ELECTRONICA ANALOGICA

Investigacin
Sandra Eva Davila Lopez

Transistores BJT y FET (MOSFET)

TRANSISTOR BJT
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el
emisor, la base y el colector.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de

la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de
transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la
patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar
por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama
amplificacin.

Este factor de amplificacin se llama (beta) y es un dato propio de cada

transistor. Entonces:

Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de

amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
Ic = x Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) x Ib, pero se
redondea al mismo valor que Ic, slo que la corriente en un caso entra al
transistor y en el otro caso de sale l, o viceversa.

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver la figura de la derecha.

En la figura de la derecha las corrientes

de base (Ib) son ejemplos para
poder entender que a ms corriente la curva es
ms alta.

TRANSISTOR MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de
efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de
conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte
de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen
dos tipos
de transistores MOS: MOSFET decanal N
o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de
acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos
estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos los MOS de
acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento. La figura 1.14 indica
los diferentes smbolos utilizados para describir los transistores MOS.

En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus

cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se
encuentra conectado a la fuente.

La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico
(Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador.
Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de
inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los
terminales drenador y fuente.
La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o
tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS <
VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son 0.5 V
a 3 V.

BJT
CONFIGURACION

Aunque el transistor posea nicamente tres terminales, se puede realizar su estudio

como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno de sus
terminales es comn a la entrada y salida:

Base Comn.
Emisor Comn.
Colector Comn

Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea; Rs muy grande.

Colector comn (CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequea.
Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea; Rs grande.
El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal.
El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que ataca a
una carga de alta resistencia.
El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una carga de
bajo valor

CURVAS
Supongamos una unin PN polarizada en inverso. Se puede considerar que es una
fuente de corriente casi ideal porque la corriente que la atraviesa es independiente
de la tensin entre sus extremos, como se ilustra en la Figura 3.2.1.
Sin embargo, presenta un inconveniente: la corriente es muy pequea(IS) y est
limitada por la generacin trmica de minoritarios en las cercanas de la unin. Esta
corriente podra, no obstante, incrementarse generando minoritarios, por ejemplo,
mediante luz (ver Figura 3.2.2). Adems, con la intensidad de la luz podemos
controlar la intensidad de la fuente de corriente. Sera bueno poder hacer esto
elctricamente. Para ello, podramos aadir una unin ms al sistema, puesto que
en una unin P+N se inyectan huecos desde la zona P+ en la zona N y el nmero de
huecos inyectados depende de la tensin aplicada en esta unin. Por tanto, se tiene
entonces una fuente de corriente controlada por tensin (que determina el nmero
de huecos inyectados en el semiconductor N), como se observa en la Figura 3.2.3.

Figura 3.2.1 Una unin PN en inverso se comporta como una fuente de corriente: la
corriente no depende de la tensin en inverso aplicada, sino de lo rpido que se
reponen los minoritarios que caen por la barrera de potencial.

Figura 3.2.2 El incremento de la concentracin de minoritarios puede realizarse con

luz (a) y provoca el aumento de la corriente inversa (b). Sera deseable contar con
otro procedimiento de inyeccin de minoritarios (c) que pudisemos controlar
elctricamente.
OPERACIN EN CORTE Y SATURACIN
Puesto que el BJT tiene cuatro uniones, puede operar segn 4 modos diferentes,
segn estas uniones estn en directa o en inversa. Estas regiones de operacin son:
Activa
Es el modo anteriormente analizado:
unin BE en directo: |VBE| @ 0.7 V
unin BC en inverso
En esta regin de operacin se cumple que:

(3.6)
Se usa sobre todo en aplicaciones analgicas (por ejemplo, como amplificador).
Corte
Las dos uniones estn en inverso, por lo que no hay inyeccin de portadores del
emisor al colector y todas las corrientes son prcticamente nulas.
Saturacin
En esta regin de operacin:
Unin BE en directo: |VBE| @ 0.7 V
Unin BC en directo: |VBE| @ 0.8 V
En estas condiciones existe inyeccin de portadores desde el emisor, pero tambin
desde el colector y, por tanto, se verifica (como luego comprobaremos con ms
detalle) que:
(3.7)
Adems, se cumple que la diferencia de tensin entre el emisor y el colector es baja
(del orden de 0.1-0.2 V). Por ejemplo, para un pnp:
(3.8)
Los modos de corte y saturacin se emplean sobre todo en aplicaciones digitales.
Activa inversa
Este modo de operacin es parecido al de la regin activa, pero intercambiando los
papeles de colector y del emisor. Es decir:
Unin BE en inverso
Unin BC en directo: |VBC| @ 0.6 V
Normalmente el transistor no opera en esta regin. Recurdese que el BJT no es
completamente simtrico y est optimizado para trabajar en modo activo normal
(por ejemplo, el emisor se dopa ms que el colector).

