakte, whrend es sich beim

Gate-Anschluss um einen Schottky-Kontakt handelt. Der Transistor wird mit

UGS < 0 und UDS > 0

betrieben, so dass der Schottky-Kontakt in Sperrrichtung betrieben wird mit der Sperrschichtweite

w (x ) (s. Abb. 3).


Der Drainstrom ID
nderung von UGS

UGS gesteuert, wobei eine Verw (x ) fhrt. Die Sperrschichtweite

wird durch die negative Gate-Source-Spannung


zu einer Vernderung der Sperrschichtweite

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Hochfrequenztechnik I

Feldeekttransistoren

FET/3

Abb. 3: Prinzipielle Darstellung eines n-Kanal-GaAs-MESFETs.

w (x ) nimmt fr UDS > 0 mit zunehmendem x zu, bis sich schlielich bei gengend groem UDS die
Sperrschichtweite w (x ) = d ergibt und damit der Kanal wie in Abb. 3 abgeschnrt wird. Unter dem
Gate-Kontakt in Abb. 3 ergibt sich ein Driftfeld, das zum Drainstrom ID fhrt, wobei die Elektronen durch den abgeschnrten Bereich hindurch driften. Fr den Fall des abgeschnrten Kanals wird
der Drainstrom nahezu unabhngig von

UDS

und hngt somit fast nur noch von

UGS

ab. Die sich

ergebenden Kennlinien sind schematisch in Abb. 1 eingetragen.


Fr

UGS < US (US

Schwellenspannung mit

US <

0)

iet kein Drainstrom, da dann bereits die

w (x = 0)  d fhrt.
Zu einer Abschnrung wie in Abb. 3 und damit zu einem von UDS unabhngigen Drainstrom ID kommt
es dagegen fr UDG = UDS
UGS > US . Die (negative) Schwellenspannung US liegt typischerweise
Gate-Source-Spannung allein zu einer Sperrschichtweite

im Bereich von wenigen Volt.

3 Kleinsignalverhalten

Hochfrequenztechnik I

FET/4

Aus Abb. 3 lsst sich bereits ein einfaches Hochfrequenz-Kleinsignal-Ersatzschaltbild ableiten, wie es
in Abb. 4 dargestellt ist.

Ig

Id

Cgd

-0

G~

!Jgs

~ 1 , .L. Cgs

r gs

5.!:}, ~

Cds

!Jds

Vereinfachtes Hochfrequenz-Kleinsignal-Ersatzschaltbild
eines FETs.
BildAbb.
4: 4:
Vereinfachtes
Hochfrequenz-Kleinsignal-Ersatzschaltbild
eines FETs
die Zeiger der Kleinsignalgren dar (hnlich wie beim Bigs , U ds , I g Uund
In Bild 4 Ustellen
s' I d!Io.s
' I , .!(j die Zeiger der Kleinsignalgren dar
(hnlich=gwie
beim ~olartransistor)
bei einem
polartransistor)
bei einem
festen Arbeitspunkt,
der z. B. durch die Gleichspannungen
UDS festen
und UGS
Arbeitspunkt,
der z.B.
durch die Gleichspannungen UGS '
UDS
eingestellt wird.
eingestellt wird.
In Abb. 4 stellen

Der Gate-Source-Eingangskreis ist durch eine Reihenschaltung der Sperrschichtkapazitt

cgs

und dem

Der Gate-source-Eingangskreis ist durch eine Reihenschaltung der


Widerstand im Kanalbereich rgs gegeben. Zustzlich ergeben sich Kapazitten zwischen Gate und
Sperrschichtkapazitt c gs und dem Widerstand im Kanalbereich r qS
gegeben.
ergeben
Kapazitten
Gate und
Drain
sowie DrainZustzlich
und Source. Die
Steuerungsich
des Drainstromes
durch zwischen
die Gate-Source-Spannung
Drain sowie Drain und Source. Die Steuerung des Drainstromes durch
die Gate-Source-Spannung wird durch die Steilheit S beschrieben,
wobei die eigentliche Steuerung durch die Spannung an der
Sperrschicht und damit durch ~1 erfolgt. Wenn man in Bild loben
einen parabolischen
zwischen
UGS und 1 0 voraussetzt,
TU Zusammenhang
Berlin  Prof. Dr.-Ing.
K. Petermann
ergibt sich fr die steilheit:
S

