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Se utiliza el mtodo isotrmico de epitaxial e fase vapor para obtener capas de Hg, Cd,
Mn y Te que cuenten con un gradiente de composicin, sobre sustratos de Cd, Mn y Te.
En esta tcnica, la composicin superficial y las caractersticas electrnicas, como la
movilidad de electrones y tipo de
conectividad,
pueden
ser
cambiadas
ajustando la temperatura del sustrato y la
fuente por un lado y la del Hg por otro.
Los crecimientos fueron caracterizados por
el mtodo de Laue, microscopia electrnica
de barrido y microsonda electrnica,
tcnicas de etching y efecto Halkl. Estos
presentan caractersticas adecuadas para su
posterior aplicacin en la fabricacin de
detectores de IR de tipo fotovoltaico.
El crecimiento epitaxial por haces moleculares se produce en alto vaco o en ultra alto
vaco (10-10 atm). El aspecto ms importante del crecimiento epitaxial por haces
moleculares es el bajo ratio de deposicin (normalmente inferior a 3000 nm por hora),
lo cual permite un crecimiento epitaxial controlado. Hay que mencionar que cuan mejor
es el vaco con el que se trabaja, mucho mejor es el crecimiento, siendo necesario
trabajar en UHV para conseguir un crecimiento con un nivel de defectos mnimo.
La naturaleza qumica de la muestra queda
determinada por el compuesto qumico que
se utiliza para depositar. As, por ejemplo,
galio o el arsnico en estado slido ultra
puro, se calientan por separado en dos
celdas con estructura Knudsen, hasta
alcanzar su temperatura de sublimacin. Es
entonces cuando las molculas en estado
gaseoso condensado sobre la superficie del
substrato, empezando as el crecimiento de
la capa, en este caso una capa mono
cristalina de arseniuro de galio.