CONCEPTO DE GANANCIA

Nos

habla
de
la
capacidad
que
tiene
para
amplificar la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un transistor, ms
puede amplificar la corriente. Se concluye que la corriente por el colector de un
transistor
bipolar
es
proporcional a la corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base,
mayor corriente en el colector.

DATOS TECNICOS

Los transistores los hay de muy diversas formas y capacidades tcnicas ( no todos
los transistores valen para todo, algunos son ms apropiados para seales de audio
y otros para controlar motores ), todos ellos tienen en comn una serie de
parmetros bsicos, los cuales debemos tener en cuenta a la hora de usar el
transistor, ya que si son muy distintos uno de otro puede quemarse o no funcionar
apropiadamente.
Los datos bsicos vienen definidos en un documento que nos da el fabricante y
que se encuentra muy fcilmente por Internet, el Datasheet ( algunos le dicen
Dataset ), para el ejemplo vamos a usar el transistor de media potencia BC547,
realmente da lo mismo que fabricante sea el que hizo tu transistor pues el
Datasheet sirve igualmente para el de otro fabricante siempre que tenga el mismo
numero de modelo.
Ejemplo de hoja de datos del transistor NPN BC 547: BC547

Valores mximos que soporta el transistor.

Primera
pagina
del
Datasheet
de
un
transistor
BC
547
C.
Arriba del todo a modo de titulo podemos encontrar los modelos de transistores
para los que sirve este Datasheet, ademas a la izquierda indica que tipo de
transistor
es
(
NPN
o
PNP)
A la derecha de la hora podemos ver la correspondencia de los pines con la funcin
que desempea cada uno,esta correspondencia es comn para todos los
transistores NPN que compartan el mismo encapsulado, as que por ejemplo si
tienes que cambiar uno y no encuentras el mismo puedes poner otro de la misma
familia y encajara perfectamente. A la izquierda podemos ver que el fabricante nos
indica otros transistores ms apropiados para otras tareas para las que estn ms
preparados
que
este.
Los datos ms importantes a la hora de decidir si sirve este transistor o no para lo
que queremos usarlo esta en el apartado primero de casi todos los
Datasheet Absolute Maximum Ratings o en espaol como te pases de lo que
pone aqu te toca ir a Novaelect a esperar 2 horas para que te digan que no hay.
Fijarse que hay caractersticas que difieren de un modelo a otro estos se marcan
con la numeracin del transistor seguido del valor que difiere de uno a otro.

Explicacin de cada punto:

Vcbo: Mxima tensin que soporta entre el Colector y la base, se aprecia que el
modeo que hemos escogido el BC 547 solo soporta 50 Voltios de diferencia entre el
Colector y la Base, as que no podemos usar una fuente de alimentacin de ms de
50 Voltios, sino se quema.
Vceo: Mximo voltaje entre Colector y Emisor, como en el caso anterior nos limita
el voltaje de alimentacin del circuito.
Vebo: Mxima tensin entre Base y Emisor, si cuando polarizas el
transistor excedes los 6 voltios se quemara la base y nunca ms funcionara, el no
exceder los 6 voltios tampoco es garanta de que no se queme, si superas la
intensidad mxima de base se quema tambin.
Ic: Corriente que es capaz de soportar el transistor en su parte de fuerza, esto
es entre Colector y Emisor.
Pc: Potencia nominal que disipa el transistor, aqu dice 500 mW, se calcula de la
siguiente manera:
Potencia disipada = Voltaje entre Colector-Emisor * Intensidad de Colector.
Tj: Temperatura que soporta el ncleo del transistor

FUNCIONAMIENTO DEL EMISOR COMUN

La configuracin de emisor comn es la ms usada. En l, el transistor acta como
un amplificador de la corriente y de la tensin. Aparte de los efectos de
amplificacin, tambin invierte la tensin de seal, es decir, si la tensin es
tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector; pero,
como estos efectos se producen con la corriente alterna.

Para estudiar las propiedades de este tipo de configuracin vamos a basarnos en un

transistor tipo P-N-P. Tenemos la unin base-emisor, J E, polarizada directamente y la
unin emisor-colector, JC, inversamente polarizada.
Aplicamos una tensin a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias,
RB conectada a la base y RC conectada al colector.
El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia R B, la
corriente que circula por el colector, I C, depende de la corriente de base, I B, como
hemos visto con la formula IC= b . IB; IC es mucho ms grande que I B y ese aumento
viene dado por b , que es un parmetro caracterstico del transistor.