.j'--=---

Der Gate-source-Eingangskreis ist durch eine Reihenschaltung der


Sperrschichtkapazitt c gs und dem Widerstand im Kanalbereich r qS
gegeben. Zustzlich ergeben sich Kapazitten zwischen Gate und
Drain sowie Drain und Source. Die Steuerung des Drainstromes durch
Hochfrequenztechnik
I
Feldeekttransistoren
FET/4
die Gate-Source-Spannung
wird durch die Steilheit S beschrieben,
wobei die eigentliche Steuerung durch die Spannung an der
Sperrschicht und damit durch ~1 erfolgt. Wenn man in Bild loben
einendieparabolischen
Zusammenhang
zwischenSteuerung
UGS unddurch
1 0 die
voraussetzt,
wird durch
Steilheit S beschrieben,
wobei die eigentliche
Spannung an der
ergibt sich fr die steilheit:
Sperrschicht und damit durch
zwischen

erfolgt. Wenn man in Abb. 1 einen parabolischen Zusammenhang

US GS= - ID .j'--=--voraussetzt, ergibt sich fr die Steilheit


DSS 0
2
und

(1)

2 pI I
S=
DSS D
Schwellenspannung US'jUS jdem Drain-Gleichstrom

IUsl

(1)

mit der
1 0 und dem
= 0) I DSS Feldeffekttransistoren
Drain-Sttigungsstrom (fr UGS
mit der
Schwellenspannung
US , dem Drain-Gleichstrom
dem Drain-Sttigungsstrom
(fr UGS =
kleinereID und
Steilheiten
als
Bipolarbesitzen
im
allgemeinen
transistoren.
0) IDSS
. Feldeekttransistoren besitzen im Allgemeinen kleinere Steilheiten als Bipolartransistoren.

inneren

Das Kleinsignal-Ersatzschaltbild
nach Abb. 4 stellt bereits
eine recht
gute Beschreibung
Das Kleinsignal-Ersatzschaltbild
nach Bild
4 stellt
bereits des
eine

gute Beschreibung des inneren FETs dar. Eine verbesserte HFFETs recht
dar. Eine verbesserte HF-Beschreibung zeigt Abb. 5.
Beschreibung ergibt Bild 5:
Rn

LD ld 0

!J.gs

!J.ds

5
Bild 5: Kleinsignal-Ersatzschaltbild eines MESFET

Abb. 5: Hochfrequenz-Kleinsignal-Ersatzschaltbild eines MESFETs.

Gegenber Abb. 4 ist in Abb. 5 fr den inneren FET noch bercksichtigt, dass die Stromsteuerung
eine Verzgerung

aufweist. Bei gengend hohen Feldern im Kanal besitzen die Ladungstrger die

Sttigungsdriftgeschwindigkeit

vs , so dass gem
l
l
 =  5 ps 
vs
m
0

in n-GaAs

(2)

RG , RS und RD auf Grund von Widerstnden im Halbleiter oder in den Kontakten. Die Induktivitten LG , LD und LS bercksichtigen die
Zuleitungsinduktivitten der Bonddrnte. Bei guter HF-Aufbautechnik lassen sich LG  LD  0; 3 nH
und LS  0; 05 nH erreichen, wobei insbesondere ein kleines LS wichtig ist, um die Gegenkopplung bei
gegeben ist. Zustzlich beinhaltet Abb. 5 die Serienwiderstnde

hohen Frequenzen gering zu halten.