Al colocar una resistencia en un circuito estamos provocando una caida de la tensin, como
si bajramos la presin del agua.

Al pasar la corriente por RC se va a producir una cada de potencial; luego, la tensin

que obtengamos a la salida, tambin va a depender del valor de esta resistencia.
Podemos colocar una resistencia en el emisor, que llamaremos R E, que va a
perjudicar mucho la amplificacin de tensin, pero va a hacer que el transistor sea
mucho ms estable y no le afecten los cambios de la temperatura.
Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias podemos conseguir
corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si aumentamos
la resistencia de base el valor de la corriente IB ser menor, lo que implicar que
IC tambin sea menor, y al pasar una corriente de colector menor a travs de R C, el

potencial que se obtendr a la salida ser mayor; pero si disminuimos R B aumenta

IB y con ella la corriente de colector, y la tensin de colector disminuir.
Disminuyendo mucho la resistencia de base podemos llegar a un punto en el que
pasemos de la zona de activa a la de saturacin, es decir, que la unin colectorbase, que est inversamente polarizada en activa, pase a estar directamente
polarizada y, por lo tanto, en saturacin. Esto se produce porque I B aumenta y, en
consecuencia, IC tambin aumenta.
Si un circuito est trabajando en zona activa, el transistor se comporta de forma
lineal. Es decir, que a iguales variaciones de la corriente de base, I B, se producen
iguales variaciones de la corriente de colector, I C. El primer punto en el cual al
aumentar IB ya no aumenta IC pertenece a la zona de saturacin. Tambin podemos
modificar los valores de la corriente de base, de colector y de la tensin de salida
jugando con la tensin de entrada o con la resistencia de colector.
Una caracterstica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto de
funcionamiento. La corriente continua, y la tensin en cada terminal del transistor
determinan el punto de funcionamiento de un circuito. Este punto de
funcionamiento se encuentra situado en la recta de carga.
Para saber cul es el punto de funcionamiento de un transistor tenemos que
determinar el valor de VC, potencial de colector, VB potencial de base, e IC corriente
de colector cuando el potencial trabaja en zona activa. Para determinarlas podemos
usar las curvas caractersticas que representan a un transistor, o tambin podemos
hallar el punto matemticamente, usando dos frmulas que ya conocemos, la ley de
Omh V = I . R y la igualdad IC = b . IB. Combinando correctamente ambas frmulas
hallaramos los datos que necesitamos para obtener el punto de funcionamiento.
POLARIZACION FIJA
Este circuito es el ms sencillo de todos los circuitos de polarizacin. La resistencia
Rc limita la corriente mxima que circula por el transistor cuando este se encuentra
en saturacin, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de co rriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se
polarizar el transistor (saturacin, activa o corte).

Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias podremos determinar con

exactitud el punto de trabajo (Q) del transistor. Como se mencion al inicio, lo que
se busca es polarizar al transistor en su zona activa, sobre su recta de carga, para
lograr esto debemos hacer uso de ecuaciones caractersticas del circuito.
Empezaremos por analizar dichas ecuaciones. Para realizar esto ltimo, debemos
identificar la malla de entrada y de salida del circuito.
Malla de entrada: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa RB, la unin B-E
(produciendo el voltaje VBE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la
siguiente ecuacin de malla:
Vcc= IB*RB + VBE ...(1)
Por tratarse de transistores de silicio, VBE= 0,7 v
De la ecuacin (1) podemos despejar el valor de IBQ (corriente de base en el punto
Q), considerando que tenemos como datos RB, RC, beta (b) y Vcc. Entonces:
IBQ = (Vcc - VBE)/RB ... (2)
Malla de salida: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa Rc, los terminales C-E
(produciendo el VCE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente
ecuacin:
Vcc= IC*RC + VCE ... (3)
De la ecuacin (3) podemos despejar IC:
IC = -(1/RC)*VCE + (Vcc/RC) ... (4)