Ein beispielhafter GaAs-MESFET mit einer Gatelnge

l = 0; 25 m und einer Gateweite

= 200 m hat etwa die folgenden Parameter (M. Feng e al., GaAs MESFET: Discrete,

Power and MMIC Devices,

in M. R. Brozel et al., INSPEC, IEE, 1996):

S = 47 mS cgs = 50 fF
 = 1; 3 ps cgd = 29 fF
0

rgs
rds

= 1

= 130

RG = 6; 8

RD = 3

RS = 1; 4

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Feldeekttransistoren

FET/5

4 Grenzfrequenzen
4.1 Transitfrequenz
Wie beim Bipolartransistor gibt es auch beim FET eine Transitfrequenz, bei der die Stromverstrkung
zu 1 wird. Fr die Kurzschluss-Stromverstrkung

Id
I g jU ds =0

gilt bei Vernachlssigung von

cgd

nach Bild

4 (bzw. auch nherungsweise nach Bild 5)


I
d

Ig

U ds =0

= !cS ;

wobei die Stromverstrkung bei der Transitfrequenz

!T

(3)

gs

! = !T
S
cgs

mit
(4)

zu Eins wird.

= !T  150 GHz,


was einen typischen Wert fr GaAs-MESFETs mit einer Gatelnge l = 0; 25 m darstellt.
x mit x  1 fr kurze Gatelngen 1
Fr krzere Gatelngen lassen sich gem fT / l

Beispielsweise ergibt sich fr den oben angegebenen Transistor ein

fT

noch hhere Transitfrequenzen erreichen.

4.2 Grenzfrequenz der Leistungsverstrkung


Bei kleinen Frequenzen erfolgt die Steuerung eines FETs leistungslos, bei hheren Frequenzen jedoch
spielt der Leistungsverbrauch z. B. in

rgs

eine zunehmende Rolle, so dass die erreichbare Leistungsver-

strkung mit zunehmender Frequenz abnimmt.


Wenn man zunchst vom vereinfachten Ersatzschaltbild (Bild 4) ausgeht und die Rckwirkungskapazitt

cgd

und

vernachlssigt bzw. kompensiert (erreichbar durch Parallelschalung einer Induktivitt zwischen

D, auch unilateraler oder rckwirkungsfreier Gewinn), ergeben sich die y-Parameter:


y
y

11

21

I g
U gs

I d
U gs

22

12

U ds =0

gs
= 1 +j!c
j!c r

(5)

S
= SU U = 1 + j!c
gs rgs
gs

(6)

gs gs

ds

I d
U ds
U =0
gs

I g
U ds
=0

U gs =0

= r1 + j!cds
=0
Gm0

und damit die maximale Leistungsverstrkung


rckwirkungsfreier Gewinn)

cgd

=0
!

(8)

nach Gl. (L 16) (hier eigentlich unilateraler oder

!2

21

11

Fr grere Gatelngen ist

wegen

jy j
fmax
m = 4<(y )<(y ) =
f

G0
1

(7)

ds

22

2

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

(9)

:;10 8
~
CI)
~
CI)

mit

so dass

fmax

4
2

C1'

:::J

1\

Feldeekttransistoren

18

Hochfrequenztechnik IC1'
c

\,

fmax

fT

S
rds
4cgs rgs

FET/6

.~

rds
rgs

=2
.!!.
GaAs-MESFET
Si - Bi polar-

(10)

CI)
die Frequenz
bezeichnet, bei der die Leistungsverstrkung
auf 1 zurckgeht. Bei voll.6

fmax (LS vernachlssigt,


's!.;i-tf~fsistoren
I
I

<:(
stndiger Bercksichtigung
des Ersatzschaltbildes nach Bild 5 ergibt sich fr

1
siehe Zinke-Brunswig, Bd. 2):