La ecuacin (4) representa la Ecuacin de la Recta de Carga, cuya grfica nos

permite encontrar dos puntos caractersticos: la corriente mxima de colector (Isat)
y el voltaje colector-emisor mximo (Vcorte). Adems podemos ubicar sobre ella el
punto de trabajo (Q) del transistor, que grficamente representa la interseccin de
la Recta de carga con la curva caracterstica.
Para: VCE= 0, tenemos:
ICmax= Isat= Vcc/RC (saturacin)
Para: VCEmax=Vcorte= Vcc, tenemos: IC= 0
Adems, conociendo IBQ podemos determinar el valor de ICQ y de IEQ, y con ello el
valor de VCEQ:
ICQ = b*IBQ
IEQ = (1+b)*IBQ
VCEQ = Vcc - ICQ*RC
Estos valores definen el punto de trabajo del transistor y con ello su zona de
trabajo.Este tipo de polarizacin no es muy estable, pues el punto Q vara bastante
a medida que el transistor se encuentra trabajando ms tiempo.
Cuando se requiere realizar el diseo de un circuito de este tipo, es necesario tener
como datos el punto Q, el Vcc y el beta (b) del transistor. Por ejemplo, si deseamos
polarizar a un transistor 2N2222A en el punto: ICQ= 10 mA y VCEQ= 10 v, con Vcc=
20 v, debemos calcular el valor de RB y RC.
Considerando el beta tpico que proporciona el fabricante, b= 200. Entonces:
RB= (Vcc - VBE)/IBQ
Como: IBQ= ICQ/b, entonces: RB= (Vcc - VBE)/(ICQ/b) , remplazando valores:
RB= (20 - o.7)/(10/200) = 386 k
Ahora calculamos RC:

RC= ( Vcc - VCEQ)/ICQ , remplazando valores tenemos:

RC= ( 20 - 10 )/ 10 = 1 k
El beta tpico considerado en los clculos no necesariamente coincide con el beta
real, cada transistor posee un valor de beta diferente, a pesar de pertenencer al
mismo cdigo. Por esta razn es necesario a veces recalcular los valores iniciales,
cuando en las mediciones obtenemos valores bastante alejados de los tericos.
Tambin es importante obtener el valor de RB que satura al transistor, este valor de
obtiene de la misma frmula utilizada anteriormente, solo que esta vez se evala en
saturacin, entonces:
RB= ( Vcc - VBE)/(Isat/b) , entonces: hallamos primero el valor de Isat.
Isat= Vcc/Rc, remplazando valores tenemos:
Isat= 20/1 = 20 mA , entonces:
RB = ( 20 -0.7) /( 20/200) = 193 K

DIVISOR DE VOLTAJE

Circuito de polarizacin por divisor de voltaje: con este tipo de polarizacin la

estabilidad del punto Q es mucho mejor, es decir a medida que el transistor este
trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendran casi inalterables. Es por esta
razn que este tipo de polarizacin es la mas utilizada cuando se trata de disear
un amplificador.
Para determinar los valores de las resistencias de polarizacin, seguiremos

considerando los mismos criterios de diseo, como ya mencionamos anteriormente,

los cuales facilitan el clculo de las resistencias.
Las condiciones de polarizacin las fijaremos de la siguiente manera:

Al hacer sto, estamos ubicando el punto Q en la mitad de la recta de carga, lo cual

nos permite obtener mxima excursin simtrica en la salida (esto es adecuado en
amplificadores de clase A).
Clculo de Resistencias
Para calcular los valores de las resistecnias de polarizacin haremos uso de algunos
criterios de diseo, tales como:

Hallando RE y RC
Para hallar el valor de RE, hacemos uso del primer criterio de diseo.

Para hallar RC, hallamos la ecuacin de la recta de carga en la malla de salida y

luego reemplazamos el valor de RE, consideramos adems las condiciones iniciales
(punto Q).

Hallando R1 y R2
Para hallar el valor de R2 , haremos uso de la ley de OHM y las leyes de Kirchhoff,
aplicados
a
la
base
del
transistor.

Para hallar R1, haremos uso del segundo criterio de diseo, junto con la ley de ohm
y las leyes de Kirchhoff.

AMPLIFICADOR DE CORRIENTE

La corriente de colector IC mas grande, es proporcional a la corriente de base I B de

acuerdo con la relacin I C =IB , o de manera mas precisa es proporcional al voltaje
base-emisor VBE. La pequea corriente de base controla la mayor corriente de
colector, logrando una amplificacin de corriente.

A veces es til la analoga con una vlvula. La corriente ms pequea en la base

acta como una "vlvula", controlando la corriente mayor del colector al emisor.
Una variacin en la corriente de base en forma de "seal", se reproduce con una
mayor amplitud sobre la corriente de colector-emisor, logrndose con ello una
amplificacin de dicha seal.
BJT COMO CONMUTADOR

TRANSITORES FET
TIPOS
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno
tipo P. El drenaje y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el
caso del MOSFET de enrequecimiento, o dopados de manera similar al canal en el
caso del MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son
distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento
entre el canal y la puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin
PN del JFET con unabarrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el
aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de
potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente
est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los
dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin
ultra rpida del transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando
una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar
cadenas de ADN iguales

La

caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio

amorfo o del silicio poli cristalino.

REGIONES DE OPERACION
JFET en regin de corte
En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso,
la tensin entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de
inversin bloquean y estrangulan elcanal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas tcnicas se denomina a esta tensin como de estrangulamiento
o pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS
(off) = -2V.

JFET en regin lineal

En esta regin, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada
en muchasaplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por
tensin. El fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on))
para diferentes valores de VGS tal como se muestra en la figura 1.12. En esta
regin el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:

JFET en regin de saturacin

En esta regin, de similares caractersticas que un BJT enla regin lineal,
el JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin. Se
comporta como una fuente deintensidad controlado por la tensin VGS cuya ID es
prcticamente independiente de la tensin VDS. La ecuacin que relaciona la ID con
la VGS se conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de Schockley que
viene dada por

donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturacin.

Esta corriente se define como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta caracterstica
es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante
(IDSS). La ecuacin 1.22 en el plano ID y VGSrepresenta una parbola desplazada
en Vp.
Esta relacin junto a las caractersticas del JFET de la figura 1.11 permiten obtener
grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin. La
figura 1.13 muestra la representacin grfica de este punto Q y la relacin existente
en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacin de
un transistor utilizando mtodos grficos.

JFET en regin de ruptura

Una tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a
travs de la unin de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la
tensin de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la
fuente; esta tensin se designa por BVDSS y su valor est comprendido entra 20 y
50 V.
Las tensiones de polarizacin nunca deben superar estos valores para evitar que el
dispositivo se deteriore. Por ltimo, comentar las diferencias existentes entre
un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son
vlidas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla 1.2.

POLARIZACION
Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para
los MOSFET. El JFET tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe ser negativa
en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de polarizacin
caractersticos para este tipo de dispositivos.
En este apartado nicamente se presentan dos de los circuitos ms utilizados:
polarizacin simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de tensin externa
para generar una VGS<0, y auto polarizacin (figura 1.18), la cada de tensin en
la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

DATOS TECNICOS
Las hojas de caracteristicas de los JFET son similares a las de los transistores
bipolares. El lector encontrara especificaciones maximas, caracteristicas de
continua, caracteristicas de alterna (para seal), datos mecanicos, etc.

Como de costumbre, un dato adecuado para comenzar son las especificaciones

maximas, porque estas indican los limites de las corrientes, tensiones y otras
cantidades de los JFET.
Especificaciones de ruptura:
En el Apendice, la hoja de caracteristicas del MPF102 da estas especificaciones
maximas:

Habitualmente, en un diseo normal se incluye un factor de seguridad para

las especificaciones maximas.
Como se sealo anteriormente, el factor de ajuste nos indica cuanto se reduce la
especificacion de potencia de un dispositivo. El factor de ajuste de un MPF102 es 2
mW/C. Este hecho significa que se tiene que reducir la especificacion de potencia
de 200 mW en 2 mW por cada grado que sobrepase los 25C.Idss y Vgs(off)
Dos indicaciones de las mas importantes en la hoja de caracteristicas de un
dispositivo de empobrecimiento son la corriente de drenador maxima y la tension
puerta-fuente de corte. Estos valores se dan en la hoja de caracteristicas de un
MPF102:

Hemos comentado antes la dispersion 10: 1 en IDss. Esta gran dispersion fue una
de las razones para usar las aproximaciones del JFET. Otra razon de la aproximacion
es esta: la hoja de caracteristicas frecuentemente omite valores, asi que realmente
no se tiene idea del valor de algunas magnitudes. En el caso del MPF102, no se da
el
valor
minimo
de
VGS(off).
Tabla de JFET
La Tabla 13-2 muestra una lista de diferentes JFET. Los datos estan ordenados de
forma ascendente segun gmo. Las hojas de caracteristicas para estos JFET
muestran que algunos estan optimizados para trabajar a frecuencias de audio y
otros para radiofrecuencia. Los tres ultimos estan optimizados para aplicaciones de
conmutacion.

Los JFET son dispositivos de pequea seal porque su disipacion de potencia es

normalmente menor que un vatio. En aplicaciones de audio los JFET se usan a
menudo como seguidores de fuente. En aplicaciones de radiofrecuencia se usan
como amplificadores VHF/UHF, mezcladores y osciladores.
En aplicaciones de conmutaci6n se usan tipicamente como conmutadores
analogicos.