10- 1
10-

fmax

2 4

681

21 4

6810

2 46

(11)
Frequenz c[gdGHz]  cgs  RG RS rgs
4 RS cgd  + S RG cgs + S
rds
Bild 6: Erreichbare Ausgangsleistungen fr Si-FETs, siMit den beispielhaften Daten des oben angegebenen MESFET ergibt sich fmax  135 GHz. Fr krzere
Bipolartransistoren und GaAs-MESFETs in Abhngigkeit der
Gatelngen l lsst sich ein noch hheres fmax erreichen.
Frequenz (Stand 1984, Zinke-Brunswig, Band 2)

HEMTs

5 HEMTs

Noch bessere Eigenschaften im GHz-Bereich als GaAs-MESFETs weise


Noch bessere Eigenschaften im GHz-Bereich als GaAs-MESFETs weisen HEMTs (high electronHEMTs
(high glectron mobility :transistors) auf. Ein HEMT - auc
mobility transistors)
Ein HEMT  auch
bezeichnet als MODFET
) oder
bezeichnet
alsauf. MODFET
(modulation
goped (modulation-doped
FET) oderFET
TEGFET
(:two
dimensional
glectron
gas FET)
- inist
Bild 7 skizziert:
TEGFET (two-dimensional
electron-gas
FET )  ist
Abb. in
6 skizziert.

Elektronen-Energie W
, I

undatiertes Ga As
semi - iso I ierendes
GaAs -Substrat

~ "Lei!ungsFermi - NIveau
Y band

Bild
High
electron
mobility
(HEMT)
Abb. 7:
6: High
electron-mobility
transistor
(HEMT) transistor
 a) prinzipieller Aufbau
und b) Verlauf des Leia)
prinzipielle
struktur
tungsbandes unterhalb des Gate-Kontakts.
b) Verlauf des Leitungsbandes unterhalb des Gate-Kontaktes
Die Funktionsweise eines HEMTs beruht auf der sehr abrupten Heterogrenzche zwischen den Halb-

Die Funktionsweise eines HEMTs beruht auf der sehr abrupte


leitern AIGaAs und GaAs. Solche abrupten Grenzchen sind mit modernen Epitaxieverfahren, z. B.
Heterogrenzflche
zwischen den Halbleitern AIGaAs und GaAs. Solch
der MBE (

molecular beam epitaxy

= Molekularstrahlepitaxie) realisierbar.

Der Kanal im HEMT bildet sich nur an der Heterogrenzche zwischen den Halbleitern AIGaAs und
GaAs aus, wobei AlGaAs einen hheren Bandabstand als GaAs besitzt und sich so eine Diskontinuitt
im Verlauf des Leitungsbandes an der AlGaAs-GaAsGrenzche (vgl. Abb. 6b) herausbildet. Unmittelbar an der Grenzche bildet sich so ein Graben im Leitungsbandverlauf (Abb. 6b) aus, wobei die
Zustnde unterhalb des Fermi-Niveaus im wesentlichen mit Elektronen gefllt sind. Es entsteht so
der sehr schmale (einige nm breit) Kanal. Auf Grund der sehr geringen Grabenweite in
kann sich im quantenmechanischen Sinne bezglich der

x -Richtung

x -Richtung (Abb. 6b) im Wesentlichen nur ein

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

Hochfrequenztechnik I

Feldeekttransistoren

FET/7

Elektronenzustand ausbilden, so dass man statt des normalerweise drei-dimensionalen Elektronengases nur ein zwei-dimensionales Elektronengas im Kanal erhlt. Dieses zwei-dimensionale Elektronengas
zeichnet sich durch hohe Beweglichkeit und hohe Sttigungsdriftgeschwindigkeiten aus.
Die sich ergebende Transitfrequenz

fT

ist beim HEMT ungefhr doppelt so gro wie beim GaAs-

fmax fr die LeistungsverGatelnge l = 0; 25 m Werte von

MESFET gleicher Gatelnge. Es werden auch sehr hohe Grenzfrequenzen


strkung erzielt. Mit speziellen HEMT-Strukturen sind fr eine

fmax

 350

GHz erzielt worden.

TU Berlin  Prof. Dr.-Ing. K. Petermann

 

 

 




        
        

         
 
 
    
 

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